JP2018064092A - ウエハ積層体、その製造方法、及びウエハ積層用接着剤組成物 - Google Patents

ウエハ積層体、その製造方法、及びウエハ積層用接着剤組成物 Download PDF

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Abstract

【課題】支持体とウエハとの接合が容易であり、ウエハの支持体からの剥離も容易で、薄型ウエハの生産性を高めることができる、薄型ウエハ製造に適したウエハ積層体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持体と、該支持体上に形成された接着剤層と、該接着剤層に回路面を有する表面が対向するように積層されたウエハとを備えたウエハ積層体であって、前記接着剤層が、遮光性を有する樹脂Aとシロキサン骨格を含む樹脂Bとを含む接着剤組成物の硬化物であるウエハ積層体。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体分野におけるウエハ積層体、その製造方法、及び該ウエハ積層体の製造に用いる接着剤組成物に関する。
3次元の半導体実装は、より一層の高密度、大容量化を実現するために必須となってきている。3次元実装技術とは、1つの半導体チップを薄型化し、更にこれをシリコン貫通電極(TSV: through silicon via)によって結線しながら多層に積層していく半導体作製技術である。これを実現するためには、半導体回路を形成した基板を非回路形成面(「裏面」ともいう。)研削によって薄型化し、更に裏面にTSVを含む電極形成を行う工程が必要である。従来、シリコン基板の裏面研削工程では、研削面の反対側に裏面保護テープを貼り、研削時のウエハ破損を防いでいる。しかし、このテープは有機樹脂フィルムを支持基材に用いており、柔軟性がある反面、強度や耐熱性が不十分であり、TSV形成工程や裏面での配線層形成工程を行うには適しない。
そこで、半導体基板をシリコン、ガラス等の支持体に接着層を介して接合することによって、裏面研削、TSVや裏面電極形成の工程に十分耐え得るシステムが提案されている。このとき重要なのが、基板を支持体に接合する際の接着層である。これは基板を支持体に隙間なく接合でき、後の工程に耐えるだけの十分な耐久性が必要で、更に最後に薄型ウエハを支持体から簡便に剥離できることが必要である。このように、最後に剥離することから、本明細書では、この接着層を仮接着層(又は仮接着剤層)と呼ぶことにする。
これまでに公知の仮接着層とその剥離方法としては、熱溶融性の炭化水素系化合物を接着剤に用い、加熱溶融状態で接合・剥離を行う技術(特許文献1)が提案されている。しかし、加熱だけで制御するため簡便である反面、200℃を超える高温での熱安定性が不十分であるため、適用範囲は狭かった。
また、シリコーン粘着剤を仮接着剤層に用いる技術が提案されている(特許文献2)。これは、付加硬化型のシリコーン粘着剤を用いて基板を支持体に接合し、剥離の際にはシリコーン樹脂を溶解あるいは分解するような薬剤に浸漬して基板を支持体から分離するものである。そのため、剥離に非常に長時間を要し、実際の製造プロセスへの適用は困難であった。
一方、光吸収性物質を含む接着剤に高強度の光を照射し、接着剤層を分解することによって支持体から接着剤層を剥離する技術(特許文献3)も提案されている。この方法では基板を支持体からの分離する際の基板1枚あたりの処理時間が短くなる利点はあるが、照射された光を熱に変換するため金属化合物を使用する必要があり、基板への金属汚染のおそれがあった。
特開2003−177528号公報 国際公開第2015/072418号 特開2013−534721号公報
本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであって、支持体とウエハとの接合が容易であり、かつ、高段差基板の均一な膜厚での形成も可能であり、TSV形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、更には、CVD(化学的気相成長)といったウエハ熱プロセス耐性に優れ、支持体からのウエハの剥離も容易で、薄型ウエハの生産性を高めることができる、薄型ウエハ製造に適したウエハ積層体及びその製造方法、並びに前記製造方法に用いるウエハ積層用接着剤組成物を提供することを目的とする。
本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、支持体とウエハとを所定の接着剤層を用いて接合させることで得られるウエハ積層体によって、前記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させた。
したがって、本発明は、下記ウエハ積層体、その製造方法、及びウエハ積層用接着剤組成物を提供する。
1.支持体と、該支持体上に形成された接着剤層と、該接着剤層に回路面を有する表面が対向するように積層されたウエハとを備えたウエハ積層体であって、
前記接着剤層が、下記式(1)で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が500〜500,000である樹脂Aと、シロキサン骨格を含む樹脂Bとを含む接着剤組成物の硬化物であるウエハ積層体。
Figure 2018064092
(式中、R1〜R3は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、又は炭素数1〜20の1価の有機基であるが、R1〜R3の少なくとも1つは、ヒドロキシ基である。R4は、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜30の1価の有機基である。)
2.前記接着剤層の波長355nmの光の透過率が、20%以下である1のウエハ積層体。
3.樹脂Bが、下記式(2)で表される繰り返し単位及び必要に応じて下記式(3)で表される繰り返し単位からなる、重量平均分子量が3,000〜500,000のフェノール変性シリコーン樹脂である1又は2のウエハ積層体。
Figure 2018064092
[式中、R5〜R8は、それぞれ独立に、炭素数1〜8の1価炭化水素基を表す。mは、1〜100の整数を表す。A及びBは、0<A≦1、0≦B<1、かつA+B=1を満たす正数である。Yは、下記式(4)で表される2価の有機基である。
Figure 2018064092
(式中、Zは、単結合、又は下記式
Figure 2018064092
から選ばれる2価の有機基である。R9及びR10は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数1〜4のアルキル基、又は直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基である。kは、0、1又は2である。)]
4.前記接着剤組成物が、更に架橋剤を含む1〜3のいずれかのウエハ積層体。
5.前記接着剤組成物が、更に有機溶剤を含む1〜4のいずれかのウエハ積層体。
6.1〜5のいずれかのウエハ積層体の製造方法であって、
(a)支持体に直接接着剤組成物層を形成する工程、
(b)前記接着剤組成物層面と、ウエハの回路形成面とを減圧下に接合する工程、及び
(c)前記接着剤組成物層の熱硬化を行って接着剤層を形成する工程
を含むウエハ積層体の製造方法。
7.6の方法で得られたウエハ積層体の、ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程を含む薄型ウエハの製造方法。
8.下記式(1)で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が500〜500,000である樹脂と、シロキサン骨格を含む樹脂とを含む接着剤組成物。
Figure 2018064092
(式中、R1〜R3は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、又は炭素数1〜20の1価の有機基であるが、R1〜R3の少なくとも1つは、ヒドロキシ基である。R4は、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜30の1価の有機基である。)
本発明によれば、支持体−ウエハを強固に接合して支持しつつ、熱耐性があり、支持体からウエハを容易に分離することができるウエハ積層体を提供することができる。
本発明のウエハ積層体の一例を示す模式図である。
[ウエハ積層体]
本発明のウエハ積層体は、支持体と、該支持体上に形成された接着剤層と、該接着剤層に回路面を有する表面が対向するように積層されたウエハとを備えたウエハ積層体である。本発明のウエハ積層体の構造を具体的に説明すると、例えば、図1に示すように、支持体1とウエハ3とが接着剤層2で接合されているものである。
[支持体]
前記支持体としては、透明基板、シリコンウエハ、セラミック基板等が挙げられるが、支持体を剥離する際に照射するレーザーの透過性の点から、透明基板が好ましい。前記透明基板としては、通常、ガラス基板や石英基板が用いられ、その厚さは、通常300〜1,000μmが好ましく、500〜800μmがより好ましい。
[ウエハ]
前記ウエハは、通常、半導体ウエハである。該半導体ウエハの例としては、シリコンウエハ、ゲルマニウムウエハ、ガリウム−ヒ素ウエハ、ガリウム−リンウエハ、ガリウム−ヒ素−アルミニウムウエハ等が挙げられる。前記ウエハの厚さは、特に限定されないが、通常600〜800μmが好ましく、625〜775μmがより好ましい。
[接着剤層]
接着剤層(仮接着剤層)は、式(1)で表される繰り返し単位を含む樹脂Aと、シロキサン骨格を含む樹脂Bとを含む接着剤組成物を硬化してなるものである。式(1)で表される繰り返し単位は、1種のみが含まれていてもよく、2種以上が含まれていてもよい。
Figure 2018064092
式(1)中、R1〜R3は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、又は炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜10の1価の有機基である。ただし、R1〜R3の少なくとも1つは、ヒドロキシ基である。
前記1価の有機基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ドデシル基、n−ペンタデシル基、n−イコシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルブチル基、アダマンチル基等の直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜20のアルキル基;メトキシ基等の直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜5のアルコキシ基;グリシジルオキシ基等のエポキシ基含有基;フェニル基、ナフチル基等のアリール基等が挙げられる。R1〜R3としては、水素原子、ヒドロキシ基、メチル基等が好ましい。
式(1)中、R4は、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜10の1価の有機基である。R4で表される1価の有機基としては、アルキル基、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ノルボルニル基等が挙げられ、これらの水素原子の一部が、アルキル基、アリール基、アルデヒド基、ハロゲン原子、ニトロ基、ニトリル基、ヒドロキシ基等で置換されていてもよい。
樹脂Aは、通常、無溶媒又は溶媒中で酸又は塩基を触媒として用いて、室温又は必要に応じて冷却又は加熱下にて、ナフトール又はその誘導体とアルデヒド化合物とを重縮合反応させることにより得ることができる。
前記ナフトール又はその誘導体としては、1−ナフトール、2−ナフトール、2−メチル−1−ナフトール、4−メトキシ−1−ナフトール、7−メトキシ−2−ナフトール、1,2−ジヒドロキシナフタレン、1,3−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレン、1,4−ジヒドロキシナフタレン、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、1,7−ジヒドロキシナフタレン、2,7−ジヒドロキシナフタレン、1,8−ジヒドロキシナフタレン、5−アミノ−1−ナフトール、2−メトキシカルボニル−1−ナフトール、1−(4−ヒドロキシフェニル)ナフタレン、6−(4−ヒドロキシフェニル)−2−ナフトール、6−(シクロヘキシル)−2−ナフトール、1,1'−ビ−2−ナフトール、6,6'−ビ−2−ナフトール、9,9−ビス(6−ヒドロキシ−2−ナフチル)フルオレン、6−ヒドロキシ−2−ビニルナフタレン、1−ヒドロキシメチルナフタレン、2−ヒドロキシメチルナフタレン等が挙げられる。前記ナフトール又はその誘導体は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
前記アルデヒド化合物としては、下記式(5)で表されるものが挙げられる。
4−CHO (5)
(式中、R4は、前記と同じ。)
式(5)で表されるアルデヒド化合物としては、例えば、ホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、アダマンタンカルボアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチルベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、1−ナフチルアルデヒド、2−ナフチルアルデヒド、アントラセンカルボアルデヒド、ピレンカルボアルデヒド、フルフラール、メチラール、フタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、ナフタレンジカルボアルデヒド、アントラセンジカルボアルデヒド、ピレンジカルボアルデヒド等が挙げられる。前記アルデヒド化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
前記重縮合反応に用いられる溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、グリセロール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類;ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン(THF)、1,4−ジオキサン等のエーテル類;塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン、トリクロロエチレン等の塩素系溶媒;ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン等の炭化水素類;アセトニトリル等のニトリル類;アセトン、エチルメチルケトン、イソブチルメチルケトン等のケトン類;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等のエステル類;γ−ブチロラクトン等のラクトン類;ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒が挙げられる。これらの溶媒は、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。これらの溶媒は、ナフトール又はその誘導体とアルデヒド化合物との合計100質量部に対し、好ましくは0〜2,000質量部、より好ましくは10〜2,000質量部の範囲で使用できる。
前記重縮合反応に用いられる酸触媒としては、例えば、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、リン酸、ヘテロポリ酸等の無機酸類、シュウ酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の有機酸類、三塩化アルミニウム、アルミニウムエトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、四塩化スズ、四臭化スズ、二塩化ジブチルスズ、ジブチルスズジメトキシド、ジブチルスズオキシド、四塩化チタン、四臭化チタン、チタン(IV)メトキシド、チタン(IV)エトキシド、チタン(IV)イソプロポキシド、酸化チタン(IV)等のルイス酸類が挙げられる。
また、前記重縮合反応に用いられる塩基触媒としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の無機塩基類、メチルリチウム、n−ブチルリチウム、塩化メチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム等のアルキル金属類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムtert−ブトキシド等のアルコキシド類、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N,N−ジメチルアニリン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン等の有機塩基類が挙げられる。
触媒の使用量は、ナフトール又はその誘導体とアルデヒド化合物との合計100質量部に対し、好ましくは0.001〜100質量部、より好ましくは0.005〜50質量部の範囲である。反応温度は−50℃から溶媒の沸点程度が好ましく、室温から100℃が更に好ましい。
重縮合反応方法としては、ナフトール又はその誘導体、アルデヒド類、触媒を一括で仕込む方法や、触媒存在下でナフトール又はその誘導体、アルデヒド類を滴下していく方法が挙げられる。
ナフトール又はその誘導体とアルデヒド化合物との使用比率は、ナフトール又はその誘導体の合計に対し、アルデヒド化合物が、モル比で、好ましくは0.01〜5であり、より好ましくは0.05〜2であり、更に好ましくは0.05〜1であり、最も好ましくは0.1〜0.9である。
重縮合反応終了後、系内に存在する未反応原料、触媒等を除去するために、反応釜の温度を130〜230℃にまで上昇させ、1〜50mmHg程度の減圧下で揮発分を除去したり、適切な溶媒や水を加えてポリマーを分画したり、ポリマーを良溶媒に溶解後貧溶媒中で再沈したりしてもよい。これらは、得られた反応生成物の性質により使い分けることができる。
樹脂Aの重量平均分子量(Mw)は、500〜500,000であるが、1,000〜100,000であることがより好ましい。前記ポリマーの分散度は、1.2〜20の範囲であることが好ましいが、モノマー成分、オリゴマー成分又はMwが500未満の低分子量体をカットすると、ベーク中の揮発成分を抑えることができ、ベークカップ周辺の汚染や揮発成分の落下による表面欠陥の発生を防ぐことができる。なお、本発明においてMwは、THFを溶媒として用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算測定値である。
樹脂Bは、ガラス等の透明基板とシリコンウエハという異種の基板を貼り合わせる目的のため、その接合性の観点から、シリコーン樹脂を用いることが好ましく、特にフェノール変性シリコーン樹脂が好ましい。前記フェノール変性シリコーン樹脂としては、下記式(2)で表される繰り返し単位及び必要に応じて下記式(3)で表される繰り返し単位からなるフェノール変性シリコーン樹脂が好ましい。
Figure 2018064092
式中、R5〜R8は、それぞれ独立に、炭素数1〜8の1価炭化水素基を表す。mは、1〜100の整数を表す。A及びBは、0<A≦1、0≦B<1、かつA+B=1を満たす正数である。Yは、下記式(4)で表される2価の有機基である。
Figure 2018064092
(式中、Zは、単結合、又は下記式
Figure 2018064092
から選ばれる2価の有機基である。R9及びR10は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数1〜4のアルキル基、又は直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基である。kは、0、1又は2である。)]
前記フェノール変性シリコーン樹脂は、Mwが3,000〜500,000であることが好ましく、10,000〜100,000であることがより好ましい。
前記フェノール変性シリコーン樹脂は、例えば、特開2013−110391号公報記載の方法に従って合成することができる。
接着剤組成物中の樹脂Bの含有量は、樹脂A100質量部に対し、100〜500質量部が好ましく、120〜400質量部がより好ましく、150〜300質量部が更に好ましい。樹脂Bの含有量が前記範囲であれば、塗布膜にクラックが入ることがなく、支持体からの剥離性も良好である。
また、樹脂B中のシロキサン単位の含有量は、30〜70質量%が好ましく、また、接着剤層中における樹脂B由来のシロキサン量は、20〜50質量%に制御することが好ましい。このような割合であれば、十分に遮光性が得られ、かつ支持体とウエハとの接合が容易になる。
前記接着剤組成物は、熱反応によって架橋させる架橋剤を含むことが好ましい。前記架橋剤としては、分子内に2個以上の官能基を有するエポキシ化合物、エポキシ樹脂、メチロールメラミン等のアミノ樹脂等が好適に用いられ、これらの架橋剤と前記ポリマーとの架橋反応を促進させるため、更に触媒を添加することが好ましい。
前記エポキシ化合物やエポキシ樹脂としては、2官能、3官能、4官能以上の多官能エポキシ樹脂、例えば、日本化薬(株)製のEOCN-1020(下記式参照)、EOCN-102S、XD-1000、NC-2000-L、EPPN-201、GAN、NC6000や、下記式で表されるもの等が挙げられる。
Figure 2018064092
前記エポキシ化合物やエポキシ樹脂を架橋剤として使用する場合、その配合量は、樹脂A及び樹脂Bの合計100質量部に対し、好ましくは0.1〜50質量部、より好ましくは0.1〜30質量部、更に好ましくは1〜30質量部である。架橋剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。配合量が前記範囲であれば、十分な架橋密度が得られ、得られた硬化物が十分に機能する。
なお、前記エポキシ樹脂を架橋剤として使用した場合、触媒として硬化促進剤を添加することが好ましい。エポキシ樹脂硬化促進剤を含有することにより、硬化反応を適切かつ均一に進めることができる。
エポキシ樹脂硬化促進剤は、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、及びこれらの化合物のエチルイソシアネート化合物、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7(DBU)、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5(DBN)、DBUの有機酸塩、DBUのフェノール樹脂塩、DBU誘導体のテトラフェニルボレート塩等のDBU系化合物、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリス(p−メチルフェニル)ホスフィン、トリス(p−メトキシフェニル)ホスフィン、トリス(p−エトキシフェニル)ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボレート、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート等のトリオルガノホスフィン類、4級ホスホニウム塩、トリエチレンアンモニウム・トリフェニルボレート等の第3級アミン、及びそのテトラフェニルホウ素酸塩等が挙げられる。前記エポキシ樹脂硬化促進剤は、1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
エポキシ樹脂硬化促進剤の配合量は、樹脂A及び樹脂Bの合計100質量部に対し、好ましくは0.1〜10質量部、より好ましくは0.2〜5質量部である。
また、本発明で使用されるメチロールメラミン等のアミノ樹脂としては、ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物及び1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物からなる群より選ばれる1種以上の化合物が挙げられる。
前記アミノ樹脂は、Mwが150〜10,000であるものが好ましく、200〜3,000のものがより好ましい。Mwが前記範囲であれば、十分な硬化性が得られ、接着剤組成物の硬化後の耐熱性も良好である。
前記ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物としては、例えばホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたメラミン縮合物、又はホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性された尿素縮合物が挙げられる。
前記ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたメラミン縮合物は、例えば公知の方法に従ってメラミンモノマーをホルマリンでメチロール化して変性するか、又はこれを更にアルコールでアルコキシ化して変性して、下記式で表される変性メラミンとすることにより調製できる。なお、前記アルコールとしては、低級アルコール、例えば炭素数1〜4のアルコールが好ましい。
Figure 2018064092
(式中、R11〜R16は、それぞれ独立に、メチロール基、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜4のアルコキシ基を含むアルコキシメチル基、又は水素原子であるが、少なくとも1つはメチロール基又はアルコキシメチル基である。)
前記変性メラミンとしては、トリメトキシメチルモノメチロールメラミン、ジメトキシメチルモノメチロールメラミン、トリメチロールメラミン、ヘキサメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチロールメラミン等が挙げられる。次いで、前記変性メラミン又はこれから得られる多量体(例えば、2量体、3量体等のオリゴマー)を常法に従ってホルムアルデヒドと所望の分子量になるまで付加縮合重合させることで、ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたメラミン縮合物が得られる。なお、前記変性メラミン及びその縮合体の1種以上の変性メラミン縮合物を架橋剤として使用することができる。
また、ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性された尿素縮合物は、例えば公知の方法に従って所望の分子量の尿素縮合物をホルマリンでメチロール化して変性し、又はこれを更にアルコールでアルコキシ化して変性することにより調製できる。
前記変性尿素縮合物の具体例としては、例えばメトキシメチル化尿素縮合物、エトキシメチル化尿素縮合物、プロポキシメチル化尿素縮合物等が挙げられる。なお、これら1種以上の変性尿素縮合物を使用することができる。
これらのうち、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物としては、例えば、(2−ヒドロキシ−5−メチル)−1,3−ベンゼンジメタノール、2,2',6,6'−テトラメトキシメチルビスフェノールA等が挙げられる。
これらアミノ縮合物又はフェノール化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
架橋剤の配合量は、樹脂A及び樹脂Bの合計100質量部に対し、0.1〜50質量部が好ましく、1〜30質量部がより好ましい。前記範囲であれば、接着剤組成物が十分に硬化し、得られた硬化物が十分に機能する。
なお、前記メチロールメラミン等のアミノ樹脂を架橋剤として使用した場合、触媒として熱酸発生剤を添加することが好ましい。この熱酸発生剤は特に限定されないが、例えば、下記式で表されるアンモニウム塩が挙げられる。
Figure 2018064092
(式中、R17〜R20は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数1〜12の、アルキル基若しくはオキソアルキル基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数2〜12、のアルケニル基若しくはオキソアルケニル基、炭素数6〜20のアリール基、又は炭素数7〜12のアラルキル基若しくはアリールオキソアルキル基を表し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基で置換されていてもよい。R17〜R20から選ばれる2つは、これらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよく、該環は、式中の窒素原子を環の中に有する炭素数3〜10の脂肪族環であるか、又は式中の窒素原子を環の中に有する炭素数5〜10の複素芳香族環である。X-は、α位の少なくとも1つがフッ素化されたスルホン酸、パーフルオロアルキルイミド酸又はパーフルオロアルキルメチド酸である。)
-として具体的には、トリフレートアニオン、ノナフレートアニオン等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニオン、α位の少なくとも1つがフルオロ置換されたスルホネートアニオン、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミドアニオン、ビス(パーフルオロエチルスルホニル)イミドアニオン、ビス(パーフルオロブチルスルホニル)イミドアニオン等のイミドアニオン、トリス(トリフルオロメチルスルホニル)メタニドアニオン、トリス(パーフルオロエチルスルホニル)メタニドアニオン等のメタニドアニオンが挙げられる。
熱酸発生剤の配合量は、樹脂A及び樹脂Bの合計100質量部に対し、好ましくは0.1〜15質量部、より好ましくは0.2〜10質量部である。前記範囲であれば、接着剤組成物が十分に硬化し、接着剤組成物の保存安定性も良好である。
前記接着剤組成物は、溶剤を含んでもよい。前記溶剤として、例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル−2−n−アミルケトン等のケトン類;3−メトキシブタノール、3−メチル−3−メトキシブタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール等のアルコール類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert−ブチル、プロピオン酸tert−ブチル、プロピレングリコールモノ−tert−ブチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル類等が挙げられる。これらは、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。前記溶剤の配合量は、樹脂A及び樹脂Bの合計100質量部に対し、好ましくは100〜5,000質量部、より好ましくは150〜2,500質量部である。
また、前記接着剤組成物は、溶剤を含まないフィルム状組成物としても使用することができる。
前記接着剤組成物は、必要に応じて、界面活性剤や、耐熱性の更なる向上を目的として、酸化防止剤等を含んでもよい。
界面活性剤としては、特に限定されないが、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレインエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン系界面活性剤、エフトップ(登録商標)EF301、EF303、EF352((株)トーケムプロダクツ製)、メガファック(登録商標)F171、F172、F173(DIC(株)製)、フロラード(登録商標)FC430、FC431(スリーエム社製)、アサヒガードAG710、サーフロン(登録商標)S-381、S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106、サーフィノール(登録商標)E1004、KH-10、KH-20、KH-30、KH-40(旭硝子(株))等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341、X-70-092、X-70-093、X-70-1102(信越化学工業(株)製)、アクリル酸系又はメタクリル酸系ポリフローNo. 75、No. 95(共栄社化学(株)製)が挙げられる。これらは、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系化合物、ヒンダードアミン系化合物、有機リン化合物及び有機硫黄化合物から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。
前記ヒンダードフェノール系化合物としては、特に限定されないが、以下に挙げるものが好ましい。例えば、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン(商品名:IRGANOX 1330)、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノール(商品名:Sumilizer BHT)、2,5−ジ−tert−ブチル−ハイドロキノン(商品名:Nocrac NS-7)、2,6−ジ−tert−ブチル−4−エチルフェノール(商品名:Nocrac M-17)、2,5−ジ−tert−アミルハイドロキノン(商品名:Nocrac DAH)、2,2'−メチレンビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェノール)(商品名:Nocrac NS-6)、3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル(商品名:IRGANOX 1222)、4,4'−チオビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)(商品名:Nocrac 300)、2,2'−メチレンビス(4−エチル−6−tert−ブチルフェノール)(商品名:Nocrac NS-5)、4,4'−ブチリデンビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)(商品名:アデカスタブAO-40)、2−tert−ブチル−6−(3−tert−ブチル−2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチルフェニルアクリレート(商品名:Sumilizer GM)、2−[1−(2−ヒドロキシ−3,5−ジ−tert−ペンチルフェニル)エチル]−4,6−ジ−tert−ペンチルフェニルアクリレート(商品名:Sumilizer GS)、2,2'−メチレンビス[4−メチル−6−(α−メチル−シクロヘキシル)フェノール]、4,4'−メチレンビス(2,6−ジ−tert−ブチルフェノール)(商品名:シーノックス226M)、4,6−ビス(オクチルチオメチル)−o−クレゾール(商品名:IRGANOX 1520L)、2,2'−エチレンビス(4,6−ジ−tert−ブチルフェノール)、オクタデシル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート(商品名:IRGANOX 1076)、1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−tert−ブチルフェニル)ブタン(商品名:アデカスタブAO-30)、テトラキス[メチレン−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシハイドロシンナメート)]メタン(商品名:アデカスタブAO-60)、トリエチレングリコールビス[3−(3−tert−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 245)、2,4−ビス(n−オクチルチオ)−6−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−tert−ブチルアニリノ)−1,3,5−トリアジン(商品名:IRGANOX 565)、N,N'−ヘキサメチレンビス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド)(商品名:IRGANOX 1098)、1,6−ヘキサンジオール−ビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 259)、2,2−チオ−ジエチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 1035)、3,9−ビス[2−[3−(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニルオキシ]1,1−ジメチルエチル]2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカン(商品名:Sumilizer GA-80)、トリス−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)イソシアヌレート(商品名:IRGANOX 3114)、ビス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジルホスホン酸エチル)カルシウム/ポリエチレンワックス混合物(50:50)(商品名:IRGANOX 1425WL)、イソオクチル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート(商品名:IRGANOX 1135)、4,4'−チオビス(6−tert−ブチル−3−メチルフェノール)(商品名:Sumilizer WX-R)、6−[3−(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロポキシ]−2,4,8,10−テトラ−tert−ブチルジベンズ[d,f][1,3,2]ジオキサホスフェピン(商品名:Sumilizer GP)等が挙げられる。
前記ヒンダードアミン系化合物としては、特に限定されないが、以下に挙げるものが好ましい。例えば、p,p'−ジオクチルジフェニルアミン(商品名:IRGANOX 5057)、フェニル−α−ナフチルアミン(商品名:Nocrac PA)、ポリ(2,2,4−トリメチル−1,2−ジヒドロキノリン)(商品名:Nocrac 224、224-S)、6−エトキシ−2,2,4−トリメチル−1,2−ジヒドロキノリン(商品名:Nocrac AW)、N,N'−ジフェニル−p−フェニレンジアミン(商品名:Nocrac DP)、N,N'−ジ−β−ナフチル−p−フェニレンジアミン(商品名:Nocrac White)、N−フェニル−N'−イソプロピル−p−フェニレンジアミン(商品名:Nocrac 810NA)、N,N'−ジアリル−p−フェニレンジアミン(商品名:Nonflex TP)、4,4'−(α,α−ジメチルベンジル)ジフェニルアミン(商品名:Nocrac CD)、p,p−トルエンスルホニルアミノジフェニルアミン(商品名:Nocrac TD)、N−フェニル−N'−(3−メタクロリルオキシ−2−ヒドロキシプロピル)−p−フェニレンジアミン(商品名:Nocrac G1)、N−(1−メチルヘプチル)−N'−フェニル−p−フェニレンジアミン(商品名:Ozonon 35)、N,N'−ジ−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン(商品名:Sumilizer BPA)、N−フェニル−N'−1,3−ジメチルブチル−p−フェニレンジアミン(商品名:Antigene 6C)、アルキル化ジフェニルアミン(商品名:Sumilizer 9A)、コハク酸ジメチル−1−(2−ヒドロキシエチル)−4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン重縮合物(商品名:Tinuvin 622LD)、ポリ[[6−(1,1,3,3−テトラメチルブチル)アミノ−1,3,5−トリアジン−2,4−ジイル][(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)イミノ]ヘキサメチレン[(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)イミノ]](商品名:CHIMASSORB 944)、N,N'−ビス(3−アミノプロピル)エチレンジアミン−2,4−ビス[N−ブチル−N−(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)アミノ]−6−クロロ−1,3,5−トリアジン縮合物(商品名:CHIMASSORB 119FL)、ビス(1−オクチロキシ−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート(商品名:TINUVIN 123)、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート(商品名:TINUVIN 770)、2−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−2−n−ブチルマロン酸ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)(商品名:TINUVIN 144)、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケート(商品名:TINUVIN 765)、テトラキス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレート(商品名:LA-57)、テトラキス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレート(商品名:LA-52)、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸と1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジノール及び1−トリデカノールとの混合エステル化物(商品名:LA-62)、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸と2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジノール及び1−トリデカノールとの混合エステル化物(商品名:LA-67)、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸と1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジノール及び3,9−ビス(2−ヒドロキシ−1,1−ジメチルエチル)−2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカンとの混合エステル化物(商品名:LA-63P)、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸と2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジノール及び3,9−ビス(2−ヒドロキシ−1,1−ジメチルエチル)−2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカンとの混合エステル化物(商品名:LA-68LD)、(2,2,6,6−テトラメチレン−4−ピペリジル)−2−プロピレンカルボキシレート(商品名:アデカスタブLA-82)、(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)−2−プロピレンカルボキシレート(商品名:アデカスタブLA-87)等が挙げられる。
前記有機リン化合物としては、特に限定されないが、以下に挙げるものが好ましい。例えば、ビス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)[1,1−ビフェニル]−4,4'−ジイルビスホスファイト、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド(商品名:SANKO-HCA)、トリエチルホスファイト(商品名:JP302)、トリ−n−ブチルホスファイト(商品名:JP304)、トリフェニルホスファイト(商品名:アデカスタブTPP)、ジフェニルモノオクチルホスファイト(商品名:アデカスタブC)、トリ(p−クレジル)ホスファイト(商品名:Chelex-PC)、ジフェニルモノデシルホスファイト(商品名:アデカスタブ135A)、ジフェニルモノ(トリデシル)ホスファイト(商品名:JPM313)、トリス(2−エチルヘキシル)ホスファイト(商品名:JP308)、フェニルジデシルホスファイト(商品名:アデカスタブ517)、トリデシルホスファイト(商品名:アデカスタブ3010)、テトラフェニルジプロピレングリコールジホスファイト(商品名:JPP100)、ビス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト(商品名:アデカスタブPEP-24G)、トリス(トリデシル)ホスファイト(商品名:JP333E)、ビス(ノニルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト(商品名:アデカスタブPEP-4C)、ビス(2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト(商品名:アデカスタブPEP-36)、ビス[2,4−ジ(1−フェニルイソプロピル)フェニル]ペンタエリスリトールジホスファイト(商品名:アデカスタブPEP-45)、トリラウリルトリチオホスファイト(商品名:JPS312)、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト(商品名:IRGAFOS 168)、トリス(ノニルフェニル)ホスファイト(商品名:アデカスタブ1178)、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト(商品名:アデカスタブPEP-8)、トリス(モノ,ジノニルフェニル)ホスファイト(商品名:アデカスタブ329K)、トリオレイルホスファイト(商品名:Chelex-OL)、トリステアリルホスファイト(商品名:JP318E)、4,4'−ブチリデンビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェニルジトリデシル)ホスファイト(商品名:JPH1200)、テトラ(C12−C15混合アルキル)−4,4'−イソプロピリデンジフェニルジホスファイト(商品名:アデカスタブ1500)、テトラ(トリデシル)−4,4'−ブチリデンビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)ジホスファイト(商品名:アデカスタブ260)、ヘキサ(トリデシル)−1,1,3−トリス(2−メチル−5−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)ブタン−トリホスファイト(商品名:アデカスタブ522A)、水添ビスフェノールAホスファイトポリマー(HBP)、テトラキス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニルオキシ)4,4'−ビフェニレン−ジ−ホスフィン(商品名:P-EPQ)、テトラキス(2,4−ジ−tert−ブチル−5−メチルフェニルオキシ)4,4'−ビフェニレン−ジ−ホスフィン(商品名:GSY-101P)、2−[[2,4,8,10−テトラキス(1,1−ジメチルエチル)ジベンゾ[d,f][1,3,2]ジオキサホスフェピン−6−イル]オキシ]−N,N−ビス[2−[[2,4,8,10−テトラキス(1,1−ジメチルエチル)ジベンゾ[d,f][1,3,2]ジオキサホスフェピン−6−イル]オキシ]−エチル]エタナミン(商品名:IRGAFOS 12)、2,2'−メチレンビス(4,6−ジ−tert−ブチルフェニル)オクチルホスファイト(商品名:アデカスタブHP-10)等が挙げられる。
前記有機硫黄化合物としては、特に限定されないが、以下に挙げるものが好ましい。例えば、ジラウリル−3,3'−チオジプロピオネート(商品名:Sumilizer TPL-R)、ジミリスチル−3,3'−チオジプロピオネート(商品名:Sumilizer TPM)、ジステアリル−3,3'−チオジプロピオネート(商品名:Sumilizer TPS)、ペンタエリスリトールテトラキス(3−ラウリルチオプロピオネート)(商品名:Sumilizer TP-D)、ジトリデシル−3,3'−チオジプロピオネート(商品名:Sumilizer TL)、2−メルカプトベンズイミダゾール(商品名:Sumilizer MB)、ジトリデシル−3,3'−チオジプロピオネート(商品名:アデカスタブAO-503A)、1,3,5−トリス−β−ステアリルチオプロピオニルオキシエチルイソシアヌレート、3,3'−チオビスプロピオン酸ジドデシルエステル(商品名:IRGANOX PS 800FL)、3,3'−チオビスプロピオン酸ジオクデシルエステル(商品名:IRGANOX PS 802FL)等が挙げられる。
前記酸化防止剤の中でも、テトラキス[メチレン−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシハイドロシンナメート)]メタンが特に好ましい。前記酸化防止剤の添加量は、樹脂A及び樹脂Bの合計100質量部に対し、0.5〜5質量部が好ましく、1〜3質量部がより好ましい。前記範囲であれば、十分な耐熱効果が得られ、相溶性も得られる。なお、酸化防止剤は、1種単独で又は2種以上を組みあわせて使用することができる。
また、前記接着剤組成物には、耐熱性を更に高めるため、公知のシリカ等のフィラーを樹脂A及び樹脂Bの合計100質量部に対し、50質量部以下添加してもよい。
前記接着剤組成物が溶液である場合は、スピンコート、ロールコート、ダイコート、印刷、ディッピング等の方法で支持体上に塗布し、その溶剤の揮発条件に応じて好ましくは80〜200℃、より好ましくは100〜180℃の温度でプリベークを行い、溶剤を揮発させることで、接着剤組成物層が形成される。
一方、前記接着剤組成物がフィルム状組成物である場合は、ラミネート法によって支持体上に接着剤組成物層を形成することができる。
支持体上に形成された接着剤組成物層は、更に加熱硬化させることで、接着剤層として機能する。この硬化反応は、接着剤組成物層を硬化させずに未硬化状態のウエハ積層体を形成した後、積層体全体を加熱することで達成される。
支持体上又はウエハ上に形成された接着剤層の膜厚は、1〜150μmが好ましく、5〜100μmがより好ましい。膜厚が前記範囲であれば、遮光性が十分にあり、接合の際に十分な接着性が得られ、接合後の貼り合わせウエハの平坦性も良好である。
接着剤層は、遮光層としても機能し、波長355nmの光の透過率が20%以下であることが好ましく、18%以下であることがより好ましく、15%以下であることが更に好ましい。また、接着剤層は、吸収極大波長が300〜500nmであることが好ましく、300〜400nmであることがより好ましい。更に、接着剤層は、波長300〜500nmの光の透過率が20%以下であることが好ましい。
[ウエハ積層体の製造方法]
本発明のウエハ積層体の製造方法は、下記工程(a)〜(c)を含む。
[工程(a)]
工程(a)は、支持体上又はウエハの回路形成面に接着剤組成物層を形成する工程である。接着剤層を形成するための接着剤組成物が溶液である場合は、これをスピンコート、ロールコート等の方法により支持体上に塗布し、その溶剤の揮発条件に応じて好ましくは80〜200℃、より好ましくは100〜180℃の温度でプリベークを行い、溶剤を揮発させることで、接着剤組成物層が形成される。また、接着剤組成物がフィルム状組成物である場合は、ラミネート法によって支持体上に接着剤組成物層が形成される。
[工程(b)]
工程(b)は、接着剤組成物層と支持体又はウエハの回路形成面とを減圧下に接合する工程である。減圧条件としては、好ましくは1〜100Pa、より好ましくは3〜80Paである。また、このとき、好ましくは40〜200℃、より好ましくは60〜180℃の温度領域で、減圧下、支持体又はウエハを均一に圧着し、接合させるとよい。
[工程(c)]
工程(c)は、工程(b)で接合させたウエハ積層体の接着剤組成物層の熱硬化を行って接着剤層を形成する工程である。前記ウエハ積層体が形成された後、120〜220℃、好ましくは150〜200℃で10分〜4時間、好ましくは30分〜2時間加熱することによって、熱硬化を行う。
以上のように、支持体、接着剤層及び表面に回路を有するウエハを組み合わせることによってウエハ積層体を得ることができる。
[薄型ウエハの製造方法]
前記方法によって得られたウエハ積層体の、ウエハの回路非形成面を研削することで、薄型ウエハを製造することができる。
次いで、裏面研削によって薄型化されたウエハ積層体の回路非形成面に加工を施すことで、薄型ウエハ積層体を製造することができる。この工程には、ウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、TSV形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成等、従来公知のプロセスが挙げられる。
薄型ウエハ積層体は、例えば、355nmのレーザーを照射することによって、ウエハ積層体から剥離することができる。
以下、合成例、調製例、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。なお、重量平均分子量(Mw)は、THFを溶媒として用いたGPCによるポリスチレン換算測定値である。また、下記例で用いた化合物(M−1)〜(M−4)は以下のとおりである。
Figure 2018064092
[1]樹脂の合成
[合成例1]
1,000mLのフラスコに、1,5−ジヒドロキシナフタレン80g(0.50モル)、2−ヒドロキシ−6−ナフトアルデヒド51.6g(0.30モル)及びメチルセロソルブ145gを加え、70℃で攪拌しながら20質量%パラトルエンスルホン酸メチルセロソルブ溶液20gを添加した。温度を85℃に上げ6時間攪拌した後、室温に冷却し、酢酸エチル800mLで希釈した。分液ロートに移し変え、脱イオン水200mLで洗浄を繰り返し、反応触媒と金属不純物を除去した。得られた溶液を減圧濃縮した後、残渣に酢酸エチル600mLを加え、ヘキサン2,400mLでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別、回収後、減圧乾燥して、下記式で表される繰り返し単位を含む樹脂A1を得た。樹脂A1のMwは3,200、分散度(Mw/Mn)は2.44であった。
Figure 2018064092
[合成例2]
1,000mLのフラスコに、1,5−ジヒドロキシナフタレン80g(0.50モル)、パラホルムアルデヒド9.0g(0.30モル)及びメチルセロソルブ145gを加え、70℃で攪拌しながら20質量%パラトルエンスルホン酸メチルセロソルブ溶液20gを添加した。温度を85℃に上げ6時間攪拌した後、室温に冷却し、酢酸エチル800mLで希釈した。分液ロートに移し変え、脱イオン水200mLで洗浄を繰り返し、反応触媒と金属不純物を除去した。得られた溶液を減圧濃縮した後、残渣に酢酸エチル600mLを加え、ヘキサン2,400mLでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別、回収後、減圧乾燥して、下記式で表される繰り返し単位を含む樹脂A2を得た。樹脂A2のMwは1,500、Mw/Mnは2.20であった。
Figure 2018064092
[比較合成例1]
1,000mLのフラスコに、2−メチルヒドロキベンゼン32.4g(0.30モル)、2−ヒドロキシ−6−ナフトアルデヒド51.6g(0.30モル)及びメチルセロソルブ145gを加え、70℃で攪拌しながら20質量%パラトルエンスルホン酸メチルセロソルブ溶液20gを添加した。温度を85℃に上げ6時間攪拌した後、室温に冷却し、酢酸エチル800mLで希釈した。分液ロートに移し変え、脱イオン水200mLで洗浄を繰り返し、反応触媒と金属不純物を除去した。得られた溶液を減圧濃縮した後、残渣に酢酸エチル600mLを加え、ヘキサン2,400mLでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別、回収後、減圧乾燥して、下記式で表される繰り返し単位を含む樹脂A3を得た。樹脂A3のMwは2,100、Mw/Mnは1.58であった。
Figure 2018064092
[合成例3]
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備したフラスコに、フェノール化合物(M−1)43.1g、化合物(M−2)29.5g、トルエン126g及び塩化白金酸0.04gを仕込み、80℃に昇温した。その後、化合物(M−3)11.4gを1時間かけてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、85℃まで上昇した。滴下終了後、更に80℃で2時間熟成し、次いでトルエンを留去した。得られた残渣にメチルイソブチルケトン(MIBK)200mLを添加した後、メタノール2,000mLでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別、回収後、減圧乾燥して、樹脂B1を得た。樹脂B1のMwは、45,000であった。
[合成例4]
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備したフラスコに、フェノール化合物(M−1)43.1g、化合物(M−2)59g、トルエン134g及び塩化白金酸0.04gを仕込み、80℃に昇温した。その後、化合物(M−4)14.6gを1時間かけてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、83℃まで上昇した。滴下終了後、更に80℃で2時間熟成し、次いでトルエンを留去した。得られた残渣にMIBK200mLを添加した後、メタノール2,000mLでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別、回収後、減圧乾燥して、樹脂B2を得た。樹脂B2のMwは、34,000であった。
[比較合成例2]
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備したフラスコに、フェノール化合物(M−1)43.1g、トルエン92g及び塩化白金酸0.04gを仕込み、80℃に昇温した。その後、化合物(M−4)18.5gを1時間かけてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、82℃まで上昇した。滴下終了後、更に80℃で2時間熟成し、次いでトルエンを留去した。得られた残渣にMIBK200mLを添加した後、メタノール2,000mLでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別、回収後、減圧乾燥して、樹脂B3を得た。樹脂B3のMwは、20,000であった。
[比較合成例3]
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備したフラスコに、フェノール化合物(M−1)10.8g、トルエン123g及び塩化白金酸0.04gを仕込み、80℃に昇温した。その後、化合物(M−2)71.4gを1時間かけてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、81℃まで上昇した。滴下終了後、更に80℃で2時間熟成し、次いでトルエンを留去した。得られた残渣にMIBK200mLを添加した後、メタノール2,000mLでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾別、回収後、減圧乾燥して、樹脂B4を得た。樹脂B4のMwは、25,000であった。
[2]接着剤組成物の調製
[調製例1〜5、比較調製例1〜3]
樹脂A1〜A3、樹脂B1〜B4を表1に示す割合で合計100gになるように混合し、架橋剤としてエポキシ架橋剤であるEOCN−1020(日本化薬(株)製)、硬化触媒としてビス(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタン(BSDM、和光純薬工業(株)製)、酸化防止剤としてテトラキス[メチレン−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシハイドロシンナメート)]メタン(商品名:アデカスタブAO-60)、及び溶剤としてシクロヘキサノンを下記表1の組成になるよう添加し、1μmのメンブレンフィルターで濾過して、接着剤組成物A〜Hを得た。
Figure 2018064092
[3]ウエハ積層体の作製及びその評価
[実施例1〜5、比較例1〜3]
直径200mm(厚さ:500μm)のガラス板に、接着剤組成物A〜Hをスピンコート後、ホットプレートにて150℃で5分間加熱することにより、表2に示す膜厚で接着剤組成物層を成膜した。
表面に高さ10μm、直径40μmの銅ポストが全面に形成された直径200mmシリコンウエハ(厚さ:725μm)の銅ポスト面と、ガラス板上の接着剤組成物面が合わされるように、真空貼り合わせ装置(EVG社製、EVG520IS)内で0.1Pa以下の減圧条件のもと、表2に示す接合温度条件にて荷重5kNで貼り合わせ、ウエハ積層体を作製した。
その後、この接合された基板に対し、下記試験を行った。結果を表2に示す。なお、以下の順で評価を実施した。
(1)接着性試験
200mmのウエハ接合は、EVG社のウエハ接合装置EVG520ISを用いて行った。接合温度は表2に記載の値、接合時のチャンバー内圧力は0.1Pa以下、荷重は5kN、時間は1分間で実施した。
接合後、一旦、180℃で1時間オーブンを用いて基板を加熱し、接着剤組成物層の硬化を実施したのち、室温まで冷却し、その後の界面の接合状況を目視及び光学顕微鏡それぞれで確認し、界面での気泡等の異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
(2)裏面研削耐性試験
グラインダー((株)DISCO製、DAG810)でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚50μmまでグラインドした後、光学顕微鏡(100倍)にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
(3)CVD耐性試験
シリコンウエハを裏面研削した後の積層体をCVD装置に導入し、2μmのSiO2膜の生成実験を行ない、その際の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、ボイド、ウエハ膨れ、ウエハ破損等の外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。CVD耐性試験の条件は、以下の通りである。
装置名:プラズマCVD PD270STL(サムコ(株)製)
RF500W、内圧40Pa
TEOS(テトラエチルオルソシリケート):O2=20sccm:680sccm
(4)支持体剥離性試験
支持体の剥離性は、以下の方法で評価した。まず、CVD耐性試験を終えたウエハ積層体の50μmまで薄型化したウエハ側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、支持体側から全面に355nmのレーザーを照射した。支持体及び50μmのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れ等の異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
(5)ピール剥離性試験
接着剤層のピール剥離性は、以下の方法で評価した。まず、支持体の剥離試験を終えたウエハ積層体の接着剤層の面に剥離用テープを貼り付けた。その後、剥離用テープを引き上げ、接着剤層とウエハの界面で剥離させた。この際、50μmのウエハを割ることなく剥離でき、かつ残渣がみられない場合を「○」で示し、割れや残渣残り等の異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
(6)ピール剥離力試験
シリコンウエハ上に各接着剤組成物溶液をスピンコート後、ホットプレートにて150℃で5分間加熱、180℃で1時間オーブンにて加熱することで、対応する接着剤層を表2に示す膜厚で硬化させた。
その後、前記ウエハの接着剤層上に150mm長×25mm幅のポリイミドテープを5本貼り付け、テープが張られていない部分の仮接着剤層を除去した。(株)島津製作所製のAUTOGRAPH(AG−1)を用いて300mm/分の速度でテープの一端から180°剥離で120mm剥がし、そのときにかかる力の平均(120mmストローク×5回)を、その接着剤層の剥離力とした。
(7)透過性試験
各接着剤組成物溶液を、厚み500μmのガラス基板に膜厚0.3μmでスピンコート後、ホットプレートにて150℃で5分間加熱、180℃で1時間オーブンにて加熱、硬化させ、その透過率(波長355nm)を分光光度計(U-4100形、(株)日立ハイテクサイエンス製で測定した。透過率が20%以下の場合を良好として「○」で示し、20%よりも高い場合を不良として「×」で示した。
Figure 2018064092
表2に示したように、実施例1〜5では、仮接着及び剥離が容易であることがわかった。一方、比較例1では、樹脂Bにシロキサンが含まれないため塗布後の膜にクラックが発生した。比較例2では、樹脂Bに含まれるシロキサン量が多いため樹脂Aと混合すると分離した。比較例3では、レーザー照射後、支持体が剥離せず割れが発生した。なお、実施例1〜5において、洗浄後のウエハ表面をSEM−EDX試験により測定したところ、金属汚染(金属:Ca、K、Na、Mg、Mn、Pb)はいずれも問題となるレベル以下であることが確認された。
なお、本発明は、前記実施形態に限定されるものではない。前記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
1 支持体
2 接着剤層
3 ウエハ

Claims (8)

  1. 支持体と、該支持体上に形成された接着剤層と、該接着剤層に回路面を有する表面が対向するように積層されたウエハとを備えたウエハ積層体であって、
    前記接着剤層が、下記式(1)で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が500〜500,000である樹脂Aと、シロキサン骨格を含む樹脂Bとを含む接着剤組成物の硬化物であるウエハ積層体。
    Figure 2018064092
    (式中、R1〜R3は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、又は炭素数1〜20の1価の有機基であるが、R1〜R3の少なくとも1つは、ヒドロキシ基である。R4は、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜30の1価の有機基である。)
  2. 前記接着剤層の波長355nmの光の透過率が、20%以下である請求項1記載のウエハ積層体。
  3. 樹脂Bが、下記式(2)で表される繰り返し単位及び必要に応じて下記式(3)で表される繰り返し単位からなる、重量平均分子量が3,000〜500,000のフェノール変性シリコーン樹脂である請求項1又は2記載のウエハ積層体。
    Figure 2018064092
    [式中、R5〜R8は、それぞれ独立に、炭素数1〜8の1価炭化水素基を表す。mは、1〜100の整数を表す。A及びBは、0<A≦1、0≦B<1、かつA+B=1を満たす正数である。Yは、下記式(4)で表される2価の有機基である。
    Figure 2018064092
    (式中、Zは、単結合、又は下記式
    Figure 2018064092
    から選ばれる2価の有機基である。R9及びR10は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数1〜4のアルキル基、又は直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基である。kは、0、1又は2である。)]
  4. 前記接着剤組成物が、更に架橋剤を含む請求項1〜3のいずれか1項記載のウエハ積層体。
  5. 前記接着剤組成物が、更に有機溶剤を含む請求項1〜4のいずれか1項記載のウエハ積層体。
  6. 請求項1〜5のいずれか1項記載のウエハ積層体の製造方法であって、
    (a)支持体に直接接着剤組成物層を形成する工程、
    (b)前記接着剤組成物層面と、ウエハの回路形成面とを減圧下に接合する工程、及び
    (c)前記接着剤組成物層の熱硬化を行って接着剤層を形成する工程
    を含むウエハ積層体の製造方法。
  7. 請求項6記載の方法で得られたウエハ積層体の、ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程を含む薄型ウエハの製造方法。
  8. 下記式(1)で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が500〜500,000である樹脂と、シロキサン骨格を含む樹脂とを含む接着剤組成物。
    Figure 2018064092
    (式中、R1〜R3は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、又は炭素数1〜20の1価の有機基であるが、R1〜R3の少なくとも1つは、ヒドロキシ基である。R4は、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜30の1価の有機基である。)
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020038866A (ja) * 2018-09-03 2020-03-12 信越化学工業株式会社 薄型ウエハの製造方法
JP2021116416A (ja) * 2020-01-21 2021-08-10 達興材料股▲ふん▼有限公司 レーザにより離型可能な組成物、その積層体及びレーザによる離型方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6023737B2 (ja) * 2014-03-18 2016-11-09 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
TWI741262B (zh) * 2018-06-04 2021-10-01 美商帕斯馬舍門有限責任公司 切割晶粒附接膜的方法
FR3086201B1 (fr) * 2018-09-24 2020-12-25 Commissariat Energie Atomique Procede de decapage d’un substrat par transfert d’un film superficiel de polymere thermoplastique

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0597969A (ja) * 1991-10-03 1993-04-20 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置
JP2007246886A (ja) * 2006-02-16 2007-09-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 接着剤組成物、接着フィルム及び半導体装置の製造方法
JP2013172033A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 分離方法及び積層構造体
US20140113150A1 (en) * 2012-10-19 2014-04-24 Guangdong Shengyi Sci.Tech Co., Ltd. Cyanate ester resin composition, and a prepreg, a laminated material and a metal clad laminated material made therefrom
JP2014241399A (ja) * 2013-05-14 2014-12-25 信越化学工業株式会社 ウエハ用仮接着材料、それらを用いた仮接着用フィルム、及びウエハ加工体並びにそれらを使用した薄型ウエハの製造方法
WO2015115060A1 (ja) * 2014-01-29 2015-08-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP2016060780A (ja) * 2014-09-16 2016-04-25 日立化成株式会社 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ、積層板及びプリント配線板
JP2016072612A (ja) * 2014-09-26 2016-05-09 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP2017220669A (ja) * 2016-06-06 2017-12-14 信越化学工業株式会社 ウエハ積層体及びその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5358980A (en) * 1991-10-03 1994-10-25 Shin-Etsu Chemical Company, Limited Naphthol novolac epoxy resin compositions and semiconductor devices encapsulated therewith
US6512031B1 (en) * 1999-04-15 2003-01-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device
JP2000336248A (ja) * 1999-05-27 2000-12-05 Dainippon Ink & Chem Inc エポキシ樹脂組成物および電気積層板
JP2003177528A (ja) 2001-09-21 2003-06-27 Tamura Kaken Co Ltd 感光性樹脂組成物及びプリント配線板
EP1296188A3 (en) 2001-09-21 2003-04-23 Tamura Kaken Corporation Photosensitive resin composition and printed wiring board
TWI460249B (zh) * 2006-02-16 2014-11-11 Shinetsu Chemical Co 黏合組成物、黏合膜及製造半導體元件的方法
KR20130115208A (ko) 2010-06-16 2013-10-21 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 웨이퍼 지지 시스템을 위한 광학적으로 조정된 금속화된 광-열 변환층
CN103891168B (zh) 2011-10-19 2018-04-27 马维尔国际贸易有限公司 用于抑制由具有两个或更多个天线的设备接收的信号中的干扰的***和方法
WO2013059566A1 (en) 2011-10-20 2013-04-25 Marvell World Trade Ltd. Systems and methods for suppressing interference in a wireless communication system
JP5958262B2 (ja) 2011-10-28 2016-07-27 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6059631B2 (ja) * 2012-11-30 2017-01-11 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US9796892B2 (en) 2013-11-12 2017-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone adhesive composition and solid-state imaging device
JP6425266B2 (ja) 2015-04-13 2018-11-21 アルプス電気株式会社 衛生マスク
JP6463664B2 (ja) 2015-11-27 2019-02-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体及びウエハ加工方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0597969A (ja) * 1991-10-03 1993-04-20 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置
JP2007246886A (ja) * 2006-02-16 2007-09-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 接着剤組成物、接着フィルム及び半導体装置の製造方法
JP2013172033A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 分離方法及び積層構造体
US20140113150A1 (en) * 2012-10-19 2014-04-24 Guangdong Shengyi Sci.Tech Co., Ltd. Cyanate ester resin composition, and a prepreg, a laminated material and a metal clad laminated material made therefrom
JP2014241399A (ja) * 2013-05-14 2014-12-25 信越化学工業株式会社 ウエハ用仮接着材料、それらを用いた仮接着用フィルム、及びウエハ加工体並びにそれらを使用した薄型ウエハの製造方法
WO2015115060A1 (ja) * 2014-01-29 2015-08-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP2016060780A (ja) * 2014-09-16 2016-04-25 日立化成株式会社 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ、積層板及びプリント配線板
JP2016072612A (ja) * 2014-09-26 2016-05-09 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP2017220669A (ja) * 2016-06-06 2017-12-14 信越化学工業株式会社 ウエハ積層体及びその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020038866A (ja) * 2018-09-03 2020-03-12 信越化学工業株式会社 薄型ウエハの製造方法
JP7035915B2 (ja) 2018-09-03 2022-03-15 信越化学工業株式会社 薄型ウエハの製造方法
JP2021116416A (ja) * 2020-01-21 2021-08-10 達興材料股▲ふん▼有限公司 レーザにより離型可能な組成物、その積層体及びレーザによる離型方法
JP7133047B2 (ja) 2020-01-21 2022-09-07 達興材料股▲ふん▼有限公司 レーザにより離型可能な組成物、その積層体及びレーザによる離型方法
US11794381B2 (en) 2020-01-21 2023-10-24 Daxin Materials Corporation Laser-debondable composition, laminate thereof, and laser-debonding method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180040094A (ko) 2018-04-19
CN107919314A (zh) 2018-04-17
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US20180102333A1 (en) 2018-04-12
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TW201829688A (zh) 2018-08-16
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