JP2018106101A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置の表示不良、表示歩留まりの低下、コンタクト不良、配線の腐食を抑制することを目的の一つとする。表示装置の製造工程を簡略化させることを目的の一つとする。
【解決手段】一方向及び前記一方向と交差する方向に配列する複数の画素と複数の画素のうち一方向に配列する画素に沿って延伸する第１配線と複数の画素のうち一方向と交差する方向に配列する画素に沿って延伸する第２配線とを含み、第１配線及び第２配線の少なくとも一方は、絶縁表面に接して設けられた第１導電層と第１導電層上に設けられた第２導電層と第２導電層の上面及び側面並びに第１導電層の側面に接し、絶縁表面上に端部が配置される第３導電層とを含む。
【選択図】図５

Description

本発明は、表示装置に関する。特に、表示装置の配線の構造に関する。

液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、ＥＬ表示装置と記す）は、液晶素子や発光素子などの表示素子を含む複数の画素を有しており、各画素の駆動を制御することで映像を与えることができる。

表示装置は、絶縁膜、半導体膜及び導電膜を積層し、これらの薄膜を所定の形状に成形することにより、作製される。具体的には、表示装置が有する、トランジスタ、トランジスタによって構成される各回路、各回路を形成する配線のパターン、映像信号、回路の動作を制御するタイミング信号、電源電圧等が印加される端子部から引き回される配線のパターンが作製される。

近年、表示装置は大型化、高精細化が進んでいる。表示装置の大型化、高精細化が進んでも、表示装置を駆動する信号の遅延、電源電圧の電圧降下が生じないようにするため、配線は低抵抗な材料が用いられる。低抵抗な材料は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）がある。

一方で、アルミニウム（Ａｌ）は、配線を形成する工程における処理によっては、表示装置に輝点などの表示不良を引き起こし、表示歩留まりを低下させる。表示歩留まりの低下を抑制するため、例えば、特許文献１には、アルミニウム（Ａｌ）の下層及び上層にチタン（Ｔｉ）を有する多層配線構造を用いることが開示されている。

特開２０１１−１５１１９４号公報

しかしながら、配線が低抵抗な材料を用いた多層配線構造では、配線の側面が露出する。配線の側面が露出していると、配線を覆う絶縁膜形成の際の現像液に侵されやすく、また、エッチング時のエッチングガスにも侵されやすく、配線の側面の形状（テーパーの加工形状）が凸凹になり、配線上層の絶縁膜のカバレージ不良が発生する。特に、アルミニウム（Ａｌ）の下層及び上層にチタン（Ｔｉ）を有する多層配線構造においては、アルミニウム（Ａｌ）のサイドエッチングによる上層の絶縁膜のカバレージ不良が深刻な問題である。また、配線の線幅が細くなり、配線が高抵抗になり、配線を通る信号の遅延や、電源電圧の電圧降下が発生する。これらは、表示装置の表示不良を引き起こし、表示歩留まりを低下させる。

別の課題として、例えば、表示装置の張り合わせ工程の後の端子領域の開口がある。張り合わせ工程は、画素部、トランジスタによって構成される画素回路及び駆動回路、端子領域が形成された基板と、対向ガラス及びカラーフィルタなどの基板を張り合わせる工程である。端子領域は張り合わせ工程でダメージを受けないように、封止膜で保護される。端子領域から映像信号、回路の動作を制御するタイミング信号、電源電圧等が印加されるためには、この封止膜を除去する必要がある。端子領域の開口はそのための工程である。端子領域の開口で封止膜を除去するには、エッチングガスが用いられる。エッチングガスが低抵抗な材料と反応すると、異物が生じる。この異物は、端子領域のコンタクト不良、配線の腐食を引き起こす。

このような課題に鑑み、本発明の一実施形態は、表示不良、表示歩留まりの低下を抑制する配線構造を有する表示装置を提供することを目的の一つとする。

また、本発明の一実施形態は、コンタクト不良、配線の腐食を抑制する配線構造を有する表示装置を提供することを目的の一つとする。

本発明の一実施形態は、一方向及び前記一方向と交差する方向に配列する複数の画素と、前記複数の画素のうち前記一方向に配列する画素に沿って延伸する第１配線と、前記複数の画素のうち前記一方向と交差する方向に配列する画素に沿って延伸する第２配線と、を含み、前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一方は、絶縁表面に接して設けられた第１導電層と、前記第１導電層上に設けられた第２導電層と、前記第２導電層の上面及び側面、並びに前記第１導電層の側面に接し、前記絶縁表面上に端部が配置される第３導電層と、を含むこと、を特徴とする表示装置である。

本発明の一実施形態に係る表示装置の斜視図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す平面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の構回路図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部のレイアウト図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の配線と端子電極の平面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の端子電極の断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の配線の断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の配線の断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の配線の断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する断面模式図。

以下、本発明の実施形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。なお、各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。

本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、第１基板に対して第２基板が配置される側を「上」又は「上方」といい、その逆を「下」又は「下方」として説明する。

本明細書において説明される第１基板は、少なくとも平面状の一主面を有し、この一主面上に絶縁層、半導体層及び導電層の各層、あるいはトランジスタ及び表示素子等の各素子が設けられる。以下の説明では、断面視において、第１基板の一主面を基準とし、第１基板に対して「上」、「上層」、「上方」又は「上面」として説明する場合には、特に断りのない限り、第１基板の一主面を基準にして述べるものとする。

（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の全体構成、回路構成、表示装置１００が含む画素の構成、画素の断面模式図、端子電極及び各種配線の構成について、図１乃至図１０を用いて説明する。

［全体構成］
図１に、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の斜視図を示す。表示装置１００は、少なくとも第１基板１０２、シール材１１１及び第２基板１０４を有する。なお、後述のようにシール材１１１は形成されないこともある。

第１基板１０２の第１面は、少なくとも表示領域１０６、各種配線１０９、１１０、１２８、走査信号線駆動回路１１８、映像信号線駆動回路（ドライバＩＣ）１２０、端子領域１１４を有する。

第１基板１０２は、表示領域１０６、各種配線１０９、１１０、１２８、端子領域１１４、走査信号線駆動回路１１８、映像信号線駆動回路（ドライバＩＣ）１２０の支持体としての役割を果たす。第１基板１０２の材料は、ガラス基板、アクリル樹脂基板、アルミナ基板、ポリイミド基板等を用いることができる。第１基板１０２は、可撓性を有する基板であってもよい。可撓性を有する基板は、樹脂材料が用いられる。樹脂材料は、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子材料を用いるのが好ましく、例えば、ポリイミドが用いられる。

表示領域１０６は複数の画素１０８を有する。本実施形態においては、複数の画素１０８は、行列状に配列されている。複数の画素１１０の配列数は任意である。例えば、行方向にｍ個、列方向にｎ個の画素１０８が配列される（ｍ及びｎは整数）。複数の画素１０８の各々は、図１には示されていないが、後述するように、少なくとも駆動トランジスタ１３４、選択トランジスタ１３２、発光素子１３６及び保持容量１３８を有する画素回路１３０から構成される。

走査信号線駆動回路１１８及び映像信号線駆動回路（ドライバＩＣ）１２０は、表示領域１０６の外側に形成される。走査信号線駆動回路１１８及び映像信号線駆動回路（ドライバＩＣ）１２０は、画素１３０の駆動を制御する。走査線駆動回路１２６は、第１基板１０２の上に直接形成される必要はなく、第１基板１０２とは異なる基板（半導体基板など）上に形成された駆動回路を第１基板１０２に設けてもよい。

端子領域１１４は、複数の端子電極１１６を有する。端子領域１１４は、第１基板１０２の一端部、かつ、第２基板１０４の外側に配置される。複数の端子電極１１６には、映像信号、回路の動作を制御するタイミング信号などを出力する機器や電源などと表示装置１００とを接続する配線基板（図示せず）が接続される。配線基板と接続される複数の端子電極１１６との接点は、外部に露出している。

シール材１１１は、第１基板１０２の第１面側において、表示領域１０６を覆うように配置される。シール材１１１は、第１基板１０２と同様にガラス基板、有機樹脂基板によって形成される。また、シール材１１１は、第１基板１０２のような板状の部材に代えて、有機樹脂層と無機層を交互に積層させた積層体によって形成される。

第２基板１０４は、第１基板１０２と同様の基板を用いてもよい。第２基板１０４は、第１基板１０２の第１面と対向するように設けられている。第２基板１０４は、表示領域１０６を囲むシール材１１１によって、第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に配置された表示領域１０６は、第２基板１０４とシール材１１１とによって封止されている。しかし、シール材１１１以外による手段以外で第２基板１０４と第１基板１０２が固定されるのであれば、シール材１１１は必ずしも必要ない。

なお、本実施形態に係る表示装置１００は、前述のような第２基板１０４を有しているが、板状の部材に限定されず、フィルム基材、樹脂等がコーティングされた封止基材に置換えられてもよい。

［回路構成］
図２に、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の回路構成の平面模式図を示す。表示装置１００は、少なくとも、表示領域１０６、各種配線１０９、１１０、１２８、走査信号線駆動回路１１８、映像信号線駆動回路（ドライバＩＣ）１２０、端子領域１１４を有する。なお、表示領域１０６は、複数の画素１０８を有している。

走査信号線駆動回路１１８及び映像信号線駆動回路（ドライバＩＣ）１２０は、複数の画素１０８の各々に設けられた画素回路１３０を駆動し、複数の画素１０８の発光を制御する。

走査線駆動回路１１８は、複数の走査信号線１１０に接続されている。複数の走査信号線１１０は、複数の画素１０８の水平方向の並び（行）毎に設けられている。走査線駆動回路１１８は、複数の端子電極１１６から入力されるタイミング信号及び電源などに応じて複数の走査信号線１１０を順番に選択する。

映像信号線駆動回路（ドライバＩＣ）１２０は、複数の映像信号線１０９に接続されている。複数の映像信号線１０９は、複数の画素１０８の垂直方向の並び（列）毎に設けられている。映像信号線駆動回路（ドライバＩＣ）１２０は、複数の端子電極１１６から映像信号を入力され、走査線駆動回路１１８による走査信号線１１０の選択に合わせて、選択された画素の映像信号に応じた電圧を複数の映像信号線１１０の各々を介して書き込む。また、映像信号線駆動回路（ドライバＩＣ）１２０は、複数の端子電極１１６から供給された電流を、各々の駆動電源線１２８に供給し、選択された行の画素１１０を発光させる。

なお、第１基板１０２の第１面に、駆動電源線１２８に電流を供給する電源回路を設けてもよい。前記電源回路は、列毎に設けられた複数の駆動電源線１２８に接続され、選択された行の画素１０８を発光させる電流を供給する。

複数の画素１０８は、行方向及び列方向に配列されている。画素１０８の配列数は任意である。例えば、行方向（Ｄ１方向）にｍ個、列方向（Ｄ２方向）にｎ個の画素１０８が配列される（ｍ及びｎは整数）。表示領域１０６において、複数の走査信号線１１０は行方向に配設され、複数の映像信号線１１０は列方向に配設される。

なお、図２においては表示装置１００の外に座標軸を示したが、実際の座標軸は表示装置１００に固定されているものとする。

図３に、本発明の一実施形態に係る表示装置が有する画素１０８の画素回路１３０の回路図を示す。なお、以下で説明する画素回路１３０の回路構成は一例であって、これに限定されるものではない。

複数の画素回路１３０の各々は、少なくとも駆動トランジスタ１３４、選択トランジスタ１３２、発光素子１３６及び保持容量１３８を含む。

駆動トランジスタ１３４は、発光素子１３６に接続され、発光素子１３６の発光輝度を制御するトランジスタである。駆動トランジスタ１３４は、ゲート−ソース間電圧によってドレイン電流が制御される。駆動トランジスタ１３４は、ゲートが選択トランジスタ１３２のドレインに接続され、ソースが駆動電源線１２８に接続され、ドレインが発光素子１３６の陽極に接続されている。

選択トランジスタ１３２は、オンオフ動作により、映像信号線１０９と駆動トランジスタ１３４のゲートとの導通状態を制御するトランジスタである。選択トランジスタ１３２は、ゲートが走査信号線１１０に接続され、ソースが映像信号線１０９に接続され、ドレインが駆動トランジスタ１３４のゲートに接続されている。

発光素子１３６は、陽極が駆動トランジスタ１３４のドレインに接続され、陰極が基準電源線１２６に接続されている。

保持容量１３８は、駆動トランジスタ１３４のゲート−ドレイン間に接続される。保持容量１３８は、駆動トランジスタ１３４のゲート−ドレイン間電圧を保持する。

ここで、図２に記載のように基準電源線１２６は、複数の画素１０８に共通して設けられている。基準電源線には、複数の端子電極１１６から定電位が与えられる。

なお、第１基板１０２の第１面に、定電圧を生成する電源回路を設けてもよい。定電圧を生成する電源回路は、複数の画素１０８に共通して設けられた基準電源線１２６に接続され、発光素子１３６の陰極に定電位を与える。

［画素の構成及び断面］
図４に、図３に示した画素回路のレイアウト図を示す。図５に、図４で示した画素回路１３０の断面模式図を示す。図５は、図４のＡ１−Ａ２間の断面を示している。なお、図４には、以下で説明するゲート絶縁膜１６４および層間膜１５２の絶縁膜や層間膜などは省略している。また、図４には、以下で説明する接続電極１７６形成以降は省略し、それらは図５で図示している。なお、図４に示すレイアウト図、図５に示す断面模式図は一例であって、これに限定されるものではない。

図４及び図５は、一つの画素１０８が有する一つの画素回路１３０の一部を示している。ここでは一つの画素回路１３０に駆動トランジスタ１３４、保持容量１３８、発光素子１３６などが含まれる例を示しているが、画素回路１３０は複数のトランジスタ、複数の容量が設けられてもよい。

表示装置１００は、全体構成で述べた基板１０２の上に、任意の構成である下地膜１４０を介して駆動トランジスタ１３４と容量１３８を有している。トランジスタ１３４は、例えば図５に示すように、半導体膜１６２、ゲート絶縁膜１６４、ゲート電極１６６、ソース／ドレイン電極１６８＿１及び１６８＿２を有している。半導体膜１６２のうちゲート電極１６６と重なる領域がチャネル領域であり、このチャネル領域を一対のソース／ドレイン領域が挟持する。ソース／ドレイン電極１６８＿１及び１６８＿２は、層間膜１５２、ゲート絶縁膜１６４に設けられる開口部１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ及び１８１ｄを介してソース／ドレイン領域と電気的に接続される。なお、図４に示すようにソース／ドレイン電極１６９は、層間膜１５２に設けられる開口部１８５を介してゲート電極１６６とも電気的に接続される。半導体膜１６２は保持容量の電極１７２の下まで延び、半導体膜１６２、保持容量の電極１７２、及びこれらに挟まれるゲート絶縁膜１６４によって容量が形成される。

駆動トランジスタ１３４の構造に制約はなく、図５に示すようないわゆるトップゲート型のトランジスタのみならず、ボトムゲート型トランジスタや、複数のゲート電極１６６を有するマルチゲート型トランジスタ、半導体膜１６２の上下にゲート電極１６６を有するデュアルゲート型トランジスタを用いてもよい。また、半導体膜１６２とソース／ドレイン電極１６８の上下関係にも制約はない。

容量１３８は、ソース／ドレイン電極１６８＿２の一部、保持容量の電極１７２、及び層間膜１５２から形成される。容量１３８は、ゲート電極１６６に与えられる電位を保持する役割を担う。保持容量の電極１７２は、ゲート電極１６６と電気的に接続される。

トランジスタ１６０や容量１３８の上には、これらに起因する凹凸を吸収し、平坦な表面を与える平坦化膜１５８が設けられる。平坦化膜１５８には、ソース／ドレイン電極１６８＿２に達する開口１９０が設けられ、開口１９０を覆うように接続電極１７６が設けられる。なお、接続電極１７６も任意の構成の一つである。

本発明の一実施形態に係る表示装置に用いられる配線は、ソース／ドレイン電極に用いられる。また、ゲート電極、及び、保持容量の電極に用いてもよい。

本発明の一実施形態に係る表示装置に用いられる配線は、第１導電層、第２導電層及び第３導電層から構成される。

本発明の一実施形態に係る表示装置に用いられる配線は、絶縁膜に接し、第１導電層と、第１導電層上に設けられた第２導電層と、第２導電層の上面及び側面、並びに第１導電層の側面に接し、絶縁膜上に端部が配置される第３導電層を有する多層配線構造である。

本発明の一実施形態に係る表示装置に用いられる配線の形成方法は、第１導電層を成膜し、引き続き、第２導電膜を形成し、第１導電層及び第２導電層を同時に加工する。さらに、第３導電層を成膜し、第３導電層を加工する。このように、２段階の加工で形成される。詳細な形成方法は、製造方法で述べる。

第３導電層が、第２導電層の側面、並びに第１導電層の側面に接し、絶縁膜上に端部が配置される。このように、第３導電層が、第２導電層の側面に接し、絶縁膜上に配置される構造は、第２導電層の側面が、引き続いて形成される平坦化膜を形成する際のエッチングのガス、現像液及び剥離液に侵されることがない。また、第２導電層がサイドエッチングされることもない。よって、第１導電層及び第２導電層のテーパーの形状が、安定して形成できる。また、第３導電層が第１導電層及び第２導電層に接するカバレージを安定して形成することができる。さらに、平坦化膜が第３導電層に接するカバレージも安定して形成することができる。よって、表示不良、表示歩留まりの低下を抑制し、また、コンタクト不良、配線の腐食を抑制する表示装置を提供することができる。

ソース／ドレイン電極１６７、１６８＿１、１６８＿２、１６９は、層間膜１５２に接し、第１導電層１６８ａと、第１導電層１６８ａ上に設けられた第２導電層１６８ｂと、第２導電層１６８ｂの上面及び側面、並びに第１導電層１６８ａの側面に接し、層間膜１５２上に端部が配置される第３導電層１６８ｃを有する多層配線構造である。

第３導電層１６８ｃは、第２導電層１６８ｂの側面、並びに第１導電層１６８ａの側面に接し、層間膜１５２上に端部が配置されることで、第２導電層１６８ｂの側面が、平坦化膜１５８を形成する際のエッチングのガス、現像液及び剥離液に侵されることがない。また、第２導電層がサイドエッチングされることもない。よって、配線の側面の形状（テーパーの加工形状）が、安定して形成できる。また、平坦化膜１５８のカバレージも良好となる。表示不良、表示歩留まりの低下を抑制し、また、コンタクト不良、配線の腐食を抑制する配線構造を有する表示装置を提供することができる。

また、ソース／ドレイン電極１６７は、映像信号線１０９と電気的に接続されている。ソース／ドレイン電極１６８＿１は、駆動電源線１２８と電気的に接続されている。したがって、配線を通る信号の遅延や、電源電圧の電圧降下を抑制することができる。よって、表示不良、表示歩留まりの低下を抑制し、また、コンタクト不良、配線の腐食を抑制する配線構造を有する表示装置を提供することができる。

平坦化膜１５８上には、さらに、付加容量電極１９２を設けてもよい。この付加容量電極１９２、接続電極１７６の一部、及び平坦化膜１５８を覆うように容量絶縁膜１９４が形成される。付加容量電極１９２は、容量絶縁膜１９４とその上に形成される発光素子１８０の第１の電極１８２とともに付加容量を形成し、発光素子１８０の発光のばらつきの低減に寄与する。

容量絶縁膜１９４の一部に、平坦化膜１５８を露出する開口１８８を設けてもよい。この開口１８８は、平坦化膜１５８や層間膜１５２から脱離する不純物（水や酸素などのガス）を、開口１８８上に設けられる隔壁１７８側へ移動させるための開口として機能する。

接続電極１７６は容量絶縁膜１９４から一部が露出しており、この露出された部分を覆うように、第１の電極１８２が設けられる。第１の電極１８２の端部を覆うように隔壁１７８が設けられ、これにより、第１の電極１８２に起因する段差を緩和し、その上に形成されるＥＬ層１８４や第２の電極１８６の切断を防止することができる。

発光素子１８０は第１の電極１８２、第２の電極１８６、及びこれらの間に設けられるＥＬ層１８４によって構成される。ＥＬ層１８４は、第１の電極１８２と隔壁１７８を覆うように形成され、その上に第２の電極１８６が設けられる。第１の電極１８２と第２の電極１８６からキャリア（電子、ホール）がＥＬ層１８４へ注入され、ＥＬ層１８４内でキャリアの再結合が生じる。これによってＥＬ層１８４中に含まれる有機化合物の励起状態が形成され、この励起状態が基底状態へ緩和する際に放出されるエネルギーが発光として利用される。したがって、ＥＬ層１８４と第１の電極１８２とが接している領域が発光領域である。

図５ではＥＬ層は三つの層（１８４ａ、１８４ｂ、１８４ｃ）を有する例が示されているが、ＥＬ層の層構造に限定はなく、四つ以上の層が積層されていてもよい。例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層などの各種機能層を適宜積層することで発光素子１８０を構成することができる。

図５では、ＥＬ層１８４ａ、１８４ｃは隣接する画素１０８へも伸びるのに対し、層１８４ｂ（例えば発光層）は一つの画素１０８内のみに選択的に設けられている。このように、隣接する画素１０８間でＥＬ層１８４の構造は異なってもよい。これにより、例えば隣接する画素１０８間で異なる発光色を与えることができる。あるいは、隣接する画素１０８間で同一の構造を有するＥＬ層１８４を形成してもよい。この場合、例えば白色発光可能な発光素子を各画素１０８で構築し、隣接する画素間で光学特性の異なるカラーフィルタを設けることで、種々の色を画素１０８から取り出すことができ、フルカラー表示が可能となる。

発光素子１８０上には、発光素子１８０を保護するためのパッシベーション膜（保護膜）２００を設けてもよい。パッシベーション膜２００の構造も任意に選択することができるが、例えば図５に示すように、三層構造を有することができる。この場合パッシベーション膜２００は、例えば有機化合物を含む有機膜２０４を無機化合物を含む二つの無機膜（第１の無機膜２０２、第２の無機膜２０６）で挟持する構造をとることができる。

パッシベーション膜２００上には、充填剤２１０を介して第２基板１０４が設けられる。第２基板１０４により、パッシベーション膜２００やそれより下に設けられる各素子が保護される。

［端子電極及び各種配線の構成及び断面］
図６に、表示装置１００が有する複数の端子電極１１６、映像信号線駆動回路（ドライバＩＣ）１２０、及び、映像信号線駆動回路（ドライバＩＣ）１２０と表示領域の各種配線を接続する配線の一部の領域の平面模式図を示す。図７に、図６に示す複数の端子電極１１６のＡ１−Ａ２間の断面模式図を示す。また、図８に、図６に示す配線のＢ１−Ｂ２間の断面模式図を示す。なお、図６に示す平面模式図、図７及び図８に示す断面模式図は一例であって、これに限定されるものではない。

図７に示す複数の端子電極１１６には、映像信号、回路の動作を制御するタイミング信号などを出力する機器や電源などと表示装置１００とを接続する配線基板（図示せず）が接続される。配線基板と接続される複数の端子電極１１６との接点は、外部に露出している。

端子電極１１６は、ゲート絶縁膜１６４に接し、第１導電層１６８ａと、第１導電層１６８ａ上に設けられた第２導電層１６８ｂと、第２導電層１６８ｂの上面及び側面、並びに第１導電層１６８ａの側面に接し、層間膜１５２上に端部が配置される第３導電層１６８ｃを含む多層配線構造を有する。また、端子電極１１６は、接続電極１７６が前記第３導電層に接し、ゲート絶縁膜上に端部が配置される構造を有している。さらに、端子電極１１６は、第２の無機膜２０６が、接続電極１７６及びゲート絶縁膜１６４に接している。なお、接続電極１７６の一部は第２の無機膜２０６がなく、開口されている。

端子電極１１６は、第３導電層が第２導電層の側面を覆うことで、配線１６８形成後の平坦化膜１５８を形成する際のエッチングのガス、現像液及び剥離液に侵されることがない。また、第２導電層がサイドエッチングされることもない。よって、図７に示すように、端子電極１１６が有するテーパーの加工形状を安定して形成することができる。

また、端子電極１１６が有するテーパー形状が安定することで、接続電極１７６の膜厚が薄くても、接続電極１７６と端子電極１１６の良好なカバレージを実現することができる。

さらに、第３導電膜が第２導電膜の側面を覆っているため、接続電極１７６が第２導電膜と接することがない。よって、例えば、第２導電膜にアルミニウム（Ａｌ）、接続電極１７６にインジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）を用いた場合、アルミニウム（Ａｌ）の腐食を抑制することができる。

また、アルミニウム（Ａｌ）が露出することがないので、表示装置の張り合わせ工程の後の端子領域１１４の開口において、エッチングガスを用いた際に、異物が生じない。よって、端子電極１１６のコンタクトが安定して形成できる。

さらに、端子電極１１６は、映像信号、回路の動作を制御するタイミング信号などが入力される。端子電極１１６のコンタクトが良好で、配線も安定して形成されることから、配線を通る信号の遅延や、電源電圧の電圧降下を抑制することができる。

図８に示す引き回し配線１２５は、ゲート絶縁膜１６４に接し、第１導電層１６８ａと、第１導電層１６８ａ上に設けられた第２導電層１６８ｂと、第２導電層１６８ｂの上面及び側面、並びに第１導電層１６８ａの側面に接し、層間膜１５２上に端部が配置される第３導電層１６８ｃを含む多層配線構造を有する。

図８に示す引き回し配線１２５は、映像信号線駆動回路（ドライバＩＣ）１２０から出力された信号を表示領域の各種配線に送る役割を果たす。よって、配線を通る信号の遅延や、電源電圧の電圧降下を抑制することができる。

図９は、第２導電層の膜厚を厚く形成する場合の断面図を示す。第２導電膜を厚く形成することで、配線の抵抗を小さくすることができる。したがって、配線を通る信号の遅延をさらに抑制し、配線に印可される電源電圧の電圧降下をさらに抑制することができる。

図１０は、第２導電層の端部が、第１導電層の端部よりも内側に設けられた場合の断面図を示す。第２導電層が第１導電層よりも内側に設けられることで、第３導電層が第２導電膜を確実に覆うことができる。つまり、第３導電層と第２導電膜のカバレージを向上させることができる。

（第２実施形態）
本実施形態では、本発明の実施形態の一つに係る表示装置１００の作製方法に関し、表示装置を例に、図１１乃至図１７を用いて説明する。なお、以下に示す表示装置の製造方法は一例であって、これに限定されるものではない。

［作製方法］
＜第１基板、トランジスタ、容量＞
第１基板１０２上に下地膜１４０を形成する（図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ））。下地膜１４０は第１基板１０２から不純物の拡散を防ぐ機能を有し、例えば酸化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素などの無機化合物を用い、ＣＶＤ法などで形成される。図１１では下地膜１４０が単層構造を有するように描かれているが、下地膜１４０は複数の無機化合物の層が積層された構造を有していてもよい。例えば、酸化ケイ素／窒化ケイ素／酸化ケイ素の三層構造、あるいは窒化ケイ素／酸化ケイ素の二層構造などを採用することができる。

次に図１１（Ｃ）に示すように、下地膜１４０上に半導体膜１６２を形成する。半導体膜１６２はシリコンや酸化物半導体を含むことができ、ＣＶＤやスパッタリング法によって形成することができる。酸化物半導体としては、例えばインジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＧＯ）やインジウム、ガリウム、亜鉛の混合酸化物（ＩＧＺＯ）などを使用することができる。半導体膜１６２の結晶性も任意に選択することができ、アモルファス、微結晶、多結晶、単結晶のいずれでもよい。また、これらのモルフォロジーが混在していてもよい。

引き続き、半導体膜１６２上にゲート絶縁膜１６４を単層、あるいは積層構造で形成する（図１２（Ａ））。ゲート絶縁膜１６４は、下地膜１４０で用いる材料を適宜組み合わせて形成することができる。形成方法も、下地膜１４０の形成で適用可能な方法から選択することができる。

次に図１２（Ａ）に示すように、半導体膜１６２と重なるように、ゲート絶縁膜１６４上にゲート電極１６６や保持容量の電極１７２を形成する。ゲート電極１６６と保持容量の電極１７２は同時に形成することができるため、これらは同一の層内に存在することができる。ゲート電極１６６や保持容量の電極１７２は、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）などの金属やその合金を単層、あるいは積層構造で形成することができる。例えば（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの導電性の高い金属と、チタン（Ｔｉ）やモリブデン（Ｍｏ）などのブロッキング性の高い金属を積層して形成してもよい。具体的には、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）／アルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）／アルミニウム（Ａｌ）／タングステン（Ｗ）などの積層構造を採用することができる。ゲート電極１６６や保持容量の電極１７２の形成方法としては、例えばＭＯＣＶＤ法やスパッタリング法などが挙げられる。

必要に応じ、半導体膜１６２に対してドーピング処理を行ってもよい。これにより、チャネル領域とともに、チャネル領域を挟み、不純物を含有する一対のソース／ドレイン領域を形成することができる。

次にゲート電極１６６、保持容量１３８の電極１７２上に層間膜１５２を形成する（図１２（Ｂ））。層間膜１５２は下地膜１５０やゲート絶縁膜１６４で用いる材料を適宜組み合わせて、単層あるいは積層構造で形成することができる。例えば窒化ケイ素と酸化ケイ素の積層構造を採用することができる。

この後、層間膜１５２とゲート絶縁膜１６４に対してエッチングを行い、ソース／ドレイン領域に達する開口を形成する（図１２（Ｂ））。エッチングは例えばフッ素を含有するアルカンやアルケンを用いるドライエッチングを適用して行うことができる。

その後、開口を覆うように金属膜を形成し、金属膜をエッチングによって加工することで、ソース／ドレイン電極１６８＿１及び１６８＿２を形成する（図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ））。

ソース／ドレイン電極１６８＿１及び１６８＿２の形成方法をより詳細に説明する（図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ））。

はじめに、ソース／ドレイン電極１６８＿１及び１６８＿２の金属膜として、第１導電層１６８ａを形成する。続いて、第２導電層１６８ｂを形成する。そして、第１導電層１６８ａ及び第２導電層１６８ｂを一括でエッチングする。この時のエッチングはドライエッチングであることが好ましい。また、エッチングガスは、Ｃｌ₂、ＢＣｌ₃などの塩素系ガスが用いられる。塩素系ガスにＮ２ガスをいれてもよい。

次に、ソース／ドレイン電極１６８＿１及び１６８＿２の金属膜として、第３導電層１６８ｃを形成する。そして、第３導電層１６８ｃをエッチングし、ソース／ドレイン電極１６８＿１及び１６８＿２を形成する（図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ））。

ソース／ドレイン電極１６８＿１及び１６８＿２は、以上のように、第１導電層１６８ａ及び第２導電層１６８ｂの加工、第３導電層１６８ｃの加工、の２段階の加工で形成する。第３導電層１６８ｃは、第２導電層１６８ｂの側面、並びに第１導電層１６８ａの側面に接し、層間膜１５２上に端部が配置される。第２導電層１６８ｂの側面が、引き続いて形成される平坦化膜１５８を形成する際のエッチングのガス、現像液及び剥離液に侵されることがない。また、第２導電層がサイドエッチングされることもない。よって、テーパーの形状が、安定して形成できる。また、平坦化膜１５８のカバレージも良好となる。よって、表示不良、表示歩留まりの低下を抑制し、また、コンタクト不良、配線の腐食を抑制する配線構造を有する表示装置を提供することができる。

また、ソース／ドレイン電極１６８＿１は、映像信号線１２８と電気的に接続されている。したがって、配線を通る信号の遅延や、電源電圧の電圧降下を抑制することができる。よって、表示不良、表示歩留まりの低下を抑制し、また、コンタクト不良、配線の腐食を抑制する配線構造を有する表示装置を提供することができる。

第１導電層は、Ｍｎ（マンガン）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）などの金属やその合金で形成することができる。

第２導電層は、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、ネオジム（Ｎｄ）、などの金属やその合金で形成することができる。

第３導電層１６８ｃは、Ｍｎ（マンガン）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）などの金属やその合金で形成することができる。

第１導電層、第２導電層および第３導電層１６８ｃは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの導電性の高い金属と、チタン（Ｔｉ）やモリブデン（Ｍｏ）などのブロッキング性の高い金属を積層して形成される。具体的には、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）／アルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）／アルミニウム（Ａｌ）／タングステン（Ｗ）などの積層構造を採用することができる。さらに、第３導電層の上に窒化チタン（ＴｉＮ）を形成してもよい。例えば、第３導電層にチタン（Ｔｉ）を用いた場合、チタン（Ｔｉ）の上に窒化チタン（ＴｉＮ）を形成することで、表面処理をするためのフッ酸を用いた処理におけるチタン（Ｔｉ）の酸化を防止することができる。

第１導電層、第２導電層及び第３導電層１６８ｃの形成方法としては、例えばＭＯＣＶＤ法やスパッタリング法などが挙げられる。

ソース／ドレイン電極１６８＿２の一部は、保持容量の電極１７２と重なるように形成される。以上の工程により、トランジスタ１６０と容量１３８が形成される。図示していないが、金属膜の形成とエッチングにより、端子電極１１６なども同時に形成される。

ここまでのステップにより、第１基板１０２上には駆動トランジスタ１３４と容量１３８に起因する凹凸が発生しているが、平坦化膜１５８を形成することでこの凹凸を吸収し、平坦な表面を与えることができる（図１５（Ａ））。平坦化膜１５８は例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂、ポリイミド、ポリシロキサンなどの高分子材料を用い、スピンコート法やディップコーティング法、印刷法などによって形成することができる。なお図示していないが、平坦化膜１５８上にさらに保護膜（例えば無機絶縁膜で形成された保護膜）を形成してもよい。

＜発光素子、付加容量＞
次に、平坦化膜１５８に対してエッチングを行い、ソース／ドレイン電極１６８の一部を露出する（図１４（Ａ））。そしてこの開口を覆うように、接続電極１７６を形成する（図１４（Ｂ））。接続電極１７６はインジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム―亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透光性を有する導電性酸化物を含むことができ、スパッタリング法やゾル―ゲル法などを適用して形成することができる。なお、接続電極１７６の形成は任意であるが、形成することにより、のちのプロセスにおいてソース／ドレイン電極１６８に対するダメージを防止、軽減することができ、その結果、ソース／ドレイン電極１６８―発光素子１８０間の電気的接続において、コンタクト抵抗の発生を効果的に抑制することができる。

引き続き、付加容量電極１９２を平坦化膜１５８上に形成する（図１５（Ａ））。付加容量電極１９２もゲート電極１６６やソース／ドレイン電極１６８と同様の構成を有することができる。その後、容量絶縁膜１９４を形成する（図１５（Ａ））。容量絶縁膜１９４は平坦化膜１５８を保護するとともに、付加容量１９０の誘電体膜として機能する。容量絶縁膜１９４には接続電極１７６の一部（底面）を露出するための開口が設けられる。この時、平坦化膜１５８を露出する開口１８８を形成してもよい。

次に発光素子１８０の第１の電極１８２を、接続電極１７６を覆うように、かつ、付加容量電極１９２と重なるように、容量絶縁膜１９４上に形成する（図１５（Ｂ））。第１の電極１８２には、可視光を反射する金属や、可視光を透過する導電性酸化物などを用いることができる。発光素子１８０からの発光を基板１１０側から取り出す場合には、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透光性を有する導電性酸化物を用い、スパッタリング法やゾル―ゲル法などを適用して第１の電極１８２を形成すればよい。逆に、発光素子からの発光を基板１１０とは反対の側から取り出す場合には、例えばアルミニウムや銀などの反射率の高い金属を第１の電極１８２に用いればよい。この際、これらの金属の上、及び／あるいは下に導電性酸化物を積層してもよい。例えば、ＩＴＯ／銀／ＩＴＯ、ＩＺＯ／アルミニウム／ＩＺＯなどの積層構造を採用することができる。ここまでのプロセスにより、付加容量電極１９２、容量絶縁膜１９４、及び第１の電極１８２によって構成される付加容量１９０が形成される（図１６）。

次に第１の電極１８２の端部を覆うように絶縁膜を形成し、隔壁１７８を形成する（図１６）。隔壁１７８は第１の電極１８２の端部を覆うことで第１の電極１８２と第２の電極１８６間のショートを防ぐのみならず、隣接する画素１０８同士を電気的に分離する機能を有する。隔壁１７８には、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂、ポリイミドやポリアミド、ポリシロキサンなどの高分子材料を用いることができる。

隔壁１７８の形成後、ＥＬ層１８４、ならびに第２の電極１８６を形成する（図１６）。上述したようにＥＬ層１８４は、第１の電極１８２と第２の電極１８６から注入された電荷の再結合を担う層であり、各種の機能層を組み合わせて形成される。ＥＬ層１８４は、蒸着法やインクジェット法、スピンコーティング法などを利用して形成することができる。

第２の電極１８６は、第１の電極１８２と同様の材料を用いることができる。ＥＬ層１８４からの発光を第１の電極１８２側から取り出す場合には、第２の電極１８６には可視光に対して高い反射率を有する材料が好ましく、例えば銀やアルミニウムなどを用いることができる。これらの材料に蒸着法、あるいはスパッタリング法などを適用し、第２の電極１８６を形成することができる。一方、第２の電極１８６側から光を取り出す場合、ＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を用いることができる。あるいは、マグネシウムや銀、あるいはこれらの合金を用い、可視光が透過する程度の厚さ（数〜数十ｎｍ）で形成することができる。これらの金属あるいは合金上に導電性酸化物を積層させて第２の電極１８６を形成してもよい。以上のプロセスにより、発光素子１８０、付加容量１９０が形成される。

＜パッシベーション膜、第２基板＞
次に、第２の電極１８６上にパッシベーション膜２００を形成する（図１６）。このパッシベーション膜２００は外部から発光素子へ水や酸素などの不純物が浸入することを防ぐ機能を有する。パッシベーション膜２００の一例として図１７に示す三層構造が挙げられる。この場合、パッシベーション膜２００は、有機化合物を含む有機膜２０４を無機化合物を含む二つの無機膜（第１の無機膜２０２、第２の無機膜２０６）で挟持された構造を持つことができる。

第１の無機膜２０２は、第２の電極１８６の上に形成される（図１６）。第１の無機膜２０２は、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機材料を含むことができ、下地膜１５０と同様の手法で形成することができる。

引き続き有機膜２０４を形成する（図１６）。有機膜２０４は、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、ポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含むことができる。また、図１７に示すように、隔壁１７８に起因する凹凸を吸収するよう、また、平坦な面を与えるような厚さで有機膜２０４を形成してもよい。有機膜２０４はインクジェット法や印刷法などの湿式成膜法によって形成することもできるが、上記有機樹脂の原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第１の無機膜２０２に吹き付けて、その後オリゴマーを重合することによって形成してもよい。

その後、第２の無機膜２０６を形成する（図１６）。第２の無機膜２０６は、第１の無機膜２０２と同様の構造を有し、同様の方法で形成することができる。以上の工程により、パッシベーション膜２００が形成される。パッシベーション膜２００を形成することで、不純物が表示装置１００内へ侵入することを防ぎ、表示装置１００の信頼性を向上させることができる。

次に、パッシベーション膜２００の上に充填剤２１０を介して第２基板１０４を設置する（図１７）。充填剤２１０はパッシベーション膜２００と第２基板１０４を接着する機能を有しており、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などを用いることができる。充填剤２１０に乾燥材を混合してもよい。第２基板１０４は、第１基板１０２と同様の基板を用いることができる。この場合、第２基板１０４は、対向基板と呼ばれることもある。図示しないが、任意の構成として、パッシベーション膜２００と充填剤２１０の間、あるいは第２基板１０４上にタッチセンサを設けてもよい。典型的なタッチセンサの例として、投影型静電容量方式のタッチパネルが挙げられる。パッシベーション膜２００と充填剤２１０の間にカラーフィルタや遮光膜、偏光板を形成してもよい。

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本明細書においては、開示例として主に表示装置を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００・・・表示装置、１０２・・・第１基板、１０４・・・第２基板、１０６・・・表示領域、１０８・・・画素、１０９・・・映像信号線、１１０・・・走査信号線、１１１・・・シール材、１１４・・・端子領域、１１６・・・接続端子、１１８・・・走査信号線駆動回路、１２０・・・映像信号線駆動回路（ドライバＩＣ）、１２５・・・引き回し配線、１２６・・・基準電位線、１２８・・・駆動電源線、１３０・・・画素回路、１３２・・・選択トランジスタ、１３４・・・駆動トランジスタ、１３６・・・発光素子、１３８・・・保持容量、１４０・・・下地膜、１５２・・・層間膜、１５８・・・平坦化膜、１６２・・・半導体層、１６４・・・ゲート絶縁膜、１６６・・・ゲート電極、１６７、１６８＿１、１６８＿２、１６９・・・ソース／ドレイン電極、１６８ａ・・・第１導電層、１６８ｂ・・・第２導電層、１６８ｃ・・・第３導電層、１７２・・・保持容量の電極、１７６・・・接続電極、１７８・・・隔壁、１８０・・・発光素子、１８２・・・第１の電極、１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ、１８１ｄ・・・ゲート絶縁膜の開口部、１８４ａ、１８４ｂ、１８４ｃ、１８４ｄ、１８５・・・開口部、１８４、１８４ａ、１８４ｂ、１８４ｃ・・・ＥＬ層、１８６・・・第２の電極、１８８、１９０・・・開口、１９２・・・付加容量電極、１９４・・・容量絶縁膜、２００・・・パッシベーション膜、２０２・・・第１の無機膜、２０４・・・有機膜、２０６・・・第２の無機膜、２１０・・・充填剤

Claims (20)

1. 一方向及び前記一方向と交差する方向に配列する複数の画素と、
   前記複数の画素のうち前記一方向に配列する画素に沿って延伸する第１配線と、
   前記複数の画素のうち前記一方向と交差する方向に配列する画素に沿って延伸する第２配線と、を含み、
   前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一方は、絶縁表面に接して設けられた第１導電層と、前記第１導電層上に設けられた第２導電層と、前記第２導電層の上面及び側面、並びに前記第１導電層の側面に接し、前記絶縁表面上に端部が配置される第３導電層と、を含むこと、を特徴とする表示装置。
2. 前記第１導電層と前記第２導電層は、長手方向に交差する方向の断面形状がテーパー形状である、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２導電層の端部が、前記第１導電層の端部より内側に設けられている、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１配線が走査信号線であり、前記第２配線が映像信号線である、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１配線と前記第２配線との間に第１絶縁層を有する、請求項１に記載の表示装置。
6. 透光性導電層をさらに有する、請求項１に記載の表示装置。
7. 端子電極をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
8. 前記端子電極は、前記第１導電層、前記第２導電層、前記第３導電層が積層された構造を有する、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記端子電極は、前記複数の画素の外側に配置されること、を特徴とする、請求項７又は請求項８に記載の表示装置。
10. 前記端子電極は、第１開口部を有する、請求項７乃至請求項９のいずれか一項に記載の表示装置。
11. 前記第１開口部は前記端子電極よりも内側を開口することを特徴とする、請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一方は、少なくとも一部の領域に第２開口部を有する、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の表示装置。
13. 前記第２開口部は、前記第１配線及び前記第２配線よりも内側に設けられることを特徴とする、請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一方と前記透光性導電層との間に第２絶縁層を有する、請求項６に記載の表示装置。
15. 前記透光性導電層は、前記第２開口部を介して、前記第３導電層及び前記第２絶縁層と接することを特徴とする、請求項６乃至請求項１４のいずれか一項に記載の表示装置。
16. 前記第１導電層は、前記第２導電層よりも抵抗率が高い材料を用いることを特徴とする、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の表示装置。
17. 前記第３導電層は、前記第２導電層よりも抵抗率が高い材料を用いることを特徴とする、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の表示装置。
18. 前記第３導電層は、Ｍｎ（マンガン）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）から選ばれた一種又は複数種の金属元素を含む、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の表示装置。
19. 前記第２導電層は、アルミニウム又はアルミニウムを含む金属である、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の表示装置。
20. 前記透光性導電層は、ＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）から選ばれた一種である、請求項６に記載の表示装置。

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