JP2018093086A - シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
シリコンウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018093086A JP2018093086A JP2016236068A JP2016236068A JP2018093086A JP 2018093086 A JP2018093086 A JP 2018093086A JP 2016236068 A JP2016236068 A JP 2016236068A JP 2016236068 A JP2016236068 A JP 2016236068A JP 2018093086 A JP2018093086 A JP 2018093086A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ingot
- wafer
- silicon
- cutting
- grinding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 51
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 18
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 13
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 12
- 238000013441 quality evaluation Methods 0.000 claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 68
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 56
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
近年、顧客からは、シリコンウェーハの端部まで効率的に使うために、サンプルウェーハの評価をより端部まで行って欲しいという要望があり、シリコンウェーハの端部における測定値の提出を要求されるようになっている。
第1研削工程および仮ノッチ形成工程により、たとえば、{100}の位置にノッチを形成した場合であっても、第2研削工程および第2ノッチ形成工程により、通常の{110}の位置に再加工することができる。したがって、{100}ノッチ位置のインゴットブロックが、規格から外れても、再度のノッチ形成により通常の{110}の位置にノッチを形成することができ、再利用することができる。
この発明によれば、これらのシリコン検査試料の評価は、ウェーハ端部における測定値が悪くなるため、シリコン検査試料をより端部まで評価する上で好ましい。
[1]インゴットブロックIB2の製造方法
図1および図2には、本発明の実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法が示されている。本実施形態のシリコンウェーハの製造方法は、結晶引き上げ工程S1、結晶加工工程S2、および結晶検査工程S3、およびウェーハ製造工程S4に大別される。
結晶引き上げ工程S1では、引き上げ装置を用いて、チョクラルスキー法等によりシリコン単結晶のインゴットIG0の引き上げ(育成)を行う。インゴットIG0の引き上げ方向に直交する径寸法は、たとえば、300mmφのシリコンウェーハの場合、308mmφ以上の寸法とする。
インゴット加工工程S21の後は、円柱状のインゴットの外周を研削する第1研削工程S22を実施する。第1研削工程S22は、図示を略したが、たとえば、インゴットの端部を回転可能にクランプ保持して、インゴットを回転させながら、メタルボンドホイールを備えた研削ユニットを、インゴットの回転軸に沿って移動させ、インゴットの外周面を全体に亘ってトラバース研削することにより行われる。
第1研削工程S22では、引き上げ時のインゴットIG0の径寸法308mmφ以上に対して、ウェーハ製造工程用の径寸法301mmφよりも大きな径寸法が304mmφとなるように研削を行い、円柱状のインゴットIG1を得る。
このブロック切断工程S24と並行して、サンプル切出工程S25を実施する。サンプル切出工程S25は、ブロック切断工程S24と交互に行われ、インゴットブロックIB1の切断、サンプルウェーハSWの切出を繰り返すことにより、インゴットIG1から複数枚のサンプルウェーハSWの切り出しを行う。
第2研削工程S26の後、図示を略したが、第2ノッチ形成工程を実施する。第2ノッチ形成工程は、第1ノッチ形成工程S23と同様に切削加工で断面V字状のノッチを、インゴットブロックIB2の円柱の軸に沿って形成する。
第2ノッチ形成工程におけるノッチの形成は、品質評価により客先要求を満足していれば同じノッチ位置とし、満足していない場合は別用途として第2ノッチを第1ノッチと異なる位置に加工する場合がある。
シリコンウェーハの結晶検査工程S3では、切り出したサンプルウェーハSWを扇状に4等分して評価対象となるシリコン検査試料とし、それぞれのサンプルウェーハ片について、格子間酸素濃度測定、抵抗率測定、再結合ライフタイム測定、および酸素誘起積層欠陥評価の4つの品質を評価する品質評価工程S31を実施する。以下、各測定方法について説明する。
格子間酸素濃度測定は、サンプルウェーハ片に、HF:HNO3=1:5エッチング液によりエッチング処理を行い、650℃×45minまたは1100℃×60minの雰囲気でドナーキラー熱処理を行った後、格子間酸素濃度の測定を行う。格子間酸素濃度の測定は、フーリエ変換赤外分光光度計(FT−IR)を用いて行う。
抵抗率測定は、サンプルウェーハ片に、HF:HNO3=1:5エッチング液によりエッチング処理を行い、650℃×45minまたは1100℃×60minの雰囲気でドナーキラー熱処理を行った後、表面研磨を行い、抵抗率の測定を行う。抵抗率の測定は、四探針法により行い、測定された抵抗値に抵抗率補正係数を乗じて、抵抗率を求める。
再結合ライフタイム測定は、サンプルウェーハ片に、HF:HNO3=1:5エッチング液によりエッチング処理を行い、さらにフッ酸洗浄を行い、1000℃×10minの雰囲気の酸化熱処理により、サンプル表面に酸化膜形成を行った後、再結合ライフタイムの測定を行う。再結合ライフタイムの測定は、マイクロ波光導電減衰法(μ−PCD法:Microwave Photo Conductivity Decay)により行う。
酸素誘起積層欠陥評価は、サンプルウェーハ片に、HF:HNO3=1:5エッチング液によりエッチング処理を行い、製品仕様に応じて雰囲気を変更した酸化熱処理を行い、酸化膜を除去し、セコ液、ライト液、ダッシュ液等製品仕様に応じたエッチング液を用いて選択エッチングを行った後、顕微鏡を用いて欠陥の数をカウントするにより、OSFを評価する。
なお、以下の実施例では第1研削工程によるインゴット径として304mmφを記載したが、この値に限定されるものではない。インゴット径は、客先がシリコンウェーハ外周端部からどの位置まで品質保証を要求するかに依存し、加えて、品質項目にも依存する。
例えば、中心から148mmの[Oi]値の保証が要求された場合には、検査試料の外周端部から6mmまで保証可能なので、第1研削後の直径は308mmφとなる。
また、以下の実施例では300mmウェーハの事例を示したが、これに限定されるものではなく200mmφ、450mmφにも適用できる。
比較例:従来の方法により、インゴットの研削工程を1回のみとし、径寸法301mmφのサンプルウェーハを、扇状に4等分に分割してサンプルウェーハ片とし、各種測定を行った。
図4に示すように、比較例である301mmφのサンプルウェーハでは、サンプルウェーハの外周端部から4mm内側の位置から[Oi]の値が上昇してしまい、外周端部から6mm以内の位置までしか[Oi]の値を保証することができなかった。
これに対して、実施例のサンプルウェーハでは、サンプルウェーハの外周端部が比較例よりも1.5mm大きくなっているので、サンプルウェーハの外周端部から2mm内側の位置で[Oi]の値が上昇し、外周端部から4mm以内の位置まで[Oi]の値を保証できることがわかる。なお、図4において、150mmの位置がウェーハの端部近傍となり、301mmφの比較例では、150.5mmがサンプルウェーハの端部であり、304mmφの実施例では、152mmがサンプルウェーハSWの端部となる。
このような結果となったのは、サンプルウェーハが、エッチング処理により、外周端部の方がエッチングされ易くなり、外周端部が薄くなったためと推測される。
ρ測定では、図5(A)に示すように、サンプルステージSTに対して、通常の測定位置による測定(304mmφに相当)と、図5(B)に示すように、サンプルウェーハSWを外周側に1mmずらした位置(301mmφに相当)で測定した結果を比較した。結果は、図6に示すように、径寸法の小さい301mmφの方が、より外周端部側での計測となってしまうため、ウェーハ中心から150mm位置での抵抗率のずれが大きくなっている。したがって、比較例では、外周端部から3mm内側の位置までしか抵抗率の値を保証できないが、実施例では、外周端部から2mm内側の位置まで抵抗率を保証することができる。
これは、外周端部側になるにつれ、抵抗率補正係数が大きくなるため、わずかなサンプルウェーハの測定位置のずれの影響を受けているためであると推測される。
再結合ライフタイム測定は、図7に示すように、ウェーハ製造工程用のシリコンウェーハの径寸法となる301mmφを基準として、サンプルウェーハSWの外周端部から3mm内側の位置(In3)、5mm内側の位置(In5)、10mm内側の位置(In10)におけるμ−PCD法による測定を行い、円周方向に複数箇所測定し、再結合ライフタイム測定結果のヒストグラムを作成した。
結果は、図8に示すように、比較例では、径寸法301mmφの外周端部ぎりぎりからの測定となるため、再結合ライフタイム値が低くなっている。これに対して、実施例では、再結合ライフタイム値が低くなっているものは見られない。
サンプルウェーハ片の汚染度を測定したところ、図9に示すように、サンプルウェーハ片の直線部分と、円弧部分の複数箇所において、汚染度が高い(色が濃い)箇所が発見された。汚染源は、直線部分の汚染がエッチング処理における治具保持による汚染、円弧部分が酸化熱処理における熱処理ボートとの接触に起因するものと推測される。
OSF評価についてもサンプルウェーハの外周部は、再結合ライフタイム測定と同様に、汚染等の影響でOSFが発生し易いため、比較例の場合、外周端部から5mm内側の位置よりも外側をOSF評価の除外領域としていた。実施例の場合、1.5mm外周端部が大きくなっているため、3.5mm内側の位置よりも外側をOSF評価の除外領域とすることができる。
Claims (3)
- 育成されたシリコン単結晶のインゴットを複数のインゴットブロックに切断し、前記複数のインゴットブロックからシリコンウェーハを製造するシリコンウェーハの製造方法であって、
円柱状のインゴットの外周を、ウェーハ製造工程用のインゴットブロックの径寸法よりも大きな径寸法に研削する第1研削工程と、
前記第1研削工程の後の円柱状のインゴットを、円柱の軸方向に複数のインゴットブロックに切断するブロック切断工程と、
前記複数のインゴットブロックのそれぞれから、評価対象となるシリコン検査試料を切り出すサンプル切出工程と、
切り出された前記シリコン検査試料を用い、品質評価を行う品質評価工程と、
切断されたそれぞれのインゴットブロックの外周を、ウェーハ製造工程用の径寸法に研削する第2研削工程と、
前記第2研削工程の後のそれぞれのインゴットブロックの外周に、インゴットブロックの結晶方位に応じてノッチを形成するノッチ形成工程と、
ノッチを形成した前記インゴットブロックのそれぞれからシリコンウェーハを切り出すウェーハ製造工程と、
を実施することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法において、
前記第1研削工程の後、前記ブロック切断工程の前に、前記円柱状のインゴットの外周に、仮のノッチを形成する仮ノッチ形成工程を実施することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載のシリコンウェーハの製造方法において、
前記品質評価工程は、前記シリコン検査試料の格子間酸素濃度測定、抵抗率測定、再結合ライフタイム測定、および酸素誘起積層欠陥評価のうち、少なくともいずれかを実施することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016236068A JP6332422B1 (ja) | 2016-12-05 | 2016-12-05 | シリコンウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016236068A JP6332422B1 (ja) | 2016-12-05 | 2016-12-05 | シリコンウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6332422B1 JP6332422B1 (ja) | 2018-05-30 |
JP2018093086A true JP2018093086A (ja) | 2018-06-14 |
Family
ID=62236474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016236068A Active JP6332422B1 (ja) | 2016-12-05 | 2016-12-05 | シリコンウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6332422B1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021005626A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | 株式会社Sumco | 単結晶シリコンの抵抗率測定方法 |
JP2021040006A (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 株式会社Sumco | 単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法 |
KR20210047741A (ko) | 2019-10-22 | 2021-04-30 | 엘지전자 주식회사 | 변환 부재 및 이를 포함하는 전기 청소기 |
KR20210134633A (ko) | 2019-03-06 | 2021-11-10 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 단결정의 저항률 측정방법 |
JP7487655B2 (ja) | 2020-12-23 | 2024-05-21 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの抵抗率測定方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008003085A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Siltronic Ag | 半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出する方法および装置 |
JP2008177287A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体ウェハ |
JP2013220962A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Sumco Corp | シリコンウェーハの製造方法 |
-
2016
- 2016-12-05 JP JP2016236068A patent/JP6332422B1/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008003085A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Siltronic Ag | 半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出する方法および装置 |
JP2008177287A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体ウェハ |
JP2013220962A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Sumco Corp | シリコンウェーハの製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210134633A (ko) | 2019-03-06 | 2021-11-10 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 단결정의 저항률 측정방법 |
DE112020000710T5 (de) | 2019-03-06 | 2021-11-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Verfahren zum Messen des spezifischen Widerstands eines Silizium-Einkristalls |
JP2021005626A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | 株式会社Sumco | 単結晶シリコンの抵抗率測定方法 |
JP7172878B2 (ja) | 2019-06-26 | 2022-11-16 | 株式会社Sumco | 単結晶シリコンの抵抗率測定方法 |
JP2021040006A (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 株式会社Sumco | 単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法 |
JP7230746B2 (ja) | 2019-09-02 | 2023-03-01 | 株式会社Sumco | 単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法 |
KR20210047741A (ko) | 2019-10-22 | 2021-04-30 | 엘지전자 주식회사 | 변환 부재 및 이를 포함하는 전기 청소기 |
JP7487655B2 (ja) | 2020-12-23 | 2024-05-21 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの抵抗率測定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6332422B1 (ja) | 2018-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6332422B1 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
US10513798B2 (en) | Method for determining defect region | |
KR20160093615A (ko) | 면취 가공 장치 및 노치리스 웨이퍼의 제조 방법 | |
JP2011003773A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
US10526728B2 (en) | Silicon wafer and method for manufacturing same | |
KR20060024800A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP6025070B2 (ja) | シリコン単結晶の品質評価方法 | |
JP2011005604A (ja) | 単結晶インゴットの円筒研削方法 | |
JP7487655B2 (ja) | シリコンウェーハの抵抗率測定方法 | |
CN111624460B (zh) | 一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法 | |
JP6610443B2 (ja) | 半導体シリコンウェーハの表面欠陥検査方法 | |
TWI737339B (zh) | 單結晶矽的電阻率測定方法 | |
JP6773070B2 (ja) | シリコンウェーハの評価方法及びシリコンウェーハの製造方法 | |
TW201921467A (zh) | 載具的製造方法及晶圓的研磨方法 | |
JP6677144B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP6500763B2 (ja) | 双晶欠陥発生領域の除去方法およびシリコンウェーハの製造方法 | |
JP6731161B2 (ja) | シリコン単結晶の欠陥領域特定方法 | |
JP5742739B2 (ja) | 金属汚染評価用シリコン基板の選別方法 | |
TWI742711B (zh) | 單結晶矽的氧濃度或碳濃度的測定方法 | |
KR101523943B1 (ko) | 웨이퍼 제조 공정의 오염 분석 방법 | |
JP2013149753A (ja) | 気相成長装置の清浄度評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2985583B2 (ja) | シリコンウエーハの鏡面加工表面における加工変質層検査方法とその厚さ測定方法 | |
JP2847228B2 (ja) | 半導体治具材料の評価方法 | |
KR20240124060A (ko) | 비저항 평가용 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 | |
JP7207214B2 (ja) | 抵抗率測定装置の管理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180403 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180416 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6332422 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |