本発明者達は、元の表面形態を維持しつつ終始一貫して均質なパッド表面の微小テクスチャを有するところの予調整されたCMPパッドを作るための方法を見出す努力をしてきた。
1本発明によると、1以上のポリマー(好ましくはポリウレタン)のCMP研磨層を有する予調整されたケミカルメカニカル(CMP)研磨パッドを提供するための方法であって、そのCMP研磨層は、或る半径を有し、且つ0.01〜25μm(Sq)の表面粗さを有し、且つ研磨に効果的なパッド表面の微小テクスチャを有し、CMP研磨層は、例えば圧力感知接着剤又は好ましくは真空によって、平床プラテン表面上の所定の位置に保持される一方で、ポリマーの(好ましくはポリウレタン又はポリウレタン発泡材の)CMP研磨層(より好ましくは多孔性のCMP研磨層)の表面を回転グラインダで研削すること、を包含し、その回転グラインダは、ローターを含み、且つCMP研磨層の表面と多孔性砥粒材の搬送を形成するように、平床プラテンの表面に平行に又は実質的に平行に配置され且つ多孔性砥粒材で作られた研削表面を有している。
2.上の項目1に記載されたような本発明の方法によると、CMP研磨層は、その中心点からその外周部へ延在している或る半径を有し、そして回転グラインダは、CMP研磨層の半径と等しいか又はより長い直径、又は好ましくはCMP研磨層の半径と等しい直径を有する。
3.上の項目2に記載されたような本発明の方法によると、研削中、回転グラインダは、その外周部がCMP研磨層の中心上に直接に支持されるように配置される。
4.上の項目1、2、又は3の何れか1つに記載されたような本発明の方法によると、回転グラインダ及びCMP研磨層及び平床プラテンの各々は、CMP研磨層の研削の間中、回転する。好ましくは平床プラテンは、回転グラインダとは反対方向に回転する。
5.上の項目4に記載されたような本発明の方法によると、回転グラインダは、毎分50〜500回転、好ましくは毎分150〜300回転の速度(回転数)で回転し、そして平床プラテンは、毎分6〜45回転、好ましくは毎分8〜20回転の速度で回転する。
6.上の項目1、2、3,4、又は5の何れか1つに記載されたような本発明の方法によると、回転グラインダは、研削中、CMP研磨層及び平床プラテンの上に配置され、そして回転グラインダは、CMP研磨層の表面の真上の点から0.1〜15μm/回転、又は好ましくは0.2〜10μm/回転の速度で下方に搬送され、即ちCMP研磨層の表面と多孔性砥粒材との境界面を縮小する。
7.上の項目1、2、3,4、5、又は6の何れか1つに記載されたような本発明の方法によると、研削の前に、CMP研磨層は、パッドとして使われるためのCMP研磨層を形成するように、ポリマーをモールド成形すること且つモールド成形されたポリマーを削ることによって形成されうるか、又は好ましくは、CMP研磨層を形成するようにポリマーをモールド成形すること且つモールド成形されたポリマーを削ること、続いてCMP研磨層を形成するようにCMP研磨層と同じ直径を有するサブパッド又は下地層の上部にCMP研磨層を積層することによって形成されうる。
8.上の項目1、2、3,4、5、6、又は7の何れか1つに記載されたような本発明の方法によると、多孔性砥粒材は、微細に分割された非多孔性砥粒粒子、例えば炭化ケイ素、窒化ホウ素、又は好ましくはダイヤモンド粒子、をその中に分散されて有する多孔性材の連続相の混合物である。
9.上の項目8に記載されたような本発明の方法によると、多孔性砥粒材は、3〜240μmの、又は好ましくは10〜80μmの平均孔径を有する。
10.上の項目8又は9の何れか1つに記載されたような本発明の方法によると、多孔性砥粒材の多孔性材の連続相は、セラミック、好ましくは焼結セラミック(例えばアルミナ又はセリア)を含む。
11.上の項目1、2、3,4、5、6、7、8、9、又は10の何れか1つに記載されたような本発明の方法によると、研削中、方法はさらに、多孔性砥粒材に作用するように、好ましくはCMP研磨層の中心点上方の点からCMP研磨層材の表面と回転グラインダの研削表面との境界面を通して、又はより好ましくはCMP研磨層の中心点上方の点からCMP研磨層材の表面と回転グラインダの研削表面との境界面を通して、圧搾不活性気体又は空気を、CMP研磨層材の表面と回転グラインダの研削表面との境界面に間欠的に又は好ましくは連続的に吹き付けること、及びこれとは別に、多孔性砥粒材に作用するように、回転グラインダの周辺部の下の点(例えば、CMP研磨層の周辺部及び回転グラインダの周辺部が一緒になる所)から、気体又は空気を上方に吹き付けることを包含する。圧搾気体又は空気を吹き付けることは、研削の前又は後でも行われうる。
12.上の項目1、2、3,4、5、6、7、8、9、10、又は11の何れか1つに記載されたような本発明の方法によると、CMP研磨層は、多孔性ポリマー、又はASTM D2240-15(2015)に従うショアD硬さが20〜80を有するところの多孔性ポリマー材を含む充填材を含んでいる。
13.上の項目1、2、3,4、5、6、7、8、9、10、11、又は12の何れか1つに記載されたような本発明の方法によると、CMP研磨層は、非多孔性の透明な1以上の窓セクション、例えば75〜105℃のガラス転移温度(DSC)を有する非多孔性ポリウレタンを含む窓セクションであって、例えばCMP研磨層の中心点を覆っては延在しない窓セクション、をさらに備えうる。
14.上の項目1、2、3,4、5、6、7、8、9、10、11、12又は13の何れか1つに記載されたような本発明の方法によると、CMP研磨層は、筋を付けられ、且つ複数の孔又は微小要素、好ましくは10〜60μmの平均粒子サイズを有するポリマーの微小球、を含んでいる。
15.上の項目14に記載されたような本発明の方法によると、CMP研磨層は、CMP研磨層の中心点からその外側周辺部へ外向きに延在する高密度及び低密度の交代する環状帯域を有している。
16.上の項目15に記載されたような本発明の方法によると、高密度環状帯域は、低密度環状帯域よりも高い0.01〜0.2g/cm3の密度を有している。
17.本発明の別の態様において、ケミカルメカニカル(CMP)研磨パッドは、CMP研磨層、好ましくは1以上のポリマーの多孔性CMP研磨層を備え、CMP研磨層は、或る半径を有し、且つ少なくとも0.01μm〜25μm(Sq)、又は好ましくは1μm〜15μm(Sq)の表面粗さを有し、そしてCMP研磨層の表面上に一連の可視の交差する円弧部を有し、且つその交差する円弧部は、CMP研磨層の曲率半径に半分に等しいか又は大きな、好ましくは等しい曲率半径を有している。好ましくは、一連の可視の交差する円弧部は、研磨層の中心点の周りに半径方向に対称に研磨層の表面の周り至るところに延在している。
18.上の項目17に記載されたような本発明の研磨パッドによると、CMP研磨層は、CMP研磨層の中心点からその外側周辺部の方へ外向きに延在する、高密度と低密度と交代する環状帯域を有する。
19.上の項目17又は18の何れか1つに記載されたような本発明の研磨パッドによると、研磨パッドは、非多孔性且つ透明な1以上の窓セクション、例えば75〜105℃のガラス転移温度(DSC)を有する非多孔性ポリウレタンによって形成されたもの、を有し、その窓セクションはCMP研磨パッドの中心点を覆うまでは延在しない。ここで1以上の窓セクションは、窓の最大寸法(例えば丸窓の直径、又は長方形窓の長さ又は幅のより長い方)に亘って50μm以下のピーク谷を有する窓によって規定された上部表面を有する。
20.上の項目17,18、又は19の何れか1つに記載されたような本発明の研磨パッドによると、研磨パッドの厚さは、その中心点に近づくにつれより厚くなるように勾配を付けられるか、又は中心点から離れるほどより厚くなるように勾配を付けられている。
21.上の項目17,18、19、又は20の何れか1つに記載されたような本発明の研磨パッドによると、CMP研磨層は、サブパッド又は下地層、例えばポリマー(好ましくはポリウレタン)含侵不織マット、上に積層されている。
22.上の項目17,18、19、20、又は21の何れか1つに記載されたような本発明の研磨パッドによると、CMP研磨層は、多孔性ポリマー、又はASTM D2240-15(2015)に従うショアD硬さが20〜80又は例えば40以下を有するところの充填多孔性ポリマー材を含む。
別の指示がなければ、温度及び圧力の条件は、気温及び標準気圧である。記載された全ての範囲は、包括的であり且つ組み合わせ可能である。
別の指示がなければ、括弧を含むどのような用語も、あたかも括弧がない用語全体、及び括弧内の言葉を除いた用語、及び前二者の組み合せを指す。従って例えば、用語「(ポリ)イソシアン酸塩」は、イソシアン酸塩、ポリイソシアン酸塩、又はそれらの混合物を指す。
全ての範囲は、包括的であり且つ組み合わせ可能である。例えば、用語「50〜3000cPs、又は100cPs以上」は、50〜100cPs、50〜3000cPs、及び100〜3000cPsのそれぞれを含む。
ここで用いられているように、用語「ASTM」は、ASTM International(West Conshohocken,ペンシルベニア州)の出版物を指す。
ここで用いられたように、用語「厚さ変動分」は、CMP研磨パッドの厚さにおける最大変動分によって決定された値を意味する。
ここで用いられているように、用語「実質的に平行」は、回転グラインダの研削表面とCMP研磨層の上部表面とによって形成された角度、より特別には178°〜182°、又は好ましくは179°〜181°の角度を指し、それは、回転グラインダの研削表面に平行に走り且つCMP研磨層の中心点上方の点で終わる第1線分要素と、第1線分要素の端部から且つ平床プラテンの上部表面に対して平行に走り且つ平床プラテンの外周部で終わる第2線分要素との交差によって規定される。ここで、第1及び第2線分要素は、平床プラテンに垂直であり且つCMP研磨層の中心点とCMP研磨層の中心点から最も離れて配置された回転グラインダの研削表面の周辺部上の点とを通して走る平面内に存在する。
ここで用いられているように、用語「Sq」は、表面粗さを規定するために用いられるとき、ある与えられたCMP研磨層の表面上の指定された点で測定された指定された数の表面粗さの値の二乗平均平方根を意味する。
ここで用いられているように、用語「表面粗さ」は、所与のCMP研磨層の上部表面に平行で且つ任意の所与の上部表面上に配置された水平面を表すところの最もフィットする平面に対する表面の高さを計測することによって決定された値を意味する。Svkは、低い領域において計測された谷の深さを指し、そしてSpkは高い領域において計測されたピークを指す。許容できる表面粗さは、0.01μm〜25μm(Sq)又は好ましくは1μm〜15μm(Sq)の範囲である。
ここで用いられているように、用語「重量%」は重量パーセントを表す。
本発明によると、研削方法は、CMP研磨層、CMP研磨パッド及び研磨層の上部表面を含む表面の微小テクスチャを改良する。本方法は、回転グラインダの研削面の外側縁によって規定された円と同じ曲率半径を有する、CMP研磨層内の一連の交差する円弧部によって、及びCMP研磨層の上側表面の0.01〜25μm(Sq)の表面粗さによって特徴付けられた終始一貫した表面の微小テクスチャを創り出す。本発明者達は、本発明の方法により作られたCMP研磨層が、ほとんど又は全く調整なしに良好に動作すること、即ち予調整されていることを発見した。さらに、本発明のCMP研磨層のパッド表面の微小テクスチャは、基板の改良された研磨を可能にする。本発明の方法は、ケミカルメカニカル研磨パッドに表面欠陥(例えば削り溝)及びCMP研磨層の残りの部分よりもより柔らかである窓材料の発泡をもたらすところの薄剥ぎによってパッド形態における不規則性を避けるよう助ける。さらに、本発明の方法は、2以上のパッド層が、固定された間隔を空けられ且つ線形波が生じるよう設定されたニップを通過させられるところのパッドの積み重ねの間の研磨層の変形によって生じる負の衝突を最小化するのを助ける。これは、柔らかく且つ圧縮性のCMP研磨層にとって特に重要である。付け加えると、本発明の方法及びその方法がもたらすパッドは、基板表面(例えば半導体又はウェーハ表面)にわたる、最適化された表面の微小テクスチャ、より低い欠陥性、及び改良された一様な材料除去を可能にする。
本発明者達は、多孔性砥粒材での研削は、研削媒質の付着なしに、及びCMP研磨層基板への損傷を引き起こさないで研削を可能にすることを発見した。多孔性砥粒材における孔は、CMP研磨層基板から除去される粒子を蓄える程度に大きい。そして多孔性砥粒材の多孔性は、研削中に除去された材料の塊を蓄えるのに十分である。好ましくは、圧搾空気をCMP研磨層物質(下側)の表面と回転グラインダの研削表面(上側)との境界面を横切って吹き付けること及びCMP研磨層基板は、研削物の除去においてさらに助け、そして研削用装置の汚染を防止する。
多孔性砥粒材は、好ましくは回転グラインダの周辺部の周りに、刻み目を入れられ又は不連続性又は空隙を含む。そのような空隙は、研削中、多孔性砥粒材の研削表面及びCMP研磨層基板を冷却し、そして工程中の削り屑を除去するのを助ける。空隙はまた、研削中、削り屑を除去するように、圧搾気体又は空気をCMP研磨層の表面と回転グラインダの研削表面との境界面内に吹き付けることを可能にする。
本発明の方法は、望ましくないCMP基板摩耗プロファイル、例えばCMPプロセスが一貫しない摩耗プロファイル(例えば基板の縁での余りに少ない又は余りに多い除去)をもたらすこと、に対して補償するように変更されうる。これはパッド寿命を延ばしうる。そのような方法において、回転グラインダの研削表面は、それが平床プラテンの上部表面又はCMP研磨層に実質的に平行であるけれども正確には平行でないように調整される。例えば、回転グラインダの研削表面は、中央厚(回転グラインダの研削表面と、平床プラテンに垂直であり且つCMP研磨層の中心点及びCMP研磨層の中心点から最も離れて配置されているところの回転グラインダの研削表面の周辺部上の点を通って走る平面内の平床プラテン半径との間の角度が、180°を超える)をもたらすように、又は中央薄(角度は180°未満である)を産み出すように調整されうる。
本発明の方法は、湿潤な環境、例えば水又は研磨性の水性スラリー(例えばシリカスラリー又はセリアスラリー)と共に実行されうる。
本発明の方法は、回転グラインダ要素のサイズを変えることが出来るとき、様々なサイズのCMP研磨層に適合するように拡大縮小が可能である。本発明の方法によると、平床プラテンは、CMP研磨層よりも大きくなければならないか、又は好ましくはCMP研磨層の半径に等しい半径か又はCMP研磨層の半径よりも10cm以内で長い半径を有するサイズである。このようにして方法は、100mmから610mmの半径を有するCMP研磨層を扱うために拡大縮小が可能である。
本発明の方法は、終始一貫したパッド表面の微小テクスチャを形成するためにCMP研磨層の上部表面を取り除き、且つCMP研磨層の上部表面からパッド材料の1〜300μm、又は好ましくは15〜150μm、又はより好ましくは25μm以上を取り除くために用いられうる。
本発明の方法は、窓の膨張と薄剥ぎされることによる欠陥とを被らないCMP研磨層又はパッドの提供を可能にする。このようにして本発明によると、CMP研磨層は、ポリマーをモールド成形することによって形成されることができ、所望の直径又は半径(それは、こうして作られたパッドのサイズであろう)を有する多孔性のモールド成形品を形成する。その後、モールド成形品は望まれた厚さ(それは本発明によって作られたパッドの目標の厚さであろう)に薄剥ぎされ、その後、パッド研磨用の表面上に望まれたパッド表面の微小テクスチャを備えるようにパッド又はCMP研磨層を研削することが続く。
本発明の方法は、研削は、単一層又は単一のパッド上で、及びサブパッド層を有する積層パッド上で実行されうる。好ましくは積層パッドの場合に、研削方法は、研削が積層されたパッドにおける変形を除去するように、パッドが積層された後にCMP研磨層を研削することを含む。
本発明の方法は、パッドを研削した後、例えばパッドを木摺することによって、パッドに溝を形成することを包含する。
本発明の方法によって用いられる所定のCMP研磨層は、好ましくは多孔性ポリマー、又はASTM D2240-15(2015)に従うショア(Shore)D硬さが20〜80を有するところの多孔性ポリマー材を含むフィラーを含む。
本発明の方法は、比較的柔らかなポリマーから作られたパッドを含む任意のパッドについて実行され得、そして40以下のショアD硬さを有する柔らかなパッドを扱うことに特別の使用を見出す。パッドは、好ましくは多孔性でありうる。孔は、パッドポリマー母材内の空間によって、又は孔形成剤又は微小要素、又は空隙又は孔を含むところのフィラーによって、与えられうる。
本発明の方法に従って用いるための所定のCMP研磨層は、1以上の非多孔性の透明な窓セクション、例えば75〜105℃のガラス転移温度(DSC)を有する非多孔性ポリウレタンを含む窓セクション、例えばCMP研磨層の中心点上には延在しない窓セクション、をさらに備えうる。CMP研磨層において、1以上の窓セクションは、窓の最大寸法(例えば丸窓の直径、又は長方形窓の長さ又は幅のより大きな方)に亘って50μm以下の窓の厚み変動分によって規定された上部表面を有する。
さらに、本発明の方法で用いる所定のCMP研磨層は、複数の孔又は微小要素、好ましくは10〜60μmの平均粒子サイズを有するポリマーの微小球、を含みうる。
本発明によると、40以下のショアD硬さを有する研磨表面を有する柔らかいCMP研磨層は、終始一貫したパッド表面の微小テクスチャを有し、その微小テクスチャは、研磨表面上に一連の可視の交差する円弧部を含み、そしてその交差する円弧部は、研磨層の半径と等しいか又はより大きな、好ましくは等しい曲率半径を有している。好ましくは、一連の可視の交差する円弧部は、研磨層の中心点に対して半径方向の対称性をもって研磨層の表面の至るところに延在する。
図1に示されたように、本発明の方法は、真空ポート(図示されていない)を備える平床プラテン(1)の表面上で実行される。CMP研磨層又はパッド(2)は、平床プラテン(1)の中心点とCMP研磨層(2)とが位置合わせされるように平床プラテン(1)上に配置される。図1の平床プラテン(1)は、CMP研磨層(2)を所定の位置に保持するための真空ベント(図示されていない)を有する。図1において、CMP研磨層(2)は、1つの窓(3)を有する。本発明の研削機構は、その周辺部の下側に多孔性砥粒材(5)を含む研削用媒体を取り付けられた回転グラインダ(ホイール)アセンブリ(4)又はローターを備え、その多孔性砥粒材(5)は、図示されたように、ローター(4)の周辺部の下側の周りに延在する複数のセグメント内に配設されている。複数のセセグメントは、それらの間に小さな空隙を有する。図1において、回転グラインダアセンブリ(4)は、所望のようにCMP研磨層(2)の中心点の真上にその周辺部が来るように配置される。さらに、回転グラインダアセンブリ(4)は、その直径がCMP研磨層(2)の直径に略等しいような所望のサイズを有する。
本発明の方法に用いられた研削装置は、平床プラテンは勿論のこと、回転グラインダアセンブリ、並びにモータ及びギア結合部を含むその駆動ハウジングを備える。さらに装置は、圧搾気体又は空気を回転グラインダアセンブリに取り付けられた多孔性砥粒材とCMP研磨層との境界面内に導くための導管を備える。装置全体は、湿度が好ましくは50%以下のRH(相対湿度)に制御されている気密の筐体内に囲われている。
本発明の方法において用いられる研削装置の回転グラインダアセンブリは、駆動ハウジング内に延在している垂直軸上で回転し、且つ機械的結合部(例えばギア又は駆動ベルト)を介して駆動ハウジング内のモータ又は回転アクチュエータに接続される。駆動ハウジングはさらに、回転グラインダアセンブリの上方に近接して配置された空気式又は電子式アクチュエータの2以上の半径方向アレイを含み、それにより回転グラインダアセンブリは、上昇又は下降(例えばそれをゆっくりした増分速度で下方に搬送することによって)及び傾斜されうる。アクチュエータはさらに、その研削表面が平床プラテンの上部表面に実質的に但し正確にではなく平行であるように、回転グラインダアセンブリの傾斜を可能にする。これは、中央厚又は中央薄を作り出す研削を可能にする。
回転グラインダアセンブリは、多孔性砥粒材のリングが回転グラインダアセンブリの下側にぴったりフィットするところのクリップのアレイ、ファスナー、又は横方向ばね仕掛けスナップリングを含む。
多孔性砥粒材は、回転グラインダアセンブリの下側へフィットされ又は付着される単一搬送リング上で搬送される。多孔性砥粒材は、下向きのセグメントの半径方向アレイ、通常はセグメントの間に間隙を有する多孔性砥粒材の10〜40セグメント、又は多孔性砥粒材で作られた、そのリング内に周期的な穴を有する穿孔されたリングを含みうる。穿孔の間隙は、圧搾気体又は空気のCMP研磨層の表面とCMP研磨層との境界面への吹き付けが、使用中又は使用前後において多孔性砥粒材をクリーンにすることを可能にする。
本発明の方法に従って処理されたCMP研磨層のパッド表面の微小テクスチャは、CMP研磨層の表面粗さ及び回転グラインダの研削表面上の最終的に分割された非多孔性砥粒粒子のサイズに比例している。例えば、1μm(Sq)の表面粗さは、1μmより僅かに小さい平均粒子径(X50)を有する最終的に分割された非多孔性砥粒粒子に対応する。
本発明の装置における平床プラテンは、真空装置に接続されているプラテンを貫く複数の小さな孔(例えば直径が0.5〜5mm)を有している。孔は、研削中にCMP研磨層基板を所定の位置に保持するように何らかの所定の仕方で、例えば平床プラテンの中心点から外向きに延在する一連のスポークに沿って又は一連の同心リング内に配設されうる。
実施例:以下の実施例において、別の記載がない限り、圧力の全ての単位は、標準気圧(約101kPa)であり、そして温度の全ての単位は、室温(21〜23℃)である。
実施例1:試験は、330mm(13インチ)の半径を有するVP5000(商標)CMP研磨層又はパッド(Dow Chemical, Midland, ミシガン州(Dow社))の2つの型で実施された。パッドは窓を有さない。実施例1−1において、CMP研磨層は、2.03mm(80mil)の厚さであった単一多孔性ポリウレタンパッドを備えていた。ここで、ポリウレタンは、64.9のショアD硬さを有していた。実施例1−2において、CMP研磨層は、圧力感知粘着剤を用いて、ポリエステルフェルト(Dow社)から作られたSUBA IV(商標)サブパッド上に積層された、実施例1−1と同じポリウレタンパッドを有する積層パッドを備えていた。
実施例1−A及び1−Bにおける比較対象は、実施例1−1及び1−2におけるのとそれぞれ同じパッドであったが、本発明の方法によって処理されたものではない。
全てのパッドは、1010の溝(0.0768cm(0.030インチ)深さ×0.0511cm(0.020インチ)幅×0.307cm(0.120インチ)ピッチ)を有する同心円の溝パターン)を有していたが、窓は有していなかった。
多孔性砥粒材は、151μmの平均砥粒サイズ有する、ビトリファイド(ガラス固化した)多孔性ダイヤモンド砥粒であった。基板を研削するために、回転グラインダアセンブリは、平床プラテンの頂部に平行に配置され、そして反時計回りに284rpmで回転され、そしてアルミニウム平床プラテンは時計方向に8rpmで回転された。多孔性砥粒材がCMP研磨層基板に丁度接触し始める点から始めて、回転グラインダアセンブリは、平床プラテンの方へ3回のパッド回転毎に5.8μm(0.0002インチ)の増加率で下方に送られた。この間、圧搾乾燥空気(CDA)は、多孔性砥粒材の表面とCMP研磨層との境界面に、2つのノズル(1つはCMP研磨層の中心点の真上に配置され、他方は多孔性砥粒材を引きずる側上にパッド中心から約210mm(8.25インチ)に配置された)から吹き付けられた。研削は、約5分間続けられた。
実施例1から得られたパッドは、除去速度、非一様性、及びチヤッタマーク(欠陥)についての研磨試験において以下のように評価された。
除去速度:除去速度は、200mmサイズのテトラエトキシケイ酸塩(TEOS)の基板上で、指示されたパッドと200ml/分の流速でのILD3255(商標)ヒュームド・シリカ水性スラリー(Dow社)とを用いて基板を平坦化することによって決定された。研磨圧力は、Mirra(商標)研磨装置(Applied Materials, Santa Clara,カリフォルニア州)を用いて毎分当たりの回転数が93/87のプラテン/基板担体に対して下向きに0.11、0.21、及び0.32kg/cm2(1.5、3.0、4.5psi)と変えられた。試験に先立って、全ての研磨パッドは、調整器としてSAESOL(商標)8031C1ディスク(ブレイズドダイヤモンド粉末表面、直径10,16cm、Seasol Diamond Ind. Co., Ltd.,韓国)を用いて、40分間3.2kg(7ポンド)で調整された。試験中、パッドの同じ状態が続いた。18ウェーハの全てがパッド毎に試験されて、平均値が得られた。
非一様性:非一様性は、ウェーハ内の厚さの変動分を観測することによってデータが得られたことを除いて、除去速度試験において平坦化された同じTEOS基板上で且つ除去速度試験において開示された方法において決定された。18ウェーハの全てがパッド毎に試験されて、平均値が得られた。
チヤッタマーク又は欠陥の計数;チヤッタマーク又は欠陥の計数は、CMP欠陥の総数を観測することによってデータが得られたことを除いて、除去速度試験において平坦化された同じTEOS基板上で且つ除去速度試験において開示された方法において決定された。18ウェーハの全てがパッド毎に試験されて、平均値が得られた。
得られたパッドは、回転グラインダアセンブリの周辺部の半径と等しい曲率半径を有する交差する円弧部を含むパッド表面の微小テクスチャを有していた。また下の表1に示されたように、実施例1−1及び1−2の本発明に係るパッドは、実施例1−A(単独)及び1−B(積層された)の比較パッドと基板に関して同じ平坦化速度を与えた。一方、実施例1−1及び1−2の本発明に係るパッドは、本発明の研削方法が使用されることはなかった比較のための実施例1−A及び1−Bのパッドよりも、基板内において著しく低い欠陥性及び劇的に少ないチヤッタマークをもって制作された。
実施例2:試験は、61.0のショアD硬さを有する、大きな半径419mm(16.5インチ)のIC1000(商標)単一層ポリウレタンパッド(Dow社)で実施された。すなわち、回転グラインダアセンブリが、8パッド回転毎に20.3μm(0.0007インチ)増分の速度で平床プラテンの方へ下向きに搬送されたこと及び研削が5.5分間続けられたことを除いては、上の実施例1におけるような方法で取り扱われた実施例2のパッドで実施された。比較のための実施例2−Aパッドは、本発明の方法に従い取り扱われなかった実施例2におけるのと同じパッドであった。
試験は14個のパッドについて実行され、そして平均的結果が、以下のように試験された厚さの変動に関して報告された。
厚さの変動分;厚さの変動分は、研磨パッドの表面のいたる所で座標測定装置を用いて決定された。パッド中心から縁までの9つの個別の測定位置の総計が、パッド毎に集められた。厚さの変動分は、最も厚い測定値から最も薄い測定値を引くことによって計算された。結果は下の表2に示される。
得られた本発明に係るパッドは、特性パッド表面の微小テクスチャを有していた。実施例2の本発明に係るパッドは、比較のための実施例2−Aパッドよりも少ない平均厚さ変動分を有し、したがって形状においてより一貫している。
実施例3:表面粗さは、商業的に入手可能なIC1000(商標)パッド(Dow社)に比較して上の実施例2のパッド上で測定された。比較のための実施例2のパッドは、実施例2−Aにおけと同じパッドであったが、本発明の方法に従って取り扱われたものではない。
表面粗さは、2つのパッドのそれぞれでパッド中心から縁までの5つの等間隔の点上で測定され、そして表面粗さについての平均の結果が、下の表3に報告される。
上の表3に示されたように、実施例3における本発明のCMP研磨層は、規定されたパッド表面の微小テクスチャ、及び低減された谷の深さによって特徴付けられた確定された表面粗さを有している。
実施例3:試験は、33.0のショアD硬さを有する、大きな419mm(16.5インチ)半径のIK2060H(商標)単一層ポリウレタンパッド(Dow社)で実施された。すなわち、回転グラインダアセンブリが、平床プラテンの方へ下向きに搬送されたこと及び軽い表面の微小テクスチャリング(少ない研削、研削表面が最初にパッドに接触するパッド表面の最高のピークから測られたパッドの12.7μm(0.5ミル)を除いた後に停止される)、中間の表面の微小テクスチャリング(パッド表面の最高ピークから測られたパッドの50.8μm(2ミル)を除去した後に停止される)、及び最大限度の表面の微小テクスチャリング(最高研削、パッド表面の最高ピークから測られたパッドの101.6μm(4ミル)を除去した後に停止される)を達成するために様々な高さで停止されることを除いては、上の実施例2におけるような方法で取り扱われた実施例3−1、3−2,3−3のパッドで実施された。比較のための実施例3−Aパッドは、本発明の方法に従っては取り扱われなかった実施例23−1,3−2、および3−3におけるのと同じパッドであった。
全てのパッドは、1010の溝(0.0768cm(0.030インチ)深さ×0.0511cm(0.020インチ)幅×0.307cm(0.120インチ)ピッチ)を有する同心円の溝パターン)を有していたが、窓は有していなかった。
実施例3から得られたパッドは、除去速度及び欠陥性に関する研磨試験において以下のように評価された。
除去速度:除去速度は、200mmサイズのテトラエトキシケイ酸塩(TEOS)の基板上で、指示されたパッドと200ml/分の流速でのAP5105(商標)シリカ水性スラリー(Dow社)とを用いて基板を平坦化することによって決定された。研磨圧力は、Mirra(商標)研磨装置(Applied Materials, Santa Clara,カリフォルニア州)を用いて毎分当たりの回転数が93/87のプラテン/基板担体に対して下向きに0.11kg/cm2(1.5psi)と変えられた。全ての研磨パッドは、調整器としてSAESOL(商標)8031C1ディスク(ブレイズドダイヤモンド粉末表面、直径10,16cm、Seasol Diamond Ind. Co., Ltd.,韓国)を用いて、3.2kg(7ポンド)で調整された。試験中、パッドの同じ状態が続けられた。76ウェーハの全てが、測定された6ウェーハ(ウェーハ番号1、7、13、24、50及び76)の選択されたサブセットを用いてパッド毎に試験された。測定されたサブセットからの平均値が得られ、且つ下のように欠陥数及び除去速度について報告された。ウェーハ番号24はまた以下のように報告された。
欠陥計数;欠陥の計数は、CMP欠陥の総数を観測することによってデータが得られたことを除いて、除去速度試験において平坦化された同じTEOS基板上で、且つ除去速度試験において開示された方法において決定された。76ウェーハの全てが、測定された6ウェーハのサブセセットを用いてパッド毎に試験され、そして平均値が得られた。
下の表4に示されたように、実施例3−2及び3−3の本発明のパッドは、実施例3−Aの比較用のパッドよりも基板に著しく高い平坦化速度を与えた。一方、実施例3−2及び3−3の本発明のパッドは、本発明の研削方法に付されなかった比較用の実施例3−Aのパッドに比べて基板に著しく低い欠陥性しか持たなかった。実施例3−2及び3−3は、実施例3−1と比較するとき、パッドをより研削することが、パッド表面からの少なくとも物質の〜51μmの除去までは、その研磨性能を改良することを示す。