JP2018174256A - 基板保持装置の補修方法 - Google Patents
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Abstract
Description
基体10として、アルミナ焼結体からなり、直径200mm、厚さ7mmの円板状の本体部10Aの表面上に、厚さ1mmの絶縁層10Bが形成されているものを用意した。絶縁層10Bは、アルミナ溶射体からなり、体積抵抗率が1×1011[Ω・cm]、表面抵抗率が5×1010[Ω/□]であった。
実施例2〜5は、セラミックス溶射膜40の体積抵抗率及び表面抵抗率を変更した点を除いて実施例1と同様の条件で補修を行った。なお、実施例2〜5の体積抵抗率を変えるために、溶射原料中の酸化チタンの添加量を変更した。
比較例1は、基体10と冷却盤30とを一旦分離した後に、基体10の補修を行い、セラミックス溶射膜40が形成された基体10を冷却盤30と接合することにより作製した。なお、比較例1のセラミックス溶射膜40を構成する材料及び作製条件は、冷却管32に冷却媒体を供給しながら溶射を行わなかった点を除いて実施例1と同じである。
実施例1〜5及び比較例1について、前述したセラミックス溶射膜40の表面抵抗率及び体積抵抗率に加えて、静電吸着力、リーク電流、ウエハ温度の評価を実施した。
Claims (2)
- 基板が載置される表面及び裏面を有するセラミックスからなる基体と、前記基体の裏面に接合層を介して接合され、冷却媒体流路が内部に形成された冷却盤とを備えた基板保持装置の補修方法であって、
前記基体の表面部分を除去する工程と、
前記冷却媒体流路に冷却媒体を流しながら、前記表面部分の除去により現れる前記基体の表面にセラミックスを溶射してセラミックス溶射膜を形成する工程とを備えることを特徴とする方法。 - 前記基体に電極が設けられ、
前記セラミックス溶射膜は、前記基体の表面部分と比較して、体積抵抗率又は表面抵抗率が0.01倍以上100倍以下であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021153142A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及び基板処理装置 |
WO2022070721A1 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置の補修方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008028052A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着電極の補修方法 |
JP2012049220A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 耐プラズマ部材およびその再生方法 |
JP2013162084A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Ulvac Japan Ltd | 静電チャックの再生方法 |
JP2014522572A (ja) * | 2011-06-02 | 2014-09-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 静電チャックの窒化アルミ誘電体の修復方法 |
JP2017175076A (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板支持部材の補修方法 |
JP2018014515A (ja) * | 2017-09-07 | 2018-01-25 | 松田産業株式会社 | 静電チャック及びその製造方法並びに静電チャックの再生方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008028052A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着電極の補修方法 |
JP2012049220A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 耐プラズマ部材およびその再生方法 |
JP2014522572A (ja) * | 2011-06-02 | 2014-09-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 静電チャックの窒化アルミ誘電体の修復方法 |
JP2013162084A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Ulvac Japan Ltd | 静電チャックの再生方法 |
JP2017175076A (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板支持部材の補修方法 |
JP2018014515A (ja) * | 2017-09-07 | 2018-01-25 | 松田産業株式会社 | 静電チャック及びその製造方法並びに静電チャックの再生方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021153142A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及び基板処理装置 |
JP7413112B2 (ja) | 2020-03-24 | 2024-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及び基板処理装置 |
WO2022070721A1 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置の補修方法 |
JP2022056824A (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置の補修方法 |
JP7052847B1 (ja) | 2020-09-30 | 2022-04-12 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置の補修方法 |
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