JP2018119146A - 銅色塗料、その作製プロセス及びその適用 - Google Patents

銅色塗料、その作製プロセス及びその適用 Download PDF

Info

Publication number
JP2018119146A
JP2018119146A JP2018017528A JP2018017528A JP2018119146A JP 2018119146 A JP2018119146 A JP 2018119146A JP 2018017528 A JP2018017528 A JP 2018017528A JP 2018017528 A JP2018017528 A JP 2018017528A JP 2018119146 A JP2018119146 A JP 2018119146A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
organic compound
weight
atoms
tetravalent metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018017528A
Other languages
English (en)
Inventor
カールハインツ ディエツ
Dietz Karlheinz
カールハインツ ディエツ
ツァイ イジー
Cai Izzy
ツァイ イジー
シャーリー シェン
Sheng Shirley
シャーリー シェン
ロバート シエヴィ
Sievi Robert
ロバート シエヴィ
ミカエル グレスミエル
Michael Greczmiel
ミカエル グレスミエル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Original Assignee
Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Deutschland GmbH and Co KG filed Critical Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Publication of JP2018119146A publication Critical patent/JP2018119146A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40Additives
    • C09D7/60Additives non-macromolecular
    • C09D7/63Additives non-macromolecular organic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/007After-treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/06Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
    • C03C17/10Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the liquid phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/51Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
    • C04B41/5116Ag or Au
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81Coating or impregnation
    • C04B41/85Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/88Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/56Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/25Metals
    • C03C2217/251Al, Cu, Mg or noble metals
    • C03C2217/254Noble metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/25Metals
    • C03C2217/27Mixtures of metals, alloys
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/80Optical properties, e.g. transparency or reflexibility
    • C04B2111/82Coloured materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

【課題】銅色塗料として使用するための銅色組成物、着色された表面を提供するためのプロセス、及び着色表面を含む品目の提供。
【解決手段】構成成分a〜dを含有する銅色塗料。a.少なくとも約30重量%の有機ビヒクル、b.約0.5〜約35重量%の、Au有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなAu、c.約0.1〜約10重量%の、四価金属有機化合物の形態で組成物中に存在するもののような四価金属、d.約0〜約6重量%の、Bi有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなBi、を含む組成物。
【選択図】図1

Description

本発明は概して、特に塗料としての使用のためのAu含有組成物、好ましくは銅色塗料に関する。特に、本発明は、組成物、着色された表面を提供するプロセス、好ましくはセラミックである基材に組成物を適用するプロセス、及びかくして獲得可能な着色表面に関する。
塗料を使用して表面に金属色を生成することは既知であり、その用途は、台所用品及び陶器類、装飾品、家具、並びにインテリアデザイン製品の装飾等、多岐にわたる。入手可能な色、及び異なる表面に対する適用性の点から、それらの塗料を改善する多数の試みが存在している。
金色塗料を提供するために、先行技術において多数の試みが為されており、中でも、金系塗料の調製におけるケイ素化合物の使用を研究している特許文献1及び、表面上に金属色を提供するためのインクセットの使用を研究している特許文献2がある。
ドイツ特許第3809541C1号 欧州特許第1272574A1号
塗料、特に銅色塗料の改善の必要性が、最先端技術において尚存在する。
本発明は概して、最先端技術において直面する、着色塗料に関連した問題点の少なくとも1つを克服する目的に基づくものである。
より詳細には、本発明は更に、表面に銅色、特に濃銅色を提供するために使用され得る組成物を提供する目的に基づくものである。良好な物理的接着及び化学的耐性を示す、表面に銅色を提供するために使用され得る組成物を提供することが、本発明の更なる目的である。
上述した目的の少なくとも1つの達成に対する寄与は、本発明のカテゴリーを形成する請求項の主題により提供される。更なる寄与は、本発明の特定の実施形態を表す本発明の従属請求項の主題により提供される。
上述した目的の少なくとも1つの達成に対する寄与は、本発明の以下の実施形態により提供される。
|1|以下の構成成分
a.少なくとも約30重量%の有機ビヒクル、
b.約0.5〜約35重量%、好ましくは約1〜約20重量%、より好ましくは約1.5〜約10重量%、最も好ましくは約2〜約7重量%の、Au有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなAu、
c.約0.1〜約10重量%、好ましくは約0.01〜約10重量%、より好ましくは約0.05〜約8重量%、最も好ましくは約0.1〜約4重量%の、四価金属有機化合物の形態で組成物中に存在するもののような四価金属、
d.約0〜約6重量%、好ましくは約0.1〜約5重量%、より好ましくは約0.5〜約4重量%、最も好ましくは約1〜約3重量%の、Bi有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなBi、を含む組成物であって、
重量%は、組成物の総重量を基準とする、組成物。
|2|Auと四価金属とのモル比が、約1:5〜約20:1の範囲内、好ましくは約1:4〜約15:1の範囲内、より好ましくは約1:1〜約10:1の範囲内である、実施形態|1|による組成物。
|3|四価金属が、Ti、Zr、Hf、Ce、Ni、Mn、Co、Cu、Sn又はSiからなる群から選択される1つ以上である、実施形態1又は2による組成物。
|4|四価金属が、Ti、Zr又は両方である、実施形態1〜3のいずれかによる組成物。
|5|
a.Au有機化合物が樹脂酸塩である、
b.四価金属有機化合物が、1つ以上のアルコキシ基を含む、
c.Bi有機化合物が樹脂酸塩である、のうちの1つ以上が満たされる、実施形態1〜4のいずれかによる組成物。
|6|
a.Au有機化合物中のAuが、1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子に結合している、
b.四価金属有機化合物中の四価金属が、1つ以上のO原子に結合している、
c.Bi有機化合物中のBiが、1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子に結合している、のうちの1つ以上が満たされる、実施形態1〜5のいずれかによる組成物。
|7|約0.001〜約0.2重量%、好ましくは約0.005〜約0.1重量%、より好ましくは約0.01〜約0.05重量%、最も好ましくは約0.02〜約0.04重量%の、ロジウム有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなロジウムを更に含む、実施形態1〜6のいずれかによる組成物。
|8|約0.005〜約0.1重量%、好ましくは約0.008〜約0.05重量%、より好ましくは約0.015〜約0.04重量%の、クロム有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなクロムを更に含む、実施形態1〜7のいずれかによる組成物。
|9|本明細書に提供された試験方法に従って、基材上に重ねられ、焼成された際に、約65未満のL、及び約2.6未満、好ましくは約2未満、より好ましくは約1.6未満、更により好ましくは約0.5未満、最も好ましくは約0.2未満のb/aを有する表面を与える、実施形態1〜8のいずれかによる組成物。
|10|以下の工程を含む、着色表面の調製プロセスであって、
a.実施形態1〜9のいずれかによる組成物を提供する工程と、
b.基材を提供する工程と、
c.組成物を基材上に重ねて、前駆体を得る工程と、
d.前駆体を焼成して、着色表面を得る工程と、を含む、プロセス。
|11|基材が、
a.基材の総重量を基準として、少なくとも約50重量%のSiOを含む第1の基材、
b.基材の総重量を基準として、少なくとも約50重量%のAlを含む第2の基材、からなる群から選択される、実施形態|10|によるプロセス。
|12|
実施形態|10|又は|11|によるプロセスによって獲得可能な着色表面。
|13|
約65未満のL、及び約2.6未満、好ましくは約2未満、より好ましくは約1.6未満、更により好ましくは約0.5未満、最も好ましくは約0.2未満のb/aを有する、実施形態|12|による着色表面。
|14|
a)基材表面を有する基材と、
b)基材表面上に少なくとも部分的に重ねられた層と、を含み、
層が、約65未満のL、及び約2.6未満、好ましくは約2未満、より好ましくは約1.6未満、更により好ましくは約0.5未満、最も好ましくは約0.2未満のb/aを有する、層複合材。
|15|層が以下の層構成成分、
a.約3〜約80重量%、好ましくは約30〜約80重量%、より好ましくは約40〜約75、最も好ましくは約50〜約70重量%のAu、
b.約0.1〜約25重量%、好ましくは約1〜約20重量%、より好ましくは約5〜約15重量%、最も好ましくは約8〜約12重量%の四価金属、
c.約0〜約40重量%、好ましくは約5〜約35重量%、より好ましくは約10〜約30重量%、最も好ましくは約15〜約28重量%のBiを含む、実施形態|14|による層複合材。
|16|層中のAuと四価金属とのモル比が、約1:5〜約20:1の範囲内、好ましくは約1:4〜約15:1の範囲内、より好ましくは約1:1〜約10:1の範囲内である、実施形態|14|又は|15|による層複合材。
組成物
本発明による好ましい組成物は、表面に色、好ましくは銅色、より好ましくは濃銅色を提供する塗料としての使用に好適である。好ましい組成物は、組成物成分として、
a.少なくとも約30重量%の有機ビヒクル、
b.約0.5〜約35重量%、好ましくは約1〜約20重量%、より好ましくは約1.5〜約10重量%、最も好ましくは約2〜約7重量%の、Au有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなAu、
c.約0.1〜約10重量%、好ましくは約0.01〜約10重量%、より好ましくは約0.05〜約8重量%、最も好ましくは約0.1〜約4重量%の、四価金属有機化合物の形態で組成物中に存在するもののような四価金属、
d.約0〜約6重量%、好ましくは約0.1〜約5重量%、より好ましくは約0.5〜約4重量%、最も好ましくは約1〜約3重量%の、Bi有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなBiを含み、
重量%は、組成物の総重量を基準とする。
本発明の一実施形態において、組成物中のビスマスの含有率は、0重量%を超える。
一実施形態において、組成物は、約5〜約50Pa・sの範囲内、好ましくは約10〜約40Pa・sの範囲内、より好ましくは約15〜約30Pa・sの範囲内の粘度を有する。
Au有機化合物
本発明の状況において、好ましいAu有機化合物は、金及び少なくとも1つの有機部分を含む。組成物中のAu有機化合物の含有率及び固有性は、好ましくは、本発明の目的の少なくとも1つの実現に寄与するように、好ましくは組成物が表面に適用されて銅色を付与することが可能なように、選定される。
好ましいAu有機化合物は、直鎖又は環状、飽和又は不飽和、線状又は環状、芳香族又は非芳香族であってもよい。
一実施形態において、Au有機化合物は、環、好ましくは2〜6個の環、より好ましくは3個の環を含む。この実施形態の一態様において、有機化合物は芳香族基を含まない。この実施形態の一態様において、Au有機化合物は一般式Au−S−R(式中、Rは有機部分であり、好ましくは、環、好ましくは2〜6個の環、より好ましくは3個の環を含む炭化水素である)を有する。
一実施形態において、Au有機化合物は、分子当たり1〜5個の炭素原子を含む。別の実施形態では、Au有機化合物は、分子当たり6〜10個の炭素原子を含む。別の実施形態では、Au有機化合物は、分子当たり11〜20個の炭素原子を含む。別の実施形態では、Au有機化合物は、分子当たり21〜40個の炭素原子を含む。
本発明の一実施形態において、Au有機化合物は、1つ以上のAu−O−C結合を含む。本発明の一実施形態において、Au有機化合物は、1つ以上のAu−S−C結合を含む。
一実施形態において、Au有機化合物は、1つ以上の酸素原子、又は1つ以上の硫黄原子、又は1つ以上の酸素原子及び1つ以上の硫黄原子を含む。この実施形態の一態様において、Au有機化合物のAuは、1つ以上の酸素原子又は1つ以上の硫黄原子又は1つ以上の酸素原子及び1つ以上の硫黄原子に結合している。
本発明の一実施形態において、Au有機化合物は、樹脂酸金、好ましくは硫化樹脂酸金である。そのような樹脂酸塩は、テルペン、テルペン誘導体、バルサム、バルサム誘導体、コパイバ及びコパイバ誘導体からなる群から選択される材料の1つ以上に基づいている。
一実施形態において、Au有機化合物は、テルペンから誘導された1つ以上の部分を含み、テルペンは、好ましくはイソプレン単位から構築されている。テルペン誘導部分は、好ましくは、一般式:
H(C
(式中、nは、好ましくは1〜約20の範囲内、より好ましくは約2〜約15の範囲内、最も好ましくは約3〜約10の範囲内の、ゼロではない整数である)を有するラジカルを含む。樹脂酸塩が1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子を含むことが好ましい。一実施形態において、樹脂酸Auは、CS、C1017S、C1525S、C2033S、C2541S、C3049S、C3557S、C4065S、C4573S、C5081Sからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。一実施形態において、樹脂酸Auは、CO、C1017O、C1525O、C2033O、C2541O、C3049O、C3557O、C4065O、C4573O、C5081Oからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。
本発明の一実施形態において、Au有機化合物は、1つ以上のカルボキシレート基、好ましくは1つ以上の脂肪酸陰イオンを含む。
好ましいカルボキシレート基は、一般式:
CH(CHCOO
(式中、nは、0〜約50の範囲内、好ましくは約2〜約40の範囲内、より好ましくは約4〜約30の範囲内、最も好ましくは約6〜約24の範囲内の整数である)を有する。nは偶数であることが好ましい。
四価金属有機化合物
本発明の状況において、好ましい四価金属有機化合物は、1つ以上の四価金属及び少なくとも1つの有機部分を含む。組成物中の四価金属有機化合物の含有率及び固有性は、好ましくは、本発明の目的の少なくとも1つの実現に寄与するように、好ましくは組成物が表面に適用されて銅色を付与することが可能なように、選定される。
この状況における好ましい四価金属は、Ti、Zr、Hf、Ce、Ni、Mn、Co、Cu、Sn又はSiからなる群から選択される1つ以上、好ましくはZr又はTi、又は両方である。一実施形態において、四価金属はTiである。本発明の一実施形態において、組成物は1種の四価金属化合物を含み、別の実施形態では、組成物は2種の区別される四価金属有機化合物を含み、別の実施形態では、組成物は3種の区別される四価金属有機化合物を含み、別の実施形態では、組成物は4種の区別される四価金属有機化合物を含む。
好ましい四価金属有機化合物は、直鎖又は環状、飽和又は不飽和、線状又は環状、芳香族又は非芳香族であってもよい。
一実施形態において、四価金属有機化合物は、分子当たり1〜5個の炭素原子を含む。別の実施形態では、四価金属有機化合物は、分子当たり6〜10個の炭素原子を含む。別の実施形態では、四価金属有機化合物は、分子当たり11〜20個の炭素原子を含む。別の実施形態では、四価金属有機化合物は、分子当たり21〜40個の炭素原子を含む。
本発明の一実施形態において、四価金属有機化合物は、1つ以上のM−O−C結合を含む。本発明の一実施形態において、Au有機化合物は、1つ以上のM−S−C結合を含む。
一実施形態において、四価金属有機化合物は、1つ以上の酸素原子、又は1つ以上の硫黄原子又は1つ以上の酸素原子及び1つ以上の硫黄原子を含む。この実施形態の一態様において、四価金属有機化合物の四価金属は、1つ以上の酸素原子又は1つ以上の硫黄原子又は1つ以上の酸素原子及び1つ以上の硫黄原子に結合している。
本発明の一実施形態において、四価金属有機化合物は、四価金属樹脂酸塩である。
一実施形態において、四価金属有機化合物は、テルペンから誘導された1つ以上の部分を含み、テルペンは、好ましくはイソプレン単位から構築されている。テルペン誘導部分は、好ましくは、一般式:
H(C
(式中、nは、好ましくは1〜約20の範囲内、より好ましくは約2〜約15の範囲内、最も好ましくは約3〜約10の範囲内の、ゼロではない整数である)を有するラジカルを含む。樹脂酸塩が1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子を含むことが好ましい。一実施形態において、四価金属樹脂酸塩は、CS、C1017S、C1525S、C2033S、C2541S、C3049S、C3557S、C4065S、C4573S、C5081Sからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。一実施形態において、Au樹脂酸塩は、CO、C1017O、C1525O、C2033O、C2541O、C3049O、C3557O、C4065O、C4573O、C5081Oからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。
本発明の一実施形態において、四価金属有機化合物は、1つ以上のカルボキシレート基、好ましくは1つ以上の脂肪酸陰イオンを含む。
好ましいカルボキシレート基は、一般式:
CH(CHCOO
(式中、nは、0〜約50の範囲内、好ましくは約2〜約40の範囲内、より好ましくは約4〜約30の範囲内、最も好ましくは約6〜約24の範囲内の整数である)を有する。nは偶数であることが好ましい。
一実施形態において、四価金属有機化合物は、好ましくは、一般式:
CH(CH
(式中、nは、0〜約20の範囲内、好ましくは約1〜約15の範囲内、より好ましくは約2〜約10の範囲内の整数である)を有する1つ以上のアルコキシ部分を含む。
本発明の一実施形態において、組成物は、チタン酸塩、好ましくはチタン酸アルキル、より好ましくはチタン酸ブチルを含む。
Bi有機化合物
本発明の状況において、好ましいBi有機化合物は、ビスマス及び少なくとも1つの有機部分を含む。組成物中のBi有機化合物の含有率及び固有性は、好ましくは、本発明の目的の少なくとも1つの実現に寄与するように、好ましくは組成物が表面に適用されて銅色を付与することが可能なように、選定される。
好ましいBi有機化合物は、直鎖又は環状、飽和又は不飽和、線状又は環状、芳香族又は非芳香族であってもよい。
一実施形態において、Bi有機化合物は、分子当たり1〜5個の炭素原子を含む。別の実施形態では、Bi有機化合物は、分子当たり6〜10個の炭素原子を含む。別の実施形態では、Bi有機化合物は、分子当たり11〜20個の炭素原子を含む。別の実施形態では、Bi有機化合物は、分子当たり21〜40個の炭素原子を含む。
本発明の一実施形態において、Bi有機化合物は、1つ以上のBi−O−C結合を含む。本発明の一実施形態において、Bi有機化合物は、1つ以上のBi−S−C結合を含む。
一実施形態において、Bi有機化合物は、1つ以上の酸素原子、又は1つ以上の硫黄原子、又は1つ以上の酸素原子及び1つ以上の硫黄原子を含む。この実施形態の一態様において、Bi有機化合物のBiは、1つ以上の酸素原子、又は1つ以上の硫黄原子、又は1つ以上の酸素原子及び1つ以上の硫黄原子に結合している。
本発明の一実施形態において、Bi有機化合物は、樹脂酸ビスマスである。
一実施形態において、Bi有機化合物は、テルペンから誘導された1つ以上の部分を含み、テルペンは、好ましくはイソプレン単位から構築されている。テルペン誘導部分は、好ましくは、一般式:
H(C
(式中、nは、好ましくは1〜約20の範囲内、より好ましくは約2〜約15の範囲内、最も好ましくは約3〜約10の範囲内の、ゼロではない整数である)を有するラジカルを含む。樹脂酸塩が1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子を含むことが好ましい。一実施形態において、樹脂酸Biは、CS、C1017S、C1525S、C2033S、C2541S、C3049S、C3557S、C4065S、C4573S、C5081Sからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。一実施形態において、樹脂酸Biは、CO、C1017O、C1525O、C2033O、C2541O、C3049O、C3557O、C4065O、C4573O、C5081Oからなる群から選択される化学式を有する1つ以上の部分を含む。
本発明の一実施形態において、Bi有機化合物は、1つ以上のカルボキシレート基、好ましくは1つ以上の脂肪酸陰イオンを含む。
好ましいカルボキシレート基は、一般式:
CH(CHCOO
(式中、nは、0〜約50の範囲内、好ましくは約2〜約40の範囲内、より好ましくは約4〜約30の範囲内、最も好ましくは約6〜約24の範囲内の整数である)を有する。nは偶数であることが好ましい。
一実施形態において、ビスマス有機化合物は、オクサン酸ビスマスである。
有機ビヒクル
好ましい有機ビヒクルは、1つ以上の有機化合物を含み、この有機化合物の1つ以上は、大気条件(25℃、1バール)下で液体である。有機ビヒクルは、好ましくは、上述した目的の1つ以上に寄与する。組成物の印刷性に有利に働く有機ビヒクルが好ましい。
有機ビヒクルの好ましい成分は、アルコール、アルカン、アルケン、エステル、エーテル、テルペン、テルペン誘導体からなる群から選択される1つ以上である。
好ましいテルペンは、好ましくはイソプレン単位から構築されている。テルペンは、好ましくは一般式:
(C
(式中、nは、好ましくは1〜約20の範囲内、より好ましくは約2〜約15の範囲内、最も好ましくは約3〜約10の範囲内の、ゼロではない整数である)を有する。
好ましいテルペンは、C、C1016、C1524、C2032、C2540、C3048、C3556、C4064、C4572、C5080からなる群から選択される化学式を有する。一実施形態において、テルペンは、硫化されている。
好ましいエステルは、好ましくはジオール又はトリオール、より好ましくはトリオールに基づいている。この状況において、好ましいジオールは、グリコールである。この状況において、好ましいトリオールは、グリセロールである。
好ましくはジオール又はトリオールに基づく、好ましいエステルは、好ましくは一般式:
CH(CHCOO
(式中、nは、0〜約50の範囲内、好ましくは約2〜約40の範囲内、より好ましくは約4〜約30の範囲内、最も好ましくは約6〜約24の範囲内の整数である)を有する1つ以上のカルボキシレートラジカルを含む。nは偶数であることが好ましい。
この状況において、好ましいアルコールは、1〜約5個の炭素原子、又は約6〜約10個の炭素原子、又は約11〜約20個の炭素原子を含む。
好ましいアルコールは、テルペン(terepine)に基づき、好ましいアルコールは、テルピネオールである。
好ましいアルカンは、1〜約5個の炭素原子、又は約6〜約10個の炭素原子、又は約11〜約20個の炭素原子を含む。

上述した目的の少なくとも1つの達成に対する寄与は、表面に適用され、焼成された際に、着色表面、好ましくは銅色を有する、より好ましくは濃銅色を有する着色表面を提供する組成物により提供される。銅色は、赤銅色であることが好ましい。色、特に好ましい色を表現する一方法は、L、a、b値を用いる。
表面への適用
本発明による組成物は、当業者が本発明の目的の達成に適合すると考える任意の方法で、表面に適用されてもよい。好ましい適用方法は、印刷、噴霧、滴下、流し込み、跳ねかけ、はけ塗り及びスクレイピングからなる群から選択される1つ以上、好ましくは印刷である。
好ましい印刷方法は、スクリーン印刷、インクジェット印刷、転写印刷及びオフセット印刷からなる群から選択される1つ以上、好ましくはスクリーン印刷である。
焼成
焼成は、固体着色表面を得るために、組成物中の揮発性材料の含有率を少なくとも約90重量%、好ましくは少なくとも約95重量%、より好ましくは少なくとも約99重量%低減することが好ましい。
一実施形態において、焼成温度は、約200〜約1000℃の範囲内、好ましくは約300〜約800℃の範囲内、より好ましくは約400〜約600℃の範囲内である。
基材
好ましい基材は、断熱材である。
本発明の一実施形態において、基材は、少なくとも50重量%、好ましくは少なくとも60重量%、より好ましくは少なくとも70重量%の無機酸化物、好ましくは酸化ケイ素、酸化アルミニウムからなる群から選択される1つ以上を含む。
好ましい基材は、磁器又はガラス、好ましくはティーポット、マグ、グラス、ティーカップ、椀、皿、料理用深鍋、蒸し焼き鍋、フライパン、片手鍋、中華鍋、グリドル及びジャグからなる群から選択される1つ以上である。これらのそれぞれは、本発明の好ましい実施形態であると考慮される。
ここで、例示のみを意図し、本発明の範囲を限定するものとして考慮されるべきではない図面を用いて、本発明を説明する。
着色表面を提供する好ましいプロセス100を示す。上から下へ:最初に、基材101、好ましくはSiO又はAlOを提供する。次に、本発明による組成物102を基材101の表面上に重ねる。次に、組成物102が着色表面103、好ましくは銅色表面に変換されるように、基材101を好ましくはおよそ500℃の温度で焼成する。
試験方法
色測定L、a、b
本発明の任意の実施形態による組成物の色は、国際規格EN ISO 11664−4にて規定されているCIE L色空間内の色値により提供される。色測定は、Konica Minolta Spectrophotometer CM−700d(Konica Minolta Sensing China,Shanghai製)を使用して、CIE L色空間系内で行った。Minolta−Konicaにより供給されている理想的黒色及び理想的白色背景を表す2つの装置を用いた校正後、焼成した金層上に機器を配置することによって、SCEモードで測定を行った。透明基材の場合、サンプルを、Minoltaからの理想的白色背景上に配置した。5つの測定値を記録し、平均した。これらの測定のために、ペーストを石英プレートHSQ 100(Heraeus Quarzglas GmbH & Co KG)上に厚さ2mmで適用し、以下のプロファイルで焼成した。室温から30分間で700℃へ、700℃で10分間保持した後、弾道的(ballistic)冷却。
組成物の元素組成
誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP)を用いて、組成物中の金属Ag、Au、B、Bi、Ca、Cr、Cu、Ni、Ir、Pd、Pt、Rh、V、Zn、Zr、Si、Sn、Os及びTiの含有率を決定した。使用した機器は、Varian Vista−MPX(Varian Inc.製)及びICPエキスパートソフトウェア(Varian Inc.製)であった。
既知の金属含有率を有する、金属と、王水(比3:1の濃HClとHNOの混合物)との標準溶液を混合して、以下の金属に関する2つの校正サンプルを調製することによって校正を行った。以下の表では、校正溶液の濃度は、mg/lで提供されている。
Figure 2018119146
サンプル測定:0.10+/−0.02gのサンプルを3mlのHNO及び9mlの濃HClと共に混合し、Multiwave 3000電子レンジ(Anton Parr製)内にて800〜1200Wで60分間処理した。得られた溶液を9mlの50体積%HCl溶液に加え、測定した。
ICP機器を以下の条件下で操作した。
Figure 2018119146
以下の波長[nm]を使用して、金属含有率を評価した。
Ag 338.29、In 303.94、Sn 181.06 520.91 325.61 189.93 546.55、Ir 254.40、Ti 334.19、Au 197.74 263.97 336.12 242.79、Pd 229.65、V 292.40 267.59 340.46 309.31、B 208.96 360.96、Zn 206.20、249.77、Pt 203.65 334.50、Bi 223.06 214.42、Zr 343.82 306.77 217.47 349.62、Ca 396.85、Rh 249.08 422.67 343.49、Cr 205.56 369.24 283.56、Ru 240.27、Cu 224.70 245.66 324.75、Si 251.61、Ni 216.55 288.16 231.60、Os 225.59及び236.74。
摩耗
摩耗試験のために、摩耗試験機Model「Payne Pin Abrasion Tester PPAT2」(Anderen Ltd.,UK製)を使用した。直径5mmのピンを綿でくるみ、100gの荷重を用いてピンを表面上に押圧した。ストロークの回数を記録した後、目に見える第1のかき傷が出現した。3つの測定値を記録し、平均した。
接着
テープTESA 4124(tesa Beiersdorf製)を使用して接着を試験し、このテープを基材上の金層の平坦な表面に全面的に適用した。テープを表面上に堅く擦りつけ及び押圧した後、表面に対して角度90°で手によって引き剥がした。除去したテープを白色の紙片上に乗せ、テープに接着した試験層からの可視粒子が存在しない場合、試験に合格した。
食器洗浄機試験
食器洗浄機試験をDIN EN 12875−1及びDIN EN 12875−2に従って行った。業務用食器洗浄機Miele G7835 CD(Miele,Guetersloh)を使用し、洗剤「finish classic」(Rickett−Benckieser,Ladenburg)を適用した。表2において、「合格」は、少なくとも500サイクル後に試験に合格したことを示す一方、「不合格」は、500サイクル後に試験に合格しなかったことを示す。
組成物の調製
表1による成分を、磁気撹拌を用いて25℃、1バールで10分間混合した。
Figure 2018119146
基材への適用
ペーストを、スクリーン印刷によって、Sefar AG,Switzerlandから商業的に獲得可能なポリエステルスクリーン140Tを使用して、Heraeus Quarzglas GmbH & Co.KG,Germanyにより商業的に獲得可能な二酸化ケイ素基材に適用した。次いで、基材上のペーストを30分間かけて700℃に加熱し、700℃で10分間保持し、室温に弾道的に冷却し、試験方法に従って色値L、a&bを測定した。結果を表2に提供する。
Figure 2018119146
比較例2の色は、必要とする銅ではなく金であった。
100 適用プロセス
101 基材
102 組成物
103 着色表面

Claims (16)

  1. 以下の構成成分
    a.少なくとも約30重量%の有機ビヒクル、
    b.約0.5〜約35重量%の、Au有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなAu、
    c.約0.1〜約10重量%の、四価金属有機化合物の形態で組成物中に存在するもののような四価金属、
    d.約0〜約6重量%の、Bi有機化合物の形態で組成物中に存在するもののようなBi、を含む組成物であって、
    重量%は、前記組成物の総重量を基準とする、組成物。
  2. Auと前記四価金属とのモル比が、約1:5〜約20:1の範囲内である、請求項1に記載の組成物。
  3. 前記四価金属が、Ti、Zr、Hf、Ce、Ni、Mn、Co、Cu、Sn又はSiからなる群から選択される1つ以上である、請求項1又は2に記載の組成物。
  4. 前記四価金属が、Ti、Zr又は両方である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の組成物。
  5. a.前記Au有機化合物が樹脂酸塩である、
    b.前記四価金属有機化合物が、1つ以上のアルコキシ基を含む、
    c.前記Bi有機化合物が樹脂酸塩である、のうちの1つ以上が満たされる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の組成物。
  6. a.前記Au有機化合物中のAuが、1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子に結合している、
    b.前記四価金属有機化合物中の四価金属が、1つ以上のO原子に結合している、
    c.前記Bi有機化合物中のBiが、1つ以上のO原子、又は1つ以上のS原子、又は1つ以上のO原子及び1つ以上のS原子に結合している、
    のうちの1つ以上が満たされる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の組成物。
  7. 約0.001〜約0.2重量%の、ロジウム有機化合物の形態で前記組成物中に存在するもののようなロジウムを更に含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の組成物。
  8. 約0.005〜約0.1重量%の、クロム有機化合物の形態で前記組成物中に存在するもののようなクロムを更に含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の組成物。
  9. 本明細書に提供された試験方法に従って、基材上に重ねられ、焼成された際に、約65未満のL、及び約2.6未満のb/aを有する表面を与える、請求項1〜8のいずれか一項に記載の組成物。
  10. 以下の工程を含む、着色表面の調製プロセスであって、
    a.請求項1〜9のいずれか一項に記載の組成物を提供する工程と、
    b.基材を提供する工程と、
    c.前記組成物を前記基材上に重ねて、前駆体を得る工程と、
    d.前記前駆体を焼成して、前記着色表面を得る工程と、を含む、プロセス。
  11. 前記基材が、
    a.前記基材の総重量を基準として、少なくとも約50重量%のSiOを含む第1の基材、
    b.前記基材の総重量を基準として、少なくとも約50重量%のAlを含む第2の基材、からなる群から選択される、請求項10に記載のプロセス。
  12. 請求項10又は11に記載のプロセスにより獲得可能な着色表面。
  13. 約65未満のL、及び約2.6未満のb/aを有する、請求項12に記載の着色表面。
  14. a)基材表面を有する基材と、
    b)前記基材表面上に少なくとも部分的に重ねられた層と、を含み、
    前記層が、約65未満のL、及び約2.6未満のb/aを有する、層複合材。
  15. 前記層が以下の層構成成分、
    a.約3〜約80重量%のAu、
    b.約0.1〜約25重量%の四価金属、
    c.約0〜約40重量%のBiを含む、請求項14に記載の層複合材。
  16. 前記層中のAuと前記四価金属とのモル比が、約1:5〜約20:1の範囲内である、請求項14又は15に記載の層複合材。
JP2018017528A 2014-10-13 2018-02-02 銅色塗料、その作製プロセス及びその適用 Pending JP2018119146A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
WOPCT/CN2014/088486 2014-10-13
CN2014088486 2014-10-13

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015201583A Division JP2016108656A (ja) 2014-10-13 2015-10-09 銅色塗料、その作製プロセス及びその適用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018119146A true JP2018119146A (ja) 2018-08-02

Family

ID=54337623

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015201583A Pending JP2016108656A (ja) 2014-10-13 2015-10-09 銅色塗料、その作製プロセス及びその適用
JP2018017528A Pending JP2018119146A (ja) 2014-10-13 2018-02-02 銅色塗料、その作製プロセス及びその適用

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015201583A Pending JP2016108656A (ja) 2014-10-13 2015-10-09 銅色塗料、その作製プロセス及びその適用

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20160102214A1 (ja)
EP (1) EP3009482B1 (ja)
JP (2) JP2016108656A (ja)
KR (1) KR101963476B1 (ja)
CN (1) CN105504948A (ja)
ES (1) ES2703911T3 (ja)
TR (1) TR201818865T4 (ja)

Families Citing this family (297)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) * 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3660137A (en) * 1968-06-25 1972-05-02 Shigemasa Furuuchi Heat-reflecting glass and method for manufacturing the same
US4418099A (en) * 1982-02-05 1983-11-29 Engelhard Corporation Non-burnished precious metal composition
DE3544339C1 (de) * 1985-12-14 1987-01-29 Degussa Poliergoldpraeparat
US4808274A (en) * 1986-09-10 1989-02-28 Engelhard Corporation Metallized substrates and process for producing
JPH0765011B2 (ja) * 1987-06-22 1995-07-12 田中貴金属工業株式会社 有機貴金属インク
US4775608A (en) * 1987-10-05 1988-10-04 International Business Machines Corporation Generation of capacitive servo patterns on magnetic storage disks
DE3809541C1 (ja) 1988-03-22 1989-08-10 Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De
JPH02140278A (ja) * 1988-11-21 1990-05-29 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 金属および金属酸化物薄膜形成材料
JPH03100077A (ja) * 1989-09-13 1991-04-25 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk メタロオーガニック用希釈液
DE4040446A1 (de) * 1990-12-18 1992-06-25 Degussa Gold(i)mercaptocarbonsaeureester, verfahren zu ihrer herstellung und verwendung
RU2067599C1 (ru) * 1992-06-10 1996-10-10 Дулевский красочный завод Препарат жидкого золота
JPH06330327A (ja) * 1993-05-14 1994-11-29 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 金属薄膜複合材料の製造方法
JP2651129B2 (ja) * 1995-05-31 1997-09-10 浪速金液株式会社 抗菌性を有するラスター
JP3705666B2 (ja) * 1997-01-28 2005-10-12 石福金属興業株式会社 有機白金インク
DE19704479A1 (de) * 1997-02-06 1998-08-13 Cerdec Ag Dekorpräparat zur Herstellung goldhaltiger Dekore und deren Verwendung
JP2000103646A (ja) * 1998-09-30 2000-04-11 Ne Chemcat Corp ガラス等の無機材料の透明着色用組成物
JP3784973B2 (ja) * 1998-10-22 2006-06-14 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 耐久性及び耐薬品性に優れたセラミック上絵付用水金
DE19941020B4 (de) * 1999-08-28 2007-07-19 Ferro Gmbh Glanzedelmetallpräparat für den Hochtemperaturbrand und Verfahren zur Herstellung von Glanzedelmetalldekoren
JP2001130985A (ja) * 1999-10-29 2001-05-15 Narumi China Corp ペーストプラチナおよびプラチナ装飾品
US6402823B1 (en) * 2000-01-07 2002-06-11 Ferro Corporation Individual inks and an ink set for use in the color ink jet printing of glazed ceramic tiles and surfaces
JP2004182764A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Fuji Xerox Co Ltd インクジェット用記録液、及びそれを用いた画像記録方法
KR100740634B1 (ko) * 2003-09-12 2007-07-18 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지 미세한 액적(液滴)의 형상으로 분사해, 적층 도포 가능한금속 나노 입자 분산액
DE102004017335B4 (de) * 2003-12-17 2013-09-26 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Edelmetallpräparate und Lüsterpräparate für den direkten und indirekten Siebdruck, ihre Verwendung und keramisches Abziehbild
US8197901B2 (en) * 2007-07-16 2012-06-12 University Of Kentucky In-situ nanoparticle formation in polymer clearcoats
ATE524513T1 (de) * 2008-07-17 2011-09-15 Gore W L & Ass Gmbh Antimikrobielle beschichtungen mit einem komplex aus einem ionischen fluorpolymer und einem antimikrobiellen gegenion
CN101781093B (zh) * 2010-01-19 2013-06-05 深圳市永丰源实业有限公司 一种具有稳定抗微波功能的贵金属制剂及其制作工艺和用途
EP2607432A1 (de) * 2011-12-21 2013-06-26 Merck Patent GmbH Effektpigmente basierend auf Substraten die einen Kreisformfaktor von 1,2-2 aufweisen
EP2733759A1 (en) * 2012-11-15 2014-05-21 Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG Multi-layer composite with metal-organic layer

Also Published As

Publication number Publication date
TR201818865T4 (tr) 2019-01-21
EP3009482A2 (en) 2016-04-20
KR101963476B1 (ko) 2019-03-28
CN105504948A (zh) 2016-04-20
US20160102214A1 (en) 2016-04-14
KR20160043511A (ko) 2016-04-21
ES2703911T3 (es) 2019-03-13
JP2016108656A (ja) 2016-06-20
EP3009482A3 (en) 2016-04-27
EP3009482B1 (en) 2018-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018119146A (ja) 銅色塗料、その作製プロセス及びその適用
KR101496160B1 (ko) 난스틱 세라믹 코팅 조성물 및 이를 코팅한 가열조리기구
KR101157753B1 (ko) 개선된 소수성 성질을 갖는 점착방지 코팅
KR20060093083A (ko) 가열 조리용기의 코팅층 구조
KR102496263B1 (ko) 무기 세라믹 코팅 조성물용 무기 감온 변색 첨가제
EP3303481B1 (en) Enhanced ceramic coating
WO2018162550A1 (en) Coating composition containing metal particles
JP7182636B2 (ja) ダイヤモンド及び着色マイカを含む非付着性セラミックコーティング
TW524789B (en) Bright noble metal preparation for high temperature firing and the use thereof for the production of bright noble metal decoration
JP4024792B2 (ja) 間接的および直接的スクリーン印刷のための貴金属調製物または光輝調製物およびこれから製造されたセラミックデカルコマニア
CN106631167A (zh) 一种用于陶瓷装饰的玫瑰金色泽制剂
ES2215757T3 (es) Composiciones liquidas de oro.
KR20010024310A (ko) 열변화에 저항성을 갖는 자기(磁器)
JPH11335188A (ja) ペースト金及び金装飾品
JPH08325080A (ja) 抗菌性を有するラスター
WO2023032532A1 (ja) セラミックス製品
KR102411624B1 (ko) 용기의 미끄럼방지 조성물 및 이의 인쇄방법
JP2023526942A (ja) 改良された非粘着性コーティング
WO2022209817A1 (ja) 装飾用組成物およびその利用
JP2023526938A (ja) 改良された非粘着性コーティング
JP2001130985A (ja) ペーストプラチナおよびプラチナ装飾品
SU735615A1 (ru) Люстрова краска
JPH116072A (ja) 耐アルカリ性装飾金被膜形成用金液
KR20020066789A (ko) 옥(玉)을 주성분으로 하는 유약을 사용한 도자기의 제조방법