JP2018148059A - 熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品およびその実装方法 - Google Patents

Abstract

【課題】人の手で実装が行われる場合であっても、信頼性の高い実装を容易に行うことができる、熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】コンデンサ本体３０、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂを含む積層セラミックコンデンサ２０と、Ｔ方向に見て積層セラミックコンデンサ２０を包囲するように取り付けられる熱収縮チューブ１００と、を備え、熱収縮チューブ１００は、第１の金属端子８０ａの端子接合部８２を第１の外部電極７０ａに押さえ付け、且つ第２の金属端子８０ｂの端子接合部８２を第２の外部電極７０ｂに押さえ付ける押圧部１１０を含むことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

この発明は、熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品に関する。

チップ型の積層セラミック電子部品（例えば、積層セラミックコンデンサ）は、一般に、一対の外部電極それぞれを配線基板上のランド部に直接半田付けする表面実装方式により実装される。しかしながら、配線基板と積層セラミック電子部品との熱膨張係数差や配線基板の撓みなどに起因して生じる応力により、電子部品本体にクラックが発生したり、電子部品本体から一対の外部電極が剥離したりしてしまう可能性があった。また、チップ型の積層セラミックコンデンサは、一般に、誘電率の比較的高い強誘電体材料（例えば、チタン酸バリウムなど）を用いて形成されるが、強誘電体材料は、圧電性や電歪性を有するため、電界が加わった際に電子部品本体に応力や機械的歪みが生じてしまう。さらに、このような応力や機械的歪みは、電子部品本体から一対の外部電極を経て配線基板へと振動となり伝わる。そして、配線基板全体が音響反射面となり、雑音となる振動音（いわゆる「鳴き」）が発生してしまうという問題があった。このような問題を解決することを目的とした積層セラミック電子部品として、例えば、特許文献１の積層セラミックコンデンサがある。

特許文献１において、積層セラミックコンデンサの素子を構成するコンデンサ素子の両端部それぞれには、金属材によりそれぞれ形成された一対の金属端子が当接されている。コンデンサ素子の左側の端子電極に金属端子が対向して配置され、また、コンデンサ素子の右側の端子電極に金属端子が対向して配置されている。すなわち、特許文献１の積層セラミックコンデンサは、一対の外部電極それぞれに弾性を有する金属端子が接合され、当該金属端子を配線基板上のランド部に半田付けすることにより実装が行われる。これにより、特許文献１の積層セラミックコンデンサは、電子部品本体に生じる応力や、それが配線基板に伝わることにより生じる振動音などが抑制され得る。

特開２００５−６４３７７号公報

特許文献１のように一対の金属端子を備える積層セラミック電子部品は、一般に、実装機を用いて配線基板に実装される。しかしながら、工場出荷後にユーザー側で行われる感触評価などの際に、半田ごてなどを用いて人の手で実装される場合もある。このような場合、半田を溶融させるための熱（例えば、半田ごてなどの熱）により、電子部品本体と金属端子とを接合する溶融させてはいけない接合材（半田など）も一緒に溶融させてしまう可能性がある。その結果、電子部品本体と金属端子との間でずれが生じたり、電子部品本体から金属端子が外れ落ちたりしてしまう問題があった。また、実装用半田を供給しすぎてしまう場合があるため、電子部品本体と金属端子とを接合する接合材と、実装用半田とが一体化してしまい、一対の金属端子が奏し得る本来の効果が失われてしまうことがあった。

それゆえに、この発明の目的は、人の手で実装が行われる場合であっても、信頼性の高い実装を容易に行うことができる、熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品およびその実装方法を提供することである。

この発明に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサは、複数のセラミック層、複数の第１の内部電極および複数の第２の内部電極が積層されることにより直方体状に形成され、高さ方向において相対する第１の主面および第２の主面、高さ方向に直交する幅方向において相対する第１の側面および第２の側面、並びに高さ方向および幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面および第２の端面を含む積層体と、第１の端面に形成されることにより、複数の第１の内部電極に電気的に接続される第１の外部電極と、第２の端面に形成されることにより、複数の第２の内部電極に電気的に接続される第２の外部電極と、を有する電子部品本体と、第１の外部電極に接合材を用いて接合される端子接合部と、実装されたとき配線基板と電子部品本体との間に隙間を形成するように端子接合部から延長されて高さ方向に延びる延長部と、延長部の配線基板側の縁部から屈曲して長さ方向に延びる実装部と、を有する第１の金属端子と、第２の外部電極に接合材を用いて接合される端子接合部と、実装されたとき配線基板と電子部品本体との間に隙間を形成するように端子接合部から延長されて高さ方向に延びる延長部と、延長部の配線基板側の縁部から屈曲して長さ方向に延びる実装部と、を有する第２の金属端子と、を含む積層セラミック電子部品と、高さ方向に見て積層セラミック電子部品を包囲するように取り付けられる熱収縮チューブと、を備え、熱収縮チューブは、第１の金属端子の端子接合部を第１の外部電極に押さえ付け、且つ第２の金属端子の端子接合部を第２の外部電極に押さえ付ける押圧部を含むことを特徴とする。
好ましくは、熱収縮チューブは、押圧部と一体的に形成され、且つ延長部が延びる方向と相対する方向に突き出るように形成される突出部をさらに含む。
前述したいずれかに記載の熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品を配線基板に実装するための実装方法であって、熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品を準備する第１の工程と、第１のランド部および第２のランド部を備える配線基板を準備する第２の工程と、第１の金属端子の実装部を第１のランド部に当接させ、且つ第２の金属端子の実装部を第２のランド部に当接させる第３の工程と、第１の金属端子の実装部を第１のランド部に半田を用いて接合し、且つ第２の金属端子の実装部を第２のランド部に半田を用いて接合する第４の工程と、積層セラミック電子部品から熱収縮チューブを取り外す第５の工程と、を備える。
好ましくは、第３の工程は、突出部を把持して積層セラミック電子部品を移動させることにより行われる。

この発明によれば、人の手で実装が行われる場合であっても、信頼性の高い実装を容易に行うことができる、熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品およびその実装方法を提供し得る。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

この発明の一実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。 この発明の一実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサの図１に示すＩＩ−ＩＩ断面図である。 この発明の一実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサを配線基板上の第１のランド部および第２のランド部に当接させる様子を示す概略図である。 この発明の一実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサを配線基板上の第１のランド部および第２のランド部に接合する様子を示す概略図である。 この発明の一実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサを配線基板に実装した後、熱収縮チューブを取り外す様子を示す概略図である。

１．熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ
以下、この発明の一実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ（熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品）について、図１および図２に基づいて説明する。図１は、この発明の一実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。図２は、この発明の一実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサの図１に示すＩＩ−ＩＩ断面図である。

この実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０は、積層セラミックコンデンサ２０と、積層セラミックコンデンサ２０に取り付けられる略円筒形状の熱収縮チューブ１００とを備える。熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０の全体的な寸法（すなわち、積層セラミックコンデンサ２０および熱収縮チューブ１００の両方を含む寸法）は、後述するＬ方向の寸法をＬ寸法とし、同Ｗ方向の寸法をＷ寸法とし、且つ同Ｔ方向の寸法をＴ寸法としたとき、特に限定されないが、Ｌ寸法が１．０ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であり、Ｗ寸法が０．５ｍｍ以上７．０ｍｍ以下であり、且つＴ寸法が３．０ｍｍ以上３０ｍｍ以下であることが好ましい。

（１）積層セラミックコンデンサ２０
積層セラミックコンデンサ２０は、コンデンサ本体３０（電子部品本体）と、コンデンサ本体３０に接合される第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂとを備える。

（コンデンサ本体３０）
コンデンサ本体３０は、直方体状に形成される積層体４０と、積層体４０の表面に形成される第１の外部電極７０ａおよび第２の外部電極７０ｂとを備える。コンデンサ本体３０の寸法は、特に限定されないが、例えば、次のような寸法Ａ、寸法Ｂまたは寸法Ｃなどとすることが好ましい。
・寸法Ａ：Ｌ方向の寸法１．８５ｍｍ以上２．２ｍｍ以下、Ｗ方向の寸法１．１ｍｍ以上１．４５ｍｍ以下、Ｔ方向の寸法１．１ｍｍ以上１．４５ｍｍ以下
・寸法Ｂ：Ｌ方向の寸法３．２ｍｍ以上３．５ｍｍ以下、Ｗ方向の寸法１．５ｍｍ以上１．９ｍｍ以下、Ｔ方向の寸法１．５ｍｍ以上１．９ｍｍ以下
・寸法Ｃ：Ｌ方向の寸法５．６５ｍｍ以上６．２ｍｍ以下、Ｗ方向の寸法４．８ｍｍ以上５．２ｍｍ以下、Ｔ方向の寸法１．７５ｍｍ以上２．７ｍｍ以下

（積層体４０）
積層体４０は、複数の誘電体層５０（複数のセラミック層）と、複数の第１の内部電極６０ａと、複数の第２の内部電極６０ｂとが積層されることにより直方体状に形成される。積層体４０は、高さ方向（以下「Ｔ方向」という）において相対する第１の主面４２ａおよび第２の主面４２ｂと、Ｔ方向に直交する幅方向（以下「Ｗ方向」という）において相対する第１の側面４４ａおよび第２の側面４４ｂと、Ｔ方向およびＷ方向に直交する長さ方向（以下「Ｌ方向」という）において相対する第１の端面４６ａおよび第２の端面４６ｂとを含む。積層体４０は、その角部および稜線部に丸みを付けられることが好ましい。また、積層体４０の主面、側面および端面の一部または全部に凹凸などが形成されてもよい。

（誘電体層５０）
誘電体層５０は、第１の内部電極６０ａと第２の内部電極６０ｂとの間に挟まれて積層される。誘電体層５０は、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃またはＣａＺｒＯ₃などの誘電体セラミックを主成分とする誘電体材料（セラミック材料）を用いて形成することができる。また、前述したような主成分に、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加してもよい。なお、副成分は主成分よりも含有量が少ない。誘電体層５０の１層あたりの厚さは、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。

（第１の内部電極６０ａおよび第２の内部電極６０ｂ）
第１の内部電極６０ａは、誘電体層５０の表面を平板状に延在し、その端部が積層体４０の第１の端面４６ａに露出することにより、第１の外部電極７０ａと電気的に接続される。一方、第２の内部電極６０ｂは、誘電体層５０の表面を平板状に延在し、その端部が積層体４０の第２の端面４６ｂに露出することにより、第２の外部電極７０ｂと電気的に接続される。

第１の内部電極６０ａは、誘電体層５０を介して第２の内部電極６０ｂに対向する対向部と、対向部から第１の端面４６ａ側に引き出される引出し部と、第１の端面４６ａから露出する露出部とを有する。同様に、第２の内部電極６０ｂは、誘電体層５０を介して第１の内部電極６０ａに対向する対向部と、対向部から第２の端面４６ｂ側に引き出される引出し部と、第２の端面４６ｂから露出する露出部とを有する。この実施の形態では、第１の内部電極６０ａの対向部と第２の内部電極６０ｂの対向部とが誘電体層５０を介して対向することにより、静電容量が発生する。その結果、この実施の形態に係るコンデンサ本体３０は、コンデンサとして機能する。

第１の内部電極６０ａおよび第２の内部電極６０ｂは、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＡｕなどの金属や、これらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金など）の適宜の導電材料を用いて形成することができる。また、第１の内部電極６０ａおよび第２の内部電極６０ｂの１層あたりの厚さは、それぞれ、０．２μｍ以上２．０μｍ以下程度であることが好ましい。

（第１の外部電極７０ａおよび第２の外部電極７０ｂ）
第１の外部電極７０ａは、第１の端面４６ａに形成されることにより、第１の内部電極６０ａと電気的に接続される。第１の外部電極７０ａは、第１の端面４６ａに形成された部分から延長されて、第１の主面４２ａ、第２の主面４２ｂ、第１の側面４４ａおよび第２の側面４４ｂそれぞれの一部まで至るように形成されることが好ましい。なお、第１の外部電極７０ａは、第１の端面４６ａにのみ形成されてもよい。一方、第２の外部電極７０ｂは、第２の端面４６ｂに形成されることにより、第２の内部電極６０ｂと電気的に接続される。第２の外部電極７０ｂは、第２の端面４６ｂに形成された部分から延長されて、第１の主面４２ａ、第２の主面４２ｂ、第１の側面４４ａおよび第２の側面４４ｂそれぞれの一部まで至るように形成されることが好ましい。なお、第２の外部電極７０ｂは、第２の端面４６ｂにのみ形成されてもよい。

第１の外部電極７０ａおよび第２の外部電極７０ｂそれぞれは、第１の端面４６ａまたは第２の端面４６ｂに形成される下地電極層と、下地電極層の表面に形成されるめっき層とを含む。

（下地電極層）
下地電極層は、焼付け層、樹脂層および薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含む。

焼付け層は、第１の端面４６ａまたは第２の端面４６ｂに直接形成される。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む。焼付け層のガラスは、例えば、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｌｉ、ＮａおよびＫなどから選ばれる少なくとも１つを含む。また、焼付け層の金属は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金およびＡｕなどから選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体４０の表面に塗布して焼き付けることにより形成することができる。焼付け層は、第１の内部電極６０ａおよび第２の内部電極６０ｂと同時焼成することにより形成されてもよいし、第１の内部電極６０ａおよび第２の内部電極６０ｂを焼成した後で焼き付けることにより形成されてもよい。なお、焼付け層は複数層構造であってもよい。焼付け層の最も厚い部分の厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。

樹脂層は、焼付け層の表面に形成されてもよいし、焼付け層を形成せずに第１の端面４６ａおよび第２の端面４６ｂの表面に直接形成されてもよい。樹脂層は、例えば、導電性粒子および熱硬化性樹脂を含んでもよい。なお、樹脂層は、複数層構造であってもよい。樹脂層の最も厚い部分の厚さは、２０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。

薄膜層は、スパッタ法または蒸着法などの薄膜形成法により形成される。なお、薄膜層は、金属粒子が堆積した１μｍ以下の層である。

（めっき層）
めっき層は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金およびＡｕなどから選ばれる少なくとも１種の金属または合金を含むことが好ましい。めっき層は複数層構造であってもよい。好ましくは、下層側に形成されるＮｉめっきと、上層側に形成されるＳｎめっきとを含んだ２層構造である。下地電極層の表面にＮｉめっきが形成されることにより、半田による侵食を防止することができる。また、Ｎｉめっきの表面にさらにＳｎめっきが形成されることにより、半田の濡れ性を向上させることができる。これにより、実装作業を容易に行うことができる。めっき層の１層あたりの厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。

（めっき電極）
第１の外部電極７０ａおよび第２の外部電極７０ｂそれぞれは、積層体４０の表面に直接形成され、第１の内部電極６０ａまたは第２の内部電極６０ｂに電気的に接続されるめっき電極を含んだ構造であってもよい。このような場合、前処理として積層体４０の表面に触媒を配設した後で、めっき電極が形成されてもよい。好ましくは、めっき電極は、積層体４０の表面に形成される下層めっき電極と、下層めっき電極の表面に形成される上層めっき電極とを含んだ２層構造である。下層めっき電極および上層めっき電極それぞれは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉおよびＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属が含まれる合金を含むことが好ましい。なお、下層めっき電極は、半田バリア性能を有するＮｉを用いて形成されることが好ましく、上層めっき電極は、半田濡れ性が良好なＳｎやＡｕを用いて形成されることが好ましい。また、例えば、第１の内部電極６０ａおよび第２の内部電極６０ｂがＮｉを用いて形成される場合、下層めっき電極は、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。なお、上層めっき電極は必要に応じて形成されればよく、第１の外部電極７０ａおよび第２の外部電極７０ｂそれぞれは、下層めっき電極のみから構成されてもよい。また、上層めっき電極を最外層としてもよいし、上層めっき電極の表面にさらに他のめっき電極を形成してもよい。めっき電極に含まれる層の１層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。めっき電極は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき電極の単位体積あたりの金属割合は、９９体積％以上であることが好ましい。めっき電極は、その厚さ方向に沿って粒成長した柱状である。

（第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂ）
第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂそれぞれは、コンデンサ本体３０を配線基板に実装するために設けられる。第１の金属端子８０ａは、第１の外部電極７０ａに接合される。また、第２の金属端子８０ｂは、第２の外部電極７０ｂに接合される。なお、第１の金属端子８０ａと第２の金属端子８０ｂは互いに同じ構造を有するため、以下では特に必要な場合を除いて、第１の金属端子８０ａについてのみ説明し、第２の金属端子８０ｂについての同様となる説明は繰り返さない。

第１の金属端子８０ａは、第１の外部電極７０ａに接合材９０を用いて接合される内面（すなわち、コンデンサ本体３０側の面）と、内面に相対する外面（すなわち、コンデンサ本体３０とは反対側の面）と、内面と外面を互いに接続する周囲面（すなわち、第１の金属端子８０ａの厚さを形成する面）とを有する。

第１の金属端子８０ａは、第１の外部電極７０ａに接合材９０を用いて接合される端子接合部８２と、端子接合部８２から延長されてＴ方向に延びる延長部８４と、延長部８４のＴ方向の縁部から屈曲してＬ方向に延びる実装部８６とを含む。端子接合部８２と延長部８４とは、同一平面（ＴＷ平面）上を延在する一枚の平板状に形成され、実装部８６は、ＷＬ平面上を延在する平板状に形成される。すなわち、第１の金属端子８０ａは、断面Ｌ字形状である。このように、第１の金属端子８０ａ（および第２の金属端子８０ｂ）が断面Ｌ字形状であることにより、配線基板の撓みに対する積層セラミックコンデンサ２０の耐性を向上させることができる。なお、延長部８４と実装部８６とが交わる角部には丸みが付けられてもよい。また、配線基板の撓みに対する耐性を向上させることができる形状であれば、第１の金属端子８０ａ（および第２の金属端子８０ｂ）は、断面Ｌ字形状以外の形状であってもよい。

端子接合部８２は、第１の端面４６ａに形成された第１の外部電極７０ａに接合材９０を用いて接合される。端子接合部８２は、例えば、平板状に形成され、その厚さ方向に見て四角形状である。端接合部８２の各種寸法は、特に限定されないが、第１の外部電極７０ａと同等のＷ方向の寸法を有することが好ましい。なお、端子接合部８２には、切欠きなどが穿設されてもよい。

延長部８４は、実装されたとき配線基板とコンデンサ本体３０との間に隙間を形成するようにＴ方向に延びる。延長部８４は、例えば、平板状に形成され、その厚さ方向に見て四角形状である。延長部８４の内面は、端子接合部８２の内面と同一平面上を延在するように形成され、且つ延長部８４の外面は、端子接合部８２の外面と同一平面上を延在するように形成される。延長部８４の各種寸法は、特に限定されないが、端子接合部８２と同等のＷ方向の寸法を有してもよいし、または端子接合部８２よりも小さい若しくは大きいＷ方向の寸法を有してもよい。なお、延長部８４には、切欠きなどが穿設されてもよい。

延長部８４は、コンデンサ本体３０を配線基板から浮かせるために設けられる。これにより、電子部品本体２０と配線基板との熱膨張係数差や、配線基板の撓みなどに起因して内部応力が生じたとき、および電圧が印加されることで誘電体層５０に機械的な歪みが生じたとき、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂが弾性変形し、これらを吸収することができる。その結果、コンデンサ本体３０にクラックが発生すること、第１の外部電極７０ａおよび第２の外部電極７０ｂが積層体４０から剥離すること、並びに配線基板全体が音響反射面となり、雑音となる振動音が発生することなどを抑制することができる。

実装部８６は、延長部８４の配線基板側の縁部から直角に屈曲し、Ｌ方向の内側に向かって延びる。すなわち、実装部８６は、コンデンサ本体３０の第２の主面４２ｂとＴ方向において対向する。実装部８６の各種寸法は、特に限定されないが、積層体４０の第２の主面４２ｂ側に形成される第１の外部電極７０ａよりも大きいＬ方向の寸法を有することが好ましい。これにより、積層セラミックコンデンサ２０をマウントする際に各部品の位置を検出する場合、検出ミスを防止することができる。具体的には、積層セラミックコンデンサ２０を第２の主面４２ｂ側（実装部８６側）からカメラを用いて画像認識し、各部品の位置を検出するような場合、第１の金属端子８０ａの実装部８６に第１の外部電極７０ａが隠れるため、第１の外部電極７０ａを第１の金属端子８０ａとして誤認識することを防止することができる。さらに、実装部８６のＬ方向の寸法は、延長部８４のＴ方向の寸法よりも大きく形成されてもよい。なお、実装部８６には、切欠きなどが穿設されてもよい。

第１の金属端子８０ａは、例えば、板状のリードフレームを用いて形成される。第１の金属端子８０ａは、端子本体と、端子本体の表面に形成されるめっき膜とを含む。

端子本体は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの１種以上の金属を主成分とする合金を含むことが好ましい。具体的には、端子本体の母材には、例えば、Ｆｅ−１８Ｃｒ合金、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金またはＣｕ−８Ｓｎ合金などを用いることができる。端子本体の厚さは、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下程度であることが好ましい。

めっき膜は、端子本体の表面に形成される下層めっき膜と、下層めっき膜の表面に形成される上層めっき膜とを有することが好ましい。なお、下層めっき膜および上層めっき膜は、それぞれ、複数のめっき膜を含んで構成されてもよい。下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの１種以上の金属を主成分とする合金を含む。好ましくは、下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの１種以上の金属を主成分とする合金からなる。上層めっき膜は、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの金属のうちの１種以上の金属を主成分とする合金を含む。好ましくは、上層めっき膜は、ＳｎまたはＳｎを主成分とする合金からなることが好ましい。なお、上層めっき膜がＳｎまたはＳｎを主成分とする合金を含むことにより、第１の金属端子８０ａと第１の外部電極７０ａ（および第２の金属端子８０ｂと第２の外部電極７０ｂ）の半田付き性を向上させることができる。下層めっき膜の厚さは、０．２μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。上層めっき膜の厚さは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。なお、端子本体および下層めっき膜のそれぞれが比較的高融点の金属（例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの１種以上の金属を主成分とする合金）から構成されることにより、第１の外部電極７０ａ（および第２の外部電極７０ｂ）の耐熱性を向上させることができる。

めっき膜は、延長部８４および実装部８６それぞれの周囲面において形成されなくてもよい。これにより、配線基板に半田を用いて熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０を実装するとき、第１の金属端子８０ａに半田が濡れ上がることを抑制することができる。すなわち、コンデンサ本体３０と実装部８６との間に形成された間隙に半田が充填されてしまうことを防止することができるため、コンデンサ本体３０と実装部８６との間に十分な大きさの間隙を確保することができる。これにより、配線基板への振動伝達を抑制することができる。その結果、積層セラミックコンデンサ２０は、安定して鳴き抑制の効果を奏することが可能になる。なお、めっき膜は、第１の金属端子８０ａ（および第２の金属端子８０ｂ）の全周囲面において形成されなくてもよい。

周囲面にめっき膜が形成されていない第１の金属端子８０ａ（および第２の金属端子８０ｂ）は、例えば、最初に端子本体の表面全体にめっき膜を形成し、その後で周囲面に形成されためっき膜のみ除去することで形成することができる。周囲面のめっき膜を除去する方法としては、切削や研磨などの機械的に除去する方法、レーザートリミングにより除去する方法、およびめっき剥離剤（例えば、水酸化ナトリウムなど）により除去する方法などが挙げられる。或いは、めっき膜を形成する前に端子本体の周囲面をレジストで覆い、めっき膜を形成した後で当該レジストを取り除くような方法も考えられる。

（接合材９０）
接合材９０は、第１の金属端子８０ａを第１の外部電極７０ａに接合し、且つ第２の金属端子８０ｂを第２の外部電極７０ｂに接合するものである。接合材９０は、特に限定されないが、例えば、半田や導電性接着剤などを用いることができる。接合材９０として半田を用いる場合、例えば、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系またはＳｎ−Ｂｉ系などの鉛フリー半田（ＬＦ半田）を用いることが好ましい。Ｓｎ−Ｓｂ系の半田を用いる場合、Ｓｂの含有率は、５％以上１５％以下程度であることが好ましい。

（２）熱収縮チューブ１００
熱収縮チューブ１００は、積層セラミックコンデンサ２０の一部を第１の主面４２ａ側から覆うように取り付けられる。熱収縮チューブ１００は、Ｔ方向に延びる軸線を有した略円筒形状であり、その根元側（積層セラミックコンデンサ２０の一部を覆う側）に位置する押圧部１１０と、押圧部１１０と一体的に形成され、Ｔ方向に延びる突出部１２０とを含む。なお、押圧部１１０の内径および外径は、突出部１２０のそれよりも大きくなる。熱収縮チューブ１００の材料としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレンプロピレンゴム、シリコンゴム、ポリフッ化ビニリデンおよびＰＴＦＥなどを用いることができる。その中でも、ポリオレフィン樹脂を用いることが好ましい。熱収縮チューブ１００の厚さは、特に限定されないが、０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが好ましい。

（押圧部１１０）
押圧部１１０は、Ｔ方向に見て積層セラミックコンデンサ２０を包囲するように配設される。そして、押圧部１１０は、径方向の内側に向かう収縮力により、第１の金属端子８０ａの端子接合部８２を第１の外部電極７０ａに押さえ付け、且つ第２の金属端子８０ｂの端子接合部８２を第２の外部電極７０ｂに押さえ付ける。具体的には、押圧部１１０は、第１の端面４６ａから第２の端面４６ｂに向かうＬ方向に沿って第１の金属端子８０ａの端子接合部８２を第１の外部電極７０ａに押さえ付け、且つ第２の端面４６ｂから第１の端面４６ａに向かうＬ方向に沿って第２の金属端子８０ｂの端子接合部８２を第２の外部電極７０ｂに押さえ付ける。押圧部１１０は、Ｔ方向において、コンデンサ本体３０の第２の主面４２ｂまたはその近傍から第１の主面４２ａに向かって延びるように配設されることが好ましい。押圧部１１０は、Ｔ方向に沿って、積層セラミックコンデンサ２０（コンデンサ本体３０、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂそれぞれ）と１．１ｍｍ以上１．４５ｍｍ以下の寸法でオーバーラップすることが好ましい。

（突出部１２０）
突出部１２０は、押圧部１１０と一体的に形成され、且つ延長部８４が延びる方向と相対する方向に突き出るように形成される。突出部１２０の軸線方向の寸法は、特に限定されないが、３ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。

（３）効果
この実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０は、積層セラミックコンデンサ２０の一部を第１の主面４２ａ側から覆うように取り付けられる熱収縮チューブ１００を備える。そして、熱収縮チューブ１００は、第１の金属端子８０ａの端子接合部８２を第１の外部電極７０ａに押さえ付け、且つ第２の金属端子８０ｂの端子接合部８２を第２の外部電極７０ｂに押さえ付ける押圧部１１０を含む。これにより、人の手で実装が行われる場合であっても、半田ごてなどの熱により接合材９０を一緒に溶融させてしまい、コンデンサ本体３０と第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂとの間でずれが生じたり、コンデンサ本体３０から第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂが外れ落ちたりしてしまう問題を抑制することができる。また、実装用半田を供給しすぎた場合であっても、接合材９０（すなわち、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂとコンデンサ本体３０との接合箇所）まで実装用半田が到達し得ないため、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂによって奏し得る鳴き抑制などの効果も失うことがない。その結果、人の手で実装が行われる場合であっても、信頼性の高い実装を容易に行うことができる、熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０を提供し得る。

この実施の形態に係る熱収縮チューブ１００は、押圧部１１０と一体的に形成され、且つ延長部８４が延びる方向と相対する方向に突き出るように形成される突出部１２０をさらに含む。これにより、人の手で実装が行われる場合であっても、配線基板上において、第１の金属端子８０ａの実装部８６を第１のランド部に当接させ、且つ第２の金属端子８０ｂの実装部８６を第２のランド部に当接させる後述する実装方法の第３の工程を、突出部１２０を把持して行うことができる。その結果、熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０を移動する際のハンドリングが容易になるため、この発明の効果を一層顕著にすることが可能となる。

２．製造方法
この発明に係る熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品の製造方法の一例について、上記した実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を例にして説明する。

（１）コンデンサ本体の準備
はじめに、上記した実施の形態に係るコンデンサ本体を準備する。具体的な手順は次の通りである。

まず、誘電体シートおよび内部電極用の導電性ペーストを準備する。誘電体シートや内部電極用の導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれる。バインダや溶剤としては、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。

次に、内部電極用の導電性ペーストを用いて、誘電体シートの表面に内部電極パターンを形成する。当該内部電極パターンの形成は、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより行うことができる。

さらに、内部電極パターンが形成されていない外層用の誘電体シートを所定枚数積層し、その表面に内部電極パターンが形成された内層用の誘電体シートを所定枚数積層し、その表面に内部電極パターンが形成されていない外層用の誘電体シートを所定枚数積層することにより、積層シートを作製する。

そして、積層シートをＴ方向にプレスすることにより、積層ブロックを作製する。当該プレスの手段としては、静水圧プレスなどを挙げることができる。

次に、積層ブロックを所定の寸法にカットし、積層チップを切り出す。このとき、バレル研磨などにより、積層チップの角部および稜線部に丸みを付けてもよい。

さらに、積層チップを焼成することにより、積層体を作製する。焼成温度は、誘電体や内部電極の材料にも依るが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。

最後に、積層体の両端面それぞれに外部電極を形成する。積層体の両端面それぞれに外部電極用の導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより、外部電極の焼付け層を形成することができる。焼付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。必要に応じて、焼付け層の表面にめっき層を形成してもよい。なお、焼付け層を形成せずに積層体の表面にめっき電極を直接形成してもよい。このような場合、積層体の表面にめっき処理を施したうえで、内部電極の積層体から露出した部分に下地めっき膜を形成する。めっき処理を施すにあたっては、電解めっきおよび無電解めっきのどちらを採用してもよい。なお、無電解めっきは、めっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを用いることが好ましい。なお、表面導体を形成することもできる。表面導体は、最外層の誘電体シートの表面に予め表面導体パターンを印刷しておき、積層体と同時焼成することにより形成されてもよいし、焼成後の積層体の主面に表面導体パターンを印刷して焼き付けることにより形成されてもよい。必要に応じて、めっき電極の表面にめっき層を形成してもよい。そして、必要に応じて、めっき電極の表面にめっき層を形成してもよい。

上記のようにして、コンデンサ本体を準備することができる。

（２）第１の金属端子および第２の金属端子の接合
つづいて、上記のようにして準備したコンデンサ本体に第１の金属端子および第２の金属端子を接合する。具体的な手順は次の通りである。

まず、上記した実施の形態に係る第１の金属端子および第２の金属端子並びに半田（接合材）を準備する。

次に、第１の外部電極および第１の金属端子の端子接合部のいずれか一方に半田を塗布し、且つ第２の外部電極および第２の金属端子の端子接合部のいずれか一方に半田を塗布する。

さらに、第１の外部電極に第１の金属端子の端子接合部を当接させた状態にし、且つ第２の外部電極に第２の金属端子の端子接合部を当接させた状態にする。

最後に、コンデンサ本体、第１の金属端子および第２の金属端子（並びに接合材）をリフローする。

上記のようにして、コンデンサ本体に第１の金属端子および第２の金属端子を接合することができる。

そして、上記のようにして、積層セラミックコンデンサ２０を準備することができる。

（３）熱収縮チューブの取り付け
最後に、上記のようにして準備した積層セラミックコンデンサ２０に熱収縮チューブ１００を取り付ける。具体的な手順は次の通りである。

まず、上記した実施の形態に係る熱収縮チューブを準備する。

次に、熱収縮チューブを積層セラミックコンデンサに第１の主面側から嵌め込む。

最後に、熱を加えて熱収縮チューブを収縮させる。このときの加熱温度は、熱収縮チューブの材料に合わせて適宜調整することができる。

上記のようにして、積層セラミックコンデンサ２０に熱収縮チューブ１００を取り付けることができる。

そして、以上のようにして、上記した実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０を製造することができる。

３．実装方法
この発明に係る熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品を配線基板に実装するための実装方法の一例について、上記した実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０を配線基板１５０に実装する場合を例に、図３〜５に基づいて説明する。図３は、この発明の一実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサを配線基板上の第１のランド部および第２のランド部に当接させる様子を示す概略図である。図４は、この発明の一実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサを配線基板上の第１のランド部および第２のランド部に接合する様子を示す概略図である。図５は、この発明の一実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサを配線基板に実装した後、熱収縮チューブを取り外す様子を示す概略図である。

（１）第１の工程
まず、上記した製造方法にしたがって、熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０を準備する第１の工程を行う。

（２）第２の工程
次に、第１のランド部１５２ａおよび第２のランド部１５２ｂを備える配線基板１５０を準備する第２の工程を行う。配線基板１５０の種類は、特に限定されないが、例えば、ガラエポ基板および紙フェノール基板などを用いることができる。また、第１のランド部１５２ａおよび第２のランド部１５２ｂの材料は、特に限定されないが、Ｃｕを用いることが好ましい。

（３）第３の工程
さらに、第１の金属端子８０ａの実装部８６を第１のランド部１５２ａに当接させ、且つ第２の金属端子８０ｂの実装部８６を第２のランド部１５２ｂに当接させる第３の工程を行う。好ましくは、当該第３の工程は、図３に示すように、熱収縮チューブ１００の突出部１２０をピンセットＰなどにより把持して熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０を移動させることにより行われる。

（４）第４の工程
そして、第１の金属端子８０ａの実装部８６を第１のランド部１５２ａに実装用半田１９０（半田）を用いて接合し、且つ第２の金属端子８０ｂの実装部８６を第２のランド部１５２ｂに実装用半田１９０を用いて接合する第４の工程が行われる。なお、当該第４の工程は、図４に示すように、半田供給部ＳＦから実装用半田１９０を供給し、供給された実装用半田１９０に半田ごてＳＩで熱を加えながら行われる。

（５）第５の工程
最後に、熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０から熱収縮チューブ１００を取り外す第５の工程が行われる。当該第５の工程は、図５に示すように、熱収縮チューブ１００の突出部１２０をピンセットＰなどにより把持して行われることが好ましい。これにより、熱収縮チューブ１００の取り外し作業を容易に行うことが可能となる。上記のようにして、積層セラミックコンデンサ２０が配線基板１５０に実装された状態となる。

以上のようにして、上記した実施の形態に係る熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０を配線基板１５０に実装することができる。

（６）効果
この実施の形態に係る実装方法では、熱収縮チューブ１００が、第１の金属端子８０ａの端子接合部８２を第１の外部電極７０ａに押さえ付け、且つ第２の金属端子８０ｂの端子接合部８２を第２の外部電極７０ｂに押さえ付ける押圧部１１０を含む。これにより、人の手で実装が行われる場合であっても、半田ごてＳＩなどの熱により接合材９０を一緒に溶融させてしまい、コンデンサ本体３０と第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂとの間でずれが生じたり、コンデンサ本体３０から第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂが外れ落ちたりしてしまう問題を抑制することができる。また、実装用半田１９０を供給しすぎた場合であっても、接合材９０（すなわち、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂとコンデンサ本体３０との接合箇所）まで実装用半田１９０が到達し得ないため、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂによって奏し得る鳴き抑制などの効果も失うことがない。その結果、人の手で実装が行われる場合であっても、信頼性の高い実装を容易に行うことができる、熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサの実装方法を提供し得る。

この実施の形態に係る実装方法では、熱収縮チューブ１００が、延長部８４が延びる方向と相対する方向に突き出るように形成される突出部１２０を含む。これにより、人の手で実装が行われる場合であっても、配線基板１５０上において、第１の金属端子８０ａの実装部８６を第１のランド部１５２ａに当接させ、且つ第２の金属端子８０ｂの実装部８６を第２のランド部１５２ｂに当接させる第３の工程を、突出部１２０を把持して行うことができる。その結果、熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０を移動する際のハンドリングが容易になるため、この発明の効果を一層顕著にすることが可能となる。

４．変形例
上記した実施の形態では、熱収縮チューブ１００が突出部１２０を含む場合について説明したが、これに限定されない。すなわち、熱収縮チューブ１００は、突出部１２０の代わりに、積層セラミックコンデンサ２０の第１の主面４２ａに熱収縮して貼り付くように配設される天面を含んだ中空の略直方体形状に形成されてもよい。これにより、熱収縮させる前の熱収縮チューブ１００を積層セラミックコンデンサ２０に嵌め込む作業を容易に行うことができる。その結果、熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０を容易に製造することができる。また、全体的な寸法が小さくなるため、保管や搬送に適した熱収縮チューブ付きコンデンサ１０を提供することができる。

上記した実施の形態に係る第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂそれぞれの端子接合部８２には、Ｗ方向の第１の側面４４ａ側の縁部からコンデンサ本体３０の第１の側面４４ａと対向して延在するように形成される一方のリブ部と、Ｗ方向の第２の側面４４ｂ側の縁部からコンデンサ本体３０の第２の側面４４ｂと対向して延在するように形成される他方のリブ部とが形成されてもよい。これにより、端子接合部８２の剛性を向上させることができる。したがって、例えば、積層セラミックコンデンサ２０にＬ方向に沿った外力などが加わった場合に端子接合部８２が変形してしまうことを抑制することができる。また、第１の外部電極７０ａと第１の金属端子８０ａとの接合面積、および第２の外部電極７０ｂと第２の金属端子８０ｂとの接合面積を大きくすることができるため、コンデンサ本体３０と第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂとの間でずれが生じたり、コンデンサ本体３０から第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂが外れ落ちたりしてしまう問題を抑制することができる。

ここで、熱収縮チューブ１００の押圧部１１０は、上記したように、径方向の内側に向かって収縮した状態で、Ｔ方向に見て積層セラミックコンデンサ２０を包囲するように配設される。すなわち、熱収縮チューブ１００は、Ｗ方向においても熱収縮した状態で積層セラミックコンデンサ２０に取り付けられる。これにより、熱収縮チューブ１００は、第１の金属端子８０ａの一方のリブ部を第１の外部電極７０ａに押さえ付け、且つ第１の金属端子８０ａの他方のリブ部を第１の外部電極７０ａに押さえ付ける。さらに、熱収縮チューブ１００は、第２の金属端子８０ｂの一方のリブ部を第２の外部電極７０ｂに押さえ付け、且つ第２の金属端子８０ｂの他方のリブ部を第２の外部電極７０ｂに押さえ付ける。以上の通りであるため、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端８０ｂそれぞれに上記のようなリブ部を形成することで、この発明の効果を一層顕著にすることが可能となる。

上記した実施の形態では、熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０が、コンデンサ本体３０を１つのみ備える場合について説明した。しかしながら、この場合に限定されず、熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ１０は、Ｔ方向に積み重ねられた複数のコンデンサ本体３０を備えてもよい。

上記した実施の形態では、実装部８６が、延長部８４のＴ方向の縁部から直角に屈曲し、Ｌ方向の内側に向かって延びる場合について説明した。しかしながら、この場合に限定されず、実装部８６は、延長部８４のＴ方向の縁部から直角に屈曲し、Ｌ方向の外側（すなわち、コンデンサ本体３０の反対側）に向かって延びるように形成されてもよい。

上記した実施の形態では、複数の誘電体層５０と複数の第１の内部電極６０ａと複数の第２の内部電極６０ｂとが、第１の主面４２ａおよび第２の主面４２ｂと平行に積層される場合について説明した。しかしながら、この場合に限定されず、複数の誘電体層５０と複数の第１の内部電極６０ａと複数の第２の内部電極６０ｂとは、例えば、第１の主面４２ａおよび第２の主面４２ｂと垂直に積層されてもよい。

上記では、電子部品本体がコンデンサである場合にして説明したが、これに限定されない。すなわち、電子部品本体は、例えば、圧電部品、サーミスタまたはインダクタなどであってもよい。電子部品本体が圧電部品である場合、セラミック材料として圧電体セラミックを用いることができる。また、電子部品本体がサーミスタである場合、セラミック材料として半導体セラミックを用いることができる。さらに、電子部品本体がインダクタである場合、セラミック材料として磁性体セラミックを用いることができる。なお、電子部品本体がインダクタである場合、第１の内部電極６０ａおよび第２の内部電極６０ｂはコイル状の導体となる。

なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。

１０ 熱収縮チューブ付き積層セラミックコンデンサ
２０ 積層セラミックコンデンサ
３０ コンデンサ本体
４０ 積層体
４２ａ 第１の主面
４２ｂ 第２の主面
４４ａ 第１の側面
４４ｂ 第２の側面
４６ａ 第１の端面
４６ｂ 第２の端面
５０ 誘電体層
６０ａ 第１の内部電極
６０ｂ 第２の内部電極
７０ａ 第１の外部電極
７０ｂ 第２の外部電極
８０ａ 第１の金属端子
８０ｂ 第２の金属端子
８２ 端子接合部
８４ 延長部
８６ 実装部
９０ 接合材
１００ 熱収縮チューブ
１１０ 押圧部
１２０ 突出部
１５０ 配線基板
１５２ａ 第１のランド部
１５２ｂ 第２のランド部
１９０ 実装用半田
Ｐ ピンセット
ＳＩ 半田ごて
ＳＦ 半田供給部

Claims (4)

1. 複数のセラミック層、複数の第１の内部電極および複数の第２の内部電極が積層されることにより直方体状に形成され、高さ方向において相対する第１の主面および第２の主面、前記高さ方向に直交する幅方向において相対する第１の側面および第２の側面、並びに前記高さ方向および前記幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面および第２の端面を含む積層体と、前記第１の端面に形成されることにより、前記複数の第１の内部電極に電気的に接続される第１の外部電極と、前記第２の端面に形成されることにより、前記複数の第２の内部電極に電気的に接続される第２の外部電極と、を有する電子部品本体と、
   前記第１の外部電極に接合材を用いて接合される端子接合部と、実装されたとき配線基板と前記電子部品本体との間に隙間を形成するように前記端子接合部から延長されて前記高さ方向に延びる延長部と、前記延長部の前記配線基板側の縁部から屈曲して前記長さ方向に延びる実装部と、を有する第１の金属端子と、
   前記第２の外部電極に接合材を用いて接合される端子接合部と、実装されたとき前記配線基板と前記電子部品本体との間に隙間を形成するように前記端子接合部から延長されて前記高さ方向に延びる延長部と、前記延長部の前記配線基板側の縁部から屈曲して前記長さ方向に延びる実装部と、を有する第２の金属端子と、を含む積層セラミック電子部品と、
   前記高さ方向に見て前記積層セラミック電子部品を包囲するように取り付けられる熱収縮チューブと、を備え、
   前記熱収縮チューブは、前記第１の金属端子の端子接合部を前記第１の外部電極に押さえ付け、且つ前記第２の金属端子の端子接合部を前記第２の外部電極に押さえ付ける押圧部を含むことを特徴とする、熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品。
2. 前記熱収縮チューブは、前記押圧部と一体的に形成され、且つ前記延長部が延びる方向と相対する方向に突き出るように形成される突出部をさらに含む、請求項１に記載の熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品。
3. 請求項１または２に記載の熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品を配線基板に実装するための実装方法であって、
   前記熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品を準備する第１の工程と、
   第１のランド部および第２のランド部を備える前記配線基板を準備する第２の工程と、
   前記第１の金属端子の実装部を前記第１のランド部に当接させ、且つ前記第２の金属端子の実装部を前記第２のランド部に当接させる第３の工程と、
   前記第１の金属端子の実装部を前記第１のランド部に半田を用いて接合し、且つ前記第２の金属端子の実装部を前記第２のランド部に半田を用いて接合する第４の工程と、
   前記積層セラミック電子部品から前記熱収縮チューブを取り外す第５の工程と、を備える、熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品の実装方法。
4. 前記第３の工程は、前記突出部を把持して前記積層セラミック電子部品を移動させることにより行われる、請求項３に記載の熱収縮チューブ付き積層セラミック電子部品の実装方法。

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