JP2018113361A - 基板ホルダ、縦型基板搬送装置及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
上記枠体は、上記基板の周縁部と上記基板の厚み方向に対向する対向面を有する。
上記吸着部は、上記対向面に設けられ、上記基板の周縁部の少なくとも一部を静電的に吸着することが可能に構成される。
また、吸着部が基板の周縁部に対向する枠体の対向面に設けられているため、少なくとも基板の裏面(非成膜面)が開放状態に維持される。これにより、開放された基板の裏面にアクセス可能な搬送ロボットを用いることで、枠体に対する基板の着脱を容易に行うことが可能となる。
この構成によれば、マスク部によって基板の成膜領域を画定しつつ、基板の成膜面の周縁部を保持することができる。
これにより、基板の周縁部の複数個所を吸着できるため、基板を安定的に保持することができる。
これにより、外部からの電源供給ラインの設置を不要とすることができる。
これにより、各チャック領域における吸着開始/解除動作を個々に制御することが可能となるため、基板の反りや撓みの発生を抑えることも可能となる。
上記基板ホルダは、基板の周縁部と上記基板の厚み方向に対向する対向面を有する枠体と、上記対向面に設けられ上記基板の周縁部の少なくとも一部を静電的に吸着することが可能に構成された吸着部と、を有する。
上記搬送ユニットは、上記基板ホルダを起立姿勢で搬送する。
上記基板ホルダは、基板の周縁部と上記基板の厚み方向に対向する対向面を有する枠体と、上記対向面に設けられ上記基板の周縁部の少なくとも一部を静電的に吸着することが可能に構成された吸着部と、を有する。
上記搬送ユニットは、上記基板ホルダを起立姿勢で搬送する。
上記処理ユニットは、上記基板ホルダに保持された上記基板を処理する。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板ホルダ100を概略的に示す正面図である。図2は、図1におけるA−A線方向の概略断面図である。
縦型基板搬送装置は、基板Wを垂直な姿勢で搬送するものに限られず、基板Wを鉛直方向に対して略5°程度傾斜させて搬送する場合も含む。すなわち上記起立姿勢には、文字どおり垂直な姿勢だけに限られず、ほぼ垂直な姿勢も含まれる。
上記縦型基板搬送装置は、後述する基板処理装置に適用される(図3)。基板処理装置は、例えば、インライン式スパッタ装置で構成される。基板Wは、典型的には矩形のガラス基板であり、その大きさは特に限定されず、例えば、G4ないしG6サイズのものが用いられる。
枠体10は、縦方向に長辺を有する矩形の板状部材で構成され、典型的には、ステンレス鋼、アルミニウム合金等の金属材料で構成される。枠体10は、基板Wよりも大きな厚みで形成され、成膜源(本例ではスパッタカソード)に対向する表面101と、その反対側の裏面102とを有する(図2参照)。
吸着部20は、対向面13に設けられ、基板Wの周縁部の少なくとも一部を静電的に吸着することが可能に構成される。吸着部20は、典型的には静電チャックで構成され、図1に示すように、対向面13に設けられた複数のチャック領域21に内蔵される。
続いて、本実施形態に係る縦型基板搬送装置及び基板処理装置について説明する。
続いて、以上のように構成される基板ホルダ100の動作について、スパッタ装置200の動作とともに説明する。
11…開口部
12…マスク部
13…対向面
14…橋絡部
20…吸着部
21…チャック領域
22…電源回路
23…配線群
100,1100…基板ホルダ
200…スパッタ装置
300…縦型基板搬送装置
400…移載ユニット
W…基板
W1…成膜面
W2…非成膜面
Claims (7)
- 縦型基板搬送装置に用いられ、基板を起立姿勢で保持することが可能な基板ホルダであって、
前記基板の周縁部と前記基板の厚み方向に対向する対向面を有する枠体と、
前記対向面に設けられ、前記基板の周縁部の少なくとも一部を静電的に吸着することが可能に構成された吸着部と
を具備する基板ホルダ。 - 請求項1に記載の基板ホルダであって、
前記枠体は、前記基板の成膜領域を画定する枠状のマスク部をさらに有し、
前記対向面は、前記基板の周縁部と対向する前記マスク部の一部に設けられる
基板ホルダ。 - 請求項1又は2に記載の基板ホルダであって、
前記吸着部は、前記対向面に設けられた複数のチャック領域を有し、
前記複数のチャック領域は、チャック用電極をそれぞれ含む
基板ホルダ。 - 請求項3に記載の基板ホルダであって、
前記枠体に設けられ前記複数のチャック領域に電力を供給することが可能な電源回路をさらに具備する
基板ホルダ。 - 請求項4に記載の基板ホルダであって、
前記電源回路は、前記複数のチャック領域に個別に電力を供給することが可能な制御部を有する
基板ホルダ。 - 基板の周縁部と前記基板の厚み方向に対向する対向面を有する枠体と、前記対向面に設けられ前記基板の周縁部の少なくとも一部を静電的に吸着することが可能に構成された吸着部と、を有する基板ホルダと、
前記基板ホルダを起立姿勢で搬送する搬送ユニットと
を具備する縦型基板搬送装置。 - 基板の周縁部と前記基板の厚み方向に対向する対向面を有する枠体と、前記対向面に設けられ前記基板の周縁部の少なくとも一部を静電的に吸着することが可能に構成された吸着部と、を有する基板ホルダと、
前記基板ホルダを起立姿勢で搬送する搬送ユニットと、
前記基板ホルダに保持された前記基板を処理する処理ユニットと
を具備する基板処理装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109051686A (zh) * | 2018-09-29 | 2018-12-21 | 苏州精濑光电有限公司 | 一种工件运转方法 |
JP2020184573A (ja) * | 2019-05-08 | 2020-11-12 | 株式会社アルバック | 真空搬送装置及び成膜装置 |
JP7489473B2 (ja) | 2020-02-27 | 2024-05-23 | アプライド マテリアルズ イタリア エス. アール. エル. | 基板を支持するための支持デバイス、基板を処理する方法、及び半導体基板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007162063A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | スパッタ装置および基板搬送用キャリア |
JP2007246983A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 成膜装置 |
WO2015171207A1 (en) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier system and method for using the same |
JP2016539489A (ja) * | 2013-09-20 | 2016-12-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 集積静電チャックを備えた基板キャリア |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4958406B2 (ja) * | 2005-04-06 | 2012-06-20 | 株式会社アルバック | 真空雰囲気中におけるガラス基板のハンドリング方法 |
JP4612516B2 (ja) | 2005-09-29 | 2011-01-12 | 大日本印刷株式会社 | スパッタ装置およびスパッタ装置用キャリア |
JP2007134243A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Sony Corp | 表示装置の製造方法およびマスク |
WO2008133139A1 (ja) | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Ulvac, Inc. | ダミー基板及びそれを用いた成膜装置の始動方法、成膜条件の維持・変更方法並びに停止方法 |
KR102237428B1 (ko) * | 2014-02-14 | 2021-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체 및 그 제조방법 |
CN107429386B (zh) * | 2015-04-15 | 2019-09-27 | 株式会社爱发科 | 基板保持机构、成膜装置、及基板的保持方法 |
CN105568217B (zh) * | 2016-01-06 | 2017-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 金属掩模板及其制作方法 |
-
2017
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007162063A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | スパッタ装置および基板搬送用キャリア |
JP2007246983A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 成膜装置 |
JP2016539489A (ja) * | 2013-09-20 | 2016-12-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 集積静電チャックを備えた基板キャリア |
WO2015171207A1 (en) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier system and method for using the same |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109051686A (zh) * | 2018-09-29 | 2018-12-21 | 苏州精濑光电有限公司 | 一种工件运转方法 |
JP2020184573A (ja) * | 2019-05-08 | 2020-11-12 | 株式会社アルバック | 真空搬送装置及び成膜装置 |
JP7242414B2 (ja) | 2019-05-08 | 2023-03-20 | 株式会社アルバック | 真空搬送装置及び成膜装置 |
JP7489473B2 (ja) | 2020-02-27 | 2024-05-23 | アプライド マテリアルズ イタリア エス. アール. エル. | 基板を支持するための支持デバイス、基板を処理する方法、及び半導体基板 |
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