JP2018120978A - Thermal treatment device - Google Patents
Thermal treatment device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018120978A JP2018120978A JP2017011897A JP2017011897A JP2018120978A JP 2018120978 A JP2018120978 A JP 2018120978A JP 2017011897 A JP2017011897 A JP 2017011897A JP 2017011897 A JP2017011897 A JP 2017011897A JP 2018120978 A JP2018120978 A JP 2018120978A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- support sheet
- heat treatment
- sheet
- hot plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等の薄板状精密電子基板(以下、単に「基板」と称する)に対して熱処理を行う熱処理装置に関する。 The present invention relates to a heat treatment apparatus for performing heat treatment on a thin precision electronic substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device.
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち熱処理は、典型的には、所定温度に温調されている平板形状のホットプレート上に基板を載置して加熱する熱処理装置によって行われる。 As is well known, products such as semiconductors and liquid crystal displays are manufactured by performing a series of processes such as cleaning, resist coating, exposure, development, etching, interlayer insulation film formation, heat treatment, and dicing on the substrate. Has been. Of these various processes, the heat treatment is typically performed by a heat treatment apparatus that places and heats a substrate on a flat plate-like hot plate that is controlled to a predetermined temperature.
熱処理装置においては、加熱処理中の基板の面内温度分布均一性が強く要求される。特に、フォトリソグラフィ工程の露光後ベーク(PEB:Post Exposure Bake)では、処理中の基板の面内温度分布がパターンの線幅寸法や線幅均一性に直接に影響するため、面内温度分布の均一性が厳しく求められている。 In the heat treatment apparatus, the in-plane temperature distribution uniformity of the substrate during the heat treatment is strongly required. In particular, in post-exposure baking (PEB) in the photolithography process, the in-plane temperature distribution of the substrate being processed directly affects the line width dimension and line width uniformity of the pattern. Uniformity is strictly demanded.
特許文献1には、熱処理時の面内温度分布の均一性を向上させるために、ホットプレート上に樹脂(例えば、ポリイミド(PI))のシート状体を載置し、そのシート状体によって基板を支持する技術が開示されている。特許文献1に開示のシート状体には複数の凸部が形成されており、それら凸部の上端で基板を当接支持する。このような複数の凸部で基板を当該支持することによって、処理中の基板の平面精度を高めることができるとともに、基板の下面に傷が付くのを防ぐこともできる。
In
特許文献1に開示のシート状体の厚さ、すなわち凸部の上端からシート状体の下面までの長さは125μmであり、非常に薄い。このような極めて薄いシート状体によって基板を当接支持すると、基板の裏面に粘着性を有する膜等が形成されていた場合には、基板の裏面にシート状体が貼り付いてホットプレートから浮き上がることがある。
The thickness of the sheet-like body disclosed in
そこで、シート状体の厚さを1mm程度にまで厚くすると上記のような浮き上がりを防止することはできる。しかしながら、シート状体の厚さが厚くなると、ホットプレートから基板への熱伝導性が低下し、その結果として基板の面内温度分布均一性も損なわれるという問題が生じる。 Therefore, if the thickness of the sheet-like body is increased to about 1 mm, the above-described lifting can be prevented. However, when the thickness of the sheet-like body is increased, the thermal conductivity from the hot plate to the substrate is lowered, and as a result, there is a problem that the in-plane temperature distribution uniformity of the substrate is also impaired.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、熱処理プレートに載置されるシート状体を厚くしても熱伝導性の低下を防止することができる熱処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of preventing a decrease in thermal conductivity even if the sheet-like body placed on the heat treatment plate is thickened. To do.
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に対して熱処理を行う熱処理装置において、平坦な上面を有する熱処理プレートと、前記熱処理プレートの上面に載置されて基板を支持するシート状体と、を備え、前記シート状体の熱伝導率は1000W/(m・K)以上であることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, a first aspect of the present invention provides a heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate, a heat treatment plate having a flat upper surface, and a sheet-like shape that is placed on the upper surface of the heat treatment plate and supports the substrate. And the sheet-like body has a thermal conductivity of 1000 W / (m · K) or more.
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る熱処理装置において、前記シート状体はカーボンにて形成されることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the first aspect of the present invention, the sheet-like body is formed of carbon.
また、請求項3の発明は、請求項2の発明に係る熱処理装置において、前記シート状体の表面にフッ素樹脂のコーティング膜が設けられることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the second aspect of the present invention, a fluororesin coating film is provided on the surface of the sheet-like body.
また、請求項4の発明は、請求項1から請求項3のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記シート状体の上面には凸部が設けられることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to any one of the first to third aspects of the present invention, a convex portion is provided on the upper surface of the sheet-like body.
また、請求項5の発明は、請求項1から請求項3のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記シート状体の上面は平坦面であることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to any one of the first to third aspects, the upper surface of the sheet-like body is a flat surface.
また、請求項6の発明は、請求項1から請求項3のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記シート状体の上面に溝が設けられることを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to any one of the first to third aspects, a groove is provided on the upper surface of the sheet-like body.
請求項1から請求項6の発明によれば、熱処理プレートの上面に載置されて基板を支持するシート状体の熱伝導率は1000W/(m・K)以上であるため、シート状体を厚くしても熱伝導性の低下を防止することができる。
According to the inventions of
特に、請求項3の発明によれば、シート状体の表面にフッ素樹脂のコーティング膜が設けられるため、カーボンと基板とが直接に接触して基板を汚染するのを防止することができる。 In particular, according to the invention of claim 3, since the fluororesin coating film is provided on the surface of the sheet-like body, it is possible to prevent the carbon and the substrate from coming into direct contact and contaminating the substrate.
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明に係る熱処理装置1の概略構成を示す図である。熱処理装置1は、円形の基板Wに対して加熱処理を行う。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a
熱処理装置1は、主たる構成要素として、ホットプレート10および支持シート20を備える。また、熱処理装置1は、吸引機構50および制御部60を備える。
The
ホットプレート10は、高い熱伝導率を有する金属材料(例えば、アルミニウム(Al)、銅(Cu)等)にて形成された円形の平板形状のプレートである。ホットプレート10の上面は平坦面とされている。円形のホットプレート10の上面の径は基板Wの径よりも大きい。なお、熱処理装置1にて処理対象となる基板Wはシリコンの円板形状の半導体ウェハーであり、そのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである。処理対象となる基板Wのサイズに応じて、ホットプレート10の径も当該基板Wの径より大きな適宜の大きさとされる。
The
ホットプレート10の内部には、加熱源としてのヒータ11が内蔵されている。ヒータ11は、例えばマイカヒータ等の通電によって発熱する面状加熱体である。典型的には、ヒータ11は複数のゾーンに分割されている。例えば、ホットプレート10の中心部に円板状の中心ヒータが設けられ、その周りに円環状の中間ヒータが設けられ、さらに中間ヒータの周囲の円環状の領域を周方向に4等分割して4つの周縁ヒータが設けられる。
A
このホットプレート10の平坦な上面に、支持シート20が載置される。図2は、支持シート20の外観斜視図である。また、図3は、支持シート20の一部を拡大した縦断面図である。支持シート20は、ホットプレート10と略同一の径を有する円形のシート状体である。支持シート20は、固定されることなくホットプレート10の上面に載置される。
A
円形の支持シート20の上面には複数の凸部21およびシール部22が形設されている。複数の凸部21は支持シート20の上面に規則的に配置されている。凸部21の設置個数は特に限定されるものではなく、適宜の個数とすることができる。各凸部21は、その径が上端から下端にかけてやや太くなる円錐台形状を有する。
A plurality of
複数の凸部21が形設されることによって、支持シート20の上面には凹凸が形成されることとなる。凸部21の高さh(凸部21の上端から下端までの長さであり、換言すれば凹部の深さ)は、例えば65μmである。複数の凸部21の高さhが均一となるように、複数の凸部21は高い精度にて加工されている。また、凸部21の上端から支持シート20の下面までの長さで規定される支持シート20の厚さdは、例えば700μmであり、特許文献1に開示されるような従来のシート状体の厚さ(125μm)よりも顕著に厚い。これら複数の凸部21の上端によって基板Wを当接支持する。なお、支持シート20の下面は平坦面である。
By forming the plurality of
シール部22は円環形状を有し、円形の支持シート20の周縁部に沿って形設されて複数の凸部21の周囲を囲む。円環形状のシール部22の内径は基板Wの直径よりも小さく、シール部22の外径は基板Wの直径よりも大きい。シール部22の高さは凸部21の高さと同じである。支持シート20によって支持される基板Wの下面周縁部がシール部22と接触することによって、支持シート20の上面と基板Wの下面との間に閉空間が形成されることとなる。シール部22は、当該閉空間の側方を閉塞する。
The
複数の凸部21およびシール部22を含む支持シート20はカーボンにて形成されている。カーボンの熱伝導率は、結晶構造にも依存するものの極めて高く、少なくとも1000W/(m・K)以上である。すなわち、カーボンは、良好な熱伝導率を有するとされているアルミニウム(236W/(m・K))や銅(398W/(m・K))よりも顕著に高い熱伝導率を有するのである。なお、従来のシート状体に使用されているポリイミドの熱伝導率は1W/(m・K)未満である。
The
支持シート20の製法は特に限定されるものではなく、例えばカーボン粉体の焼結によって製作するようにしても良いし、円形平板のカーボンに別途加工した凸部21およびシール部22を取り付けるようにしても良いし、或いは、板状のカーボンから研削加工によって凸部21およびシール部22を含む支持シート20を製作するようにしても良い。
The manufacturing method of the
また、図3に示すように、凸部21およびシール部22を含む支持シート20の上面にはフッ素樹脂のコーティング膜23が成膜されている。コーティング膜23は、カーボンとシリコンの基板Wとが直接に接触して基板Wを汚染するのを防止するために設けられている。
As shown in FIG. 3, a
図1に戻り、熱処理装置1には、吸引機構50が設けられている。吸引機構50は、吸引配管51、バルブ52および真空吸引源53を備える。吸引配管51の先端は上述した支持シート20の上面と基板Wの下面との間に形成される空間に連通接続され、基端は真空吸引源53に接続される。吸引配管51の経路途中にバルブ52が設けられる。真空吸引源53としては、例えば真空ポンプを用いることができる。支持シート20によって基板Wが支持された状態にて真空吸引源53を作動させつつバルブ52を開放すると、支持シート20の上面と基板Wの下面との間に形成される閉空間が吸引され、基板Wを支持シート20に吸着支持することができる。
Returning to FIG. 1, the
制御部60は、ホットプレート10に設けられたヒータ11の出力を制御するとともに、吸引機構50の動作を制御する。制御部60のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部60は、各種演算処理を行う回路であるCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部60のCPUが所定の処理プログラムを実行することによってヒータ11の出力制御が行われる。制御部60は、ホットプレート10に設けられた図示省略の温度センサとも接続されており、その温度センサの温度測定結果に基づいてヒータ11の出力をフィードバック制御する。
The
上記の構成以外にも熱処理装置1は、例えば、ホットプレート10に対して基板Wの受け渡しを行うときに使用する昇降可能なリフトピンや基板Wの加熱処理時にホットプレート10の上方を覆うカバー等を備えている(いずれも図示省略)。
In addition to the above configuration, the
次に、上記構成を有する熱処理装置1における基板Wの加熱処理動作について説明する。処理対象となる基板Wの加熱処理に先立って、制御部60の制御下にてヒータ11によってホットプレート10が予め設定温度(例えば、110℃)に昇温されている。その昇温したホットプレート10の上面に支持シート20が載置されている。
Next, the heat treatment operation of the substrate W in the
処理対象となる基板Wは支持シート20の上面に載置されて支持される。基板Wは支持シート20の複数の凸部21によって当接支持されることとなる。すなわち、複数の凸部21の上端が基板Wの下面に当接して基板Wを支持する。複数の凸部21の高さhは均一であるため、基板Wは支持シート20によって平坦な姿勢にて支持される。より高い基板Wの平面精度が要求される場合には、支持シート20の上面と基板Wの下面との間に形成される閉空間を吸引機構50が吸引することによって基板Wを支持シート20に吸着支持させるようにしても良い。
The substrate W to be processed is placed and supported on the upper surface of the
基板Wが支持シート20に支持されることによって、昇温したホットプレート10の熱が支持シート20を介して基板Wに熱伝導し、基板Wが加熱される。カーボンの支持シート20の熱伝導率は1000W/(m・K)以上と極めて高いため、ホットプレート10から支持シート20を介しての基板Wへの熱伝導性は良好である。
When the substrate W is supported by the
基板Wが支持シート20に載置された直後から基板Wの加熱が開始され、基板Wの面内の全てにおいて均一に昇温するのが理想的なのであるが、昇温過程では不可避的に温度のバラツキが生じる。同一時刻における基板Wの面内の最高温度と最低温度との差は”レンジ”と称される。例えば、ある時刻の基板Wの面内の最高温度が68.5℃で最低温度が66.4℃であったならば、レンジは2.1℃である。レンジが小さいほど、基板Wの面内の最高温度と最低温度との差が小さく、面内温度分布が均一である。基板Wの加熱処理温度が110℃であれば、レンジが0.1℃以下であれば良好な面内温度分布均一性であると言える。
Ideally, the heating of the substrate W is started immediately after the substrate W is placed on the
図4は、熱処理装置1にて加熱処理される基板Wのレンジの変化を示す図である。時刻t1に基板Wが支持シート20に載置され、基板Wの加熱が開始される。カーボンの支持シート20を介したホットプレート10から基板Wへの熱伝導により、基板Wが加熱されて昇温する。基板Wが支持シート20に支持された直後の昇温過程では不可避的にレンジが大きくなる。そして、時刻t2にレンジが最高値に到達する。すなわち、時刻t2に基板Wの面内温度分布のバラツキが最も大きくなる。
FIG. 4 is a diagram showing a change in the range of the substrate W to be heat-treated by the
時刻t2にレンジが最高値に到達した後、レンジの値は減少に転じる。そして、時刻t3にレンジが0.1℃以下にまで減少し、基板Wの面内温度分布均一性が回復することとなる。すなわち、基板Wが支持シート20に載置されてから、(t3−t1)の時間を経て基板Wの面内温度分布均一性が回復しているのである。
After the range reaches the maximum value at time t2, the range value starts to decrease. At time t3, the range decreases to 0.1 ° C. or less, and the in-plane temperature distribution uniformity of the substrate W is restored. That is, the uniformity of the in-plane temperature distribution of the substrate W is recovered after the time (t3-t1) after the substrate W is placed on the
ここで、図4に点線で示すのは、カーボンの支持シート20に代えて従来のポリイミドのシート状体をホットプレートに載置し、そのポリイミドのシート状体に基板Wを支持して基板Wの加熱処理を行った場合のレンジの変化である。従来のポリイミドのシート状体を用いた場合であっても、基板Wの加熱開始直後からレンジが大きくなって最高値に到達した後に減少に転じる。しかし、図4に示すように、従来のポリイミドのシート状体を用いた場合、レンジが減少する傾きはカーボンの支持シート20を用いた場合よりも緩く、レンジが0.1℃以下となるのは時刻t3よりも後の時刻t4である。すなわち、基板Wがポリイミドのシート状体に載置されてから、(t4−t1)の時間を経て基板Wの面内温度分布均一性が回復しているのである。図4から明らかなように、(t3−t1)は(t4−t1)よりも短く、カーボンの支持シート20を用いることにより従来のポリイミドのシート状体よりも短時間で基板Wの面内温度分布均一性を回復させることができる。なお、本願発明者等の調査によれば、ポリイミドのシート状体の厚さを本実施形態の支持シート20と同程度に厚くすると、そもそもレンジが0.1℃以下にまで小さくならず、基板Wの面内温度分布均一性が回復しないことが判明している。
Here, a dotted line in FIG. 4 shows that a conventional polyimide sheet is placed on a hot plate instead of the
このように、熱伝導率が1000W/(m・K)以上のカーボンの支持シート20に基板Wを支持して加熱処理を行うことにより、加熱開始後の基板Wの面内温度分布均一性が短時間で回復することとなる。そして、良好な面内温度分布均一性を維持しつつ、基板Wの加熱処理が行われることとなる。
In this way, by performing the heat treatment by supporting the substrate W on the
特に、熱処理装置1による加熱処理が露光後ベーク処理(PEB)である場合には、加熱処理を開始した後に基板Wの面内温度分布均一性が回復するのに長時間を要すると、加熱開始直後の面内温度分布のバラツキが熱履歴として残り、パターンの線幅寸法や線幅均一性が不均一となりやすい。露光後ベーク処理であっても、カーボンの支持シート20に基板Wを支持して加熱処理を行うことにより、加熱開始後の基板Wの面内温度分布均一性を短時間で回復することができれば、熱履歴の均一性をも向上させることができ、パターンの線幅寸法や線幅均一性を均一にすることができる。
In particular, when the heat treatment by the
所定時間の基板Wの加熱処理が終了した後、基板Wがホットプレート10から搬出される。なお、吸引機構50によって基板Wを支持シート20に吸着支持している場合には、支持シート20の上面と基板Wの下面との間に形成される閉空間を復圧して吸着を解除した後に基板Wを搬出する。
After the heat treatment of the substrate W for a predetermined time is completed, the substrate W is unloaded from the
本実施形態においては、ホットプレート10の上面に熱伝導率が1000W/(m・K)以上のカーボンの支持シート20を載置し、その支持シート20に基板Wを支持して加熱処理を行っている。支持シート20を構成するカーボンは樹脂材料に比較して剛性が高く、かつ、支持シート20の厚さdは700μmと比較的厚い。このため、カーボンの支持シート20は変形しにくく、基板Wの裏面に粘着性を有する膜等が形成されているような場合であっても、基板Wの裏面に支持シート20が貼り付いてホットプレート10から浮き上がるのを防止することができる。
In the present embodiment, a
また、カーボンの支持シート20の熱伝導率は1000W/(m・K)以上と極めて高く、ホットプレート10に載置される支持シート20を厚くしても熱伝導性の低下を防止することができ、ホットプレート10から支持シート20を介しての基板Wへの熱伝導性は非常に良好である。その結果、支持シート20に基板Wを支持して加熱処理を開始した後の基板Wの面内温度分布均一性が短時間で回復することとなり、良好な面内温度分布均一性を維持しつつ、基板Wの加熱処理を行うことができる。
In addition, the thermal conductivity of the
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、支持シート20がカーボンにて形成されていたが、これに限定されるものではなく、1000W/(m・K)以上の熱伝導率を有する他の素材にて形成されていても良い。
While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be modified in various ways other than those described above without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, the
また、上記実施形態においては、支持シート20の上面に複数の凸部21を形設していたが、支持シートの形状は以下に示すような他の形態であっても良い。図5および図6は、支持シートの他の例を示す外観斜視図である。図5に示す支持シート120の上面は平坦面とされている。支持シート120の上面が平坦面であれば、支持される基板Wと支持シート120との密着性が高まり、ホットプレート10から支持シート120を介しての基板Wへの熱伝導性がさらに良好なものとなる。但し、支持シート120の上面を完全な平坦面とする加工が非常に困難であるため、支持シート120に支持される基板Wの平面精度は上記実施形態よりも低下する懸念がある。
Moreover, in the said embodiment, although the some
一方、図6に示す支持シート220の上面には、複数の溝221が刻設されている。複数の溝221の本数および刻設態様は特に限定されるものではないが、図6の例では、円形の支持シート220の径方向に沿った3本の溝221が60°間隔で設けられている。
On the other hand, a plurality of
図5に示す支持シート120および図6に示す支持シート220ともに、上記実施形態と同じくカーボンにて形成されている。また、支持シート120および支持シート220の下面は平坦面であり、厚さは700μm程度である。支持シート120および支持シート220を熱伝導率が1000W/(m・K)以上のカーボンにて形成することにより、ホットプレート10に載置される支持シート120,220を厚くしても熱伝導性の低下を防止することができ、ホットプレート10から支持シート120,220を介しての基板Wへの熱伝導性を良好なものとすることができる。その結果、上記実施形態と同様に、支持シート120,220に基板Wを支持して加熱処理を開始した後の基板Wの面内温度分布均一性が短時間で回復することとなり、良好な面内温度分布均一性を維持しつつ、基板Wの加熱処理を行うことができる。
Both the
また、上記実施形態においては、支持シート20の上面にフッ素樹脂のコーティング膜23を成膜していたが、コーティング膜23は必須のものではなく、カーボンと基板Wとが直接接触しても問題無ければ、コーティング膜23を成膜しなくても良い。
In the above embodiment, the
また、熱処理装置1は、基板Wを加熱処理するものに限定されず、クールプレートにカーボンの支持シート20を載置し、その支持シート20に加熱後の基板Wを支持して冷却処理を行うものであっても良い。すなわち、熱処理装置1は、基板Wに対して熱処理を行うものであれば良い。
The
さらに、熱処理装置1によって処理対象となる基板Wは半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。
Furthermore, the substrate W to be processed by the
1 熱処理装置
10 ホットプレート
11 ヒータ
20,120,220 支持シート
21 凸部
22 シール部
23 コーティング膜
50 吸引機構
60 制御部
221 溝
W 基板
DESCRIPTION OF
Claims (6)
平坦な上面を有する熱処理プレートと、
前記熱処理プレートの上面に載置されて基板を支持するシート状体と、
を備え、
前記シート状体の熱伝導率は1000W/(m・K)以上であることを特徴とする熱処理装置。 A heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate,
A heat treatment plate having a flat upper surface;
A sheet-like body placed on the upper surface of the heat treatment plate to support the substrate;
With
The heat conductivity of the said sheet-like body is 1000 W / (m * K) or more, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned.
前記シート状体はカーボンにて形成されることを特徴とする熱処理装置。 The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein
The heat treatment apparatus, wherein the sheet-like body is made of carbon.
前記シート状体の表面にフッ素樹脂のコーティング膜が設けられることを特徴とする熱処理装置。 The heat treatment apparatus according to claim 2,
A heat treatment apparatus, wherein a coating film of a fluororesin is provided on a surface of the sheet-like body.
前記シート状体の上面には凸部が設けられることを特徴とする熱処理装置。 In the heat processing apparatus in any one of Claims 1-3,
A heat treatment apparatus, wherein a convex portion is provided on an upper surface of the sheet-like body.
前記シート状体の上面は平坦面であることを特徴とする熱処理装置。 In the heat processing apparatus in any one of Claims 1-3,
A heat treatment apparatus, wherein an upper surface of the sheet-like body is a flat surface.
前記シート状体の上面に溝が設けられることを特徴とする熱処理装置。 In the heat processing apparatus in any one of Claims 1-3,
A heat treatment apparatus, wherein a groove is provided on an upper surface of the sheet-like body.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017011897A JP2018120978A (en) | 2017-01-26 | 2017-01-26 | Thermal treatment device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017011897A JP2018120978A (en) | 2017-01-26 | 2017-01-26 | Thermal treatment device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018120978A true JP2018120978A (en) | 2018-08-02 |
Family
ID=63044023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017011897A Pending JP2018120978A (en) | 2017-01-26 | 2017-01-26 | Thermal treatment device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018120978A (en) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0499529U (en) * | 1991-01-28 | 1992-08-27 | ||
JPH11274030A (en) * | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Hitachi Ltd | Method and device for resist processing, and method for coating resist |
JP2000058631A (en) * | 1998-03-02 | 2000-02-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Holder for manufacturing semiconductor and manufacture thereof |
US6278089B1 (en) * | 1999-11-02 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Heater for use in substrate processing |
JP2007158168A (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate heat treatment apparatus |
JP2007258441A (en) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Heat treatment apparatus |
JP2008085283A (en) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Momentive Performance Materials Inc | Heating apparatus with enhanced thermal uniformity, and method for making thereof |
JP2010287573A (en) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Semes Co Ltd | Substrate heating unit, and substrate treating device including this |
JP2014203980A (en) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | 住友電気工業株式会社 | Wafer heater |
-
2017
- 2017-01-26 JP JP2017011897A patent/JP2018120978A/en active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0499529U (en) * | 1991-01-28 | 1992-08-27 | ||
JP2000058631A (en) * | 1998-03-02 | 2000-02-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Holder for manufacturing semiconductor and manufacture thereof |
JPH11274030A (en) * | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Hitachi Ltd | Method and device for resist processing, and method for coating resist |
US6278089B1 (en) * | 1999-11-02 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Heater for use in substrate processing |
JP2007158168A (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate heat treatment apparatus |
JP2007258441A (en) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Heat treatment apparatus |
JP2008085283A (en) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Momentive Performance Materials Inc | Heating apparatus with enhanced thermal uniformity, and method for making thereof |
JP2010287573A (en) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Semes Co Ltd | Substrate heating unit, and substrate treating device including this |
JP2014203980A (en) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | 住友電気工業株式会社 | Wafer heater |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101117534B1 (en) | Stage for substrate temperature control apparatus | |
US8138456B2 (en) | Heat processing method, computer-readable storage medium, and heat processing apparatus | |
US6753508B2 (en) | Heating apparatus and heating method | |
JP4530933B2 (en) | Substrate heat treatment equipment | |
KR20190132561A (en) | Adaptive heat transfer methods and systems for uniform heat transfer | |
JP2007258441A (en) | Heat treatment apparatus | |
KR102338243B1 (en) | Heat processing apparatus, heat processing method and recording medium | |
JP2012038969A (en) | Heat treatment method, recording medium storing program for executing heat treatment method, and heat treatment device | |
JP2007158074A (en) | Substrate heat treatment apparatus | |
CN111900076A (en) | Temperature control method for wafer baking | |
TW201801136A (en) | Substrate bonding device and substrate bonding method | |
JP2008277382A (en) | Stage for substrate temperature controller | |
JP2009218536A (en) | Manufacturing apparatus of substrate heater and electro-optical device | |
JP2006339485A (en) | Wafer heat treatment apparatus | |
JP4781931B2 (en) | Heat treatment method and heat treatment apparatus | |
JP2018120978A (en) | Thermal treatment device | |
JP7027198B2 (en) | Board processing equipment | |
JP2009164483A (en) | Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor substrate processing device | |
JP2006093495A (en) | Substrate heating device and method therefor | |
JP7198718B2 (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment method | |
JP6683579B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP6872914B2 (en) | Heat treatment equipment and heat treatment method | |
TWI424541B (en) | Rapid temperature change system | |
TWI772745B (en) | Thermal processing apparatus and thermal processing method | |
JP2007027581A (en) | Hot plate unit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201022 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210330 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20211005 |