JP2018039730A - 炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】炭化珪素インゴット1は、端面1aと端面1aと反対側の端面である端面1bとを有している。炭化珪素インゴット1では、端面1aと端面1bとが対向する方向である成長方向における窒素濃度の勾配が1×1016cm−4以上1×1018cm−4以下になっている。
【選択図】図1
Description
まず、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。
このように硬質砥粒が固定されたワイヤを用いることにより、炭化珪素インゴット(1)をより効率的に切断することができる。
次に、本発明の実施形態の具体例を図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。また、本明細書中においては、個別方位を[]、集合方位を<>、個別面を()、集合面を{}でそれぞれ示す。また、負の指数については、結晶学上、"−"(バー)を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。
1a,1b 端面
2 坩堝
3 ワイヤーソー
10 炭化珪素基板
11 種基板
11a 表面
12 原料
13 炭化珪素層
21 第1測定点
22 第2測定点
30 治具
31 本体部
32 保持部
33 ローラ
34 ワイヤ
35 切削液供給部
Claims (10)
- (0001)面である第1の端面と前記第1の端面と反対側の端面であり、(000−1)面である第2の端面とを有し、
前記第2の端面側の部分の窒素濃度は前記第1の端面側の部分の窒素濃度よりも高くなっており、
前記第1の端面と前記第2の端面とが対向する方向であり、<0001>方向である成長方向における窒素濃度の勾配が1×1016cm−4以上1×1018cm−4以下であり、
炭化珪素のポリタイプが4H型である炭化珪素インゴット。 - 前記成長方向から見たときの幅が100mm以上である、請求項1に記載の炭化珪素インゴット。
- 前記成長方向において窒素濃度が単調に変化している、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素インゴット。
- 前記成長方向において、前記第1の端面側から前記第2の端面側に向かって窒素濃度が直線的に増加している請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の炭化珪素インゴット。
- 前記第2の端面が成長面である請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の炭化珪素インゴット。
- 請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の炭化珪素インゴットを準備する工程と、
前記炭化珪素インゴットを切断して炭化珪素基板を得る工程とを備える、炭化珪素基板の製造方法。 - 前記炭化珪素基板を得る工程では、表面に砥粒が固定されたワイヤを前記炭化珪素インゴットの前記成長方向に沿って配置された複数の切断部に接触させつつ走行させることにより前記炭化珪素インゴットが切断される、請求項6に記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 前記複数の切断部のうち前記第2の端面側に位置する第2の切断部には、前記複数の切断部のうち前記第1の端面側に位置する第1の切断部よりも前記ワイヤの走行方向における下流側の部分が接触する、請求項7に記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 前記砥粒はダイヤモンド砥粒を含む、請求項7または請求項8に記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 前記炭化珪素基板を得る工程では、前記炭化珪素基板の厚みが1mm以下になるように前記炭化珪素インゴットが切断される、請求項6〜請求項9のいずれか1項に記載の炭化珪素基板の製造方法。
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