JP2006339485A - Wafer heat treatment apparatus - Google Patents

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Shigehiro Goto
茂宏 後藤
Akihiro Hisai
章博 久井
Keiji Matsuchika
啓司 松近
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To perform uniform heat treatment within a surface of a wafer by pressing the wafer to correct warping thereof. <P>SOLUTION: When a chamber cover 21 is moved down to a treatment position, an edge of a warped wafer W is pressed to the side of a bake plate 1 with an upper surface 31. Therefore, even if there is recessed warping on the wafer W, it is corrected, an entire lower surface of the wafer W is abutted to a spherical body 19, and a distance to the upper surface of the bake plate 1 is maintained appropriately, thereby performing uniform heat treatment within the surface of the wafer W. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）等の基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置に係り、特に、基板をベークプレートに密着させずに微小空間を隔てて熱処理する技術に関する。   The present invention relates to a substrate heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device (hereinafter simply referred to as a substrate), and in particular, a minute space without bringing the substrate into close contact with a bake plate. It is related with the technique which heat-processes across.

従来、この種の装置として、昇降温されるベークプレートと、ベークプレートの上面に、平面視で正三角形の各頂点に位置するように埋設された３個の球体とを備えた装置が挙げられる（例えば、特許文献１参照）。この装置では、基板をベークプレートに載置すると、基板の下面が３個の球体で支持され、基板の下面全体がベークプレートに密着することなく、基板の全面が微小空間を隔てて離間された状態となる。このように微小空間を隔てて基板を載置することにより、ベークプレートに温度ムラが存在していたとしても、基板にはその影響が極力及ばないようになっている。
特開２０００−１９３３７６号公報 Conventionally, as this type of apparatus, there is an apparatus provided with a bake plate that is heated and lowered, and three spheres embedded on the top surface of the bake plate so as to be positioned at each vertex of an equilateral triangle in plan view. (For example, refer to Patent Document 1). In this apparatus, when the substrate is placed on the bake plate, the lower surface of the substrate is supported by three spheres, and the entire lower surface of the substrate is not in close contact with the bake plate, and the entire surface of the substrate is separated by a minute space. It becomes a state. By placing the substrate across the minute space in this way, even if temperature unevenness exists on the bake plate, the substrate is not affected as much as possible.
JP 2000-193376 A

ところで、半導体製造プロセスにおいては、基板の加熱処理は欠かせないものであるが、フォトレジストにおけるマスク生成プロセスにおいても現像処理前に行われる加熱処理は、エッチングマスク寸法の精度に大きく関わる重要な問題である。昨今のプロセスの微細化に伴い、基板熱処理装置に要求される温度均一性は高いものとなってきており、それらの要求を満たす様々な改良が行われてきた。   By the way, in the semiconductor manufacturing process, the heat treatment of the substrate is indispensable. However, the heat treatment performed before the development processing in the mask generation process in the photoresist is an important problem greatly related to the accuracy of the etching mask dimension. It is. With the recent miniaturization of the process, the temperature uniformity required for the substrate heat treatment apparatus has become high, and various improvements have been made to meet those requirements.

しかしながら、現実の半導体製造プロセスでは、物性の異なる種々の膜が多層に組み合わされていくため、それらの熱収縮率及び膨張率の相違により、工程が進むに従って基板自体が反る（厚み方向に湾曲する）のが一般的である。したがって、ベークプレートの面内温度分布をいくら精度よく均一にしても、半導体製造工程における現実の基板を加熱処理する際には、ベークプレートと基板面との間の微小空間が基板の全面にわたって同じにならず、不均一な間隔となってしまう。そのため、ベークプレートが本来有している高精度な温度均一性を、基板の熱処理に生かし切れていないという問題がある。   However, in an actual semiconductor manufacturing process, various films having different physical properties are combined in multiple layers, so that the substrate itself warps (curves in the thickness direction) due to the difference in thermal contraction rate and expansion rate. Is common). Therefore, even if the in-plane temperature distribution of the bake plate is made uniform with high accuracy, when the actual substrate is heat-treated in the semiconductor manufacturing process, the minute space between the bake plate and the substrate surface is the same over the entire surface of the substrate. In other words, the intervals are not uniform. Therefore, there is a problem that the highly accurate temperature uniformity inherent to the bake plate is not fully utilized in the heat treatment of the substrate.

なお、上記の問題を解決するために、ベークプレートの温度制御を複数のエリアに分割し、基板とベークプレートの距離に応じてエリアごとに異なる加熱制御を行うという提案がなされている。しかしながら、基板の反り量や反り方向が一様ではないので、一枚の基板ごとに最適な温度制御を実施する必要が生じ、現実的には容易に実施できるものではなく、実施したとしても、複雑な制御の割に基板の温度処理の均一性を向上することができない。   In order to solve the above problem, it has been proposed to divide the temperature control of the baking plate into a plurality of areas and perform different heating control for each area according to the distance between the substrate and the baking plate. However, since the amount of warping and the warping direction of the substrate are not uniform, it is necessary to carry out optimal temperature control for each substrate, and it is not practically easy to implement, even if it is performed, The uniformity of temperature processing of the substrate cannot be improved for complicated control.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、押圧によって基板の反りを矯正することにより、基板の面内において均一な熱処理を行うことができる基板熱処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a substrate heat treatment apparatus capable of performing a uniform heat treatment in the plane of the substrate by correcting the warpage of the substrate by pressing. Objective.

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、ベークプレートの上面に凸部を備え、ベークプレートに基板を載置して、基板の下面とベークプレートの上面との間に微小空間を形成した状態で基板に対する熱処理を行う基板熱処理装置において、基板の周縁部に当接し、基板を前記ベークプレート側へ押しつける押圧部を備え、前記押圧部で基板を前記ベークプレート側へ押しつけた状態で熱処理を行うことを特徴とするものである。 In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the invention according to claim 1 is provided with a convex portion on the upper surface of the bake plate, the substrate is placed on the bake plate, and a minute space is formed between the lower surface of the substrate and the upper surface of the bake plate. In a substrate heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate, a heat treatment is performed in a state where the substrate is pressed against the bake plate side with a pressing portion that contacts the peripheral edge of the substrate and presses the substrate toward the bake plate side. It is characterized by.

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、基板がベークプレートに載置され、押圧部で基板をベークプレートに押しつけると、基板の周縁部がベークプレート側へ強制的に移動される。したがって、基板に反りがあっても矯正され、基板の下面が凸部に当接してベークプレート上面との距離が適切に維持されるので、基板の面内において均一な熱処理を行うことができる。   [Operation and Effect] According to the invention described in claim 1, when the substrate is placed on the bake plate and the substrate is pressed against the bake plate by the pressing portion, the peripheral portion of the substrate is forcibly moved to the bake plate side. The Therefore, even if the substrate is warped, it is corrected, and the lower surface of the substrate abuts against the convex portion and the distance from the upper surface of the bake plate is appropriately maintained, so that uniform heat treatment can be performed within the surface of the substrate.

本発明において、前記押圧部は、複数個の押圧部材を備え、前記ベークプレート側の内周側に基板の周縁部に当接する当接部を備え、前記押圧部で基板を押しつけた状態では、前記当接部の先端部が前記ベークプレートの上面に当接することが好ましい（請求項２）。複数個の押圧部材で基板をベークプレート側へ押しつけると、当接部の先端部がベークプレートの上面に当接するので、ベークプレート上面と基板の上面との相対的位置を高精度にしつつも、簡単にその精度をだすことができる。また、必要以上に基板を押圧することがなく、基板へのストレスが軽減できる。   In the present invention, the pressing portion includes a plurality of pressing members, includes an abutting portion that abuts a peripheral edge portion of the substrate on the inner peripheral side of the baking plate side, and presses the substrate with the pressing portion. It is preferable that a tip end portion of the abutting portion abuts on an upper surface of the bake plate. When the substrate is pressed to the bake plate side with a plurality of pressing members, the tip of the abutting portion comes into contact with the upper surface of the bake plate, so that the relative position between the upper surface of the bake plate and the upper surface of the substrate is highly accurate, The accuracy can be easily obtained. In addition, the stress on the substrate can be reduced without pressing the substrate more than necessary.

本発明において、当接部は、下向き傾斜面を備えていることが好ましい（請求項３）。基板の周辺部の上面ではなく、端面に形成された面取り部に下向き傾斜面が当接するので、押しつけ時における押圧部との接触面積を小さくすることができる。したがって、パーティクルの発生を抑制することができるとともに相互汚染を抑制できる。   In this invention, it is preferable that the contact part is provided with the downward inclined surface (Claim 3). Since the downward inclined surface is in contact with the chamfered portion formed on the end surface rather than the upper surface of the peripheral portion of the substrate, the contact area with the pressing portion at the time of pressing can be reduced. Therefore, generation of particles can be suppressed and cross contamination can be suppressed.

本発明において、押圧部は、前記ベークプレートの上方にあたる待機位置と、熱処理時に前記ベークプレートに近い処理位置との間を移動可能なチャンバーカバーに配設されていることが好ましい（請求項４）。非処理時にはベークプレートの上方の待機位置にあるチャンバーカバーは、処理時にはベークプレートの上部を覆うので、これに押圧部を設けることにより、チャンバーカバーの動作に連動して基板をベークプレートに押しつけることができる。したがって、構成を簡単化することができる。   In the present invention, it is preferable that the pressing portion is disposed on a chamber cover that can move between a standby position above the bake plate and a processing position close to the bake plate during heat treatment. . The chamber cover at the standby position above the bake plate during non-processing covers the upper part of the bake plate during processing, so that the substrate is pressed against the bake plate in conjunction with the operation of the chamber cover by providing a pressing portion on this. Can do. Therefore, the configuration can be simplified.

本発明において、ベークプレートの上部は、中央部が上方に突出した円弧状の縦断面形状を呈することが好ましい（請求項５）。基板の中央部が上方に突出した反り（山型反り）の場合には、押圧部で押圧しても基板の中央部をベークプレート側へ移動させることができないが、ベークプレートを、その中央部が上方へ突出した円弧状の縦断面形状とすると、山型反りの基板であっても基板の全面にわたって反りを矯正できる。   In the present invention, it is preferable that the upper portion of the bake plate has an arcuate vertical cross-sectional shape with the central portion protruding upward. In the case of warpage (mountain warpage) in which the central portion of the substrate protrudes upward, the central portion of the substrate cannot be moved to the bake plate side even if it is pressed by the pressing portion. If the substrate has an arcuate vertical cross-sectional shape protruding upward, the warp can be corrected over the entire surface of the substrate even if it is a chevron-shaped warp substrate.

本発明において、押圧部は、前記ベークプレート側に貫通し、気体を排出する上部排出孔を備えていることが好ましい（請求項６）。押圧部が基板の周縁部と摺動してパーティクルが発生しても、上部排出孔から気体とともにパーティクルを排出できるので、清浄度高く基板に対して熱処理を施すことができる。   In this invention, it is preferable that the press part is equipped with the upper discharge hole which penetrates the said bake plate side and discharges | emits gas (Claim 6). Even if the pressing portion slides on the peripheral edge of the substrate and particles are generated, the particles can be discharged together with the gas from the upper discharge hole, so that the substrate can be heat treated with high cleanliness.

本発明において、ベークプレートは、前記押圧部が当接する領域に貫通し、気体を排出する下部排出孔を備えていることが好ましい（請求項７）。押圧部と基板の周縁部が摺動してパーティクルが発生しても、下部排出孔から気体とともにパーティクルを排出できるので、清浄度高く基板に対して熱処理を行うことができる。   In the present invention, it is preferable that the bake plate includes a lower discharge hole that passes through a region where the pressing portion contacts and discharges gas. Even if the pressing portion and the peripheral edge of the substrate slide to generate particles, the particles can be discharged together with the gas from the lower discharge hole, so that the substrate can be heat-treated with high cleanliness.

本発明に係る基板熱処理装置によれば、押圧部で基板をベークプレートに押しつけると、基板の周縁部がベークプレート側へ強制的に移動される。したがって、基板に反りがあっても矯正され、基板の下面が凸部に当接してベークプレート上面との距離が適切に維持されるので、基板の面内において均一な熱処理を行うことができる。   According to the substrate heat treatment apparatus of the present invention, when the substrate is pressed against the bake plate by the pressing portion, the peripheral edge of the substrate is forcibly moved to the bake plate side. Therefore, even if the substrate is warped, it is corrected, and the lower surface of the substrate abuts against the convex portion and the distance from the upper surface of the bake plate is appropriately maintained, so that uniform heat treatment can be performed within the surface of the substrate.

以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。
図１は、実施例１に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図であり、図２は、図１の一部平面図である。 Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a substrate heat treatment apparatus according to a first embodiment, and FIG. 2 is a partial plan view of FIG.

上面に基板Ｗを載置されるベークプレート１は、図示しない作動液を封入した密閉構造のヒートパイプ構造を採用しており、下部にヒータなどの発熱体３が埋設されている。また、発熱体３とベークプレート１の上面との間にあたる伝熱部５には、図示しない冷却溝が形成され、冷却用の流体が流通される。また、ベークプレート１は、円形状の基板Ｗの外径に合わせて、平面視円形状の外観を呈する。   The bake plate 1 on which the substrate W is placed has an airtight heat pipe structure in which a working fluid (not shown) is sealed, and a heating element 3 such as a heater is embedded in the lower part. Further, a cooling groove (not shown) is formed in the heat transfer section 5 between the heating element 3 and the upper surface of the bake plate 1, and a cooling fluid is circulated. Further, the bake plate 1 exhibits a circular appearance in plan view in accordance with the outer diameter of the circular substrate W.

ベークプレート１には、上面から下面に貫通した３個の貫通孔７が形成されている。これらの貫通孔７は平面視で正三角形の各頂点にあたる位置に形成され、それぞれに支持ピン９が挿通されている。各支持ピン９は、下部が支持部材１１に配設されている支持部材１１は、エアシリンダ１５の作動軸に連結された昇降アーム１７に取り付けられている。したがって、エアシリンダ１５を作動させると、昇降アーム１７が上昇して各支持ピン９がベークプレート１の上面から上方へ突出し（図１中に二点鎖線で示す）、エアシリンダ１５を非作動にすると、作動軸が収縮して昇降アーム１７が下降し、各支持ピン９がベークプレート１の上面から下方に退出する（図１中に実線及び点線で示す）。これにより、図示しない搬送手段との間で基板Ｗの受け渡しを行うようになっている。   The bake plate 1 is formed with three through holes 7 penetrating from the upper surface to the lower surface. These through-holes 7 are formed at positions corresponding to the vertices of the equilateral triangle in plan view, and support pins 9 are inserted into the respective through-holes 7. Each support pin 9 has a lower portion disposed on a support member 11. The support member 11 is attached to a lifting arm 17 connected to an operating shaft of an air cylinder 15. Therefore, when the air cylinder 15 is operated, the elevating arm 17 rises and the support pins 9 protrude upward from the upper surface of the bake plate 1 (indicated by a two-dot chain line in FIG. 1), and the air cylinder 15 is deactivated. Then, the operating shaft contracts and the elevating arm 17 descends, and each support pin 9 retracts downward from the upper surface of the bake plate 1 (indicated by a solid line and a dotted line in FIG. 1). As a result, the substrate W is transferred to and from a transfer means (not shown).

ベークプレート１の上面には、各貫通孔７を避ける位置であって、中心位置と、正三角形の各頂点に相当する位置と、中心位置と各頂点相当位置の延長上の位置とに、７個の凹部が穿たれ、各凹部のそれぞれに凹部の深さよりも若干大径の球体１９が嵌め込まれている。また、中心位置と各貫通孔７の延長線上の位置には、同様に３個の凹部が穿たれ、各凹部に球体１９が嵌め込まれている。基板Ｗがベークプレート１に載置されると、これらの１０個の球体１９によって ベークプレート１の上面からプロキシミティギャップと呼ばれる微小空間ｍｓが形成された状態で支持され、ベークプレート１の上面からの輻射熱によって均一に加熱できるように構成されている。なお、本発明における凸部に相当する球体１９の個数や位置は、基板Ｗの径等に応じて適宜に設定すればよい。   On the upper surface of the bake plate 1, there are 7 positions to avoid each through-hole 7, including a center position, a position corresponding to each vertex of the equilateral triangle, and a position on the extension of the center position and each vertex corresponding position. A number of recesses are formed, and a sphere 19 having a diameter slightly larger than the depth of the recess is fitted into each recess. Similarly, three recesses are bored at the center position and the position on the extension line of each through hole 7, and a sphere 19 is fitted in each recess. When the substrate W is placed on the bake plate 1, these ten spheres 19 are supported in a state where a minute space ms called a proximity gap is formed from the upper surface of the bake plate 1, and from the upper surface of the bake plate 1. It can be heated uniformly by radiant heat. Note that the number and position of the spheres 19 corresponding to the convex portions in the present invention may be set as appropriate according to the diameter of the substrate W or the like.

ベークプレート１の上方には、チャンバーカバー２１が配設されている。このチャンバーカバー２１は、図示しない昇降機構により図１に実線で示す「待機位置」と、図１に二点鎖線で示す「処理位置」とにわたって移動可能に構成されている。チャンバーカバー２１は、上部に窒素ガスの供給孔２３が形成されており、その下面周囲を囲うようにパンチングボード２５が取り付けられている。パンチングボード２５は、供給孔２３から供給された窒素ガスの流れを整流するために設けられている。パンチングボード２５の外周側には、基板Ｗの周縁部に当接し、基板Ｗをベークプレート１側に押さえつける押圧部２７が配設されている。   A chamber cover 21 is disposed above the bake plate 1. The chamber cover 21 is configured to be movable between a “standby position” indicated by a solid line in FIG. 1 and a “processing position” indicated by a two-dot chain line in FIG. The chamber cover 21 has a nitrogen gas supply hole 23 formed in an upper portion thereof, and a punching board 25 is attached so as to surround the periphery of the lower surface thereof. The punching board 25 is provided to rectify the flow of nitrogen gas supplied from the supply hole 23. On the outer peripheral side of the punching board 25, a pressing portion 27 is provided that contacts the peripheral edge of the substrate W and presses the substrate W against the bake plate 1 side.

なお、処理内容によっては、供給孔２３から供給するガスを、窒素ガスに代えてクリーンエアとしてもよい。   Depending on the processing content, the gas supplied from the supply hole 23 may be clean air instead of nitrogen gas.

押圧部２７は、平面視で正三角形の各頂点に位置する箇所の三箇所に配設されており、内周側に基板Ｗの周縁部に当接する当接部２９が形成されている。当接部２９は、矩形の角にアールを形成した断面形状を呈し、その上面部３１で基板Ｗの周辺部上面を押さえつけるとともに、側面部３３で基板Ｗの側方への移動を規制する。また、当接部２９の先端部にあたる下端部３５は、平坦に形成されており、上面部３１が基板Ｗの周辺部上面を押さえつけた状態で基板Ｗを押圧したときにベークプレート１上面に当接し、基板Ｗの下面が球体１９に当接して微小空間ｍｓが形成される長さに押圧部２７が構成されている。また、その長さは、チャンバーカバー２１の側面部の長さより若干長くされており、押圧した際に、ベークプレート１上面との間に窒素ガスが流れ出る流路が形成される。このように当接部２９が構成されているので、ベークプレート１上面と基板Ｗの上面との相対的位置を高精度にしつつも、簡単にその精度をだすことができる。また、必要以上に基板Ｗを押圧することがなく、基板Ｗへのストレスが軽減できる。   The pressing portions 27 are disposed at three locations located at the vertices of the regular triangle in plan view, and contact portions 29 that contact the peripheral portion of the substrate W are formed on the inner peripheral side. The abutting portion 29 has a cross-sectional shape in which a rounded corner is formed. The upper surface portion 31 presses the upper surface of the peripheral portion of the substrate W, and the side surface portion 33 restricts the lateral movement of the substrate W. The lower end 35 corresponding to the tip of the abutting portion 29 is formed flat, so that the upper surface 31 is pressed against the upper surface of the baking plate 1 when the substrate W is pressed with the upper surface of the peripheral portion of the substrate W pressed. The pressing portion 27 is configured to have such a length that the bottom surface of the substrate W is in contact with the sphere 19 and the minute space ms is formed. Further, the length is slightly longer than the length of the side surface portion of the chamber cover 21, and a flow path through which nitrogen gas flows is formed between the upper surface of the bake plate 1 when pressed. Since the contact portion 29 is configured in this way, the accuracy can be easily obtained while the relative position between the upper surface of the bake plate 1 and the upper surface of the substrate W is made highly accurate. In addition, the stress on the substrate W can be reduced without pressing the substrate W more than necessary.

次に、図３から図５を参照して、上記のように構成されている基板熱処理装置の動作について説明する。なお、図３〜図５は、動作説明図である。また、以下の説明では、基板Ｗの中央部が下方に突出した反り（谷型反り）を有するものとして説明する。   Next, the operation of the substrate heat treatment apparatus configured as described above will be described with reference to FIGS. 3 to 5 are operation explanatory diagrams. Moreover, in the following description, the center part of the board | substrate W demonstrates as what has the curvature (valley-shaped curvature) which protruded below.

まず、エアシリンダ１５を作動させて、作動軸を上方へ突出させる（図３）。これにより、三本の支持ピン９がベークプレート１の上面から上方へ突出した状態となる。この状態で、図示しない搬送手段から（例えば、回路等が形成されるエピタキシャル層を上方に向けた状態の）基板Ｗを受け取り、突出した支持ピン９で基板Ｗをほぼ水平姿勢で支持する。   First, the air cylinder 15 is operated, and the operating shaft protrudes upward (FIG. 3). As a result, the three support pins 9 protrude upward from the upper surface of the bake plate 1. In this state, the substrate W is received from a transfer means (not shown) (for example, the epitaxial layer on which a circuit or the like is formed is directed upward), and the substrate W is supported in a substantially horizontal posture by the protruding support pins 9.

次いで、エアシリンダ１５を非作動とし、作動軸を収縮させる（図４）。これにより、基板Ｗの下面の一部だけが１０個の球体１９の一部に当接して、基板Ｗがベークプレート１に載置される。このとき、基板Ｗの周縁部は、中央部よりも上方に反り上がった状態であり、ベークプレート１上面に対する距離が長くなっている。   Next, the air cylinder 15 is deactivated and the operating shaft is contracted (FIG. 4). Thereby, only a part of the lower surface of the substrate W comes into contact with a part of the ten spheres 19, and the substrate W is placed on the bake plate 1. At this time, the peripheral edge portion of the substrate W is warped upward from the central portion, and the distance to the upper surface of the bake plate 1 is longer.

さらに、チャンバーカバー２１を処理位置にまで下降させる（図５）。これにより、反り上がっている基板Ｗの周縁部が上面部３１でベークプレート１側へ押しつけられる。したがって、基板Ｗに谷型反りがあっても矯正され、基板Ｗの下面全体が球体１９に当接してベークプレート１上面との距離が適切に維持されるので、基板Ｗの面内において均一な熱処理を行うことができる。   Further, the chamber cover 21 is lowered to the processing position (FIG. 5). As a result, the peripheral edge of the warped substrate W is pressed against the bake plate 1 by the upper surface 31. Therefore, even if the substrate W has a valley warp, it is corrected, and the entire lower surface of the substrate W abuts on the sphere 19 so that the distance from the upper surface of the bake plate 1 is properly maintained. Heat treatment can be performed.

上記のようにして基板Ｗを載置した後、予め決められた時間だけこの状態を保持することにより、基板Ｗに対して所定の熱処理を施す。   After placing the substrate W as described above, a predetermined heat treatment is performed on the substrate W by holding this state for a predetermined time.

なお、押圧部２７は、基板Ｗの周縁部と摺動するので、次のような構成が好ましい。ここで図６を参照する。なお、図６は、押圧部の好ましい構成を示す一部拡大図である。   In addition, since the press part 27 slides with the peripheral part of the board | substrate W, the following structures are preferable. Reference is now made to FIG. FIG. 6 is a partially enlarged view showing a preferred configuration of the pressing portion.

この押圧部２７Ａは、内周側が下向き傾斜面３７を備えている点が特徴的となっている。このように下向き傾斜面３７を備えた押圧部２７Ａを採用することにより、基板Ｗの周辺部の上面ではなく、端面に形成された面取り部に下向き傾斜面３７が当接するので、押しつけ時における押圧部２７Ａとの接触面積を小さくすることができる。したがって、パーティクルの発生を抑制することができるとともに相互汚染を抑制できる。   The pressing portion 27A is characterized in that the inner peripheral side includes a downward inclined surface 37. By adopting the pressing portion 27A provided with the downward inclined surface 37 in this way, the downward inclined surface 37 comes into contact with the chamfered portion formed on the end surface instead of the upper surface of the peripheral portion of the substrate W. The contact area with the portion 27A can be reduced. Therefore, generation of particles can be suppressed and cross contamination can be suppressed.

次に、上記の基板熱処理装置が備えることが好ましい構成について図７を参照して説明する。なお、図７は、上部排出部及び下部排出部を示す図である。   Next, a configuration that the substrate heat treatment apparatus preferably includes will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a view showing the upper discharge portion and the lower discharge portion.

押圧部２７Ｂは、上面部３１から縦方向に貫通した排気通路３９が形成され、チャンバーカバー２１の上面には、排気通路３９に連通した連絡通路４１が形成されている。これらは上部排気口４３を構成している。この上部排出孔４３は、例えば、クリーンルームに設けられたユーティリティの一つである、排気源に連通接続される。   The pressing portion 27 </ b> B is formed with an exhaust passage 39 penetrating in a vertical direction from the upper surface portion 31, and a communication passage 41 communicating with the exhaust passage 39 is formed on the upper surface of the chamber cover 21. These constitute the upper exhaust port 43. The upper discharge hole 43 is connected to an exhaust source which is one of utilities provided in a clean room, for example.

ベークプレート１Ａは、上記押圧部２７Ｂが当接する領域に、複数個の縦穴４５に連通し、側面に開口した横穴４７を備えた下部排出孔４９を備えている。この下部排出孔４９も排気源に連通接続される。   The bake plate 1A is provided with a lower discharge hole 49 having a horizontal hole 47 which is communicated with a plurality of vertical holes 45 and opened on a side surface in a region where the pressing portion 27B contacts. The lower discharge hole 49 is also connected to the exhaust source.

基板Ｗを押さえつける際には、その周縁部が側面部３３に摺動し、その周辺部上面が上面部３１と摺動するので、パーティクルが発生する恐れがある。そこで、上記の上部排出孔４３と下部排出孔４９から排気を行うことにより、気体とともにパーティクルを排出することができるので、高い清浄度で基板Ｗに対して熱処理を行うことができる。排気動作は、熱処理時に継続的に行ってもよいが、基板Ｗの搬送時の間だけ排気するようにしてもよい。これにより清浄度を下げることなく、さらに排気による温度の均一性を損なう恐れがなくなる。   When pressing the substrate W, the peripheral edge slides on the side surface 33 and the upper surface of the peripheral part slides on the upper surface 31, so that particles may be generated. Therefore, by exhausting from the upper discharge hole 43 and the lower discharge hole 49, particles can be discharged together with the gas, so that the heat treatment can be performed on the substrate W with high cleanliness. The evacuation operation may be continuously performed during the heat treatment, but may be performed only during the transfer of the substrate W. This eliminates the possibility of deteriorating the temperature uniformity due to exhaust without lowering the cleanliness.

なお、上部排気孔４３または下部排気孔４９のいずれか一方だけを備えるようにしてもよい。これにより構成を簡単化しつつも、清浄度高く処理できる。また、下部排出孔４９は、ベークプレート１Ａの側面に開口した横穴４７を備えているが、ベークプレート１Ａの下面に開口した縦穴を採用してもよい。   Only one of the upper exhaust hole 43 and the lower exhaust hole 49 may be provided. This makes it possible to process with a high degree of cleanliness while simplifying the configuration. Moreover, although the lower discharge hole 49 is provided with the horizontal hole 47 opened on the side surface of the bake plate 1A, a vertical hole opened on the lower surface of the bake plate 1A may be adopted.

次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。
図８は、実施例２に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。なお、上述した実施例１と同様の構成については同符号を付して詳細な説明については省略する。 Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 8 is a longitudinal sectional view illustrating a schematic configuration of the substrate heat treatment apparatus according to the second embodiment. In addition, about the structure similar to Example 1 mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted.

本実施例は、ベークプレート１Ｂを備え、その中央部５１が上方に突出した円弧状の縦断面形状を呈する。中央部５１のベークプレート１Ｂ正面からの高さや円弧半径は、例えば、基板Ｗの反り（０．３〜２．０ｍｍ）と、基板Ｗの厚さと（０．５〜０．８ｍｍ）、微小空間ｍｓの高さ（０．０５〜１．０ｍｍ）等を勘案して設定すればよい。   The present embodiment includes a bake plate 1B and has an arcuate vertical cross-sectional shape with a central portion 51 protruding upward. The height and arc radius of the central portion 51 from the front surface of the baking plate 1B are, for example, the warpage of the substrate W (0.3 to 2.0 mm), the thickness of the substrate W (0.5 to 0.8 mm), and the minute space. It may be set in consideration of the height of ms (0.05 to 1.0 mm) or the like.

上述した実施例１の装置では基板Ｗの中央部が上方に突出した反り（山型反り）の場合には、押圧部２７で押圧しても基板Ｗの中央部をベークプレート１Ａ側へ移動させることができないが、本実施例によると、ベークプレート１Ｂに、上方へ突出した円弧状の縦断面形状を呈する中央部５１を備えているので、山型反りの基板Ｗであっても基板Ｗの全面にわたって反りを矯正できる。   In the apparatus of the first embodiment described above, in the case of warping (mountain warpage) in which the central portion of the substrate W protrudes upward, the central portion of the substrate W is moved to the bake plate 1A side even when pressed by the pressing portion 27. However, according to the present embodiment, the bake plate 1B is provided with the central portion 51 having an arcuate vertical cross-sectional shape protruding upward. Warp can be corrected over the entire surface.

なお、実施例２の場合も、上述した押圧部２７Ａ，２７Ｂ、上部排出孔４３、下部排出孔４９などを併設するようにしてもよい。   In the case of the second embodiment as well, the above-described pressing portions 27A and 27B, the upper discharge hole 43, the lower discharge hole 49, and the like may be provided together.

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。   The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.

（１）上述した各実施例１，２では、押圧部２７，２７Ａ，２７Ｂは、平面視で三箇所に配設されているが、４箇所以上にわたり配設するようにしてもよい。また、基板Ｗの外周部全周にわたる環状の押圧部を採用してもよい。   (1) In each of the first and second embodiments described above, the pressing portions 27, 27A, and 27B are disposed at three locations in plan view, but may be disposed at four or more locations. Moreover, you may employ | adopt the cyclic | annular press part covering the outer peripheral part whole periphery of the board | substrate W. FIG.

（２）上述した各実施例１，２では、押圧部２７，２７Ａ，２７Ｂを昇降自在のチャンバーカバー２１に配設しているが、押圧部２７，２７Ａ，２７Ｂを昇降する別体の昇降機構を備えるようにしてもよい。   (2) In each of the first and second embodiments described above, the pressing portions 27, 27A, 27B are disposed on the freely movable chamber cover 21, but a separate lifting mechanism that lifts and lowers the pressing portions 27, 27A, 27B. You may make it provide.

（３）上述した各実施例１，２では、円形状の基板Ｗに合わせ、ベークプレート１の平面視外観が円形状であるとしたが、液晶表示装置などのように矩形上の基板である場合には、ベークプレート１の平面視外観を矩形上とすればよい。   (3) In each of the first and second embodiments described above, the bake plate 1 has a circular outer appearance in conformity with the circular substrate W, but is a rectangular substrate such as a liquid crystal display device. In such a case, the plan view appearance of the bake plate 1 may be a rectangular shape.

（４）上述した各実施例１，２では、球体１９を備えて微小空間ｍｓを構成しているが、これに代えて、例えば、ベークプレート１の伝熱部５上面をエッチングや部分メッキ、部分コーティングすることにより、同心円形状やメッシュ状に凹凸を形成してもよい。また、これらのパーツを別体部品で構成し、伝熱部５の上面に接着する構成としてもよい。   (4) In each of the first and second embodiments described above, the sphere 19 is provided to form the minute space ms. Instead, for example, the upper surface of the heat transfer section 5 of the bake plate 1 is etched or partially plated. Concavities and convexities may be formed in a concentric or mesh shape by partial coating. Moreover, it is good also as a structure which comprises these parts by separate parts and adhere | attaches on the upper surface of the heat-transfer part 5. FIG.

（５）上述した各実施例１，２では、伝熱部５にヒートパイプ構造を採用したものを例に採って説明したが、ヒートパイプを用いていない基板熱処理装置であっても本発明を適用することができる。   (5) In each of the first and second embodiments described above, the heat transfer unit 5 adopting the heat pipe structure has been described as an example, but the present invention can be applied to a substrate heat treatment apparatus that does not use a heat pipe. Can be applied.

実施例１に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a substrate heat treatment apparatus according to Example 1. FIG. 図１の一部平面図である。FIG. 2 is a partial plan view of FIG. 1. 動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing. 動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing. 動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing. 押圧部の好ましい構成を示す一部拡大図である。It is a partially expanded view which shows the preferable structure of a press part. 上部排出部及び下部排出部を示す図である。It is a figure which shows an upper discharge part and a lower discharge part. 実施例２に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。6 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a substrate heat treatment apparatus according to Embodiment 2. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

Ｗ … 基板
１ … ベークプレート１
３ … 発熱体
５ … 伝熱部
７ … 貫通孔
９ … 支持ピン
１１ … 支持部材
１５ … エアシリンダ
１９ … 球体（凸部）
２１ … チャンバーカバー
２７ … 押圧部
２９ … 当接部
３１ … 上面部
３３ … 側面部
３５ … 下端部
W ... Substrate 1 ... Bake plate 1
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 ... Heat generating body 5 ... Heat-transfer part 7 ... Through-hole 9 ... Support pin 11 ... Support member 15 ... Air cylinder 19 ... Sphere (convex part)
21 ... Chamber cover 27 ... Pressing part 29 ... Abutting part 31 ... Upper surface part 33 ... Side part 35 ... Lower end part

Claims (7)

ベークプレートの上面に凸部を備え、ベークプレートに基板を載置して、基板の下面とベークプレートの上面との間に微小空間を形成した状態で基板に対する熱処理を行う基板熱処理装置において、
基板の周縁部に当接し、基板を前記ベークプレート側へ押しつける押圧部を備え、
前記押圧部で基板を前記ベークプレート側へ押しつけた状態で熱処理を行うことを特徴とする基板熱処理装置。 In the substrate heat treatment apparatus that includes a convex portion on the upper surface of the bake plate, places the substrate on the bake plate, and heat-treats the substrate in a state where a minute space is formed between the lower surface of the substrate and the upper surface of the bake plate.
Abutting on the peripheral edge of the substrate, comprising a pressing portion that presses the substrate toward the bake plate,
A substrate heat treatment apparatus that performs heat treatment in a state where the substrate is pressed against the bake plate by the pressing portion. 請求項１に記載の基板熱処理装置において、
前記押圧部は、複数個の押圧部材を備え、前記ベークプレート側の内周側に基板の周縁部に当接する当接部を備え、
前記押圧部で基板を押しつけた状態では、前記当接部の先端部が前記ベークプレートの上面に当接することを特徴とする基板熱処理装置。 The substrate heat treatment apparatus according to claim 1,
The pressing portion includes a plurality of pressing members, and includes an abutting portion that abuts on a peripheral edge of the substrate on the inner peripheral side of the baking plate side,
In the state which pressed the board | substrate with the said press part, the front-end | tip part of the said contact part contacts the upper surface of the said bake plate, The substrate heat processing apparatus characterized by the above-mentioned. 請求項２に記載の基板熱処理装置において、
前記当接部は、下向き傾斜面を備えていることを特徴とする基板熱処理装置。 The substrate heat treatment apparatus according to claim 2,
The substrate heat treatment apparatus, wherein the contact portion has a downward inclined surface. 請求項１から３のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
前記押圧部は、前記ベークプレートの上方にあたる待機位置と、熱処理時に前記ベークプレートに近い処理位置との間を移動可能なチャンバーカバーに配設されていることを特徴とする基板熱処理装置。 The substrate heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The substrate heat treatment apparatus, wherein the pressing portion is disposed in a chamber cover that is movable between a standby position above the bake plate and a treatment position close to the bake plate during heat treatment. 請求項１から４のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
前記ベークプレートの上部は、中央部が上方に突出した円弧状の縦断面形状を呈することを特徴とする基板熱処理装置。 In the substrate heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The substrate heat treatment apparatus characterized in that an upper portion of the bake plate has an arcuate vertical cross-sectional shape with a central portion protruding upward. 請求項１から５のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
前記押圧部は、前記ベークプレート側に貫通し、気体を排出する上部排出孔を備えていることを特徴とする基板熱処理装置。 The substrate heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 5,
The said press part is provided with the upper discharge hole which penetrates the said bake plate side and discharges | emits gas, The substrate heat processing apparatus characterized by the above-mentioned. 請求項１から６のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
前記ベークプレートは、前記押圧部が当接する領域に貫通し、気体を排出する下部排出孔を備えていることを特徴とする基板熱処理装置。
The substrate heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 6,
The substrate heat treatment apparatus, wherein the bake plate includes a lower discharge hole that passes through a region where the pressing portion contacts and discharges gas.
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