JP2018168354A - Resin composition - Google Patents

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Abstract

To provide a resin composition that can prevent warpage occurring in an insulating layer during its formation, and makes it possible to obtain an insulating layer having excellent physical properties such as thermal expansion coefficients, thermal conductivity, adhesion strength to copper plating, surface roughness; and a resin sheet, a circuit board, and a semiconductor chip package obtained by using the resin composition.SOLUTION: A resin composition contains (A) an epoxy resin, (B) an inorganic filler, (C) a curing agent, and (D) an amphiphilic polyether block copolymer.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージに関する。   The present invention relates to a resin composition. Furthermore, it is related with the resin sheet, circuit board, and semiconductor chip package which are obtained using the said resin composition.

近年、電子機器の小型化、高性能化が進み、半導体パッケージ基板においては、ビルドアップ層が複層化され、配線の微細化及び高密度化が求められている。さらに、スマートフォン、タブレット型ＰＣの普及に伴って薄型化の要求が強まり、コア材の薄型化、さらにはコアレス構造などの薄型パッケージ基板が求められている。これに伴い、絶縁層を形成する際に発生する反りの抑制が求められる。   2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices have been reduced in size and performance, and in semiconductor package substrates, build-up layers have been multilayered, and miniaturization and higher density of wiring have been demanded. Furthermore, with the widespread use of smartphones and tablet PCs, there is an increasing demand for thinning, and there is a demand for thin package substrates such as a thin core material and a coreless structure. In connection with this, suppression of the curvature which generate | occur | produces when forming an insulating layer is calculated | required.

例えば、特許文献１では、硬化収縮による反りが少なく、柔軟性に優れる樹脂組成物を提供している。しかしながら近年の高性能化の要求に対応すべく、さらに高機能の樹脂組成物が求められている。   For example, Patent Document 1 provides a resin composition that is less warped due to curing shrinkage and is excellent in flexibility. However, in order to meet the recent demand for higher performance, there is a demand for a resin composition with higher functionality.

特表２０００−６４９６０号公報Special Table 2000-64960

本発明は、高密度化、薄型化、またはコアレス化された配線板のビルドアップ層、ウエハレベルチップサイズパッケージ等に使用される絶縁層を形成するために適した樹脂組成物を提供するものであり、具体的には、絶縁層を形成する際に発生する反りを抑制することができ、さらには、熱膨張係数、熱伝導率、銅メッキとの密着強度、表面粗度などの物性に優れた絶縁層を得ることができる樹脂組成物；該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージを提供することにある。   The present invention provides a resin composition suitable for forming an insulating layer used in a build-up layer, a wafer level chip size package or the like of a wiring board that has been densified, thinned, or coreless. Specifically, it is possible to suppress warping that occurs when forming an insulating layer, and furthermore, excellent physical properties such as thermal expansion coefficient, thermal conductivity, adhesion strength with copper plating, and surface roughness. Another object of the present invention is to provide a resin sheet, a circuit board, and a semiconductor chip package obtained using the resin composition.

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、エポキシ樹脂、無機充填材、硬化剤、及び両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーを樹脂組成物に含有させることで、絶縁層を形成する際に発生する反りを抑制することができることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the inventors of the present invention form an insulating layer by including an epoxy resin, an inorganic filler, a curing agent, and an amphiphilic polyether block copolymer in the resin composition. The present inventors have found that the warpage occurring at the time can be suppressed and have completed the present invention.

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）無機充填材、
（Ｃ）硬化剤、及び
（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー、を含有する樹脂組成物。
［２］ （Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、５０質量％以上９５質量％以下である、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］ （Ｂ）成分が、窒素原子含有シランカップリング剤で処理されている、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］ （Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．３質量％以上１５質量％以下である、［１］〜［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［５］ （Ｄ）成分が、少なくとも一つのエポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントと、少なくとも一つのエポキシ樹脂非混和性ポリエーテルブロックセグメントとを含むブロックコポリマーである、［１］〜［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］ エポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントが、ポリエチレンオキシドブロック、ポリプロピレンオキシドブロック、ポリ（エチレンオキシド−ｃｏ−プロピレンオキシド）ブロック、ポリ（エチレンオキシド−ｒａｎ−プロピレンオキシド）ブロック、及びそれらの混合物から選択される１種以上のポリアルキレンオキシドブロックであり、
エポキシ樹脂非混和性ポリエーテルブロックセグメントが、ポリブチレンオキシドブロック、ポリヘキシレンオキシドブロック、ポリドデシレンオキシドブロック、及びそれらの混合物から選択される１種以上のポリアルキレンオキシドブロックである、［５］に記載の樹脂組成物。
［７］ さらに、（Ｅ）カルボジイミド化合物を含有する、［１］〜［６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［８］ さらに、（Ｆ）熱可塑性樹脂を含有する、［１］〜［７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［９］ （Ｃ）成分が、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤から選ばれる１種以上である、［１］〜［８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１０］ （Ａ）成分が、縮合環構造を有するエポキシ樹脂を含有する、［１］〜［９］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１１］ 樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物の硬化収縮率が０．２７％以下である、［１］〜［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１２］ 樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物の２５℃〜１５０℃における線熱膨張係数が３ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である、［１］〜［１１］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１３］ 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、［１］〜［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１４］ セミアディティブプロセス法によって回路形成する回路基板の絶縁層用樹脂組成物である、［１］〜［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１５］ 支持体と、該支持体上に設けられた、［１］〜［１４］のいずれかに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
［１６］ ［１］〜［１４］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
［１７］ ［１６］に記載の回路基板と、前記回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
［１８］ ［１］〜［１４］のいずれかに記載の樹脂組成物または［１５］に記載の樹脂シートにより封止された、半導体チップを含む半導体チップパッケージ。 That is, the present invention includes the following contents.
[1] (A) epoxy resin,
(B) inorganic filler,
A resin composition comprising (C) a curing agent, and (D) an amphiphilic polyether block copolymer.
[2] The resin composition according to [1], wherein the content of the component (B) is 50% by mass or more and 95% by mass or less when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass.
[3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the component (B) is treated with a nitrogen atom-containing silane coupling agent.
[4] Any of [1] to [3], wherein the content of the component (D) is 0.3% by mass or more and 15% by mass or less when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. The resin composition described in 1.
[5] The component (D) is a block copolymer comprising at least one epoxy resin-miscible polyether block segment and at least one epoxy resin-immiscible polyether block segment. The resin composition in any one.
[6] The epoxy resin miscible polyether block segment is selected from a polyethylene oxide block, a polypropylene oxide block, a poly (ethylene oxide-co-propylene oxide) block, a poly (ethylene oxide-ran-propylene oxide) block, and mixtures thereof. One or more polyalkylene oxide blocks,
The epoxy resin immiscible polyether block segment is one or more polyalkylene oxide blocks selected from polybutylene oxide blocks, polyhexylene oxide blocks, polydodecylene oxide blocks, and mixtures thereof [5 ] The resin composition as described in.
[7] The resin composition according to any one of [1] to [6], further comprising (E) a carbodiimide compound.
[8] The resin composition according to any one of [1] to [7], further comprising (F) a thermoplastic resin.
[9] The resin composition according to any one of [1] to [8], wherein the component (C) is at least one selected from a triazine skeleton-containing phenolic curing agent and an active ester curing agent.
[10] The resin composition according to any one of [1] to [9], wherein the component (A) contains an epoxy resin having a condensed ring structure.
[11] The resin composition according to any one of [1] to [10], wherein the cured shrinkage of the cured product obtained by thermally curing the resin composition at 180 ° C. for 90 minutes is 0.27% or less.
[12] Any of [1] to [11], wherein the cured product obtained by thermosetting the resin composition at 180 ° C. for 90 minutes has a linear thermal expansion coefficient of 3 ppm / ° C. to 30 ppm / ° C. A resin composition according to claim 1.
[13] The resin composition according to any one of [1] to [12], which is a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package.
[14] The resin composition according to any one of [1] to [13], which is a resin composition for an insulating layer of a circuit board for forming a circuit by a semi-additive process method.
[15] A resin sheet comprising a support and a resin composition layer comprising the resin composition according to any one of [1] to [14] provided on the support.
[16] A circuit board including an insulating layer formed of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [14].
[17] A semiconductor chip package comprising the circuit board according to [16] and a semiconductor chip mounted on the circuit board.
[18] A semiconductor chip package including a semiconductor chip sealed with the resin composition according to any one of [1] to [14] or the resin sheet according to [15].

本発明によれば、絶縁層を形成する際に発生する反りを抑制することができ、さらには熱膨張係数、熱伝導率、銅メッキとの密着強度、表面粗度などの物性に優れた絶縁層を得ることができる樹脂組成物；該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to suppress warping that occurs when forming an insulating layer, and furthermore, insulation with excellent physical properties such as thermal expansion coefficient, thermal conductivity, adhesion strength with copper plating, and surface roughness. A resin composition capable of obtaining a layer; a resin sheet, a circuit board, and a semiconductor chip package obtained using the resin composition can be provided.

図１は、本発明の半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）の一例を示した概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a semiconductor chip package (Fan-out type WLP) of the present invention. 図２は、硬化収縮率を測定する際の樹脂シートの一例を示した概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing an example of a resin sheet when measuring the cure shrinkage rate.

以下、本発明の樹脂組成物、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージについて詳細に説明する。   Hereinafter, the resin composition, resin sheet, circuit board, and semiconductor chip package of the present invention will be described in detail.

［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）無機充填材、（Ｃ）硬化剤、及び（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー、を含有する。 [Resin composition]
The resin composition of the present invention contains (A) an epoxy resin, (B) an inorganic filler, (C) a curing agent, and (D) an amphiphilic polyether block copolymer.

（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分を樹脂組成物に含有させることで、反りを抑制することができる絶縁層を得ることが可能となる。樹脂組成物は、必要に応じて、さらに（Ｅ）カルボジイミド化合物、（Ｆ）熱可塑性樹脂、（Ｇ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂、（Ｈ）ゴム粒子、（Ｉ）硬化促進剤、（Ｋ）難燃剤を含み得る。   By including the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D) in the resin composition, an insulating layer capable of suppressing warpage can be obtained. If necessary, the resin composition may further comprise (E) a carbodiimide compound, (F) a thermoplastic resin, and (G) a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly (meth) acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkylene, It may contain a resin having at least one structure selected from an alkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure, (H) rubber particles, (I) a curing accelerator, and (K) a flame retardant.

本明細書において「樹脂成分」とは、樹脂組成物を構成する不揮発成分のうち、（Ｂ）無機充填材を除いた成分をいう。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。   In the present specification, the “resin component” refers to a component excluding (B) the inorganic filler among the non-volatile components constituting the resin composition. Hereinafter, each component contained in the resin composition will be described in detail.

＜（Ａ）エポキシ樹脂＞
樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂を含有する。エポキシ樹脂としては、本発明の樹脂組成物を熱硬化させることができるものであれば特に限定は無いが、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；ノボラック型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ａ）成分は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、及び縮合環構造を有するエポキシ樹脂から選択される１種以上であることが好ましい。中でも、（Ａ）成分としては、低熱膨張係数、熱伝導率、銅メッキとの密着強度、表面粗度などの物性に優れた絶縁層を得る観点から、縮合環構造を有するエポキシ樹脂を含有することがより好ましい。縮合環構造を有するエポキシ樹脂としては、上記例示したもののうち、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂が特に好ましい。 <(A) Epoxy resin>
The resin composition contains (A) an epoxy resin. The epoxy resin is not particularly limited as long as it can thermally cure the resin composition of the present invention. For example, naphthalene type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthylene ether Type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, etc. Epoxy resin having structure; bisphenol A type epoxy resin; bisphenol F type epoxy resin; bisphenol S type epoxy resin; bisphenol AF type epoxy resin; trisphenol type epoxy resin; novolac type epoxy resin; Phenol novolac type epoxy resin; tert-butyl-catechol type epoxy resin; glycidyl amine type epoxy resin; glycidyl ester type epoxy resin; cresol novolak type epoxy resin; biphenyl type epoxy resin; An epoxy resin having a butadiene structure; an alicyclic epoxy resin; a heterocyclic epoxy resin; a spiro ring-containing epoxy resin; a cyclohexane dimethanol type epoxy resin; a trimethylol type epoxy resin; and a tetraphenylethane type epoxy resin. An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. The component (A) is preferably at least one selected from bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, and epoxy resins having a condensed ring structure. Among them, the component (A) contains an epoxy resin having a condensed ring structure from the viewpoint of obtaining an insulating layer having excellent physical properties such as a low thermal expansion coefficient, thermal conductivity, adhesion strength with copper plating, and surface roughness. It is more preferable. Among the epoxy resins having a condensed ring structure, among those exemplified above, naphthalene type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy Resin is preferable, and naphthalene type epoxy resin and naphthol type epoxy resin are particularly preferable.

エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。また、エポキシ樹脂は、芳香族構造を有することが好ましく、２種以上のエポキシ樹脂を用いる場合は少なくとも１種が芳香族構造を有することがより好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物の硬化物の破断強度も向上する。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。   The epoxy resin preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Moreover, it is preferable that an epoxy resin has an aromatic structure, and when using 2 or more types of epoxy resins, it is more preferable that at least 1 type has an aromatic structure. When the nonvolatile component of the epoxy resin is 100% by mass, at least 50% by mass or more is preferably an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Among them, it has two or more epoxy groups in one molecule, and has a liquid epoxy resin (hereinafter referred to as “liquid epoxy resin”) at a temperature of 20 ° C. and three or more epoxy groups in one molecule, It is preferable to contain a solid epoxy resin (hereinafter referred to as “solid epoxy resin”) at a temperature of 20 ° C. By using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin in combination as an epoxy resin, a resin composition having excellent flexibility can be obtained. Moreover, the breaking strength of the cured product of the resin composition is also improved. The aromatic structure is a chemical structure generally defined as aromatic, and includes polycyclic aromatics and aromatic heterocycles.

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）、三菱化学社製の「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ−３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。   Liquid epoxy resins include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, glycidyl amine type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, and ester skeletons. Preferred are cycloaliphatic epoxy resins, cyclohexanedimethanol type epoxy resins, glycidylamine type epoxy resins, and epoxy resins having a butadiene structure. Glycidylamine type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol AF Type epoxy resin and naphthalene type epoxy resin are more preferable. Specific examples of the liquid epoxy resin include “HP4032”, “HP4032D”, “HP4032SS” (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC, “828US”, “jER828EL” (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. "JER807" (bisphenol F type epoxy resin), "jER152" (phenol novolak type epoxy resin), "630", "630LSD" (glycidylamine type epoxy resin), "ZX1059" (bisphenol A) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin), “EX-721” (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase ChemteX Corporation, “Celoxide 2021P” (manufactured by Daicel Corporation) (alicyclic epoxy having an ester skeleton) resin), "PB-3600" (epoxy resin having a butadiene structure), "ZX1658", "ZX1658GS" (liquid 1,4-glycidylcyclohexane) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., "630LSD" (glycidylamine type epoxy resin manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) ), “EP-3980S” (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by ADEKA, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

固体状エポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）、「１５７Ｓ７０」（ノボラック型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。   Solid epoxy resins include novolak type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene. Ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin are preferable, and novolak type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, naphthol type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin are more preferable. . Specific examples of the solid epoxy resin include “HP4032H” (naphthalene type epoxy resin), “HP-4700”, “HP-4710” (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin), “N-690” (manufactured by DIC) Cresol novolac type epoxy resin), "N-695" (cresol novolac type epoxy resin), "HP-7200" (dicyclopentadiene type epoxy resin), "HP-7200HH", "HP-7200H", "EXA-7311 ”,“ EXA-7311-G3 ”,“ EXA-7311-G4 ”,“ EXA-7311-G4S ”,“ HP6000 ”(naphthylene ether type epoxy resin),“ EPPN-502H ”(manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) Trisphenol type epoxy resin), "NC7000L" (naphthol novolac type epoxy) Fat), “NC3000H”, “NC3000”, “NC3000L”, “NC3100” (biphenyl type epoxy resin), “ESN475V” (naphthalene type epoxy resin), “ESN485” (naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. ), “YX4000H”, “YL6121” (biphenyl type epoxy resin), “YX4000HK” (bixylenol type epoxy resin), “YX8800” (anthracene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, “PG” manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd. -100 "," CG-500 "," YL7760 "(bisphenol AF type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation," YL7800 "(fluorene type epoxy resin)," jER1010 "(solid bisphenol A type manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) Epoxy resin)," ER1031S "(tetraphenyl ethane epoxy resin)" 157S70 "(novolac epoxy resin) and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：１５の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、ｉ）樹脂シートの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ｉｉ）樹脂シートの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記ｉ）〜ｉｉｉ）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：１０の範囲がより好ましく、１：０．６〜１：８の範囲がさらに好ましい。   When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as an epoxy resin, the quantitative ratio thereof (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is in the range of 1: 0.1 to 1:15 in terms of mass ratio. preferable. By making the quantity ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin within such a range, i) suitable adhesiveness is obtained when used in the form of a resin sheet, ii) when used in the form of a resin sheet Sufficient flexibility can be obtained, handling properties can be improved, and iii) a cured product having sufficient breaking strength can be obtained. From the viewpoint of the effects i) to iii), the quantitative ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is in the range of 1: 0.3 to 1:10 by mass ratio. Is more preferable, and the range of 1: 0.6 to 1: 8 is even more preferable.

樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。   The content of the epoxy resin in the resin composition is preferably 1% by mass or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of obtaining an insulating layer exhibiting good mechanical strength and insulation reliability. More preferably, it is 2% by mass or more, and further preferably 5% by mass or more. Although the upper limit of content of an epoxy resin is not specifically limited as long as the effect of this invention is show | played, Preferably it is 20 mass% or less, More preferably, it is 15 mass% or less, More preferably, it is 10 mass% or less.

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。   The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, and even more preferably 110 to 1000. By becoming this range, the crosslinked density of hardened | cured material becomes sufficient and it can bring about an insulating layer with small surface roughness. The epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236, and is the mass of a resin containing 1 equivalent of an epoxy group.

エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。   The weight average molecular weight of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 100-5000, More preferably, it is 250-3000, More preferably, it is 400-1500. Here, the weight average molecular weight of the epoxy resin is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

エポキシ樹脂の数平均分子量は、好ましくは５０００未満、より好ましくは４０００以下、さらに好ましくは３０００以下である。下限は、好ましくは１００以上、より好ましくは３００以上、さらに好ましくは５００以上である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。   The number average molecular weight of the epoxy resin is preferably less than 5000, more preferably 4000 or less, and still more preferably 3000 or less. The lower limit is preferably 100 or more, more preferably 300 or more, and still more preferably 500 or more. The number average molecular weight (Mn) is a polystyrene equivalent number average molecular weight measured using GPC (gel permeation chromatography).

エポキシ樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは２５℃を超え、より好ましくは３０℃以上、さらに好ましくは３５℃以上である。上限は、好ましくは５００℃以下、より好ましくは４００℃以下、さらに好ましくは３００℃以下である。   The glass transition temperature (Tg) of the epoxy resin is preferably more than 25 ° C, more preferably 30 ° C or more, and further preferably 35 ° C or more. An upper limit becomes like this. Preferably it is 500 degrees C or less, More preferably, it is 400 degrees C or less, More preferably, it is 300 degrees C or less.

＜（Ｂ）無機充填材＞
樹脂組成物は、（Ｂ）無機充填材を含有する。無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 <(B) Inorganic filler>
The resin composition contains (B) an inorganic filler. The material of the inorganic filler is not particularly limited. For example, silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, water Aluminum oxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide , Zirconium oxide, barium titanate, barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Of these, silica is particularly preferred. As silica, spherical silica is preferable. An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

無機充填材の平均粒径は、表面粗度の低い絶縁層を得る観点から、好ましくは１２μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは８μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以下、さらに好ましくは２．２μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下である。該平均粒径の下限は、特に限定されないが、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．１μｍ以上である。このような平均粒径を有する無機充填材の市販品としては、例えば、アドマテックス社製「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」、電気化学工業社製「ＵＦＰ−３０」、トクヤマ社製「シルフィルＮＳＳ−３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−５Ｎ」、アドマテックス社製「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ−Ｃ６」、「ＳＯ−Ｃ４」、「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ１」、デンカ社製の「ＤＡＷ−０３」、「ＦＢ−１０５ＦＤ」等が挙げられる。   The average particle diameter of the inorganic filler is preferably 12 μm or less, more preferably 10 μm or less, more preferably 8 μm or less, more preferably 5.0 μm or less, more preferably 2 from the viewpoint of obtaining an insulating layer having a low surface roughness. 0.5 μm or less, more preferably 2.2 μm or less, more preferably 2 μm or less. Although the minimum of this average particle diameter is not specifically limited, Preferably it is 0.01 micrometer or more, More preferably, it is 0.05 micrometer or more, More preferably, it is 0.1 micrometer or more. Examples of commercially available inorganic fillers having such an average particle diameter include, for example, “YC100C”, “YA050C”, “YA050C-MJE”, “YA010C” manufactured by Admatechs, and “UFP-30” manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. "Silfil NSS-3N", "Silfil NSS-4N", "Silfil NSS-5N" manufactured by Tokuyama Corporation, "SC2500SQ", "SO-C6", "SO-C4", "SO-C2" manufactured by Admatechs ”,“ SO-C1 ”,“ DAW-03 ”,“ FB-105FD ”manufactured by Denka, and the like.

無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」等を使用することができる。   The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be prepared on a volume basis by a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus, and the median diameter can be measured as the average particle diameter. As the measurement sample, an inorganic filler dispersed in water by ultrasonic waves can be preferably used. As the laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus, “LA-500” manufactured by Horiba, Ltd. can be used.

無機充填材は、マトリックス樹脂との濡れ性改善の観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の１種以上の表面処理剤で処理されていてもよい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７８３」（Ｎ−フェニル−３−アミノオクチルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）等が挙げられる。なかでも、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノオクチルトリメトキシシランをはじめとするＮ−フェニル−３−アミノアルキルトリメトキシシラン等の、窒素原子含有シランカップリング剤が好ましく、フェニル基を含有するアミノシラン系カップリング剤がより好ましく、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシランがより好ましい。   Inorganic fillers are aminosilane coupling agents, epoxysilane coupling agents, mercaptosilane coupling agents, silane coupling agents, alkoxysilane compounds, organosilazane compounds, from the viewpoint of improving wettability with the matrix resin. It may be treated with one or more surface treatment agents such as a titanate coupling agent. Examples of commercially available surface treatment agents include “KBM403” (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “KBM803” (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Shin-Etsu. “KBE903” (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Kagaku Kogyo Co., Ltd. “KBM573” (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “KBM5783” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (N- Phenyl-3-aminooctyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “SZ-31” (hexamethyldisilazane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBM103” (phenyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBM” -4803 "(long chain epoxy type silane coupling agent). Among them, nitrogen atom-containing silane couplings such as N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminooctyltrimethoxysilane, and other N-phenyl-3-aminoalkyltrimethoxysilane An agent is preferable, an aminosilane-based coupling agent containing a phenyl group is more preferable, and N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane is more preferable.

樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、熱膨張率が低い絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは６５質量％以上である。上限は、絶縁層の機械強度、特に伸びの観点から、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９３質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下である。   From the viewpoint of obtaining an insulating layer having a low coefficient of thermal expansion, the content of the inorganic filler in the resin composition is preferably 50% by mass or more, more preferably 100% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. It is 60 mass% or more, More preferably, it is 65 mass% or more. The upper limit is preferably 95% by mass or less, more preferably 93% by mass or less, and still more preferably 90% by mass or less, from the viewpoint of mechanical strength of the insulating layer, particularly elongation.

＜（Ｃ）硬化剤＞
樹脂組成物は、（Ｃ）硬化剤を含有する。（Ｃ）硬化剤としては、（Ａ）成分等の樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。（Ｃ）成分は、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましく、フェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましく、一態様として、フェノール系硬化剤及び活性エステル系硬化剤から選ばれる１種以上であることがさらに好ましい。 <(C) Curing agent>
The resin composition contains (C) a curing agent. (C) The curing agent is not particularly limited as long as it has a function of curing the resin such as component (A). For example, a phenolic curing agent, a naphthol curing agent, an active ester curing agent, a benzoxazine curing agent And cyanate ester-based curing agents. A hardening | curing agent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. The component (C) is preferably at least one selected from a phenolic curing agent, a naphthol curing agent, an active ester curing agent, and a cyanate ester curing agent, a phenol curing agent, and an active ester curing It is preferable that it is 1 or more types selected from an agent, and as one aspect | mode, it is still more preferable that it is 1 or more types chosen from a phenol type hardening | curing agent and an active ester type hardening | curing agent.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、硬化物が十分な強度を得る観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。   As the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent, a phenol-based curing agent having a novolak structure or a naphthol-based curing agent having a novolak structure is preferable from the viewpoint of obtaining sufficient strength of the cured product. Moreover, from a viewpoint of adhesiveness with a conductor layer, a nitrogen-containing phenol type hardening | curing agent is preferable and a triazine frame | skeleton containing phenol type hardening | curing agent is more preferable.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ２０９０」、「ＴＤ２０９０−６０Ｍ」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＨＰＣ−９５００」、「ＫＡ−１１６０」、「ＫＡ−１１６３」、「ＫＡ−１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ−６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ−６１１５Ｈ」、「ＥＬＰＣ７５」等が挙げられる。   Specific examples of the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent include “MEH-7700”, “MEH-7810”, “MEH-7785” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., “NHN”, “CBN” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. ”,“ GPH ”,“ SN170 ”,“ SN180 ”,“ SN190 ”,“ SN475 ”,“ SN485 ”,“ SN495V ”,“ SN375 ”,“ SN395 ”manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.,“ TD2090 ”manufactured by DIC ”,“ TD2090-60M ”,“ LA-7052 ”,“ LA-7054 ”,“ LA-1356 ”,“ LA-3018 ”,“ LA-3018-50P ”,“ EXB-9500 ”,“ HPC-9500 ” ”,“ KA-1160 ”,“ KA-1163 ”,“ KA-1165 ”,“ GDP-6115L ”,“ GDP-6115H ”manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd. "ELPC75", and the like.

活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。   Although there is no restriction | limiting in particular as an active ester type hardening | curing agent, Generally ester groups with high reaction activity, such as phenol ester, thiophenol ester, N-hydroxyamine ester, ester of heterocyclic hydroxy compound, are in 1 molecule. A compound having two or more in the above is preferably used. The active ester curing agent is preferably obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and / or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and / or a naphthol compound is more preferable. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, Benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolac and the like can be mentioned. Here, the “dicyclopentadiene type diphenol compound” refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol with one molecule of dicyclopentadiene.

具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造を表す。   Specifically, an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of a phenol novolac, and an active ester compound containing a benzoylated product of a phenol novolac are preferred, Of these, active ester compounds having a naphthalene structure and active ester compounds having a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferred. The “dicyclopentadiene type diphenol structure” represents a divalent structure composed of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ」（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱化学社製）等が挙げられる。   As a commercial product of an active ester type curing agent, as an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, “EXB9451”, “EXB9460”, “EXB9460S”, “HPC-8000”, “HPC-8000H”, “ "HPC-8000-65T", "EXB-8000L" (manufactured by DIC), "EXB9416-70BK" (manufactured by DIC) as an active ester compound containing a naphthalene structure, and "DC808" as an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac. (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), “YLH1026” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing a benzoylated product of phenol novolac, and “DC808” (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester curing agent which is an acetylated product of phenol novolac. ) Phenol novolak "YLH1026" as an active ester-based curing agent is benzoyl fluoride (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。   Specific examples of the benzoxazine-based curing agent include “HFB2006M” manufactured by Showa Polymer Co., Ltd. and “Pd” and “Fa” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。   Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4′-methylenebis (2,6-dimethylphenyl cyanate), 4,4. '-Ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis (4-cyanatephenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethyl) Bifunctional cyanate resins such as phenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatephenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis (4-cyanatephenyl) thioether, and bis (4-cyanatephenyl) ether, phenol Novolac and K Polyfunctional cyanate resin derived from tetrazole novolac, these cyanate resins and partially triazine of prepolymer. Specific examples of the cyanate ester curing agent include “PT30” and “PT60” (both phenol novolac polyfunctional cyanate ester resins), “BA230”, “BA230S75” (part of bisphenol A dicyanate) manufactured by Lonza Japan. Or a prepolymer which is all triazine-modified into a trimer).

（Ｃ）成分の含有量は、樹脂組成物中の樹脂成分を１００質量％とした場合、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下である。また、下限は、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上である。（Ｃ）成分の含有量を斯かる範囲内とすることにより、絶縁層を形成する際に発生する反りを抑制することができ、さらには熱膨張係数、熱伝導率、銅メッキとの密着強度、表面粗度などの物性に優れた絶縁層を得ることができる。   The content of the component (C) is preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, and further preferably 15% by mass or less, when the resin component in the resin composition is 100% by mass. Further, the lower limit is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, and further preferably 5% by mass or more. By setting the content of the component (C) within such a range, it is possible to suppress warping that occurs when the insulating layer is formed, and furthermore, thermal expansion coefficient, thermal conductivity, adhesion strength with copper plating. An insulating layer having excellent physical properties such as surface roughness can be obtained.

＜（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー＞
樹脂組成物は、（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーを含有する。本願明細書において、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーとは、少なくとも一つのエポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントと、少なくとも一つのエポキシ樹脂非混和性ポリエーテルブロックセグメントとを含むブロックコポリマーを言う。（Ｄ）成分を含有することで樹脂組成物の靱性向上、応力緩和性能を向上させることができ、これにより樹脂組成物の硬化物の反り量を低減することができる。 <(D) Amphiphilic polyether block copolymer>
The resin composition contains (D) an amphiphilic polyether block copolymer. As used herein, an amphiphilic polyether block copolymer refers to a block copolymer comprising at least one epoxy resin miscible polyether block segment and at least one epoxy resin immiscible polyether block segment. By containing the component (D), the toughness of the resin composition and the stress relaxation performance can be improved, whereby the amount of warpage of the cured product of the resin composition can be reduced.

エポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントとしては、例えばアルキレンオキシドから誘導されるエポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントが挙げられる。アルキレンオキシドから誘導されるエポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントとしては、ポリエチレンオキシドブロック、ポリプロピレンオキシドブロック、ポリ（エチレンオキシド−ｃｏ−プロピレンオキシド）ブロック、ポリ（エチレンオキシド−ｒａｎ−プロピレンオキシド）ブロック、及びそれらの混合物から選択される１種以上を含むポリアルキレンオキシドブロックが好ましく、ポリエチレンオキシドブロックがより好ましい。   Examples of the epoxy resin-miscible polyether block segment include an epoxy resin-miscible polyether block segment derived from alkylene oxide. Epoxy resin miscible polyether block segments derived from alkylene oxide include polyethylene oxide blocks, polypropylene oxide blocks, poly (ethylene oxide-co-propylene oxide) blocks, poly (ethylene oxide-ran-propylene oxide) blocks, and their Polyalkylene oxide blocks containing one or more selected from a mixture are preferred, and polyethylene oxide blocks are more preferred.

エポキシ樹脂非混和性ブロックセグメントとしては、例えば、アルキレンオキシドから誘導される少なくとも一つのエポキシ樹脂非混和性ポリエーテルブロックセグメントが挙げられる。アルキレンオキシドから誘導される少なくとも一つのエポキシ樹脂非混和性ポリエーテルブロックセグメントとしては、例えば、ポリブチレンオキシドブロック、１，２−エポキシヘキサンから誘導されるポリヘキシレンオキシドブロック、１，２−エポキシドデカンから誘導されるポリドデシレンオキシドブロック、及びそれらの混合物から選択される１種以上のポリアルキレンオキシドが好ましく、ポリブチレンオキシドブロックがより好ましい。   Examples of the epoxy resin immiscible block segment include at least one epoxy resin immiscible polyether block segment derived from alkylene oxide. Examples of at least one epoxy resin immiscible polyether block segment derived from alkylene oxide include polybutylene oxide block, polyhexylene oxide block derived from 1,2-epoxyhexane, and 1,2-epoxide decane. One or more polyalkylene oxides selected from polydodecylene oxide blocks derived from and mixtures thereof are preferred, and polybutylene oxide blocks are more preferred.

本発明で使用する両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーは、１種以上のエポキシ樹脂混和性ブロックセグメントを有することが好ましく、２種以上のエポキシ樹脂混和性ブロックセグメントを有することより好ましい。同様に、１種以上のエポキシ樹脂非混和性ブロックセグメントを有することが好ましく、２種以上のエポキシ樹脂非混和性ブロックセグメントを有することがより好ましい。従って、（Ｄ）成分は、例えば、ジブロック、直鎖トリブロック、直鎖テトラブロック、高次マルチブロック構造、分岐ブロック構造、星型ブロック構造、及びそれらの組合せから成る群から選択されるエポキシ樹脂混和性ブロックセグメント、又はエポキシ樹脂非混和性ブロックセグメントを有することが好ましい。   The amphiphilic polyether block copolymer used in the present invention preferably has one or more epoxy resin-miscible block segments, and more preferably has two or more epoxy resin-miscible block segments. Similarly, it is preferable to have one or more types of epoxy resin immiscible block segments, and more preferable to have two or more types of epoxy resin immiscible block segments. Accordingly, the component (D) is, for example, an epoxy selected from the group consisting of diblocks, linear triblocks, linear tetrablocks, higher order multiblock structures, branched block structures, star block structures, and combinations thereof. It is preferable to have a resin-miscible block segment or an epoxy resin-immiscible block segment.

両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーは、その効果を損なわない範囲で、分子中に他のセグメントを含有してもよい。他のセグメントとしては、例えば、ポリエチレンプロピレン（ＰＥＰ）、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリジメチルシロキサン、ポリブチレンオキシド、ポリヘキシレンオキシド、ポリエチルヘキシルメタクリレート等のポリアルキルメチルメタクリレート、及びそれらの混合物等が挙げられる。   The amphiphilic polyether block copolymer may contain other segments in the molecule as long as the effect is not impaired. Examples of the other segments include polyethylene propylene (PEP), polybutadiene, polyisoprene, polydimethylsiloxane, polybutylene oxide, polyhexylene oxide, polyalkylmethyl methacrylate such as polyethylhexyl methacrylate, and mixtures thereof. .

両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーの数平均分子量は、好ましくは３，０００〜２０，０００である。数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。   The number average molecular weight of the amphiphilic polyether block copolymer is preferably 3,000 to 20,000. The number average molecular weight is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーは、例えば、ポリ（エチレンオキシド）−ｂ−ポリ（ブチレンオキシド）（ＰＥＯ−ＰＢＯ）；ポリ（エチレンオキシド）−ｂ−ポリ（ブチレンオキシド）−ｂ−ポリ（エチレンオキシド）（ＰＥＯ−ＰＢＯ−ＰＥＯ）等の両親媒性ポリエーテルトリブロックコポリマー等が挙げられる。両親媒性ブロックコポリマーは市販品を用いることもできる。市販品としては、例えばＴｈｅ Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ社製の「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」（ＰＥＯ−ＰＢＯ−ＰＥＯ）等が挙げられる。   Amphiphilic polyether block copolymers include, for example, poly (ethylene oxide) -b-poly (butylene oxide) (PEO-PBO); poly (ethylene oxide) -b-poly (butylene oxide) -b-poly (ethylene oxide) (PEO). -PBO-PEO) and the like amphiphilic polyether triblock copolymers. A commercial item can also be used for an amphiphilic block copolymer. Examples of commercially available products include “Fortegra 100” (PEO-PBO-PEO) manufactured by The Dow Chemical Company.

（Ｄ）成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、割れ性等を向上させる観点から、好ましくは０．３質量％以上、より好ましくは０．４質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上である。上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは１５質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。   The content of the component (D) is preferably 0.3% by mass or more, more preferably 0.4% by mass from the viewpoint of improving cracking property and the like when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. As mentioned above, More preferably, it is 0.5 mass% or more. Although an upper limit is not specifically limited as long as the effect of this invention is show | played, Preferably it is 15 mass% or less, More preferably, it is 10 mass% or less, More preferably, it is 5 mass% or less.

＜（Ｅ）カルボジイミド化合物＞
本発明の樹脂組成物は、（Ｅ）成分として、カルボジイミド化合物を含むことができる。カルボジイミド化合物は、１分子中にカルボジイミド基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−）を１個以上有する化合物であり、（Ｅ）成分を含有させることで導体層との密着性に優れる絶縁層をもたらすことができる。カルボジイミド化合物としては、１分子中にカルボジイミド基を２個以上有する化合物が好ましい。カルボジイミド化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 <(E) Carbodiimide compound>
The resin composition of the present invention can contain a carbodiimide compound as the component (E). A carbodiimide compound is a compound having one or more carbodiimide groups (-N = C = N-) in one molecule, and by providing the component (E), an insulating layer having excellent adhesion to a conductor layer is provided. Can do. As the carbodiimide compound, a compound having two or more carbodiimide groups in one molecule is preferable. A carbodiimide compound may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

一実施形態において、本発明の樹脂組成物に含まれるカルボジイミド化合物は、下記式（１）で表される構造を含有する。   In one embodiment, the carbodiimide compound contained in the resin composition of the present invention contains a structure represented by the following formula (1).

Figure 2018168354
（式中、Ｘは、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表し、これらは置換基を有していてもよい。ｐは１〜５の整数を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも相異なってもよい。＊は結合手を表す。）
Figure 2018168354
 (In the formula, X represents an alkylene group, a cycloalkylene group or an arylene group, which may have a substituent. P represents an integer of 1 to 5. When a plurality of Xs are present, they are (It may be the same or different. * Represents a bond.)

Ｘで表されるアルキレン基の炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、１〜４、又は１〜３である。該炭素原子数に置換基の炭素原子数は含まれない。該アルキレン基の好適な例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基が挙げられる。   The number of carbon atoms of the alkylene group represented by X is preferably 1-20, more preferably 1-10, still more preferably 1-6, 1-4, or 1-3. The number of carbon atoms of the substituent is not included in the number of carbon atoms. Preferable examples of the alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and a butylene group.

Ｘで表されるシクロアルキレン基の炭素原子数は、好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１２、さらに好ましくは３〜６である。該炭素原子数に置換基の炭素原子数は含まれない。該シクロアルキレン基の好適な例としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基が挙げられる。   The number of carbon atoms of the cycloalkylene group represented by X is preferably 3-20, more preferably 3-12, and even more preferably 3-6. The number of carbon atoms of the substituent is not included in the number of carbon atoms. Preferable examples of the cycloalkylene group include a cyclopropylene group, a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, and a cyclohexylene group.

Ｘで表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を２個除いた基である。該アリーレン基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。該炭素原子数に置換基の炭素原子数は含まれない。該アリーレン基の好適な例としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基が挙げられる。   The arylene group represented by X is a group obtained by removing two hydrogen atoms on an aromatic ring from an aromatic hydrocarbon. The number of carbon atoms of the arylene group is preferably 6 to 24, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 14, and still more preferably 6 to 10. The number of carbon atoms of the substituent is not included in the number of carbon atoms. Preferable examples of the arylene group include a phenylene group, a naphthylene group, and an anthracenylene group.

Ｘで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基又はアリール基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アシル基及びアシルオキシ基が挙げられる。置換基として用いられるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。置換基として用いられるアルキル基、アルコキシ基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、その炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、１〜４、又は１〜３である。置換基として用いられるシクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基の炭素原子数は、好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１２、さらに好ましくは３〜６である。置換基として用いられるアリール基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を１個除いた基であり、その炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。置換基として用いられるアリールオキシ基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。置換基として用いられるアシル基は、式：−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ１で表される基（式中、Ｒ１はアルキル基又はアリール基を表す。）をいう。Ｒ１で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、その炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、１〜４、又は１〜３である。Ｒ１で表されるアリール基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。置換基として用いられるアシルオキシ基は、式：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ１で表される基（式中、Ｒ１は上記と同じ意味を表す。）をいう。中でも、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、及びアシルオキシ基が好ましく、アルキル基がより好ましい。 The alkylene group, cycloalkylene group or aryl group represented by X may have a substituent. The substituent is not particularly limited, and examples thereof include a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, an acyl group, and an acyloxy group. As a halogen atom used as a substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom are mentioned, for example. The alkyl group and alkoxy group used as a substituent may be either linear or branched, and the number of carbon atoms is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 10, and still more preferably 1 to 1. 6, 1-4, or 1-3. The number of carbon atoms of the cycloalkyl group and cycloalkyloxy group used as a substituent is preferably 3 to 20, more preferably 3 to 12, and still more preferably 3 to 6. The aryl group used as a substituent is a group obtained by removing one hydrogen atom on an aromatic ring from an aromatic hydrocarbon, and the number of carbon atoms is preferably 6 to 24, more preferably 6 to 18, and still more preferably. Is 6-14, even more preferably 6-10. The number of carbon atoms of the aryloxy group used as a substituent is preferably 6 to 24, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 14, and even more preferably 6 to 10. Acyl group used as a substituent of the formula: -C (= O) group (wherein, R 1 represents an alkyl group or an aryl group.) Represented by -R 1 refers. The alkyl group represented by R 1 may be linear or branched, and the number of carbon atoms thereof is preferably 1-20, more preferably 1-10, still more preferably 1-6, It is 1-4 or 1-3. The number of carbon atoms of the aryl group represented by R 1 is preferably 6 to 24, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 14, and even more preferably 6 to 10. The acyloxy group used as a substituent refers to a group represented by the formula: —O—C (═O) —R 1 (wherein R 1 has the same meaning as described above). Especially, as a substituent, an alkyl group, an alkoxy group, and an acyloxy group are preferable, and an alkyl group is more preferable.

式（１）中、ｐは１〜５の整数を表す。耐熱性、レーザービア信頼性、及び導体層との密着性に一層優れる絶縁層を実現する観点から、ｐは、好ましくは１〜４、より好ましくは２〜４、さらに好ましくは２又は３である。   In formula (1), p represents an integer of 1 to 5. From the viewpoint of realizing an insulating layer that is further excellent in heat resistance, laser via reliability, and adhesion to the conductor layer, p is preferably 1 to 4, more preferably 2 to 4, and even more preferably 2 or 3. .

式（１）中、Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。好適な一実施形態において、少なくとも１つのＸは、アルキレン基又はシクロアルキレン基であり、これらは置換基を有していてもよい。   In Formula (1), when there are a plurality of X, they may be the same or different. In one preferred embodiment, at least one X is an alkylene group or a cycloalkylene group, and these may have a substituent.

好適な一実施形態において、カルボジイミド化合物は、カルボジイミド化合物の分子全体の質量を１００質量％としたとき、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上、さらにより好ましくは８０質量％以上又は９０質量％以上にて、式（１）で表される構造を含有する。カルボジイミド化合物は、末端構造を除いて、式（１）で表される構造から実質的になってもよい。カルボジイミド化合物の末端構造としては、特に限定されないが、例えば、アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。末端構造として用いられるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基は、Ｘで表される基が有していてもよい置換基について説明したアルキル基、シクロアルキル基、アリール基と同じであってよい。また、末端構造として用いられる基が有していてもよい置換基は、Ｘで表される基が有していてもよい置換基と同じであってよい。   In a preferred embodiment, the carbodiimide compound is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more, still more preferably 70% by mass or more, when the mass of the entire carbodiimide compound is 100% by mass. More preferably, it contains the structure represented by the formula (1) at 80% by mass or more or 90% by mass or more. The carbodiimide compound may consist essentially of the structure represented by the formula (1) except for the terminal structure. Although it does not specifically limit as a terminal structure of a carbodiimide compound, For example, an alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group are mentioned, These may have a substituent. The alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group used as the terminal structure may be the same as the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group described for the substituent that the group represented by X may have. In addition, the substituent that the group used as the terminal structure may have may be the same as the substituent that the group represented by X may have.

樹脂組成物を硬化する際のアウトガスの発生を抑制し得る観点から、カルボジイミド化合物の重量平均分子量は、好ましくは５００以上、より好ましくは６００以上、さらに好ましくは７００以上、さらにより好ましくは８００以上、特に好ましくは９００以上又は１０００以上である。また、良好な相溶性を得る観点から、カルボジイミド化合物の重量平均分子量の上限は、好ましくは５０００以下、より好ましくは４５００以下、さらに好ましくは４０００以下、さらにより好ましくは３５００以下、特に好ましくは３０００以下である。カルボジイミド化合物の重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法（ポリスチレンン換算）で測定することができる。   From the viewpoint of suppressing the generation of outgas when curing the resin composition, the weight average molecular weight of the carbodiimide compound is preferably 500 or more, more preferably 600 or more, still more preferably 700 or more, still more preferably 800 or more, Especially preferably, it is 900 or more or 1000 or more. From the viewpoint of obtaining good compatibility, the upper limit of the weight average molecular weight of the carbodiimide compound is preferably 5000 or less, more preferably 4500 or less, still more preferably 4000 or less, even more preferably 3500 or less, and particularly preferably 3000 or less. It is. The weight average molecular weight of the carbodiimide compound can be measured by, for example, a gel permeation chromatography (GPC) method (polystyrene conversion).

なお、カルボジイミド化合物は、その製法に由来して、分子中にイソシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）を含有する場合がある。良好な保存安定性を示す樹脂組成物を得る観点、ひいては所期の特性を示す絶縁層を実現する観点から、カルボジイミド化合物中のイソシアネート基の含有量（「ＮＣＯ含有量」ともいう。）は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは４質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下、さらにより好ましくは２質量％以下、特に好ましくは１質量％以下又は０．５質量％以下である。   In addition, the carbodiimide compound may be derived from the production method and may contain an isocyanate group (—N═C═O) in the molecule. From the viewpoint of obtaining a resin composition exhibiting good storage stability, and in view of realizing an insulating layer exhibiting desired properties, the content of isocyanate groups in the carbodiimide compound (also referred to as “NCO content”) is as follows. Preferably it is 5 mass% or less, More preferably, it is 4 mass% or less, More preferably, it is 3 mass% or less, More preferably, it is 2 mass% or less, Most preferably, it is 1 mass% or less, or 0.5 mass% or less.

カルボジイミド化合物は、市販品を使用してもよい。市販のカルボジイミド化合物としては、例えば、日清紡ケミカル社製のカルボジライト（登録商標）Ｖ−０２Ｂ、Ｖ−０３、Ｖ−０４Ｋ、Ｖ−０７及びＶ−０９、ラインケミー社製のスタバクゾール（登録商標）Ｐ、Ｐ４００、及びハイカジル５１０が挙げられる。   A commercially available product may be used as the carbodiimide compound. Examples of commercially available carbodiimide compounds include, for example, Carbodilite (registered trademark) V-02B, V-03, V-04K, V-07 and V-09 manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Stabakuzol (registered trademark) P manufactured by Rhein Chemie, P400 and Hykazil 510 are mentioned.

樹脂組成物が（Ｅ）成分を含有する場合、（Ｅ）成分の含有量は、耐熱性、レーザービア信頼性、及び導体層との密着性のいずれの特性にも優れる絶縁層を得る観点から、樹脂成分を１００質量％とした場合、０．１質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．５質量％以上がさらに好ましい。カルボジイミド化合物の含有量の上限は特に限定されないが、１０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、５質量％以下がさらに好ましい。   When the resin composition contains the component (E), the content of the component (E) is from the viewpoint of obtaining an insulating layer that is excellent in any of heat resistance, laser via reliability, and adhesion to the conductor layer. When the resin component is 100% by mass, 0.1% by mass or more is preferable, 0.3% by mass or more is more preferable, and 0.5% by mass or more is more preferable. Although the upper limit of content of a carbodiimide compound is not specifically limited, 10 mass% or less is preferable, 8 mass% or less is more preferable, and 5 mass% or less is further more preferable.

＜（Ｆ）熱可塑性樹脂＞
樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含有し得る。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。 <(F) Thermoplastic resin>
The resin composition may contain a thermoplastic resin. Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene ether resin, polyetheretherketone resin, polyester resin. Is mentioned.

フェノキシ樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８，０００〜７０，０００の範囲が好ましく、１０，０００〜６０，０００の範囲がより好ましく、２０，０００〜６０，０００の範囲がさらに好ましい。フェノキシ樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、フェノキシ樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工社製Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。同様に、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８，０００〜７０，０００の範囲が好ましく、１０，０００〜６０，０００の範囲がより好ましく、２０，０００〜６０，０００の範囲がさらに好ましい。   The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the phenoxy resin is preferably in the range of 8,000 to 70,000, more preferably in the range of 10,000 to 60,000, and still more preferably in the range of 20,000 to 60,000. The polystyrene equivalent weight average molecular weight of the phenoxy resin is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the polystyrene-equivalent weight average molecular weight of the phenoxy resin is LC-9A / RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device, and Shodex K-800P / K-804L / K-804L manufactured by Showa Denko KK as a column. Can be calculated using a standard polystyrene calibration curve by measuring the column temperature at 40 ° C. using chloroform or the like as the mobile phase. Similarly, the polystyrene equivalent weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably in the range of 8,000 to 70,000, more preferably in the range of 10,000 to 60,000, and further in the range of 20,000 to 60,000. preferable.

フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ構造含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン構造含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、新日鉄住金化学社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学社製の「ＹＸ７１８０」、「ＹＸ６９５４」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」、「ＹＬ７８９１」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。なかでもポリアルキレンオキシ構造を有するフェノキシ樹脂が好ましく、具体例としては三菱化学社製の「ＹＸ７１８０」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」が挙げられる。   Specific examples of the phenoxy resin include “1256” and “4250” (both bisphenol A structure-containing phenoxy resin), “YX8100” (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin), and “YX6954” (bisphenolacetophenone) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. In addition, “FX280” and “FX293” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., “YX7180”, “YX6954”, “YX7553”, “YX7553BH30”, “YL7769” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. ”,“ YL6794 ”,“ YL7213 ”,“ YL7290 ”,“ YL7891 ”,“ YL7482 ”, and the like. Of these, phenoxy resins having a polyalkyleneoxy structure are preferable, and specific examples include “YX7180” and “YX7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、例えば、電気化学工業社製の「電化ブチラール４０００−２」、「電化ブチラール５０００−Ａ」、「電化ブチラール６０００−Ｃ」、「電化ブチラール６０００−ＥＰ」、積水化学工業社製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ（例えばＢＸ−５Ｚ）、ＫＳシリーズ（例えばＫＳ−１）、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。   Specific examples of the polyvinyl acetal resin include, for example, “Electrical butyral 4000-2”, “Electrical butyral 5000-A”, “Electrical butyral 6000-C”, “Electrical butyral 6000-EP”, and Sekisui. Examples include ESREC BH series, BX series (for example, BX-5Z), KS series (for example, KS-1), BL series, and BM series manufactured by Chemical Industries.

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化社製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。   Specific examples of the polyimide resin include “Rika Coat SN20” and “Rika Coat PN20” manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡社製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」、日立化成社製の「ＫＳ９１００」及び「ＫＳ９３００」等が挙げられる。   Specific examples of the polyamide-imide resin include “Vilomax HR11NN” and “Vilomax HR16NN” manufactured by Toyobo Co., Ltd., “KS9100” and “KS9300” manufactured by Hitachi Chemical.

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。   Specific examples of the polyethersulfone resin include “PES5003P” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「Ｐ１７００」及び「Ｐ３５００」等が挙げられる。   Specific examples of the polysulfone resin include polysulfone “P1700” and “P3500” manufactured by Solvay Advanced Polymers.

樹脂組成物が（Ｆ）成分を含有する場合、（Ｆ）成分の含有量は、柔軟性付与の観点から、樹脂成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上、さらにより好ましくは５０質量％以上、５５質量％以上、６０質量％以上である。上限は、好ましくは８５質量％以下、より好ましくは８０質量％以下、さらに好ましくは７５質量％以下、２０質量％以下、１５質量％以下、又は１０質量％以下である。   When the resin composition contains the component (F), the content of the component (F) is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% when the resin component is 100% by mass from the viewpoint of imparting flexibility. It is at least 5% by mass, more preferably at least 5% by mass, even more preferably at least 50% by mass, at least 55% by mass, and at least 60% by mass. An upper limit becomes like this. Preferably it is 85 mass% or less, More preferably, it is 80 mass% or less, More preferably, it is 75 mass% or less, 20 mass% or less, 15 mass% or less, or 10 mass% or less.

＜（Ｇ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂＞
樹脂組成物は、（Ｇ）成分として、（Ｇ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂を含有していてもよい。（Ｇ）成分は、（Ｆ）熱可塑性樹脂とは区別される樹脂である。
（Ｇ）成分としては、ポリブタジエン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種または２種以上の構造を有することが好ましく、ポリブタジエン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１以上の構造を有することがより好ましい。樹脂組成物が（Ｇ）成分を含むことで絶縁層が低弾性となり、シェア強度、破断曲げひずみ、及び割れ性に優れるようになり、さらに反りの発生を抑制することがきる。なお、「（メタ）アクリレート」とは、メタクリレート及びアクリレートを指す。これらの構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。 <(G) One or more kinds selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly (meth) acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure in the molecule Resin having structure>
The resin composition has, as (G) component, (G) molecule, polybutadiene structure, polysiloxane structure, poly (meth) acrylate structure, polyalkylene structure, polyalkyleneoxy structure, polyisoprene structure, polyisobutylene structure, and You may contain resin which has 1 or more types of structures selected from a polycarbonate structure. The component (G) is a resin that is distinguished from the thermoplastic resin (F).
The component (G) preferably has one or more structures selected from a polybutadiene structure, a poly (meth) acrylate structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure. It is more preferable to have one or more structures selected from a polybutadiene structure and a polycarbonate structure. When the resin composition contains the component (G), the insulating layer has low elasticity, becomes excellent in shear strength, breaking bending strain, and crackability, and further suppresses the occurrence of warpage. “(Meth) acrylate” refers to methacrylate and acrylate. These structures may be contained in the main chain or in the side chain.

（Ｇ）成分は、樹脂組成物が硬化した際の反りを低下させるために高分子量であることが好ましい。数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１，０００以上、より好ましくは１５００以上、さらに好ましくは３０００以上、５０００以上である。上限は、好ましくは１，０００，０００以下、より好ましくは９００，０００以下である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。   The component (G) preferably has a high molecular weight in order to reduce warpage when the resin composition is cured. The number average molecular weight (Mn) is preferably 1,000 or more, more preferably 1500 or more, and further preferably 3000 or more and 5000 or more. The upper limit is preferably 1,000,000 or less, more preferably 900,000 or less. The number average molecular weight (Mn) is a polystyrene equivalent number average molecular weight measured using GPC (gel permeation chromatography).

（Ｇ）成分は、硬化物の機械的強度を向上させる観点から、（Ａ）成分と反応し得る官能基を有することが好ましい。なお、（Ａ）成分と反応し得る官能基としては、加熱によって現れる官能基も含めるものとする。   The component (G) preferably has a functional group capable of reacting with the component (A) from the viewpoint of improving the mechanical strength of the cured product. In addition, as a functional group which can react with (A) component, the functional group which appears by heating shall also be included.

好適な一実施形態において、（Ａ）成分と反応し得る官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基である。中でも、当該官能基としては、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基が好ましく、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基がより好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。ただし、官能基としてエポキシ基を含む場合、数平均分子量（Ｍｎ）は、５，０００以上であることが好ましい。   In a preferred embodiment, the functional group capable of reacting with the component (A) is selected from the group consisting of a hydroxy group, a carboxy group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, and a urethane group. It is a functional group of more than species. Among these, the functional group is preferably a hydroxy group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, or a urethane group, more preferably a hydroxy group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, or an epoxy group. A functional hydroxyl group is particularly preferred. However, when an epoxy group is included as a functional group, the number average molecular weight (Mn) is preferably 5,000 or more.

（Ｇ）成分の好適な実施形態は、ポリブタジエン構造を含有する樹脂であり、ポリブタジエン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。なお、ポリブタジエン構造は、一部又は全てが水素添加されていてもよい。ポリブタジエン構造を含有する樹脂をポリブタジエン樹脂という。
ポリブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＧＱ−１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ−１０００」、「Ｇ−２０００」、「Ｇ−３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ−１０００」、「ＧＩ−２０００」、「ＧＩ−３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ−０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）等が挙げられる。一実施形態として、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号に記載のポリイミド）等が挙げられる。該ポリイミドのブタジエン構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミドの詳細は、特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。 A preferred embodiment of the component (G) is a resin containing a polybutadiene structure, and the polybutadiene structure may be contained in the main chain or in the side chain. Note that part or all of the polybutadiene structure may be hydrogenated. A resin containing a polybutadiene structure is referred to as a polybutadiene resin.
Specific examples of the polybutadiene resin include “Ricon 130MA8”, “Ricon 130MA13”, “Ricon 130MA20”, “Ricon 131MA5”, “Ricon 131MA10”, “Ricon 131MA17”, “Ricon 131MA20”, “Ricon” manufactured by Clay Valley. 184MA6 "(acid anhydride group-containing polybutadiene)," GQ-1000 "(hydroxyl group, carboxyl group-introduced polybutadiene) manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.," G-1000 "," G-2000 "," G-3000 "(both ends) Hydroxyl group polybutadiene), "GI-1000", "GI-2000", "GI-3000" (both end hydroxylated hydrogenated polybutadiene), "FCA-061L" (hydrogenated polybutadiene skeleton epoxy resin manufactured by Nagase ChemteX) Etc. The. As one embodiment, linear polyimide (polyimide described in JP 2006-37083 A and WO 2008/153208 A) using a hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride as a raw material can be used. . The content of the butadiene structure of the polyimide is preferably 60% by mass to 95% by mass, and more preferably 75% by mass to 85% by mass. Details of the polyimide can be referred to the descriptions in JP-A-2006-37083 and International Publication No. 2008/153208, the contents of which are incorporated herein.

（Ｇ）成分の好適な実施形態は、ポリ（メタ）アクリレート構造を含有する樹脂である。ポリ（メタ）アクリレート構造を含有する樹脂をポリ（メタ）アクリル樹脂という。
ポリ（メタ）アクリル樹脂としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン、根上工業社製の「ＭＥ−２０００」、「Ｗ−１１６．３」、「Ｗ−１９７Ｃ」、「ＫＧ−２５」、「ＫＧ−３０００」等が挙げられる。 A preferred embodiment of the component (G) is a resin containing a poly (meth) acrylate structure. A resin containing a poly (meth) acrylate structure is referred to as a poly (meth) acrylic resin.
Examples of the poly (meth) acrylic resin include Teissan resin manufactured by Nagase ChemteX Corporation, “ME-2000”, “W-116.3”, “W-197C”, “KG-25” manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., “ KG-3000 "and the like.

（Ｇ）成分の好適な実施形態は、ポリカーボネート構造を含有する樹脂である。ポリカーボネート構造を含有する樹脂をポリカーボネート樹脂という。
ポリカーボネート樹脂としては、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ−１０９０」、「Ｃ−２０９０」、「Ｃ−３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。また、（Ｇ）成分として、ヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミドを使用することもできる。該ポリイミドのカーボネート構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミドの詳細は、国際公開第２０１６／１２９５４１号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。 A preferred embodiment of the component (G) is a resin containing a polycarbonate structure. A resin containing a polycarbonate structure is called a polycarbonate resin.
Examples of the polycarbonate resin include “T6002”, “T6001” (polycarbonate diol) manufactured by Asahi Kasei Chemicals, “C-1090”, “C-2090”, “C-3090” (polycarbonate diol) manufactured by Kuraray. It is done. Moreover, the linear polyimide which uses a hydroxyl-group terminal polycarbonate, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride as a raw material can also be used as (G) component. The content of carbonate structure of the polyimide is preferably 60% by mass to 95% by mass, more preferably 75% by mass to 85% by mass. The details of the polyimide can be referred to the description of International Publication No. 2016/129541, the contents of which are incorporated herein.

また、（Ｇ）成分の他の具体例としては、シロキサン構造を含有する樹脂である。シロキサン構造を含有する樹脂をシロキサン樹脂という。シロキサン樹脂としては、例えば、信越シリコーン社製の「ＳＭＰ−２００６」、「ＳＭＰ−２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ−５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサンおよび四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号、特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等）等が挙げられる。   Another specific example of the component (G) is a resin containing a siloxane structure. A resin containing a siloxane structure is called a siloxane resin. As the siloxane resin, for example, “SMP-2006”, “SMP-2003PGMEA”, “SMP-5005PGMEA” manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., linear polyimide made from amine group-terminated polysiloxane and tetrabasic acid anhydride (International JP 2010/053185, JP 2002-12667 A and JP 2000-319386 A).

（Ｇ）成分の他の具体例としては、アルキレン構造、アルキレンオキシ構造を含有する樹脂である。アルキレン構造を含有する樹脂をアルキレン樹脂といい、アルキレンオキシ構造を含有する樹脂をアルキレンオキシ樹脂という。ポリアルキレンオキシ構造は、炭素原子数２〜１５のポリアルキレンオキシ構造が好ましく、炭素原子数３〜１０のポリアルキレンオキシ構造がより好ましく、炭素原子数５〜６のポリアルキレンオキシ構造がさらに好ましい。アルキレン樹脂、アルキレンオキシ樹脂の具体例としては、旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ−１０００」、「ＰＴＸＧ−１８００」等が挙げられる。   Another specific example of the component (G) is a resin containing an alkylene structure or an alkyleneoxy structure. A resin containing an alkylene structure is called an alkylene resin, and a resin containing an alkyleneoxy structure is called an alkyleneoxy resin. The polyalkyleneoxy structure is preferably a polyalkyleneoxy structure having 2 to 15 carbon atoms, more preferably a polyalkyleneoxy structure having 3 to 10 carbon atoms, and further preferably a polyalkyleneoxy structure having 5 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkylene resin and alkyleneoxy resin include “PTXG-1000” and “PTXG-1800” manufactured by Asahi Kasei Fibers.

（Ｇ）成分の他の具体例としては、イソプレン構造を含有する樹脂である。イソプレン構造を含有する樹脂をイソプレン樹脂という。イソプレン樹脂の具体例としては、クラレ社製の「ＫＬ−６１０」、「ＫＬ６１３」等が挙げられる。   Another specific example of the component (G) is a resin containing an isoprene structure. A resin containing an isoprene structure is called an isoprene resin. Specific examples of the isoprene resin include “KL-610” and “KL613” manufactured by Kuraray Co., Ltd.

（Ｇ）成分の他の具体例としては、イソブチレン構造を含有する樹脂である。イソブチレン構造を含有する樹脂をイソブチレン樹脂という。イソブチレン樹脂の具体例としては、カネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ−０７３Ｔ」（スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ−０４２Ｄ」（スチレン−イソブチレンジブロック共重合体）等が挙げられる。   Another specific example of the component (G) is a resin containing an isobutylene structure. A resin containing an isobutylene structure is called an isobutylene resin. Specific examples of the isobutylene resin include “SIBSTAR-073T” (styrene-isobutylene-styrene triblock copolymer) and “SIBSTAR-042D” (styrene-isobutylene diblock copolymer) manufactured by Kaneka Corporation.

樹脂組成物が（Ｇ）成分を含有する場合、（Ｇ）成分の含有量は、柔軟性付与の観点から、樹脂成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上、さらにより好ましくは５０質量％以上、５５質量％以上、６０質量％以上である。上限は、好ましくは８５質量％以下、より好ましくは８０質量％以下、さらに好ましくは７５質量％以下、１５質量％以下、１０質量％以下、又は５質量％以下である。   When the resin composition contains the component (G), the content of the component (G) is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% when the resin component is 100% by mass from the viewpoint of imparting flexibility. It is at least 5% by mass, more preferably at least 5% by mass, even more preferably at least 50% by mass, at least 55% by mass, and at least 60% by mass. An upper limit becomes like this. Preferably it is 85 mass% or less, More preferably, it is 80 mass% or less, More preferably, it is 75 mass% or less, 15 mass% or less, 10 mass% or less, or 5 mass% or less.

＜（Ｈ）ゴム粒子＞
樹脂組成物は、（Ｈ）ゴム粒子を含有し得る。ゴム粒子は、（Ｆ）及び（Ｇ）成分とは異なり粒子状であるので有機溶剤に溶解せず、エポキシ樹脂や硬化剤などの他の成分とも相溶しない。
ゴム粒子の具体例としては、アクリルゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン微粒子などのゴム粒子が挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブタジエンゴム、アクリルゴムなどのゴム弾性を示す樹脂に化学的架橋処理を施し、有機溶剤に不溶かつ不融とした樹脂の微粒子体が挙げられ、具体的にはガンツ化成社製の「ＡＣ３８３２」等が挙げられる。 <(H) Rubber particles>
The resin composition may contain (H) rubber particles. Unlike the components (F) and (G), the rubber particles are in the form of particles, so they are not dissolved in organic solvents and are not compatible with other components such as epoxy resins and curing agents.
Specific examples of the rubber particles include rubber particles such as acrylic rubber particles, polyamide fine particles, and silicone fine particles. Specific examples of the acrylic rubber particles include resin fine particles obtained by subjecting a resin exhibiting rubber elasticity such as acrylonitrile butadiene rubber, butadiene rubber, and acrylic rubber to a chemical crosslinking treatment, insoluble in an organic solvent and infusible, Specific examples include “AC3832” manufactured by Gantz Kasei.

樹脂組成物が（Ｈ）成分を含有する場合、（Ｈ）成分の含有量は、柔軟性付与の観点から、樹脂成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上、さらにより好ましくは５０質量％以上、５５質量％以上、６０質量％以上である。上限は、好ましくは８５質量％以下、より好ましくは８０質量％以下、さらに好ましくは７５質量％以下、１５質量％以下、１０質量％以下、又は５質量％以下である。   When the resin composition contains the component (H), the content of the component (H) is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% when the resin component is 100% by mass from the viewpoint of imparting flexibility. It is at least 5% by mass, more preferably at least 5% by mass, even more preferably at least 50% by mass, at least 55% by mass, and at least 60% by mass. An upper limit becomes like this. Preferably it is 85 mass% or less, More preferably, it is 80 mass% or less, More preferably, it is 75 mass% or less, 15 mass% or less, 10 mass% or less, or 5 mass% or less.

＜（Ｉ）硬化促進剤＞
樹脂組成物は、（Ｉ）硬化促進剤を含有し得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 <(I) Curing accelerator>
The resin composition may contain (I) a curing accelerator. Examples of the curing accelerator include a phosphorus-based curing accelerator, an amine-based curing accelerator, an imidazole-based curing accelerator, a guanidine-based curing accelerator, a metal-based curing accelerator, and the like. A curing accelerator, an imidazole curing accelerator, and a metal curing accelerator are preferable, and an amine curing accelerator, an imidazole curing accelerator, and a metal curing accelerator are more preferable. A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。   Examples of phosphorus curing accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate. , Tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate and the like, and triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。   Examples of amine curing accelerators include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6, -tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1,8-diazabicyclo. (5,4,0) -undecene and the like are mentioned, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。   Examples of the imidazole curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2 Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino- 6- [2′-Methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl- 4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-me Examples thereof include imidazole compounds such as ru-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, 2-phenylimidazoline, and adducts of imidazole compounds and epoxy resins, such as 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2. -Phenylimidazole is preferred.

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。   Commercially available products may be used as the imidazole curing accelerator, and examples thereof include “P200-H50” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。   Examples of the guanidine curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, Tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] Deca-5-ene, 1-methyl biguanide, 1-ethyl biguanide, 1-n-butyl biguanide, 1-n-octadecyl biguanide, 1,1-dimethyl biguanide, 1,1-diethyl biguanide, 1-cyclohexyl biguanide, 1 -Allyl biguanide, 1-phenyl biguanide, 1- ( - tolyl) biguanide, and the like, dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene are preferred.

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。   As a metal type hardening accelerator, the organometallic complex or organometallic salt of metals, such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, tin, is mentioned, for example. Specific examples of the organometallic complex include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. Organic zinc complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

樹脂組成物が（Ｉ）成分を含有する場合、（Ｉ）成分の含有量は、樹脂組成物の樹脂成分を１００質量％とした場合、０．０１質量％〜３質量％が好ましく、０．０３〜１．５質量％がより好ましく、０．０５〜１質量％がさらに好ましい。   When the resin composition contains the component (I), the content of the component (I) is preferably 0.01% by mass to 3% by mass when the resin component of the resin composition is 100% by mass. 03-1.5 mass% is more preferable, and 0.05-1 mass% is further more preferable.

＜（Ｊ）難燃剤＞
樹脂組成物は、（Ｊ）難燃剤を含有し得る。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。 <(J) Flame retardant>
The resin composition may contain (J) a flame retardant. Examples of the flame retardant include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, and a metal hydroxide. A flame retardant may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光社製の「ＨＣＡ−ＨＱ」、大八化学工業社製の「ＰＸ−２００」等が挙げられる。難燃剤としては加水分解しにくいものが好ましく、例えば、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド等が好ましい。   Commercially available products may be used as the flame retardant, such as “HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd., “PX-200” manufactured by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd., and the like. As the flame retardant, those which are difficult to hydrolyze are preferable, and for example, 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide and the like are preferable.

樹脂組成物が難燃剤を含有する場合、難燃剤の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは０．５質量％〜２０質量％、より好ましくは０．５質量％〜１５質量％、さらに好ましくは０．５質量％〜１０質量％がさらに好ましい。   When the resin composition contains a flame retardant, the content of the flame retardant is not particularly limited, but preferably 0.5% by mass to 20% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. Preferably 0.5 mass%-15 mass%, More preferably, 0.5 mass%-10 mass% are further more preferable.

＜（Ｋ）任意の添加剤＞
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。 <(K) Optional additive>
The resin composition may further contain other additives as necessary. Examples of such other additives include organic metal compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds, and organic cobalt compounds, In addition, binders, thickeners, antifoaming agents, leveling agents, adhesion-imparting agents, and resin additives such as colorants can be used.

＜樹脂組成物の物性＞
本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、硬化収縮率が低いという特性を示す。即ち、硬化収縮が抑えられ、これにより反りを抑制することができる絶縁層をもたらす。硬化収縮率としては、好ましくは０．２７％以下、より好ましくは０．２５％以下、さらに好ましくは０．２％以下である。硬化収縮率の下限値は特に限定されないが、０．０１％以上等とし得る。硬化収縮率は、後述する＜硬化収縮率の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。 <Physical properties of resin composition>
A cured product obtained by thermally curing the resin composition of the present invention at 180 ° C. for 90 minutes exhibits a property of low curing shrinkage. That is, curing shrinkage is suppressed, thereby providing an insulating layer capable of suppressing warpage. The curing shrinkage is preferably 0.27% or less, more preferably 0.25% or less, and further preferably 0.2% or less. The lower limit of the curing shrinkage rate is not particularly limited, but may be 0.01% or more. The cure shrinkage can be measured according to the method described in <Measurement of cure shrinkage> described later.

本発明の樹脂組成物を１８０℃で３０分間熱硬化させた硬化物は、反りを抑制するという特性を示す。具体的には、絶対値が２０ｍｍ未満であることが好ましく、１０ｍｍ未満であることがより好ましい。反りの評価は、後述する＜反り試験＞に記載の方法に従って評価することができる。   A cured product obtained by thermosetting the resin composition of the present invention at 180 ° C. for 30 minutes exhibits a characteristic of suppressing warpage. Specifically, the absolute value is preferably less than 20 mm, and more preferably less than 10 mm. The warpage can be evaluated according to the method described in <Warpage test> described later.

本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、線熱膨張係数（熱膨張率）が低いという特性を示す。即ち、熱膨張率が低い絶縁層をもたらす。３０℃〜１５０℃における線熱膨張係数の上限値は３０ｐｐｍ／℃以下が好ましく、２５ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、２０ｐｐｍ／℃以下が更に好ましく、１５ｐｐｍ／℃以下が更に一層好ましく、１０ｐｐｍ／℃以下が特に好ましい。一方、線熱膨張係数の下限値は特に限定されず、３ｐｐｍ／℃以上、４ｐｐｍ／℃以上、５ｐｐｍ／℃以上などし得る。熱膨張率の測定は、後述する＜平均線熱膨張係数（熱膨張率）の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。   A cured product obtained by thermally curing the resin composition of the present invention at 180 ° C. for 90 minutes exhibits a characteristic that the linear thermal expansion coefficient (thermal expansion coefficient) is low. That is, an insulating layer having a low coefficient of thermal expansion is provided. The upper limit of the linear thermal expansion coefficient at 30 ° C. to 150 ° C. is preferably 30 ppm / ° C. or less, more preferably 25 ppm / ° C. or less, still more preferably 20 ppm / ° C. or less, still more preferably 15 ppm / ° C. or less, even more preferably 10 ppm / ° C. or less. Is particularly preferred. On the other hand, the lower limit value of the linear thermal expansion coefficient is not particularly limited, and may be 3 ppm / ° C. or higher, 4 ppm / ° C. or higher, 5 ppm / ° C. or higher, and the like. The thermal expansion coefficient can be measured according to the method described in <Measurement of average linear thermal expansion coefficient (thermal expansion coefficient)> described later.

本発明の樹脂組成物を１８０℃で３０分間、さらに１８０℃で６０分間熱硬化させた硬化物は、金属層、特にメッキにより形成された金属層とのピール強度に優れるという特性を示す。即ちピール強度に優れた絶縁層をもたらす。ピール強度としては、好ましくは０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上、より好ましくは０．４５ｋｇｆ／ｃｍ以上、さらに好ましくは０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上である。一方、ピール強度の上限値は特に限定されないが、１．５ｋｇｆ／ｃｍ以下、１ｋｇｆ／ｃｍ以下等とし得る。ピール強度の評価は、後述する＜金属層の引き剥がし強さ（ピール強度）、及び粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ）の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。金属層としては、好ましくは銅を含む金属層であり、より好ましくはメッキにより形成された金属層である。   A cured product obtained by thermosetting the resin composition of the present invention at 180 ° C. for 30 minutes and further at 180 ° C. for 60 minutes exhibits a property of excellent peel strength with a metal layer, particularly a metal layer formed by plating. That is, an insulating layer having excellent peel strength is provided. The peel strength is preferably 0.4 kgf / cm or more, more preferably 0.45 kgf / cm or more, and further preferably 0.5 kgf / cm or more. On the other hand, the upper limit value of the peel strength is not particularly limited, but may be 1.5 kgf / cm or less, 1 kgf / cm or less, or the like. The peel strength can be evaluated according to the method described in <Measurement of peel strength (peel strength) of metal layer and surface roughness (Ra) of surface of insulating layer after roughening treatment> described later>. . The metal layer is preferably a metal layer containing copper, more preferably a metal layer formed by plating.

本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、熱伝導率に優れるという特性を示す。即ち熱伝導率に優れる絶縁層をもたらす。熱伝導率としては、好ましくは０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。熱伝導率の上限は５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下、４．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下、又は３．５Ｗ／ｍ・Ｋ以下とし得る。熱伝導率の評価は、後述する＜硬化物の熱伝導率の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。   A cured product obtained by thermally curing the resin composition of the present invention at 180 ° C. for 90 minutes exhibits a characteristic of excellent thermal conductivity. That is, an insulating layer having excellent thermal conductivity is provided. The thermal conductivity is preferably 0.5 W / m · K or more. The upper limit of the thermal conductivity may be 5.0 W / m · K or less, 4.0 W / m · K or less, or 3.5 W / m · K or less. Evaluation of thermal conductivity can be measured according to the method described in <Measurement of thermal conductivity of cured product> described later.

本発明の樹脂組成物は、絶縁層を形成する際に発生する反りを抑制することができる絶縁層をもたらすことができる。さらには熱膨張係数、熱伝導率、銅メッキとの密着強度、表面粗度などの物性に優れた絶縁層をもたらすことができる。したがって、本発明の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物）、回路基板（プリント配線板を含む）の絶縁層を形成するための樹脂組成物（回路基板の絶縁層用樹脂組成物）として好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するための樹脂組成物（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用樹脂組成物、すなわち、セミアディティブプロセス法によって回路形成する回路基板の層間絶縁層用樹脂組成物）としてさらに好適に使用することができる。また、半導体チップを封止するための樹脂組成物（半導体チップ封止用樹脂組成物）、半導体チップに配線を形成するための樹脂組成物（半導体チップ配線形成用樹脂組成物）としても好適に使用することができる。   The resin composition of this invention can bring about the insulating layer which can suppress the curvature which generate | occur | produces when forming an insulating layer. Furthermore, an insulating layer having excellent physical properties such as thermal expansion coefficient, thermal conductivity, adhesion strength with copper plating, and surface roughness can be provided. Therefore, the resin composition of the present invention comprises a resin composition (resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package) for forming an insulating layer of a semiconductor chip package, and an insulating layer of a circuit board (including a printed wiring board). Resin composition for forming an interlayer insulating layer that can be suitably used as a resin composition for forming (resin composition for an insulating layer of a circuit board) and on which a conductor layer is formed by plating ( A resin composition for an interlayer insulating layer of a circuit board on which a conductor layer is formed by plating, that is, a resin composition for an interlayer insulating layer of a circuit board for forming a circuit by a semi-additive process method) can be more suitably used. Also suitable as a resin composition for sealing a semiconductor chip (resin composition for sealing a semiconductor chip) and a resin composition for forming wiring on a semiconductor chip (resin composition for forming a semiconductor chip wiring) Can be used.

［樹脂シート］
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む。 [Resin sheet]
The resin sheet of the present invention includes a support and a resin composition layer formed on the support and formed of the resin composition of the present invention.

樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、８０μｍ以下、６０μｍ以下、５０μｍ以下又は４０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、１μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上等とし得る。   The thickness of the resin composition layer is preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less, further preferably 100 μm or less, 80 μm or less, 60 μm or less, 50 μm or less, or 40 μm or less from the viewpoint of thinning. Although the minimum of the thickness of a resin composition layer is not specifically limited, Usually, it may be 1 micrometer or more, 5 micrometers or more, 10 micrometers or more, etc.

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。   Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferable.

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。   When a film made of a plastic material is used as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”) and polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as “PEN”). .) Polyester, polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as “PC”), polymethyl methacrylate (PMMA) and other acrylics, cyclic polyolefin, triacetyl cellulose (TAC), polyether sulfide (PES), polyether Examples include ketones and polyimides. Among these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。   When using metal foil as a support body, as metal foil, copper foil, aluminum foil, etc. are mentioned, for example, Copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, and a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.). It may be used.

支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。   The support may be subjected to mat treatment or corona treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer.

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ社製の「ルミラーＴ６０」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。   Moreover, as a support body, you may use the support body with a release layer which has a release layer in the surface joined to a resin composition layer. Examples of the release agent used for the release layer of the support with a release layer include one or more release agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins. . As the support with a release layer, a commercially available product may be used. For example, “SK-1”, “SK-1” manufactured by Lintec Corporation, which is a PET film having a release layer mainly composed of an alkyd resin release agent. AL-5 ”,“ AL-7 ”,“ Lumirror T60 ”manufactured by Toray Industries, Inc.,“ Purex ”manufactured by Teijin Limited,“ Unipeel ”manufactured by Unitika Ltd., and the like.

支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。   Although it does not specifically limit as thickness of a support body, The range of 5 micrometers-75 micrometers is preferable, and the range of 10 micrometers-60 micrometers is more preferable. In addition, when using a support body with a release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a release layer is the said range.

樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。   The resin sheet is prepared by, for example, preparing a resin varnish in which a resin composition is dissolved in an organic solvent, applying the resin varnish on a support using a die coater or the like, and further drying to form a resin composition layer. Can be manufactured.

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。   Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone, acetates such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate, cellosolve and butyl carbitol, etc. Carbitols, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc), and N-methylpyrrolidone. An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。   Drying may be performed by a known method such as heating or hot air blowing. The drying conditions are not particularly limited, but the drying is performed so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of the organic solvent, the resin composition is dried at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 minutes to 10 minutes. A physical layer can be formed.

樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。   In the resin sheet, a protective film according to the support can be further laminated on the surface of the resin composition layer that is not bonded to the support (that is, the surface opposite to the support). Although the thickness of a protective film is not specifically limited, For example, they are 1 micrometer-40 micrometers. By laminating the protective film, it is possible to prevent dust and the like from being attached to the surface of the resin composition layer and scratches. The resin sheet can be stored in a roll. When the resin sheet has a protective film, it can be used by peeling off the protective film.

樹脂シートは、半導体チップパッケージの製造において絶縁層を形成するため（半導体チップパッケージの絶縁用樹脂シート）に好適に使用することができる。例えば、樹脂シートは、回路基板の絶縁層を形成するため（回路基板の絶縁層用樹脂シート）に好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するため（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用）にさらに好適に使用することができる。このような基板を使ったパッケージの例としては、ＦＣ−ＣＳＰ、ＭＩＳ−ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ−ＢＧＡパッケージが挙げられる。   The resin sheet can be suitably used for forming an insulating layer in manufacturing a semiconductor chip package (insulating resin sheet for a semiconductor chip package). For example, a resin sheet can be suitably used for forming an insulating layer of a circuit board (resin sheet for an insulating layer of a circuit board), and an interlayer insulating layer on which a conductor layer is formed by plating is formed thereon Therefore, it can be more suitably used (for an interlayer insulating layer of a circuit board on which a conductor layer is formed by plating). Examples of a package using such a substrate include FC-CSP, MIS-BGA package, and ETS-BGA package.

また樹脂シートは、半導体チップを封止するため（半導体チップ封止用樹脂シート）、または半導体チップに配線を形成するため（半導体チップ配線形成用樹脂シート）に好適に使用することができ、例えばＦａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＰＬＰ等に好適に使用することができる。また、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦ（Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｕｎｄｅｒ Ｆｉｌｌｉｎｇ）材料等にも好適に使用することができる。また、樹脂シートは高い絶縁信頼性が要求される他の広範な用途、例えば、プリント配線板等の回路基板の絶縁層を形成するために好適に使用することができる。   The resin sheet can be suitably used for sealing a semiconductor chip (resin sheet for sealing a semiconductor chip) or forming a wiring on a semiconductor chip (resin sheet for forming a semiconductor chip wiring). It can be suitably used for Fan-out type WLP (Wafer Level Package), Fan-in type WLP, Fan-out type PLP (Panel Level Package), Fan-in type PLP, and the like. Moreover, it can be used suitably also for the MUF (Molding Under Filling) material etc. which are used after connecting a semiconductor chip to a board | substrate. Further, the resin sheet can be suitably used for forming a wide range of other applications requiring high insulation reliability, for example, an insulating layer of a circuit board such as a printed wiring board.

樹脂シートの代わりに、シート状繊維基材に本発明の樹脂組成物を含浸させて形成されたプリプレグを用いてもよい。   Instead of the resin sheet, a prepreg formed by impregnating the sheet-like fiber base material with the resin composition of the present invention may be used.

プリプレグに用いるシート状繊維基材は特に限定されず、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用基材として常用されているものを用いることができる。薄型化の観点から、シート状繊維基材の厚さは、好ましくは９００μｍ以下であり、より好ましくは８００μｍ以下、さらに好ましくは７００μｍ以下、さらにより好ましくは６００μｍ以下である。シート状繊維基材の厚さの下限は特に限定されないが、通常、１μｍ以上、１．５μｍ以上、２μｍ以上等とし得る。   The sheet-like fiber base material used for a prepreg is not specifically limited, What is used normally as base materials for prepregs, such as a glass cloth, an aramid nonwoven fabric, a liquid crystal polymer nonwoven fabric, can be used. From the viewpoint of thinning, the thickness of the sheet-like fiber base material is preferably 900 μm or less, more preferably 800 μm or less, still more preferably 700 μm or less, and even more preferably 600 μm or less. Although the minimum of the thickness of a sheet-like fiber base material is not specifically limited, Usually, it may be 1 micrometer or more, 1.5 micrometers or more, 2 micrometers or more, etc.

プリプレグは、ホットメルト法、ソルベント法等の公知の方法により製造することができる。   The prepreg can be produced by a known method such as a hot melt method or a solvent method.

プリプレグの厚さは、上述の樹脂シートにおける樹脂組成物層と同様の範囲とし得る。   The thickness of the prepreg can be in the same range as the resin composition layer in the resin sheet described above.

［回路基板］
本発明の回路基板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。
本発明の回路基板の製造方法は、
（１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、
（２）本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、
（３）配線層を層間接続する工程を含む。また、回路基板の製造方法は、（４）基材を除去する工程、を含んでいてもよい。 [Circuit board]
The circuit board of the present invention includes an insulating layer formed of a cured product of the resin composition of the present invention.
The method for manufacturing the circuit board of the present invention includes:
(1) preparing a substrate with a wiring layer having a substrate and a wiring layer provided on at least one surface of the substrate;
(2) The step of laminating the resin sheet of the present invention on a substrate with a wiring layer so that the wiring layer is embedded in the resin composition layer and thermally curing to form an insulating layer;
(3) including a step of interconnecting the wiring layers. Moreover, the manufacturing method of a circuit board may include the process of (4) removing a base material.

工程（３）は、配線層を層間接続することができれば特に限定されないが、絶縁層にビアホールを形成し、配線層を形成する工程、及び絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程の少なくともいずれかの工程であることが好ましい。   The step (3) is not particularly limited as long as the wiring layers can be connected to each other, but a step of forming a via hole in the insulating layer to form the wiring layer, and a step of polishing or grinding the insulating layer to expose the wiring layer It is preferable that it is at least one of these steps.

＜工程（１）＞
工程（１）は、基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程である。通常、配線層付き基材は、基材の両面に基材の一部である第１金属層、第２金属層をそれぞれ有し、第２金属層の基材側の面とは反対側の面に配線層を有する。詳細は、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層し、フォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像しパターンドライフィルムを形成する。現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法により配線層を形成した後、パターンドライフィルムを剥離する。なお、第１金属層、第２金属層は有していなくてもよい。 <Step (1)>
Step (1) is a step of preparing a substrate with a wiring layer having a substrate and a wiring layer provided on at least one surface of the substrate. Usually, the base material with a wiring layer has a first metal layer and a second metal layer which are part of the base material on both surfaces of the base material, respectively, and is opposite to the base material side surface of the second metal layer. A wiring layer is provided on the surface. In detail, a dry film (photosensitive resist film) is laminated on a substrate, and a pattern dry film is formed by exposing and developing under a predetermined condition using a photomask. A wiring layer is formed by electrolytic plating using the developed pattern dry film as a plating mask, and then the pattern dry film is peeled off. Note that the first metal layer and the second metal layer may not be provided.

基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられ、基板表面に銅箔等の金属層が形成されていてもよい。また、表面に剥離可能な第１金属層及び第２金属層（例えば、三井金属鉱業社製のキャリア銅箔付極薄銅箔、商品名「Ｍｉｃｒｏ Ｔｈｉｎ」）等の金属層が形成されていてもよい。   Examples of the base material include glass epoxy substrates, metal substrates (such as stainless steel and cold rolled steel plate (SPCC)), polyester substrates, polyimide substrates, BT resin substrates, thermosetting polyphenylene ether substrates, and the like. A metal layer such as a copper foil may be formed on the surface. In addition, a metal layer such as a first metal layer and a second metal layer (for example, ultrathin copper foil with carrier copper foil manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., trade name “Micro Thin”) formed on the surface is formed Also good.

ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムである限り特に限定されず、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等のドライフィルムを用いることができる。ドライフィルムは市販品を用いてもよい。   The dry film is not particularly limited as long as it is a photosensitive dry film made of a photoresist composition, and for example, a dry film such as a novolak resin or an acrylic resin can be used. A commercial product may be used as the dry film.

基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する工程（２）の樹脂シートを配線層に埋め込まれるように積層させる際の条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。   The conditions for laminating the substrate and the dry film are the same as the conditions for laminating the resin sheet in step (2) described later so as to be embedded in the wiring layer, and the preferred range is also the same.

ドライフィルムを基材上に積層後、ドライフィルムに対して所望のパターンを形成するためにフォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像を行う。   After laminating the dry film on the substrate, exposure and development are performed under predetermined conditions using a photomask in order to form a desired pattern on the dry film.

配線層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、配線層の全体にわたって同一である必要はない。配線層の最小ピッチは、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。   The line (circuit width) / space (inter-circuit width) ratio of the wiring layer is not particularly limited, but is preferably 20/20 μm or less (that is, the pitch is 40 μm or less), more preferably 10/10 μm or less, and even more preferably 5 / It is 5 μm or less, more preferably 1/1 μm or less, and particularly preferably 0.5 / 0.5 μm or more. The pitch need not be the same throughout the wiring layer. The minimum pitch of the wiring layer may be 40 μm or less, 36 μm or less, or 30 μm or less.

ドライフィルムのパターンを形成後、配線層を形成し、ドライフィルムを剥離する。ここで、配線層の形成は、所望のパターンを形成したドライフィルムをめっきマスクとして使用し、めっき法により実施することができる。   After forming the dry film pattern, a wiring layer is formed, and the dry film is peeled off. Here, the wiring layer can be formed by a plating method using a dry film having a desired pattern as a plating mask.

配線層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、配線層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。配線層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成されたものが挙げられる。中でも、配線層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。   The conductor material used for the wiring layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the wiring layer is one or more selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin, and indium. Contains metal. The wiring layer may be a single metal layer or an alloy layer. As the alloy layer, for example, an alloy of two or more metals selected from the above group (for example, nickel-chromium alloy, copper- A nickel alloy and a copper / titanium alloy). Among them, from the viewpoint of versatility of wiring layer formation, cost, ease of patterning, etc., single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or nickel-chromium alloy, copper An alloy layer of nickel alloy or copper / titanium alloy is preferable, and a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or an alloy layer of nickel / chromium alloy is more preferable, and a single layer of copper is preferable. A metal layer is more preferred.

配線層の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは３μｍ〜３５μｍ、より好ましくは５μｍ〜３０μｍ、さらに好ましくは１０〜２０μｍ、又は１５〜２０μｍである。工程（３）において絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合は、層間接続する配線と、接続しない配線の厚みは異なっていることが好ましい。配線層の厚みは、前述のパターン形成を繰り返すことで調整することができる。各配線層のうち、最も厚みがある配線層（導電性ピラー）の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは２μｍ以上１００μｍ以下である。また層間接続する配線は凸型となっていてもよい。   The thickness of the wiring layer is preferably 3 μm to 35 μm, more preferably 5 μm to 30 μm, still more preferably 10 to 20 μm, or 15 to 20 μm, although it depends on the desired wiring board design. In the step (3), when the step of polishing or grinding the insulating layer and exposing the wiring layer to connect the wiring layers to each other is adopted, it is preferable that the wiring of the interlayer connection and the wiring not to be connected are different. . The thickness of the wiring layer can be adjusted by repeating the pattern formation described above. Of each wiring layer, the thickness of the thickest wiring layer (conductive pillar) depends on the design of the desired wiring board, but is preferably 2 μm or more and 100 μm or less. Further, the wiring for interlayer connection may be convex.

配線層を形成後、ドライフィルムを剥離する。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。必要に応じて、不要な配線パターンをエッチング等により除去して、所望の配線パターンを形成することもできる。形成する配線層のピッチについては、先述のとおりである。   After forming the wiring layer, the dry film is peeled off. Peeling of the dry film can be performed using, for example, an alkaline peeling solution such as a sodium hydroxide solution. If necessary, an unnecessary wiring pattern can be removed by etching or the like to form a desired wiring pattern. The pitch of the wiring layer to be formed is as described above.

＜工程（２）＞
工程（２）は、本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程である。詳細は、前述の工程（１）で得られた配線層付き基材の配線層を、樹脂シートの樹脂組成物層に埋め込まれるように積層させ、樹脂シートの樹脂組成物層を熱硬化させ絶縁層を形成する。 <Step (2)>
Step (2) is a step of laminating the resin sheet of the present invention on a substrate with a wiring layer so that the wiring layer is embedded in the resin composition layer, and thermosetting to form an insulating layer. For details, the wiring layer of the substrate with a wiring layer obtained in the above-mentioned step (1) is laminated so as to be embedded in the resin composition layer of the resin sheet, and the resin composition layer of the resin sheet is thermally cured to be insulated. Form a layer.

配線層と樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から樹脂シートを配線層に加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを配線層に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、配線層の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。   Lamination | stacking of a wiring layer and a resin sheet can be performed by heat-pressing a resin sheet to a wiring layer from the support body side after removing the protective film of a resin sheet, for example. Examples of the member (hereinafter, also referred to as “thermocompression member”) for heat-pressing the resin sheet to the wiring layer include a heated metal plate (SUS end plate, etc.) or a metal roll (SUS roll). It is preferable that the thermocompression bonding member is not pressed directly on the resin sheet, but is pressed through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the wiring layer.

配線層と樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃〜１６０℃、より好ましくは８０℃〜１４０℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。   Lamination of the wiring layer and the resin sheet may be performed by a vacuum laminating method after removing the protective film of the resin sheet. In the vacuum laminating method, the thermocompression bonding temperature is preferably in the range of 60 ° C to 160 ° C, more preferably 80 ° C to 140 ° C, and the thermocompression bonding pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0. The thermocompression bonding time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably in the range of 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably performed under reduced pressure conditions with a pressure of 13 hPa or less.

積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。   After lamination, the laminated resin sheets may be smoothed under normal pressure (atmospheric pressure), for example, by pressing a thermocompression bonding member from the support side. The pressing conditions for the smoothing treatment can be the same conditions as the thermocompression bonding conditions for the laminate. In addition, you may perform lamination | stacking and a smoothing process continuously using said commercially available vacuum laminator.

樹脂組成物層を、配線層が埋め込まれるように配線層付き基材上に積層した後、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。例えば、樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は１２０℃〜２４０℃の範囲、硬化時間は５分間〜１２０分間の範囲とすることができる。樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。   After laminating the resin composition layer on the substrate with the wiring layer so that the wiring layer is embedded, the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. For example, although the thermosetting conditions of the resin composition layer vary depending on the type of the resin composition, the curing temperature can be in the range of 120 ° C. to 240 ° C., and the curing time can be in the range of 5 minutes to 120 minutes. Before the resin composition layer is thermally cured, the resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature.

樹脂シートの支持体は、配線層付き基材上に樹脂シートを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、配線層付き基材上に樹脂シートを積層する前に支持体を剥離してもよい。また、後述する粗化処理工程の前に、支持体を剥離してもよい。   The support for the resin sheet may be peeled after the resin sheet is laminated on the substrate with the wiring layer and thermally cured, or the support may be peeled off before the resin sheet is laminated on the substrate with the wiring layer. Good. Moreover, you may peel a support body before the roughening process process mentioned later.

樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成した後、絶縁層表面を研磨してもよい。研磨方法は特に限定されず、公知の方法にて研磨すればよく、例えば平面研削盤を用いて絶縁層表面を研磨することができる。   After the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer, the surface of the insulating layer may be polished. The polishing method is not particularly limited, and may be polished by a known method. For example, the surface of the insulating layer can be polished using a surface grinder.

＜工程（３）＞
工程（３）は、配線層を層間接続する工程である。詳細は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程である。または絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程である。 <Step (3)>
Step (3) is a step of interconnecting the wiring layers. More specifically, this is a step of forming via holes in the insulating layer, forming a conductor layer, and interconnecting the wiring layers. Alternatively, the insulating layer is polished or ground, and the wiring layer is exposed to connect the wiring layers.

絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程を採用する場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。このレーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。詳細は、樹脂シートの支持体の面側からレーザー照射を行って、支持体及び絶縁層を貫通して配線層を露出させるビアホールを形成する。   When adopting a process of forming a via hole in the insulating layer, forming a conductor layer and interconnecting the wiring layers, the formation of the via hole is not particularly limited, but laser irradiation, etching, mechanical drilling, etc. can be mentioned, but laser irradiation Is preferably carried out by This laser irradiation can be performed using any suitable laser processing machine using a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, an excimer laser or the like as a light source. Specifically, laser irradiation is performed from the surface side of the support of the resin sheet to form a via hole that exposes the wiring layer through the support and the insulating layer.

レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。   The conditions for laser irradiation are not particularly limited, and laser irradiation can be performed by any suitable process according to a conventional method according to the selected means.

ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。   The shape of the via hole, that is, the shape of the outline of the opening when viewed in the extending direction is not particularly limited, but is generally circular (substantially circular).

ビアホール形成後、ビアホール内のスミア除去工程である、いわゆるデスミア工程を行なってもよい。後述する導体層の形成をめっき工程により行う場合には、ビアホールに対して、例えば湿式のデスミア処理を行ってもよく、導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、例えばプラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。また、デスミア工程は粗化処理工程を兼ねていてもよい。   After forming the via hole, a so-called desmear process, which is a smear removing process in the via hole, may be performed. When the conductor layer described later is formed by a plating process, the via hole may be subjected to, for example, a wet desmear process, and when the conductor layer is formed by a sputtering process, for example, a plasma treatment process or the like. A dry desmear process may be performed. Moreover, the desmear process may serve as the roughening process.

導体層を形成する前に、ビアホール及び絶縁層に対して粗化処理を行ってもよい。粗化処理は通常行われる公知の手順、条件を採用することができる。乾式の粗化処理の例としてはプラズマ処理等が挙げられ、湿式の粗化処理の例としては膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理及び中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。   Before forming the conductor layer, the via hole and the insulating layer may be roughened. For the roughening treatment, known procedures and conditions that are usually performed can be employed. Examples of dry roughening treatment include plasma treatment, etc., and examples of wet roughening treatment include a swelling treatment with a swelling liquid, a roughening treatment with an oxidizing agent, and a neutralization treatment with a neutralizing solution in this order. Is mentioned.

本発明の回路基板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含むことから、表面粗さ（Ｒａ）を低くすることができる。即ち、粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ）が小さいという特性を示す。表面粗さ（Ｒａ）としては、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは１５０ｎｍ以上、さらに好ましくは２００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは７００ｎｍ以下、より好ましくは６５０ｎｍ以下、さらに好ましくは６００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、後述する＜金属層の引き剥がし強さ（ピール強度）、及び粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ）の測定＞の記載に従って測定することができる。   Since the circuit board of this invention contains the insulating layer formed with the hardened | cured material of the resin composition of this invention, surface roughness (Ra) can be made low. That is, the surface roughness (Ra) of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is small. The surface roughness (Ra) is preferably 100 nm or more, more preferably 150 nm or more, and further preferably 200 nm or more. The upper limit is preferably 700 nm or less, more preferably 650 nm or less, and still more preferably 600 nm or less. The surface roughness (Ra) can be measured according to the description in <Measurement of peel strength (peel strength) of metal layer and surface roughness (Ra) of surface of insulating layer after roughening treatment> described later>. .

ビアホールを形成後、導体層を形成する。導体層を構成する導体材料は特に限定されず、導体層は、めっき、スパッタ、蒸着等従来公知の任意好適な方法により形成することができ、めっきにより形成することが好ましい。好適な一実施形態は、例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。また、樹脂シートにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法等の従来公知の技術により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。   After forming the via hole, a conductor layer is formed. The conductor material which comprises a conductor layer is not specifically limited, A conductor layer can be formed by arbitrary well-known methods, such as plating, a sputter | spatter, vapor deposition, and it is preferable to form by plating. In a preferred embodiment, the surface of the insulating layer can be plated by a conventionally known technique such as a semi-additive method or a full additive method to form a conductor layer having a desired wiring pattern. Moreover, when the support body in a resin sheet is metal foil, the conductor layer which has a desired wiring pattern can be formed by conventionally well-known techniques, such as a subtractive method. The conductor layer may have a single layer structure or a multilayer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different types of metals or alloys are laminated.

詳細は、絶縁層の表面に、無電解めっきによりめっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成する。その際、電解めっき層の形成とともに、ビアホールを電解めっきにより埋め込んでフィルドビアを形成してもよい。電解めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。   Specifically, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Next, a mask pattern that exposes a part of the plating seed layer corresponding to a desired wiring pattern is formed on the formed plating seed layer. An electrolytic plating layer is formed on the exposed plating seed layer by electrolytic plating. At that time, the filled via may be formed by filling the via hole by electrolytic plating together with the formation of the electrolytic plating layer. After the electrolytic plating layer is formed, the mask pattern is removed. Thereafter, an unnecessary plating seed layer can be removed by etching or the like to form a conductor layer having a desired wiring pattern. In addition, when forming a conductor layer, the dry film used for formation of a mask pattern is the same as the said dry film.

導体層は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド（ランド）なども含み得る。また導体層は、電極パッドのみから構成されていてもよい。   The conductor layer can include not only a linear wiring but also an electrode pad (land) on which an external terminal can be mounted, for example. The conductor layer may be composed only of electrode pads.

また、導体層は、めっきシード層形成後、マスクパターンを用いずに電解めっき層及びフィルドビアを形成し、その後、エッチングによるパターニングを行うことにより形成してもよい。   The conductor layer may be formed by forming an electroplating layer and a filled via without using a mask pattern after the plating seed layer is formed, and then performing patterning by etching.

絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合、絶縁層の研磨方法又は研削方法としては、配線層を露出させることができ、研磨又は研削面が水平であれば特に限定されず、従来公知の研磨方法又は研削方法を適用することができ、例えば、化学機械研磨装置による化学機械研磨方法、バフ等の機械研磨方法、砥石回転による平面研削方法等が挙げられる。絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程と同様に、スミア除去工程、粗化処理を行う工程を行ってもよく、導体層を形成してもよい。また、全ての配線層を露出させる必要はなく、配線層の一部を露出させてもよい。   When adopting a process of polishing or grinding the insulating layer and exposing the wiring layer to connect the wiring layers, the insulating layer polishing method or grinding method can be used to expose the wiring layer, polishing or grinding surface If it is horizontal, it will not specifically limit, A conventionally well-known grinding | polishing method or grinding method can be applied, for example, the chemical mechanical polishing method by a chemical mechanical polishing apparatus, the mechanical polishing methods, such as a buff, The surface grinding method by grindstone rotation Etc. Similar to the step of forming a via hole in the insulating layer, forming a conductor layer, and connecting the wiring layers to each other, a smear removing step and a roughening step may be performed, or a conductor layer may be formed. Further, it is not necessary to expose all the wiring layers, and a part of the wiring layers may be exposed.

＜工程（４）＞
工程（４）は、基材を除去し、本発明の回路基板を形成する工程である。基材の除去方法は特に限定されない。好適な一実施形態は、第１及び第２金属層の界面で回路基板から基材を剥離し、第２金属層を例えば塩化銅水溶液などでエッチング除去する。必要に応じて、導体層を保護フィルムで保護した状態で基材を剥離してもよい。 <Process (4)>
Step (4) is a step of removing the base material and forming the circuit board of the present invention. The method for removing the substrate is not particularly limited. In a preferred embodiment, the substrate is peeled from the circuit board at the interface between the first and second metal layers, and the second metal layer is etched away with, for example, an aqueous copper chloride solution. As needed, you may peel a base material in the state which protected the conductor layer with the protective film.

他の実施形態において、回路基板は、上述のプリプレグを用いて製造することができる。製造方法は基本的に樹脂シートを用いる場合と同様である。   In other embodiments, the circuit board can be manufactured using the prepreg described above. The manufacturing method is basically the same as when using a resin sheet.

［半導体チップパッケージ］
本発明の半導体チップパッケージの第１の態様は、上記回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージである。上記回路基板に、半導体チップを接合することにより半導体チップパッケージを製造することができる。 [Semiconductor chip package]
A first aspect of the semiconductor chip package of the present invention is a semiconductor chip package in which a semiconductor chip is mounted on the circuit board. A semiconductor chip package can be manufactured by bonding a semiconductor chip to the circuit board.

半導体チップの端子電極が回路基板の回路配線と導体接続する限り、接合条件は特に限定されず、半導体チップのフリップチップ実装において使用される公知の条件を使用してよい。また、半導体チップと回路基板間に絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。   As long as the terminal electrode of the semiconductor chip is conductively connected to the circuit wiring of the circuit board, the joining condition is not particularly limited, and a known condition used in flip chip mounting of the semiconductor chip may be used. Further, the semiconductor chip and the circuit board may be joined via an insulating adhesive.

好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板に圧着する。圧着条件としては、例えば、圧着温度は１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃〜２００℃の範囲、より好ましくは１４０℃〜１８０℃の範囲）、圧着時間は１秒間〜６０秒間の範囲（好ましくは５秒間〜３０秒間）とすることができる。   In a preferred embodiment, the semiconductor chip is pressure-bonded to the circuit board. As the crimping conditions, for example, the crimping temperature is in the range of 120 ° C. to 240 ° C. (preferably in the range of 130 ° C. to 200 ° C., more preferably in the range of 140 ° C. to 180 ° C.), and the crimping time is in the range of 1 second to 60 seconds. (Preferably 5 to 30 seconds).

また、他の好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板にリフローして接合する。リフロー条件としては、例えば、１２０℃〜３００℃の範囲とすることができる。   In another preferred embodiment, the semiconductor chip is reflowed and bonded to the circuit board. As reflow conditions, it can be set as the range of 120 to 300 degreeC, for example.

半導体チップを回路基板に接合した後、例えば、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填することで半導体チップパッケージを得ることも可能である。モールドアンダーフィル材で充填する方法は公知の方法で実施することができる。本発明の樹脂組成物または樹脂シートはモールドアンダーフィル材としても使用することができる。   After the semiconductor chip is bonded to the circuit board, for example, the semiconductor chip package can be obtained by filling the semiconductor chip with a mold underfill material. The method of filling with the mold underfill material can be performed by a known method. The resin composition or resin sheet of the present invention can also be used as a mold underfill material.

本発明の半導体チップパッケージの第２の態様は、例えば、図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）である。図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）１００は、封止層１２０を、本発明の樹脂組成物または樹脂シートで製造した半導体チップパッケージである。半導体チップパッケージ１００は、半導体チップ１１０、半導体チップ１１０の周囲を覆うように形成された封止層１２０、半導体チップ１１０の封止層に覆われている側とは反対側の面に再配線形成層（絶縁層）１３０、導体層（再配線層）１４０、ソルダーレジスト層１５０、及びバンプ１６０を備える。このような半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程、及び
（Ｇ）導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程、を含む。また、半導体チップパッケージの製造方法は、（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程を含み得る。 A second aspect of the semiconductor chip package of the present invention is, for example, a semiconductor chip package (Fan-out type WLP) as shown in FIG. A semiconductor chip package (Fan-out WLP) 100 as shown in FIG. 1 is a semiconductor chip package in which a sealing layer 120 is manufactured using the resin composition or resin sheet of the present invention. The semiconductor chip package 100 includes a semiconductor chip 110, a sealing layer 120 formed so as to cover the periphery of the semiconductor chip 110, and a rewiring formed on a surface opposite to the side covered with the sealing layer of the semiconductor chip 110. A layer (insulating layer) 130, a conductor layer (redistribution layer) 140, a solder resist layer 150, and bumps 160 are provided. A manufacturing method of such a semiconductor chip package is as follows:
(A) Laminating a temporary fixing film on a substrate;
(B) a step of temporarily fixing the semiconductor chip on the temporary fixing film;
(C) The step of laminating the resin composition layer of the resin sheet of the present invention on a semiconductor chip, or applying the resin composition of the present invention on a semiconductor chip and thermosetting it to form a sealing layer;
(D) The process of peeling a base material and a temporary fixing film from a semiconductor chip,
(E) forming a rewiring forming layer (insulating layer) on the surface of the semiconductor chip substrate and the temporarily fixed film peeled off;
(F) forming a conductor layer (rewiring layer) on the rewiring formation layer (insulating layer); and (G) forming a solder resist layer on the conductor layer. In addition, the method for manufacturing a semiconductor chip package may include (H) a step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and dividing them into individual pieces.

＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムの積層条件は、回路基板の製造方法における工程（２）における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。 <Process (A)>
Step (A) is a step of laminating a temporary fixing film on a base material. The lamination conditions of the base material and the temporary fixing film are the same as the lamination conditions of the wiring layer and the resin sheet in step (2) in the method for producing a circuit board, and the preferred range is also the same.

基材に使用する材料は特に限定されない。基材としては、シリコンウェハー；ガラスウェハー；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ＦＲ−４基板等のガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板；ＢＴ樹脂等のビスマレイミドトリアジン樹脂からなる基板などが挙げられる。   The material used for the substrate is not particularly limited. As a base material, silicon wafer; glass wafer; glass substrate; metal substrate such as copper, titanium, stainless steel, cold rolled steel plate (SPCC); thermosetting treatment by impregnating glass fiber such as FR-4 substrate with epoxy resin. And a substrate made of bismaleimide triazine resin such as BT resin.

仮固定フィルムは、後述する工程（Ｄ）において半導体チップから剥離することができるとともに、半導体チップを仮固定することができれば材料は特に限定されない。仮固定フィルムは市販品を用いることができる。市販品としては、日東電工社製のリヴァアルファ等が挙げられる。   The material for the temporarily fixing film is not particularly limited as long as it can be peeled off from the semiconductor chip in the step (D) described later, and the semiconductor chip can be temporarily fixed. A commercially available product can be used as the temporary fixing film. Examples of commercially available products include Riva Alpha manufactured by Nitto Denko Corporation.

＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の公知の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体パッケージの生産数等に応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて仮固定することができる。 <Process (B)>
Step (B) is a step of temporarily fixing the semiconductor chip on the temporary fixing film. The semiconductor chip can be temporarily fixed using a known apparatus such as a flip chip bonder or a die bonder. The layout and the number of semiconductor chips can be appropriately set according to the shape and size of the temporarily fixed film, the number of target semiconductor packages produced, and the like, for example, a matrix having a plurality of rows and a plurality of columns. Can be aligned and fixed temporarily.

＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｃ）は、本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程である。工程（Ｃ）では、樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層し、熱硬化させて封止層を形成することが好ましい。 <Process (C)>
Step (C) is a step of laminating the resin composition layer of the resin sheet of the present invention on a semiconductor chip, or applying the resin composition of the present invention on a semiconductor chip and thermally curing to form a sealing layer. It is. In the step (C), it is preferable that the resin composition layer of the resin sheet is laminated on the semiconductor chip and thermally cured to form the sealing layer.

半導体チップと樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から樹脂シートを半導体チップに加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを半導体チップに加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、半導体チップの表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。   Lamination | stacking of a semiconductor chip and a resin sheet can be performed by heat-pressing a resin sheet to a semiconductor chip from the support body side after removing the protective film of a resin sheet, for example. Examples of the member (hereinafter, also referred to as “heat-bonding member”) that heat-presses the resin sheet to the semiconductor chip include a heated metal plate (SUS end plate, etc.) or a metal roll (SUS roll). Note that it is preferable that the thermocompression-bonding member is not pressed directly on the resin sheet, but is pressed via an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the semiconductor chip.

また、半導体チップと樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してもよい。真空ラミネート法における積層条件は、回路基板の製造方法における工程（２）における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。   Further, the lamination of the semiconductor chip and the resin sheet may be performed by a vacuum laminating method after removing the protective film of the resin sheet. The lamination conditions in the vacuum laminating method are the same as the lamination conditions of the wiring layer and the resin sheet in step (2) in the method for producing a circuit board, and the preferred range is also the same.

樹脂シートの支持体は、半導体チップ上に樹脂シートを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、半導体チップ上に樹脂シートを積層する前に支持体を剥離してもよい。   The support for the resin sheet may be peeled off after the resin sheet is laminated on the semiconductor chip and thermally cured, or the support may be peeled off before the resin sheet is laminated on the semiconductor chip.

樹脂組成物の塗布条件としては、本発明の樹脂シートにおける樹脂組成物層を形成する際の塗布条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。   The application conditions for the resin composition are the same as the application conditions for forming the resin composition layer in the resin sheet of the present invention, and the preferred ranges are also the same.

＜工程（Ｄ）＞
工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離する方法は、仮固定フィルムの材質等に応じて適宜変更することができ、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法、及び基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法等が挙げられる。 <Process (D)>
A process (D) is a process of peeling a base material and a temporary fixing film from a semiconductor chip. The method of peeling can be appropriately changed according to the material of the temporarily fixed film, for example, the method of heating, foaming (or expanding) the temporarily fixed film and peeling, and irradiating ultraviolet rays from the substrate side, Examples include a method of reducing the pressure-sensitive adhesive strength of the temporarily fixed film and peeling it off.

仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、１００℃〜２５０℃で１秒間〜９０秒間又は５分間〜１５分間である。また、基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、１０ｍＪ／ｃｍ２〜１０００ｍＪ／ｃｍ２である。 In the method of peeling by heating and foaming (or expanding) the temporarily fixed film, the heating condition is usually 100 ° C. to 250 ° C. for 1 second to 90 seconds or 5 minutes to 15 minutes. Also, by irradiating ultraviolet rays from the substrate side, in the method for peeling to lower the adhesive strength of the temporary fixing film, dose of the ultraviolet rays is usually, 10mJ / cm 2 ~1000mJ / cm 2.

＜工程（Ｅ）＞
工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程である。 <Process (E)>
The step (E) is a step of forming a rewiring formation layer (insulating layer) on the surface from which the base material and the temporary fixing film of the semiconductor chip are peeled off.

再配線形成層（絶縁層）を形成する材料は、再配線形成層（絶縁層）形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、本発明の樹脂シートを形成するための樹脂組成物と同じ組成の樹脂組成物を用いてもよい。   The material for forming the rewiring formation layer (insulating layer) is not particularly limited as long as it has insulating properties at the time of forming the rewiring forming layer (insulating layer). From the viewpoint of ease of manufacturing the semiconductor chip package, Photosensitive resins and thermosetting resins are preferred. As a thermosetting resin, you may use the resin composition of the same composition as the resin composition for forming the resin sheet of this invention.

再配線形成層（絶縁層）を形成後、半導体チップと後述する導体層を層間接続するために、再配線形成層（絶縁層）にビアホールを形成してもよい。   After forming the rewiring layer (insulating layer), via holes may be formed in the rewiring layer (insulating layer) in order to connect the semiconductor chip and a conductor layer described later.

ビアホールを形成するにあたって、再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が感光性樹脂である場合、まず、再配線形成層（絶縁層）の表面にマスクパターンを通して活性エネルギー線を照射し、照射部の最配線層を光硬化させる。   When forming the via hole, if the material for forming the rewiring layer (insulating layer) is a photosensitive resin, first, the surface of the rewiring layer (insulating layer) is irradiated with active energy rays through a mask pattern. The outermost wiring layer of the part is photocured.

活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量、照射時間は、感光性樹脂に応じて適宜変更することができる。露光方法としては、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させて露光する接触露光法と、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法のいずれを用いてもよい。   Examples of active energy rays include ultraviolet rays, visible rays, electron beams, X-rays and the like, and ultraviolet rays are particularly preferable. The irradiation amount and irradiation time of ultraviolet rays can be appropriately changed according to the photosensitive resin. As the exposure method, a contact exposure method in which a mask pattern is brought into close contact with a rewiring formation layer (insulating layer) and exposure, and a mask pattern is exposed using parallel rays without being brought into close contact with the rewiring formation layer (insulating layer). Any non-contact exposure method may be used.

次に、再配線形成層（絶縁層）を現像し、未露光部を除去することで、ビアホールを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれも好適である。ウェット現像で用いる現像液は公知の現像液を用いることができる。   Next, the rewiring formation layer (insulating layer) is developed, and the unexposed portion is removed to form a via hole. As the development, both wet development and dry development are suitable. A known developer can be used as the developer used in the wet development.

現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。   Examples of the developing method include a dip method, a paddle method, a spray method, a brushing method, a scraping method, and the like, and the paddle method is preferable from the viewpoint of resolution.

再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が熱硬化性樹脂である場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。レーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。   When the material for forming the rewiring layer (insulating layer) is a thermosetting resin, the formation of the via hole is not particularly limited, and examples thereof include laser irradiation, etching, mechanical drilling, and the like. preferable. Laser irradiation can be performed using any suitable laser processing machine that uses a carbon dioxide laser, UV-YAG laser, excimer laser, or the like as a light source.

レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。   The conditions for laser irradiation are not particularly limited, and laser irradiation can be performed by any suitable process according to a conventional method according to the selected means.

ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。ビアホールのトップ径（再配線形成層（絶縁層）表面の開口の直径）は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。下限は特に限定されないが、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上、さらに好ましくは２０μｍ以上である。   The shape of the via hole, that is, the shape of the outline of the opening when viewed in the extending direction is not particularly limited, but is generally circular (substantially circular). The top diameter of the via hole (the diameter of the opening on the surface of the rewiring layer (insulating layer)) is preferably 50 μm or less, more preferably 30 μm or less, and even more preferably 20 μm or less. Although a minimum is not specifically limited, Preferably it is 10 micrometers or more, More preferably, it is 15 micrometers or more, More preferably, it is 20 micrometers or more.

＜工程（Ｆ）＞
工程（Ｆ）は、再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程である。再配線形成層（絶縁層）上に導体層を形成する方法は、回路基板の製造方法における工程（３）の絶縁層にビアホールを形成した後の導体層を形成する方法と同様であり、好ましい範囲も同様である。なお、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、導体層（再配線層）及び再配線形成層（絶縁層）を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。 <Process (F)>
Step (F) is a step of forming a conductor layer (rewiring layer) on the rewiring formation layer (insulating layer). The method for forming the conductor layer on the rewiring layer (insulating layer) is the same as the method for forming the conductor layer after forming the via hole in the insulating layer in the step (3) in the method for manufacturing a circuit board, and is preferable. The range is the same. Note that the step (E) and the step (F) may be repeated, and the conductor layer (redistribution layer) and the redistribution formation layer (insulating layer) may be alternately stacked (build-up).

＜工程（Ｇ）＞
工程（Ｇ）は、導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。 <Process (G)>
Step (G) is a step of forming a solder resist layer on the conductor layer.

ソルダーレジスト層を形成する材料は、ソルダーレジスト層形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、本発明の樹脂シートを形成するための樹脂組成物と同じ組成の樹脂組成物を用いてもよい。   The material for forming the solder resist layer is not particularly limited as long as it has insulating properties at the time of forming the solder resist layer. From the viewpoint of ease of manufacturing a semiconductor chip package, a photosensitive resin and a thermosetting resin are preferable. . As a thermosetting resin, you may use the resin composition of the same composition as the resin composition for forming the resin sheet of this invention.

また、工程（Ｇ）では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田めっきなど公知の方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は工程（Ｅ）と同様に行うことができる。   Further, in the step (G), a bumping process for forming bumps may be performed as necessary. The bumping process can be performed by a known method such as solder ball or solder plating. The via hole can be formed in the bumping process in the same manner as in the step (E).

＜工程（Ｈ）＞
半導体チップパッケージの製造方法は、工程（Ａ）〜（Ｇ）以外に工程（Ｈ）を含んでいてもよい。工程（Ｈ）は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。 <Process (H)>
The manufacturing method of the semiconductor chip package may include a step (H) in addition to the steps (A) to (G). Step (H) is a step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and dividing them into individual pieces.

半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。   A method for dicing the semiconductor chip package into individual semiconductor chip packages is not particularly limited, and a known method can be used.

本発明の半導体チップパッケージの第３の態様は、例えば、図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）における再配線形成層（絶縁層）１３０、ソルダーレジスト層１５０を本発明の樹脂組成物または樹脂シートで製造した半導体チップパッケージである。   The third aspect of the semiconductor chip package of the present invention includes, for example, a rewiring formation layer (insulating layer) 130 and a solder resist layer 150 in a semiconductor chip package (Fan-out type WLP) as shown in FIG. It is the semiconductor chip package manufactured with the resin composition or resin sheet of invention.

［半導体装置］
本発明の半導体チップパッケージを実装することとなる半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。 [Semiconductor device]
Semiconductor devices to be mounted with the semiconductor chip package of the present invention include electrical products (for example, computers, mobile phones, smartphones, tablet devices, wearable devices, digital cameras, medical equipment, televisions, etc.) and vehicles ( For example, various semiconductor devices used for motorcycles, automobiles, trains, ships, airplanes, and the like) can be given.

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。   EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following description, “parts” and “%” representing amounts mean “parts by mass” and “% by mass”, respectively, unless otherwise specified.

［合成例１：合成樹脂１の合成］
反応容器に２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン（Ｇ−３０００、日本曹達社製、数平均分子量＝３０００、ヒドロキシ基当量＝１８００ｇ／ｅｑ．）６９ｇと、イプゾール１５０（芳香族炭化水素系混合溶媒：出光興産社製）４０ｇ、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇを混合し均一に溶解させた。均一になったところで５０℃に昇温し、更に撹拌しながら、イソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製、ＩＰＤＩ、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）８ｇを添加し約３時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにクレゾールノボラック樹脂（ＫＡ−１１６０、ＤＩＣ社製、水酸基当量＝１１７ｇ／ｅｑ．）２３ｇと、エチルジグリコールアセテート（ダイセル社製）６０ｇを添加し、攪拌しながら８０℃まで昇温し、約４時間反応を行った。ＦＴ−ＩＲより２２５０ｃｍ−１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから１００メッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有する合成樹脂１（フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂：固形分５０質量％）を得た。数平均分子量は５５００であった。 [Synthesis Example 1: Synthesis of synthetic resin 1]
In a reaction vessel, difunctional hydroxy group-terminated polybutadiene (G-3000, manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., number average molecular weight = 3000, hydroxy group equivalent = 1800 g / eq.) 69 g and ipsol 150 (aromatic hydrocarbon-based mixed solvent: Idemitsu) Kogyo Co., Ltd.) 40 g and dibutyltin laurate 0.005 g were mixed and dissolved uniformly. When the temperature became uniform, the temperature was raised to 50 ° C., and 8 g of isophorone diisocyanate (manufactured by Evonik Degussa Japan, IPDI, isocyanate group equivalent = 113 g / eq.) Was added with further stirring, and the reaction was performed for about 3 hours. Next, after cooling the reaction product to room temperature, 23 g of cresol novolak resin (KA-1160, manufactured by DIC, hydroxyl equivalent = 117 g / eq.) And 60 g of ethyl diglycol acetate (manufactured by Daicel) were added. The temperature was raised to 80 ° C. with stirring, and the reaction was carried out for about 4 hours. The disappearance of the NCO peak at 2250 cm −1 was confirmed by FT-IR. After confirming the disappearance of the NCO peak, it was regarded as the end point of the reaction, the reaction product was cooled to room temperature and then filtered through a 100 mesh filter cloth, and a synthetic resin 1 having a butadiene structure and a phenolic hydroxyl group (phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin: A solid content of 50% by mass was obtained. The number average molecular weight was 5500.

［実施例１］
エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）１０部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量２６９）４１部、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」）３部、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理した球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」）３８０部、フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１０５、ＤＩＣ社製「ＴＤ２０９０−６０Ｍ」固形分６０質量％のＭＥＫ溶液）８．３部、フェノキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のシクロヘキサノン：メチルエチルケトン（ＭＥＫ）の１：１溶液）１６．６部、メチルエチルケトン３０部、イミダゾール系硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」）０．３部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して樹脂ワニス１を作製した。 [Example 1]
Epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., 1: 1 mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq), 10 parts of biphenyl type epoxy resin ( "NC3000L" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., 41 parts epoxy equivalent 269), 3 parts amphiphilic polyether block copolymer ("Fortegra 100" manufactured by Dow Chemical Co.), phenylaminosilane coupling agent ("KBM573 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) )), 380 parts of spherical silica (average particle size 0.5 μm, “SO-C2” manufactured by Admatechs), phenol novolac resin (phenolic hydroxyl group equivalent 105, “TD2090-60M” solid content 60 manufactured by DIC) 8.3 parts by mass of MEK solution), pheno 16.6 parts of xy resin ("YX7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., 1: 1 solution of cyclohexanone: methyl ethyl ketone (MEK) with a solid content of 30% by mass), 30 parts of methyl ethyl ketone, imidazole-based curing accelerator ("1B2PZ manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) ]) 0.3 parts was mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish 1.

［実施例２］
実施例１において、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量２６９）４１部を、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−７３１１」、エポキシ当量２７７）４１部に変更し、フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１０５、ＤＩＣ社製「ＴＤ２０９０−６０Ｍ」固形分６０質量％のＭＥＫ溶液）８．３部を、活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」活性基当量約２２３の固形分６５質量％のトルエン溶液）７．７部に変更した。以上の事項以外は実施例１と同様の方法で樹脂ワニス２を作製した。 [Example 2]
In Example 1, 41 parts of biphenyl type epoxy resin (“NC3000L” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 269) was replaced with 41 parts of naphthylene ether type epoxy resin (“EXA-731” manufactured by DIC, epoxy equivalent 277). 8.3 parts of phenol novolac resin (phenolic hydroxyl group equivalent 105, “DIC2090-60M” manufactured by DIC with a solid content of 60% by mass of MEK solution) 8.3 parts of active ester compound (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC) (Toluene solution having an active group equivalent of about 223 and a solid content of 65% by mass) was changed to 7.7 parts. Except for the above, a resin varnish 2 was produced in the same manner as in Example 1.

［実施例３］
実施例１において、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量２６９）４１部を、ノボラック型エポキシ樹脂（三菱化学社製「１５７Ｓ７０」エポキシ当量２００〜２２０）４１部に変更し、フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１０５、ＤＩＣ社製「ＴＤ２０９０−６０Ｍ」固形分６０質量％のＭＥＫ溶液）８．３部を、トリアジン骨格含有フェノール樹脂（ＤＩＣ社製「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」水酸基当量１５１の固形分５０質量％のプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液）１０部に変更した。以上の事項以外は実施例１と同様の方法で樹脂ワニス３を作製した。 [Example 3]
In Example 1, 41 parts of biphenyl type epoxy resin (“NC3000L” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 269) was changed to 41 parts of novolak type epoxy resin (“157S70” epoxy equivalent 200-220 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). 8.3 parts of a phenol novolac resin (phenolic hydroxyl group equivalent 105, “TD2090-60M” manufactured by DIC, MEK solution having a solid content of 60% by mass) and triazine skeleton-containing phenol resin (“LA-3018-50P” manufactured by DIC) 10 parts of a propylene glycol monomethyl ether solution having a hydroxyl group equivalent of 151 and a solid content of 50% by mass. Except for the above, a resin varnish 3 was produced in the same manner as in Example 1.

［実施例４］
実施例２において、カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」カルボジイミド当量２１６、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液）６部を加えた。以上の事項以外は実施例２と同様の方法で樹脂ワニス４を作製した。 [Example 4]
In Example 2, 6 parts of a carbodiimide compound (“V-03” carbodiimide equivalent 216 manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., toluene solution containing 50% by mass of nonvolatile components) was added. A resin varnish 4 was produced in the same manner as in Example 2 except for the above items.

［実施例５］
実施例３において、
１）トリアジン骨格含有フェノール樹脂（ＤＩＣ社製「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」水酸基当量１５１の固形分５０質量％のプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液）１０部を、活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」活性基当量約２２３の固形分６５質量％のトルエン溶液）７．７部に変更し、
２）合成例１で合成した合成樹脂１を１０部加え、
３）カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」カルボジイミド当量２１６、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液）６部を加え、
４）フェノキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のシクロヘキサノン：メチルエチルケトン（ＭＥＫ）の１：１溶液）を加えなかった。
以上の事項以外は実施例３と同様の方法で樹脂ワニス５を作製した。 [Example 5]
In Example 3,
1) 10 parts of a triazine skeleton-containing phenol resin (“LA-3018-50P” manufactured by DIC, propylene glycol monomethyl ether solution having a hydroxyl content of 151 and having a solid content of 50% by mass) and an active ester compound (“HPC-8000-” manufactured by DIC) "65T" active group equivalent of about 223 solid solution 65% by weight toluene solution) 7.7 parts,
2) Add 10 parts of the synthetic resin 1 synthesized in Synthesis Example 1,
3) 6 parts of a carbodiimide compound (Nisshinbo Chemical Co., Ltd. “V-03” carbodiimide equivalent 216, 50% by mass of a non-volatile component in a toluene solution) was added,
4) A phenoxy resin (“YX7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, a 1: 1 solution of cyclohexanone: methyl ethyl ketone (MEK) having a solid content of 30% by mass) was not added.
A resin varnish 5 was produced in the same manner as in Example 3 except for the above items.

［実施例６］
実施例１において、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」を３部から６部に変更し、フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１０５、ＤＩＣ社製「ＴＤ２０９０−６０Ｍ」固形分６０質量％のＭＥＫ溶液）８．３部を、活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」活性基当量約２２３の固形分６５質量％のトルエン溶液）７．７部に変更した。以上の事項以外は実施例１と同様の方法で樹脂ワニス６を作製した。 [Example 6]
In Example 1, the amphiphilic polyether block copolymer (“Fortegra 100” manufactured by Dow Chemical Co. was changed from 3 parts to 6 parts, and a phenol novolac resin (phenolic hydroxyl group equivalent 105, “TD2090-60M” solid product manufactured by DIC) was used. 8.3 parts of MEK solution having a 60 mass% content) was changed to 7.7 parts of an active ester compound (a “HPC-8000-65T” manufactured by DIC, toluene solution with a solid content of 65 mass% having an active group equivalent of about 223). A resin varnish 6 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above items.

［実施例７］
実施例１において、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」）の量を３部から９部に変更し、フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１０５、ＤＩＣ社製「ＴＤ２０９０−６０Ｍ」固形分６０質量％のＭＥＫ溶液）８．３部を、活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」活性基当量約２２３の固形分６５質量％のトルエン溶液）７．７部に変更した。以上の事項以外は実施例１と同様の方法で樹脂ワニス７を作製した。 [Example 7]
In Example 1, the amount of amphiphilic polyether block copolymer (“Fortegra 100” manufactured by Dow Chemical Co.) was changed from 3 parts to 9 parts, and a phenol novolac resin (phenolic hydroxyl group equivalent 105, “TD2090-” manufactured by DIC) was used. 8.3 parts of an active ester compound ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC, toluene solution with a solid content of 65% by mass) having an active group equivalent of about 223) Changed to A resin varnish 7 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above items.

［実施例８］
実施例３において、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理した球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」）３８０部を、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理したアルミナ（デンカ社製「ＤＡＷ−０３」、平均粒径３．７μｍ）４５０部に変更し、トリアジン骨格含有フェノール樹脂（ＤＩＣ社製「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」水酸基当量１５１の固形分５０質量％のプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液）１０部を、フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１０５、ＤＩＣ社製「ＴＤ２０９０−６０Ｍ」の固形分６０質量％のＭＥＫ溶液）８．３部に変更した。以上の事項以外は実施例３と同様の方法で樹脂ワニス８を作製した。 [Example 8]
In Example 3, 380 parts of spherical silica (average particle size of 0.5 μm, “SO-C2” manufactured by Admatechs) that was surface-treated with a phenylaminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) It was changed to 450 parts of alumina (“DAW-03” manufactured by Denka Co., Ltd., average particle size 3.7 μm) surface-treated with an aminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), and a triazine skeleton-containing phenol resin (DIC) 10 parts of a “LA-3018-50P” hydroxyl group equivalent 151 solid solution of propylene glycol monomethyl ether having a solid content of 50% by mass was added to a phenol novolac resin (phenolic hydroxyl group equivalent 105, DIC “TD2090-60M” solid content). 60 mass% MEK solution) was changed to 8.3 parts. Except for the above, a resin varnish 8 was produced in the same manner as in Example 3.

［実施例９］
実施例２において、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」）を３部から６部に変更し、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理した球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」）の量を３８０部から３００部に変更し、活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」活性基当量約２２３の固形分６５質量％のトルエン溶液）７．７部を、フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１０５、ＤＩＣ社製「ＴＤ２０９０−６０Ｍ」固形分６０質量％のＭＥＫ溶液）８．３部に変更した。以外の事項以外は実施例２と同様の方法で樹脂ワニス９を作製した。 [Example 9]
In Example 2, the amphiphilic polyether block copolymer (“Fortegra 100” manufactured by Dow Chemical Co.) was changed from 3 parts to 6 parts, and the surface was treated with a phenylaminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). The amount of the treated spherical silica (average particle size 0.5 μm, “SO-C2” manufactured by Admatechs) was changed from 380 parts to 300 parts, and an active ester compound (“HPC-8000-65T” active group manufactured by DIC) was changed. 7.7 parts of a phenol novolak resin (phenolic hydroxyl group equivalent 105, “TD2090-60M” solid content 60 mass% MEK solution) manufactured by DIC Corporation) 7.7 parts) Changed to A resin varnish 9 was produced in the same manner as in Example 2 except for the matters other than the above.

［実施例１０］
実施例９において、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理した球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」）の量を３００部から２５０部に変更した。以外の事項以外は実施例９と同様の方法で樹脂ワニス１０を作製した。 [Example 10]
In Example 9, the amount of spherical silica (average particle size 0.5 μm, “SO-C2” manufactured by Admatechs) that was surface-treated with a phenylaminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was 300 parts. To 250 parts. A resin varnish 10 was produced in the same manner as in Example 9 except for the matters other than the above.

［実施例１１］
実施例３において、ノボラック型エポキシ樹脂（三菱化学社製「１５７Ｓ７０」エポキシ当量２００〜２２０）４１部を、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−７３１１」、エポキシ当量２７７）４１部に変更し、コアシェル型ゴム粒子（ガンツ化成社製「ＡＣ３８３２」）４部加えた。以上の事項以外は実施例３と同様の方法で樹脂ワニス１１を作製した。 [Example 11]
In Example 3, 41 parts of a novolac type epoxy resin ("157S70" epoxy equivalent 200-220 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) is replaced with 41 parts of a naphthylene ether type epoxy resin ("EXA-7311" manufactured by DIC, epoxy equivalent 277). 4 parts of core-shell type rubber particles (“AC3832” manufactured by Ganz Kasei Co., Ltd.) were added. Except for the above, a resin varnish 11 was produced in the same manner as in Example 3.

［実施例１２］
実施例１０において、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理した球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」）２５０部を、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理した溶融球状シリカ（デンカ社製「ＦＢ−１０５ＦＤ」平均粒径１１．７μｍ）２５０部に変更した。以上の事項以外は実施例１０と同様の方法で樹脂ワニス１２を作製した。 [Example 12]
In Example 10, 250 parts of spherical silica (average particle size: 0.5 μm, “SO-C2” manufactured by Admatechs Corporation) surface-treated with a phenylaminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) The amount was changed to 250 parts of fused spherical silica (“FB-105FD” average particle diameter: 11.7 μm) manufactured by Denka Co., Ltd., surface-treated with an aminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). Except for the above, a resin varnish 12 was produced in the same manner as in Example 10.

［比較例１］
実施例４において、
１）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」）を加えず、
２）ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−７３１１」、エポキシ当量２７７）４１部を、ノボラック型エポキシ樹脂（三菱化学社製「１５７Ｓ７０」エポキシ当量２００〜２２０）４１部に変更した。
以上の事項以外は実施例４と同様の方法で樹脂ワニス１３を作製した。 [Comparative Example 1]
In Example 4,
1) Without adding an amphiphilic polyether block copolymer (“Fortegra 100” manufactured by Dow Chemical Co.),
2) 41 parts of naphthylene ether type epoxy resin (“EXA-7311” manufactured by DIC, epoxy equivalent of 277) was changed to 41 parts of novolac type epoxy resin (“157S70” epoxy equivalent of 200 to 220 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).
A resin varnish 13 was produced in the same manner as in Example 4 except for the above items.

＜硬化収縮率の測定＞
（１−１）樹脂付ポリイミドフィルムの調製
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスをアルキド樹脂系離型剤（リンテック社製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ社製「ルミラーＲ８０」、厚み３８μｍ、軟化点１３０℃、以下「離型ＰＥＴ」ということがある）上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが１７０μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。この樹脂シートを２００ｍｍ角になる様に切り取った。作製した樹脂シート（２００ｍｍ角）を、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製、２ステージビルドアップラミネーター、ＣＶＰ７００）を用いて、樹脂組成物層がポリイミドフィルム（宇部興産社製ユーピレックス２５Ｓ、２５μｍ厚、２４０ｍｍ角）の平滑面の中央と接するように、片面にラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１００℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間圧着させることにより実施した。これにより、樹脂付ポリイミドフィルムを得た。 <Measurement of cure shrinkage>
(1-1) Preparation of Polyimide Film with Resin PET Film (Toray Industries, Inc., “Release varnish produced in Examples and Comparative Examples) with an alkyd resin mold release agent (“ AL-5 ”manufactured by Lintec Corporation)” Lumirror R80 ”, thickness 38 μm, softening point 130 ° C., hereinafter sometimes referred to as“ release PET ”) is applied by a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying is 170 μm. The resin sheet was obtained by drying for 10 minutes at a temperature of from 120 ° C. to 120 ° C. (average of 100 ° C.). This resin sheet was cut out to be 200 mm square. Using the batch-type vacuum press laminator (manufactured by Nikko Materials Co., Ltd., 2-stage buildup laminator, CVP700), the resin composition layer is a polyimide film (Ube Industries, Ltd. Upilex 25S). , 25 μm thickness, 240 mm square) was laminated on one side so as to be in contact with the center of the smooth surface. Lamination was performed by reducing the pressure for 30 seconds to a pressure of 13 hPa or less, and then pressing the film at 100 ° C. and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. Thereby, a polyimide film with resin was obtained.

（１−２）初期長の測定
得られた樹脂付ポリイミドフィルムを樹脂シートの離型ＰＥＴ上から、樹脂組成物層の４角から２０ｍｍ程度の部分に、貫通穴（直径約６ｍｍ）を、パンチングによって４つ形成し（穴を時計回りにＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄと仮に称する。）、樹脂シートの支持体を剥離後、形成した各穴の中央間の長さＬ（ＬＡＢ、ＬＢＣ、ＬＣＤ、ＬＤＡ、ＬＡＣ、ＬＢＤ）（図２参照）を非接触型画像測定器（ミツトヨ社製、Ｑｕｉｃｋ Ｖｉｓｉｏｎ、「ＱＶＨ１Ｘ６０６−ＰＲＯ ＩＩＩ＿ＢＨＵ２Ｇ」）で測定した。 (1-2) Measurement of initial length The obtained polyimide film with resin is punched from the release PET on the resin sheet through a through hole (diameter of about 6 mm) in a portion of the resin composition layer from about 4 to 20 mm. (The holes are tentatively referred to as A, B, C, and D in the clockwise direction.) After the resin sheet support is peeled, the length L between the centers of the formed holes (L AB , L BC , L CD , L DA , L AC , L BD ) (see FIG. 2) was measured with a non-contact image measuring device (Quick Vision, “QVH1X606-PRO III_BHU2G” manufactured by Mitutoyo Corporation).

（１−３）樹脂組成物層の熱硬化
測長の終了した樹脂付ポリイミドフィルムのポリイミドフィルム面を、２５５ｍｍ×２５５ｍｍサイズのガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（０．７ｍｍ厚、松下電工社製「Ｒ５７１５ＥＳ」）上に設置し、四辺をポリイミド接着テープ（幅１０ｍｍ）で固定し、１８０℃で９０分間加熱して、樹脂組成物層を熱硬化して、硬化物層を得た。 (1-3) Thermosetting of resin composition layer A polyimide film surface of a polyimide film with a resin whose length has been measured is a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate (0.7 mm thickness, Matsushita) of 255 mm × 255 mm size. The resin composition layer was fixed on a polyimide adhesive tape (width 10 mm) and heated at 180 ° C. for 90 minutes to thermally cure the resin composition layer to obtain a cured product layer. .

（１−４）熱硬化収縮率の測定
熱硬化後、ポリイミド接着テープを剥がし、硬化物層付ポリイミドフィルムを積層板から取り外し、更に硬化物層をポリイミドフィルムから剥離して、（１−２）で形成した各穴の中央間の硬化後の長さＬ’（Ｌ’ＡＢ、Ｌ’ＢＣ、Ｌ’ＣＤ、Ｌ’ＤＡ、Ｌ’ＡＣ、Ｌ’ＢＤ）を、長さＬと同じように非接触型画像測定器で測定した。 (1-4) Measurement of thermosetting shrinkage rate After thermosetting, the polyimide adhesive tape is peeled off, the polyimide film with a cured product layer is removed from the laminate, and the cured product layer is further removed from the polyimide film. The length L ′ (L ′ AB , L ′ BC , L ′ CD , L ′ DA , L ′ AC , L ′ BD ) after curing between the centers of the holes formed in the same manner as the length L Measurement was performed with a non-contact type image measuring device.

穴Ａ、穴Ｂ間の長さＬＡＢの硬化後の収縮率ｓ１ＡＢを下記式（１）により求めた。同様にしてＬＢＣ、ＬＣＤ、ＬＤＡ、ＬＡＣ及びＬＢＤの硬化後の収縮率ｓ１ＢＣ、ｓ１ＣＤ、ｓ１ＤＡ、ｓ１ＡＣ及びｓ１ＤＡを求めた。
ｓ１ＡＢ＝（ＬＡＢ−Ｌ’ＡＢ）／ＬＡＢ （１） The shrinkage s1 AB after curing of the length L AB between the hole A and the hole B was determined by the following formula (1). It was determined L BC, L CD, L DA , L AC and L shrinkage s1 BC after curing of the BD, s1 CD, s1 DA, s1 AC and s1 DA in the same manner.
s1 AB = (L AB -L ' AB ) / L AB (1)

硬化物層の熱硬化収縮率は下記式（２）で算出した。
熱硬化収縮率［ｘ−ｙ方向の収縮率：Ｓ１］（％）
＝｛（ｓ１ＡＢ＋ｓ１ＢＣ＋ｓ１ＣＤ＋ｓ１ＤＡ＋ｓ１ＡＣ＋ｓ１ＤＡ）／６｝×１００ （２） The thermosetting shrinkage ratio of the cured product layer was calculated by the following formula (2).
Thermosetting shrinkage [shrinkage in xy direction: S1] (%)
= {(S1 AB + s1 BC + s1 CD + s1 DA + s1 AC + s1 DA ) / 6} × 100 (2)

＜反り試験＞
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスを離型ＰＥＴ上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが１７０μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。この樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター（名機社製、ＭＶＬＰ−５００）を用いて、厚み０．２ｍｍ、１５ｃｍ×３０ｃｍのＳＵＳ３０４板上に樹脂組成物層が接するようにラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａでプレスすることにより行った。ラミネートされた樹脂シートの離型ＰＥＴを除去し１８０℃９０分の条件で熱硬化し反り評価用サンプルを得た。
得られた反り評価用サンプルの中央部が凸部となる側の面を下向きにして平滑な台上に設置し、平滑な台上と反り評価用サンプルとの距離が最も大きい箇所の距離を測定し反り量とした。反り量の絶対値が１０ｍｍ未満を○、１０ｍｍ以上２０ｍｍ未満を△、２０ｍｍ以上を×とした。 <Warpage test>
The resin varnishes produced in Examples and Comparative Examples were applied on a release PET with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 170 μm, and 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.) And dried for 10 minutes to obtain a resin sheet. This resin sheet was laminated using a batch type vacuum pressure laminator (MVLP-500, manufactured by Meiki Co., Ltd.) so that the resin composition layer was in contact with a SUS304 plate having a thickness of 0.2 mm and 15 cm × 30 cm. Lamination was performed by reducing the pressure for 30 seconds to a pressure of 13 hPa or less, and then pressing at 100 ° C. and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. The release PET of the laminated resin sheet was removed, and thermosetting was performed at 180 ° C. for 90 minutes to obtain a sample for warpage evaluation.
Place the resulting warp evaluation sample on the smooth table with the center side of the sample to be a convex part facing down, and measure the distance of the point where the distance between the smooth table and the sample for warpage evaluation is the largest. The amount of warpage was used. When the absolute value of the warp amount was less than 10 mm, it was evaluated as ○, when 10 mm or more but less than 20 mm, Δ, and 20 mm or more as x.

＜平均線熱膨張係数（熱膨張率）の測定＞
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスを離型ＰＥＴ上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが１７０μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。得られた樹脂シートをガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板にポリイミドテープで４辺を固定し１８０℃９０分で熱硬化した。更に樹脂組成物層から離型ＰＥＴを剥離して、シート状の硬化物を得た。シート状の硬化物を評価用硬化物と称する。得られた評価用硬化物を、幅５ｍｍ、長さ１５ｍｍの試験片に切断し、熱機械分析装置（リガク社製「Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ＴＭＡ８３１０」）を用いて、引張加重法にて熱機械分析を行った。詳細には、試験片を前記熱機械分析装置に装着した後、荷重１ｇ、昇温速度５℃／分の測定条件にて連続して２回測定した。そして２回目の測定において、３０℃から１５０℃までの範囲における平面方向の平均線熱膨張係数（α１；ｐｐｍ／℃）を算出した。この操作を３回行いその平均値を表に示した。 <Measurement of average linear thermal expansion coefficient (thermal expansion coefficient)>
The resin varnishes produced in Examples and Comparative Examples were applied on a release PET with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 170 μm, and 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.) And dried for 10 minutes to obtain a resin sheet. The obtained resin sheet was fixed on a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate with polyimide tape at four sides and thermally cured at 180 ° C. for 90 minutes. Further, the release PET was peeled from the resin composition layer to obtain a sheet-like cured product. The sheet-like cured product is referred to as an evaluation cured product. The obtained cured product for evaluation was cut into a test piece having a width of 5 mm and a length of 15 mm, and thermomechanical analysis was performed by a tensile load method using a thermomechanical analyzer (“Thermo Plus TMA8310” manufactured by Rigaku Corporation). It was. Specifically, after the test piece was mounted on the thermomechanical analyzer, the test piece was measured twice continuously under the measurement conditions of a load of 1 g and a heating rate of 5 ° C./min. In the second measurement, the average linear thermal expansion coefficient (α1; ppm / ° C.) in the plane direction in the range from 30 ° C. to 150 ° C. was calculated. This operation was performed 3 times and the average value was shown in the table.

＜硬化物の熱伝導率の測定＞
（１）硬化物の調製
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスを離型ＰＥＴ上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが１５０μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。得られた樹脂シート２枚を、バッチ式真空加圧ラミネーター（名機社製、ＭＶＬＰ−５００）を用いて樹脂組成物層が接するように貼りあわせ、厚み３００μｍの樹脂シートを得た。得られた樹脂シートの片面の離型ＰＥＴを剥がし、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板にポリイミドテープで４辺を固定し１８０℃９０分で熱硬化した。更に樹脂組成物層からもう一方の離型ＰＥＴを剥離して、シート状の硬化物を得た。 <Measurement of thermal conductivity of cured product>
(1) Preparation of cured product The resin varnishes produced in the examples and comparative examples were applied on a release PET with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 150 μm. The resin sheet was obtained by drying at 120 ° C. (average 100 ° C.) for 10 minutes. Two obtained resin sheets were bonded together using a batch type vacuum pressure laminator (MVLP-500, manufactured by Meiki Co., Ltd.) so that the resin composition layer was in contact with each other, to obtain a resin sheet having a thickness of 300 μm. The release PET on one side of the obtained resin sheet was peeled off, and four sides were fixed to the glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate with polyimide tape and heat cured at 180 ° C. for 90 minutes. Further, the other release PET was peeled from the resin composition layer to obtain a sheet-like cured product.

（２）熱拡散率αの測定
シート状の硬化物について、該硬化物の厚さ方向の熱拡散率α（ｍ２／ｓ）を、ａｉ−Ｐｈａｓｅ社製「ａｉ−Ｐｈａｓｅ Ｍｏｂｉｌｅ １ｕ」を用いて温度波分析法により測定した。同一試料について３回測定を行い、平均値を算出した。 (2) Measurement of thermal diffusivity α For the sheet-like cured product, the thermal diffusivity α (m 2 / s) in the thickness direction of the cured product was used using “ai-Phase Mobile 1u” manufactured by ai-Phase. And measured by temperature wave analysis. The same sample was measured three times, and the average value was calculated.

（３）比熱容量Ｃｐの測定
シート状の硬化物について、示差走査熱量計（ＳＩＩナノテクノロジー社製「ＤＳＣ７０２０」）を用いて、−４０℃から８０℃まで１０℃／分で昇温し、測定することにより、該シート状の硬化物の２０℃での比熱容量Ｃｐ（Ｊ／ｋｇ・Ｋ）を算出した。 (3) Measurement of specific heat capacity Cp Using a differential scanning calorimeter (“DSC7020” manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd.), the sheet-like cured product was heated from −40 ° C. to 80 ° C. at a rate of 10 ° C./minute, and measured. Thus, the specific heat capacity Cp (J / kg · K) at 20 ° C. of the sheet-like cured product was calculated.

（４）密度ρの測定
シート状の硬化物の密度（ｋｇ／ｍ３）を、メトラー・トレド社製分析天秤ＸＰ１０５（比重測定キット使用）を用いて測定した。 (4) Measurement of density ρ The density (kg / m 3 ) of the sheet-like cured product was measured using an analytical balance XP105 (using a specific gravity measurement kit) manufactured by METTLER TOLEDO.

（５）熱伝導率λの算出
上記（２）乃至（４）で得られた熱拡散率α（ｍ２／ｓ）、比熱容量Ｃｐ（Ｊ／ｋｇ・Ｋ）、及び密度ρ（ｋｇ／ｍ３）を下記式（Ｉ）に代入して、熱伝導率λ（Ｗ／ｍ・Ｋ）を算出した。
λ＝α×Ｃｐ×ρ （Ｉ） (5) Calculation of thermal conductivity λ Thermal diffusivity α (m 2 / s) obtained in the above (2) to (4), specific heat capacity Cp (J / kg · K), and density ρ (kg / m 3 ) was substituted into the following formula (I) to calculate the thermal conductivity λ (W / m · K).
λ = α × Cp × ρ (I)

＜金属層の引き剥がし強さ（ピール強度）、及び粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ）の測定＞
（１）内層回路基板の下地処理
内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板厚み０．３ｍｍ、パナソニック社製Ｒ５７１５ＥＳ）の両面をメック社製ＣＺ８１００に浸漬して銅表面の粗化処理を行った。 <Measurement of peel strength (peel strength) of metal layer and surface roughness (Ra) of insulating layer surface after roughening treatment>
(1) Underlayer treatment of inner layer circuit board Both sides of a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate (copper foil thickness 18 μm, substrate thickness 0.3 mm, Panasonic R5715ES) on which an inner layer circuit is formed are manufactured by MEC The copper surface was roughened by immersing in CZ8100.

（２）樹脂シートのラミネート
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスを離型ＰＥＴ上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが２００μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。この樹脂シートをバッチ式真空加圧ラミネーター（名機社製、ＭＶＬＰ−５００）を用いて、内層回路基板の両面に樹脂組成物層が接するようにラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａでプレスすることにより行った。 (2) Lamination of resin sheet The resin varnish produced in Examples and Comparative Examples was applied onto a release PET with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 200 μm, The resin sheet was obtained by drying at 120 ° C. (average 100 ° C.) for 10 minutes. This resin sheet was laminated using a batch-type vacuum pressure laminator (MVLP-500, manufactured by Meiki Co., Ltd.) so that the resin composition layer was in contact with both surfaces of the inner circuit board. Lamination was performed by reducing the pressure for 30 seconds to a pressure of 13 hPa or less, and then pressing at 100 ° C. and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds.

（３）樹脂組成物層の硬化
ラミネートされた樹脂シートから離型ＰＥＴを剥離し、１８０℃、３０分の硬化条件で樹脂組成物層を硬化し絶縁層を形成した。 (3) Curing of resin composition layer Release PET was peeled from the laminated resin sheet, and the resin composition layer was cured under curing conditions at 180 ° C for 30 minutes to form an insulating layer.

（４）絶縁層の研磨
絶縁層を形成した内層回路基板の絶縁層を以下の条件にて平面研削盤にて研磨切削した。
研磨切削の条件：砥石周速５００ｍ／ｍｉｎ、テーブルスピード１３ｍ／ｍｉｎ、１回の切り込み量３μｍ、全切削厚さ５０μｍ、砥石番手＃１０００ (4) Polishing of insulating layer The insulating layer of the inner circuit board on which the insulating layer was formed was polished and cut with a surface grinder under the following conditions.
Polishing cutting conditions: grinding wheel peripheral speed 500 m / min, table speed 13 m / min, cutting depth 3 μm, total cutting thickness 50 μm, grinding wheel count # 1000

（５）粗化処理
研磨した絶縁層表面を、膨潤液である、アトテックジャパン社製のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガンドＰに６０℃で５分間浸漬し、次に粗化液として、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトＰ（ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に８０℃で１５分間浸漬させ、最後に中和液として、アトテックジャパン社製のリダクションショリューシン・セキュリガントＰに４０℃で５分間浸漬した。この基板を評価用基板Ａとした。 (5) Roughening treatment The polished insulating layer surface is immersed in a swelling liquid, diethylene glycol monobutyl ether-containing swelling dip / seculigand P, which is a swelling liquid, at 60 ° C. for 5 minutes, and then as a roughening liquid, It is immersed in an Atotech Japan Concentrate Compact P (KMnO 4 : 60 g / L, NaOH: 40 g / L aqueous solution) at 80 ° C. for 15 minutes, and finally, as a neutralizing solution, a reduction tech made by Atotech Japan. It was immersed in thin securigant P at 40 ° C. for 5 minutes. This substrate was designated as evaluation substrate A.

（６）セミアディティブ工法によるメッキ
絶縁層表面に回路を形成するために、内層回路基板を、ＰｄＣｌ２を含む無電解メッキ用溶液に浸漬し、次に無電解銅メッキ液に浸漬した。１５０℃にて３０分間加熱してアニール処理を行った後に、エッチングレジストを形成し、エッチングによるパターン形成の後に、硫酸銅電解メッキを行い、３０±５μｍの厚さでメッキ導体層を形成した。次に、アニール処理を１８０℃にて６０分間行った。この回路基板を評価用基板Ｂとした。 (6) Plating by semi-additive method In order to form a circuit on the surface of the insulating layer, the inner layer circuit board was immersed in an electroless plating solution containing PdCl 2 and then immersed in an electroless copper plating solution. After annealing at 150 ° C. for 30 minutes, an etching resist was formed. After pattern formation by etching, copper sulfate electrolytic plating was performed to form a plated conductor layer with a thickness of 30 ± 5 μm. Next, annealing was performed at 180 ° C. for 60 minutes. This circuit board was used as an evaluation board B.

（７）金属層の引き剥がし強さ（ピール強度）の測定
評価用基板Ｂの導体層に、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具で掴み、室温中にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定した。 (7) Measurement of peel strength (peel strength) of metal layer Cut the conductor layer of the evaluation substrate B into a 10 mm wide and 100 mm long part, peel off one end and grasp it with a gripping tool at room temperature. Then, the load (kgf / cm) when 35 mm was peeled in the vertical direction at a speed of 50 mm / min was measured.

（８）粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ）の測定
評価用基板Ａの絶縁層表面を、非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製ＷＹＫＯ ＮＴ３３００）を用いて、ＶＳＩコンタクトモード、５０倍レンズにより測定範囲を１２１μｍ×９２μｍとして測定して、粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さを求めた。それぞれ１０点の平均値を求めることにより、Ｒａを測定した。 (8) Measurement of surface roughness (Ra) of surface of insulating layer after roughening treatment The surface of the insulating layer of the evaluation substrate A was subjected to VSI using a non-contact type surface roughness meter (WYKO NT3300 manufactured by Beeco Instruments). The measurement range was 121 μm × 92 μm with a contact mode, 50 × lens, and the surface roughness of the surface of the insulating layer after the roughening treatment was determined. Ra was measured by calculating the average value of 10 points.

実施例、比較例の樹脂組成物の調製に用いた成分とその配合量（質量部、固形分換算）を下記表に示した。なお、下記表中の記載等は以下のとおりである。
（Ｄ）成分の含有量（質量％）：樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｄ）成分の含有量
（Ｂ）成分の含有量（質量％）：樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ）成分の含有量 The components used for the preparation of the resin compositions of Examples and Comparative Examples and their blending amounts (parts by mass, in terms of solid content) are shown in the following table. The descriptions in the table below are as follows.
(D) Component content (% by mass): (D) Component content when the non-volatile component of the resin composition is 100% by mass (B) Component content (% by mass): Non-volatile resin composition Content of component (B) when component is 100% by mass

Figure 2018168354
Figure 2018168354

各実施例において、（Ｅ）〜（Ｉ）成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。   In each Example, even if it is a case where it does not contain (E)-(I) component, although it has a difference in a grade, it has confirmed that it results in the same result as the said Example.

Claims (18)

（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）無機充填材、
（Ｃ）硬化剤、及び
（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー、を含有する樹脂組成物。 (A) epoxy resin,
(B) inorganic filler,
A resin composition comprising (C) a curing agent, and (D) an amphiphilic polyether block copolymer. （Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、５０質量％以上９５質量％以下である、請求項１に記載の樹脂組成物。   (B) The resin composition of Claim 1 whose content of a component is 50 to 95 mass% when the non-volatile component in a resin composition is 100 mass%. （Ｂ）成分が、窒素原子含有シランカップリング剤で処理されている、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the component (B) is treated with a nitrogen atom-containing silane coupling agent. （Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．３質量％以上１５質量％以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。   (D) Content of a component is 0.3 mass% or more and 15 mass% or less of any one of Claims 1-3 when the non-volatile component in a resin composition is 100 mass%. Resin composition. （Ｄ）成分が、少なくとも一つのエポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントと、少なくとも一つのエポキシ樹脂非混和性ポリエーテルブロックセグメントとを含むブロックコポリマーである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。   The component (D) is a block copolymer comprising at least one epoxy resin-miscible polyether block segment and at least one epoxy resin-immiscible polyether block segment. The resin composition as described. エポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントが、ポリエチレンオキシドブロック、ポリプロピレンオキシドブロック、ポリ（エチレンオキシド−ｃｏ−プロピレンオキシド）ブロック、ポリ（エチレンオキシド−ｒａｎ−プロピレンオキシド）ブロック、及びそれらの混合物から選択される１種以上のポリアルキレンオキシドブロックであり、
エポキシ樹脂非混和性ポリエーテルブロックセグメントが、ポリブチレンオキシドブロック、ポリヘキシレンオキシドブロック、ポリドデシレンオキシドブロック、及びそれらの混合物から選択される１種以上のポリアルキレンオキシドブロックである、請求項５に記載の樹脂組成物。 One wherein the epoxy resin miscible polyether block segment is selected from a polyethylene oxide block, a polypropylene oxide block, a poly (ethylene oxide-co-propylene oxide) block, a poly (ethylene oxide-ran-propylene oxide) block, and mixtures thereof The above polyalkylene oxide block,
The epoxy resin immiscible polyether block segment is one or more polyalkylene oxide blocks selected from polybutylene oxide blocks, polyhexylene oxide blocks, polydodecylene oxide blocks, and mixtures thereof. 5. The resin composition according to 5. さらに、（Ｅ）カルボジイミド化合物を含有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。   Furthermore, the resin composition of any one of Claims 1-6 containing (E) carbodiimide compound. さらに、（Ｆ）熱可塑性樹脂を含有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。   Furthermore, the resin composition of any one of Claims 1-7 containing the thermoplastic resin (F). （Ｃ）成分が、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤から選ばれる１種以上である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to any one of claims 1 to 8, wherein the component (C) is at least one selected from a triazine skeleton-containing phenolic curing agent and an active ester curing agent. （Ａ）成分が、縮合環構造を有するエポキシ樹脂を含有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の樹脂組成物。   (A) The resin composition of any one of Claims 1-9 in which a component contains the epoxy resin which has a condensed ring structure. 樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物の硬化収縮率が０．２７％以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to any one of claims 1 to 10, wherein a cured shrinkage of a cured product obtained by thermally curing the resin composition at 180 ° C for 90 minutes is 0.27% or less. 樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物の２５℃〜１５０℃における線熱膨張係数が３ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物。   12. The linear thermal expansion coefficient at 25 ° C. to 150 ° C. of the cured product obtained by thermosetting the resin composition at 180 ° C. for 90 minutes is 3 ppm / ° C. or more and 30 ppm / ° C. or less. Resin composition. 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to claim 1, which is a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package. セミアディティブプロセス法によって回路形成する回路基板の絶縁層用樹脂組成物である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to any one of claims 1 to 13, which is a resin composition for an insulating layer of a circuit board for forming a circuit by a semi-additive process method. 支持体と、該支持体上に設けられた、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。   The resin sheet which has a support body and the resin composition layer provided on this support body containing the resin composition of any one of Claims 1-14. 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。   The circuit board containing the insulating layer formed with the hardened | cured material of the resin composition of any one of Claims 1-14. 請求項１６に記載の回路基板と、前記回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。   A semiconductor chip package comprising the circuit board according to claim 16 and a semiconductor chip mounted on the circuit board. 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の樹脂組成物または請求項１５に記載の樹脂シートにより封止された、半導体チップを含む半導体チップパッケージ。   The semiconductor chip package containing the semiconductor chip sealed with the resin composition of any one of Claims 1-14, or the resin sheet of Claim 15.
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