JP2018046257A - チップインダクタおよびチップインダクタの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】Ｑ値を向上できるチップインダクタおよびそのようなチップインダクタの製造方法を提供する。【解決手段】チップインダクタ１は、基板１０と、基板１０を被覆する絶縁層１３と、絶縁層１３上に形成された外部端子６と、基板１０において、外部端子６外の領域に加えて、外部端子６と対向する領域に引き回された平面視螺旋状のコイル導体１１とを含む。【選択図】図２

Description

本発明は、チップインダクタおよびチップインダクタの製造方法に関する。

特許文献１には、複数の端子電極（外部端子）と、複数の端子電極間の領域のみに形成された螺旋状の導体パターン（コイル導体）とを含むインダクタが開示されている。

特開平９−１９９３６５号公報

インダクタの特性を表すパラメータの一つとしてＱ値（Quality Factor）が知られている。インダクタのＱ値は、Ｑ＝２πｆＬ／Ｒによって表される。ｆはコイル導体を流れる電流の周波数であり、Ｌはコイル導体のインダクタンス成分であり、Ｒはコイル導体の抵抗成分である。Ｑ値が高いほど理想的なインダクタに近いといえる。上記式から、コイル導体のインダクタンス成分の増加を図ることにより、および／または、コイル導体の抵抗成分の低減を図ることにより、Ｑ値を向上できることが理解される。

特許文献１に開示されたインダクタの構造では、コイル導体の形成領域が複数の外部端子間という限られた領域だけに制限される。そのため、コイル導体のインダクタンス成分の増加を図ることや、コイル導体の抵抗成分の低減を図ることが容易でなく、Ｑ値を向上させる上で課題が存在している。
そこで、本発明は、Ｑ値を向上できるチップインダクタおよびそのようなチップインダクタの製造方法を提供することを一つの目的とする。

本発明の一局面に係るチップインダクタは、基板と、前記基板を被覆する絶縁層と、前記絶縁層上に形成された外部端子と、前記基板において、前記外部端子外の領域に加えて、前記外部端子と対向する領域に引き回された平面視螺旋状のコイル導体とを含む。
本発明の他の局面に係るチップインダクタは、基板と、前記基板を被覆する絶縁層と、前記絶縁層上に間隔を空けて形成された第１外部端子および第２外部端子と、前記基板において、前記第１外部端子および前記第２外部端子の間の領域に加えて、前記第１外部端子と対向する領域および前記第２外部端子と対向する領域に引き回された平面視螺旋状のコイル導体とを含む。

本発明のチップインダクタの製造方法は、基板の主面に平面視螺旋状のコイル導体を形成するコイル導体形成工程と、前記コイル導体を被覆するように前記基板の主面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層に、前記コイル導体の内側末端を露出させる第１開口、および、前記コイル導体の外側末端を露出させる第２開口を形成する開口形成工程と、前記第１開口に導体を埋めて、前記コイル導体の一部と対向し、かつ、前記コイル導体の前記内側末端と電気的に接続される第１外部端子を形成する工程と、前記第２開口に導体を埋めて、前記コイル導体の一部と対向し、かつ、前記コイル導体の前記外側末端と電気的に接続される第２外部端子を形成する工程とを含む。

本発明の一局面に係るチップインダクタでは、平面視螺旋状のコイル導体が、基板における外部端子外の領域（つまり、外部端子と対向しない領域）に加えて、基板における外部端子と対向する領域に引き回されている。これにより、コイル導体の平面視面積を増加させることができるから、コイル導体の抵抗成分の低減を図ることができる。また、コイル導体の形成領域を外部端子外の領域に広げることにより、当該コイル導体の巻線数も増加させることができるから、コイル導体のインダクタンス成分の増加を図ることができる。

また、本発明の一局面に係るチップインダクタでは、コイル導体と外部端子との間に絶縁層が形成されているから、これらコイル導体および外部端子の間の寄生容量の増加も抑制できる。これにより、Ｑ値を向上できるチップインダクタを提供できる。
本発明の他の局面に係るチップインダクタでは、平面視螺旋状のコイル導体が、基板において、第１外部端子および第２外部端子の間の領域に加えて、第１外部端子と対向する領域および第２外部端子と対向する領域に引き回されている。これにより、コイル導体の平面視面積を増加させることができるから、コイル導体の抵抗成分の低減を図ることができる。また、コイル導体の形成領域を第１外部端子と対向する領域および第２外部端子と対向する領域に広げることにより、当該コイル導体の巻線数も増加させることができるから、コイル導体のインダクタンス成分の増加を図ることができる。

また、本発明の他の局面に係るチップインダクタでは、コイル導体と第１外部端子との間、および、コイル導体と第２外部端子との間に絶縁層が形成されているから、コイル導体と第１外部端子との間、および、コイル導体と第２外部端子との間の寄生容量の増加も抑制できる。これにより、Ｑ値を向上できるチップインダクタを提供できる。
本発明のチップインダクタの製造方法では、平面視螺旋状のコイル導体が、基板において、第１外部端子および第２外部端子の間の領域に加えて、第１外部端子と対向する領域および第２外部端子と対向する領域に引き回された構造のチップインダクタを製造できる。よって、本発明の他の局面に係るチップインダクタにおいて述べた作用効果と同様の作用効果を奏することのできるチップインダクタを提供できる。

図１は、本発明の第１実施形態に係るチップインダクタの模式的な斜視図である。 図２は、図１の一点鎖線II-IIに沿う断面図である。 図３は、図１の一点鎖線III-IIIに沿う断面図である。 図４は、絶縁層を取り除いてコイル導体の平面視形状を示す図である。 図５は、コイル導体の内側末端の構造を説明するための図であって、図５（ａ）は、図４の二点鎖線Vによって取り囲まれた領域の拡大平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の一点鎖線Vb-Vbに沿う断面図である。 図６Ａは、図１のチップインダクタの製造方法を説明するための図である。 図６Ｂは、図６Ａの後の工程を示す図である。 図６Ｃは、図６Ｂの後の工程を示す図である。 図６Ｄは、図６Ｃの後の工程を示す図である。 図６Ｅは、図６Ｄの後の工程を示す図である。 図６Ｆは、図６Ｅの後の工程を示す図である。 図６Ｇは、図６Ｆの後の工程を示す図である。 図６Ｈは、図６Ｇの後の工程を示す図である。 図６Ｉは、図６Ｈの後の工程を示す図である。 図６Ｊは、図６Ｉの後の工程を示す図である。 図６Ｋは、図６Ｊの後の工程を示す図である。 図６Ｌは、図６Ｋの後の工程を示す図である。 図６Ｍは、図６Ｌの後の工程を示す図である。 図７は、図１のチップインダクタのＱ値をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。 図８は、本発明の第２実施形態に係るチップインダクタの模式的な断面図である。 図９Ａは、図８のチップインダクタの製造方法を説明するための図である。 図９Ｂは、図９Ａの後の工程を示す図である。 図９Ｃは、図９Ｂの後の工程を示す図である。 図９Ｄは、図９Ｃの後の工程を示す図である。 図１０は、本発明の第３実施形態に係るチップインダクタの模式的な断面図である。

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係るチップインダクタ１の模式的な斜視図である。図２は、図１の一点鎖線II-IIに沿う断面図である。図３は、図１の一点鎖線III-IIIに沿う断面図である。図４は、絶縁層１３を取り除いてコイル導体１１の平面視形状を示す図である。図５は、コイル導体１１の内側末端２１の構造を説明するための図であって、図５（ａ）は、図４の二点鎖線Vによって取り囲まれた領域の拡大平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の一点鎖線Vb-Vbに沿う断面図である。図５（ａ）では、明瞭化のため、クロスハッチングによってコイル導体１１が示されている。

図１を参照して、チップインダクタ１は、０６０３（０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）チップ、０４０２（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）チップ、０３０１５（０．３ｍｍ×０．１５ｍｍ）チップ等と称されるチップ部品型の電子部品である。
チップインダクタ１は、直方体形状のチップ本体２を含む。チップ本体２は、第１主面３と、第２主面４と、第１主面３および第２主面４を接続する側面５Ａ，５Ｂとを含む。チップ本体２の第１主面３および第２主面４は、第１主面３の法線方向から見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において、長方形状に形成されている。チップ本体２の側面５Ａ，５Ｂには、当該チップ本体２の長手方向に沿って延びる一対の長手側面５Ａと、当該チップ本体２の短手方向に沿って延びる一対の短手側面５Ｂとが含まれる。前述の「０６０３」、「０４０２」、「０３０１５」等は、長手側面５Ａの長さおよび短手側面５Ｂの長さによって定義されている。チップ本体２の厚さは、たとえば５０μｍ以上１５０μｍ以下（本実施形態では１００μｍ程度）である。

チップ本体２の第１主面３上には、第１外部端子６および第２外部端子７が互いに間隔を空けて形成されている。第１外部端子６は、チップ本体２の長手方向一方側の端部（図１の左側の端部）において、当該チップ本体２の短手方向に沿う長方形状に形成されている。第２外部端子７は、チップ本体２の長手方向他方側の端部（図１の右側の端部）において、当該チップ本体２の短手方向に沿う長方形状に形成されている。

図２および図３を参照して、チップ本体２は、基板１０と、基板１０に形成されたコイル導体１１と、基板１０を被覆する表面絶縁膜１２と、表面絶縁膜１２を被覆する絶縁層１３とを含む。チップ本体２の第１主面３は、絶縁層１３によって形成されている。チップ本体２の第２主面４は、基板１０によって形成されている。チップ本体２の側面５Ａ，５Ｂは、基板１０、表面絶縁膜１２および絶縁層１３によって形成されている。前述の第１外部端子６および第２外部端子７は、絶縁層１３上に互いに間隔を空けて形成されている。

基板１０は、直方体形状に形成されており、第１主面１４と、第２主面１５と、第１主面１４および第２主面１５を接続する側面１６Ａ，１６Ｂとを含む。基板１０の第２主面１５は、チップ本体２の第２主面４を形成している。基板１０の側面１６Ａ，１６Ｂは、チップ本体２の側面５Ａ，５Ｂの一部をそれぞれ形成している。基板１０は、たとえば０．５ＭΩ・ｃｍ以上１．５Ω・ｃｍ以下（本実施形態では１．０ＭΩ・ｃｍ程度）の抵抗率を有する高抵抗基板である。基板１０の厚さは、たとえば８０μｍ以上２５０μｍ以下（本実施形態では１００μｍ程度）である。

図４を参照して、コイル導体１１は、基板１０の第１主面１４側に平面視螺旋状に形成されている。コイル導体１１は、基板１０の第１主面１４において、第１外部端子６および第２外部端子７の間の領域に加えて、第１外部端子６と対向する領域および第２外部端子７と対向する領域に引き回されている。コイル導体１１は、内側末端２１と、外側末端２２と、内側末端２１および外側末端２２の間を螺旋状に引き回された螺旋部２３とを含む。

図２〜図５を参照して、コイル導体１１の内側末端２１は、基板１０の第１主面１４において第１外部端子６と対向する領域に形成されている。つまり、コイル導体１１の内側末端２１は、第１外部端子６の直下に形成されている。コイル導体１１の外側末端２２は、基板１０の第１主面１４において第２外部端子７と対向する領域に形成されている。つまり、コイル導体１１の外側末端２２は、第２外部端子７の直下に形成されている。コイル導体１１の螺旋部２３は、基板１０において、第１外部端子６と対向する領域および第２外部端子７と対向する領域に加えて、第１外部端子６および第２外部端子７の間の領域に引き回されている。

コイル導体１１の螺旋部２３は、第１外部端子６および第２外部端子７の対向方向に沿って延びる第１部分２４と、前記対向方向に交差する方向に沿って延びる第２部分２５とを含む。第１外部端子６および第２外部端子７の対向方向とは、基板１０（チップ本体２）の長手方向でもある。また、前記対向方向に交差する方向とは、基板１０（チップ本体２）の短手方向でもある。螺旋部２３の第１部分２４は、第１外部端子６および第２外部端子７の間の領域に形成されている。また、螺旋部２３の第２部分２５は、第１外部端子６と対向する領域、および、第２外部端子７と対向する領域に形成されている。

本実施形態では、基板１０の第１主面１４には、当該基板１０の第１主面１４から第２主面１５に向かって掘り下げて形成された平面視螺旋状のトレンチ３０が形成されており、当該トレンチ３０に、コイル導体１１が埋め込まれている。図２および図３を参照して、コイル導体１１（トレンチ３０）が延びる螺旋方向に直交する方向の断面に関して、トレンチ３０は、基板１０の厚さ方向に細長い長方形状の断面形状を有している。トレンチ３０は、底部の幅が開口幅よりも小さいテーパ状の断面形状を有していてもよい。

トレンチ３０の側壁および底壁を含む内壁面には、内壁絶縁膜３１が形成されている。内壁絶縁膜３１は、トレンチ３０の内壁面に沿って膜状に形成されている。内壁絶縁膜３１が膜状に形成されているとは、内壁絶縁膜３１の一方表面（トレンチ３０側の表面）およびその反対の他方表面がトレンチ３０の内壁面に沿って形成されていることをいう。内壁絶縁膜３１は、トレンチ３０外において、基板１０を被覆する表面絶縁膜１２と連なっている。内壁絶縁膜３１は、表面絶縁膜１２の厚さとほぼ等しい厚さで形成されている。コイル導体１１は、この内壁絶縁膜３１を介してトレンチ３０内に埋め込まれている。したがって、内壁絶縁膜３１は、基板１０とコイル導体１１との間に介在している。

図５を参照して、コイル導体１１は、第１導電体層３２と、第１導電体層３２上に形成された第２導電体層３３とを含む積層構造を有している。第１導電体層３２は、トレンチ３０の内壁面に沿って膜状に形成されている。第１導電体層３２が膜状に形成されているとは、第１導電体層３２の一方表面（トレンチ３０側の表面）およびその反対の他方表面がトレンチ３０の内壁面に沿って形成されていることをいう。

第１導電体層３２は、窒化チタン層またはチタン層からなる単層構造を有していてもよいし、窒化チタン層および当該窒化チタン層上に形成されたチタン層を含む積層構造を有していてもよい。第１導電体層３２は、窒化チタン層および／またはチタン層を含むことにより、バリア電極層として機能する。第１導電体層３２は、たとえば第２導電体層３３の厚さの１００分の１以下の厚さで形成されている。第１導電体層３２の厚さは、たとえば１０００Å以上２０００Å以下（本実施形態では１５００Å程度）である。

第２導電体層３３は、銅を主成分とする金属を含み、第１導電体層３２によって区画された凹状の空間に埋め込まれている。第２導電体層３３は、コイル導体１１の大部分を占めている。銅を主成分とする金属を含む第２導電体層３３によれば、コイル導体１１の抵抗成分の低減を図ることができる。
「銅を主成分とする金属」とは、第２導電体層３３を構成する銅の質量比率（質量％）が、当該第２導電体層３３を構成する他の成分に対して最も高い金属のことをいう（以下、同じ）。たとえば、第２導電体層３３がアルミニウム−銅合金（Ａｌ−Ｃｕ合金）からなる場合、銅の質量比率Ｒ_Ｃｕは、アルミニウムの質量比率Ｒ_Ａｌよりも高い（Ｒ_Ｃｕ＞Ｒ_Ａｌ）。また、たとえば、第２導電体層３３がアルミニウム−シリコン−銅合金（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金）からなる場合、銅の質量比率Ｒ_Ｃｕは、アルミニウムの質量比率Ｒ_Ａｌおよびシリコンの質量比率Ｒ_Ｓｉよりも高い（Ｒ_Ｃｕ＞Ｒ_Ａｌ、かつ、Ｒ_Ｃｕ＞Ｒ_Ｓｉ）。「銅を主成分とする金属」には、微量の不純物を含む場合はあるが、純度９９．９９９９％（６Ｎ）以上の高純度銅や、純度９９．９９％（４Ｎ）以上の高純度銅等も含まれる。

第２導電体層３３は、銅を主成分とする金属に代えてタングステンを含むこともできる。タングステンを含む第２導電体層３３によれば、トレンチ３０にコイル導体１１を良好に埋め込むことができる。
図４および図５を参照して、コイル導体１１（トレンチ３０）が延びる螺旋方向に直交する方向に関して、コイル導体１１の内側末端２１および外側末端２２は、コイル導体１１の螺旋部２３の幅よりも大きい幅を有している。コイル導体１１の内側末端２１および外側末端２２は、本実施形態では、第１外部端子６および第２外部端子７の対向方向に直交する方向に延びる平面視長方形状に形成されている。

より具体的には、前述のトレンチ３０は、コイル導体１１の螺旋部２３用の螺旋トレンチ３４と、コイル導体１１の内側末端２１および外側末端２２用の末端トレンチ３５とを含む。末端トレンチ３５は、第１外部端子６および第２外部端子７の対向方向に直交する方向に延びる平面視長方形状に形成されている。
コイル導体１１（トレンチ３０）が延びる螺旋方向に直交する方向に関して、末端トレンチ３５は、螺旋トレンチ３４の開口幅Ｗ１よりも大きい開口幅Ｗ２を有している。螺旋トレンチ３４の深さＤ１および末端トレンチ３５の深さＤ２は、ほぼ等しい（Ｄ２≒Ｄ１またはＤ２＝Ｄ１）。したがって、螺旋トレンチ３４の開口幅Ｗ１に対する深さＤ１の比であるアスペクト比Ｒ１（＝Ｄ１／Ｗ１）は、末端トレンチ３５の開口幅Ｗ２に対する深さＤ２の比であるアスペクト比Ｒ２（＝Ｄ２／Ｗ２）よりも大きい（Ｒ１＞Ｒ２）。

図４および図５を参照して、末端トレンチ３５には、四角柱状のピラー部３６（柱状部）が形成されている。本実施形態では、末端トレンチ３５に複数（本実施形態では１０個）のピラー部３６が形成されている。複数のピラー部３６は、第１外部端子６および第２外部端子７の対向方向、ならびに、前記対向方向に交差する方向に沿って間隔を空けて行列状（５行２列の行列状）に形成されている。また、複数のピラー部３６は、末端トレンチ３５の側壁から内側の領域に間隔を空けて形成されている。これによって、末端トレンチ３５が平面視格子形状に形成されている。ピラー部３６は、基板１０の一部からなり、かつ、末端トレンチ３５の底壁から基板１０の第１主面１４側に向けて立設されている。

互いに隣り合うピラー部３６間の幅Ｗ３は、たとえば螺旋トレンチ３４の開口幅Ｗ１とほぼ等しい（Ｗ３≒Ｗ１またはＷ３＝Ｗ１）ことが好ましい。また、末端トレンチ３５の側壁およびピラー部３６の間の幅Ｗ４は、たとえば螺旋トレンチ３４の開口幅Ｗ１とほぼ等しい（Ｗ４≒Ｗ１またはＷ４＝Ｗ１）ことが好ましい。コイル導体１１は、ピラー部３６の側壁を被覆するように末端トレンチ３５内に埋め込まれている。より具体的には、ピラー部３６の側壁は、前述の内壁絶縁膜３１によって被覆されており、コイル導体１１は、内壁絶縁膜３１を介してピラー部３６の側壁を被覆している。

本実施形態では、ピラー部３６が四角柱状に形成された例について説明したが、ピラー部３６は、三角柱状、六角柱状等の四角柱状以外の多角柱状に形成されていてもよいし、円柱状や楕円柱状に形成されていてもよい。本実施形態では、複数のピラー部３６が、末端トレンチ３５の側壁から内側の領域に間隔を空けて形成された例について説明したが、複数のピラー部３６の内の少なくとも一つが、末端トレンチ３５の側壁と一体的に形成された構造の末端トレンチ３５が採用されてもよい。また、複数のピラー部３６の内の少なくとも二つが一体的に形成された構造の末端トレンチ３５が採用されてもよい。むろん、ピラー部３６が存在しない構造の末端トレンチ３５が採用されてもよい。

また、本実施形態では、コイル導体１１の内側末端２１（末端トレンチ３５）およびコイル導体１１の外側末端２２（末端トレンチ３５）がほぼ等しい形状で形成されている。しかし、コイル導体１１の内側末端２１（末端トレンチ３５）およびコイル導体１１の外側末端２２（末端トレンチ３５）は、互いに異なる形状に形成されていてもよい。
図２および図３を参照して、絶縁層１３は、コイル導体１１を被覆するように基板１０の第１主面１４の全域に形成されている。絶縁層１３は、直方体形状に形成されており、第１主面４１と、第２主面４２と、第１主面４１および第２主面４２を接続する側面４３Ａ，４３Ｂとを含む。絶縁層１３の第１主面４１は、チップ本体２の第１主面３を形成している。絶縁層１３の側面４３Ａ，４３Ｂは、チップ本体２の側面５Ａ，５Ｂの一部をそれぞれ形成している。絶縁層１３の第２主面４２は、表面絶縁膜１２およびコイル導体１１と接している。

絶縁層１３の側面４３Ａ，４３Ｂは、基板１０の側面１６Ａ，１６Ｂよりも当該基板１０の内側に間隔を空けて形成されている。これによって、絶縁層１３の側面４３Ａ，４３Ｂと基板１０の側面１６Ａ，１６Ｂとの間には、これらを接続する段部４４が形成されている。段部４４は、絶縁層１３の側面４３Ａ，４３Ｂと基板１０の側面１６Ａ，１６Ｂとの間の領域から露出する基板１０の周縁部（表面絶縁膜１２によって被覆された基板１０の周縁部）によって形成されている。

絶縁層１３は、樹脂層４５の単層構造からなる。樹脂層４５は、たとえば感光性樹脂、より具体的にはエポキシ樹脂を含むネガティブタイプのフォトレジストである。樹脂層４５は、永久膜とも称される。絶縁層１３は、基板１０やコイル導体１１等を保護するために設けられているのに加えて、第１外部端子６とコイル導体１１との間の寄生容量を低減し、かつ、第２外部端子７とコイル導体１１との間の寄生容量を低減するために設けられている。絶縁層１３の厚さＴは、たとえば１０μｍ以上１００μｍ以下（本実施形態では４０μｍ程度）である（図５参照）。絶縁層１３には、第１パッド開口５１と、第２パッド開口５２とが形成されている。

図２および図５を参照して、第１パッド開口５１は、絶縁層１３を貫通するように形成され、かつコイル導体１１の内側末端２１を第１パッド領域５３として露出させている。第１パッド開口５１は、本実施形態では、コイル導体１１の内側末端２１のほぼ全域を露出させている。第１パッド開口５１の開口端は、当該第１パッド開口５１内に向かう凸湾曲状に形成されている。

第１パッド開口５１の開口端とは、より具体的には、絶縁層１３のうち、当該絶縁層１３の第１主面４１を形成する部分と第１パッド開口５１の内壁を形成する部分とを接続する部分である。第１パッド開口５１の開口端が凸湾曲状であれば、第１外部端子６を第１パッド開口５１内に良好に埋め込むことができる。
第１外部端子６は、絶縁層１３の第１主面４１から第１パッド開口５１に入り込み、当該第１パッド開口５１内においてコイル導体１１の内側末端２１に直接接合されている。図５を参照して、第１外部端子６は、基板１０側から順に積層された第１導電体層５４および第２導電体層５５を含む積層構造を有している。第１パッド開口５１外において、第１導電体層５４の側面および第２導電体層５５の側面は、面一に形成されている。

第１外部端子６の第１導電体層５４は、バリアシード層５６と、バリアシード層５６上に形成され、かつ銅を主成分とする金属を含む銅層５７とを含む積層構造を有している。バリアシード層５６は、絶縁層１３の第１主面４１から第１パッド開口５１の内壁に沿って膜状に形成されている。バリアシード層５６が膜状に形成されているとは、バリアシード層５６の一方表面（第１パッド開口５１の内壁側の表面）およびその反対の他方表面が第１パッド開口５１の内壁に沿って形成されていることをいう。

バリアシード層５６は、窒化チタン層またはチタン層からなる単層構造を有していてもよいし、窒化チタン層および当該窒化チタン層上に形成されたチタン層を含む積層構造を有していてもよい。銅層５７は、バリアシード層５６の表面に沿って形成され、かつ当該バリアシード層５６によって区画された凹状の空間を埋めている。
第１外部端子６の第２導電体層５５は、ニッケル−リン合金を含むニッケル−リン合金層５８と、ニッケル−リン合金層５８上に形成された金層５９とを含む積層構造を有している。ニッケル−リン合金層５８は、第１導電体層５４（銅層５７）の外面を被覆している。金層５９は、ニッケル−リン合金層５８の外面を被覆している。

図２を参照して、第２パッド開口５２は、絶縁層１３を貫通するように形成され、かつコイル導体１１の外側末端２２を第２パッド領域６０として露出させている。第２パッド開口５２は、本実施形態では、コイル導体１１の外側末端２２のほぼ全域を露出させている。第２パッド開口５２の開口端は、第１パッド開口５１の開口端と同様に、当該第２パッド開口５２内に向かう凸湾曲状に形成されている。

第２パッド開口５２の開口端とは、より具体的には、絶縁層１３のうち、当該絶縁層１３の第１主面４１を形成する部分と第２パッド開口５２の内壁を形成する部分とを接続する部分である。第２パッド開口５２の開口端が凸湾曲状であれば、第２外部端子７を第２パッド開口５２内に良好に埋め込むことができる。
第２外部端子７は、絶縁層１３の第１主面４１から第２パッド開口５２に入り込み、当該第２パッド開口５２内においてコイル導体１１の外側末端２２に直接接合されている。第２外部端子７は、第１外部端子６と同様に、基板１０側から順に積層された第１導電体層５４および第２導電体層５５を含む積層構造を有している。第２外部端子７の構成については、第１外部端子６の構成とほぼ同様であるので、同一の参照符号を付して説明を省略する。

次に、チップインダクタ１の製造方法について説明する。図６Ａ〜図６Ｍは、図１のチップインダクタ１の製造方法を説明するための図である。
まず、図６Ａに示すように、ウエハ７０が準備される。チップインダクタ１の製造は、当該チップインダクタ１が個片に切り分けられる前のウエハ７０の状態で進められる。このウエハ７０からは、複数個のチップインダクタ１が形成されるが、図６Ａでは、１個のチップインダクタ１が形成される領域、および、その周辺の領域のみが示されている（以下、図６Ｂ〜図６Ｍにおいて同じ）。

ウエハ７０の第１主面７１は、基板１０の第１主面１４に対応しており、ウエハ７０の第２主面７２は、基板１０の第２主面１５に対応している。ウエハ７０の厚さは、たとえば７００μｍ以上７５０μｍ以下である。ウエハ７０には、チップインダクタ１に対応する複数のチップ形成領域７３と、複数のチップ形成領域７３を区画する境界領域７４とが設定される。

次に、図６Ｂに示すように、ウエハ７０の第１主面７１および第２主面７２に絶縁膜７５が形成される。絶縁膜７５は、シリコン酸化膜であってもよい。絶縁膜７５は、ＣＶＤ（chemical vapor deposition：化学気相成長）法によって形成されてもよいし、熱酸化処理によって形成されてもよい。ウエハ７０の第１主面７１および第２主面７２に等しい厚さの絶縁膜７５を形成することにより、ウエハ７０の第１主面７１側で生じる応力と、ウエハ７０の第２主面７２側で生じる応力をほぼ等しくできる。これにより、ウエハ７０の反りを抑制できる。

次に、図６Ｃに示すように、ウエハ７０の第１主面７１側に形成された絶縁膜７５上にマスク７７が形成される。マスク７７は、トレンチ３０（螺旋トレンチ３４および末端トレンチ３５を含む）を形成すべき領域を露出させる平面視螺旋状の開口７６を有している。次に、マスク７７を介するエッチングにより、絶縁膜７５の不要な部分が除去される。エッチングは、異方性エッチング（たとえば反応性イオンエッチング）であってもよい。これにより、マスク７７の開口７６に整合する平面視螺旋状の開口７８が絶縁膜７５に形成される。絶縁膜７５に開口７８が形成された後、マスク７７は除去される。

次に、図６Ｄに示すように、絶縁膜７５をマスクとするエッチングにより、絶縁膜７５の開口７８から露出するウエハ７０が第１主面７１から第２主面７２に向けて掘り下げられる。エッチングは、異方性エッチング（たとえば反応性イオンエッチング）であってもよい。これにより、ウエハ７０が第１主面７１に、絶縁膜７５に開口７８に整合する平面視螺旋状のトレンチ３０が形成される。

この工程では、螺旋部２３用の螺旋トレンチ３４と、内側末端２１および外側末端２２用の末端トレンチ３５とを含む平面視螺旋状のトレンチ３０が形成される。また、この工程では、末端トレンチ３５内に、基板１０の一部からなり、かつ、末端トレンチ３５の底壁から基板１０の第１主面１４側に向けて立設された四角柱状のピラー部３６が複数形成される。本実施形態では、複数のピラー部３６が行列状に形成される。これによって、平面視格子形状の末端トレンチ３５が形成される。

次に、図６Ｅに示すように、たとえばエッチングにより、ウエハ７０の第１主面７１および第２主面７２に形成された絶縁膜７５が除去される。エッチングは、等方性エッチング（たとえばウェットエッチング）であってもよい。
次に、図６Ｆに示すように、ウエハ７０の第１主面７１および第２主面７２に、別の絶縁膜７９が形成される。絶縁膜７９は、シリコン酸化膜であってもよい。絶縁膜７９は、ＣＶＤ法によって形成されてもよいし、熱酸化処理によって形成されてもよい。ウエハ７０の第１主面７１および第２主面７２に等しい厚さの絶縁膜７９を形成することにより、ウエハ７０の第１主面７１側で生じる応力と、ウエハ７０の第２主面７２側で生じる応力をほぼ等しくできる。これにより、ウエハ７０の反りを抑制できる。

この工程では、ウエハ７０の第１主面７１側に形成された絶縁膜７９のうち、ウエハ７０の第１主面７１を被覆する部分が表面絶縁膜１２となる。また、絶縁膜７９のうち、トレンチ３０の側壁および底壁を含む内壁面を被覆する部分が内壁絶縁膜３１となる。表面絶縁膜１２および内壁絶縁膜３１は、ほぼ等しい厚さで形成される。
次に、図６Ｇに示すように、たとえばスパッタ法により、ウエハ７０の第１主面７１側の絶縁膜７９上にチタンが堆積されて第１導電体層３２が形成される。第１導電体層３２の厚さは、たとえば１０００Å以上２０００Å以下（本実施形態では１５００Å程度）である。

次に、図６Ｈに示すように、トレンチ３０において第１導電体層３２によって区画された凹状の空間を埋めてウエハ７０の第１主面７１の全面を覆うように銅層８０が形成される。
次に、図６Ｉに示すように、たとえばエッチングにより、トレンチ３０外の銅層８０が選択的に除去される。エッチングは、等方性エッチング（たとえばウェットエッチング）であってもよい。これにより、第１導電体層３２を介してトレンチ３０に埋め込まれた第２導電体層３３が形成される。また、たとえばエッチングにより、トレンチ３０外の第１導電体層３２が選択的に除去される。エッチングは、等方性エッチング（たとえばウェットエッチング）であってもよい。このようにして、第１導電体層３２および第２導電体層３３を含むコイル導体１１が形成される。

本実施形態では、末端トレンチ３５内にピラー部３６が形成されているので、当該ピラー部３６の個数に応じた分だけ、末端トレンチ３５のアスペクト比Ｒ２が低減されている。したがって、螺旋トレンチ３４よりも幅広な末端トレンチ３５が形成されている場合であっても、末端トレンチ３５に対する第１導電体層３２および第２導電体層３３の埋め込み性（成膜性）が低下することを回避できる。

特に、互いに隣り合うピラー部３６間の幅Ｗ３を螺旋トレンチ３４の開口幅Ｗ１と同程度（Ｗ３≒Ｗ１またはＷ３＝Ｗ１）とし、末端トレンチ３５の側壁およびピラー部３６間の幅Ｗ４を螺旋トレンチ３４の開口幅Ｗ１と同程度（Ｗ４≒Ｗ１またはＷ４＝Ｗ１）とすることが好ましい（図５も併せて参照）。これにより、ほぼ同様の速度および割合で、螺旋トレンチ３４および末端トレンチ３５に第１導電体層３２および第２導電体層３３を形成できる。

次に、図６Ｊに示すように、ウエハ７０の第１主面７１の全面を覆うように感光性樹脂が塗布される。本実施形態では、感光性樹脂として、エポキシ樹脂を含むネガティブタイプのフォトレジストがウエハ７０の第１主面７１の全面に塗布される。これにより、絶縁層１３が形成される。絶縁層１３の厚さＴは、たとえば１０μｍ以上１００μｍ以下（本実施形態では４０μｍ程度）である。

次に、フォトマスク（図示せず）を介して、絶縁層１３において、境界領域７４を露出させる開口を形成すべき領域外、第１パッド開口５１を形成すべき領域外および第２パッド開口５２を形成すべき領域外の領域が露光される。その後、絶縁層１３が現像される。これにより、絶縁層１３に、境界領域７４を露出させる開口８１、第１パッド開口５１および第２パッド開口５２が形成される。その後、必要に応じて、絶縁層１３をキュアするための熱処理が行われる。

次に、図６Ｋに示すように、第１導電体層５４および第２導電体層５５を含む積層構造を有する第１外部端子６および第２外部端子７が同時に形成される。
第１導電体層５４を形成する工程では、まず、たとえばスパッタ法により、絶縁層１３の第１主面４１、第１パッド開口５１の内壁および第２パッド開口５２の内壁に沿うように、チタンが堆積されてバリアシード層５６が形成される。次に、たとえばスパッタ法により、バリアシード層５６上に銅が堆積されて銅シード層（図示せず）が形成される。次に、第１外部端子６の銅層５７および第２外部端子７の銅層５７を形成すべき領域を露出させる開口８２を選択的に有するマスク８３が銅シード層（図示せず）上に形成される。次に、たとえば電解めっきにより、マスク８３から露出する銅シード層（図示せず）の表面から銅がめっき成長させられる。これにより、バリアシード層５６上に銅層５７が形成されて、第１導電体層５４となる。

第２導電体層５５を形成する工程では、たとえば電解めっきにより、マスク８３から露出する第１導電体層５４の表面（銅層５７の表面）からニッケル−リン合金がめっき成長させられる。これにより、第１導電体層５４の表面（銅層５７の表面）上にニッケル−リン合金層５８が形成される。次に、マスク８３から露出するニッケル−リン合金層５８の表面から金がめっき成長させられる。これにより、ニッケル−リン合金層５８上に金層５９が形成されて、第２導電体層５５となる。第２導電体層５５が形成された後、マスク８３が除去される。

次に、たとえばエッチングにより、バリアシード層５６および銅シード層（図示せず）のうち、マスク８３により被覆されていた部分、つまり、第１導電体層５４および第２導電体層５５から露出する部分が除去される。これにより、第１外部端子６および第２外部端子７が形成される。
次に、図６Ｌに示すように、ウエハ７０を支持するための支持テープ８４が、当該ウエハ７０の第１主面３側に貼着される。次に、たとえばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）法によって、ウエハ７０の第２主面７２が研削されて、ウエハ７０が薄化される。研削工程後のウエハ７０の厚さは、たとえば５０μｍ以上１５０μｍ以下（本実施形態では１００μｍ程度）である。

次に、図６Ｍに示すように、ウエハ７０を支持するための支持板８５が、当該ウエハ７０の第２主面７２側に貼着される。ウエハ７０の第２主面７２側に支持板８５が貼着された後、支持テープ８４が除去される。次に、ウエハ７０の第１主面７１側から境界領域７４に沿ってダイシングブレードＤＢが進出されて、チップ形成領域７３の周縁に沿ってウエハ７０が切断される。

ウエハ７０において、第１主面７１を成していた部分は、基板１０の第１主面１４となり、第２主面７２を成していた部分は、基板１０の第２主面１５となる。また、ウエハ７０において、ダイシングブレードＤＢによって切断された切断面が、基板１０の側面１６Ａ，１６Ｂとなる。このようにして、複数のチップインダクタ１の個片が、１枚のウエハ７０から切り出される。以上の工程を経て、チップインダクタ１が製造される。

チップインダクタ１のＱ値（Quality Factor）をシミュレーショにより求めた結果が、図７に示されている。図７は、図１のチップインダクタ１のＱ値をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。図７において、縦軸はＱ値であり、横軸は周波数である。ここでは、コイル導体１１のインダクタンス成分を３ｎＨとし、コイル導体１１を流れる電流の周波数を０Ｈｚから１０ＧＨｚまで増加させた場合のチップインダクタ１のＱ値を求めた。チップインダクタ１のＱ値は、下記の（１）式で与えられる。

Ｑ＝２πｆＬ／Ｒ …（１）
上記（１）式において、ｆはコイル導体１１を流れる電流の周波数であり、Ｌはコイル導体１１のインダクタンス成分であり、Ｒはコイル導体１１の抵抗成分である。Ｑ値が高いほど理想的なインダクタに近いといえる。上記（１）式から、コイル導体１１のインダクタンス成分を増加させることにより、および／または、コイル導体１１の抵抗成分を低減させることにより、Ｑ値を向上できることが理解される。

図７に示されるように、本実施形態に係るチップインダクタ１によれば、１ＧＨｚ以上の高周波域において、Ｑ値が２０以上となっている。よって、本実施形態に係るチップインダクタ１は、損失が小さく、高周波用インダクタンスとして優れた特性を有していることが理解される。
以上、本実施形態に係るチップインダクタ１では、平面視螺旋状のコイル導体１１が、基板１０において、第１外部端子６および第２外部端子７の間の領域に加えて、第１外部端子６と対向する領域および第２外部端子７と対向する領域に引き回されている。特に、本実施形態に係るチップインダクタ１では、コイル導体１１が基板１０の第１主面７１を掘り下げて形成された平面視螺旋状のトレンチ３０に埋め込まれている。

これにより、コイル導体１１の平面視面積および断面積を増加させることができるから、コイル導体１１の抵抗成分の低減を図ることができる。また、コイル導体１１の形成領域を第１外部端子６と対向する領域および第２外部端子７と対向する領域に拡張することにより、当該コイル導体１１の巻線数も増加させることができるから、コイル導体１１のインダクタンス成分の増加を図ることができる。

また、本実施形態に係るチップインダクタ１では、コイル導体１１と第１外部端子６との間、および、コイル導体１１と第２外部端子７との間に絶縁層１３が形成されている。これにより、コイル導体１１と第１外部端子６との間の寄生容量の増加を抑制し、かつ、コイル導体１１と第２外部端子７との間の寄生容量の増加を抑制できる。これにより、Ｑ値を向上できるチップインダクタ１を提供できる。

また、本実施形態に係るチップインダクタ１では、螺旋トレンチ３４よりも幅広の末端トレンチ３５内に複数のピラー部３６が形成されている。したがって、ピラー部３６の個数に応じた分だけ、末端トレンチ３５のアスペクト比Ｒ２を低減できる。これにより、幅広の末端トレンチ３５において、第１導電体層３２および第２導電体層３３の埋め込み性が低下することを回避できる。

特に、互いに隣り合うピラー部３６間の幅Ｗ３を螺旋トレンチ３４の開口幅Ｗ１と同程度（Ｗ３≒Ｗ１またはＷ３＝Ｗ１）とし、末端トレンチ３５の側壁とピラー部３６と間の幅Ｗ４を螺旋トレンチ３４の開口幅Ｗ１と同程度（Ｗ４≒Ｗ１またはＷ４＝Ｗ１）とすることにより、ほぼ同様の速度および割合で、螺旋トレンチ３４および末端トレンチ３５に第１導電体層３２および第２導電体層３３を形成できる。これにより、末端トレンチ３５にコイル導体１１の内側末端２１および外側末端２２を良好に埋め込むことができる。よって、内側末端２１と第１外部端子６とを良好に接続させることができ、かつ、外側末端２２と第２外部端子７とを良好に接続させることができる。

また、本実施形態に係るチップインダクタ１では、第１外部端子６および第２外部端子７がニッケル−リン合金層５８を含む。たとえば、第１外部端子６および第２外部端子７が、ニッケル−リン合金層５８に代えて純ニッケル層を含む場合、当該純ニッケル層は強磁性体であるので、第１外部端子６および第２外部端子７がコイル導体１１からの磁界の影響を受ける虞がある。磁界の影響を受けると、電磁誘導効果に起因して第１外部端子６の内部および第２外部端子７の内部で渦電流が発生する虞がある。渦電流の発生は、コイル導体１１を流れる電流の変動をきたすため、第１外部端子６および第２外部端子７の間におけるノイズの発生原因の一つになる。

そこで、本実施形態に係るチップインダクタ１では、第１外部端子６および第２外部端子７を形成する導電層の一部にニッケル−リン合金層５８を採用した。ニッケル−リン合金層５８は、非磁性体であるか、または、非磁性体に近い性質を有しているので、磁界中において磁化し難い。これにより、第１外部端子６および第２外部端子７においてコイル導体１１からの磁界の影響を低減できるから、第１外部端子６の内部および第２外部端子７の内部で渦電流が発生するのを抑制できる。よって、コイル導体１１を流れる電流が変動するのを抑制できるから、第１外部端子６および第２外部端子７の間でノイズが発生するのを抑制できる。また、ニッケル−リン合金層５８を含む第２導電体層５５によって、第１導電体層５４の腐食を抑制することもできる。

むろん、第１外部端子６の内部および第２外部端子７の内部で渦電流が小さく、第１外部端子６および第２外部端子７の間でノイズが小さい場合には、ニッケル−リン合金層５８に代えてリンを含まないニッケル層が採用されてもよい。
また、本実施形態に係るチップインダクタ１では、絶縁層１３が、樹脂層４５の単層構造からなる。この樹脂層４５は、感光性樹脂、本実施形態ではエポキシ樹脂を含むネガティブタイプのフォトレジストからなる。これにより、露光および現像によって第１パッド開口５１および第２パッド開口５２を形成できるから、これら第１パッド開口５１および第２パッド開口５２を形成する際に、当該絶縁層１３に対してエッチングを行わなくて済む。その結果、絶縁層１３の下層に形成されたコイル導体１１（内側末端２１および外側末端２２）にエッチングによる不所望なダメージが発生するのを防止できる。これにより、ダメージに起因するコイル導体１１の抵抗成分の変動や、Ｑ値の変動を抑制できる。
＜第２実施形態＞
図８は、本発明の第２実施形態に係るチップインダクタ９１の模式的な断面図である。

第２実施形態に係るチップインダクタ９１は、トレンチ３０を含まない点、コイル導体１１が、基板１０の第１主面１４（表面絶縁膜１２）上に膜状に形成されている点を除いて、第１実施形態に係るチップインダクタ１とほぼ同様の構成を有している。図８において、前述の第１実施形態において述べた構成と同様の構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。

次に、チップインダクタ９１の製造方法について説明する。図９Ａ〜図９Ｄは、図８のチップインダクタ１の製造方法を説明するための図である。以下では、第１実施形態に係るチップインダクタ１の製造方法と異なる点についてのみ説明する。
チップインダクタ９１を製造するに当たり、まず、ウエハ７０が準備される。次に、ウエハ７０の第１主面７１および第２主面７２に絶縁膜９２が形成される。絶縁膜９２は、シリコン酸化膜であってもよい。絶縁膜９２は、ＣＶＤ法によって形成されてもよいし、熱酸化処理によって形成されてもよい。ウエハ７０の第１主面７１および第２主面７２に等しい厚さの絶縁膜９２を形成することにより、ウエハ７０の第１主面７１側で生じる応力と、ウエハ７０の第２主面７２側で生じる応力をほぼ等しくできる。これにより、ウエハ７０の反りを抑制できる。ウエハ７０の第１主面７１側に形成された絶縁膜７９は、表面絶縁膜１２となる。

次に、図９Ｂに示すように、たとえばスパッタ法により、表面絶縁膜１２上にチタンが堆積されて第１導電体層３２が形成される。次に、たとえばスパッタ法により、第１導電体層３２上に銅が堆積されて銅シード層（図示せず）が形成される。次に、第１導電体層３２においてコイル導体１１の第２導電体層３３を形成すべき領域を露出させる平面視螺旋状の開口９３を有するマスク９４が、当該第１導電体層３２上に形成される。

次に、図９Ｃに示すように、たとえば電解めっきにより、マスク９４から露出する第１導電体層３２の表面から銅がめっき成長させられる。これにより、第１導電体層３２上にマスク９４の開口９３に整合する平面視螺旋状の第２導電体層３３が形成される。第２導電体層３３が形成された後、マスク９４は除去される。
次に、図９Ｄに示すように、エッチングにより、第１導電体層３２および銅シード層（図示せず）のうち、マスク９４により被覆されていた部分、つまり、第２導電体層３３から露出する部分が除去される。エッチングは、等方性エッチング（たとえばウェットエッチング）であってもよい。これにより、第１導電体層３２および第２導電体層３３を含む膜状のコイル導体１１が、ウエハ７０の第１主面７１上、より具体的には表面絶縁膜１２上に形成される。その後、図６Ｊ〜図６Ｍと同様の工程を経て、チップインダクタ９１が製造される。

以上、本実施形態に係るチップインダクタ９１では、コイル導体１１が、基板１０の第１主面１４上に膜状に形成されている。このような構造によれば、前述の第１実施形態に係るチップインダクタ１ほどコイル導体１１の断面積を増加させることはできないが、前述の第１実施形態において述べた作用効果とほぼ同様の作用効果を奏することができる。特に、本実施形態に係るチップインダクタ９１では、トレンチ３０を形成する工程を除くことができるから、製造工数の削減によってコストの低減を図ることができるという利点がある。
＜第３実施形態＞
図１０は、本発明の第３実施形態に係るチップインダクタ１０１の模式的な断面図である。第３実施形態に係るチップインダクタ１０１は、第１外部端子６および第２外部端子７が、第２導電体層５５に代えて第２導電体層１０２を含む点を除いて、第１実施形態に係るチップインダクタ１とほぼ同様の構成を有している。図１０において、前述の第１実施形態において述べた構成と同様の構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図１０を参照して、第１外部端子６および第２外部端子７の各第２導電体層１０２は、第１導電体層５４側からこの順に積層されたニッケル層１０３、パラジウム層１０４および金層１０５を含むＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層構造を有している。第２導電体層１０２は、絶縁層１３の第１主面４１と接している。より具体的には、ニッケル層１０３、パラジウム層１０４および金層１０５が絶縁層１３の第１主面４１とそれぞれ接している。第２導電体層１０２は、ニッケル層１０３に代えてまたはこれに加えて、前述の第１実施形態に係る第２導電体層５５と同様に、ニッケル−リン合金を含むニッケル−リン合金層５８を含んでいてもよい。

このような構造の第２導電体層１０２は、たとえば、図６Ｋの工程において第１外部端子６および第２外部端子７の第１導電体層５４が形成された後、次の工程を経ることにより形成することができる。
すなわち、まず、第１導電体層５４が形成された後、マスク８３、バリアシード層５６および銅シード層（図示せず）のうちマスク８３により被覆されていた部分が除去される。次に、無電解めっき法により、第１導電体層５４の外面を覆うように、ニッケル層１０３、パラジウム層１０４および金層１０５がこの順に成膜される。このようにして、第１導電体層５４の外面を被覆する第２導電体層１０２が形成される。

他の製法において、第１導電体層５４が形成された後、マスク８３をそのまま利用して、無電解めっき法により、第１導電体層５４の外面を覆うように、ニッケル層１０３、パラジウム層１０４および金層１０５がこの順に成膜されてもよい。この工程の場合、第２導電体層１０２の形成後に、マスク８３、バリアシード層５６および銅シード層（図示せず）のうちマスク８３により被覆されていた部分が除去される。この工程では、ニッケル層１０３、パラジウム層１０４および金層１０５のそれぞれが絶縁層１３の第１主面４１から間隔を空けて形成される。

さらに他の製法において、第１外部端子６および第２外部端子７に整合する平面視形状を有するバリアシード層５６および銅シード層（図示せず）が形成され、その後、第１導電体層５４および第２導電体層１０２がこの順に形成されてもよい。
以上、本実施形態に係るチップインダクタ１０１によっても、前述の第１実施形態において述べた効果と同様の効果を奏することができる。むろん、第１外部端子６および第２外部端子７が第２導電体層１０２を含む構造は、第２実施形態にも適用可能である。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、前述の各実施形態において、基板１０は、シリコン製の半導体基板であってもよい。基板１０は、不純物無添加のシリコン製の半導体基板であってもよい。基板１０がシリコン製の半導体基板からなる場合、熱酸化処理によって、シリコン酸化膜からなる表面絶縁膜１２や内壁絶縁膜３１を形成することができる。また、基板１０は、ガラスやセラミック等からなる無機系の絶縁性基板、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等からなる絶縁性基板であってもよい。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１ チップインダクタ
６ 第１外部端子
７ 第２外部端子
１０ 基板
１１ コイル導体
１２ 表面絶縁膜
１３ 絶縁層
２１ 内側末端
２２ 外側末端
３０ トレンチ
４５ 樹脂層
５１ 第１パッド開口
５２ 第２パッド開口
５３ 第１パッド領域
５４ 第１導電体層
５５ 第２導電体層
５７ 銅層
５８ ニッケル−リン合金層
７０ ウエハ
９１ チップインダクタ
１０１ チップインダクタ

Claims (23)

1. 基板と、
   前記基板を被覆する絶縁層と、
   前記絶縁層上に形成された外部端子と、
   前記基板において、前記外部端子外の領域に加えて、前記外部端子と対向する領域に引き回された平面視螺旋状のコイル導体とを含む、チップインダクタ。
2. 前記外部端子は、前記絶縁層の表面から前記絶縁層を貫通して前記コイル導体の一部と接合されている、請求項１に記載のチップインダクタ。
3. 前記外部端子は、前記絶縁層上に間隔を空けて形成された第１外部端子および第２外部端子を含み、
   前記コイル導体は、内側末端および外側末端を含み、
   前記コイル導体の前記内側末端は、前記基板において前記第１外部端子と対向する領域に形成されており、
   前記コイル導体の前記外側末端は、前記基板において前記第２外部端子と対向する領域に形成されている、請求項１に記載のチップインダクタ。
4. 前記第１外部端子は、前記絶縁層の表面から当該絶縁層を貫通して前記コイル導体の前記内側末端と接合されており、
   前記第２外部端子は、前記絶縁層の表面から当該絶縁層を貫通して前記コイル導体の前記外側末端と接合されている、請求項３に記載のチップインダクタ。
5. 前記絶縁層は、樹脂層の単層構造からなる、請求項１〜４のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
6. 前記絶縁層は、１０μｍ以上の厚さを有している、請求項１〜５のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
7. 前記外部端子は、銅を主成分とする金属を含む銅層と、前記銅層の外面を被覆し、かつニッケル−リン合金を含むニッケル−リン合金層とを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
8. 前記コイル導体は、前記基板の主面を掘り下げて形成された平面視螺旋状のトレンチに埋め込まれている、請求項１〜７のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
9. 前記トレンチに埋め込まれた前記コイル導体と前記基板との間に介在する絶縁膜をさらに含む、請求項８に記載のチップインダクタ。
10. 前記コイル導体は、前記基板の主面上に膜状に形成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
11. 基板と、
    前記基板を被覆する絶縁層と、
    前記絶縁層上に間隔を空けて形成された第１外部端子および第２外部端子と、
    前記基板において、前記第１外部端子および前記第２外部端子の間の領域に加えて、前記第１外部端子と対向する領域および前記第２外部端子と対向する領域に引き回された平面視螺旋状のコイル導体とを含む、チップインダクタ。
12. 前記コイル導体は、内側末端および外側末端を含み、
    前記コイル導体の前記内側末端は、前記第１外部端子の直下に形成されており、
    前記コイル導体の前記外側末端は、前記第２外部端子の直下に形成されている、請求項１１に記載のチップインダクタ。
13. 前記第１外部端子は、前記絶縁層の表面から前記絶縁層を貫通して前記コイル導体の前記内側末端と電気的に接続されており、
    前記第２外部端子は、前記絶縁層の表面から前記絶縁層を貫通して前記コイル導体の前記外側末端と電気的に接続されている、請求項１２に記載のチップインダクタ。
14. 前記絶縁層は、樹脂層の単層構造からなる、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
15. 前記第１外部端子および前記第２外部端子は、銅を主成分とする金属を含む銅層と、前記銅層の外面を被覆し、かつニッケル−リン合金を含むニッケル−リン合金層とを含む、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
16. 前記コイル導体は、前記基板の主面を掘り下げて形成された平面視螺旋状のトレンチに埋め込まれている、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
17. 前記コイル導体は、前記基板の主面上に膜状に形成されている、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
18. 基板の主面に平面視螺旋状のコイル導体を形成するコイル導体形成工程と、
    前記コイル導体を被覆するように前記基板の主面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
    前記絶縁層に、前記コイル導体の内側末端を露出させる第１開口、および、前記コイル導体の外側末端を露出させる第２開口を形成する開口形成工程と、
    前記第１開口に導体を埋めて、前記コイル導体の一部と対向し、かつ、前記コイル導体の前記内側末端と電気的に接続される第１外部端子を形成する工程と、
    前記第２開口に導体を埋めて、前記コイル導体の一部と対向し、かつ、前記コイル導体の前記外側末端と電気的に接続される第２外部端子を形成する工程とを含む、チップインダクタの製造方法。
19. 前記絶縁層形成工程は、前記コイル導体を被覆するように前記基板の主面に前記絶縁層としての感光性樹脂からなる樹脂層を形成する工程を含み、
    前記開口形成工程は、前記樹脂層を選択的に露光した後、現像することにより、前記第１開口および前記第２開口を形成する工程を含む、請求項１８に記載のチップインダクタの製造方法。
20. 前記コイル導体形成工程は、前記基板の主面に平面視螺旋状のトレンチを形成する工程と、前記トレンチに前記コイル導体を埋める工程とを含む、請求項１８または１９に記載のチップインダクタの製造方法。
21. 前記コイル導体形成工程は、前記トレンチに前記コイル導体を埋める工程に先立って、前記トレンチの内壁面に沿う絶縁膜を形成する工程を含む、請求項２０に記載のチップインダクタの製造方法。
22. 前記コイル導体形成工程は、前記基板の主面上に膜状の前記コイル導体を形成する工程を含む、請求項１８または１９に記載のチップインダクタの製造方法。
23. 前記コイル導体形成工程に先立って、前記基板の主面を被覆する表面絶縁膜を形成する工程をさらに含む、請求項２２に記載のチップインダクタの製造方法。

Images