JP2018174223A - Wiring substrate for electronic component, electronic component, and manufacturing method of the same - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring substrate for an electronic component, an electronic component, and a manufacturing method of the same, capable of realizing thinning of a wiring layer.SOLUTION: An electronic component wiring substrate includes: a plurality of metal plates; and an electrically insulating support. The plurality of metal plates has a first thickness and is arranged in the same plane. The support has a second thickness substantially the same as the first thickness. The peripheral surfaces of the plurality of metal plates are bonded to each other.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、例えば半導体パッケージの外部電極等に用いられる電子部品用配線基板、電子部品及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic component wiring board, an electronic component, and a method for manufacturing the same used for, for example, an external electrode of a semiconductor package.

近年における電子機器の小型化、多機能化に伴い、電子機器に搭載される配線基板やパッケージ部品の更なる小型化、薄型化、高密度実装化が求められている。このような要求に応えるため、例えば特許文献１には、電子部品を収容可能なキャビティを有する金属製のコア基材と、コア基材の両面に設けられた第１及び第２配線層と、コア基材を貫通して第１及び第２配線層の間を電気的に接続するビアとを備えた部品内蔵基板が開示されている。   With recent downsizing and multi-functionalization of electronic devices, there is a demand for further downsizing, thinning, and high-density mounting of wiring boards and package components mounted on electronic devices. In order to meet such a demand, for example, in Patent Document 1, a metal core base material having a cavity capable of accommodating an electronic component, first and second wiring layers provided on both surfaces of the core base material, A component-embedded substrate including a via that penetrates through a core base material and electrically connects the first and second wiring layers is disclosed.

また、特許文献２には、分離溝により所定の間隔で離間する複数の金属コア層と、これら金属コア層の上面及び下面を被覆する絶縁層と、これら絶縁層の上面及び下面に形成された第１及び第２配線層と、絶縁層を貫通して第１及び第２配線層と金属コア層とを電気的に接続する層間接続部とを備えた配線基板が開示されている。   In Patent Document 2, a plurality of metal core layers separated by a predetermined interval by a separation groove, insulating layers covering the upper and lower surfaces of these metal core layers, and the upper and lower surfaces of these insulating layers are formed. A wiring board is disclosed that includes first and second wiring layers and an interlayer connection portion that penetrates the insulating layer and electrically connects the first and second wiring layers and the metal core layer.

特許第５４６２４０４号公報Japanese Patent No. 5462404 特開２００８−６０３７２号公報JP 2008-60372 A

パワー半導体の小型モジュール化を実現しようとする場合、大電流に対する耐久性と放熱性の確保が課題になっている。しかしながら、特許文献１に記載の部品内蔵基板は、金属製のコア基材を用いた熱伝導性に優れた部品内蔵技術ではあるが、コア基材は単板に穴あけ加工を施したものであり、配線には適さない。   When trying to realize a small module of a power semiconductor, securing durability against a large current and heat dissipation have become issues. However, the component-embedded substrate described in Patent Document 1 is a component-embedded technology with excellent thermal conductivity using a metal core substrate, but the core substrate is obtained by drilling a single plate. Not suitable for wiring.

一方、特許文献２に記載の配線基板は、金属コア層どうしが分離溝内の絶縁層で電気的に絶縁されているため配線層として用いることができる。しかし、金属コア層とその上下面に形成される絶縁層とにより配線基板のトータル厚みが増加するため、これを電子部品に適用したとしても部品の薄型化に貢献できない。   On the other hand, the wiring board described in Patent Document 2 can be used as a wiring layer because the metal core layers are electrically insulated by the insulating layer in the separation groove. However, since the total thickness of the wiring board is increased by the metal core layer and the insulating layers formed on the upper and lower surfaces thereof, even if this is applied to an electronic component, it cannot contribute to the thinning of the component.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、配線層の薄型化を実現することができる電子部品用配線基板、電子部品及びその製造方法を提供することにある。   In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide a wiring board for electronic parts, an electronic part, and a method for manufacturing the same, which can realize a thinner wiring layer.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る電子部品用配線基板は、複数の金属板と、電気絶縁性の支持体とを具備する。
上記複数の金属板は、第１の厚みを有し、同一平面内に配列される。
上記支持体は、上記第１の厚みと実質的に同一の第２の厚みを有し、上記複数の金属板の周面どうしを相互に接合する。 In order to achieve the above object, a wiring board for electronic parts according to one embodiment of the present invention includes a plurality of metal plates and an electrically insulating support.
The plurality of metal plates have a first thickness and are arranged in the same plane.
The support has a second thickness substantially the same as the first thickness, and joins the peripheral surfaces of the plurality of metal plates to each other.

上記配線基板において、支持体は、各金属板と実質的に同一の厚みで形成されているため、配線基板の厚みを実質的に金属板の厚みにまで抑えることができる。上記配線基板は、例えば電子部品の外部電極として好適に用いられ、これにより大電流特性、放熱特性に優れた薄型の電子部品を提供することができる。   In the above wiring board, since the support is formed with substantially the same thickness as each metal plate, the thickness of the wiring board can be suppressed to substantially the thickness of the metal plate. The wiring board is preferably used as, for example, an external electrode of an electronic component, whereby a thin electronic component excellent in large current characteristics and heat dissipation characteristics can be provided.

上記支持体は、上記第２の厚みを有する第１の樹脂部と、上記第２の厚みを有し上記第１の樹脂部と上記複数の金属板の周面とを相互に接合する第２の樹脂部と、を含んでもよい。   The support includes a first resin portion having the second thickness, a second thickness having the second thickness, and joining the first resin portion and the peripheral surfaces of the plurality of metal plates to each other. The resin portion may be included.

上記第１の樹脂部は、上記第２の樹脂部を構成する樹脂材料よりも絶縁耐圧性及び耐熱性の高い樹脂材料で構成されてもよい。
上記第１の樹脂部は、例えば、ポリイミドで構成される。 The first resin portion may be made of a resin material having higher withstand voltage and heat resistance than the resin material constituting the second resin portion.
The first resin portion is made of polyimide, for example.

本発明の他の形態に係る電子部品用配線基板は、複数の金属板と、樹脂基板と、接合部とを具備する。
上記複数の金属板は、第１の厚みを有する。
上記樹脂基板は、上記第１の厚みと実質的に同一の第２の厚みを有し、上記複数の金属板を個々に収容する複数の収容部を有する。上記樹脂基板は、第１の樹脂材料で構成される。
上記接合部は、上記第２の厚みを有し、上記複数の収容部内において上記複数の金属板と上記樹脂基板との間を相互に接合する第２の樹脂材料で構成される。 The wiring board for electronic components according to another embodiment of the present invention includes a plurality of metal plates, a resin substrate, and a joint portion.
The plurality of metal plates have a first thickness.
The resin substrate has a second thickness that is substantially the same as the first thickness, and has a plurality of accommodating portions that individually accommodate the plurality of metal plates. The resin substrate is made of a first resin material.
The joining portion has the second thickness and is made of a second resin material that joins the plurality of metal plates and the resin substrate to each other in the plurality of housing portions.

本発明の一形態に係る電子部品は、第１の金属板と、第２の金属板と、電気絶縁性の支持体と、半導体素子とを具備する。
上記第１の金属板は、第１の厚みを有する。
上記第２の金属板は、上記第１の厚みを有し、上記第１の金属板と同一平面内に配列される。
上記支持体は、上記第１の厚みと実質的に同一の第２の厚みを有し、上記第１及び第２の金属板の周面どうしを相互に接合する。
上記半導体素子は、上記第１の金属板と電気的に接続される第１の電極と、上記第１の電極と同一平面内に配列され上記第２の金属板と電気的に接続される第２の電極とを有する。 An electronic component according to one embodiment of the present invention includes a first metal plate, a second metal plate, an electrically insulating support, and a semiconductor element.
The first metal plate has a first thickness.
The second metal plate has the first thickness and is arranged in the same plane as the first metal plate.
The support has a second thickness substantially the same as the first thickness, and joins the peripheral surfaces of the first and second metal plates to each other.
The semiconductor element includes a first electrode that is electrically connected to the first metal plate, and a first electrode that is arranged in the same plane as the first electrode and is electrically connected to the second metal plate. 2 electrodes.

本発明の一形態に係る電子部品の製造方法は、複数の電極を配置予定領域に開口部を有するポリイミド基板を準備することを含む。
上記開口部に、銅からなる電極が設けられる。
上記開口部と上記電極との間に絶縁樹脂が設けられることにより、上記ポリイミド基板と上記電極とが固定された電子部品用配線基板が作製される。
上記電極と半導体素子が電気的に接続されるように、上記電子部品用配線基板の上に上記半導体素子が設けられる。 The manufacturing method of the electronic component which concerns on one form of this invention includes preparing the polyimide substrate which has an opening part in the arrangement | positioning area | region which arrange | positions a some electrode.
An electrode made of copper is provided in the opening.
By providing an insulating resin between the opening and the electrode, an electronic component wiring board on which the polyimide substrate and the electrode are fixed is manufactured.
The semiconductor element is provided on the wiring board for electronic components so that the electrode and the semiconductor element are electrically connected.

以上述べたように、本発明によれば、配線層の薄型化を実現することができる電子部品用配線基板及び電子部品を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide an electronic component wiring board and an electronic component capable of realizing a thin wiring layer.

本発明の第１の実施形態に係る電子部品の構成を示す概略側断面図である。It is a schematic sectional side view which shows the structure of the electronic component which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 上記電子部品の概略平面図である。It is a schematic plan view of the electronic component. 上記電子部品の概略底面図である。It is a schematic bottom view of the electronic component. 上記電子部品の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the electronic component. 図１における電極基板の要部の拡大図である。It is an enlarged view of the principal part of the electrode substrate in FIG. 図３における上記電極基板の要部の拡大図である。It is an enlarged view of the principal part of the said electrode substrate in FIG. 上記電極基板の製造方法を示す各工程の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of each process which shows the manufacturing method of the said electrode substrate. 上記電極基板の概略平面図である。It is a schematic plan view of the electrode substrate. 本発明の第２の実施形態に係る電子部品の構成を示す概略側断面図である。It is a schematic sectional side view which shows the structure of the electronic component which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図８の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of FIG. 図８の他の変形例を示す図である。It is a figure which shows the other modification of FIG. 図２の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of FIG. 図８の更に他の変形例を示す図である。It is a figure which shows the other modification of FIG.

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品１００の構成を示す概略側断面図、図２は電子部品１００の概略平面図、図３は電子部品１００の概略底面図、図４は電子部品１００の等価回路図である。
なお図１〜図３においてＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、相互に直交する３軸方向を示しており、Ｚ軸は電子部品１００の高さ（厚み）方向に相当する。 <First Embodiment>
1 is a schematic side sectional view showing the configuration of an electronic component 100 according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic plan view of the electronic component 100, FIG. 3 is a schematic bottom view of the electronic component 100, and FIG. FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the electronic component 100.
1 to 3, the X axis, the Y axis, and the Z axis indicate three axial directions orthogonal to each other, and the Z axis corresponds to the height (thickness) direction of the electronic component 100.

本実施形態の電子部品１００は、第１の半導体素子１１と、第２の半導体素子１２と、これら半導体素子１１，１２を外部回路に接続する外部リード又はバスバーとしての第１〜第３の金属板２１〜２３とを含むＰＯＬ（Power Overlay）構造のパワー半導体パッケージ部品で構成される。   The electronic component 100 of the present embodiment includes a first semiconductor element 11, a second semiconductor element 12, and first to third metals as external leads or bus bars that connect the semiconductor elements 11 and 12 to an external circuit. A power semiconductor package component having a POL (Power Overlay) structure including the plates 21 to 23 is formed.

本実施形態において、第１の半導体素子１１は、Ｎチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）等のスイッチング素子で構成される。第１の半導体素子１１は、一方の面（図１において下面）に配置されたゲート端子（Ｇ）及びソース端子（Ｓ）と、他方の面（図１において上面）に配置されたドレイン端子（Ｄ）とを有する（図４参照）。ソース端子（Ｓ）は第１の金属板２１に、ゲート端子（Ｇ）は第２の金属板２２に、ドレイン端子（Ｄ）は、半導体素子１１，１２及び樹脂層１３上に配置された第３の金属板２３に、それぞれ電気的に接続される。   In the present embodiment, the first semiconductor element 11 is configured by a switching element such as an N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). The first semiconductor element 11 includes a gate terminal (G) and a source terminal (S) arranged on one surface (lower surface in FIG. 1), and a drain terminal (an upper surface in FIG. 1) ( D) (see FIG. 4). The source terminal (S) is disposed on the first metal plate 21, the gate terminal (G) is disposed on the second metal plate 22, and the drain terminal (D) is disposed on the semiconductor elements 11, 12 and the resin layer 13. 3 metal plates 23 are electrically connected to each other.

第２の半導体素子１２は、ダイオード等の整流素子で構成される。第２の半導体素子１２は、一方の面（図１において下面）に配置されたアノード端子（Ａ）と、他方の面（図１において上面）に配置されたカソード端子（Ｋ）とを有し、アノード端子（Ａ）は第１の金属板２１に、カソード端子（Ｋ）は第３の金属板２３に、それぞれ電気的に接続される。   The second semiconductor element 12 is composed of a rectifying element such as a diode. The second semiconductor element 12 has an anode terminal (A) disposed on one surface (lower surface in FIG. 1) and a cathode terminal (K) disposed on the other surface (upper surface in FIG. 1). The anode terminal (A) is electrically connected to the first metal plate 21, and the cathode terminal (K) is electrically connected to the third metal plate 23, respectively.

第１の半導体素子１１及び第２の半導体素子１２は、シリコン系の半導体基板で構成され、それぞれ同一又は略同一の厚み（例えば５００μｍ〜８００μｍ）で構成され、樹脂層１３を介して同一平面上に一体的に接合される。樹脂層１３は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂材料で構成され、本例において、樹脂層１３は、各半導体素子１１，１２と同一又は略同一の厚みで構成され、各半導体素子１１，１２の周縁部を取り囲むように平面形状が矩形に形成される（図１、図２参照）。   The first semiconductor element 11 and the second semiconductor element 12 are composed of a silicon-based semiconductor substrate, are composed of the same or substantially the same thickness (for example, 500 μm to 800 μm), and are on the same plane via the resin layer 13. Are integrally joined to each other. The resin layer 13 is composed of a thermosetting resin material such as an epoxy resin. In this example, the resin layer 13 is composed of the same or substantially the same thickness as the semiconductor elements 11 and 12. The planar shape is formed in a rectangular shape so as to surround the peripheral edge of the substrate (see FIGS. 1 and 2).

第１の金属板２１は、図３に示すように、Ｘ軸方向に沿った短辺とＹ軸方向に沿った長辺とを有する所定厚み（第１の厚み）の金属製の板材で構成される。第１の金属板２１は、典型的には、銅（Ｃｕ）で構成されるが、これに限られず、ステンレス鋼やアルミニウム合金等の他の金属材料で構成されてもよい。第１の金属板２１の厚みは特に限定されず、例えば、数百μｍ〜数千μｍ（具体的には、１００〜１０００μｍ）とされる。   As shown in FIG. 3, the first metal plate 21 is made of a metal plate having a predetermined thickness (first thickness) having a short side along the X-axis direction and a long side along the Y-axis direction. Is done. The first metal plate 21 is typically made of copper (Cu), but is not limited thereto, and may be made of other metal materials such as stainless steel and aluminum alloy. The thickness of the 1st metal plate 21 is not specifically limited, For example, you may be several hundred micrometers-several thousand micrometers (specifically, 100-1000 micrometers).

第１の金属板２１の長辺方向の両端部２１ａ，２１ｂには、当該金属板２１を上記外部回路と機械的かつ電気的に接続する締結用ボルトが挿通される貫通孔２１ｈがそれぞれ設けられている。第１の金属板２１の長手方向の概略中央部には、後述する支持体３０を介して接合される第２の金属板２２の一端部２２ａを収容する矩形の切欠き部２１ｃが設けられている。   Through holes 21h through which fastening bolts for mechanically and electrically connecting the metal plate 21 to the external circuit are respectively inserted in both ends 21a and 21b in the long side direction of the first metal plate 21. ing. A rectangular notch 21c that houses one end 22a of a second metal plate 22 joined via a support 30 described later is provided at the approximate center in the longitudinal direction of the first metal plate 21. Yes.

第２の金属板２２は、図３に示すように、Ｘ軸方向に沿った長辺とＹ軸方向に沿った短辺とを有する金属製の板材で構成される。第２の金属板２２は、典型的には、第１の金属板２１と同一の金属材料で構成されるとともに、第１の金属板２１と同一の厚み（第１の厚み）で形成される。そして、第２の金属板２２は、第１の金属板２１と同一の平面上に配置される。   As shown in FIG. 3, the second metal plate 22 is made of a metal plate material having a long side along the X-axis direction and a short side along the Y-axis direction. The second metal plate 22 is typically made of the same metal material as the first metal plate 21 and is formed with the same thickness (first thickness) as the first metal plate 21. . The second metal plate 22 is disposed on the same plane as the first metal plate 21.

第２の金属板２２の長辺方向の一端部２２ａは、第１の金属板２１の切欠き部２１ｃの内部に配置され、その他端部２２ｂは、第１の金属板２１の側面からＸ軸方向へ突出している。   One end portion 22 a in the long side direction of the second metal plate 22 is disposed inside the notch portion 21 c of the first metal plate 21, and the other end portion 22 b extends from the side surface of the first metal plate 21 to the X axis. Protrudes in the direction.

第３の金属板２３は、図２に示すように、実質矩形の主板部２３１と、実質矩形の突片部２３２とを有する金属製の板材で構成される。主板部２３１は、Ｘ軸方向に沿った短辺とＹ軸方向に沿った長辺とを有し、突片部２３２は、Ｘ軸方向に沿った長辺とＹ軸方向に沿った短辺とを有する。突片部２３２の突出端部２３ａには、当該金属板２３を上記外部回路と機械的かつ電気的に接続する締結用ボルトが挿通される貫通孔２３ｈが設けられている。   As shown in FIG. 2, the third metal plate 23 is made of a metal plate material having a substantially rectangular main plate portion 231 and a substantially rectangular protruding piece portion 232. The main plate portion 231 has a short side along the X-axis direction and a long side along the Y-axis direction, and the projecting piece 232 has a long side along the X-axis direction and a short side along the Y-axis direction. And have. The projecting end 23a of the projecting piece 232 is provided with a through hole 23h through which a fastening bolt for mechanically and electrically connecting the metal plate 23 to the external circuit is inserted.

第３の金属板２３は、典型的には、第１の金属板２１と同一の金属材料で構成されるとともに、第１の金属板２１と同一の厚みで形成される。第３の金属板２３は、第１及び第２の金属板２１，２２と平行な面内に配置される。第３の金属板２３が第１及び第２の金属板２１，２２と同一の材料で構成されることにより、各金属板２１〜２３の熱膨張係数を同一とすることができので、これら金属板２１〜２３の熱膨張差に起因する半導体素子１１，１２への熱応力が緩和される。   The third metal plate 23 is typically made of the same metal material as the first metal plate 21 and is formed with the same thickness as the first metal plate 21. The third metal plate 23 is disposed in a plane parallel to the first and second metal plates 21 and 22. Since the third metal plate 23 is made of the same material as that of the first and second metal plates 21 and 22, the metal plates 21 to 23 can have the same thermal expansion coefficient. The thermal stress on the semiconductor elements 11 and 12 due to the difference in thermal expansion of the plates 21 to 23 is alleviated.

図１に示すように、第１及び第２の金属板２１，２２は、電気絶縁性の支持体３０を介して相互に一体的に接合される電極基板４０を構成する。支持体３０は、第１及び第２の金属板２１，２２の厚み（第１の厚み）と実質的に同一の厚み（第２の厚み）を有し、各金属板２１，２２の周面どうしを相互に接合する。   As shown in FIG. 1, the first and second metal plates 21 and 22 constitute an electrode substrate 40 that is integrally joined to each other via an electrically insulating support 30. The support 30 has a thickness (second thickness) substantially the same as the thickness (first thickness) of the first and second metal plates 21 and 22, and the peripheral surfaces of the metal plates 21 and 22. Join each other together.

支持体３０は、図１及び図３に示すように、第１の金属板２１の切欠き部２１ｃの内部に充填される。支持体３０は、図５及び図６に示すように、芯材としての第１の樹脂部３１と、その両側に配置された接合部としての第２の樹脂部３２の複合構造を有する。   As shown in FIGS. 1 and 3, the support 30 is filled in the notch 21 c of the first metal plate 21. As shown in FIGS. 5 and 6, the support 30 has a composite structure of a first resin portion 31 as a core material and a second resin portion 32 as a joint portion disposed on both sides thereof.

図５は、図１における電極基板４０の要部の拡大図、図６は、図３における電極基板４０の要部の拡大図である。同図に示すように、第１及び第２の樹脂部３１，３２はそれぞれ同一の厚み（第２の厚み）を有し、その値は、第１及び第２の金属板２１，２２の厚み（第１の厚みと実質的に同一である。   FIG. 5 is an enlarged view of the main part of the electrode substrate 40 in FIG. 1, and FIG. 6 is an enlarged view of the main part of the electrode substrate 40 in FIG. As shown in the figure, the first and second resin portions 31 and 32 have the same thickness (second thickness), and the value is the thickness of the first and second metal plates 21 and 22. (It is substantially the same as the first thickness.

ここで、実質的に同一の厚みとは、完全に同一の厚みである場合だけでなく、当業者において同一の厚みと見做せるものをも含む。第１及び第２の樹脂部３１，３２は、第１の金属板２１と同一の厚みとなるように設計されるが、例えば、製造公差内での厚みバラツキがあってもよい。   Here, “substantially the same thickness” includes not only the case where the thickness is completely the same, but also the case where those skilled in the art can think of the same thickness. Although the 1st and 2nd resin parts 31 and 32 are designed so that it may become the same thickness as the 1st metal plate 21, for example, there may be thickness variation within a manufacturing tolerance.

第２の樹脂部３２は、第１の樹脂部３１と第１及び第２の金属板２１，２２の周面とを相互に接合する接着性の樹脂材料で構成される。このような樹脂材料として、例えば、耐熱性を有する絶縁性樹脂が挙げられ、典型的には、エポキシ樹脂等が用いられる。これ以外にも、第２の樹脂部３２には、シリコン樹脂やウレタン樹脂等の適度な弾性を有する材料が用いられてもよい。   The 2nd resin part 32 is comprised with the adhesive resin material which joins the 1st resin part 31 and the surrounding surface of the 1st and 2nd metal plates 21 and 22 mutually. Examples of such a resin material include an insulating resin having heat resistance, and typically an epoxy resin or the like is used. In addition to this, the second resin portion 32 may be made of a material having moderate elasticity such as silicon resin or urethane resin.

一方、第１の樹脂部３１を構成する材料は特に限定されない。本実施形態では、第１の樹脂部３１は、第２の樹脂部３２を構成する樹脂材料よりも絶縁耐圧性及び耐熱性の高い樹脂材料で構成される。このような樹脂材料として、典型的には、ポリイミドが挙げられるが、これ以外にも、例えば、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、フェノール樹脂、液晶ポリマ等が挙げられる。   On the other hand, the material which comprises the 1st resin part 31 is not specifically limited. In the present embodiment, the first resin portion 31 is made of a resin material having higher withstand voltage and heat resistance than the resin material constituting the second resin portion 32. Typical examples of such a resin material include polyimide, but other examples include BCB (benzocyclobutene), phenol resin, and liquid crystal polymer.

後述するように、第１の樹脂部３１は、定形性を有するシート状の樹脂基板の一部で構成され、所定形状に切り出すことで第１の金属板２１の切欠き部２１ｃ内に配置される。一方、第２の樹脂部３２は、ペースト状の樹脂材料の硬化物で構成され、スクリーン印刷法等の塗布技術を用いて、切欠き部２１ｃ内に充填される。   As will be described later, the first resin portion 31 is constituted by a part of a sheet-like resin substrate having a fixed shape, and is arranged in the notch portion 21c of the first metal plate 21 by cutting out into a predetermined shape. The On the other hand, the 2nd resin part 32 is comprised with the hardened | cured material of a paste-form resin material, and is filled in the notch part 21c using coating techniques, such as a screen printing method.

電子部品１００はさらに、電極基板４０と半導体素子１１，１２との間を接合する中間接続層５０を有する。図１に示すように、中間接続層５０は、基材５１と、接着層５２と、層間接続部５３〜５５とを有する。   The electronic component 100 further includes an intermediate connection layer 50 that joins between the electrode substrate 40 and the semiconductor elements 11 and 12. As shown in FIG. 1, the intermediate connection layer 50 includes a base material 51, an adhesive layer 52, and interlayer connection portions 53 to 55.

基材５１は、電気絶縁性材料（誘電材料）で構成されたシート部材であり、典型的にはポリイミドで構成されるが、勿論これに限られない。接着層５２は、エポキシ系、アクリル系等の樹脂材料で構成されてもよいし、市販の両面粘着テープ等で構成されてもよい。   The substrate 51 is a sheet member made of an electrically insulating material (dielectric material), and is typically made of polyimide, but is not limited to this. The adhesive layer 52 may be composed of an epoxy-based or acrylic-based resin material, or may be composed of a commercially available double-sided adhesive tape or the like.

層間接続部５３〜５５は、銅めっきや銀めっき等の金属めっき層で構成され、基材５１及び接着層５２を貫通して第１及び第２の半導体素子１１，１２へ接続される。はんだや導電性接着剤、銀ペースト等の焼成体等が、層間接続部５３〜５５と電極基板４０との間に別途設けられてもよく、これにより第１及び第２の金属板２１，２２との密着性を高めることができる。   The interlayer connection parts 53 to 55 are made of a metal plating layer such as copper plating or silver plating, and are connected to the first and second semiconductor elements 11 and 12 through the base material 51 and the adhesive layer 52. A fired body such as solder, conductive adhesive, silver paste, or the like may be separately provided between the interlayer connection portions 53 to 55 and the electrode substrate 40, whereby the first and second metal plates 21 and 22 are provided. Adhesion can be improved.

層間接続部５３は、第１の金属板２１と第２の半導体素子１２のアノード端子（Ａ）との間を電気的に接続し、層間接続部５４は、第１の金属板２１と第１の半導体素子１１のソース端子（Ｓ）との間を電気的に接続する。層間接続部５５は、第２の金属板２２と第１の半導体素子１１のゲート端子（Ｇ）との間を電気的に接続する。層間接続部５３〜５５は、金属めっき層に代えて、はんだ等で構成されてもよい。   The interlayer connection portion 53 electrically connects the first metal plate 21 and the anode terminal (A) of the second semiconductor element 12, and the interlayer connection portion 54 connects the first metal plate 21 to the first metal plate 21. Are electrically connected to the source terminal (S) of the semiconductor element 11. The interlayer connection portion 55 electrically connects the second metal plate 22 and the gate terminal (G) of the first semiconductor element 11. Interlayer connection portions 53 to 55 may be made of solder or the like instead of the metal plating layer.

なお、第３の金属板２３は、第１の半導体素子１１のドレイン端子（Ｄ）と第２の半導体素子１２のカソード端子（Ｋ）に共通に接続される。接合方法は特に限定されず、典型的には、はんだ接合である。なお、銀ペーストなどの導電ペーストを使って接合してもよい。   The third metal plate 23 is connected in common to the drain terminal (D) of the first semiconductor element 11 and the cathode terminal (K) of the second semiconductor element 12. The joining method is not particularly limited, and typically solder joining. In addition, you may join using electrically conductive pastes, such as a silver paste.

また、電子部品１００は、例えば図１において二点鎖線で示すように、電極基板４０上の半導体素子１１，１２、中間接続層５０を被覆する封止樹脂層６０が設けられてもよい。封止樹脂層６０の構成材料には、典型的には、エポキシ樹脂が用いられる。封止樹脂層６０の形成により、外部から半導体素子１１，１２への水分の侵入を防止できるとともに、中間接続層５０による電極基板４０と半導体素子１１，１２との接合信頼性を高めることができる。   Further, the electronic component 100 may be provided with a sealing resin layer 60 that covers the semiconductor elements 11 and 12 and the intermediate connection layer 50 on the electrode substrate 40, for example, as indicated by a two-dot chain line in FIG. An epoxy resin is typically used as a constituent material of the sealing resin layer 60. The formation of the sealing resin layer 60 can prevent moisture from entering the semiconductor elements 11 and 12 from the outside, and can improve the bonding reliability between the electrode substrate 40 and the semiconductor elements 11 and 12 by the intermediate connection layer 50. .

以上のように構成される本実施形態の電子部品１００において、電極基板４０は、支持体３０を介して第１の金属板２１及び第２の金属板２２を一体的に保持する配線基板を構成する。そして、支持体３０は、各金属板２１，２２と実質的に同一の厚みで形成されているため、電極基板４０の厚みを実質的に金属板２１，２２の厚みにまで抑えることができる。   In the electronic component 100 of the present embodiment configured as described above, the electrode substrate 40 constitutes a wiring substrate that integrally holds the first metal plate 21 and the second metal plate 22 via the support 30. To do. And since the support body 30 is formed by the substantially same thickness as each metal plate 21 and 22, the thickness of the electrode substrate 40 can be suppressed to the thickness of the metal plates 21 and 22 substantially.

本実施形態において、電極基板４０は、電子部品１００の外部電極として用いられる。当該外部電極は、金属板（Ｃｕ板）で構成されているため、良好な電気伝導性と熱伝導性を有する。これにより、大電流特性、放熱特性に優れた薄型の電子部品１００を提供することができる。   In the present embodiment, the electrode substrate 40 is used as an external electrode of the electronic component 100. Since the external electrode is made of a metal plate (Cu plate), it has good electrical conductivity and thermal conductivity. Thereby, the thin electronic component 100 excellent in the large current characteristic and the heat dissipation characteristic can be provided.

また、支持体３０は、ポリイミドからなる第１の樹脂部３１と接着性樹脂からなる第２の樹脂部３２との複合構造を有するため、耐熱性及び耐圧性に優れ、かつ金属板２１，２２との良好な密着性を確保することができる。   Further, since the support 30 has a composite structure of the first resin portion 31 made of polyimide and the second resin portion 32 made of adhesive resin, it has excellent heat resistance and pressure resistance, and the metal plates 21 and 22. And good adhesion can be ensured.

さらに、中間接続層５０を構成する基材５１にポリイミドが採用されているため、比較的薄い厚みで層間接続部５３〜５５間における良好な電気的耐圧性を安定に確保することができる。これにより、パワー半導体部品の信頼性を高めることができる。   Furthermore, since polyimide is employed for the base material 51 that constitutes the intermediate connection layer 50, it is possible to stably ensure good electrical pressure resistance between the interlayer connection portions 53 to 55 with a relatively thin thickness. Thereby, the reliability of a power semiconductor component can be improved.

続いて、本実施形態の電子部品１００の製造方法、特に、電極基板４０の製造方法について説明する。図７Ａ〜Ｃは、電極基板４０の製造方法を示す各工程の概略断面図、図８は、電極基板４０の平面図である。   Next, a method for manufacturing the electronic component 100 according to the present embodiment, in particular, a method for manufacturing the electrode substrate 40 will be described. 7A to 7C are schematic cross-sectional views of each step showing the method for manufacturing the electrode substrate 40, and FIG. 8 is a plan view of the electrode substrate 40.

まず、図７Ａに示すように、金属板２１，２２を収容可能な複数の開口部３１０ｈを有する樹脂基板３１０を準備し、支持シートＭの上に貼着する。開口部３１０ｈは、樹脂基板３１０の複数の電極の配置予定領域に設けられる。   First, as shown in FIG. 7A, a resin substrate 310 having a plurality of openings 310 h that can accommodate the metal plates 21 and 22 is prepared and adhered onto the support sheet M. The opening 310h is provided in a region where the plurality of electrodes of the resin substrate 310 are to be arranged.

樹脂基板３１０は、支持体３０における第１の樹脂部３１を構成するもので、本実施形態では、ポリイミド基板が用いられる。樹脂基板３１０は、金属板２１，２２と実質的に同一の厚みで形成される。支持シートＭは、例えば、樹脂基板３１０が載置される表面に粘着性を有する粘着テープで構成され、耐熱性を有する樹脂シート、金属シート、セラミックシート等の適宜の材料で構成される。なお、樹脂基板３１０はポリイミドから構成されてもよい。   The resin substrate 310 constitutes the first resin portion 31 in the support 30, and a polyimide substrate is used in the present embodiment. The resin substrate 310 is formed with substantially the same thickness as the metal plates 21 and 22. The support sheet M is made of, for example, an adhesive tape having adhesiveness on the surface on which the resin substrate 310 is placed, and is made of an appropriate material such as a heat-resistant resin sheet, a metal sheet, or a ceramic sheet. The resin substrate 310 may be made of polyimide.

開口部３１０ｈは、樹脂基板３１０をその厚み方向に貫通する貫通孔であり、第１の金属板２１を収容する第１の開口部ｈ２１と、第２の金属板２２を収容する第２の開口部ｈ２２とを含む。第１及び第２の開口部ｈ２１，ｈ２２はそれぞれ、第１及び第２の金属板２１，２２の外形に対応し、かつそれらよりも若干大きい開口形状を有する（図８参照）。   The opening 310 h is a through hole that penetrates the resin substrate 310 in the thickness direction, and includes a first opening h 21 that houses the first metal plate 21 and a second opening that houses the second metal plate 22. Part h22. The first and second openings h21 and h22 have openings that correspond to the outer shapes of the first and second metal plates 21 and 22, respectively, and are slightly larger (see FIG. 8).

続いて、図７Ｂに示すように、支持シートＭ上の樹脂基板３１０の各開口部３１０ｈ（ｈ２１，ｈ２２）に、第１の金属板２１及び第２の金属板２２がそれぞれ配置される。このとき、各開口部３１０ｈ（ｈ２１，ｈ２２）の内周面と各金属板２１，２２の外周面との間に所定の隙間（例えば、１００μｍ〜１０００μｍ）が形成されるように、各金属板２１，２２が配置される。金属板２１，２２は、例えば、打ち抜きプレス加工、レーザー加工、エッチング加工等により所定形状に形成される。   Subsequently, as shown in FIG. 7B, the first metal plate 21 and the second metal plate 22 are arranged in the openings 310 h (h 21, h 22) of the resin substrate 310 on the support sheet M, respectively. At this time, each metal plate is formed such that a predetermined gap (for example, 100 μm to 1000 μm) is formed between the inner peripheral surface of each opening 310h (h21, h22) and the outer peripheral surface of each metal plate 21, 22. 21 and 22 are arranged. The metal plates 21 and 22 are formed in a predetermined shape by, for example, punching press processing, laser processing, etching processing, or the like.

次に、図７Ｃに示すように、開口部３１０ｈ（ｈ２１，ｈ２２）の内周面と各金属板２１，２２の外周面との間の隙間をエポキシ樹脂等の接着性を有する樹脂材料で充填し、熱硬化させることで第２の樹脂部３２（接合部）を形成する。上記樹脂材料の充填方法は特に限定されず、スクリーン印刷技術やディスペンサノズルを用いた塗布技術が採用可能である。   Next, as shown in FIG. 7C, the gap between the inner peripheral surface of the opening 310h (h21, h22) and the outer peripheral surface of each metal plate 21, 22 is filled with a resin material having adhesive properties such as epoxy resin. Then, the second resin portion 32 (joint portion) is formed by thermosetting. The filling method of the resin material is not particularly limited, and a screen printing technique or a coating technique using a dispenser nozzle can be employed.

以上のようにして作製された電極基板４０は、図８に示すように、第１の金属板２１及び第２の金属板２２各々の周面部が第２の樹脂部３２（図中太実線の部分）で被覆されるとともに、切欠き部２１ｃにおける第１の金属板２１と第２の金属板２２との境界部に、第１の樹脂部３１と第２の樹脂部３２との複合構造からなる支持体３０が構成される（図１参照）。   As shown in FIG. 8, the electrode substrate 40 manufactured as described above has a peripheral portion of each of the first metal plate 21 and the second metal plate 22 in the second resin portion 32 (indicated by a thick solid line in the drawing). Part) and at the boundary between the first metal plate 21 and the second metal plate 22 in the notch portion 21c, from the composite structure of the first resin portion 31 and the second resin portion 32 A support 30 is formed (see FIG. 1).

続いて、以上のように作製された電極基板４０の上に、中間接続層５０、第１及び第２の半導体素子１１，１２、第３の金属板２３がそれぞれ積層される。その後、支持シートＭが除去され、樹脂基板３１０の外形を適宜の形状に加工することにより、図１〜図３に示す本実施形態の電子部品１００が作製される。   Subsequently, the intermediate connection layer 50, the first and second semiconductor elements 11 and 12, and the third metal plate 23 are laminated on the electrode substrate 40 manufactured as described above. Thereafter, the support sheet M is removed, and the outer shape of the resin substrate 310 is processed into an appropriate shape, whereby the electronic component 100 of the present embodiment shown in FIGS. 1 to 3 is manufactured.

ここでは、第１及び第２の半導体素子１１，１２の表面に、接着層５２を介して基材５１を形成した後に、第１及び第２の半導体素子１１，１２の電極露出用の開口部を基材５１と接着層５２からなる積層体に形成し、ここにメッキにより銅（Ｃｕ）を析出させることで、層間接続部５３〜５５を形成する。そしてその後に、金属板２３を固着しても良い。この状態のものを予め準備する事により、電極基板４０上に容易に搭載が可能となる。   Here, after the base material 51 is formed on the surfaces of the first and second semiconductor elements 11 and 12 via the adhesive layer 52, the electrode exposure openings of the first and second semiconductor elements 11 and 12 are formed. Are formed in a laminated body composed of a base material 51 and an adhesive layer 52, and copper (Cu) is deposited thereon by plating to form interlayer connection portions 53 to 55. Thereafter, the metal plate 23 may be fixed. By preparing in this state in advance, it can be easily mounted on the electrode substrate 40.

支持シートＭは、中間接続層５０等の形成前に、電極基板４０から除去されてもよい。樹脂基板３１０は、切欠き部２１ｃの内部以外の領域はすべて除去されてもよいし、第１及び第２の金属板２１，２２の周面部に一部が残留するように加工されてもよい。第２の樹脂部３２も同様に、支持体３０を構成する第１及び第２の金属板２１，２２の接合領域を除く各金属板２１，２２の周面部から完全に除去されてもよいし、一部が残留するように加工されてもよい。   The support sheet M may be removed from the electrode substrate 40 before forming the intermediate connection layer 50 and the like. The resin substrate 310 may be entirely removed except for the inside of the notch 21c, or may be processed so that a part thereof remains on the peripheral surface portions of the first and second metal plates 21 and 22. . Similarly, the second resin portion 32 may be completely removed from the peripheral surface portions of the metal plates 21 and 22 excluding the joining region of the first and second metal plates 21 and 22 constituting the support 30. , It may be processed so that a part remains.

本実施形態によれば、電極基板４０が樹脂基板３１０を出発材料としてその開口部３１０ｈ内に第１及び第２の金属板２１，２２をそれぞれ収容することで作製されるため、第１及び第２の金属板２１，２２の間にその厚み範囲にわたってポリイミドからなる第１の樹脂部３１を容易に配置することができる。これにより、第１及び第２の金属板２１，２２間において耐圧性部材をより安定に形成することができるため、パワー半導体部品の信頼性を高めることができる。   According to the present embodiment, since the electrode substrate 40 is manufactured by housing the first and second metal plates 21 and 22 in the opening 310h using the resin substrate 310 as a starting material, the first and first The first resin portion 31 made of polyimide can be easily disposed between the two metal plates 21 and 22 over the thickness range. Thereby, since a pressure-resistant member can be formed more stably between the first and second metal plates 21 and 22, the reliability of the power semiconductor component can be increased.

特に図１３に示すように、ソース、ドレインおよびゲートが電極基板１４０に一緒に形成されると、高電圧が印加される部分、例えばドレイン−ゲート、ドレイン−ソース間に高電圧が加わる。この場合、高耐圧材料のポリイミドシートを加工して開口部を形成するため、その高耐圧が加わる部分には、シート状のポリイミドシートが残ることになり、高耐圧に対して耐性を持つことが可能となる。   In particular, as shown in FIG. 13, when the source, drain, and gate are formed together on the electrode substrate 140, a high voltage is applied between portions to which a high voltage is applied, for example, between the drain-gate and the drain-source. In this case, since the polyimide sheet of the high pressure resistant material is processed to form the opening, the sheet-like polyimide sheet remains in the portion to which the high pressure resistance is applied, and it is resistant to the high pressure resistance. It becomes possible.

また、本実施形態によれば、第１及び第２の金属板２１，２２が相互に一体化された電極基板４０を用いて電子部品１００を製造することができるため、中間接続層５０の形成工程や半導体素子１１，１２の実装工程を電極基板４０上において実施することができる。これにより、貼り替え用のサポート基板等を別途必要とすることなく、少ない部材数、工程数で電子部品１００を容易に製造することができる。   In addition, according to the present embodiment, since the electronic component 100 can be manufactured using the electrode substrate 40 in which the first and second metal plates 21 and 22 are integrated with each other, the intermediate connection layer 50 is formed. The process and the mounting process of the semiconductor elements 11 and 12 can be performed on the electrode substrate 40. As a result, the electronic component 100 can be easily manufactured with a small number of members and processes without requiring a separate support substrate for replacement.

＜第２の実施形態＞
図９は、本発明の第２の実施形態に係る電子部品２００の構成を示す概略側断面図である。以下、第１の実施形態と異なる構成について主に説明し、第１の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。 <Second Embodiment>
FIG. 9 is a schematic sectional side view showing the configuration of the electronic component 200 according to the second embodiment of the present invention. Hereinafter, the configuration different from the first embodiment will be mainly described, and the same configuration as the first embodiment will be denoted by the same reference numeral, and the description thereof will be omitted or simplified.

本実施形態の電子部品２００は、表面実装型の電子部品で構成されている点で第１の実施形態と異なる。本実施形態の電子部品２００において、電極基板４０の一方の面（図８において下面）は、絶縁性の保護層（例えばＰＳＲ（Photo Sensitive Resist））７０で被覆されており、その保護層７０の一部を開口させて外部接続用の複数のボール端子７１がそれぞれ接続される。   The electronic component 200 according to the present embodiment is different from the first embodiment in that the electronic component 200 is composed of a surface-mount type electronic component. In the electronic component 200 of this embodiment, one surface (the lower surface in FIG. 8) of the electrode substrate 40 is covered with an insulating protective layer (for example, PSR (Photo Sensitive Resist)) 70. A plurality of ball terminals 71 for external connection are respectively connected by opening a part.

ボール端子７１は、図示しない回路基板（マザーボード）に表面実装される。第１の金属板２１及び第２の金属板２２の直下にそれぞれ少なくとも１つずつ配置される。第３の金属板２３と上記回路基板との電気的接続には、別途設けられたボール端子が用いられてもよいし、ボンディングワイヤが用いられてもよい。あるいは専用の接続部材が、第３の金属板２３と上記回路基板上にマウントされてもよい。   The ball terminal 71 is surface-mounted on a circuit board (motherboard) (not shown). At least one each is disposed immediately below the first metal plate 21 and the second metal plate 22. A ball terminal provided separately may be used for electrical connection between the third metal plate 23 and the circuit board, or a bonding wire may be used. Alternatively, a dedicated connection member may be mounted on the third metal plate 23 and the circuit board.

以上のように構成される本実施形態の電子部品２００においても、上述の第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。本実施形態の電子部品２００によれば、大電流特性、放熱特性に優れた薄型の表面実装部品を提供することができる。   Also in the electronic component 200 of the present embodiment configured as described above, it is possible to obtain the same operational effects as those of the first embodiment described above. According to the electronic component 200 of the present embodiment, it is possible to provide a thin surface-mounted component excellent in large current characteristics and heat dissipation characteristics.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited only to the above-mentioned embodiment, Of course, a various change can be added.

例えば以上の実施形態では、第１及び第２の半導体素子１１，１２として、高耐圧用のシリコン系のトランジスタ及びダイオードが用いられたが、これ以外の他の半導体素子が用いられてもよい。例えば、ガリウムヒ素系の高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）や窒化ガリウム系の発光ダイオード等が採用可能である。また、搭載される半導体素子の数は２つに限られず、１つ又は３つ以上であってもよい。   For example, in the above embodiment, high-voltage silicon transistors and diodes are used as the first and second semiconductor elements 11 and 12, but other semiconductor elements may be used. For example, a gallium arsenide high electron mobility transistor (HEMT), a gallium nitride light emitting diode, or the like can be used. Further, the number of semiconductor elements to be mounted is not limited to two, and may be one or three or more.

また、以上の実施形態では、第１の金属板２１と第２の金属板２２とを相互に接合する支持体３０が第１の樹脂部３１と第２の樹脂部３２とを含む複合構造で構成されたが、これに代えて、第２の樹脂部３２のみで構成されてもよい。この場合、例えば図１０に示すように第１の金属板２１の切欠き部２１ｃと第２の金属板２２との間に第２の樹脂部３２が充填されることで、当該樹脂部３２からなる支持体３３が構成される。   Moreover, in the above embodiment, the support body 30 that joins the first metal plate 21 and the second metal plate 22 to each other has a composite structure including the first resin portion 31 and the second resin portion 32. Although comprised, it may replace with this and may be comprised only with the 2nd resin part 32. FIG. In this case, for example, as shown in FIG. 10, the second resin portion 32 is filled between the notch portion 21 c and the second metal plate 22 of the first metal plate 21. A support 33 is formed.

切欠き部２１ｃの形状は上述の例に限られず、図１１に示すようにＹ軸方向に比較的広く切欠き開口が形成されてもよい。この場合、樹脂基板３２０から電極基板４０を切り出したときに、切欠き部２１ｃ内に存在する樹脂基板由来の第１の樹脂部３２を比較的広い面積で形成することができるため、電極基板４０の形状保持性が高められる。さらには、延面距離を確保でき、高耐圧特性を向上させることもできる。   The shape of the notch 21c is not limited to the above example, and a notch opening may be formed relatively wide in the Y-axis direction as shown in FIG. In this case, when the electrode substrate 40 is cut out from the resin substrate 320, the first resin portion 32 derived from the resin substrate existing in the notch 21c can be formed in a relatively wide area. The shape retention of the is improved. Furthermore, it is possible to secure the extended distance and to improve the high withstand voltage characteristics.

樹脂基板３１０は枚葉サイズのものに限られず、第１の金属板２１の長辺方向に長手の長尺のシート状に形成されてもよい。これにより、ロールツーロール方式で電極基板４０を製造あるいは搬送することが可能となる。   The resin substrate 310 is not limited to a single wafer size, and may be formed in a long sheet shape that is long in the long side direction of the first metal plate 21. Thereby, it becomes possible to manufacture or convey the electrode substrate 40 by a roll-to-roll method.

第１の金属板２１は、部品サイズよりも大きく形成されてもよい。この場合、図１２に示すように一方の端部２１ａに設けられる締結用ボルトの貫通孔２４ｈを金属板２１の長手方向（Ｙ軸方向）に長軸を有する長孔又は楕円形状に形成されてもよい。この場合、上記締結用ボルトに対して金属板２１が貫通孔２４ｈ内を上記長手方向に移動可能に外部回路へ固定することで、当該固定部における金属板２１の熱膨張あるいは熱収縮による応力を緩和することができる。   The first metal plate 21 may be formed larger than the component size. In this case, as shown in FIG. 12, the through-hole 24h of the fastening bolt provided at one end 21a is formed in a long hole or an elliptical shape having a long axis in the longitudinal direction (Y-axis direction) of the metal plate 21. Also good. In this case, the metal plate 21 is fixed to the external circuit so that the metal plate 21 can move in the longitudinal direction in the longitudinal direction with respect to the fastening bolt, so that the stress due to thermal expansion or contraction of the metal plate 21 in the fixing portion is applied. Can be relaxed.

さらに、電極基板は、２つの金属板を支持する構成に限られず、例えば図１３に示すように、第１〜第３の金属板２１〜２３を共通に支持可能に構成されてもよい。同図に示す電極基板１４０において、樹脂基板３１０は、第１〜第３の金属板１２１〜１２３を個々に収容可能な３つの開口部を有し、各金属板１２１〜１２３は、これら各開口部内において接合部（第２の樹脂部３２）を介して樹脂基板３１０と接合される。これにより、３つの金属板１２１〜１２３は、樹脂基板３１０によって同一平面内において共通に支持される。   Furthermore, the electrode substrate is not limited to a configuration that supports two metal plates, and may be configured to be able to support the first to third metal plates 21 to 23 in common, for example, as shown in FIG. In the electrode substrate 140 shown in the figure, the resin substrate 310 has three openings that can individually accommodate the first to third metal plates 121 to 123, and each of the metal plates 121 to 123 includes the openings. In the part, it is joined to the resin substrate 310 via a joint part (second resin part 32). As a result, the three metal plates 121 to 123 are supported in common in the same plane by the resin substrate 310.

図１３に示す電極基板１４０を備えた電子部品としては、典型的には、同一平面内にソース端子、ゲート端子及びドレイン端子を有するトランジスタ部品が挙げられる。この場合、第１の金属板１２１はソース端子（Ｓ）に、第２の金属板１２２はゲート端子（Ｇ）に、そして第３の金属板１２３はドレイン端子（Ｄ）に、それぞれ電気的に接続される。   As an electronic component including the electrode substrate 140 illustrated in FIG. 13, typically, a transistor component having a source terminal, a gate terminal, and a drain terminal in the same plane can be given. In this case, the first metal plate 121 is electrically connected to the source terminal (S), the second metal plate 122 is electrically connected to the gate terminal (G), and the third metal plate 123 is electrically connected to the drain terminal (D). Connected.

また、図１３に示すように、電極基板１４０上に２つの半導体素子１１１，１１２が搭載されてもよい。第１の半導体素子１１１としてはトランジスタ部品が、第２の半導体素子１１２としてはダイオード部品がそれぞれ採用されてもよい。これにより、図４に示す等価回路を備えた電子部品を構成することができる。また、第２の半導体素子１１２はダイオード部品に限られず、コンデンサ部品やコイル部品、抵抗部品等の他の受動部品が採用されてもよい。   As shown in FIG. 13, two semiconductor elements 111 and 112 may be mounted on the electrode substrate 140. A transistor component may be employed as the first semiconductor element 111, and a diode component may be employed as the second semiconductor element 112. Thereby, the electronic component provided with the equivalent circuit shown in FIG. 4 can be configured. The second semiconductor element 112 is not limited to a diode component, and other passive components such as a capacitor component, a coil component, and a resistance component may be employed.

１１，１１１…第１の半導体素子
１２，１１２…第２の半導体素子
２１，１２１…第１の金属板
２２，１２２…第２の金属板
２３，１２３…第３の金属板
３０，３３…支持体
３１…第１の樹脂部（樹脂基板）
３２…第２の樹脂部（接合部）
４０，１４０…電極基板
５０…中間接続層
１００，２００，３００…電子部品
３１０…樹脂基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11, 111 ... 1st semiconductor element 12, 112 ... 2nd semiconductor element 21, 121 ... 1st metal plate 22, 122 ... 2nd metal plate 23, 123 ... 3rd metal plate 30, 33 ... Support Body 31 ... 1st resin part (resin substrate)
32 ... 2nd resin part (joining part)
40, 140 ... electrode substrate 50 ... intermediate connection layer 100, 200, 300 ... electronic component 310 ... resin substrate

Claims (7)

第１の厚みを有し、同一平面内に配列された複数の金属板と、
前記第１の厚みと実質的に同一の第２の厚みを有し、前記複数の金属板の周面どうしを相互に接合する電気絶縁性の支持体と
を具備する電子部品用配線基板 A plurality of metal plates having a first thickness and arranged in the same plane;
An electronic component wiring board comprising: a second thickness substantially the same as the first thickness, and an electrically insulating support that joins the peripheral surfaces of the plurality of metal plates to each other. 請求項１に記載の電子部品用配線基板であって、
前記支持体は、前記第２の厚みを有する第１の樹脂部と、前記第２の厚みを有し前記第１の樹脂部と前記複数の金属板の周面とを相互に接合する第２の樹脂部と、を含む
電子部品用配線基板。 The electronic component wiring board according to claim 1,
The support has a second resin portion having the second thickness, a second resin portion having the second thickness, and joining the first resin portion and peripheral surfaces of the plurality of metal plates to each other. And an electronic component wiring board. 請求項２に記載の電子部品用配線基板であって、
前記第１の樹脂部は、前記第２の樹脂部を構成する樹脂材料よりも絶縁耐圧性及び耐熱性の高い樹脂材料で構成される。
電子部品用配線基板。 The electronic component wiring board according to claim 2,
The first resin portion is made of a resin material having higher withstand voltage and heat resistance than the resin material constituting the second resin portion.
Wiring board for electronic parts. 請求項３に記載の電子部品用配線基板であって、
前記第１の樹脂部は、ポリイミドで構成される
電子部品用配線基板。 The electronic component wiring board according to claim 3,
The first resin part is a wiring board for electronic parts made of polyimide. 第１の厚みを有する複数の金属板と、
前記第１の厚みと実質的に同一の第２の厚みを有し、前記複数の金属板を個々に収容する複数の収容部を有する、第１の樹脂材料で構成された樹脂基板と、
前記第２の厚みを有し、前記複数の収容部内において前記複数の金属板と前記樹脂基板との間を相互に接合する第２の樹脂材料で構成された接合部と
を具備する電子部品用配線基板。 A plurality of metal plates having a first thickness;
A resin substrate made of a first resin material, having a second thickness substantially the same as the first thickness, and having a plurality of accommodating portions for individually accommodating the plurality of metal plates;
An electronic component comprising: a second resin material having a second thickness, and a second resin material that joins the plurality of metal plates and the resin substrate to each other in the plurality of housing parts. Wiring board. 第１の厚みを有する第１の金属板と、
前記第１の厚みを有し、前記第１の金属板と同一平面内に配列された第２の金属板と、
前記第１の厚みと実質的に同一の第２の厚みを有し、前記第１及び第２の金属板の周面どうしを相互に接合する電気絶縁性の支持体と、
前記第１の金属板と電気的に接続される第１の電極と、前記第１の電極と同一平面内に配列され前記第２の金属板と電気的に接続される第２の電極とを有する半導体素子と
を具備する電子部品。 A first metal plate having a first thickness;
A second metal plate having the first thickness and arranged in the same plane as the first metal plate;
An electrically insulating support having a second thickness substantially the same as the first thickness and joining the peripheral surfaces of the first and second metal plates to each other;
A first electrode electrically connected to the first metal plate; and a second electrode arranged in the same plane as the first electrode and electrically connected to the second metal plate. An electronic component comprising: a semiconductor element comprising: 複数の電極の配置予定領域に開口部を有するポリイミド基板を準備し、
前記開口部に、銅からなる電極を設け、
前記開口部と前記電極との間に絶縁樹脂を設けることにより、前記ポリイミド基板と前記電極とが固定された電子部品用配線基板を作製し、
前記電極と半導体素子が電気的に接続されるように、前記電子部品用配線基板の上に前記半導体素子を搭載する
電子部品の製造方法。 Prepare a polyimide substrate having openings in the planned arrangement area of the plurality of electrodes,
An electrode made of copper is provided in the opening,
By providing an insulating resin between the opening and the electrode, a wiring board for electronic components in which the polyimide substrate and the electrode are fixed is produced.
A method for manufacturing an electronic component, wherein the semiconductor element is mounted on the wiring board for electronic component so that the electrode and the semiconductor element are electrically connected.

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