JP2018137353A - Electronic element mounting board, electronic device and electronic module - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve high functionalization of an electronic device by restraining leakage of electromagnetic wave noise from an electronic element mounting board, and reducing propagation of external electromagnetic wave noise to the electronic element mounting board.SOLUTION: An electronic element mounting board 1 includes a first insulation layer 2a, a metal layer 5 provided on the lower surface of the first insulation layer 2a, and a second insulation layer 2b provided on the lower surface of the metal layer 5. The electronic element mounting board 1 is provided with multiple electrodes 3, above the first insulation layer 2a or below the second insulation layer 2b, and has a mounting region 4 for mounting an electronic element 10, electrically connected with the electrodes 3 and held therebetween. In the cross-sectional view, the metal layer 5 has a first part 5a provided in parallel with the mounting region 4, and a second part 5b located above or below the first parts 5a located at both ends of the metal layer 5. The metal layer 5 has a ramp 5c located between the first and second parts 5a, 5b.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、電子素子、例えばCCD(Charge Coupled Device)型またはCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型等の撮像素子、LED(Light Emitting Diode)等の発光素子または集積回路等が実装される枠体および電子装置に関するものである。   The present invention relates to a frame on which an electronic element, for example, an imaging element such as a CCD (Charge Coupled Device) type or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) type, a light emitting element such as an LED (Light Emitting Diode) or an integrated circuit, etc. The present invention relates to an electronic device.

従来より、絶縁層からなる配線基板を備えた電子素子実装用基板が知られている。また、このような電子素子実装用基板に電子素子が実装された電子装置が知られている(特許文献1参照)。   2. Description of the Related Art Conventionally, an electronic element mounting board including a wiring board made of an insulating layer is known. Also, an electronic device in which an electronic element is mounted on such an electronic element mounting substrate is known (see Patent Document 1).

特開平9―312471号公報JP-A-9-312471

特許文献1に開示された技術では、絶縁層間に設けられた金属層が直線状になっている。しかしながら、金属層が直線状になっていると、電子素子実装用基板および電子装置は、電磁ノイズの影響を受ける場合があった。電磁ノイズは、一般的に電子部品、電子装置または電子素子が実装された電子素子実装用基板において、電子部品または電子素子が作動することによって放出されることがある。近年の情報機器または通信機器などのますますの高速化、電子部品の高密度化によって、各電子部品または電子装置同士の間の距離は小さくなる傾向があり、電磁波ノイズが他の電子装置または電子部品に漏えいまたは伝搬する場合があった。また、電子装置そのものにも外部からの不要な電磁波ノイズが外部から伝搬してくることがある。   In the technique disclosed in Patent Document 1, the metal layer provided between the insulating layers is linear. However, if the metal layer is linear, the electronic element mounting substrate and the electronic device may be affected by electromagnetic noise. In general, electromagnetic noise may be emitted when an electronic component or an electronic element operates on an electronic component mounting board on which the electronic component, electronic device, or electronic element is mounted. With recent increases in the speed of information equipment and communication equipment and the increase in the density of electronic components, the distance between each electronic component or electronic device tends to be reduced, and electromagnetic noise is reduced to other electronic devices or electronic devices. Some parts leaked or propagated. Further, unnecessary electromagnetic noise from the outside may propagate from the outside to the electronic device itself.

また、電磁ノイズの抑制のために、それぞれの電子装置または電子部品にシールドケースを取り付けると、シールドケース間に余分な空間が発生することから電子装置が大型化する場合があった。さらに、近年の小型化の要求により電子素子実装用基板において複数の異なる電位を有する配線間の距離は小さくなることで、発生した電磁波ノイズが近傍の異なる配線に伝搬し、ノイズがより大きくなる、または不用意な信号を発生させてしまう場合があった。   In addition, when a shield case is attached to each electronic device or electronic component in order to suppress electromagnetic noise, an extra space is generated between the shield cases, which may increase the size of the electronic device. Furthermore, due to the recent demand for miniaturization, the distance between wirings having different potentials on the electronic element mounting substrate is reduced, so that the generated electromagnetic wave noise propagates to different wirings in the vicinity, and the noise becomes larger. Or an inadvertent signal may be generated.

本発明の1つの態様に係る電子素子実装用基板は、第1絶縁層と、前記第1絶縁層の下面に設けられた金属層と、前記金属層の下面に設けられた第2絶縁層とを備えており、前記第1絶縁層の上方または前記第2絶縁層の下方には、複数の電極が設けられるとともに、前記電極と電気的に接続されて前記電極に挟まれて位置した、電子素子が実装される実装領域を有しており、断面視において、前記金属層は、前記実装領域と平行に設けられた第1部と、前記金属層の両端に位置した前記第1部よりも上方または下方に位置した第2部と、前記第1部と前記第2部との間に位置した傾斜部とを有していることを特徴としている。   An electronic element mounting substrate according to an aspect of the present invention includes a first insulating layer, a metal layer provided on a lower surface of the first insulating layer, and a second insulating layer provided on a lower surface of the metal layer. A plurality of electrodes are provided above the first insulating layer or below the second insulating layer, and are electrically connected to the electrodes and positioned between the electrodes. A mounting region in which an element is mounted; and in cross-sectional view, the metal layer includes a first part provided in parallel to the mounting region, and the first part located at both ends of the metal layer. It has the 2nd part located above or below, and the inclined part located between the said 1st part and the said 2nd part, It is characterized by the above-mentioned.

本発明の1つの態様に係る電子素子実装用基板は、第1絶縁層と、前記第1絶縁層の下面に設けられた、それぞれが間を空けて設けられた複数のメタライズ部を有する金属層と、前記金属層の下面に設けられた第2絶縁層とを備えており、前記第1絶縁層の上方また
は前記第2絶縁層の下方には、複数の電極が設けられるとともに、前記電極と電気的に接続されて前記電極に挟まれて位置した、電子素子が実装される実装領域を有しており、断面視において、前記複数のメタライズ部は、それぞれ前記実装領域と平行に設けられた第1部と、前記第1部よりも上方または下方に位置した第2部と、前記第1部と前記第2部との間に位置した傾斜部とを有しているとともに、前記第2部は、隣り合う前記メタライズ部同士の間に設けられていることを特徴としている。
An electronic element mounting substrate according to an aspect of the present invention includes a first insulating layer and a metal layer provided on the lower surface of the first insulating layer, each having a plurality of metallized portions spaced apart from each other. And a second insulating layer provided on the lower surface of the metal layer, and a plurality of electrodes are provided above the first insulating layer or below the second insulating layer, It has a mounting region in which an electronic element is mounted and is electrically connected and sandwiched between the electrodes, and the plurality of metallized portions are provided in parallel with the mounting region, respectively, in a cross-sectional view. The second part includes a first part, a second part located above or below the first part, and an inclined part located between the first part and the second part. The part is provided between the metallized parts adjacent to each other. It is characterized by a door.

本発明の1つの態様に係る電子装置は、上述した電子素子実装用基板と、電子素子実装用基板の前記前記実装領域に実装されるとともに、前記電極と電気的に接続された電子素子と、を備えている。   An electronic device according to an aspect of the present invention includes the above-described electronic element mounting substrate, the electronic element mounted on the mounting region of the electronic element mounting substrate, and electrically connected to the electrode, It has.

本発明の1つの態様に係る電子モジュールは、上述した電子装置と、前記電子装置の上面に接合された筐体とを備えている。   An electronic module according to one aspect of the present invention includes the above-described electronic device and a housing bonded to the upper surface of the electronic device.

本発明の1つの態様に係る電子素子実装用基板は、上述した構成により、金属層が第2部と傾斜部を有していることで、電子素子実装用基板からの不用意な電磁波ノイズが漏えいすることを低減させ、また外部からの電磁波ノイズの伝搬を抑制することを向上させることができる。また、本発明の1つの態様に係る電子素子実装用基板は、上記のような構成により、金属層が第2部と傾斜部を有していることで、隣り合う配線間において電磁波ノイズが伝搬することを低減させることが可能となる。さらに、上述した電子素子実装用基板を備えた電子装置を用いることによって、電磁波ノイズに対する遮蔽性を向上させることが可能な電子装置および電子モジュールを提供することが可能となる。   The electronic element mounting substrate according to one aspect of the present invention has the above-described configuration, and the metal layer has the second portion and the inclined portion, so that inadvertent electromagnetic noise from the electronic element mounting substrate is prevented. Leakage can be reduced, and suppression of propagation of electromagnetic wave noise from the outside can be improved. Moreover, the electronic device mounting substrate according to one aspect of the present invention has the above-described configuration, and the metal layer has the second portion and the inclined portion, so that electromagnetic wave noise propagates between adjacent wirings. It is possible to reduce this. Furthermore, it becomes possible to provide an electronic device and an electronic module that can improve shielding properties against electromagnetic noise by using an electronic device including the above-described electronic element mounting substrate.

図1(a)は本発明の第1の実施形態に係る電子素子実装用基板および電子装置の外観を示す上面図であり、図1(b)は図1(a)のX1−X1線に対応する縦断面図である。FIG. 1A is a top view showing the external appearance of the electronic element mounting substrate and the electronic device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is taken along line X1-X1 in FIG. It is a corresponding longitudinal cross-sectional view. 図2(a)は本発明の第1の実施形態のその他の態様に係る電子素子実装用基板、電子装置および電子モジュールの外観を示す上面図であり、図2(b)は図2(a)のX2−X2線に対応する縦断面図である。FIG. 2A is a top view showing the external appearance of the electronic element mounting substrate, the electronic device, and the electronic module according to another aspect of the first embodiment of the present invention, and FIG. It is a longitudinal cross-sectional view corresponding to line X2-X2. 図3(a)は本発明の第2の実施形態に係る電子素子実装用基板および電子装置の外観を示す上面図であり、図3(b)は図3(a)のX3−X3線に対応する縦断面図であるFIG. 3A is a top view showing the external appearance of the electronic element mounting substrate and the electronic device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 3B is an X3-X3 line in FIG. It is a corresponding longitudinal section 図4(a)は本発明の第2の実施形態のその他の態様に係る電子素子実装用基板、電子装置および電子モジュールの外観を示す上面図であり、図4(b)は図4(a)のX4−X4線に対応する縦断面図である。FIG. 4A is a top view showing the external appearance of an electronic element mounting substrate, an electronic device, and an electronic module according to another aspect of the second embodiment of the present invention, and FIG. It is a longitudinal cross-sectional view corresponding to line X4-X4. 図5(a)は本発明の第3の実施形態に係る電子素子実装用基板および電子装置の外観を示す上面図であり、図5(b)は図5(a)のX5−X5線に対応する縦断面図である。FIG. 5A is a top view showing the external appearance of the electronic device mounting substrate and the electronic device according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 5B is the X5-X5 line in FIG. It is a corresponding longitudinal cross-sectional view. 図6(a)は本発明の第4の実施形態に係る電子素子実装用基板および電子装置の外観を示す縦断面図であり、図6(b)は第4の実施形態のその他の態様に係る外観を示す縦断面図であるFIG. 6A is a longitudinal sectional view showing the external appearance of an electronic element mounting substrate and an electronic device according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 6B shows another aspect of the fourth embodiment. It is a longitudinal cross-sectional view which shows the external appearance which concerns 図7(a)は本発明の第5の実施形態に係る電子素子実装用基板および電子装置の外観を示す縦断面図であり、図7(b)は第5の実施形態のその他の態様に係る外観を示す縦断面図であるFIG. 7A is a longitudinal sectional view showing the external appearance of an electronic element mounting substrate and an electronic device according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 7B shows another aspect of the fifth embodiment. It is a longitudinal cross-sectional view which shows the external appearance which concerns 図8(a)は本発明の第6の実施形態に係る電子素子実装用基板および電子装置の外観を示す縦断面図であり、図8(b)は第5の実施形態のその他の態様に係る外観を示す縦断面図であるFIG. 8A is a longitudinal sectional view showing the external appearance of an electronic element mounting substrate and an electronic device according to a sixth embodiment of the present invention, and FIG. 8B shows another aspect of the fifth embodiment. It is a longitudinal cross-sectional view which shows the external appearance which concerns 図9は本発明の実施形態に係る電子素子実装用基板を作製する製造方法を説明する断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing method for producing an electronic device mounting board according to an embodiment of the present invention. 図10は本発明の実施形態に係る電子素子実装用基板を作製する製造方法を説明する断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing method for producing an electronic element mounting substrate according to an embodiment of the present invention.

<電子素子実装用基板および電子装置の構成>
以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明では、電子素子実装用基板に電子素子が実装され、電子素子実装用基板の上面に蓋体が接合された構成を電子装置とする。また、電子素子実装用基板の上面側、下面側または電子装置を覆うように設けられた筐体または部材を有する構成を電子モジュールとする。電子素子実装用基板、電子装置および電子モジュールは、いずれの方向が上方若しくは下方とされてもよいが、便宜的に、直交座標系xyzを定義するとともに、z方向の正側を上方とする。
<Configuration of Electronic Element Mounting Board and Electronic Device>
Hereinafter, some exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, an electronic device is a configuration in which an electronic element is mounted on an electronic element mounting board and a lid is bonded to the upper surface of the electronic element mounting board. In addition, a configuration having a housing or a member provided so as to cover the upper surface side, the lower surface side, or the electronic device of the electronic element mounting substrate is an electronic module. Any direction of the electronic element mounting substrate, the electronic device, and the electronic module may be upward or downward. For convenience, the orthogonal coordinate system xyz is defined and the positive side in the z direction is upward.

(第1の実施形態)
図1〜図2を参照して本発明の第1の実施形態における電子モジュール31、電子装置21、および電子素子実装用基板1について説明する。本実施形態における電子装置21は、電子素子実装用基板1と電子素子10とを備えている。なお、本実施形態では図1では電子装置21を示しており、図2では電子モジュール31を示している。
(First embodiment)
The electronic module 31, the electronic device 21, and the electronic element mounting substrate 1 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The electronic device 21 in this embodiment includes an electronic element mounting substrate 1 and an electronic element 10. In the present embodiment, FIG. 1 shows the electronic device 21, and FIG. 2 shows the electronic module 31.

電子素子実装用基板1は、第1絶縁層2aと、第1絶縁層2aの下面に設けられた金属層5と、金属層5の下面に設けられた第2絶縁層2bとを備えている。電子素子実装用基板1は第1絶縁層2aの上方または第2絶縁層2bの下方には、複数の電極3が設けられるとともに、電極3と電気的に接続されて電極3に挟まれて位置した、電子素子10が実装される実装領域4を有している。金属層5は、断面視において実装領域4と平行に設けられた第1部5aと、金属層5の両端に位置した第1部5aよりも上方または下方に位置した第2部5bを有している。金属層5は第1部5aと第2部5bとの間に位置した傾斜部5cとを有している。   The electronic element mounting substrate 1 includes a first insulating layer 2a, a metal layer 5 provided on the lower surface of the first insulating layer 2a, and a second insulating layer 2b provided on the lower surface of the metal layer 5. . The electronic element mounting substrate 1 is provided with a plurality of electrodes 3 above the first insulating layer 2a or below the second insulating layer 2b, and is electrically connected to the electrodes 3 and sandwiched between the electrodes 3. The electronic device 10 has a mounting area 4 on which the electronic element 10 is mounted. The metal layer 5 has a first part 5a provided in parallel with the mounting region 4 in a cross-sectional view, and a second part 5b located above or below the first part 5a located at both ends of the metal layer 5. ing. The metal layer 5 has an inclined part 5c located between the first part 5a and the second part 5b.

電子素子実装用基板1は、第1絶縁層2aと、第1絶縁層2aの下面に設けられた金属層5と、金属層5の下面に設けられた第2絶縁層2bとを備えている。なお、ここで、電子素子実装用基板1は第1絶縁層2aと第2絶縁層2b以外にその他の絶縁層2dを複数有していてもよい。ここでは便宜上、第1絶縁層2aと第2絶縁層2bとその他の絶縁層2dから構成された物体を基板2と称する。基板2は前述した複数の絶縁層(第1絶縁層2a、第2絶縁層2b、その他の絶縁層2d)から成る絶縁基板である。なお、基板2は第3絶縁層2cを含む場合もある。   The electronic element mounting substrate 1 includes a first insulating layer 2a, a metal layer 5 provided on the lower surface of the first insulating layer 2a, and a second insulating layer 2b provided on the lower surface of the metal layer 5. . Here, the electronic element mounting substrate 1 may include a plurality of other insulating layers 2d in addition to the first insulating layer 2a and the second insulating layer 2b. Here, for convenience, an object composed of the first insulating layer 2a, the second insulating layer 2b, and the other insulating layer 2d is referred to as a substrate 2. The substrate 2 is an insulating substrate composed of the plurality of insulating layers described above (first insulating layer 2a, second insulating layer 2b, and other insulating layers 2d). The substrate 2 may include a third insulating layer 2c.

基板2を構成する絶縁層の材料は例えば、電気絶縁性セラミックスが使用される。基板2を形成する絶縁層の材料として使用される電気絶縁性セラミックスとしては例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミック焼結体等である。   As the material of the insulating layer constituting the substrate 2, for example, electrically insulating ceramics are used. Examples of the electrically insulating ceramic used as the material of the insulating layer forming the substrate 2 include an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, an aluminum nitride sintered body, and silicon nitride. A quality sintered body or a glass ceramic sintered body.

基板2を形成する絶縁層は、前述した材料から成る絶縁層を複数上下に積層して形成されていてもよい。例えば第1絶縁層2aは基板2の最上層に位置していてもよいし、図1〜図2に示すように第1絶縁層2aの上面にその他の絶縁層2dを複数有していてもよい。また例えば、例えば第2絶縁層2bは基板2の最下層に位置していてもよいし、図1〜図2に示すように第2絶縁層2bの下面にその他の絶縁層2dを複数有していてもよい。   The insulating layer forming the substrate 2 may be formed by laminating a plurality of insulating layers made of the above-described materials. For example, the first insulating layer 2a may be located on the uppermost layer of the substrate 2, or may have a plurality of other insulating layers 2d on the upper surface of the first insulating layer 2a as shown in FIGS. Good. In addition, for example, the second insulating layer 2b may be located in the lowermost layer of the substrate 2, and as shown in FIGS. 1 to 2, a plurality of other insulating layers 2d are provided on the lower surface of the second insulating layer 2b. It may be.

基板2を形成する絶縁層は、図1に示すように6層の絶縁層から形成されていてもよいし、2層〜5層または7層以上の絶縁層から形成されていてもよい。絶縁層が2層〜5層
の場合には、電子素子実装用基板1の薄型化を図ることができる。また、絶縁層が7層以上の場合には、電子素子実装用基板1の剛性を高めることができる。また、図1〜図2に示す例のように、基板2に開口部を設け、設けた開口部の大きさを異ならせた上面に段差部を形成していてもよく、後述する電極3が段差部に設けられていてもよい。また、基板2は平板状であってもよい。
The insulating layer forming the substrate 2 may be formed from six insulating layers as shown in FIG. 1, or may be formed from two to five layers or seven or more insulating layers. When the insulating layer has two to five layers, the electronic element mounting substrate 1 can be thinned. Further, when the insulating layer has seven or more layers, the rigidity of the electronic element mounting substrate 1 can be increased. Also, as in the example shown in FIGS. 1 to 2, an opening may be provided in the substrate 2, and a stepped portion may be formed on the upper surface where the size of the provided opening is different. You may be provided in the level | step-difference part. Further, the substrate 2 may be flat.

基板2は例えば、1辺の大きさは0.3mm〜10cm程度であり、平面視において基
板2が矩形状あるとき、正方形であってもよいし長方形であってもよい。また例えば、基板2の厚みは0.2mm以上である。
For example, the size of one side of the substrate 2 is about 0.3 mm to 10 cm, and when the substrate 2 is rectangular in plan view, it may be square or rectangular. For example, the thickness of the substrate 2 is 0.2 mm or more.

電子素子実装用基板1は、第1絶縁層2aと第2絶縁層2bとの間に金属層5を有している。金属層5は基板2が電気絶縁性セラミックスから成る場合には、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、銀(Ag)若しくは銅(Cu)またはこれらから選ばれる少なくとも1種以上の金属材料を含有する合金等から成る。金属層5は上面視で第1絶縁層2aを覆うように設けられていてもよいし、一部だけに設けられていてもよい。   The electronic element mounting substrate 1 has a metal layer 5 between the first insulating layer 2a and the second insulating layer 2b. When the substrate 2 is made of an electrically insulating ceramic, the metal layer 5 is tungsten (W), molybdenum (Mo), manganese (Mn), silver (Ag), copper (Cu), or at least one selected from these. It is made of an alloy containing any metal material. The metal layer 5 may be provided so as to cover the first insulating layer 2a in a top view, or may be provided only in part.

電子素子実装用基板1の第1絶縁層2aの上方または第2絶縁層2bの下方には、複数の電極3が設けられるとともに、電極3と電気的に接続されて電極3に挟まれて位置した、電子素子10が実装される実装領域4を有している。複数の電極3は電子素子10と基板2とを電気的に接続する電気接続用電極パッドである。複数の電極3は少なくとも2つ以上設けられていればよい。またここでは、その複数の電極3の内側端部で囲われた部分を電子素子10が実装される実装領域4としている。電極3の内側端部とは、電極3と電子素子10とを接続する電子素子接続材13が接続されるエリアの内側端部のことを言い、それよりも内側に導通している配線が延びていても良い。なお、実装領域4は、基板2の中心部近傍に設けられていてもよいし、基板2の中心部から偏心した位置に設けられていてもよい。なお、実装領域4は上面視で電子素子10の外縁よりも大きくても良いし、後述する図5のように電子素子10の外縁よりも小さくても良い。   A plurality of electrodes 3 are provided above the first insulating layer 2a or below the second insulating layer 2b of the electronic element mounting substrate 1, and are electrically connected to the electrodes 3 and sandwiched between the electrodes 3. The electronic device 10 has a mounting area 4 on which the electronic element 10 is mounted. The plurality of electrodes 3 are electrode pads for electrical connection that electrically connect the electronic element 10 and the substrate 2. It is sufficient that at least two of the plurality of electrodes 3 are provided. Here, a portion surrounded by the inner ends of the plurality of electrodes 3 is a mounting region 4 on which the electronic element 10 is mounted. The inner end portion of the electrode 3 refers to the inner end portion of an area to which the electronic element connecting material 13 that connects the electrode 3 and the electronic element 10 is connected, and the wiring that is conductive to the inside extends. May be. The mounting region 4 may be provided in the vicinity of the center portion of the substrate 2 or may be provided at a position eccentric from the center portion of the substrate 2. The mounting region 4 may be larger than the outer edge of the electronic element 10 in a top view, or may be smaller than the outer edge of the electronic element 10 as shown in FIG.

基板2は電極3以外に、基板2の上面、側面または下面に、外部回路接続用の電極(以下、電極パッドと称する。)が設けられていてもよい。電極パッドは、基板2と外部回路基板、あるいは電子装置21と外部回路基板とを電気的に接続するものである。   In addition to the electrode 3, the substrate 2 may be provided with an electrode for connecting an external circuit (hereinafter referred to as an electrode pad) on the upper surface, side surface, or lower surface of the substrate 2. The electrode pad is for electrically connecting the substrate 2 and the external circuit board, or the electronic device 21 and the external circuit board.

さらに基板2の内部には、電極3および金属層5以外に、絶縁層間に形成される内部配線および内部配線同士を上下に接続する貫通導体が設けられていてもよい。これら内部配線または貫通導体は、基板2の表面に露出していてもよい。この内部配線または貫通導体によって、電極パッド、電極3および金属層5はそれぞれ電気的に接続されていてもよい。   Furthermore, in addition to the electrode 3 and the metal layer 5, an internal wiring formed between insulating layers and a through conductor that connects the internal wirings up and down may be provided inside the substrate 2. These internal wirings or through conductors may be exposed on the surface of the substrate 2. The electrode pad, the electrode 3 and the metal layer 5 may be electrically connected to each other by the internal wiring or the through conductor.

電極3、電極パッド、内部配線および貫通導体は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、銀(Ag)若しくは銅(Cu)またはこれらから選ばれる少なくとも1種以上の金属材料を含有する合金等から成る。電極3、電極パッド、内部配線および貫通導体の露出表面に、めっき層が設けられてもよい。この構成によれば、電極3、電極パッド、内部配線および貫通導体の露出表面を保護して酸化を抑制できる。また、この構成によれば、電極3と電子素子10とをワイヤボンディング等の電子素子接続材13を介して良好に電気的接続することができる。めっき層は、例えば、厚さ0.5μm〜10μmのNiめっき層を被着させるか、またはこのNiめっき層および厚さ0.5μm〜3μmの金(Au)めっき層を順次被着させてもよい。   The electrode 3, the electrode pad, the internal wiring, and the through conductor are made of tungsten (W), molybdenum (Mo), manganese (Mn), silver (Ag), copper (Cu), or at least one metal material selected from these. Consists of alloys and the like. A plating layer may be provided on the exposed surfaces of the electrode 3, the electrode pad, the internal wiring, and the through conductor. According to this configuration, the electrode 3, the electrode pad, the internal wiring, and the exposed surface of the through conductor can be protected to suppress oxidation. Moreover, according to this structure, the electrode 3 and the electronic element 10 can be favorably electrically connected via the electronic element connecting material 13 such as wire bonding. As the plating layer, for example, a Ni plating layer having a thickness of 0.5 μm to 10 μm may be deposited, or a gold (Au) plating layer having a thickness of 0.5 μm to 3 μm may be sequentially deposited. Good.

電子素子実装用基板1の金属層5は、断面視において実装領域4と平行に設けられた第
1部5aと、金属層5の両端に位置した第1部5aよりも上方または下方に位置した第2部5bを有している。金属層5は第1部5aと第2部5bとの間に位置した傾斜部5cとを有している。ここで、断面視において実装領域4と平行とは、基板2の外縁の内部において、第1部5aの延長線が実装領域4の仮想平面を延長線と接していない程度であればよく、工程誤差等で多少角度がついていても構わない。なお、仮想平面とは、複数の電極3の内側端部のZ軸方向における高さ位置の最小二乗法で求められる平面とする。
The metal layer 5 of the electronic element mounting substrate 1 is located above or below the first part 5a provided in parallel with the mounting region 4 in a cross-sectional view and the first parts 5a located at both ends of the metal layer 5. It has the 2nd part 5b. The metal layer 5 has an inclined part 5c located between the first part 5a and the second part 5b. Here, the parallel to the mounting region 4 in the cross-sectional view is sufficient if the extension line of the first part 5a does not contact the virtual plane of the mounting region 4 with the extension line inside the outer edge of the substrate 2. It may be slightly angled due to errors or the like. The virtual plane is a plane obtained by the least square method of the height positions in the Z-axis direction of the inner end portions of the plurality of electrodes 3.

近年、情報機器または通信機器に実装される各電子部品または電子装置同士の間の距離は小さくなる傾向がある。電子部品、電子装置または電子素子が実装された電子素子実装用基板は、電子部品または電子素子が作動することで不要な電磁波ノイズが放出されることがあり、また電子装置そのものにも外部からの不要な電磁波ノイズが外部から伝搬してくることがある。このような電磁波ノイズは電子装置や電子部品の回路に影響を及ぼし、誤作動を起こす恐れがある。   In recent years, the distance between each electronic component or electronic device mounted on an information device or a communication device tends to be small. An electronic component mounting board on which electronic components, electronic devices or electronic elements are mounted may emit unnecessary electromagnetic noise when the electronic components or electronic elements are operated. Unnecessary electromagnetic noise may propagate from the outside. Such electromagnetic noise affects the circuits of electronic devices and electronic components and may cause malfunction.

これに対し、本発明の実施形態に係る電子素子実装用基板1は、上述したような構成であり、特に基板2のZ軸方向成分を有する傾斜部5cと第1部5aよりも下方または上面に位置する第2部5bを有することで、第2部5bと傾斜部5cとにシールドの役割を持たせることが可能となる。よって、基板2の金属層5の近傍で発生した電磁波ノイズを有効に抑制することが可能となり、電子素子実装用基板1から漏えいする電磁波ノイズの量を低減させることが可能となる。よって、電子素子実装用基板1から漏えいした電磁波ノイズで周囲の電子装置または電子部品の誤作動を低減させることが可能となる。特に近年、電子素子実装用基板1の薄型化により、各絶縁層は薄くなっている。そのため、金属層5を傾斜させたことでも、十分なZ軸方向の大きさを稼ぐことが可能となり、遮蔽の効果をより向上させることが可能となる。   On the other hand, the electronic device mounting substrate 1 according to the embodiment of the present invention is configured as described above, and in particular below or above the inclined portion 5c and the first portion 5a having the Z-axis direction component of the substrate 2. By having the second part 5b positioned at the position, it is possible to give the second part 5b and the inclined part 5c a role of a shield. Therefore, electromagnetic wave noise generated in the vicinity of the metal layer 5 of the substrate 2 can be effectively suppressed, and the amount of electromagnetic wave noise leaking from the electronic element mounting substrate 1 can be reduced. Therefore, malfunction of surrounding electronic devices or electronic components can be reduced by electromagnetic noise leaked from the electronic element mounting substrate 1. In particular, in recent years, each insulating layer has become thinner due to the reduction in thickness of the electronic element mounting substrate 1. Therefore, even when the metal layer 5 is inclined, it is possible to obtain a sufficient size in the Z-axis direction, and it is possible to further improve the shielding effect.

また、電子素子実装用基板1の外部で発生した電磁波ノイズが基板2に伝搬してきたとしても、基板2のZ軸方向成分を有する傾斜部5cと第1部5aよりも下方または上面に位置する第2部5bを有することで、外部から伝搬してきた電磁波ノイズを有効に抑制することが可能となる。よって、基板2の金属層5で囲まれた箇所に伝搬した電磁波ノイズの影響を低減させることが可能となる。   Even if electromagnetic wave noise generated outside the electronic element mounting substrate 1 propagates to the substrate 2, the inclined portion 5c having the Z-axis direction component of the substrate 2 and the first portion 5a are positioned below or on the upper surface. By having the second part 5b, it is possible to effectively suppress electromagnetic noise that has propagated from the outside. Therefore, it is possible to reduce the influence of electromagnetic wave noise propagated to the portion surrounded by the metal layer 5 of the substrate 2.

金属層5は、信号に電気的に接続していなくてもよいが、接地電位と電気的に接続していてもよい。金属層5が接地電位と電気的に接続していることで、金属層5のシールドの効果をより高めることが可能となり、電磁波ノイズの影響をより効率的に低減させることが可能となる。   The metal layer 5 may not be electrically connected to the signal, but may be electrically connected to the ground potential. Since the metal layer 5 is electrically connected to the ground potential, the shielding effect of the metal layer 5 can be further increased, and the influence of electromagnetic noise can be reduced more efficiently.

金属層5の第1部5aは、実装領域4と平行であれば、第1絶縁層2aと第2絶縁層2bとの間のどこに位置していても構わない。例えば、図1〜2に示す例の様に断面視において基板2の全体に設けられていてもよいし一部分だけに設けられていてもよい。なお、第1部5aの大きさは問わないが例えば断面視におけるx軸方向の長さが150μm程度以上あればよい。   The first portion 5a of the metal layer 5 may be located anywhere between the first insulating layer 2a and the second insulating layer 2b as long as it is parallel to the mounting region 4. For example, like the example shown in FIGS. 1-2, it may be provided in the whole board | substrate 2 in the cross sectional view, and may be provided only in a part. Note that the size of the first part 5a is not limited, but it is sufficient if the length in the x-axis direction in a cross-sectional view is about 150 μm or more.

金属層5の第2部5bは、金属層5の両端に設けられているが、それ以外の場所にも設けられていてもよい。つまり言い換えると金属層5の第2部5bは断面視において金属層5の中央付近にも、さらに設けられていてもよい。第2部5bは例えば断面視におけるx軸方向の長さが30μm以上であればよい。   The second portion 5b of the metal layer 5 is provided at both ends of the metal layer 5, but may be provided at other locations. In other words, the second portion 5b of the metal layer 5 may be further provided near the center of the metal layer 5 in a cross-sectional view. For example, the length of the second part 5b in the x-axis direction in a cross-sectional view may be 30 μm or more.

金属層5の傾斜部5cはZ軸方向の長さとして、第1絶縁層2aまたは第2絶縁層2bの厚みの10%〜40%程度の大きさを有していればよい。つまり、第1絶縁層2aまたは第2絶縁層2bの厚みが35μmのとき、傾斜部5cのZ軸方向の長さは3.5μm〜
14μm程度である。これにより、傾斜部5cのZ軸方向成分を十分とすることができ、より遮蔽の効果を向上させることが可能となる。なお、Z軸方向の長さは大きい程シールドの効果をより向上させることが可能となる。
The inclined portion 5c of the metal layer 5 only needs to have a size of about 10% to 40% of the thickness of the first insulating layer 2a or the second insulating layer 2b as the length in the Z-axis direction. That is, when the thickness of the first insulating layer 2a or the second insulating layer 2b is 35 μm, the length of the inclined portion 5c in the Z-axis direction is 3.5 μm to
It is about 14 μm. Thereby, the Z-axis direction component of the inclined portion 5c can be made sufficient, and the shielding effect can be further improved. Note that the shield effect can be further improved as the length in the Z-axis direction is larger.

金属層5は上面視においてMIPI(Mobile Industry Processor Interface)配線ま
たはシグナル配線など電磁波ノイズのアンテナとなりやすい、またはノイズ成分に弱い配線と重なる位置に設けていてもよい。金属層5と上面視で重なる位置に配置することでシールド効果を特に高めることができる。よって、電磁波ノイズのアンテナとなりやすい、またはノイズ成分に弱い配線について遮へい効果を高めることが可能となる。
The metal layer 5 may be provided at a position where it is likely to become an antenna for electromagnetic noise such as MIPI (Mobile Industry Processor Interface) wiring or signal wiring in a top view, or overlaps with wiring weak against noise components. The shield effect can be particularly enhanced by disposing the metal layer 5 at a position overlapping the top view. Therefore, it is possible to enhance the shielding effect for the wiring that tends to be an antenna of electromagnetic noise or is weak against noise components.

金属層5の第2部5bと傾斜部5cは第1部5aの外縁の一部だけに設けられていてもよいが、第1部5aの全周に設けられていてもよい。金属層5の第2部5bと傾斜部5cが第1部5aの全周に設けられていることで、電磁誘導による電磁波ノイズのシールド効果をより高めることが可能となる。   The second portion 5b and the inclined portion 5c of the metal layer 5 may be provided only on a part of the outer edge of the first portion 5a, but may be provided on the entire circumference of the first portion 5a. Since the second portion 5b and the inclined portion 5c of the metal layer 5 are provided on the entire circumference of the first portion 5a, it is possible to further enhance the shielding effect of electromagnetic noise due to electromagnetic induction.

図2に本実施形態の変形例を示す。図2に示す例では、第2絶縁層2bの下面には、第2の金属層6が設けられているとともに、第2の金属層6の下面には、第3絶縁層2cが設けられており、断面視において、第2の金属層6は、実装領域4と平行に設けられた第3部6aと、第3部6aよりも下方に位置した第4部6bと、第3部6aと第4部6bとの間に位置した第2の傾斜部6cとを有している。このように、金属層5と第2の金属層6を上面視において重なるように設けることで、シールドの壁を疑似的に大きくすることができる。よって、電磁波ノイズの漏えいをより抑制できるとともに外部からの電磁波ノイズの伝搬をより抑制することが可能となる。よって、電磁波ノイズの影響を低減させることが可能となる。   FIG. 2 shows a modification of the present embodiment. In the example shown in FIG. 2, the second metal layer 6 is provided on the lower surface of the second insulating layer 2 b, and the third insulating layer 2 c is provided on the lower surface of the second metal layer 6. In the cross-sectional view, the second metal layer 6 includes a third portion 6a provided in parallel with the mounting region 4, a fourth portion 6b positioned below the third portion 6a, and a third portion 6a. It has the 2nd inclination part 6c located between the 4th parts 6b. Thus, by providing the metal layer 5 and the second metal layer 6 so as to overlap in a top view, the shield wall can be made pseudo-large. Therefore, leakage of electromagnetic wave noise can be further suppressed and propagation of electromagnetic wave noise from the outside can be further suppressed. Therefore, the influence of electromagnetic noise can be reduced.

図2に示す例では、金属層5の第2部5bと、第2の金属層6の第4部6bとが重なっている。このことで、金属層5の第2部5bと第2の金属層6の第4部6bとの絶縁ギャップを保つことが可能となる。よって、金属層5の第2部5bと第2の金属層6の第4部6bとの間の干渉により、電磁波ノイズが発生することを低減させることが可能となる。図2に示す例では、金属層5と第2の金属層6とが完全に重なるように位置しているが、断面視においてずれて配置されていても構わない。   In the example shown in FIG. 2, the second portion 5 b of the metal layer 5 and the fourth portion 6 b of the second metal layer 6 overlap each other. This makes it possible to maintain an insulation gap between the second portion 5 b of the metal layer 5 and the fourth portion 6 b of the second metal layer 6. Therefore, it is possible to reduce the occurrence of electromagnetic noise due to interference between the second portion 5b of the metal layer 5 and the fourth portion 6b of the second metal layer 6. In the example shown in FIG. 2, the metal layer 5 and the second metal layer 6 are positioned so as to completely overlap, but they may be arranged so as to be shifted in a cross-sectional view.

第2の金属層6は、基板2が電気絶縁性セラミックスから成る場合には、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、銀(Ag)若しくは銅(Cu)またはこれらから選ばれる少なくとも1種以上の金属材料を含有する合金等から成る。なお、ここで、金属層5と第2の金属層6は同じ材料から構成されていてもよいし、異なる材料で構成されていてもよい。   When the substrate 2 is made of an electrically insulating ceramic, the second metal layer 6 is selected from tungsten (W), molybdenum (Mo), manganese (Mn), silver (Ag), copper (Cu), or these. It consists of an alloy containing at least one metal material. Here, the metal layer 5 and the second metal layer 6 may be made of the same material, or may be made of different materials.

第2の金属層6は、接地電位であってもよいし、信号に電気的に接続していないまたはその他の電位であってもよい。第2の金属層6が接地電位と電気的に接続していることで、第2の金属層6のシールドの効果をより高めることが可能となり、電磁波ノイズの影響をより効率的に低減させることが可能となる。   The second metal layer 6 may be at a ground potential, or may not be electrically connected to a signal or may be at another potential. Since the second metal layer 6 is electrically connected to the ground potential, the shielding effect of the second metal layer 6 can be further enhanced, and the influence of electromagnetic noise can be reduced more efficiently. Is possible.

金属層5と第2の金属層6とが同じ電位を有しているとき、金属層5と第2の金属層6は貫通導体を用いて電気的に導通していてもよい。これにより、例えばMIPI配線またはシグナル配線など電磁波ノイズのアンテナとなりやすい、またはノイズ成分に弱い配線と電気的に接続している貫通導体を金属層5と第2の金属層6およびその二つを導通させる貫通導体で囲むことで、よりシールド効果を高めることが可能となる。よって、電磁波ノイズのアンテナとなりやすい、またはノイズ成分に弱い配線と電気的に接続している貫通導体に電磁波ノイズが影響することを低減させることが可能となる。なおこの時、金属
層5と第2の金属層6とを導通させる貫通導体は、シールドする対象となる貫通導体の周囲を可能な限り連続して設けることで、よりシールドの効果を高めることが可能となる。
When the metal layer 5 and the second metal layer 6 have the same potential, the metal layer 5 and the second metal layer 6 may be electrically connected using a through conductor. As a result, the metal layer 5, the second metal layer 6, and the two are electrically connected to a through conductor that is easily connected to a wiring that is likely to be an electromagnetic noise antenna such as MIPI wiring or signal wiring, or weak to noise components. It is possible to further enhance the shielding effect by surrounding with the through conductor to be made. Therefore, it is possible to reduce the influence of electromagnetic wave noise on a through conductor that is likely to become an antenna of electromagnetic wave noise or that is electrically connected to a wiring that is weak against noise components. At this time, the through conductor that conducts the metal layer 5 and the second metal layer 6 is provided as continuously as possible around the through conductor to be shielded, thereby further enhancing the shielding effect. It becomes possible.

第2の金属層6の第3部6aは、実装領域4と平行であれば、第2絶縁層2bと第3絶縁層2cとの間のどこに位置していても構わない。例えば、図1〜図2に示す例の様に断面視において基板2の全体に設けられていてもよいし、一部分だけに設けられていてもよい。なお、第3部6aの大きさは問わないが例えば断面視におけるx軸方向の長さが150μm程度以上あればよい。   The third portion 6 a of the second metal layer 6 may be located anywhere between the second insulating layer 2 b and the third insulating layer 2 c as long as it is parallel to the mounting region 4. For example, like the example shown in FIGS. 1-2, it may be provided in the whole board | substrate 2 by sectional view, and may be provided only in a part. Note that the size of the third portion 6a is not limited, but the length in the x-axis direction in a cross-sectional view may be about 150 μm or more.

第2の金属層6の第4部6bは、第2の金属層6の両端に設けられているが、それ以外の場所にも設けられていてもよい。つまり言い換えると第2の金属層6の第4部6bは断面視において第2の金属層6の中央付近にも、さらに設けられていてもよい。第4部6bは例えば断面視におけるx軸方向の長さが30μm以上であればよい。   The fourth portion 6b of the second metal layer 6 is provided at both ends of the second metal layer 6, but may be provided at other locations. In other words, the fourth portion 6b of the second metal layer 6 may be further provided near the center of the second metal layer 6 in a cross-sectional view. For example, the length of the fourth portion 6b in the x-axis direction in a cross-sectional view may be 30 μm or more.

第2の金属層6の第2傾斜部6cはZ軸方向の長さとして、第2絶縁層2bまたは第3絶縁層2cの厚みの10%〜40%程度の大きさを有していればよい。つまり、第2絶縁層2bまたは第3絶縁層2cの厚みが35μmのとき、傾斜部5cのZ軸方向の長さは3.5μm〜14μm程度である。これにより、傾斜部5cのZ軸方向成分を十分とることができ、より遮蔽の効果を向上させることが可能となる。なお、Z軸方向の長さは大きい程シールドの効果をより向上させることが可能となる。   If the second inclined portion 6c of the second metal layer 6 has a length in the Z-axis direction of about 10% to 40% of the thickness of the second insulating layer 2b or the third insulating layer 2c. Good. That is, when the thickness of the second insulating layer 2b or the third insulating layer 2c is 35 μm, the length of the inclined portion 5c in the Z-axis direction is about 3.5 μm to 14 μm. Thereby, the Z-axis direction component of the inclined portion 5c can be taken sufficiently, and the shielding effect can be further improved. Note that the shield effect can be further improved as the length in the Z-axis direction is larger.

<電子装置の構成>
図1〜図2に電子装置21の例を示す。電子装置21は、電子素子実装用基板1と、電子素子実装用基板1の実装領域4に実装されるとともに、電極3と電気的に接続された電子素子10と、を備えている。
<Configuration of electronic device>
An example of the electronic device 21 is shown in FIGS. The electronic device 21 includes an electronic element mounting substrate 1 and an electronic element 10 mounted on the mounting region 4 of the electronic element mounting substrate 1 and electrically connected to the electrode 3.

電子装置21は、電子素子実装用基板1と、電子素子実装用基板1の実装領域4に実装された電子素子10を有している。電子素子10は、例えばCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)、CCD(Charge Coupled Device)等の撮像素子、またはLED(Light Emitting Diode)などの発光素子、またはLSI(Large Scale Integrated)等の集積回路等である。なお、電子素子10は、接着材を介して、基板2の上面に配置されていてもよい。この接着材は、例えば、銀エポキシまたは熱硬化性樹脂等が使用される。   The electronic device 21 includes an electronic element mounting substrate 1 and an electronic element 10 mounted on the mounting region 4 of the electronic element mounting substrate 1. The electronic device 10 is, for example, an imaging device such as a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) or a CCD (Charge Coupled Device), a light emitting device such as an LED (Light Emitting Diode), or an integrated circuit such as an LSI (Large Scale Integrated). is there. In addition, the electronic element 10 may be arrange | positioned on the upper surface of the board | substrate 2 through the adhesive material. For example, silver epoxy or thermosetting resin is used as the adhesive.

電子素子10と電子素子実装用基板1は電子素子接続材13によって電気的に接続されている。電子素子接続材13は、例えば図1〜図2に示す例では、ワイヤーボンディング等である。また、電子素子接続材13は金バンプ、半田ボール、異方性導電性樹脂(ACF
)等が使用される場合がある。
The electronic element 10 and the electronic element mounting substrate 1 are electrically connected by an electronic element connecting material 13. The electronic element connection material 13 is wire bonding etc. in the example shown in FIGS. 1-2, for example. Further, the electronic element connecting material 13 is made of gold bumps, solder balls, anisotropic conductive resin (ACF
) Etc. may be used.

電子装置21は、電子素子10を覆うとともに、電子素子実装用基板1の上面に接合された蓋体12を有していてもよい。ここで、電子素子実装用基板1は上面に蓋体12を支え、電子素子10を取り囲むように設けられた枠状体を設けてもよいし、枠状体を設けなくてもよい。また、枠状体は基板2と同じ材料から構成されていてもよいし、別の材料で構成されていてもよい。   The electronic device 21 may include a lid 12 that covers the electronic element 10 and is bonded to the upper surface of the electronic element mounting substrate 1. Here, the electronic element mounting substrate 1 may support a lid 12 on the upper surface, and may be provided with a frame-like body provided so as to surround the electronic element 10 or may not be provided with a frame-like body. Further, the frame-like body may be made of the same material as the substrate 2 or may be made of another material.

枠状体と基板2とが同じ材料から成る場合、枠状体と基板2とは図1〜図2に示す例の様に絶縁層に開口部を設ける等して最上層の絶縁層と一体化するように形成されていてもよい。また、別に設けて、ろう材等でそれぞれ接合してもよい。   When the frame body and the substrate 2 are made of the same material, the frame body and the substrate 2 are integrated with the uppermost insulating layer by providing an opening in the insulating layer as in the example shown in FIGS. You may form so that it may become. Alternatively, they may be provided separately and joined with a brazing material or the like.

また、枠状体と基板2とが別の材料から成る例として枠状体が蓋体12と基板2とを接
合する蓋体接合材14と同じ材料から成る場合がある。このとき、蓋体接合材14を厚く設けることで、接着の効果と枠状体(蓋体12を支える部材)としての効果を併せ持つことが可能となる。この時の蓋体接合材14は例えば熱硬化性樹脂または低融点ガラスまたは金属成分から成るろう材等が挙げられる。また、枠状体と蓋体12とが同じ材料から成る場合もあり、このときは枠状体と蓋体12は同一個体として構成されていてもよい。
Further, as an example in which the frame body and the substrate 2 are made of different materials, the frame body may be made of the same material as the lid body bonding material 14 for bonding the lid body 12 and the substrate 2. At this time, by providing the lid bonding material 14 thick, it is possible to have both the effect of adhesion and the effect as a frame-like body (member that supports the lid 12). Examples of the lid bonding material 14 at this time include a thermosetting resin, low melting point glass, or a brazing material made of a metal component. Further, the frame body and the lid body 12 may be made of the same material, and in this case, the frame body body and the lid body 12 may be configured as the same individual.

蓋体12は、例えば電子素子10がCMOS、CCD等の撮像素子、またはLEDなどの発光素子である場合ガラス材料等の透明度の高い部材が用いられる。また蓋体12は例えば、電子素子10が集積回路等であるとき、金属製材料または有機材料が用いられていてもよい。   For the lid 12, for example, when the electronic element 10 is an imaging element such as a CMOS or CCD, or a light emitting element such as an LED, a highly transparent member such as a glass material is used. In addition, for example, when the electronic element 10 is an integrated circuit or the like, a metal material or an organic material may be used for the lid 12.

蓋体12は、蓋体接合材14を介して電子素子実装用基板1と接合している。蓋体接合材14を構成する材料として例えば、熱硬化性樹脂または低融点ガラスまたは金属成分から成るろう材等がある。なおこのとき、蓋体接合材14を金属成分から成る物または導電性を有する樹脂を用いることで、電子装置21からの電磁波ノイズの漏えいおよび外部からの電磁波ノイズの伝搬を低減させることが可能となる。   The lid 12 is joined to the electronic element mounting substrate 1 via the lid joint 14. Examples of the material constituting the lid bonding material 14 include a thermosetting resin, low melting point glass, or a brazing material made of a metal component. At this time, it is possible to reduce leakage of electromagnetic wave noise from the electronic device 21 and propagation of electromagnetic wave noise from the outside by using the lid bonding material 14 made of a metal component or a resin having conductivity. Become.

電子装置21が図1〜図2に示すような電子素子実装用基板1を有することで、電子装置21からの電磁波ノイズの漏えいおよび外部からの電磁波ノイズの伝搬を低減させることが可能となる。その結果、電磁波ノイズに起因した、周囲または電子装置21の誤作動を低減させることが可能となる。   Since the electronic device 21 has the electronic element mounting substrate 1 as shown in FIGS. 1 to 2, leakage of electromagnetic noise from the electronic device 21 and propagation of electromagnetic noise from the outside can be reduced. As a result, it is possible to reduce malfunctions of the surroundings or the electronic device 21 due to electromagnetic noise.

<電子モジュールの構成>
図2に、電子素子実装用基板1を用いた電子モジュール31の一例を示す。電子モジュール31は、電子装置21と電子装置21の基板2の上面に設けられた筐体32とを有している。なお、以下図2に示す例では説明のため撮像モジュールを例に説明する。
<Configuration of electronic module>
FIG. 2 shows an example of an electronic module 31 using the electronic element mounting substrate 1. The electronic module 31 includes an electronic device 21 and a housing 32 provided on the upper surface of the substrate 2 of the electronic device 21. In the example shown in FIG. 2, an imaging module will be described as an example for explanation.

図2に示す例では、電子モジュール31は筐体32(レンズホルダー)を有している。筐体32を有することでより気密性の向上または外部からの応力が直接電子装置21に加えられることを低減することが可能となる。筐体32は、例えば樹脂または金属材料等から成る。また、筐体32がレンズホルダーであるとき筐体32は、樹脂、液体、ガラスまたは水晶等からなるレンズが1個以上組み込まれていてもよい。また、筐体32は、上下左右の駆動を行う駆動装置等が付いていて、基板2と電気的に接続されていてもよい。   In the example shown in FIG. 2, the electronic module 31 has a housing 32 (lens holder). By having the housing 32, it is possible to improve the airtightness or reduce the external stress being directly applied to the electronic device 21. The housing 32 is made of, for example, a resin or a metal material. When the housing 32 is a lens holder, the housing 32 may incorporate one or more lenses made of resin, liquid, glass, crystal, or the like. Further, the housing 32 may be provided with a driving device for driving up, down, left, and right, and may be electrically connected to the substrate 2.

なお、筐体32は上面視において4方向の少なくとも一つの辺において開口部が設けられていてもよい。そして、筐体32の開口部から外部回路基板が挿入され基板2と電気的に接続していてもよい。また筐体32の開口部は、外部回路基板が基板2と電気的に接続された後、樹脂等の封止材等で開口部の隙間を閉じて電子モジュール31の内部が気密されていてもよい。   The housing 32 may be provided with an opening in at least one side in the four directions when viewed from above. An external circuit board may be inserted from the opening of the housing 32 and electrically connected to the board 2. In addition, the opening of the housing 32 may be sealed even after the external circuit board is electrically connected to the board 2 and the inside of the electronic module 31 is hermetically closed by sealing the opening with a sealing material such as resin. Good.

<電子素子実装用基板および電子装置の製造方法>
次に、本実施形態の電子素子実装用基板1および電子装置21の製造方法の一例について説明する。なお、下記で示す製造方法の一例は、基板2を多数個取り配線基板を用いた製造方法である。また、図9および図10に本製造方法についての簡易的な説明図を示す。
<Electronic Device Mounting Board and Electronic Device Manufacturing Method>
Next, an example of a method for manufacturing the electronic element mounting substrate 1 and the electronic device 21 according to the present embodiment will be described. An example of the manufacturing method shown below is a manufacturing method in which a large number of substrates 2 are taken and a wiring board is used. Further, FIGS. 9 and 10 show simple explanatory views of the manufacturing method.

(1)図9(a)に本工程を示す。まず、基板2を構成するセラミックグリーンシートを形成する。基板2を構成するセラミックグリーンシートとしては第1絶縁層となる第1セラミックグリーンシート42a、第2絶縁層となる第2セラミックグリーンシート42b、その他の絶縁層となるその他のセラミックグリーンシート42dである。なお、必要
であれば第3絶縁層となる第3セラミックグリーンシート42cも準備する。各セラミックグリーンシトとして例えば、酸化アルミニウム(Al)質焼結体である基板2を得る場合には、Alの粉末に焼結助材としてシリカ(SiO)、マグネシア(MgO)またはカルシア(CaO)等の粉末を添加し、さらに適当なバインダー、溶剤および可塑剤を添加し、次にこれらの混合物を混錬してスラリー状となす。その後、ドクターブレード法またはカレンダーロール法等の成形方法によって多数個取り用のセラミックグリーンシートを得る。
(1) This process is shown in FIG. First, a ceramic green sheet constituting the substrate 2 is formed. The ceramic green sheets constituting the substrate 2 are a first ceramic green sheet 42a serving as a first insulating layer, a second ceramic green sheet 42b serving as a second insulating layer, and other ceramic green sheets 42d serving as other insulating layers. . If necessary, a third ceramic green sheet 42c serving as a third insulating layer is also prepared. For example, when obtaining the substrate 2 that is an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) -based sintered body as each ceramic green sheet, silica (SiO 2 ), magnesia (MgO) is used as a sintering aid for the Al 2 O 3 powder. ) Or calcia (CaO) or the like, and further an appropriate binder, solvent and plasticizer are added, and then the mixture is kneaded to form a slurry. Thereafter, a ceramic green sheet for taking a large number of pieces is obtained by a molding method such as a doctor blade method or a calender roll method.

(2)図9(b)に本工程を示す。スクリーン印刷法等によって、上記(1)の工程で得られたセラミックグリーンシートに電極3、電極パッド、内部配線および貫通導体となる部分に、金属ペーストを塗布または充填する。なお、このとき図9(b)に示すように、金属層5を配置する箇所に金属ペースト45を塗布する。この金属ペーストは、前述した金属材料から成る金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、金属ペーストは、基板2との接合強度を高めるために、ガラスまたはセラミックスを含んでいても構わない。図9(c)に示すように、この工程において金属層5となる金属ペーストの第2部5cとなる位置にセラミックペースト42fを塗布することで、のちの工程を得て第2部5bおよび傾斜部5cを形成することができる。なおこの時、セラミックペースト42fの厚みは設けたい傾斜部5cのZ方向の大きさと同程度の厚みとなるように塗布してもよい。なお、セラミックペースト42fは、該当する大きさ/厚さに成形したセラミックグリーンシートを配置することでも代用することができる。   (2) This process is shown in FIG. A metal paste is applied or filled in the ceramic green sheet obtained in the above step (1) by a screen printing method or the like on the electrode 3, electrode pad, internal wiring and through conductor. At this time, as shown in FIG. 9B, a metal paste 45 is applied to a place where the metal layer 5 is disposed. This metal paste is prepared by adjusting an appropriate viscosity by adding an appropriate solvent and binder to the metal powder made of the above-described metal material and kneading. The metal paste may contain glass or ceramics in order to increase the bonding strength with the substrate 2. As shown in FIG. 9 (c), the ceramic paste 42f is applied to the position to be the second part 5c of the metal paste to be the metal layer 5 in this step, thereby obtaining the later process and the second part 5b and the inclination. The part 5c can be formed. In addition, you may apply | coat so that the thickness of the ceramic paste 42f may become a thickness comparable as the magnitude | size of the Z direction of the inclination part 5c to provide at this time. The ceramic paste 42f can be substituted by arranging a ceramic green sheet molded to a corresponding size / thickness.

(3)次に、前述のグリーンシートを金型等によって加工する。基板2となるグリーンシートの中央部に、開口部を形成してもよい。   (3) Next, the above-described green sheet is processed with a mold or the like. You may form an opening part in the center part of the green sheet used as the board | substrate 2. FIG.

(4)図10(a)に本工程を示す。各絶縁層となるセラミックグリーンシートを積層して加圧する。このことにより基板2となるセラミックグリーンシート積層体を作製する。この工程において、金属ペースト45に第2部5bと傾斜部5cとなる形状を形成することが可能となる。   (4) This process is shown in FIG. A ceramic green sheet to be each insulating layer is laminated and pressed. Thus, a ceramic green sheet laminate to be the substrate 2 is produced. In this step, it becomes possible to form the metal paste 45 in a shape that becomes the second portion 5b and the inclined portion 5c.

(5)図10(b)に本工程を示す。このセラミックグリーンシート積層体を約1500℃〜1800℃の温度で焼成して、基板2が複数配列された多数個取り配線基板を得る。なお、この工程によって、前述した金属ペーストは、基板2となるセラミックグリーンシートと同時に焼成され、電極3、電極パッド、内部配線および貫通導体となる。また、この工程によって、第2部5bと傾斜部5cとが形成された金属ペーストが焼成され、金属層5となることができる。   (5) This process is shown in FIG. The ceramic green sheet laminate is fired at a temperature of about 1500 ° C. to 1800 ° C. to obtain a multi-piece wiring board in which a plurality of substrates 2 are arranged. In this step, the above-described metal paste is fired simultaneously with the ceramic green sheet to be the substrate 2, and becomes the electrode 3, the electrode pad, the internal wiring, and the through conductor. Moreover, the metal paste in which the 2nd part 5b and the inclination part 5c were formed is baked by this process, and it can become the metal layer 5. FIG.

(6)次に、焼成して得られた多数個取り配線基板を複数の基板2に分断する。この分断においては、基板2の外縁となる箇所に沿って多数個取り配線基板に分割溝を形成しておき、この分割溝に沿って破断させて分割する方法またはスライシング法等により基板2の外縁となる箇所に沿って切断する方法等を用いることができる。なお、分割溝は、焼成後にスライシング装置により多数個取り配線基板の厚みより小さく切り込むことによって形成することができるが、多数個取り配線基板用のセラミックグリーンシート積層体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置によりセラミックグリーンシート積層体の厚みより小さく切り込んだりすることによって形成してもよい。   (6) Next, the multi-piece wiring board obtained by firing is divided into a plurality of boards 2. In this division, a dividing groove is formed in a multi-piece wiring substrate along a portion serving as the outer edge of the substrate 2, and the outer edge of the substrate 2 is divided by a method of breaking along the dividing groove and dividing or by a slicing method. For example, a method of cutting along the location can be used. In addition, the dividing groove can be formed by cutting less than the thickness of the multi-piece wiring board with a slicing device after firing, but the cutter blade is pressed against the ceramic green sheet laminate for the multi-piece wiring board, You may form by cutting smaller than the thickness of a ceramic green sheet laminated body with a slicing apparatus.

(7)次に、基板2に電子素子10を実装する。電子素子10はワイヤーボンディング等で基板2と電気的に接合させる。またこのとき、電子素子10または基板2に接着材等を設け、基板2に固定しても構わない。また、電子素子10を基板2に実装した後、蓋体12を蓋体接合材14で接合してもよい。   (7) Next, the electronic element 10 is mounted on the substrate 2. The electronic element 10 is electrically bonded to the substrate 2 by wire bonding or the like. At this time, an adhesive or the like may be provided on the electronic element 10 or the substrate 2 and fixed to the substrate 2. Further, after the electronic element 10 is mounted on the substrate 2, the lid body 12 may be joined by the lid body joining material 14.

以上(1)〜(7)の工程のようにして基板2を組み立て、電子素子10を実装することで、電子装置21を作製することができる。なお、上記(1)〜(7)の工程順番は指定されない。   The electronic device 21 can be produced by assembling the substrate 2 and mounting the electronic element 10 as in the steps (1) to (7). In addition, the process order of said (1)-(7) is not designated.

なお、上記で例示した製造方法の他にも第2部5bおよび傾斜部5cを作製する方法はある。例えば第1セラミックグリーンシート42aまたは第2セラミックグリーンシート42bに金型などで押圧し窪みをもうけ、その窪みを含めて金属ペースト45を印刷または塗布することでも第2部5bおよび傾斜部5cを作製することができる。また、例えば第1セラミックグリーンシート42aまたは第2セラミックグリーンシート42bに金属ペースト45を塗布した後に金型等で押圧する事でも第2部5bおよび傾斜部5cを作製することができる。   In addition to the manufacturing method exemplified above, there is a method for manufacturing the second portion 5b and the inclined portion 5c. For example, pressing the first ceramic green sheet 42a or the second ceramic green sheet 42b with a mold or the like to create a recess, and printing or applying the metal paste 45 including the recess also produces the second portion 5b and the inclined portion 5c. can do. Further, for example, the second portion 5b and the inclined portion 5c can be produced by applying the metal paste 45 to the first ceramic green sheet 42a or the second ceramic green sheet 42b and then pressing it with a mold or the like.

(第2の実施形態)
図3〜図4を参照して本発明の第2の実施形態における電子モジュール31、電子装置21、および電子素子実装用基板1について説明する。本実施形態における電子装置21は、電子素子実装用基板1と電子素子10とを備えている。なお、本実施形態では図3では電子装置21を示しており、図4では電子モジュール31を示している。
(Second Embodiment)
The electronic module 31, the electronic device 21, and the electronic element mounting substrate 1 according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The electronic device 21 in this embodiment includes an electronic element mounting substrate 1 and an electronic element 10. In this embodiment, the electronic device 21 is shown in FIG. 3, and the electronic module 31 is shown in FIG.

電子素子実装用基板1は、第1絶縁層2aと、第1絶縁層2aの下面に設けられた、それぞれが間を空けて設けられた複数のメタライズ部を有する金属層5と、金属層5の下面に設けられた第2絶縁層2bとを有している。電子素子実装用基板1の第1絶縁層2aの上方または第2絶縁層2bの下方には、複数の電極3が設けられるとともに、電極3と電気的に接続されて電極3に挟まれて位置した、電子素子10が実装される実装領域4を有している。複数のメタライズ部は、それぞれ実装領域4と平行に設けられた第1部5aと、第1部5aよりも上方または下方に位置した第2部5cを有している。複数のメタライズ部は第1部5aと第2部5cとの間に位置した傾斜部5cを有している。複数のメタライズの第2部5bは、隣り合うメタライズ部同士の間に設けられている。   The electronic element mounting substrate 1 includes a first insulating layer 2a, a metal layer 5 provided on the lower surface of the first insulating layer 2a, each having a plurality of metallized portions spaced apart from each other, and a metal layer 5 And a second insulating layer 2b provided on the lower surface of the substrate. A plurality of electrodes 3 are provided above the first insulating layer 2a or below the second insulating layer 2b of the electronic element mounting substrate 1, and are electrically connected to the electrodes 3 and sandwiched between the electrodes 3. The electronic device 10 has a mounting area 4 on which the electronic element 10 is mounted. Each of the plurality of metallized portions includes a first portion 5a provided in parallel with the mounting region 4 and a second portion 5c located above or below the first portion 5a. The plurality of metallized portions have an inclined portion 5c located between the first portion 5a and the second portion 5c. The plurality of second metallization parts 5b are provided between adjacent metallization parts.

ここで、電子モジュール31の構造、電子装置21の構造、基本的な構造並びに電子素子実装用基板1を構成する第1絶縁層2a、第2絶縁層2b、電極3、実装領域4およびその他、基板2の基本的な条件/構成は第1の実施形態と類似であるため説明は省略する。以下、第2の実施形態における特徴部分のみ説明をする。   Here, the structure of the electronic module 31, the structure of the electronic device 21, the basic structure, and the first insulating layer 2 a, the second insulating layer 2 b, the electrode 3, the mounting region 4, and others that constitute the electronic element mounting substrate 1, Since the basic conditions / configuration of the substrate 2 are similar to those of the first embodiment, description thereof is omitted. Hereinafter, only the characteristic part in the second embodiment will be described.

電子素子実装用基板1は、それぞれが間を空けて設けられた複数のメタライズ部を有する金属層5を有する。複数のメタライズ部を有する金属層5は、基板2が電気絶縁性セラミックスから成る場合には、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、銀(Ag)若しくは銅(Cu)またはこれらから選ばれる少なくとも1種以上の金属材料を含有する合金等から成る。なお、ここで、複数のメタライズ部は同じ材料から構成されていてもよいし、互いに異なる材料で構成されていてもよい。   The electronic element mounting substrate 1 has a metal layer 5 having a plurality of metallized portions, which are provided with a space therebetween. When the substrate 2 is made of electrically insulating ceramic, the metal layer 5 having a plurality of metallized portions is tungsten (W), molybdenum (Mo), manganese (Mn), silver (Ag), copper (Cu), or these It consists of an alloy containing at least one metal material selected from Here, the plurality of metallized portions may be made of the same material, or may be made of different materials.

複数のメタライズ部は間をあけて設けられている。ここで、複数のメタライズ部の間の大きさは特に指定しないが、0.1mm以上であることで、複数のメタライズ部同士がショートすることを低減させることが可能となる。   The plurality of metallized portions are provided with an interval. Here, the size between the plurality of metallized portions is not particularly specified. However, when the size is 0.1 mm or more, it is possible to reduce a short circuit between the plurality of metallized portions.

複数のメタライズ部の間には、信号配線や貫通導体等が設けられていても良い。複数のメタライズ部はそれぞれ異なる電位/信号であっても良いし同一の電位/信号であっても良い。   A signal wiring, a through conductor, or the like may be provided between the plurality of metallized portions. The plurality of metallized portions may be different potentials / signals or may be the same potential / signal.

基板2の内部には、電極3および複数のメタライズ部以外に、絶縁層間に形成される内
部配線および内部配線同士を上下に接続する貫通導体が設けられていてもよい。これら内部配線または貫通導体は、基板2の表面に露出していてもよい。この内部配線または貫通導体によって、電極パッド、電極3および複数のメタライズ部はそれぞれ電気的に接続されていてもよい。
Inside the substrate 2, in addition to the electrode 3 and the plurality of metallized portions, an internal wiring formed between the insulating layers and a through conductor that connects the internal wirings up and down may be provided. These internal wirings or through conductors may be exposed on the surface of the substrate 2. The electrode pad, the electrode 3 and the plurality of metallized portions may be electrically connected to each other by the internal wiring or the through conductor.

電子素子実装用基板1の複数のメタライズ部は、それぞれ実装領域4と平行に設けられた第1部5aと、第1部5aよりも上方または下方に位置した第2部5cを有している。複数のメタライズ部は第1部5aと第2部5cとの間に位置した傾斜部5cを有している。複数のメタライズの第2部5bは、隣り合うメタライズ部同士の間に設けられている。ここで、断面視において実装領域4と平行とは、基板2の外縁の内部において、第1部5aの延長線が実装領域4の仮想平面の延長線と接していない程度であればよく、工程誤差等で多少角度がついていても構わない。なお、仮想平面とは、複数の電極3の内側端部のZ軸方向における高さ位置の最小二乗法で求められる平面とする。   Each of the plurality of metallized portions of the electronic element mounting substrate 1 includes a first portion 5a provided in parallel with the mounting region 4 and a second portion 5c positioned above or below the first portion 5a. . The plurality of metallized portions have an inclined portion 5c located between the first portion 5a and the second portion 5c. The plurality of second metallization parts 5b are provided between adjacent metallization parts. Here, the parallel to the mounting region 4 in the cross-sectional view is sufficient if the extension line of the first portion 5a is not in contact with the extension line of the virtual plane of the mounting region 4 inside the outer edge of the substrate 2. It may be slightly angled due to errors or the like. The virtual plane is a plane obtained by the least square method of the height positions in the Z-axis direction of the inner end portions of the plurality of electrodes 3.

近年、小型化の要求により電子素子実装用基板1において複数の異なる電位を有するメタライズ部の距離は小さくなっている。そのため、電子素子10が作動することでそれら複数の異なる電位を有するメタライズ部で発生した電磁波ノイズが近傍の異なるメタライズ部に伝搬し、ノイズがより大きくなる、または不用意な信号を発生させ、電子装置に誤作動がおきてしまう恐れがあった。   In recent years, the distance between metallized portions having a plurality of different potentials in the electronic element mounting substrate 1 has been reduced due to a demand for miniaturization. Therefore, when the electronic element 10 is operated, electromagnetic noise generated in the metallized parts having the plurality of different potentials propagates to different metallized parts in the vicinity, and the noise becomes larger or an inadvertent signal is generated. There was a risk that the device would malfunction.

これに対し、本発明の電子素子実装用基板1は複数のメタライズ部を有しており、金属層5は第1部5aと、金属層5の両端に設けられ、第1部5aよりも上方または下方に位置している第2部5bと、第1部5aと第2部5bとの間に位置する傾斜部5cを有している。さらに複数のメタライズの第2部5bは、隣り合うメタライズ部同士の間に設けられている。基板2のZ軸方向成分を有する傾斜部5cと第1部5aよりも下方または上面に位置する第2部5bを隣り合うメタライズ部同士の間に有することで、第2部5bと傾斜部5cにシールドの役割を持たせることが可能となる。よって、隣り合うメタライズ部で発生した電磁波ノイズを有効に抑制することが可能となり、隣り合うメタライズ部同士の距離が小さい場合においても、隣り合うメタライズ部から伝搬する電磁波ノイズの量を低減させることが可能となる。   On the other hand, the electronic device mounting substrate 1 of the present invention has a plurality of metallized portions, and the metal layer 5 is provided at both ends of the first portion 5a and the metal layer 5, and is higher than the first portion 5a. Or it has the inclined part 5c located between the 2nd part 5b located below, and the 1st part 5a and the 2nd part 5b. Further, the plurality of metallized second parts 5b are provided between adjacent metallized parts. The second portion 5b and the inclined portion 5c are provided between the adjacent metallized portions by having the inclined portion 5c having the Z-axis direction component of the substrate 2 and the second portion 5b positioned below or on the upper side of the first portion 5a. Can be given a role of shielding. Therefore, it is possible to effectively suppress electromagnetic noise generated in adjacent metallized parts, and even when the distance between adjacent metallized parts is small, it is possible to reduce the amount of electromagnetic noise propagated from adjacent metalized parts. It becomes possible.

また、基板2のZ軸方向成分を有する傾斜部5cと第1部5aよりも下方または上面に位置する第2部5bを隣り合うメタライズ部同士の間に有することで、メタライズ部がそれぞれ各々で発した電磁波ノイズを傾斜部5cの内側へ反射させることが可能となる。よって、それぞれのメタライズ部から電磁波ノイズが漏えいし、隣り合うメタライズ部に伝搬することを低減させることが可能となる。   In addition, each of the metallized parts has a slope part 5c having a Z-axis direction component of the substrate 2 and a second part 5b located below or on the upper surface of the first part 5a between adjacent metallized parts. The emitted electromagnetic wave noise can be reflected to the inside of the inclined portion 5c. Therefore, it is possible to reduce electromagnetic wave noise leaking from each metallized portion and propagating to adjacent metallized portions.

特に近年、電子素子実装用基板1の薄型化により、各絶縁層は薄くなっている。そのため、金属層5を傾斜させたことでも、十分なZ軸方向の大きさを稼ぐことが可能となり、電磁ノイズの遮蔽の効果をより向上させることが可能となる。   In particular, in recent years, each insulating layer has become thinner due to the reduction in thickness of the electronic element mounting substrate 1. Therefore, even when the metal layer 5 is inclined, it is possible to obtain a sufficient size in the Z-axis direction, and the effect of shielding electromagnetic noise can be further improved.

図3に示す例の様に、金属層5は、実装領域4と重なる位置に、第2部5bおよび傾斜部5cを有していてもよい。一般的に、電子素子10は作動すると発熱し、その発熱量は電子素子の高機能化においてより大きくなる傾向にある。そのため、電子素子実装用基板1は、放熱性の向上を要求されている。これに対し、図3に示す例の様に、金属層5の第2部5bと傾斜部5cが実装領域4と上面視において重なる位置に位置することで、電子素子10が作動し、発熱した熱を放熱するための経路を作製することができる。つまり言い換えると、第2部5bが実装領域4と反対方向にある場合は第1部5aで熱を受取り、傾斜部5cを介して熱を反対側へ放熱するための経路となる。また第2部5bが実装領域4と同じ方向にある場合は第2部5bで熱を受取り、傾斜部5cを介して熱を反対側へ放
熱するための経路となる。よって、電子素子実装用基板1の放熱性を向上させることが可能となる。
As in the example illustrated in FIG. 3, the metal layer 5 may have the second portion 5 b and the inclined portion 5 c at a position overlapping the mounting region 4. In general, the electronic element 10 generates heat when it operates, and the amount of generated heat tends to increase as the functionality of the electronic element increases. Therefore, the electronic element mounting substrate 1 is required to improve heat dissipation. On the other hand, as shown in the example shown in FIG. 3, the second portion 5b and the inclined portion 5c of the metal layer 5 are located at a position overlapping the mounting region 4 in a top view, so that the electronic element 10 operates and generates heat. A path for radiating heat can be created. That is, in other words, when the second part 5b is in the direction opposite to the mounting region 4, the first part 5a receives heat and becomes a path for dissipating the heat to the opposite side via the inclined part 5c. Further, when the second portion 5b is in the same direction as the mounting region 4, the second portion 5b receives heat and becomes a path for radiating the heat to the opposite side via the inclined portion 5c. Therefore, the heat dissipation of the electronic element mounting board 1 can be improved.

複数のメタライズ部は、信号に電気的に接続していなくてもよいが、接地電位と電気的に接続していても良い。隣り合うメタライズ部の一方が接地電位と電気的に接続していることで、金属層5のシールドの効果をより高めることが可能となり、電磁波ノイズの影響をより効率的に低減させることが可能となる。また、隣り合うメタライズ部がそれぞれ異なる接地電位と電気的に接続していることでお互いの電磁波ノイズの発生を低減させつつ、外部からの電磁波ノイズに対してシールド効果をより向上させることが可能となる。   The plurality of metallization units may not be electrically connected to the signal, but may be electrically connected to the ground potential. Since one of the adjacent metallized portions is electrically connected to the ground potential, the shielding effect of the metal layer 5 can be further increased, and the influence of electromagnetic noise can be reduced more efficiently. Become. In addition, it is possible to improve the shielding effect against external electromagnetic noise while reducing the generation of electromagnetic noise by mutually connecting adjacent metallized parts to different ground potentials. Become.

メタライズ部の第1部5aは、実装領域4と平行であれば、第1絶縁層2aと第2絶縁層2bとの間のどこに位置していても構わない。例えば、図1〜2に示す例の様に断面視において基板2の全体に設けられていてもよいし、一部分だけに設けられていてもよい。なお、第1部5aの大きさは問わないが例えば断面視におけるx軸方向の長さが150μm程度以上あればよい。   The first part 5a of the metallized part may be located anywhere between the first insulating layer 2a and the second insulating layer 2b as long as it is parallel to the mounting region 4. For example, like the example shown in FIGS. 1-2, it may be provided in the whole board | substrate 2 in the cross sectional view, and may be provided only in a part. Note that the size of the first part 5a is not limited, but it is sufficient if the length in the x-axis direction in a cross-sectional view is about 150 μm or more.

メタライズ部の第2部5bは、隣り合うメタライズ部間に設けられているが、それ以外の場所にも設けられていても良い。つまり言い換えるとメタライズ部の第2部5bは断面視において外辺付近にもさらに設けられていてもよい。第2部5bは例えば断面視におけるx軸方向の長さが30μm以上であればよい。   The second part 5b of the metallized part is provided between the adjacent metallized parts, but may be provided at other locations. In other words, the second portion 5b of the metallized portion may be further provided near the outer side in a cross-sectional view. For example, the length of the second part 5b in the x-axis direction in a cross-sectional view may be 30 μm or more.

メタライズ部の傾斜部5cはZ軸方向の長さとして、第1絶縁層2aまたは第2絶縁層2bの厚みの10%〜40%程度の大きさを有していればよい。つまり、第1絶縁層2aまたは第2絶縁層2bの厚みが35μmのとき、傾斜部5cのZ軸方向の長さは3.5μm〜14μm程度である。これにより、傾斜部5cのZ軸方向成分を十分とすることができ、より遮蔽の効果を向上させることが可能となる。なお、Z軸方向の長さは大きい程シールドの効果をより向上させることが可能となる。   The inclined portion 5c of the metallized portion may have a size of about 10% to 40% of the thickness of the first insulating layer 2a or the second insulating layer 2b as the length in the Z-axis direction. That is, when the thickness of the first insulating layer 2a or the second insulating layer 2b is 35 μm, the length of the inclined portion 5c in the Z-axis direction is about 3.5 μm to 14 μm. Thereby, the Z-axis direction component of the inclined portion 5c can be made sufficient, and the shielding effect can be further improved. Note that the shield effect can be further improved as the length in the Z-axis direction is larger.

メタライズ部は上面視においてMIPI配線またはシグナル配線など電磁波ノイズのアンテナとなりやすい、またはノイズ成分に弱い配線と重なる位置に設けていてもよい。金属層5と上面視で重なる位置に配置することで部分的にシールド効果を特に高めることができる。よって、電磁波ノイズのアンテナとなりやすい、またはノイズ成分に弱い配線について遮へい効果を高めることが可能となる。   The metallized portion may be provided at a position that is likely to be an antenna for electromagnetic noise such as MIPI wiring or signal wiring in a top view, or overlaps wiring that is weak against noise components. By disposing the metal layer 5 at a position overlapping the top view, the shielding effect can be particularly enhanced partially. Therefore, it is possible to enhance the shielding effect for the wiring that tends to be an antenna of electromagnetic noise or is weak against noise components.

メタライズ部の第2部5bと傾斜部5cは少なくとも隣り合うメタライズ部同士の間に設けられていてもよいが、第1部5aの全周に設けられていてもよい。メタライズ部の第2部5bと傾斜部5cが第1部5aの全周に設けられていることで、基板2の外部からの電磁誘導による電磁波ノイズのシールド効果もより高めることが可能となる。   The second part 5b and the inclined part 5c of the metallized part may be provided at least between adjacent metallized parts, but may be provided on the entire circumference of the first part 5a. By providing the second portion 5b and the inclined portion 5c of the metallized portion around the entire circumference of the first portion 5a, it is possible to further enhance the shielding effect of electromagnetic noise due to electromagnetic induction from the outside of the substrate 2.

隣り合うメタライズ部同士の間に設けられた第2部5bは図2〜図3に示す例では、同じ方向(ここでは下方)に位置しているが、一方のメタライズ部の第2部5bが第1部5aよりも上方に位置していても良い。これにより、シールドする方向を異ならせることが可能となるため、隣り合うメタライズ部に対してより遮へいをすることができ、電磁波ノイズの影響をより低減させることが可能となる。   In the example shown in FIGS. 2 to 3, the second part 5 b provided between the adjacent metallized parts is located in the same direction (here, downward), but the second part 5 b of one metallized part is You may be located above the 1st part 5a. Thereby, since it becomes possible to change the direction to shield, it can shield more with respect to an adjacent metallized part, and it becomes possible to reduce the influence of electromagnetic noise more.

図4に本実施形態の変形例を示す。図4に示す例では、第2絶縁層2bの下面には、第2の金属層6が設けられているとともに、第2の金属層6の下面には、第3絶縁層2cが設けられており、断面視において、第2の金属層6は、実装領域4と平行に設けられた第3部6aと、第3部6aよりも下方に位置した第4部6bと、第3部6aと第4部6bとの間に位置した第2の傾斜部6cとを有している。このように、金属層5と第2の金属層
6を上面視において重なるように設けることで、シールドの壁を疑似的に大きくすることができる。よって、電磁波ノイズの漏えいをより抑制できるとともに外部からの電磁波ノイズの伝搬をより抑制することが可能となる。よって、電磁波ノイズの影響を低減させることが可能となる。
FIG. 4 shows a modification of the present embodiment. In the example shown in FIG. 4, a second metal layer 6 is provided on the lower surface of the second insulating layer 2 b, and a third insulating layer 2 c is provided on the lower surface of the second metal layer 6. In the cross-sectional view, the second metal layer 6 includes a third portion 6a provided in parallel with the mounting region 4, a fourth portion 6b positioned below the third portion 6a, and a third portion 6a. It has the 2nd inclination part 6c located between the 4th parts 6b. Thus, by providing the metal layer 5 and the second metal layer 6 so as to overlap in a top view, the shield wall can be made pseudo-large. Therefore, leakage of electromagnetic wave noise can be further suppressed and propagation of electromagnetic wave noise from the outside can be further suppressed. Therefore, the influence of electromagnetic noise can be reduced.

図4に示す例では、金属層5のメタライズ部の第2部5bと、第2の金属層6のメタライズ部の第4部6bとが重なっている。このことで、金属層5の第2部5bと第2の金属層6の第4部6bとの絶縁ギャップを保つことが可能となる。よって、金属層5の第2部5bと第2の金属層6の第4部6bとの間の干渉により、電磁波ノイズが発生することを低減させることが可能となる。   In the example shown in FIG. 4, the second part 5 b of the metallized part of the metal layer 5 and the fourth part 6 b of the metallized part of the second metal layer 6 overlap each other. This makes it possible to maintain an insulation gap between the second portion 5 b of the metal layer 5 and the fourth portion 6 b of the second metal layer 6. Therefore, it is possible to reduce the occurrence of electromagnetic noise due to interference between the second portion 5b of the metal layer 5 and the fourth portion 6b of the second metal layer 6.

図4に示す例では、金属層5と第2の金属層6とが完全に重なるように位置しているが、断面視においてずれて配置されていても構わない。以下第2の金属層6についての構成材料または接続電位などは第1の実施形態と類似のため、説明は省略する。   In the example shown in FIG. 4, the metal layer 5 and the second metal layer 6 are positioned so as to completely overlap with each other, but may be arranged so as to be shifted in a sectional view. Hereinafter, since the constituent material or connection potential of the second metal layer 6 is similar to that of the first embodiment, the description thereof is omitted.

<電子素子実装用基板および電子装置の製造方法>
次に、本実施形態の電子素子実装用基板1および電子装置21の製造方法の一例について説明する。本実施形態の電子素子実装用基板1および電子装置21の製造方法は基本的には第1実施形態に記載の製造方法と類似である。ここでは、複数のメタライズ部同士について説明する。
<Electronic Device Mounting Board and Electronic Device Manufacturing Method>
Next, an example of a method for manufacturing the electronic element mounting substrate 1 and the electronic device 21 according to the present embodiment will be described. The manufacturing method of the electronic element mounting substrate 1 and the electronic device 21 of the present embodiment is basically similar to the manufacturing method described in the first embodiment. Here, a plurality of metallized portions will be described.

複数のメタライズ部同士の間に設けられたメタライズ部の第2部5bは、例えば図9(c)に示す例の様に、1つのセラミックペースト42fを連続的に塗布することでも形成することが可能となる。これにより、メタライズ部に第2部5bを形成しつつ、セラミックペーストが隣り合うメタライズ部同士の間を埋める為、積層する工程等において金属ペーストが延びて隣り合うメタライズ部同士にショートが発生することを低減させることが可能となる。   The second part 5b of the metallized part provided between the plurality of metallized parts can also be formed by continuously applying one ceramic paste 42f as in the example shown in FIG. 9C, for example. It becomes possible. As a result, the second portion 5b is formed in the metallized portion, and the ceramic paste fills the space between the adjacent metallized portions, so that the metal paste extends in the laminating process or the like and a short circuit occurs between the adjacent metalized portions. Can be reduced.

(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態による電子素子実装用基板1について、図5を参照しつつ説明する。本実施形態における電子素子実装用基板1において、第1の実施形態および第2の実施形態の電子素子実装用基板1と異なる点は、基板2には上面から下面まで貫通した開口部を有している点である。
(Third embodiment)
Next, an electronic element mounting substrate 1 according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The electronic element mounting substrate 1 in this embodiment is different from the electronic element mounting substrate 1 in the first and second embodiments in that the substrate 2 has an opening that penetrates from the upper surface to the lower surface. It is a point.

図5に示す例では、電子素子実装用基板1の第1絶縁層2a、第2絶縁層2b、第3絶縁層2cおよびその他の絶縁層2dは実装領域と平面視で重なる位置に上面から下面まで貫通した貫通孔を有している。このような電子素子実装用基板1は、例えば電子素子10がCMOS、CCDの時などに使用され、電子素子10は上面視において貫通孔と重なるように基板2の下面側に設けられた電極3と金バンプ等の電子素子接合材13を介して実装される。このような構成の基板2において、第1絶縁層2aと第2絶縁層2bの間に設けられた金属層5は少なくとも基板2の外縁部分で第2部5bを有していても良い。言い換えると、例えば貫通孔を囲むようにして設けられた金属層5の両端(つまり外縁部分)に第2部2bを有していればよく、貫通孔を囲む内縁部には第2部5bは設けられていても良いし設けられていなくてもよい。このような構成によって、第2部5bと傾斜部5cとにシールドの役割を持たせることが可能となる。よって、基板2の金属層5の近傍で発生した電磁波ノイズを有効に抑制することが可能となり、電子素子実装用基板1から漏えいする電磁波ノイズの量を低減させることが可能となる。また、電子素子実装用基板1の外部で発生した電磁波ノイズが基板2に伝搬してきたとしても、外部から伝搬してきた電磁波ノイズを有効に抑制することが可能となる。よって、基板2の金属層5で囲まれた箇所に伝搬した電磁波ノイズの影響と外部への電磁波ノイズの漏えいを低減させることが可
能となる。
In the example shown in FIG. 5, the first insulating layer 2a, the second insulating layer 2b, the third insulating layer 2c, and the other insulating layers 2d of the electronic element mounting substrate 1 are arranged from the upper surface to the lower surface so as to overlap with the mounting area in plan view. It has a through hole that penetrates to Such an electronic element mounting substrate 1 is used, for example, when the electronic element 10 is a CMOS or CCD, and the electronic element 10 is provided with an electrode 3 provided on the lower surface side of the substrate 2 so as to overlap with the through hole in a top view. And an electronic element bonding material 13 such as a gold bump. In the substrate 2 having such a configuration, the metal layer 5 provided between the first insulating layer 2 a and the second insulating layer 2 b may have the second portion 5 b at least at the outer edge portion of the substrate 2. In other words, for example, the second portion 2b may be provided at both ends (that is, the outer edge portion) of the metal layer 5 provided so as to surround the through hole, and the second portion 5b is provided at the inner edge portion surrounding the through hole. It may or may not be provided. With such a configuration, the second portion 5b and the inclined portion 5c can have a shielding role. Therefore, electromagnetic wave noise generated in the vicinity of the metal layer 5 of the substrate 2 can be effectively suppressed, and the amount of electromagnetic wave noise leaking from the electronic element mounting substrate 1 can be reduced. Further, even if electromagnetic wave noise generated outside the electronic element mounting substrate 1 propagates to the substrate 2, the electromagnetic wave noise propagated from the outside can be effectively suppressed. Therefore, it is possible to reduce the influence of the electromagnetic wave noise propagated to the portion surrounded by the metal layer 5 of the substrate 2 and the leakage of the electromagnetic wave noise to the outside.

基板2が貫通孔を有する時、金属層5は基板2の貫通孔を半周〜1周を囲むように設けられていても良い。これにより、第2部5bおよび傾斜部5cが基板2の外周を半周〜1周囲むことになり、電磁波ノイズの影響をより低減させることが可能となる。   When the board | substrate 2 has a through-hole, the metal layer 5 may be provided so that the through-hole of the board | substrate 2 may be enclosed in a half circumference-one circumference. Thereby, the 2nd part 5b and the inclination part 5c will wrap the outer periphery of the board | substrate 2 half to 1 circumference | surroundings, and it becomes possible to reduce the influence of electromagnetic noise more.

金属層5は貫通孔を囲む内縁部には第2部5bを有していてもよい。これにより、貫通孔を介しての外部からの電磁波ノイズの伝搬を避けるとともに、電磁波ノイズが漏えいし電子素子10に伝搬することを低減させることが可能となる。   The metal layer 5 may have a second portion 5b at the inner edge surrounding the through hole. Accordingly, propagation of electromagnetic noise from the outside through the through hole can be avoided, and leakage of electromagnetic noise and propagation to the electronic element 10 can be reduced.

金属層5は電極3の直上の層または直下の層に設けられていてもよい。一般的に電子素子10と電子素子実装用基板1とを電気的に接続する電極3および電子素子接続材13はシールドで被覆されていない。これに対し、電極3の直上の層または直下の層に金属層5が設けられていることで、電極3および電子素子接続材13に対してシールドの効果を持たせることが可能となる。よって、電極3および電子素子接続材13に対する伝搬した電磁波ノイズの影響を低減させることが可能となる。   The metal layer 5 may be provided in a layer immediately above or below the electrode 3. Generally, the electrode 3 and the electronic element connecting material 13 that electrically connect the electronic element 10 and the electronic element mounting substrate 1 are not covered with a shield. On the other hand, since the metal layer 5 is provided in the layer immediately above or directly below the electrode 3, it is possible to give a shielding effect to the electrode 3 and the electronic element connecting material 13. Therefore, it is possible to reduce the influence of the propagated electromagnetic wave noise on the electrode 3 and the electronic element connecting material 13.

図5に示す例の様に、基板2が外縁に切欠き7と切欠き7の上面から側面及び下面に設けられた壁面導体7aを有しているとき、金属層5の第2部5bは壁面導体7aと電気的に接続していてもよい。これにより、壁面導体7aもシールドの役割を持たせることが可能となり伝搬した電磁波ノイズの影響と外部への電磁波ノイズの漏えいをより低減させることが可能となる。   As in the example shown in FIG. 5, when the substrate 2 has a notch 7 on the outer edge and a wall conductor 7 a provided on the side surface and the lower surface from the upper surface of the notch 7, the second portion 5 b of the metal layer 5 is The wall conductor 7a may be electrically connected. Thereby, the wall surface conductor 7a can also serve as a shield, and the influence of the propagated electromagnetic noise and the leakage of the electromagnetic noise to the outside can be further reduced.

図5に示す例の様に、電子素子実装用基板1は金属層5の下面に第2の金属層6を有していてもよい。これにより、電磁波ノイズに対するシールド効果をより高めることが可能となる。   As in the example shown in FIG. 5, the electronic element mounting substrate 1 may have a second metal layer 6 on the lower surface of the metal layer 5. Thereby, it becomes possible to further enhance the shielding effect against electromagnetic noise.

このような電子素子実装用基板1を作製する方法としては、基本的には第1実施形態および第2実施形態と同様である。これらの製造工程において、基板2を貫通する貫通孔をレーザー加工または金型加工で設けることで作製することができる。なお、このとき基板2を貫通する貫通孔を設ける前に金属層5を設けてもよいし、貫通孔を設けた後に金属層5を設けてもよい。   The method for producing such an electronic element mounting substrate 1 is basically the same as in the first embodiment and the second embodiment. In these manufacturing processes, a through hole penetrating the substrate 2 can be formed by laser processing or mold processing. At this time, the metal layer 5 may be provided before the through hole penetrating the substrate 2 is provided, or the metal layer 5 may be provided after the through hole is provided.

(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態による電子素子実装用基板1について、図6を参照しつつ説明する。本実施形態における電子素子実装用基板1において、第1の実施形態および第2の実施形態の電子素子実装用基板1と異なる点は、金属層5に複数の第2部5bが設けられている点である。
(Fourth embodiment)
Next, an electronic element mounting substrate 1 according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The electronic element mounting substrate 1 in the present embodiment is different from the electronic element mounting substrate 1 in the first embodiment and the second embodiment in that a plurality of second portions 5 b are provided in the metal layer 5. Is a point.

図6(a)に示す例では、金属層5は両端に設けられた、第2部5bおよび傾斜部5cと、さらに基板2の実装領域4と重なる位置にも第2部5bおよび傾斜部5cが設けられている。このような構成により、基板2の実装領域4と重なる位置に第2部5bおよび傾斜部5cが両端に設けられた第2部5bの間にさらに設けられていることで遮断壁の役割をもたせるため、基板2の実装領域4と重なる位置に第2部5bを透過する電磁波ノイズを減衰させ、電子素子実装用基板1から最終的に漏えいする電磁波ノイズの量をより低減させることが可能となる。   In the example shown in FIG. 6A, the metal layer 5 is provided at both ends, and the second portion 5b and the inclined portion 5c are also provided at the positions overlapping the second portion 5b and the inclined portion 5c and the mounting region 4 of the substrate 2. Is provided. With such a configuration, the second portion 5b and the inclined portion 5c are further provided between the second portions 5b provided at both ends at a position overlapping the mounting region 4 of the substrate 2, thereby providing a function as a blocking wall. Therefore, it is possible to attenuate the electromagnetic noise transmitted through the second portion 5b at a position overlapping the mounting region 4 of the substrate 2 and further reduce the amount of electromagnetic noise that leaks from the electronic device mounting substrate 1. .

図6(b)に示す例では、複数のメタライズ部は隣り合うメタライズ部の間に設けられた第2部5bおよび傾斜部5cと、さらにその反対面つまり基板2の外周部周辺にも第2部5bおよび傾斜部5cを有している。このような構成により、複数のメタライズ部間の
電磁波ノイズの影響を低減させるとともに、電子素子実装用基板1から電磁波ノイズが漏えいすることを低減させることが可能となる。また、電子素子実装用基板1の外部で発生した電磁波ノイズが基板2に伝搬してきたとしても、外部から伝搬してきた電磁波ノイズを有効に抑制することが可能となる。よって、基板2の複数のメタライズ部において金属層5で囲まれた箇所に隣り合うメタライズ部からの電磁ノイズの影響と、外部からした伝搬した電磁波ノイズの影響と、外部への電磁波ノイズの漏えいの影響を低減させることが可能となる。
In the example shown in FIG. 6B, the plurality of metallized portions are secondly disposed on the second portion 5 b and the inclined portion 5 c provided between adjacent metallized portions, and also on the opposite surface, that is, around the outer peripheral portion of the substrate 2. It has the part 5b and the inclination part 5c. With such a configuration, it is possible to reduce the influence of electromagnetic wave noise between the plurality of metallized portions and to reduce leakage of electromagnetic wave noise from the electronic element mounting substrate 1. Further, even if electromagnetic wave noise generated outside the electronic element mounting substrate 1 propagates to the substrate 2, the electromagnetic wave noise propagated from the outside can be effectively suppressed. Therefore, the influence of electromagnetic noise from the metallized portion adjacent to the portion surrounded by the metal layer 5 in the plurality of metallized portions of the substrate 2, the influence of electromagnetic wave noise propagated from the outside, and leakage of electromagnetic noise to the outside The influence can be reduced.

このような電子素子実装用基板1を作製する方法としては、基本的には第1実施形態および第2実施形態と同様である。これらの製造工程において、第2部5bを設ける為のセラミックペースト42fを塗布する箇所を所定の箇所に増やすことで本実施形態における電子素子実装用基板1を作製することが可能となる。   The method for producing such an electronic element mounting substrate 1 is basically the same as in the first embodiment and the second embodiment. In these manufacturing steps, it is possible to manufacture the electronic element mounting substrate 1 in the present embodiment by increasing the number of places where the ceramic paste 42f for providing the second portion 5b is applied to a predetermined position.

(第5の実施形態)
次に、本発明の第5の実施形態による電子素子実装用基板1について、図7を参照しつつ説明する。本実施形態における電子素子実装用基板1において、第1の実施形態および第2の実施形態の電子素子実装用基板1と異なる点は、上面視において、金属層5の第1部5aと重なっている部分が第2の金属層6の第4部6bの位置となっている点である。
(Fifth embodiment)
Next, an electronic element mounting board 1 according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The electronic element mounting substrate 1 in the present embodiment differs from the electronic element mounting substrate 1 in the first and second embodiments in that it overlaps the first portion 5a of the metal layer 5 in a top view. This is that the portion where the second metal layer 6 is located is the position of the fourth portion 6b.

図7(a)および図7(b)に示す例では、金属層5の第1部5aと、第2の金属層6の第4部6bとは上面視において重なっている。これにより、金属層5の第1部5aと、第2の金属層6の第4部6bとの間の距離の調整を行うことができる。よって、本発明の効果を奏しつつ、金属層5の第1部5aと、第2の金属層6の第4部6bに異なる配線等を設けた際にインピーダンスの調整を行うことが可能となる。   In the example shown in FIGS. 7A and 7B, the first portion 5a of the metal layer 5 and the fourth portion 6b of the second metal layer 6 overlap each other when viewed from above. Thereby, the distance between the 1st part 5a of the metal layer 5 and the 4th part 6b of the 2nd metal layer 6 can be adjusted. Therefore, it is possible to adjust the impedance when different wirings are provided in the first portion 5a of the metal layer 5 and the fourth portion 6b of the second metal layer 6 while exhibiting the effects of the present invention. .

図7(a)および図7(b)に示す例では、金属層5の第2部5bと、第2の金属層6の第3部6aとは上面視において重なっている。これにより、縦断面視において金属層5の第2部5bと、第2の金属層6の第3部6aとの距離を小さくすることができる。よって、電磁波ノイズの入り口または出口をより小さくすることができ、シールドの効果を高めて第1部5aと第4部6bとで囲まれた領域に電磁波ノイズが影響する事をより低減させることが可能となる。よって、基板2の金属層5と第2の金属層6に囲まれた領域において外部からした伝搬した電磁波ノイズの影響と、外部への電磁波ノイズの漏えいの影響と、メタライズ部が複数ある場合には隣り合うメタライズ部からの電磁ノイズの影響と、を低減させることが可能となる。   In the example shown in FIGS. 7A and 7B, the second portion 5b of the metal layer 5 and the third portion 6a of the second metal layer 6 overlap each other when viewed from above. Thereby, the distance of the 2nd part 5b of the metal layer 5 and the 3rd part 6a of the 2nd metal layer 6 can be made small in the longitudinal cross sectional view. Therefore, the entrance or exit of the electromagnetic noise can be made smaller, the effect of the shield can be enhanced, and the influence of the electromagnetic noise on the area surrounded by the first part 5a and the fourth part 6b can be further reduced. It becomes possible. Therefore, in the case where there are a plurality of metallized portions and the influence of the electromagnetic wave noise propagated from the outside in the region surrounded by the metal layer 5 and the second metal layer 6 of the substrate 2, the influence of leakage of the electromagnetic wave noise to the outside It is possible to reduce the influence of electromagnetic noise from adjacent metallized portions.

図7(a)および図7(b)に示す例では、金属層5と第2の金属層6とが完全に重なるように位置しているが、断面視においてずれて配置されていても構わない。   In the example shown in FIG. 7A and FIG. 7B, the metal layer 5 and the second metal layer 6 are positioned so as to be completely overlapped, but they may be shifted in a sectional view. Absent.

(第6の実施形態)
次に、本発明の第6の実施形態による電子素子実装用基板1について、図8を参照しつつ説明する。本実施形態における電子素子実装用基板1において、第1の実施形態および第5の実施形態の電子素子実装用基板1と異なる点は、第2絶縁層2bと第3絶縁層2cの間にその他の絶縁層2dが設けられ、その他の絶縁層2dの上面であって金属層5と第2金属層6との間にその他の金属層8が設けられている点である。
(Sixth embodiment)
Next, an electronic element mounting substrate 1 according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The electronic element mounting substrate 1 in the present embodiment is different from the electronic element mounting substrate 1 in the first and fifth embodiments in that there are other points between the second insulating layer 2b and the third insulating layer 2c. The other insulating layer 2d is provided, and the other metal layer 8 is provided between the metal layer 5 and the second metal layer 6 on the upper surface of the other insulating layer 2d.

図8(a)および図8(b)に示す例では、電子素子実装用基板1は縦断面視において第2絶縁層2bと第3絶縁層2cの間にその他の絶縁層2dが設けられており、その他の絶縁層2dの上面であって金属層5と第2金属層6との間にその他の金属層8が設けられている。これにより、金属層5と第2の金属層6とでその他の金属層8を囲むことが可能となり、その他の金属層8に電磁波ノイズが影響することをより的減させることが可能と
なる。
In the example shown in FIGS. 8A and 8B, the electronic element mounting substrate 1 is provided with another insulating layer 2d between the second insulating layer 2b and the third insulating layer 2c in a longitudinal sectional view. The other metal layer 8 is provided between the metal layer 5 and the second metal layer 6 on the upper surface of the other insulating layer 2d. As a result, the metal layer 5 and the second metal layer 6 can surround the other metal layer 8, and the influence of electromagnetic noise on the other metal layer 8 can be further reduced.

図8(a)に示す例では、金属層5と第2の金属層6は複数のメタライズ部を有し、金属層5の第2部5bと、第2の金属層6の第3部6aとは上面視において重なっており、金属層5の第1部5aと第2の金属層6の第4部6bとの間に複数のその他の金属層8が設けられている。このような構成であることで、縦断面視において金属層5の第2部5bと、第2の金属層6の第3部6aとの距離を小さくすることができる。よって、電磁波ノイズの入り口または出口をより小さくすることができ、シールドの効果を高めて第1部5aと第4部6bとで囲まれた領域に設けられたその他の金属層8に対して電磁波ノイズが影響する事をより低減させることが可能となる。その他の金属層8がシグナル配線またはペア配線であるときはその他の金属層8は電磁波ノイズの影響を受けやすくなるため、図8(a)の構成のように金属層5と第2の金属層6とで囲むことで、電磁波ノイズの影響を小さくすることが可能となり、またインピーダンスの整合を取りやすくなる。   In the example shown in FIG. 8A, the metal layer 5 and the second metal layer 6 have a plurality of metallized parts, and the second part 5 b of the metal layer 5 and the third part 6 a of the second metal layer 6. And a plurality of other metal layers 8 are provided between the first portion 5 a of the metal layer 5 and the fourth portion 6 b of the second metal layer 6. With such a configuration, the distance between the second portion 5b of the metal layer 5 and the third portion 6a of the second metal layer 6 can be reduced in a longitudinal sectional view. Therefore, the entrance or exit of the electromagnetic noise can be made smaller, and the shielding effect is enhanced, and the electromagnetic wave is applied to the other metal layer 8 provided in the region surrounded by the first part 5a and the fourth part 6b. It is possible to further reduce the influence of noise. When the other metal layer 8 is a signal wiring or a pair wiring, the other metal layer 8 is easily affected by electromagnetic noise, so that the metal layer 5 and the second metal layer are configured as shown in FIG. By enclosing with 6, it becomes possible to reduce the influence of electromagnetic noise, and it becomes easy to achieve impedance matching.

図8(b)に示す例では、金属層5の第2部5bと、第2の金属層6の第4部6bとは上面視において重なっており、金属層5の第1部5aと第2の金属層6の第3部6aとの間に複数のその他の金属層8が設けられている。このような構成であることで、金属層5と第2の金属層6とでその他の金属層8を囲むことが可能となり、その他の金属層8に電磁波ノイズが影響することをより低減させることが可能となる。その他の金属層8が幅の広いベタパターン(接地電位または電源電位)であるときは、その他の金属層8が電磁波ノイズで揺らぎ、電子装置21が誤作動または作動しないことを低減させることが可能となる。   In the example shown in FIG. 8B, the second portion 5b of the metal layer 5 and the fourth portion 6b of the second metal layer 6 overlap in top view, and the first portion 5a of the metal layer 5 A plurality of other metal layers 8 are provided between the second metal layer 6 and the third portion 6a. With such a configuration, the metal layer 5 and the second metal layer 6 can surround the other metal layer 8, thereby further reducing the influence of electromagnetic wave noise on the other metal layer 8. Is possible. When the other metal layer 8 has a wide solid pattern (ground potential or power supply potential), it is possible to reduce the fact that the other metal layer 8 fluctuates due to electromagnetic noise and the electronic device 21 does not malfunction or operate. It becomes.

なお、図8(a)と図8(b)に示す例では上記のようにその他の金属層8について説明したが、それぞれの形態においてその他の金属層8はシグナル配線(信号配線)であってもよいし、ベタパターン(接地電位または電源電位)であってもよい。   In the example shown in FIGS. 8A and 8B, the other metal layer 8 has been described as described above. However, in each embodiment, the other metal layer 8 is a signal wiring (signal wiring). Alternatively, it may be a solid pattern (ground potential or power supply potential).

また、金属層5が幅広の両端にのみ第2部5bを有する形状であって、その下に設けられた第2の金属層6は複数のメタライズ部を有している構造であってもよい。言い換えると、金属層5が1つに対して、第2の金属層6が2つ以上設けられていてもよい。この場合は金属層5の面積を広くすることが可能となるため、複数のメタライズ部に分割した場合よりも金属層5の抵抗を低減させることが可能となる。よって、金属層5の抵抗を低減しつつ、複数のメタライズ部を有する第2の金属層6でシールド効果を得たい箇所に調整することが可能となる。例えば、2組のペア配線があるときは、複数のメタライズ部を有する第2の金属層6を2箇所設けることで、2組のペア配線間での電磁波ノイズの影響をより低減させることが可能となる。   Further, the metal layer 5 may have a shape having the second portion 5b only at both ends of the wide width, and the second metal layer 6 provided thereunder may have a structure having a plurality of metallized portions. . In other words, two or more second metal layers 6 may be provided for one metal layer 5. In this case, since the area of the metal layer 5 can be increased, the resistance of the metal layer 5 can be reduced as compared with the case where the metal layer 5 is divided into a plurality of metallized portions. Therefore, it is possible to adjust to a place where it is desired to obtain a shielding effect with the second metal layer 6 having a plurality of metallized portions while reducing the resistance of the metal layer 5. For example, when there are two pairs of wirings, the influence of electromagnetic noise between the two pairs of wirings can be further reduced by providing two second metal layers 6 having a plurality of metallized portions. It becomes.

なお、本発明は上述の実施形態の例に限定されるものではなく、数値などの種々の変形は可能である。また、例えば、図1〜図8に示す例では、電極パッド3の形状は矩形状であるが、円形状やその他の多角形状であってもかまわない。また、本実施形態における電極3配置、数、形状および電子素子の実装方法などは指定されない。   In addition, this invention is not limited to the example of the above-mentioned embodiment, Various modifications, such as a numerical value, are possible. Further, for example, in the example shown in FIGS. 1 to 8, the shape of the electrode pad 3 is a rectangular shape, but may be a circular shape or other polygonal shapes. Further, the arrangement, number, shape, electronic device mounting method, and the like of the electrodes 3 in this embodiment are not specified.

なお、本実施形態における特徴部の種々の組み合わせは上述の実施形態の例に限定されるものではい。   In addition, the various combinations of the characteristic part in this embodiment are not limited to the example of the above-mentioned embodiment.

1・・・・電子素子実装用基板
2・・・・基板
2a・・・第1絶縁層
2b・・・第2絶縁層
2c・・・第3絶縁層
2d・・・その他絶縁層
3・・・・電極
4・・・・実装領域
5・・・・金属層
5a・・・第1部
5b・・・第2部
5c・・・傾斜部
6・・・・第2の金属層
6a・・・第3部
6b・・・第4部
6c・・・第2傾斜部
7・・・・切欠き部
7a・・・壁面導体
8・・・・その他の金属層
10・・・電子素子
12・・・蓋体
13・・・電子素子接合材
14・・・蓋体接合材
21・・・電子装置
22・・・電子部品
31・・・電子モジュール
32・・・筐体
42・・・セラミックグリーンシート
42a・・第1セラミックグリーンシート
42b・・第2セラミックグリーンシート
42c・・第3セラミックグリーンシート
42d・・その他セラミックグリーンシート
42f・・セラミックペースト
45・・・金属ペースト
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic device mounting substrate 2 ... Substrate 2a ... 1st insulating layer 2b ... 2nd insulating layer 2c ... 3rd insulating layer 2d ... Other insulating layers 3 ... .. Electrode 4... Mounting area 5... Metal layer 5 a... First part 5 b... Second part 5 c. 3rd part 6b ... 4th part 6c ... 2nd inclined part 7 ... Notch 7a ... Wall conductor 8 ... Other metal layers 10 ... Electronic element 12 .... Lid 13 ... Electronic element bonding material 14 ... Lid bonding material 21 ... Electronic device 22 ... Electronic component 31 ... Electronic module 32 ... Housing 42 ... Ceramic green Sheet 42a, first ceramic green sheet 42b, second ceramic green sheet 42c, third ceramic green sheet 42d, Ceramic green sheet 42f ·· ceramic paste 45 ... metal paste

Claims (10)

第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の下面に設けられた金属層と、
前記金属層の下面に設けられた第2絶縁層とを備えており、
前記第1絶縁層の上方または前記第2絶縁層の下方には、複数の電極が設けられるとともに、前記電極と電気的に接続されて前記電極に挟まれて位置した、電子素子が実装される実装領域を有しており、
断面視において、前記金属層は、前記実装領域と平行に設けられた第1部と、前記金属層の両端に位置した前記第1部よりも上方または下方に位置した第2部と、前記第1部と前記第2部との間に位置した傾斜部とを有していることを特徴とする電子素子実装用基板。
A first insulating layer;
A metal layer provided on the lower surface of the first insulating layer;
A second insulating layer provided on the lower surface of the metal layer,
A plurality of electrodes are provided above the first insulating layer or below the second insulating layer, and an electronic element that is electrically connected to the electrodes and positioned between the electrodes is mounted. Has a mounting area,
In cross-sectional view, the metal layer includes a first part provided in parallel with the mounting region, a second part located above or below the first part located at both ends of the metal layer, and the first part. An electronic device mounting board, comprising: an inclined portion positioned between one part and the second part.
第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の下面に設けられた、それぞれが間を空けて設けられた複数のメタライズ部を有する金属層と、
前記金属層の下面に設けられた第2絶縁層とを備えており、
前記第1絶縁層の上方または前記第2絶縁層の下方には、複数の電極が設けられるとともに、前記電極と電気的に接続されて前記電極に挟まれて位置した、電子素子が実装される実装領域を有しており、
断面視において、前記複数のメタライズ部は、それぞれ前記実装領域と平行に設けられた第1部と、前記第1部よりも上方または下方に位置した第2部と、前記第1部と前記第2部との間に位置した傾斜部とを有しているとともに、前記第2部は、隣り合う前記メタライズ部同士の間に設けられていることを特徴とする電子素子実装用基板。
A first insulating layer;
A metal layer provided on the lower surface of the first insulating layer, each having a plurality of metallized portions provided with a gap therebetween;
A second insulating layer provided on the lower surface of the metal layer,
A plurality of electrodes are provided above the first insulating layer or below the second insulating layer, and an electronic element that is electrically connected to the electrodes and positioned between the electrodes is mounted. Has a mounting area,
In cross-sectional view, each of the plurality of metallized parts includes a first part provided in parallel with the mounting region, a second part positioned above or below the first part, the first part, and the first part. 2. The electronic device mounting board according to claim 1, further comprising an inclined portion positioned between two portions, wherein the second portion is provided between the adjacent metallized portions.
前記金属層は、前記実装領域と重なる位置に、前記第2部および前記傾斜部を有していることを特徴とする請求項2に記載の電子素子実装用基板。   3. The electronic element mounting substrate according to claim 2, wherein the metal layer has the second portion and the inclined portion at a position overlapping the mounting region. 前記第2絶縁層の下面には、第2の金属層が設けられているとともに、前記第2の金属層の下面には、第3絶縁層が設けられており、
断面視において、前記第2の金属層は、前記実装領域と平行に設けられた第3部と、前記第3部よりも下方に位置した第4部と、前記第3部と前記第4部との間に位置した第2の傾斜部とを有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の電子素子実装用基板。
A second metal layer is provided on the lower surface of the second insulating layer, and a third insulating layer is provided on the lower surface of the second metal layer,
In a cross-sectional view, the second metal layer includes a third part provided in parallel with the mounting region, a fourth part positioned below the third part, the third part, and the fourth part. The electronic device mounting substrate according to claim 1, further comprising a second inclined portion positioned between the first and second inclined portions.
前記第2部と、前記第4部とが重なっていることを特徴とする請求項4に記載の電子素子実装用基板。   The electronic element mounting substrate according to claim 4, wherein the second part and the fourth part overlap each other. 前記第1部と、前記第4部とが重なっていることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の電子素子実装用基板。   The electronic element mounting substrate according to claim 4, wherein the first part and the fourth part overlap each other. 前記第2部と、前記第3部とが重なっていることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1つに記載の電子素子実装用基板。   The substrate for mounting an electronic device according to claim 4, wherein the second part and the third part overlap each other. 前記金属層は、接地電位と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の電子素子実装用基板。   The electronic element mounting substrate according to claim 1, wherein the metal layer is electrically connected to a ground potential. 請求項1〜8のいずれか1つに記載の電子素子実装用基板と、
前記電子素子実装用基板の前記実装領域に実装されるとともに、前記電極と電気的に接続された電子素子とを備えたことを特徴とする電子装置。
The electronic element mounting substrate according to any one of claims 1 to 8,
An electronic device comprising: an electronic element mounted on the mounting region of the electronic element mounting substrate and electrically connected to the electrode.
請求項9に記載の電子装置と、
前記電子装置の上面に接合された筐体とを備えていることを特徴とする電子モジュール。
An electronic device according to claim 9;
An electronic module comprising: a housing bonded to an upper surface of the electronic device.
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