JP2018133166A - 厚膜抵抗体用材料、厚膜抵抗体用ペースト、厚膜抵抗体、厚膜抵抗器、厚膜抵抗体の製造方法および厚膜抵抗器の製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態の厚膜抵抗体用材料は、表面の少なくとも一部が銀で被覆されたパラジウム粉末および/または表面の少なくとも一部が銀で被覆されたパラジウム合金粉末を含む。このように表面が銀で被覆された厚膜抵抗体用材料を用いれば、例えば銀系の電極に、厚膜抵抗体を形成する場合において、主に厚膜抵抗体用ペースト中の銀が、銀系の電極の近傍に分布しやすくなり、パラジウムそのものは銀系の電極の銀に干渉し難くなる。これにより、銀系の電極と厚膜抵抗体用ペーストとの重ね合わせ部分において、焼成処理によって銀系の電極の銀が厚膜抵抗体中のパラジウムと合金化するべく、厚膜抵抗体中に拡散してしまうことを抑制することができ、銀系の電極と厚膜抵抗体との重なり部分やその近傍において、電極の隙間の発生を抑制することができる。
以下、本実施形態の厚膜抵抗体用材料について、その製造方法を説明する。まず、厚膜抵抗体用材料に含まれる、銀で被覆されたパラジウム等の粉末は、既存の方法により製造することができる。例えば、還元型無電解めっき法であれば、パラジウム粉末を洗浄して不純物を除去した後に、水中で分散してスラリー化し、得られた水スラリーに還元剤と銀イオン溶液を添加するという工程によって、パラジウム粉末の表面に銀を均一に被覆させることができる。ここで、還元剤と銀イオン溶液を水スラリーへ添加する順番は、特に限定されない。還元剤を水スラリーに予め添加して分散させた後に、銀イオン溶液を連続的に添加することができ、また、水スラリーへ銀イオン溶液を添加した後に、還元剤を添加することができる。
次に、本実施形態の厚膜抵抗体用ペーストについて、説明する。本実施形態の厚膜抵抗体用ペーストは、本実施形態の厚膜抵抗体用材料と、ガラス組成物粒子と、樹脂を含む。
ガラス組成物粒子は、基板への密着力を付与する酸化物であり、焼成過程において軟化し、基板に浸透するものが用いられる。このようなガラス組成物粒子として、軟化点が400〜850℃のものを用いることが好ましい。この範囲内であれば、焼成過程において軟化し、また、耐侯性や耐水性を満足することができる。軟化点が850℃を越えるものは、焼成過程において軟化し難い場合があり、厚膜抵抗体を形成することができない場合がある。また、軟化点が400℃未満のものは、耐侯性や耐水性を満足しない場合がある。
厚膜抵抗体用ペーストに用いることのできる有機ビヒクルは、樹脂を溶剤に溶解したものである。樹脂は、厚膜抵抗体用ペーストに通常用いられているものを用いることができる。また、溶剤は、用いる樹脂により適切なものを用いることができる。有機ビヒクルとしては、例えば、エチルセルロース、ブチラール、アクリル等の樹脂をターピネオール、ブチルカルビトールアセテート等の溶剤に溶解したものを好適に用いることができる。
本実施形態の厚膜抵抗体用ペーストは、上記以外の成分を含むことができる。例えば、ルテニウムが挙げられ、導電粉末としてルテニウム酸化物を含むことができる。ルテニウム酸化物は、パラジウムや銀、または銀パラジウム合金よりも比抵抗が高く、厚膜抵抗体の厚膜抵抗値を調整するために有効である。特に、酸化ルテニウムを用いる事によって、厚膜抵抗体に安定した抵抗値を出現させることができる。また、厚膜抵抗体の目的とする抵抗値に合わせて、ルテニウム酸化物の他、パラジウム、銀、銀パラジウム合金等を適宜含めることができ、これにより、広い抵抗値領域を有する厚膜抵抗体を形成することができる。
厚膜抵抗体用ペーストは、既存の方法により製造することができる。例えば、有機ビヒクルに分散剤を添加したものに厚膜抵抗体用材料およびガラス組成物粒子を撹拌投入し、さらに予備混合した後、スリーロールミル、遊星ミル、ビーズミル等を用いて厚膜抵抗体用材料およびガラス組成物粒子を有機ビヒクル中に分散することにより、製造することができる。
次に、本実施形態の厚膜抵抗体について、説明する。厚膜抵抗体は、本実施形態の厚膜抵抗体用材料とガラス組成物粒子の混合物の焼成体を含む。このような厚膜抵抗体であれば、安定した導通を確保すると共に、静電気放電後の抵抗値の変化を小さくすることができる。
本実施形態の厚膜抵抗体は、上記以外の成分を含むことができ、例えば、ルテニウムを含むことができる。特に、ルテニウムとして酸化ルテニウムを含むことによって、厚膜抵抗体に安定した抵抗値を出現させることができる。厚膜抵抗体中の無機成分におけるルテニウムの含有量は、形成する厚膜抵抗体の所望の抵抗値によって適宜調整することができる。例えば、酸化ルテニウムを含む場合において、厚膜抵抗体中の無機成分におけるルテニウムの含有量が7質量%〜20質量%であることにより、100kΩ程度の抵抗値を有する厚膜抵抗体とすることができる。その他の成分の詳細については、分散剤を除き、[厚膜抵抗体用ペースト]の項目において述べたとおりである。
本実施形態の厚膜抵抗体は、その製造方法が特に限定されるものではないが、例えば以下に説明する方法により製造することができる。
次に、本実施形態の厚膜抵抗器について、説明する。厚膜抵抗器は、基板と、前記基板に形成された銀系の電極と、前記電極に形成された本実施形態の厚膜抵抗体を含む。このような厚膜抵抗器であれば、安定した導通を確保すると共に、静電気放電後の抵抗値の変化を小さくすることができる。
以下、本実施形態の厚膜抵抗器の製造方法の一般的な例について、説明する。なお、厚膜抵抗器の製造方法は、以下の方法に限定されるものではなく、処理条件等について、公知の知見や方法を用いて、適宜変更してもよい。
(銀が被覆されたパラジウム粉末の製造)
パラジウム粉末(個数基準の平均粒子径(D50):250nm)120gを3質量%酒石酸水溶液中で約1時間攪拌した後、ろ過、水洗することにより、不純物を除去した。そして、不純物を除去したパラジウム粉末を2リットルのイオン交換水中に分散させて水スラリーを得た。次に、イオン交換水900mlに酒石酸56g、ぶどう糖67gおよびエタノール360mlを溶解した混合溶液を調整した。また、パラジウムと銀の質量比(Pd:Ag)が60:40になるように、硝酸銀130g(Agとして82g)をイオン交換水4.5リットルに溶かし、硝酸銀水溶液を調整した。そして、水スラリーに上記の混合溶液と28%アンモニア水360mlを加え反応溶液とした。この反応溶液を25℃に保持し、撹拌しながら、硝酸銀水溶液を60分間かけて徐々に添加した。
厚膜抵抗体の目標とする面積抵抗値を150mΩに設定し、上記のとおり製造した銀で被覆されたパラジウム粉末、ガラス粉末および有機ビヒクルを、質量比で73:2:25となるようにスリーロールミルで分散させて、厚膜抵抗体用ペーストを製造した。粒ゲージにより分散度を確認し、分散度は10μmとした。ガラス粉末は、組成がSiO2:35質量%−B2O3:25質量%−Al2O3:5質量%−BaO:15質量%−ZnO:15質量%−Na2O:5質量%であり、軟化点が650℃、レーザー回折方式の粒度分布計で個数基準の平均粒子径(D50)が3μmのものを使用した。また、有機ビヒクルは、エチルセルロースをターピネオールに溶解したものを使用した。質量比は、エチルセルロース:ターピネオール=5:95とした。
銀パラジウム電極(銀とパラジウムの質量比は99:1)を形成したアルミナ基板に、上記のとおり製造した厚膜抵抗体用ペーストをスクリーン印刷した。印刷後のアルミナ基板を150℃×5分で乾燥した後、ピーク温度850℃、ピーク時間9分、焼成時間をトータルで30分とする条件にて、ベルト焼成炉を用いて焼成し(焼成工程)、厚膜抵抗器を製造した。厚膜抵抗体のサイズは抵抗体幅を1.0mm、抵抗体長さ(電極間)を1.0mmとなるようにした。
実施例1と同様の銀で被覆されたパラジウム粉末を用いて、厚膜抵抗体用ペーストを製造した。その際に、目標とする面積抵抗値を10Ωに設定し、抵抗値を調整するために酸化ルテニウムを添加し、抵抗温度係数を調整するために酸化マンガンを加えた。厚膜抵抗器は、実施例1と同様の方法により製造した。ここで、酸化ルテニウムは、BET径20nmのものを使用した。なお、BET径は、粉末が真球であると仮定した場合において、BET法により測定される粉末の比表面積(BET比表面積)から算出される理論的な平均粒子径である。また、酸化マンガンは、平均粒子径(D50)が0.3μmのものを使用した。
パラジウム粉末(個数基準の平均粒子径(D50):1.95μm)を使用し、パラジウムと銀の質量比を30:70とする他は、実施例1と同様の方法で、銀で被覆されたパラジウム粉末を製造した。得られた銀で被覆されたパラジウム粉末の平均粒子径(D50)は、3μmであった。目標とする面積抵抗値を100mΩに設定し、厚膜抵抗体用ペーストを作成し、実施例1と同様の方法により、厚膜抵抗器を製造した。
実施例3と同様の銀で被覆されたパラジウム粉末を用いて、厚膜抵抗体用ペーストを製造した。その際に、目標とする面積抵抗値を10Ωに設定し、抵抗値を調整するために酸化ルテニウムを添加し、抵抗温度係数を調整するために酸化マンガンを加えた。厚膜抵抗器は、実施例1と同様の方法により製造した。酸化ルテニウムおよび酸化マンガンは、実施例2と同様のものを使用した。
目標とする面積抵抗値を実施例1と同様に150mΩに設定し、平均粒子径(D50)が共に0.3μmのパラジウム粉末と銀粉末を用いて、実施例1と同様の方法により厚膜抵抗体用ペーストを製造した。厚膜抵抗器は、実施例1と同様の方法により製造した。
目標とする面積抵抗値を実施例2と同様に10Ωに設定し、平均粒子径(D50)が共に0.3μmのパラジウム粉末と銀粉末を用いて、実施例2と同様の方法により厚膜抵抗体用ペーストを製造した。酸化ルテニウムおよび酸化マンガンは、実施例2と同様のものを使用した。厚膜抵抗器は、実施例1と同様の方法により製造した。
目標とする面積抵抗値を実施例3と同様に100mΩに設定し、平均粒子径(D50)が共に3μmのパラジウム粉末と銀粉末を用いて、実施例3と同様の方法により厚膜抵抗体用ペーストを製造した。厚膜抵抗器は、実施例1と同様の方法により製造した。
目標とする面積抵抗値を実施例4と同様に10Ωに設定し、平均粒子径(D50)が共に3μmのパラジウム粉末と銀粉末を用いて、実施例4と同様の方法により厚膜抵抗体用ペーストを製造した。酸化ルテニウムおよび酸化マンガンは、実施例2と同様のものを使用した。厚膜抵抗器は、実施例1と同様の方法により製造した。
各実施例および各比較例で製造した厚膜抵抗体の物性を評価するべく、以下に示すとおり、面積抵抗値、抵抗温度係数、および抵抗値変化率を測定した。
換算厚膜抵抗体の換算面積抵抗値は、25個の厚膜抵抗体の面積抵抗値を測定した平均値と、実測した焼成膜厚から、下記式1を用いて算出した。厚膜抵抗体の焼成膜厚は、7μmとした。
換算面積抵抗値=面積抵抗値(平均値)×焼成膜厚(実測値)/換算膜厚(7μm) (式1)
厚膜抵抗器の抵抗値は、温度上昇に伴い変化することが知られている。この変化量は、基準温度T0における抵抗値をR0、温度Tにおける抵抗値をRとした場合に、下記式2によって算出される抵抗温度係数によって評価される。なお、抵抗温度係数は、厚膜抵抗器の組成が同一であれば、その寸法にかかわらず、理論上、同一の値を示す。
TCR=(R‐R0)/R0/(T‐T0) (式2)
COLD-TCR(ppm/℃)=[(R-55-R25)/R25/(-80)]×106 (式3)
HOT-TCR(ppm/℃)=[(R125-R25)/R25/(100)]×106 (式4)
厚膜抵抗体に静電気を放電した後に抵抗値を測定し、静電気を放電する前の抵抗値との変化率を測定した。電極と抵抗体の重なり部分やその近傍において、電極に隙間があると、静電気を放電した際に隙間が広がり抵抗値が上昇する。電極に隙間が多い厚膜抵抗器は、静電気の放電によって抵抗値の変化率がプラスに大きく変化する。この変化率によって抵抗体の良し悪しを評価した。静電気の放電は200pFのコンデンサに2kVの電圧で1秒間電荷を充電してから抵抗体の両端の電極に放電することを5回繰り返し、放電の前後における抵抗値を測定した。抵抗値変化率は5個の厚膜抵抗体での平均値をとった。
表1に、各実施例で用いた銀で被覆されたパラジウム粉末、各比較例で用いた銀粉末およびパラジウム粉末の物性を、表2に、各実施例および各比較例における厚膜抵抗体用ペーストの配合を示す。また、表3に、各実施例および各比較例で製造した厚膜抵抗体の物性値(面積抵抗値、抵抗温度係数、抵抗値変化率)の測定結果を示す。
実施例より明らかなように、本発明の厚膜抵抗体用材料、厚膜抵抗体用ペースト、厚膜抵抗体、厚膜抵抗器、厚膜抵抗体の製造方法および厚膜抵抗器の製造方法によれば、電極と厚膜抵抗体の重なり部分やその近傍において、電極に隙間が出来ることがなく、面積抵抗値や抵抗温度係数といった厚膜抵抗体の物性を満足しつつ、安定した導通を確保すると共に、静電気放電後の抵抗値の変化が小さい厚膜抵抗体を提供することができる。
101 銀系の電極
102 基板
103 乾燥体
105 厚膜抵抗体
110 銀原子
111 パラジウム原子
120 パラジウム粒子
121 銀
123 銀で被覆されたパラジウム粒子
200 厚膜抵抗器
201 銀系の電極
202 基板
203 乾燥体
205 厚膜抵抗体
210 銀原子
211 パラジウム原子
215 銀原子
216 パラジウム原子
220 焼成前の境界面
221 焼成後の境界面
230 隙間
Claims (17)
- 表面の少なくとも一部が銀で被覆されたパラジウム粉末および/または表面の少なくとも一部が銀で被覆されたパラジウム合金粉末を含み、
銀とパラジウムとの質量比が4:6〜7:3であり、
前記パラジウム粉末および前記パラジウム合金粉末の数平均粒子径D50が0.1〜5μmであることを特徴とする厚膜抵抗体用材料。 - 請求項1に記載の厚膜抵抗体用材料と、
ガラス組成物粒子と、
樹脂と、を含むことを特徴とする厚膜抵抗体用ペースト。 - 前記ガラス組成物粒子の軟化点が400〜850℃であることを特徴とする請求項2に記載の厚膜抵抗体用ペースト。
- ルテニウムを含むことを特徴とする請求項2または3に記載の厚膜抵抗体用ペースト。
- 前記ルテニウムが酸化ルテニウムであることを特徴とする請求項4に記載の厚膜抵抗体用ペースト。
- 鉛の含有量が0.1質量%未満であることを特徴とする請求項2〜5のいずれか1項に記載の厚膜抵抗体用ペースト。
- 請求項1に記載の厚膜抵抗体用材料とガラス組成物粒子の混合物の焼成体を含むことを特徴とする厚膜抵抗体。
- 前記ガラス組成物粒子の軟化点が400〜850℃であることを特徴とする請求項7に記載の厚膜抵抗体。
- ルテニウムを含むことを特徴とする請求項7または8に記載の厚膜抵抗体。
- 前記ルテニウムが酸化ルテニウムであることを特徴とする請求項9に記載の厚膜抵抗体。
- 鉛の含有量が0.1質量%未満であることを特徴とする請求項7〜10のいずれか1項に記載の厚膜抵抗体。
- 基板と、
前記基板に形成された銀系の電極と、
前記電極に形成された請求項7〜11のいずれか1項に記載の厚膜抵抗体を含むことを特徴とする厚膜抵抗器。 - 前記電極における銀の含有量は、98質量%以上であることを特徴とする請求項12に記載の厚膜抵抗器。
- 請求項1に記載の厚膜抵抗体用材料とガラス組成物粒子の混合物を焼成する焼成工程を含むことを特徴とする厚膜抵抗体の製造方法。
- 鉛の含有量が0.1質量%未満であることを特徴とする請求項14に記載の厚膜抵抗体の製造方法。
- 基板に形成された銀系の電極に、請求項2〜6のいずれか1項に記載の厚膜抵抗体用ペーストを塗付する塗付工程と、
前記厚膜抵抗体用ペースト中の厚膜抵抗体用材料とガラス組成物粒子の混合物を焼成する焼成工程を含むことを特徴とする厚膜抵抗器の製造方法。 - 前記電極における銀の含有量は、98質量%以上であることを特徴とする請求項16に記載の厚膜抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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