JP2018170468A - Vertical heat treatment apparatus - Google Patents

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純和 古澤
Sumikazu Furusawa
純和 古澤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain adhesion of particles to a substrate when carrying a substrate holding tool, which holds wafers like a shelf, into a reaction vessel and heat treating the wafers in a vacuum atmosphere.SOLUTION: When multiple wafers are held like a shelf in a substrate holding tool, i.e., a wafer boat, and carried into a reaction tube (reaction vessel) to perform heat treatment in a vacuum atmosphere, gas is discharged from a gas nozzle provided to elongate in the height direction of the wafer boat in the reaction vessel, and in which multiple gas discharge holes are formed along the wafer boat. Particles are discharged together with the gas from the gas discharge holes, but they collide against protrusions formed on the inner wall of the reaction vessel to elongate in strip, in a region facing the gas nozzle via the wafer boat, and bounced back in the vertical direction ot the lateral direction. Since bouncing back of particles to the wafer side is restrained, adhesion of the particles to the wafer can be restrained.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、複数の基板が棚状に保持された基板保持具を縦型の反応容器内に搬入し、基板に対して真空雰囲気にて熱処理を行う縦型熱処理装置に関する。   The present invention relates to a vertical heat treatment apparatus that carries a substrate holder, in which a plurality of substrates are held in a shelf shape, into a vertical reaction vessel and heat-treats the substrate in a vacuum atmosphere.

半導体製造装置の一つとして、多数の半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）に対して、一括で熱処理を行う縦型熱処理装置がある。この熱処理装置では、例えば真空雰囲気の反応容器内において、多数枚のウエハを棚状に保持するウエハボートに対して、ウエハボートの高さ方向に伸び、その長さ方向に沿って多数のガス吐出孔を備えたガスノズルからガスを供給して、所定の熱処理を行っている。この熱処理では、突発的にウエハにパーティクルが付着する場合があり、その原因は、ガスノズル内で発生したパーティクルがガスと共に反応容器内に吐出され、反応容器内においてパーティクルが移動して、ウエハ上に落下するためと推察される。   As one of the semiconductor manufacturing apparatuses, there is a vertical heat treatment apparatus that performs heat treatment on a large number of semiconductor wafers (hereinafter referred to as “wafers”). In this heat treatment apparatus, for example, in a reaction vessel in a vacuum atmosphere, a wafer boat that holds a large number of wafers in a shelf shape extends in the height direction of the wafer boat, and a large number of gas discharges along the length direction. A predetermined heat treatment is performed by supplying gas from a gas nozzle provided with holes. In this heat treatment, particles may suddenly adhere to the wafer, and the cause is that particles generated in the gas nozzle are discharged into the reaction container together with the gas, and the particles move in the reaction container, and are thus deposited on the wafer. Inferred to fall.

特許文献１には、ガス導入ノズルに形成された複数個の噴出口において、噴出口の開口縁辺部に徐々に狭くまたは広くなるＲ面取り部または近似曲面部を形成する技術が提案されている。この手法では、ガスの乱れを抑制することにより、気相中での分解反応の過度が進行することによるパーティクルの発生を抑えると共に、ガス導入ノズルに付着したパーティクルの剥離を抑えて、パーティクルの発生を抑制している。しかしながら、反応容器内にガスノズルから吐出されたパーティクルがウエハに付着することを抑制するものではないため、本発明の課題を解決することはできない。   Patent Document 1 proposes a technique of forming an R chamfered portion or an approximate curved surface portion that gradually narrows or widens at the opening edge portion of the jet outlet at a plurality of jet outlets formed in the gas introduction nozzle. In this method, by suppressing gas turbulence, particle generation due to excessive decomposition reaction in the gas phase is suppressed, and separation of particles adhering to the gas introduction nozzle is suppressed, thereby generating particles. Is suppressed. However, since the particles discharged from the gas nozzle in the reaction vessel are not suppressed from adhering to the wafer, the problem of the present invention cannot be solved.

特許第４８６１３９１号公報Japanese Patent No. 486391

本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、複数の基板が棚状に保持された基板保持具を縦型の反応容器内に搬入し、基板に対して真空雰囲気にて熱処理を行う縦型熱処理装置において、基板へのパーティクルの付着を抑制する技術を提供することにある。   The present invention has been made based on such circumstances, and the object thereof is to carry a substrate holder in which a plurality of substrates are held in a shelf shape into a vertical reaction vessel, and to form a vacuum atmosphere with respect to the substrates. It is an object of the present invention to provide a technique for suppressing the adhesion of particles to a substrate in a vertical heat treatment apparatus that performs heat treatment in the above.

このため、本発明の縦型熱処理装置は、
複数の基板が棚状に保持された基板保持具を縦型の反応容器内に搬入し、前記基板を真空雰囲気にて熱処理する縦型熱処理装置において、
前記反応容器内にて前記基板保持具の高さ方向に伸びるように設けられ、前記基板保持具に沿って複数のガス吐出孔が形成されたガスノズルと、
前記反応容器の内壁であって、前記ガスノズルと前記基板保持具を介して対向する領域に形成された突起部と、
前記反応容器内を真空排気するための真空排気部と、を備え、
前記突起部は、前記ガス吐出孔から吐出されたパーティクルが上下方向または横方向に跳ね返るように形成されていることを特徴とする。 For this reason, the vertical heat treatment apparatus of the present invention is
In a vertical heat treatment apparatus for carrying a substrate holder in which a plurality of substrates are held in a shelf shape into a vertical reaction vessel and heat-treating the substrate in a vacuum atmosphere,
A gas nozzle provided in the reaction vessel so as to extend in a height direction of the substrate holder, and having a plurality of gas discharge holes formed along the substrate holder;
A protrusion formed on an inner wall of the reaction vessel and facing the gas nozzle via the substrate holder;
An evacuation part for evacuating the inside of the reaction vessel,
The protrusion is formed such that particles discharged from the gas discharge hole bounce up and down or in the horizontal direction.

本発明によれば、縦型の反応容器の内壁における、ガスノズルと基板保持具を介して対向する領域に突起部を形成し、この突起部により、ガス吐出孔から吐出されたパーティクルを上下方向または横方向に跳ね返している。このため、反応容器の内壁に衝突したパーティクルが基板側へ跳ね返ることが抑えられ、基板へのパーティクルの付着が抑制される。   According to the present invention, the protrusion is formed in the inner wall of the vertical reaction container in the region facing the gas nozzle and the substrate holder, and the particle discharged from the gas discharge hole can be moved in the vertical direction or by the protrusion. Bounces back in the horizontal direction. For this reason, it is suppressed that the particle which collided with the inner wall of the reaction container bounces to the substrate side, and adhesion of the particle to the substrate is suppressed.

本発明に係る縦型熱処理装置の一実施形態を示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows one Embodiment of the vertical heat processing apparatus which concerns on this invention. 縦型熱処理装置に設けられる突起部とガスノズルとウエハとを示す側面図である。It is a side view which shows the projection part provided in a vertical heat processing apparatus, a gas nozzle, and a wafer. 縦型熱処理装置に設けられる反応管とガスノズルとウエハとを示す平面図である。It is a top view which shows the reaction tube, gas nozzle, and wafer which are provided in a vertical heat processing apparatus. 反応管とガスノズルとウエハとを示す側面図である。It is a side view which shows a reaction tube, a gas nozzle, and a wafer. 縦型熱処理装置の他の例を示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows the other example of a vertical heat processing apparatus. 突起部とガスノズルとウエハとを示す側面図である。It is a side view which shows a projection part, a gas nozzle, and a wafer. 縦型熱処理装置のさらに他の例を示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows the further another example of a vertical heat processing apparatus. 反応管とガスノズルとウエハとを示す平面図である。It is a top view which shows a reaction tube, a gas nozzle, and a wafer. 縦型熱処理装置のさらに他の例を示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows the further another example of a vertical heat processing apparatus. 縦型熱処理装置のさらに他の例を示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows the further another example of a vertical heat processing apparatus.

本発明に係る縦型熱処理装置の一実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。図１において、１１は熱処理炉であり、両端が開口している内管２１及び上端が閉塞している外管２２からなる例えば透明石英製の二重管構造の反応管２と、この反応管２の周囲を囲むように設けられる例えばヒータからなる加熱機構１２と、を備えている。内管２１及び外管２２の下部側は筒状のマニホールド２３により支持されている。   An embodiment of a vertical heat treatment apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a heat treatment furnace. The reaction tube 2 is made of, for example, a transparent quartz double tube structure, which includes an inner tube 21 open at both ends and an outer tube 22 closed at the upper end, and the reaction tube. 2 and a heating mechanism 12 made of, for example, a heater provided so as to surround the periphery of 2. Lower portions of the inner tube 21 and the outer tube 22 are supported by a cylindrical manifold 23.

図１中３は、反応管２の長さ方向に沿って、複数のウエハＷを棚状に配列して保持する基板保持具であるウエハボートである。このウエハボート３は、ボートエレベータ３１により上昇し、熱処理炉１１内に搬入される構成とされている。マニホールド２３の下端開口部は、蓋体３２により塞がれる構成とされており、この蓋体３２とウエハボート３との間は、例えば図示しない回転軸を備えた筒状体３３が設けられている。   In FIG. 1, reference numeral 3 denotes a wafer boat which is a substrate holder that holds a plurality of wafers W arranged in a shelf shape along the length direction of the reaction tube 2. The wafer boat 3 is lifted by the boat elevator 31 and is carried into the heat treatment furnace 11. The lower end opening of the manifold 23 is configured to be closed by a lid body 32. Between the lid body 32 and the wafer boat 3, for example, a cylindrical body 33 having a rotation shaft (not shown) is provided. Yes.

マニホールド２３は、排気バルブＶを備えた排気路２４を介して真空排気部である真空ポンプ２５に接続され、反応管２内が内管２１と外管２２との間から真空排気されるように構成されている。この例では、反応管２とマニホールド２３とにより反応容器が構成され、内管２１の内壁が反応容器の内壁に相当する。   The manifold 23 is connected to a vacuum pump 25 that is a vacuum exhaust part via an exhaust path 24 having an exhaust valve V so that the reaction tube 2 is evacuated from between the inner tube 21 and the outer tube 22. It is configured. In this example, the reaction tube 2 and the manifold 23 constitute a reaction vessel, and the inner wall of the inner tube 21 corresponds to the inner wall of the reaction vessel.

マニホールド２３には、例えば先端が閉じられた細長い管状の石英製のガスノズル４が挿入されている。このガスノズル４は、反応管２内にて、ウエハボート３の高さ方向に垂直に伸びるように設けられ、ウエハボート３に沿って複数のガス吐出孔４１が形成されている。ガス吐出孔４１は、ウエハボート３に搭載された各ウエハＷに対応する位置、この例では、図２に示すように、上下方向に隣接するウエハＷ同士の間に、ガスを吐出する位置に形成されている。   In the manifold 23, for example, an elongated tubular quartz gas nozzle 4 having a closed end is inserted. The gas nozzle 4 is provided in the reaction tube 2 so as to extend perpendicular to the height direction of the wafer boat 3, and a plurality of gas discharge holes 41 are formed along the wafer boat 3. The gas discharge holes 41 are positions corresponding to the respective wafers W mounted on the wafer boat 3, in this example, as shown in FIG. 2, at positions where gas is discharged between the wafers W adjacent in the vertical direction. Is formed.

図２は、ウエハボート３の最上段のウエハＷ１と、その下方側の複数枚のウエハＷを示すものである。ガスノズル４の基端側は、マニホールド２３における図示しないポートを介して、バルブやマスフローコントローラ等を含む流量調整部４３を備えたガス供給路４２に接続され、このガス供給路４２の他端側は処理ガス例えばモノシラン（ＳｉＨ４）ガスのガス供給源４４に接続されている。 FIG. 2 shows the uppermost wafer W1 of the wafer boat 3 and a plurality of wafers W below the wafer W1. The base end side of the gas nozzle 4 is connected via a port (not shown) in the manifold 23 to a gas supply path 42 including a flow rate adjusting unit 43 including a valve, a mass flow controller, and the like. The other end side of the gas supply path 42 is It is connected to a gas supply source 44 of a processing gas such as monosilane (SiH 4) gas.

反応管２の内管２１には、ガスノズル４とウエハボート３を介して対向する領域に突起部５が設けられている。ガスノズル４の内部には、ノズル内部に形成された反応生成物である膜の膜剥がれや、ガスノズル４を構成する石英のクラック、取り付け時の石英粉、などがパーティクルとして存在する場合があり、これらパーティクルは、ガス吐出孔４１からガスと共に突発的に吐出される。突起部５は、ガス吐出孔４１から吐出されたパーティクルを上方向に跳ね返すためのものである。   The inner tube 21 of the reaction tube 2 is provided with a protrusion 5 in a region facing the gas nozzle 4 with the wafer boat 3 interposed therebetween. Inside the gas nozzle 4, there may be particles such as film peeling of a reaction product formed inside the nozzle, cracks in quartz constituting the gas nozzle 4, quartz powder at the time of attachment, and the like. The particles are suddenly discharged together with the gas from the gas discharge hole 41. The protrusion 5 is for rebounding particles discharged from the gas discharge hole 41 upward.

ガス吐出孔４１から吐出されたパーティクルは、後述するようにガス吐出孔４１と対向する部位に向けて直線的に移動し、当該部位に衝突する。このため、突起部５は、内管２１における、ガスノズル４とウエハボート３を介して対向する領域に設けられる。この例における、「対向する領域」とは、ガス吐出孔４１から吐出されるパーティクルが衝突するおそれがある領域をいい、パーティクルの発生状態を把握して決定される。具体的には、例えば「対向する領域」は、図３において、ウエハＷの中心Ｏから見て、直線Ｌから周方向に＋θ（θ＝４５）度、−θ（θ＝４５度）度離れた直線Ｌ２２、直線Ｌ３２の間の領域Ｓをいう。   As will be described later, the particles discharged from the gas discharge hole 41 move linearly toward a portion facing the gas discharge hole 41 and collide with the portion. For this reason, the protrusion 5 is provided in a region of the inner tube 21 that faces the gas nozzle 4 with the wafer boat 3 therebetween. In this example, the “opposite area” refers to an area where particles discharged from the gas discharge holes 41 may collide, and is determined by grasping the generation state of the particles. Specifically, for example, the “opposite regions” are separated by + θ (θ = 45) degrees and −θ (θ = 45 degrees) degrees in the circumferential direction from the straight line L when viewed from the center O of the wafer W in FIG. A region S between the straight line L22 and the straight line L32.

突起部５は、対向する領域Ｓにおける内管２１の内壁に設けられ、この領域Ｓ全体に設けるようにしてもよいし、領域Ｓの一部であるガス吐出口４１に対向する部位（対向部位）に設けるようにしてもよい。この対向部位とは、ガス吐出孔４１から吐出されたパーティクルが多く衝突する領域をいい、この例では、対向部位に突起部５を設けている。例えば対向部位は、図３に内管２１を平面的に示すように、例えばガス吐出孔４１の周方向の中心と、ウエハボート３に搭載されたウエハＷの中心Ｏとを通る直線を直線Ｌ１とすると、ウエハＷの中心Ｏから見て、直線Ｌ１から周方向に＋θ（θ＝１０度）、−θ（θ＝１０度）離れた直線Ｌ２１、Ｌ３１の間の部位である。   The protruding portion 5 is provided on the inner wall of the inner tube 21 in the opposing region S, and may be provided in the entire region S, or a portion (opposing portion) that opposes the gas discharge port 41 that is a part of the region S. ) May be provided. The facing portion refers to a region where many particles ejected from the gas discharge holes 41 collide. In this example, the protruding portion 5 is provided at the facing portion. For example, as shown in FIG. 3 in plan view, the opposing portion is a straight line L1 that passes, for example, a straight line passing through the center in the circumferential direction of the gas discharge hole 41 and the center O of the wafer W mounted on the wafer boat 3. Then, when viewed from the center O of the wafer W, it is a portion between the straight lines L21 and L31 that are separated from the straight line L1 by + θ (θ = 10 degrees) and −θ (θ = 10 degrees) in the circumferential direction.

この例は帯状の突起部（突条部）５を備えており、突起部が上下方向に連続して形成されている。突起部５は、例えば図１及び図３に示すように、ウエハボート３の最上段のウエハＷに対応する高さ位置から、最下段のウエハＷに対応する高さ位置に至るまでの領域において、上下方向に複数設けられ、複数の突起部５を縦方向に沿った断面で見ると、ウエハボート３側に頂部を持つ三角波形状に形成されている。この例の突起部５は、三角波形状を構成する上側の面が傾斜面５１であり、下側の面が水平面５２として形成され、例えば図２に示すように、傾斜面５１は、水平面に対して４０〜５０度の範囲で傾斜するように形成されている。また、水平面５１は、水平面に対する傾きが１０度以内である状態を指す。   This example is provided with a belt-like projection (ridge portion) 5 and the projection is formed continuously in the vertical direction. For example, as shown in FIGS. 1 and 3, the protrusion 5 is located in a region from a height position corresponding to the uppermost wafer W of the wafer boat 3 to a height position corresponding to the lowermost wafer W. A plurality of protrusions 5 are provided in the vertical direction, and the plurality of protrusions 5 are formed in a triangular wave shape having a top on the wafer boat 3 side when viewed in a section along the vertical direction. In the protrusion 5 of this example, the upper surface constituting the triangular wave shape is an inclined surface 51, and the lower surface is formed as a horizontal surface 52. For example, as shown in FIG. It is formed so as to incline in the range of 40 to 50 degrees. The horizontal plane 51 indicates a state where the inclination with respect to the horizontal plane is within 10 degrees.

突起部５は、ガス吐出孔４１から吐出されたパーティクルを上方向に跳ね返すように形成されている。このため、例えば図２に示すように、ウエハＷの側方から見たときに、ガス吐出孔４１毎に傾斜面５１が設けられ、各ガス吐出孔４１と傾斜面５１が互いに対向するように配列されている。この例では、例えばガス吐出孔４１の高さ方向の中心部と、傾斜面５１の高さ方向の中心部との高さ位置が互いに揃うように形成されている。   The protrusion 5 is formed so that particles discharged from the gas discharge hole 41 bounce upward. Therefore, for example, as shown in FIG. 2, when viewed from the side of the wafer W, an inclined surface 51 is provided for each gas discharge hole 41 so that each gas discharge hole 41 and the inclined surface 51 face each other. It is arranged. In this example, for example, the height position of the center portion of the gas discharge hole 41 in the height direction and the center portion of the inclined surface 51 in the height direction are formed so as to be aligned with each other.

内管２１において、パーティクルが衝突する領域は、ガスの種類や流量、反応容器内の圧力によって異なるため、例えば後述するように予め反応容器内のパーティクルの挙動を観察することにより、パーティクルが衝突する領域を把握し、この領域をカバーするように、突起部５の形状や取り付け領域が設定される。   In the inner tube 21, the region where the particles collide varies depending on the type and flow rate of the gas and the pressure in the reaction vessel. For example, as described later, the particles collide by observing the behavior of the particles in the reaction vessel in advance. The shape of the protrusion 5 and the attachment region are set so as to grasp the region and cover this region.

次に上述の縦型熱処理装置の作用について、処理ガスとしてＳｉＨ４ガスを用いてＳｉ膜を成膜する例を用いて説明する。先ず、ウエハＷを所定枚数ウエハボート３に保持し、ボートエレベータ３１を上昇させることにより、反応管２及びマニホールド２３にて構成される反応容器内に搬入（ロード）する。ウエハボート３を搬入してマニホールド２３の下端開口部を蓋体３２により塞いだ後、反応容器内の温度を例えば５００℃まで昇温させると共に、排気バルブＶを開いて反応容器内を真空ポンプ２５により、所定の真空度例えば１３３Ｐａまで真空排気する。   Next, the operation of the above-described vertical heat treatment apparatus will be described using an example in which a Si film is formed using SiH 4 gas as a processing gas. First, a predetermined number of wafers W are held in the wafer boat 3 and the boat elevator 31 is lifted to load (load) the reaction vessel 2 and the manifold 23 into the reaction vessel. After loading the wafer boat 3 and closing the lower end opening of the manifold 23 with the lid 32, the temperature in the reaction vessel is raised to, for example, 500 ° C., and the exhaust valve V is opened to evacuate the reaction vessel with a vacuum pump 25. Thus, the vacuum is exhausted to a predetermined degree of vacuum, for example, 133 Pa.

そして、ウエハボート３を鉛直軸回りに回転させながら、ガス供給源４４からガスノズル４を介して、ＳｉＨ４ガスを例えば１０００ｓｃｃｍの流量で反応容器内に供給する。ガスは、ガスノズル４のガス吐出孔４１からウエハボート３に搭載されたウエハＷに対して、高さ方向に隣接するウエハＷ同士の間に吐出され、ウエハＷ表面にＳｉ膜が形成される。ウエハボート３に沿って形成された複数のガス吐出孔４１から対応するウエハＷに対してガスを供給しているので、ウエハＷの中心部にもガスが十分に行き渡り、ウエハ面内に亘って、均一に成膜処理が進行する。   Then, SiH 4 gas is supplied into the reaction vessel from the gas supply source 44 through the gas nozzle 4 at a flow rate of 1000 sccm, for example, while rotating the wafer boat 3 about the vertical axis. The gas is discharged between the wafers W adjacent to each other in the height direction with respect to the wafer W mounted on the wafer boat 3 from the gas discharge hole 41 of the gas nozzle 4, and an Si film is formed on the surface of the wafer W. Since the gas is supplied to the corresponding wafer W from the plurality of gas discharge holes 41 formed along the wafer boat 3, the gas is sufficiently distributed to the center of the wafer W, and extends over the wafer surface. The film forming process proceeds uniformly.

ここで、ガスノズル４から成膜ガスと共に吐出するパーティクルについて説明する。ガスノズル４の内部には、既述のようにパーティクルが存在する場合があり、これらパーティクルが、ガス吐出孔４１から成膜ガスと共に反応容器内に突発的に吐出されることがある。本発明者らは、ガス吐出孔４１から反応容器内に吐出されたパーティクルの様子をハイスピードカメラにて撮像し、パーティクルの挙動について確認した。   Here, the particles discharged from the gas nozzle 4 together with the film forming gas will be described. Particles may exist inside the gas nozzle 4 as described above, and these particles may be suddenly discharged from the gas discharge holes 41 together with the film forming gas into the reaction vessel. The present inventors have captured the state of particles discharged from the gas discharge hole 41 into the reaction vessel with a high-speed camera and confirmed the behavior of the particles.

ガス吐出孔４１の孔径が揃っているガスノズル４を用いて、例えば１リットルのタンクに充填したガスを反応容器内に供給したところ、反応容器内の圧力が６６６６０Ｐａ程度では、パーティクルはガスノズル４の下部側のガス吐出孔４１から排出されやすく、反応容器の下部側でのパーティクル数が多くなる傾向にある。一方、反応容器内の圧力が１３３Ｐａ程度の減圧下では、反応容器の上部側でのパーティクル数が多くなる傾向にあることが確認された。これは、減圧下では気体分子量が少なく、パーティクルはガスノズル４内において上部側まで運ばれ、ガスノズル４の先端で衝突して運動エネルギーを失って、ガスノズル４の上部側のガス吐出孔４１から排出されるためと推察される。   For example, when the gas filled in a 1 liter tank is supplied into the reaction vessel using the gas nozzle 4 having the same diameter of the gas discharge hole 41, the particles are below the gas nozzle 4 when the pressure in the reaction vessel is about 66660 Pa. It tends to be discharged from the gas discharge hole 41 on the side, and the number of particles on the lower side of the reaction vessel tends to increase. On the other hand, it was confirmed that the number of particles on the upper side of the reaction vessel tends to increase under a reduced pressure of about 133 Pa in the reaction vessel. This is because the gas molecular weight is small under reduced pressure, and the particles are carried to the upper side in the gas nozzle 4, collide at the tip of the gas nozzle 4 and lose kinetic energy, and are discharged from the gas discharge hole 41 on the upper side of the gas nozzle 4. It is guessed that

また、反応容器内が真空雰囲気であるときには、ガス吐出孔４１から排出されたパーティクルは、ガスの流れとは別個に直線的に移動していく。例えば図２に点線にてパーティクルの経路を示すように、ウエハＷとの衝突を繰り返しながら、ガス吐出孔４１と対向する内管２１の内壁（反応容器の内壁）に向けて進んでいくことが動画により確認された。そして、突起部５の傾斜面５１に衝突して、上向きに進路を変え、上方向に跳ね返り、例えば上方側の突起部５の水平面５２に衝突して、再び下方向に跳ね返る。パーティクルは、衝突の度にエネルギーを失って勢いを無くし、結果的にウエハＷの外方側の突起部５の近傍領域において落下していく様子が認められている。従って、ガス吐出孔４１からパーティクルが吐出しても、ウエハＷへのパーティクルの付着が抑制される。   Further, when the inside of the reaction vessel is in a vacuum atmosphere, the particles discharged from the gas discharge holes 41 move linearly separately from the gas flow. For example, as shown by a dotted line in FIG. 2, the process advances toward the inner wall (inner wall of the reaction vessel) of the inner tube 21 facing the gas discharge hole 41 while repeatedly colliding with the wafer W. Confirmed by video. Then, it collides with the inclined surface 51 of the protrusion 5, changes its course upward, rebounds upward, for example, collides with the horizontal surface 52 of the protrusion 5 on the upper side, and rebounds downward again. It is recognized that the particles lose energy and lose their momentum every time they collide, and as a result, the particles fall in a region near the protrusion 5 on the outer side of the wafer W. Therefore, even if particles are ejected from the gas ejection holes 41, adhesion of particles to the wafer W is suppressed.

一方、従来のように突起部を備えない構成では、図４に示すように、パーティクルは、ウエハＷとの衝突を繰り返しながらガス吐出孔４１と対向する内管２１の内壁（反応容器の内壁）に向けて進んでいき、内管２１内壁に衝突して、ウエハＷ側に跳ね返って戻ってくる。このようにパーティクルは内壁２１に衝突して跳ね返り、ウエハＷ上に落下するので、ウエハＷにパーティクルが付着してしまう。   On the other hand, in the conventional configuration having no protrusion, as shown in FIG. 4, particles repeatedly collide with the wafer W and the inner wall of the inner tube 21 facing the gas discharge hole 41 (inner wall of the reaction vessel). Then, it collides with the inner wall of the inner tube 21 and bounces back to the wafer W side. In this way, the particles collide with the inner wall 21 and bounce off and fall onto the wafer W, so that the particles adhere to the wafer W.

本発明は、真空雰囲気の反応容器内において、ガスノズル４のガス吐出孔４１から吐出したパーティクルの挙動を把握したことにより成されたものであり、上述の実施の形態によれば、既述のように、内管２１の内壁において、ガスノズル４とウエハボート３を対して対向する領域に突起部５を設けている。このため、反応容器内にガス吐出孔４１からパーティクルを吐出しても、パーティクルが突起部５に衝突して、上方向に跳ね返される。従って、パーティクルが内管２１の内壁に衝突して、ウエハＷに向けて跳ね返ることが抑えられるため、ウエハＷへのパーティクルの付着が抑制される。   The present invention has been made by grasping the behavior of particles discharged from the gas discharge holes 41 of the gas nozzle 4 in a reaction vessel in a vacuum atmosphere. According to the above-described embodiment, as described above. In addition, on the inner wall of the inner tube 21, a protrusion 5 is provided in a region facing the gas nozzle 4 and the wafer boat 3. For this reason, even if particles are ejected from the gas ejection holes 41 into the reaction container, the particles collide with the protrusions 5 and bounce upward. Accordingly, the particles are prevented from colliding with the inner wall of the inner tube 21 and rebounding toward the wafer W, so that the adhesion of the particles to the wafer W is suppressed.

また、突起部５は各々周方向に伸びるように上下方向に複数設けられているので、ガスノズル４の長さ方向に沿って形成された複数のガス吐出孔４１からパーティクルが吐出したとしても、夫々のパーティクルを上方向に跳ね返すことができる。さらに、突起部５は、縦方向に沿った断面で見ると、三角波形状に形成されているので、パーティクルが三角波形状の傾斜面に衝突しやすく、パーティクルを上下方向に跳ね返しやすい。   In addition, since a plurality of protrusions 5 are provided in the vertical direction so as to extend in the circumferential direction, even if particles are discharged from a plurality of gas discharge holes 41 formed along the length direction of the gas nozzle 4, respectively. Can be bounced upwards. Furthermore, since the protrusion 5 is formed in a triangular wave shape when viewed in a cross section along the vertical direction, the particles easily collide with the inclined surface of the triangular wave shape, and the particles easily bounce up and down.

さらにまた、突起部５の三角波形状を構成する上側の面を傾斜面５１、下側の面を水平面５２として形成しているので、上向きにパーティクルが跳ね返され、跳ね返されたパーティクルは、既述のように、上側に隣接する突起部５に衝突して失速し、ウエハＷの外方へ落下していく。また、最上段の突起部５で跳ね返されたパーティクルは、突起部５からウエハボート３の上端までの距離が短いため、パーティクルが上方斜めに向けて跳ね返されても、ウエハＷに衝突せずに、ウエハボート３の上方側へ進んでいくため、パーティクル汚染の防止効果が大きい。   Furthermore, since the upper surface constituting the triangular wave shape of the projection 5 is formed as the inclined surface 51 and the lower surface is formed as the horizontal surface 52, the particles are rebounded upward, and the rebound particles are as described above. In this way, it collides with the protruding portion 5 adjacent on the upper side and is stalled, and falls to the outside of the wafer W. In addition, since the particles bounced off by the uppermost protrusion 5 have a short distance from the protrusion 5 to the upper end of the wafer boat 3, the particles do not collide with the wafer W even if they are rebounded obliquely upward. Since the wafer boat 3 moves upward, the effect of preventing particle contamination is great.

続いて、突起部の他の例について説明する。図５及び図６に示す突起部６が上述の突起部５と異なる点は、三角波形状を構成する上側の面が水平面６１であり、下側の面が傾斜面６２として形成されることである。例えば、傾斜面６２は、水平面に対して４０〜５０度の範囲で傾斜するように形成され、水平面６１は、水平面に対する傾きが１０度以内である状態も含む。   Subsequently, another example of the protrusion will be described. The protrusion 6 shown in FIGS. 5 and 6 is different from the protrusion 5 described above in that the upper surface constituting the triangular wave shape is a horizontal surface 61 and the lower surface is formed as an inclined surface 62. . For example, the inclined surface 62 is formed so as to be inclined in a range of 40 to 50 degrees with respect to the horizontal plane, and the horizontal plane 61 includes a state where the inclination with respect to the horizontal plane is within 10 degrees.

このような突起部６を備えた反応容器では、パーティクルは、ウエハＷとの衝突を繰り返しながら、ガス吐出孔４１と対向する内管２１の内壁（反応容器の内壁）に向けて進んでいき、突起部６の傾斜面６２に衝突して、下向きに進路を変えて下方向に跳ね返り、例えば下方側の突起部６の水平面６１に衝突する。パーティクルは、衝突の度にエネルギーを失って勢いを無くすため、結果的にウエハＷの外方側の突起部５の近傍領域において落下していく。これにより、この突起部６を用いた構成においても、ウエハＷへのパーティクルの付着が抑制される。また、三角波形状を構成する下側の面が傾斜面６２であることから、ガス吐出口４１から吐出されるガスが傾斜面６２に当たって進路を変え、斜め下方側に向かい、ウエハＷに供給される。これにより、ウエハ面内へのガスの供給量を多くすることができる。   In the reaction vessel provided with such a protrusion 6, the particles proceed toward the inner wall (inner wall of the reaction vessel) of the inner tube 21 facing the gas discharge hole 41 while repeatedly colliding with the wafer W. It collides with the inclined surface 62 of the protrusion 6, changes its course downward and bounces downward, for example, collides with the horizontal surface 61 of the protrusion 6 on the lower side. The particle loses energy and loses momentum every time it collides, and as a result, it falls in a region near the protrusion 5 on the outer side of the wafer W. Thereby, also in the structure using this projection part 6, adhesion of the particle to the wafer W is suppressed. Further, since the lower surface constituting the triangular wave shape is the inclined surface 62, the gas discharged from the gas discharge port 41 strikes the inclined surface 62, changes the course, and is supplied obliquely downward to the wafer W. . Thereby, the supply amount of gas into the wafer surface can be increased.

突起部のさらに他の例について説明する。図７及び図８に示す突起部７は、上下方向に沿って設けられ、ガス吐出孔４１から吐出されたパーティクルが横方向に跳ね返るように、頂部７１から内管２１の内壁側に向かうに連れて横幅が広がるように形成されている。例えば突起部７は平面的に見ると三角形状に形成され、頂部７１が前記直線Ｌ１上に設けられる。三角形状については、パーティクルが傾斜部７２、７３に衝突して、横方向に跳ね返る形状に形成される。   Still another example of the protrusion will be described. The protrusions 7 shown in FIGS. 7 and 8 are provided along the vertical direction, and as the particles discharged from the gas discharge holes 41 bounce back in the horizontal direction, the protrusions 7 move toward the inner wall side of the inner tube 21. The width is widened. For example, the projection 7 is formed in a triangular shape when viewed in plan, and the top 71 is provided on the straight line L1. The triangular shape is formed in such a shape that particles collide with the inclined portions 72 and 73 and bounce off in the lateral direction.

このような突起部７を備えた反応容器では、パーティクルは、ウエハＷに衝突しながら、例えばガス吐出孔４１と対向する内管２１の内壁（反応容器の内壁）に向けて進んでいき、突起部７の傾斜部７２、７３に衝突して、横向きに進路を変え、横方向に跳ね返る（図８参照）。こうして、パーティクルは突起部７等との衝突により、エネルギーを失って勢いをなくし、ウエハＷの外方側において落下していく。従って、この突起部７を用いた構成においても、ウエハＷへのパーティクルの付着が抑制される。   In the reaction vessel provided with such a protruding portion 7, the particles proceed to the inner wall (inner wall of the reaction vessel) of the inner tube 21 facing the gas discharge hole 41 while colliding with the wafer W, for example. It collides with the inclined parts 72 and 73 of the part 7, changes the course in the horizontal direction, and bounces in the horizontal direction (see FIG. 8). Thus, the particles lose energy and lose momentum due to the collision with the protrusions 7 and the like, and fall on the outer side of the wafer W. Therefore, even in the configuration using the protrusion 7, particle adhesion to the wafer W is suppressed.

続いて、反応容器の他の例について説明する。図９に示す縦型熱処理装置の反応管２は、内管２１と、外管２２との二重管構造となっており、内管２１の内部に、その長さ方向に沿って伸びるように形成されたガスノズル４が収納されている。このガスノズル４に対向するように、内管２１の側面には、その長さ方向に伸びるスリット状の開口部２６が上下方向に複数箇所に形成されている。その他の構成は上述の縦型熱処理装置と同様であり、同じ構成部材については同符号を付し、説明を省略する。この例においても、反応管２とマニホールド２３とにより反応容器が構成され、内管２１の内壁が反応容器の内壁に相当する。   Subsequently, another example of the reaction vessel will be described. The reaction tube 2 of the vertical heat treatment apparatus shown in FIG. 9 has a double tube structure of an inner tube 21 and an outer tube 22, and extends inside the inner tube 21 along its length direction. The formed gas nozzle 4 is accommodated. Slit-like openings 26 extending in the length direction are formed at a plurality of locations in the vertical direction on the side surface of the inner tube 21 so as to face the gas nozzle 4. Other configurations are the same as those of the vertical heat treatment apparatus described above, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. Also in this example, a reaction vessel is constituted by the reaction tube 2 and the manifold 23, and the inner wall of the inner tube 21 corresponds to the inner wall of the reaction vessel.

内管２１におけるガスノズル４と対向する領域には、突起部が形成される。突起部の構成については、上述の実施の形態と同様である。図９には、パーティクルを上向きに跳ね返す構成の突起部５が形成された例を示し、この突起部５は、開口部２６以外の領域に、ガス吐出孔４１と対向するように設けられる。この例の反応管２は、ガスノズル４と対向する部位に開口部２６が形成されているので、ガス吐出孔４１から吐出されたパーティクルは開口部２６に向けて横方向に流れていき、内管２１と外管２２との間を通り、反応管２の外に排出される。また、開口部２６が設けられていない領域では、パーティクルは突起部５に衝突することによって上方向に跳ね返され、衝突を繰り返すことによってエネルギーを失って、ウエハＷの外方にて落下し、こうして、ウエハＷへのパーティクルの付着が抑制される。内管２１に設けられる突起部は、下向きに跳ね返す構成の突起部６、横方向に跳ね返す構成の突起部７でもよく、パーティクルの発生状態に応じて選択される。   A protrusion is formed in a region of the inner tube 21 facing the gas nozzle 4. About the structure of a projection part, it is the same as that of the above-mentioned embodiment. FIG. 9 shows an example in which the protrusion 5 configured to bounce particles upward is formed. The protrusion 5 is provided in a region other than the opening 26 so as to face the gas discharge hole 41. In the reaction tube 2 of this example, since the opening 26 is formed at a portion facing the gas nozzle 4, the particles discharged from the gas discharge hole 41 flow laterally toward the opening 26, and the inner tube It passes between 21 and the outer tube 22 and is discharged out of the reaction tube 2. Further, in the region where the opening 26 is not provided, the particles are rebounded upward by colliding with the protrusion 5, and energy is lost by repeating the collision and falls outside the wafer W, thus Then, the adhesion of particles to the wafer W is suppressed. The protrusion provided on the inner tube 21 may be the protrusion 6 configured to bounce downward or the protrusion 7 configured to rebound horizontally, and is selected according to the state of particle generation.

図１０に示す縦型熱処理装置の反応管８は単管構造であり、反応管８の上部側が排気バルブＶを備えた排気路８１を介して真空排気部である真空ポンプ８２に接続されている。反応管８の下部側はマニホールド８３に接続されており、反応管８の内部に、その長さ方向に沿って伸びるように形成されたガスノズル４が収納されている。その他の構成は上述の縦型熱処理装置と同様であり、同じ構成部材については同符号を付し、説明を省略する。この例においても、反応管８とマニホールド８３とにより反応容器が構成され、反応管８の内壁が反応容器の内壁に相当する。   The reaction tube 8 of the vertical heat treatment apparatus shown in FIG. 10 has a single tube structure, and the upper side of the reaction tube 8 is connected to a vacuum pump 82 which is a vacuum exhaust part via an exhaust path 81 provided with an exhaust valve V. . The lower side of the reaction tube 8 is connected to a manifold 83, and the gas nozzle 4 formed so as to extend along the length direction is accommodated in the reaction tube 8. Other configurations are the same as those of the vertical heat treatment apparatus described above, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. Also in this example, the reaction vessel 8 and the manifold 83 constitute a reaction vessel, and the inner wall of the reaction tube 8 corresponds to the inner wall of the reaction vessel.

反応管８におけるガスノズル４と対向する領域には、図１０に示すように、突起部が形成される。突起部の構成については、上述の実施の形態と同様である。図１０には、パーティクルを上向きに跳ね返す構成の突起部５が形成された例を示す。この例の反応管８は、上部側から排気されるので、ガス吐出孔４１から吐出されたガスはウエハＷ表面に接触しながら横方向に流れていき、さらに反応管８の上部側へ向かい、排気路８１を介して排気される。また、ガス吐出孔４１から吐出されたパーティクルは、ウエハＷとの衝突を繰り返しながら、ガスノズル４と対向する部位に向けて進み、突起部５に衝突して失速する。そして、ウエハＷの外方においてガスの流れと共に反応管８の上部側へ向かい、排気路８１を介して排気される。これにより、ウエハＷへのパーティクルの付着が抑制される。反応管８に設けられる突起部は、下向きに跳ね返す構成の突起部６、横方向に跳ね返す構成の突起部７でもよく、パーティクルの発生状態に応じて選択される。   As shown in FIG. 10, a protrusion is formed in a region of the reaction tube 8 facing the gas nozzle 4. About the structure of a projection part, it is the same as that of the above-mentioned embodiment. FIG. 10 shows an example in which the protrusion 5 having a configuration in which the particles bounce upward is formed. Since the reaction tube 8 in this example is exhausted from the upper side, the gas discharged from the gas discharge hole 41 flows in the lateral direction while contacting the surface of the wafer W, and further toward the upper side of the reaction tube 8. The exhaust is exhausted through the exhaust path 81. Further, the particles ejected from the gas ejection holes 41 proceed toward the portion facing the gas nozzle 4 while repeatedly colliding with the wafer W, collide with the protrusions 5 and stall. Then, the gas flows toward the upper side of the reaction tube 8 along with the gas flow outside the wafer W, and is exhausted through the exhaust path 81. Thereby, the adhesion of particles to the wafer W is suppressed. The protrusion provided in the reaction tube 8 may be the protrusion 6 configured to bounce downward or the protrusion 7 configured to rebound horizontally, and is selected according to the state of generation of particles.

以上において、突起部は、ウエハボート３の最上段のウエハＷに対応する高さ位置から、最下段のウエハＷに対応する高さ位置に至るまでの領域の一部に設けるようにしてもよい。例えばパーティクルの発生状況を把握し、既述のように、ウエハボート３の上部側のパーティクル数が多い場合には、反応容器の内壁において、突起部は、少なくともウエハボート３の最上段のウエハＷに対応する高さ位置から、上から１０段目のウエハＷに対応する高さ位置に至るまでの領域に形成するようにしてもよい。   In the above, the protrusion may be provided in a part of the region from the height position corresponding to the uppermost wafer W of the wafer boat 3 to the height position corresponding to the lowermost wafer W. . For example, when the generation state of the particles is grasped and the number of particles on the upper side of the wafer boat 3 is large as described above, the protrusions on the inner wall of the reaction vessel are at least the uppermost wafer W of the wafer boat 3. It may be formed in a region from the height position corresponding to the height position corresponding to the tenth wafer W from the top.

さらに、突起部は、必ずしも上下方向に連続して設ける必要はなく、上下方向に互いに間隔を開けて設けるものであってもよい。例えばガス吐出口４１とウエハボート３を介して対向する領域において、ウエハボート３に搭載された上下方向に隣接するウエハＷ同士の間に、ガス吐出口４１と対応するように、突起部を上下方向に互いに間隔を開けて設けるようにしてもよい。また、三角形状の凹部を連続して、あるいは間隔をおいて形成した場合、これは凹部以外の部分が突起部に相当し、この場合も権利範囲に含まれる。   Furthermore, the protrusions are not necessarily provided continuously in the vertical direction, and may be provided with a space therebetween in the vertical direction. For example, in a region facing the gas discharge port 41 via the wafer boat 3, the protrusions are vertically moved so as to correspond to the gas discharge port 41 between the wafers W adjacent to each other in the vertical direction mounted on the wafer boat 3. You may make it provide in the direction mutually spaced apart. Further, when the triangular concave portions are formed continuously or at intervals, the portions other than the concave portions correspond to the protruding portions, and this case is also included in the scope of the right.

また、パーティクルが吐出するおそれがあるガスノズル４が複数本設けられている場合には、パーティクルの発生状況を把握し、複数のガスノズル４に対応して複数の突起部を設けるようにしてもよいし、複数のガスノズル４の対向部位を全て含む領域全体に突起部を設けるようにしてもよい。さらに、縦型熱処理装置に対して実施される処理は、上述の成膜処理のみならず、アニール処理等の熱処理であってもよい。   In addition, when a plurality of gas nozzles 4 that may discharge particles are provided, the generation state of particles may be grasped, and a plurality of protrusions may be provided corresponding to the plurality of gas nozzles 4. The protrusions may be provided in the entire region including all the facing portions of the plurality of gas nozzles 4. Furthermore, the process performed on the vertical heat treatment apparatus may be a heat treatment such as an annealing process as well as the above film forming process.

Ｗ 半導体ウエハ
１１ 熱処理炉
１２ 加熱機構
２、８ 反応管
２１ 内管
２２ 外管
３ ウエハボート
４ ガスノズル
４１ ガス吐出孔
５、６、７ 突起部
５１、６２ 傾斜面
５２、６１ 水平面 W Semiconductor wafer 11 Heat treatment furnace 12 Heating mechanism 2, 8 Reaction tube 21 Inner tube 22 Outer tube 3 Wafer boat 4 Gas nozzle 41 Gas discharge hole 5, 6, 7 Protrusion 51, 62 Inclined surface 52, 61 Horizontal surface

Claims (6)

複数の基板が棚状に保持された基板保持具を縦型の反応容器内に搬入し、前記基板を真空雰囲気にて熱処理する縦型熱処理装置において、
前記反応容器内にて前記基板保持具の高さ方向に伸びるように設けられ、前記基板保持具に沿って複数のガス吐出孔が形成されたガスノズルと、
前記反応容器の内壁であって、前記ガスノズルと前記基板保持具を介して対向する領域に形成された突起部と、
前記反応容器内を真空排気するための真空排気部と、を備え、
前記突起部は、前記ガス吐出孔から吐出されたパーティクルが上下方向または横方向に跳ね返るように形成されていることを特徴とする縦型熱処理装置。 In a vertical heat treatment apparatus for carrying a substrate holder in which a plurality of substrates are held in a shelf shape into a vertical reaction vessel and heat-treating the substrate in a vacuum atmosphere,
A gas nozzle provided in the reaction vessel so as to extend in a height direction of the substrate holder, and having a plurality of gas discharge holes formed along the substrate holder;
A protrusion formed on an inner wall of the reaction vessel and facing the gas nozzle via the substrate holder;
An evacuation part for evacuating the inside of the reaction vessel,
The vertical heat treatment apparatus is characterized in that the protrusion is formed such that particles discharged from the gas discharge hole bounce up and down or in a horizontal direction. 前記突起部は、上下方向に沿って複数設けられ、当該複数の突起部を縦方向に沿った断面で見ると、三角波形状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の縦型熱処理装置。   2. The vertical heat treatment according to claim 1, wherein a plurality of the protrusions are provided along the vertical direction, and the plurality of protrusions are formed in a triangular wave shape when viewed in a cross section along the vertical direction. apparatus. 前記複数の突起部は、三角波形状を構成する上側の面及び下側の面の一方が水平面であり、他方の面が傾斜面であることを特徴とする請求項２記載の縦型熱処理装置。   3. The vertical heat treatment apparatus according to claim 2, wherein one of the upper surface and the lower surface constituting the triangular wave shape is a horizontal surface and the other surface is an inclined surface. 前記傾斜面は、水平面に対して４０〜５０度の範囲で傾斜していることを特徴とする請求項３記載の縦型熱処理装置。   The vertical heat treatment apparatus according to claim 3, wherein the inclined surface is inclined in a range of 40 to 50 degrees with respect to a horizontal plane. 前記突起部は、上下方向に沿って設けられ、前記パーティクルが横方向に跳ね返るように、頂部から前記内壁側に向かうにつれて横幅が広がるように形成されていることを特徴とする請求項１記載の縦型熱処理装置。   2. The projection according to claim 1, wherein the protrusion is provided along the vertical direction, and is formed so that a lateral width increases from the top toward the inner wall so that the particles bounce off in the lateral direction. Vertical heat treatment equipment. 前記突起部は、少なくとも前記基板保持具の最上段の基板に対応する高さ位置から、上から１０段目の基板に対応する高さ位置に至るまでの領域に設けられていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の縦型熱処理装置。   The protrusion is provided in a region from at least a height position corresponding to the uppermost substrate of the substrate holder to a height position corresponding to the tenth substrate from the top. The vertical heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 5.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112414107B (en) * 2020-11-04 2023-01-17 北京北方华创微电子装备有限公司 Vertical heat treatment equipment and furnace body loading and unloading method and transfer device thereof

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291708A (en) * 2000-03-17 2001-10-19 Samsung Electronics Co Ltd Equipment for manufacturing processing tube including slit-type process gas inlet and waste gas exhaust of porous structure, and equipment for manufacturing semiconductor element
JP2002016043A (en) * 2000-06-27 2002-01-18 Sony Corp Plasma apparatus and cathode electrode
JP2009064873A (en) * 2007-09-05 2009-03-26 Hitachi High-Technologies Corp Method of transferring processing object in semiconductor manufacturing apparatus
JP2010013709A (en) * 2008-07-04 2010-01-21 Fujitsu Ltd Film deposition apparatus and film deposition method
JP4861391B2 (en) * 2008-11-25 2012-01-25 株式会社日立国際電気 Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2012186483A (en) * 2005-03-02 2012-09-27 Tokyo Electron Ltd Exhaust pump
JP2013157491A (en) * 2012-01-31 2013-08-15 Tokyo Electron Ltd Film formation device
JP2015106619A (en) * 2013-11-29 2015-06-08 三菱電機株式会社 Diffusion device and diffusion method

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0133677B1 (en) * 1987-11-20 1998-04-23 후세 노보루 Heat traeting apparatus
TW384505B (en) * 1997-07-04 2000-03-11 Tokyo Electron Ltd Coating device
TWI229899B (en) * 2003-10-01 2005-03-21 Topco Scient Co Ltd Wafer shielding device
US7927066B2 (en) * 2005-03-02 2011-04-19 Tokyo Electron Limited Reflecting device, communicating pipe, exhausting pump, exhaust system, method for cleaning the system, storage medium storing program for implementing the method, substrate processing apparatus, and particle capturing component
JP2007019174A (en) * 2005-07-06 2007-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma etching device
JP5028957B2 (en) * 2005-12-28 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 Film forming method, film forming apparatus, and storage medium
JP4994724B2 (en) * 2006-07-07 2012-08-08 株式会社東芝 Film forming apparatus and film forming method
KR101097945B1 (en) * 2007-10-19 2011-12-22 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 Temperature control method, method of obtaining a temperature correction value, method of manufaturing a semiconductor device and substrate treatment apparatus
US8520360B2 (en) * 2011-07-19 2013-08-27 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with wafer backside plasma assisted dechuck
JP5741315B2 (en) * 2011-08-16 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 Film crack detection apparatus and film formation apparatus
JP6307984B2 (en) * 2014-03-31 2018-04-11 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment
JP6435967B2 (en) * 2015-03-31 2018-12-12 東京エレクトロン株式会社 Vertical heat treatment equipment

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291708A (en) * 2000-03-17 2001-10-19 Samsung Electronics Co Ltd Equipment for manufacturing processing tube including slit-type process gas inlet and waste gas exhaust of porous structure, and equipment for manufacturing semiconductor element
JP2002016043A (en) * 2000-06-27 2002-01-18 Sony Corp Plasma apparatus and cathode electrode
JP2012186483A (en) * 2005-03-02 2012-09-27 Tokyo Electron Ltd Exhaust pump
JP2009064873A (en) * 2007-09-05 2009-03-26 Hitachi High-Technologies Corp Method of transferring processing object in semiconductor manufacturing apparatus
JP2010013709A (en) * 2008-07-04 2010-01-21 Fujitsu Ltd Film deposition apparatus and film deposition method
JP4861391B2 (en) * 2008-11-25 2012-01-25 株式会社日立国際電気 Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2013157491A (en) * 2012-01-31 2013-08-15 Tokyo Electron Ltd Film formation device
JP2015106619A (en) * 2013-11-29 2015-06-08 三菱電機株式会社 Diffusion device and diffusion method

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