JP2018119146A - 銅色塗料、その作製プロセス及びその適用 - Google Patents
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Abstract
【課題】銅色塗料として使用するための銅色組成物、着色された表面を提供するためのプロセス、及び着色表面を含む品目の提供。
【解決手段】構成成分a〜dを含有する銅色塗料。a.少なくとも約30重量%の有機ビヒクル、b.約0.5〜約35重量%の、Au有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなAu、c.約0.1〜約10重量%の、四価金属有機化合物の形態で組成物中に存在するもののような四価金属、d.約0〜約6重量%の、Bi有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなBi、を含む組成物。
【選択図】図1
【解決手段】構成成分a〜dを含有する銅色塗料。a.少なくとも約30重量%の有機ビヒクル、b.約0.5〜約35重量%の、Au有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなAu、c.約0.1〜約10重量%の、四価金属有機化合物の形態で組成物中に存在するもののような四価金属、d.約0〜約6重量%の、Bi有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなBi、を含む組成物。
【選択図】図1
Description
本発明は概して、特に塗料としての使用のためのAu含有組成物、好ましくは銅色塗料に関する。特に、本発明は、組成物、着色された表面を提供するプロセス、好ましくはセラミックである基材に組成物を適用するプロセス、及びかくして獲得可能な着色表面に関する。
塗料を使用して表面に金属色を生成することは既知であり、その用途は、台所用品及び陶器類、装飾品、家具、並びにインテリアデザイン製品の装飾等、多岐にわたる。入手可能な色、及び異なる表面に対する適用性の点から、それらの塗料を改善する多数の試みが存在している。
金色塗料を提供するために、先行技術において多数の試みが為されており、中でも、金系塗料の調製におけるケイ素化合物の使用を研究している特許文献1及び、表面上に金属色を提供するためのインクセットの使用を研究している特許文献2がある。
塗料、特に銅色塗料の改善の必要性が、最先端技術において尚存在する。
本発明は概して、最先端技術において直面する、着色塗料に関連した問題点の少なくとも1つを克服する目的に基づくものである。
より詳細には、本発明は更に、表面に銅色、特に濃銅色を提供するために使用され得る組成物を提供する目的に基づくものである。良好な物理的接着及び化学的耐性を示す、表面に銅色を提供するために使用され得る組成物を提供することが、本発明の更なる目的である。
上述した目的の少なくとも1つの達成に対する寄与は、本発明のカテゴリーを形成する請求項の主題により提供される。更なる寄与は、本発明の特定の実施形態を表す本発明の従属請求項の主題により提供される。
上述した目的の少なくとも1つの達成に対する寄与は、本発明の以下の実施形態により提供される。
|1|以下の構成成分
a.少なくとも約30重量%の有機ビヒクル、
b.約0.5〜約35重量%、好ましくは約1〜約20重量%、より好ましくは約1.5〜約10重量%、最も好ましくは約2〜約7重量%の、Au有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなAu、
c.約0.1〜約10重量%、好ましくは約0.01〜約10重量%、より好ましくは約0.05〜約8重量%、最も好ましくは約0.1〜約4重量%の、四価金属有機化合物の形態で組成物中に存在するもののような四価金属、
d.約0〜約6重量%、好ましくは約0.1〜約5重量%、より好ましくは約0.5〜約4重量%、最も好ましくは約1〜約3重量%の、Bi有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなBi、を含む組成物であって、
重量%は、組成物の総重量を基準とする、組成物。
|2|Auと四価金属とのモル比が、約1:5〜約20:1の範囲内、好ましくは約1:4〜約15:1の範囲内、より好ましくは約1:1〜約10:1の範囲内である、実施形態|1|による組成物。
|3|四価金属が、Ti、Zr、Hf、Ce、Ni、Mn、Co、Cu、Sn又はSiからなる群から選択される1つ以上である、実施形態1又は2による組成物。
|4|四価金属が、Ti、Zr又は両方である、実施形態1〜3のいずれかによる組成物。
|5|
a.Au有機化合物が樹脂酸塩である、
b.四価金属有機化合物が、1つ以上のアルコキシ基を含む、
c.Bi有機化合物が樹脂酸塩である、のうちの1つ以上が満たされる、実施形態1〜4のいずれかによる組成物。
|6|
a.Au有機化合物中のAuが、1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子に結合している、
b.四価金属有機化合物中の四価金属が、1つ以上のO原子に結合している、
c.Bi有機化合物中のBiが、1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子に結合している、のうちの1つ以上が満たされる、実施形態1〜5のいずれかによる組成物。
|7|約0.001〜約0.2重量%、好ましくは約0.005〜約0.1重量%、より好ましくは約0.01〜約0.05重量%、最も好ましくは約0.02〜約0.04重量%の、ロジウム有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなロジウムを更に含む、実施形態1〜6のいずれかによる組成物。
|8|約0.005〜約0.1重量%、好ましくは約0.008〜約0.05重量%、より好ましくは約0.015〜約0.04重量%の、クロム有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなクロムを更に含む、実施形態1〜7のいずれかによる組成物。
|9|本明細書に提供された試験方法に従って、基材上に重ねられ、焼成された際に、約65未満のL*、及び約2.6未満、好ましくは約2未満、より好ましくは約1.6未満、更により好ましくは約0.5未満、最も好ましくは約0.2未満のb*/a*を有する表面を与える、実施形態1〜8のいずれかによる組成物。
|10|以下の工程を含む、着色表面の調製プロセスであって、
a.実施形態1〜9のいずれかによる組成物を提供する工程と、
b.基材を提供する工程と、
c.組成物を基材上に重ねて、前駆体を得る工程と、
d.前駆体を焼成して、着色表面を得る工程と、を含む、プロセス。
|11|基材が、
a.基材の総重量を基準として、少なくとも約50重量%のSiO2を含む第1の基材、
b.基材の総重量を基準として、少なくとも約50重量%のAl2O3を含む第2の基材、からなる群から選択される、実施形態|10|によるプロセス。
|12|
実施形態|10|又は|11|によるプロセスによって獲得可能な着色表面。
|13|
約65未満のL*、及び約2.6未満、好ましくは約2未満、より好ましくは約1.6未満、更により好ましくは約0.5未満、最も好ましくは約0.2未満のb*/a*を有する、実施形態|12|による着色表面。
|14|
a)基材表面を有する基材と、
b)基材表面上に少なくとも部分的に重ねられた層と、を含み、
層が、約65未満のL*、及び約2.6未満、好ましくは約2未満、より好ましくは約1.6未満、更により好ましくは約0.5未満、最も好ましくは約0.2未満のb*/a*を有する、層複合材。
|15|層が以下の層構成成分、
a.約3〜約80重量%、好ましくは約30〜約80重量%、より好ましくは約40〜約75、最も好ましくは約50〜約70重量%のAu、
b.約0.1〜約25重量%、好ましくは約1〜約20重量%、より好ましくは約5〜約15重量%、最も好ましくは約8〜約12重量%の四価金属、
c.約0〜約40重量%、好ましくは約5〜約35重量%、より好ましくは約10〜約30重量%、最も好ましくは約15〜約28重量%のBiを含む、実施形態|14|による層複合材。
|16|層中のAuと四価金属とのモル比が、約1:5〜約20:1の範囲内、好ましくは約1:4〜約15:1の範囲内、より好ましくは約1:1〜約10:1の範囲内である、実施形態|14|又は|15|による層複合材。
|1|以下の構成成分
a.少なくとも約30重量%の有機ビヒクル、
b.約0.5〜約35重量%、好ましくは約1〜約20重量%、より好ましくは約1.5〜約10重量%、最も好ましくは約2〜約7重量%の、Au有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなAu、
c.約0.1〜約10重量%、好ましくは約0.01〜約10重量%、より好ましくは約0.05〜約8重量%、最も好ましくは約0.1〜約4重量%の、四価金属有機化合物の形態で組成物中に存在するもののような四価金属、
d.約0〜約6重量%、好ましくは約0.1〜約5重量%、より好ましくは約0.5〜約4重量%、最も好ましくは約1〜約3重量%の、Bi有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなBi、を含む組成物であって、
重量%は、組成物の総重量を基準とする、組成物。
|2|Auと四価金属とのモル比が、約1:5〜約20:1の範囲内、好ましくは約1:4〜約15:1の範囲内、より好ましくは約1:1〜約10:1の範囲内である、実施形態|1|による組成物。
|3|四価金属が、Ti、Zr、Hf、Ce、Ni、Mn、Co、Cu、Sn又はSiからなる群から選択される1つ以上である、実施形態1又は2による組成物。
|4|四価金属が、Ti、Zr又は両方である、実施形態1〜3のいずれかによる組成物。
|5|
a.Au有機化合物が樹脂酸塩である、
b.四価金属有機化合物が、1つ以上のアルコキシ基を含む、
c.Bi有機化合物が樹脂酸塩である、のうちの1つ以上が満たされる、実施形態1〜4のいずれかによる組成物。
|6|
a.Au有機化合物中のAuが、1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子に結合している、
b.四価金属有機化合物中の四価金属が、1つ以上のO原子に結合している、
c.Bi有機化合物中のBiが、1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子に結合している、のうちの1つ以上が満たされる、実施形態1〜5のいずれかによる組成物。
|7|約0.001〜約0.2重量%、好ましくは約0.005〜約0.1重量%、より好ましくは約0.01〜約0.05重量%、最も好ましくは約0.02〜約0.04重量%の、ロジウム有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなロジウムを更に含む、実施形態1〜6のいずれかによる組成物。
|8|約0.005〜約0.1重量%、好ましくは約0.008〜約0.05重量%、より好ましくは約0.015〜約0.04重量%の、クロム有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなクロムを更に含む、実施形態1〜7のいずれかによる組成物。
|9|本明細書に提供された試験方法に従って、基材上に重ねられ、焼成された際に、約65未満のL*、及び約2.6未満、好ましくは約2未満、より好ましくは約1.6未満、更により好ましくは約0.5未満、最も好ましくは約0.2未満のb*/a*を有する表面を与える、実施形態1〜8のいずれかによる組成物。
|10|以下の工程を含む、着色表面の調製プロセスであって、
a.実施形態1〜9のいずれかによる組成物を提供する工程と、
b.基材を提供する工程と、
c.組成物を基材上に重ねて、前駆体を得る工程と、
d.前駆体を焼成して、着色表面を得る工程と、を含む、プロセス。
|11|基材が、
a.基材の総重量を基準として、少なくとも約50重量%のSiO2を含む第1の基材、
b.基材の総重量を基準として、少なくとも約50重量%のAl2O3を含む第2の基材、からなる群から選択される、実施形態|10|によるプロセス。
|12|
実施形態|10|又は|11|によるプロセスによって獲得可能な着色表面。
|13|
約65未満のL*、及び約2.6未満、好ましくは約2未満、より好ましくは約1.6未満、更により好ましくは約0.5未満、最も好ましくは約0.2未満のb*/a*を有する、実施形態|12|による着色表面。
|14|
a)基材表面を有する基材と、
b)基材表面上に少なくとも部分的に重ねられた層と、を含み、
層が、約65未満のL*、及び約2.6未満、好ましくは約2未満、より好ましくは約1.6未満、更により好ましくは約0.5未満、最も好ましくは約0.2未満のb*/a*を有する、層複合材。
|15|層が以下の層構成成分、
a.約3〜約80重量%、好ましくは約30〜約80重量%、より好ましくは約40〜約75、最も好ましくは約50〜約70重量%のAu、
b.約0.1〜約25重量%、好ましくは約1〜約20重量%、より好ましくは約5〜約15重量%、最も好ましくは約8〜約12重量%の四価金属、
c.約0〜約40重量%、好ましくは約5〜約35重量%、より好ましくは約10〜約30重量%、最も好ましくは約15〜約28重量%のBiを含む、実施形態|14|による層複合材。
|16|層中のAuと四価金属とのモル比が、約1:5〜約20:1の範囲内、好ましくは約1:4〜約15:1の範囲内、より好ましくは約1:1〜約10:1の範囲内である、実施形態|14|又は|15|による層複合材。
組成物
本発明による好ましい組成物は、表面に色、好ましくは銅色、より好ましくは濃銅色を提供する塗料としての使用に好適である。好ましい組成物は、組成物成分として、
a.少なくとも約30重量%の有機ビヒクル、
b.約0.5〜約35重量%、好ましくは約1〜約20重量%、より好ましくは約1.5〜約10重量%、最も好ましくは約2〜約7重量%の、Au有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなAu、
c.約0.1〜約10重量%、好ましくは約0.01〜約10重量%、より好ましくは約0.05〜約8重量%、最も好ましくは約0.1〜約4重量%の、四価金属有機化合物の形態で組成物中に存在するもののような四価金属、
d.約0〜約6重量%、好ましくは約0.1〜約5重量%、より好ましくは約0.5〜約4重量%、最も好ましくは約1〜約3重量%の、Bi有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなBiを含み、
重量%は、組成物の総重量を基準とする。
本発明による好ましい組成物は、表面に色、好ましくは銅色、より好ましくは濃銅色を提供する塗料としての使用に好適である。好ましい組成物は、組成物成分として、
a.少なくとも約30重量%の有機ビヒクル、
b.約0.5〜約35重量%、好ましくは約1〜約20重量%、より好ましくは約1.5〜約10重量%、最も好ましくは約2〜約7重量%の、Au有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなAu、
c.約0.1〜約10重量%、好ましくは約0.01〜約10重量%、より好ましくは約0.05〜約8重量%、最も好ましくは約0.1〜約4重量%の、四価金属有機化合物の形態で組成物中に存在するもののような四価金属、
d.約0〜約6重量%、好ましくは約0.1〜約5重量%、より好ましくは約0.5〜約4重量%、最も好ましくは約1〜約3重量%の、Bi有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなBiを含み、
重量%は、組成物の総重量を基準とする。
本発明の一実施形態において、組成物中のビスマスの含有率は、0重量%を超える。
一実施形態において、組成物は、約5〜約50Pa・sの範囲内、好ましくは約10〜約40Pa・sの範囲内、より好ましくは約15〜約30Pa・sの範囲内の粘度を有する。
Au有機化合物
本発明の状況において、好ましいAu有機化合物は、金及び少なくとも1つの有機部分を含む。組成物中のAu有機化合物の含有率及び固有性は、好ましくは、本発明の目的の少なくとも1つの実現に寄与するように、好ましくは組成物が表面に適用されて銅色を付与することが可能なように、選定される。
本発明の状況において、好ましいAu有機化合物は、金及び少なくとも1つの有機部分を含む。組成物中のAu有機化合物の含有率及び固有性は、好ましくは、本発明の目的の少なくとも1つの実現に寄与するように、好ましくは組成物が表面に適用されて銅色を付与することが可能なように、選定される。
好ましいAu有機化合物は、直鎖又は環状、飽和又は不飽和、線状又は環状、芳香族又は非芳香族であってもよい。
一実施形態において、Au有機化合物は、環、好ましくは2〜6個の環、より好ましくは3個の環を含む。この実施形態の一態様において、有機化合物は芳香族基を含まない。この実施形態の一態様において、Au有機化合物は一般式Au−S−R(式中、Rは有機部分であり、好ましくは、環、好ましくは2〜6個の環、より好ましくは3個の環を含む炭化水素である)を有する。
一実施形態において、Au有機化合物は、分子当たり1〜5個の炭素原子を含む。別の実施形態では、Au有機化合物は、分子当たり6〜10個の炭素原子を含む。別の実施形態では、Au有機化合物は、分子当たり11〜20個の炭素原子を含む。別の実施形態では、Au有機化合物は、分子当たり21〜40個の炭素原子を含む。
本発明の一実施形態において、Au有機化合物は、1つ以上のAu−O−C結合を含む。本発明の一実施形態において、Au有機化合物は、1つ以上のAu−S−C結合を含む。
一実施形態において、Au有機化合物は、1つ以上の酸素原子、又は1つ以上の硫黄原子、又は1つ以上の酸素原子及び1つ以上の硫黄原子を含む。この実施形態の一態様において、Au有機化合物のAuは、1つ以上の酸素原子又は1つ以上の硫黄原子又は1つ以上の酸素原子及び1つ以上の硫黄原子に結合している。
本発明の一実施形態において、Au有機化合物は、樹脂酸金、好ましくは硫化樹脂酸金である。そのような樹脂酸塩は、テルペン、テルペン誘導体、バルサム、バルサム誘導体、コパイバ及びコパイバ誘導体からなる群から選択される材料の1つ以上に基づいている。
一実施形態において、Au有機化合物は、テルペンから誘導された1つ以上の部分を含み、テルペンは、好ましくはイソプレン単位から構築されている。テルペン誘導部分は、好ましくは、一般式:
H(C5H8)n
(式中、nは、好ましくは1〜約20の範囲内、より好ましくは約2〜約15の範囲内、最も好ましくは約3〜約10の範囲内の、ゼロではない整数である)を有するラジカルを含む。樹脂酸塩が1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子を含むことが好ましい。一実施形態において、樹脂酸Auは、C5H9S、C10H17S、C15H25S、C20H33S、C25H41S、C30H49S、C35H57S、C40H65S、C45H73S、C50H81Sからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。一実施形態において、樹脂酸Auは、C5H9O、C10H17O、C15H25O、C20H33O、C25H41O、C30H49O、C35H57O、C40H65O、C45H73O、C50H81Oからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。
H(C5H8)n
(式中、nは、好ましくは1〜約20の範囲内、より好ましくは約2〜約15の範囲内、最も好ましくは約3〜約10の範囲内の、ゼロではない整数である)を有するラジカルを含む。樹脂酸塩が1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子を含むことが好ましい。一実施形態において、樹脂酸Auは、C5H9S、C10H17S、C15H25S、C20H33S、C25H41S、C30H49S、C35H57S、C40H65S、C45H73S、C50H81Sからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。一実施形態において、樹脂酸Auは、C5H9O、C10H17O、C15H25O、C20H33O、C25H41O、C30H49O、C35H57O、C40H65O、C45H73O、C50H81Oからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。
本発明の一実施形態において、Au有機化合物は、1つ以上のカルボキシレート基、好ましくは1つ以上の脂肪酸陰イオンを含む。
好ましいカルボキシレート基は、一般式:
CH3(CH2)nCOO−
(式中、nは、0〜約50の範囲内、好ましくは約2〜約40の範囲内、より好ましくは約4〜約30の範囲内、最も好ましくは約6〜約24の範囲内の整数である)を有する。nは偶数であることが好ましい。
CH3(CH2)nCOO−
(式中、nは、0〜約50の範囲内、好ましくは約2〜約40の範囲内、より好ましくは約4〜約30の範囲内、最も好ましくは約6〜約24の範囲内の整数である)を有する。nは偶数であることが好ましい。
四価金属有機化合物
本発明の状況において、好ましい四価金属有機化合物は、1つ以上の四価金属及び少なくとも1つの有機部分を含む。組成物中の四価金属有機化合物の含有率及び固有性は、好ましくは、本発明の目的の少なくとも1つの実現に寄与するように、好ましくは組成物が表面に適用されて銅色を付与することが可能なように、選定される。
本発明の状況において、好ましい四価金属有機化合物は、1つ以上の四価金属及び少なくとも1つの有機部分を含む。組成物中の四価金属有機化合物の含有率及び固有性は、好ましくは、本発明の目的の少なくとも1つの実現に寄与するように、好ましくは組成物が表面に適用されて銅色を付与することが可能なように、選定される。
この状況における好ましい四価金属は、Ti、Zr、Hf、Ce、Ni、Mn、Co、Cu、Sn又はSiからなる群から選択される1つ以上、好ましくはZr又はTi、又は両方である。一実施形態において、四価金属はTiである。本発明の一実施形態において、組成物は1種の四価金属化合物を含み、別の実施形態では、組成物は2種の区別される四価金属有機化合物を含み、別の実施形態では、組成物は3種の区別される四価金属有機化合物を含み、別の実施形態では、組成物は4種の区別される四価金属有機化合物を含む。
好ましい四価金属有機化合物は、直鎖又は環状、飽和又は不飽和、線状又は環状、芳香族又は非芳香族であってもよい。
一実施形態において、四価金属有機化合物は、分子当たり1〜5個の炭素原子を含む。別の実施形態では、四価金属有機化合物は、分子当たり6〜10個の炭素原子を含む。別の実施形態では、四価金属有機化合物は、分子当たり11〜20個の炭素原子を含む。別の実施形態では、四価金属有機化合物は、分子当たり21〜40個の炭素原子を含む。
本発明の一実施形態において、四価金属有機化合物は、1つ以上のM−O−C結合を含む。本発明の一実施形態において、Au有機化合物は、1つ以上のM−S−C結合を含む。
一実施形態において、四価金属有機化合物は、1つ以上の酸素原子、又は1つ以上の硫黄原子又は1つ以上の酸素原子及び1つ以上の硫黄原子を含む。この実施形態の一態様において、四価金属有機化合物の四価金属は、1つ以上の酸素原子又は1つ以上の硫黄原子又は1つ以上の酸素原子及び1つ以上の硫黄原子に結合している。
本発明の一実施形態において、四価金属有機化合物は、四価金属樹脂酸塩である。
一実施形態において、四価金属有機化合物は、テルペンから誘導された1つ以上の部分を含み、テルペンは、好ましくはイソプレン単位から構築されている。テルペン誘導部分は、好ましくは、一般式:
H(C5H8)n
(式中、nは、好ましくは1〜約20の範囲内、より好ましくは約2〜約15の範囲内、最も好ましくは約3〜約10の範囲内の、ゼロではない整数である)を有するラジカルを含む。樹脂酸塩が1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子を含むことが好ましい。一実施形態において、四価金属樹脂酸塩は、C5H9S、C10H17S、C15H25S、C20H33S、C25H41S、C30H49S、C35H57S、C40H65S、C45H73S、C50H81Sからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。一実施形態において、Au樹脂酸塩は、C5H9O、C10H17O、C15H25O、C20H33O、C25H41O、C30H49O、C35H57O、C40H65O、C45H73O、C50H81Oからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。
H(C5H8)n
(式中、nは、好ましくは1〜約20の範囲内、より好ましくは約2〜約15の範囲内、最も好ましくは約3〜約10の範囲内の、ゼロではない整数である)を有するラジカルを含む。樹脂酸塩が1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子を含むことが好ましい。一実施形態において、四価金属樹脂酸塩は、C5H9S、C10H17S、C15H25S、C20H33S、C25H41S、C30H49S、C35H57S、C40H65S、C45H73S、C50H81Sからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。一実施形態において、Au樹脂酸塩は、C5H9O、C10H17O、C15H25O、C20H33O、C25H41O、C30H49O、C35H57O、C40H65O、C45H73O、C50H81Oからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。
本発明の一実施形態において、四価金属有機化合物は、1つ以上のカルボキシレート基、好ましくは1つ以上の脂肪酸陰イオンを含む。
好ましいカルボキシレート基は、一般式:
CH3(CH2)nCOO−
(式中、nは、0〜約50の範囲内、好ましくは約2〜約40の範囲内、より好ましくは約4〜約30の範囲内、最も好ましくは約6〜約24の範囲内の整数である)を有する。nは偶数であることが好ましい。
CH3(CH2)nCOO−
(式中、nは、0〜約50の範囲内、好ましくは約2〜約40の範囲内、より好ましくは約4〜約30の範囲内、最も好ましくは約6〜約24の範囲内の整数である)を有する。nは偶数であることが好ましい。
一実施形態において、四価金属有機化合物は、好ましくは、一般式:
CH3(CH2)nO−
(式中、nは、0〜約20の範囲内、好ましくは約1〜約15の範囲内、より好ましくは約2〜約10の範囲内の整数である)を有する1つ以上のアルコキシ部分を含む。
CH3(CH2)nO−
(式中、nは、0〜約20の範囲内、好ましくは約1〜約15の範囲内、より好ましくは約2〜約10の範囲内の整数である)を有する1つ以上のアルコキシ部分を含む。
本発明の一実施形態において、組成物は、チタン酸塩、好ましくはチタン酸アルキル、より好ましくはチタン酸ブチルを含む。
Bi有機化合物
本発明の状況において、好ましいBi有機化合物は、ビスマス及び少なくとも1つの有機部分を含む。組成物中のBi有機化合物の含有率及び固有性は、好ましくは、本発明の目的の少なくとも1つの実現に寄与するように、好ましくは組成物が表面に適用されて銅色を付与することが可能なように、選定される。
本発明の状況において、好ましいBi有機化合物は、ビスマス及び少なくとも1つの有機部分を含む。組成物中のBi有機化合物の含有率及び固有性は、好ましくは、本発明の目的の少なくとも1つの実現に寄与するように、好ましくは組成物が表面に適用されて銅色を付与することが可能なように、選定される。
好ましいBi有機化合物は、直鎖又は環状、飽和又は不飽和、線状又は環状、芳香族又は非芳香族であってもよい。
一実施形態において、Bi有機化合物は、分子当たり1〜5個の炭素原子を含む。別の実施形態では、Bi有機化合物は、分子当たり6〜10個の炭素原子を含む。別の実施形態では、Bi有機化合物は、分子当たり11〜20個の炭素原子を含む。別の実施形態では、Bi有機化合物は、分子当たり21〜40個の炭素原子を含む。
本発明の一実施形態において、Bi有機化合物は、1つ以上のBi−O−C結合を含む。本発明の一実施形態において、Bi有機化合物は、1つ以上のBi−S−C結合を含む。
一実施形態において、Bi有機化合物は、1つ以上の酸素原子、又は1つ以上の硫黄原子、又は1つ以上の酸素原子及び1つ以上の硫黄原子を含む。この実施形態の一態様において、Bi有機化合物のBiは、1つ以上の酸素原子、又は1つ以上の硫黄原子、又は1つ以上の酸素原子及び1つ以上の硫黄原子に結合している。
本発明の一実施形態において、Bi有機化合物は、樹脂酸ビスマスである。
一実施形態において、Bi有機化合物は、テルペンから誘導された1つ以上の部分を含み、テルペンは、好ましくはイソプレン単位から構築されている。テルペン誘導部分は、好ましくは、一般式:
H(C5H8)n
(式中、nは、好ましくは1〜約20の範囲内、より好ましくは約2〜約15の範囲内、最も好ましくは約3〜約10の範囲内の、ゼロではない整数である)を有するラジカルを含む。樹脂酸塩が1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子を含むことが好ましい。一実施形態において、樹脂酸Biは、C5H9S、C10H17S、C15H25S、C20H33S、C25H41S、C30H49S、C35H57S、C40H65S、C45H73S、C50H81Sからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。一実施形態において、樹脂酸Biは、C5H9O、C10H17O、C15H25O、C20H33O、C25H41O、C30H49O、C35H57O、C40H65O、C45H73O、C50H81Oからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。
H(C5H8)n
(式中、nは、好ましくは1〜約20の範囲内、より好ましくは約2〜約15の範囲内、最も好ましくは約3〜約10の範囲内の、ゼロではない整数である)を有するラジカルを含む。樹脂酸塩が1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子を含むことが好ましい。一実施形態において、樹脂酸Biは、C5H9S、C10H17S、C15H25S、C20H33S、C25H41S、C30H49S、C35H57S、C40H65S、C45H73S、C50H81Sからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。一実施形態において、樹脂酸Biは、C5H9O、C10H17O、C15H25O、C20H33O、C25H41O、C30H49O、C35H57O、C40H65O、C45H73O、C50H81Oからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。
本発明の一実施形態において、Bi有機化合物は、1つ以上のカルボキシレート基、好ましくは1つ以上の脂肪酸陰イオンを含む。
好ましいカルボキシレート基は、一般式:
CH3(CH2)nCOO−
(式中、nは、0〜約50の範囲内、好ましくは約2〜約40の範囲内、より好ましくは約4〜約30の範囲内、最も好ましくは約6〜約24の範囲内の整数である)を有する。nは偶数であることが好ましい。
CH3(CH2)nCOO−
(式中、nは、0〜約50の範囲内、好ましくは約2〜約40の範囲内、より好ましくは約4〜約30の範囲内、最も好ましくは約6〜約24の範囲内の整数である)を有する。nは偶数であることが好ましい。
一実施形態において、ビスマス有機化合物は、オクサン酸ビスマスである。
有機ビヒクル
好ましい有機ビヒクルは、1つ以上の有機化合物を含み、この有機化合物の1つ以上は、大気条件(25℃、1バール)下で液体である。有機ビヒクルは、好ましくは、上述した目的の1つ以上に寄与する。組成物の印刷性に有利に働く有機ビヒクルが好ましい。
好ましい有機ビヒクルは、1つ以上の有機化合物を含み、この有機化合物の1つ以上は、大気条件(25℃、1バール)下で液体である。有機ビヒクルは、好ましくは、上述した目的の1つ以上に寄与する。組成物の印刷性に有利に働く有機ビヒクルが好ましい。
有機ビヒクルの好ましい成分は、アルコール、アルカン、アルケン、エステル、エーテル、テルペン、テルペン誘導体からなる群から選択される1つ以上である。
好ましいテルペンは、好ましくはイソプレン単位から構築されている。テルペンは、好ましくは一般式:
(C5H8)n
(式中、nは、好ましくは1〜約20の範囲内、より好ましくは約2〜約15の範囲内、最も好ましくは約3〜約10の範囲内の、ゼロではない整数である)を有する。
(C5H8)n
(式中、nは、好ましくは1〜約20の範囲内、より好ましくは約2〜約15の範囲内、最も好ましくは約3〜約10の範囲内の、ゼロではない整数である)を有する。
好ましいテルペンは、C5H8、C10H16、C15H24、C20H32、C25H40、C30H48、C35H56、C40H64、C45H72、C50H80からなる群から選択される化学式を有する。一実施形態において、テルペンは、硫化されている。
好ましいエステルは、好ましくはジオール又はトリオール、より好ましくはトリオールに基づいている。この状況において、好ましいジオールは、グリコールである。この状況において、好ましいトリオールは、グリセロールである。
好ましくはジオール又はトリオールに基づく、好ましいエステルは、好ましくは一般式:
CH3(CH2)nCOO−
(式中、nは、0〜約50の範囲内、好ましくは約2〜約40の範囲内、より好ましくは約4〜約30の範囲内、最も好ましくは約6〜約24の範囲内の整数である)を有する1つ以上のカルボキシレートラジカルを含む。nは偶数であることが好ましい。
CH3(CH2)nCOO−
(式中、nは、0〜約50の範囲内、好ましくは約2〜約40の範囲内、より好ましくは約4〜約30の範囲内、最も好ましくは約6〜約24の範囲内の整数である)を有する1つ以上のカルボキシレートラジカルを含む。nは偶数であることが好ましい。
この状況において、好ましいアルコールは、1〜約5個の炭素原子、又は約6〜約10個の炭素原子、又は約11〜約20個の炭素原子を含む。
好ましいアルコールは、テルペン(terepine)に基づき、好ましいアルコールは、テルピネオールである。
好ましいアルカンは、1〜約5個の炭素原子、又は約6〜約10個の炭素原子、又は約11〜約20個の炭素原子を含む。
色
上述した目的の少なくとも1つの達成に対する寄与は、表面に適用され、焼成された際に、着色表面、好ましくは銅色を有する、より好ましくは濃銅色を有する着色表面を提供する組成物により提供される。銅色は、赤銅色であることが好ましい。色、特に好ましい色を表現する一方法は、L*、a*、b*値を用いる。
上述した目的の少なくとも1つの達成に対する寄与は、表面に適用され、焼成された際に、着色表面、好ましくは銅色を有する、より好ましくは濃銅色を有する着色表面を提供する組成物により提供される。銅色は、赤銅色であることが好ましい。色、特に好ましい色を表現する一方法は、L*、a*、b*値を用いる。
表面への適用
本発明による組成物は、当業者が本発明の目的の達成に適合すると考える任意の方法で、表面に適用されてもよい。好ましい適用方法は、印刷、噴霧、滴下、流し込み、跳ねかけ、はけ塗り及びスクレイピングからなる群から選択される1つ以上、好ましくは印刷である。
本発明による組成物は、当業者が本発明の目的の達成に適合すると考える任意の方法で、表面に適用されてもよい。好ましい適用方法は、印刷、噴霧、滴下、流し込み、跳ねかけ、はけ塗り及びスクレイピングからなる群から選択される1つ以上、好ましくは印刷である。
好ましい印刷方法は、スクリーン印刷、インクジェット印刷、転写印刷及びオフセット印刷からなる群から選択される1つ以上、好ましくはスクリーン印刷である。
焼成
焼成は、固体着色表面を得るために、組成物中の揮発性材料の含有率を少なくとも約90重量%、好ましくは少なくとも約95重量%、より好ましくは少なくとも約99重量%低減することが好ましい。
焼成は、固体着色表面を得るために、組成物中の揮発性材料の含有率を少なくとも約90重量%、好ましくは少なくとも約95重量%、より好ましくは少なくとも約99重量%低減することが好ましい。
一実施形態において、焼成温度は、約200〜約1000℃の範囲内、好ましくは約300〜約800℃の範囲内、より好ましくは約400〜約600℃の範囲内である。
基材
好ましい基材は、断熱材である。
本発明の一実施形態において、基材は、少なくとも50重量%、好ましくは少なくとも60重量%、より好ましくは少なくとも70重量%の無機酸化物、好ましくは酸化ケイ素、酸化アルミニウムからなる群から選択される1つ以上を含む。
好ましい基材は、断熱材である。
本発明の一実施形態において、基材は、少なくとも50重量%、好ましくは少なくとも60重量%、より好ましくは少なくとも70重量%の無機酸化物、好ましくは酸化ケイ素、酸化アルミニウムからなる群から選択される1つ以上を含む。
好ましい基材は、磁器又はガラス、好ましくはティーポット、マグ、グラス、ティーカップ、椀、皿、料理用深鍋、蒸し焼き鍋、フライパン、片手鍋、中華鍋、グリドル及びジャグからなる群から選択される1つ以上である。これらのそれぞれは、本発明の好ましい実施形態であると考慮される。
ここで、例示のみを意図し、本発明の範囲を限定するものとして考慮されるべきではない図面を用いて、本発明を説明する。
試験方法
色測定L*、a*、b*
本発明の任意の実施形態による組成物の色は、国際規格EN ISO 11664−4にて規定されているCIE L*a*b*色空間内の色値により提供される。色測定は、Konica Minolta Spectrophotometer CM−700d(Konica Minolta Sensing China,Shanghai製)を使用して、CIE L*a*b*色空間系内で行った。Minolta−Konicaにより供給されている理想的黒色及び理想的白色背景を表す2つの装置を用いた校正後、焼成した金層上に機器を配置することによって、SCEモードで測定を行った。透明基材の場合、サンプルを、Minoltaからの理想的白色背景上に配置した。5つの測定値を記録し、平均した。これらの測定のために、ペーストを石英プレートHSQ 100(Heraeus Quarzglas GmbH & Co KG)上に厚さ2mmで適用し、以下のプロファイルで焼成した。室温から30分間で700℃へ、700℃で10分間保持した後、弾道的(ballistic)冷却。
色測定L*、a*、b*
本発明の任意の実施形態による組成物の色は、国際規格EN ISO 11664−4にて規定されているCIE L*a*b*色空間内の色値により提供される。色測定は、Konica Minolta Spectrophotometer CM−700d(Konica Minolta Sensing China,Shanghai製)を使用して、CIE L*a*b*色空間系内で行った。Minolta−Konicaにより供給されている理想的黒色及び理想的白色背景を表す2つの装置を用いた校正後、焼成した金層上に機器を配置することによって、SCEモードで測定を行った。透明基材の場合、サンプルを、Minoltaからの理想的白色背景上に配置した。5つの測定値を記録し、平均した。これらの測定のために、ペーストを石英プレートHSQ 100(Heraeus Quarzglas GmbH & Co KG)上に厚さ2mmで適用し、以下のプロファイルで焼成した。室温から30分間で700℃へ、700℃で10分間保持した後、弾道的(ballistic)冷却。
組成物の元素組成
誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP)を用いて、組成物中の金属Ag、Au、B、Bi、Ca、Cr、Cu、Ni、Ir、Pd、Pt、Rh、V、Zn、Zr、Si、Sn、Os及びTiの含有率を決定した。使用した機器は、Varian Vista−MPX(Varian Inc.製)及びICPエキスパートソフトウェア(Varian Inc.製)であった。
誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP)を用いて、組成物中の金属Ag、Au、B、Bi、Ca、Cr、Cu、Ni、Ir、Pd、Pt、Rh、V、Zn、Zr、Si、Sn、Os及びTiの含有率を決定した。使用した機器は、Varian Vista−MPX(Varian Inc.製)及びICPエキスパートソフトウェア(Varian Inc.製)であった。
既知の金属含有率を有する、金属と、王水(比3:1の濃HClとHNO3の混合物)との標準溶液を混合して、以下の金属に関する2つの校正サンプルを調製することによって校正を行った。以下の表では、校正溶液の濃度は、mg/lで提供されている。
サンプル測定:0.10+/−0.02gのサンプルを3mlのHNO3及び9mlの濃HClと共に混合し、Multiwave 3000電子レンジ(Anton Parr製)内にて800〜1200Wで60分間処理した。得られた溶液を9mlの50体積%HCl溶液に加え、測定した。
ICP機器を以下の条件下で操作した。
以下の波長[nm]を使用して、金属含有率を評価した。
Ag 338.29、In 303.94、Sn 181.06 520.91 325.61 189.93 546.55、Ir 254.40、Ti 334.19、Au 197.74 263.97 336.12 242.79、Pd 229.65、V 292.40 267.59 340.46 309.31、B 208.96 360.96、Zn 206.20、249.77、Pt 203.65 334.50、Bi 223.06 214.42、Zr 343.82 306.77 217.47 349.62、Ca 396.85、Rh 249.08 422.67 343.49、Cr 205.56 369.24 283.56、Ru 240.27、Cu 224.70 245.66 324.75、Si 251.61、Ni 216.55 288.16 231.60、Os 225.59及び236.74。
Ag 338.29、In 303.94、Sn 181.06 520.91 325.61 189.93 546.55、Ir 254.40、Ti 334.19、Au 197.74 263.97 336.12 242.79、Pd 229.65、V 292.40 267.59 340.46 309.31、B 208.96 360.96、Zn 206.20、249.77、Pt 203.65 334.50、Bi 223.06 214.42、Zr 343.82 306.77 217.47 349.62、Ca 396.85、Rh 249.08 422.67 343.49、Cr 205.56 369.24 283.56、Ru 240.27、Cu 224.70 245.66 324.75、Si 251.61、Ni 216.55 288.16 231.60、Os 225.59及び236.74。
摩耗
摩耗試験のために、摩耗試験機Model「Payne Pin Abrasion Tester PPAT2」(Anderen Ltd.,UK製)を使用した。直径5mmのピンを綿でくるみ、100gの荷重を用いてピンを表面上に押圧した。ストロークの回数を記録した後、目に見える第1のかき傷が出現した。3つの測定値を記録し、平均した。
摩耗試験のために、摩耗試験機Model「Payne Pin Abrasion Tester PPAT2」(Anderen Ltd.,UK製)を使用した。直径5mmのピンを綿でくるみ、100gの荷重を用いてピンを表面上に押圧した。ストロークの回数を記録した後、目に見える第1のかき傷が出現した。3つの測定値を記録し、平均した。
接着
テープTESA 4124(tesa Beiersdorf製)を使用して接着を試験し、このテープを基材上の金層の平坦な表面に全面的に適用した。テープを表面上に堅く擦りつけ及び押圧した後、表面に対して角度90°で手によって引き剥がした。除去したテープを白色の紙片上に乗せ、テープに接着した試験層からの可視粒子が存在しない場合、試験に合格した。
テープTESA 4124(tesa Beiersdorf製)を使用して接着を試験し、このテープを基材上の金層の平坦な表面に全面的に適用した。テープを表面上に堅く擦りつけ及び押圧した後、表面に対して角度90°で手によって引き剥がした。除去したテープを白色の紙片上に乗せ、テープに接着した試験層からの可視粒子が存在しない場合、試験に合格した。
食器洗浄機試験
食器洗浄機試験をDIN EN 12875−1及びDIN EN 12875−2に従って行った。業務用食器洗浄機Miele G7835 CD(Miele,Guetersloh)を使用し、洗剤「finish classic」(Rickett−Benckieser,Ladenburg)を適用した。表2において、「合格」は、少なくとも500サイクル後に試験に合格したことを示す一方、「不合格」は、500サイクル後に試験に合格しなかったことを示す。
食器洗浄機試験をDIN EN 12875−1及びDIN EN 12875−2に従って行った。業務用食器洗浄機Miele G7835 CD(Miele,Guetersloh)を使用し、洗剤「finish classic」(Rickett−Benckieser,Ladenburg)を適用した。表2において、「合格」は、少なくとも500サイクル後に試験に合格したことを示す一方、「不合格」は、500サイクル後に試験に合格しなかったことを示す。
組成物の調製
表1による成分を、磁気撹拌を用いて25℃、1バールで10分間混合した。
表1による成分を、磁気撹拌を用いて25℃、1バールで10分間混合した。
基材への適用
ペーストを、スクリーン印刷によって、Sefar AG,Switzerlandから商業的に獲得可能なポリエステルスクリーン140Tを使用して、Heraeus Quarzglas GmbH & Co.KG,Germanyにより商業的に獲得可能な二酸化ケイ素基材に適用した。次いで、基材上のペーストを30分間かけて700℃に加熱し、700℃で10分間保持し、室温に弾道的に冷却し、試験方法に従って色値L*、a*&b*を測定した。結果を表2に提供する。
ペーストを、スクリーン印刷によって、Sefar AG,Switzerlandから商業的に獲得可能なポリエステルスクリーン140Tを使用して、Heraeus Quarzglas GmbH & Co.KG,Germanyにより商業的に獲得可能な二酸化ケイ素基材に適用した。次いで、基材上のペーストを30分間かけて700℃に加熱し、700℃で10分間保持し、室温に弾道的に冷却し、試験方法に従って色値L*、a*&b*を測定した。結果を表2に提供する。
比較例2の色は、必要とする銅ではなく金であった。
100 適用プロセス
101 基材
102 組成物
103 着色表面
101 基材
102 組成物
103 着色表面
Claims (16)
- 以下の構成成分
a.少なくとも約30重量%の有機ビヒクル、
b.約0.5〜約35重量%の、Au有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなAu、
c.約0.1〜約10重量%の、四価金属有機化合物の形態で組成物中に存在するもののような四価金属、
d.約0〜約6重量%の、Bi有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなBi、を含む組成物であって、
重量%は、前記組成物の総重量を基準とする、組成物。 - Auと前記四価金属とのモル比が、約1:5〜約20:1の範囲内である、請求項1に記載の組成物。
- 前記四価金属が、Ti、Zr、Hf、Ce、Ni、Mn、Co、Cu、Sn又はSiからなる群から選択される1つ以上である、請求項1又は2に記載の組成物。
- 前記四価金属が、Ti、Zr又は両方である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の組成物。
- a.前記Au有機化合物が樹脂酸塩である、
b.前記四価金属有機化合物が、1つ以上のアルコキシ基を含む、
c.前記Bi有機化合物が樹脂酸塩である、のうちの1つ以上が満たされる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の組成物。 - a.前記Au有機化合物中のAuが、1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子に結合している、
b.前記四価金属有機化合物中の四価金属が、1つ以上のO原子に結合している、
c.前記Bi有機化合物中のBiが、1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子に結合している、
のうちの1つ以上が満たされる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の組成物。 - 約0.001〜約0.2重量%の、ロジウム有機化合物の形態で前記組成物中に存在するもののようなロジウムを更に含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の組成物。
- 約0.005〜約0.1重量%の、クロム有機化合物の形態で前記組成物中に存在するもののようなクロムを更に含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の組成物。
- 本明細書に提供された試験方法に従って、基材上に重ねられ、焼成された際に、約65未満のL*、及び約2.6未満のb*/a*を有する表面を与える、請求項1〜8のいずれか一項に記載の組成物。
- 以下の工程を含む、着色表面の調製プロセスであって、
a.請求項1〜9のいずれか一項に記載の組成物を提供する工程と、
b.基材を提供する工程と、
c.前記組成物を前記基材上に重ねて、前駆体を得る工程と、
d.前記前駆体を焼成して、前記着色表面を得る工程と、を含む、プロセス。 - 前記基材が、
a.前記基材の総重量を基準として、少なくとも約50重量%のSiO2を含む第1の基材、
b.前記基材の総重量を基準として、少なくとも約50重量%のAl2O3を含む第2の基材、からなる群から選択される、請求項10に記載のプロセス。 - 請求項10又は11に記載のプロセスにより獲得可能な着色表面。
- 約65未満のL*、及び約2.6未満のb*/a*を有する、請求項12に記載の着色表面。
- a)基材表面を有する基材と、
b)前記基材表面上に少なくとも部分的に重ねられた層と、を含み、
前記層が、約65未満のL*、及び約2.6未満のb*/a*を有する、層複合材。 - 前記層が以下の層構成成分、
a.約3〜約80重量%のAu、
b.約0.1〜約25重量%の四価金属、
c.約0〜約40重量%のBiを含む、請求項14に記載の層複合材。 - 前記層中のAuと前記四価金属とのモル比が、約1:5〜約20:1の範囲内である、請求項14又は15に記載の層複合材。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
WOPCT/CN2014/088486 | 2014-10-13 | ||
CN2014088486 | 2014-10-13 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015201583A Division JP2016108656A (ja) | 2014-10-13 | 2015-10-09 | 銅色塗料、その作製プロセス及びその適用 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018119146A true JP2018119146A (ja) | 2018-08-02 |
Family
ID=54337623
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015201583A Pending JP2016108656A (ja) | 2014-10-13 | 2015-10-09 | 銅色塗料、その作製プロセス及びその適用 |
JP2018017528A Pending JP2018119146A (ja) | 2014-10-13 | 2018-02-02 | 銅色塗料、その作製プロセス及びその適用 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015201583A Pending JP2016108656A (ja) | 2014-10-13 | 2015-10-09 | 銅色塗料、その作製プロセス及びその適用 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160102214A1 (ja) |
EP (1) | EP3009482B1 (ja) |
JP (2) | JP2016108656A (ja) |
KR (1) | KR101963476B1 (ja) |
CN (1) | CN105504948A (ja) |
ES (1) | ES2703911T3 (ja) |
TR (1) | TR201818865T4 (ja) |
Families Citing this family (297)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
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US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
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US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
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US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
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US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
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US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
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US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102613349B1 (ko) | 2016-08-25 | 2023-12-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법 |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
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US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
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US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
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US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
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CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
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CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
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USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
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KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
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US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
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- 2015-10-09 ES ES15189062T patent/ES2703911T3/es active Active
- 2015-10-09 EP EP15189062.1A patent/EP3009482B1/en active Active
- 2015-10-09 JP JP2015201583A patent/JP2016108656A/ja active Pending
- 2015-10-12 US US14/880,461 patent/US20160102214A1/en not_active Abandoned
- 2015-10-12 KR KR1020150142175A patent/KR101963476B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-13 CN CN201510671339.9A patent/CN105504948A/zh active Pending
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2018
- 2018-02-02 JP JP2018017528A patent/JP2018119146A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TR201818865T4 (tr) | 2019-01-21 |
EP3009482A2 (en) | 2016-04-20 |
KR101963476B1 (ko) | 2019-03-28 |
CN105504948A (zh) | 2016-04-20 |
US20160102214A1 (en) | 2016-04-14 |
KR20160043511A (ko) | 2016-04-21 |
ES2703911T3 (es) | 2019-03-13 |
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