JP2018014495A5 - トランジスタ及び表示装置 - Google Patents

Claims (10)

1. 金属酸化物と、前記金属酸化物に接する一対の電極と、前記金属酸化物と接する絶縁体と、前記絶縁体を介して前記金属酸化物と重畳するゲート電極と、を有し、
   前記金属酸化物は、
   第１の領域と第２の領域を有し、
   前記第１の領域と前記第２の領域は混合しており、
   前記第２の領域の伝導帯下端のエネルギー準位は、前記第１の領域の伝導帯下端のエネルギー準位より０．２ｅＶ以上低く、
   前記第１の領域のエネルギーギャップは、３．３ｅＶ以上４．０ｅＶ以下であり、
   前記第２の領域のエネルギーギャップは、２．２ｅＶ以上２．９ｅＶ以下である、
   トランジスタ。
2. 金属酸化物と、前記金属酸化物に接する一対の電極と、前記金属酸化物と接する絶縁体と、前記絶縁体を介して前記金属酸化物と重畳するゲート電極と、を有し、
   前記金属酸化物は、
   第１の領域と第２の領域を有し、
   前記第１の領域と前記第２の領域は混合しており、
   前記第２の領域の伝導帯下端のエネルギー準位は、前記第１の領域の伝導帯下端のエネルギー準位より低く、
   前記第１の領域は、Ｍ（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｂｅ、及びＢから選ばれる少なくとも二種以上）酸化物、Ｍ窒化物またはＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を有し、
   前記第２の領域は、Ｉｎ酸化物、またはＩｎ−Ｚｎ酸化物を有する、
   トランジスタ。
3. 金属酸化物と、前記金属酸化物に接する一対の電極と、前記金属酸化物と接する絶縁体と、前記絶縁体を介して前記金属酸化物と重畳するゲート電極と、を有し、
   前記金属酸化物は、
   第１のエネルギーギャップを有する第１の領域と第２のエネルギーギャップを有する第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域と前記第２の領域は混合しており、
   前記第１の領域の伝導帯下端のエネルギー準位は、前記第２の領域の伝導帯下端のエネルギー準位よりも高く、
   前記第１の領域は第１の金属元素の第１の酸化物を含み、
   前記第２の領域は第２の金属元素の第２の酸化物を含み、
   前記第１の酸化物は、前記第１の金属元素とは異なる第３の元素を含み、
   前記第２の酸化物は、前記第２の金属元素とは異なる第３の元素を含み、
   前記第１の領域における前記第３の元素の濃度は、前記第２の領域における前記第３の元素の濃度よりも高い、
   トランジスタ。
4. 請求項３において、
   前記第１の金属元素はＧａであり、前記第２の金属元素はＩｎであり、前記第３の元素はＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｂｅ、及びＢから選ばれる少なくとも二種以上含む、トランジスタ。
5. 請求項３または請求項４において、
   前記第１の領域は更にＩｎとＺｎを含み、前記第２の領域は更にＺｎを含む、トランジスタ。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記金属酸化物は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域において原子配列に周期性を有する、トランジスタ。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   電子線回折を用いて前記金属酸化物は分析した場合、電子線回折パターン像において、リング状に輝度の高い領域内に、複数のスポットが観察される、トランジスタ。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載のトランジスタを有する表示装置であって、
   表示部を有し、
   前記表示部の画素トランジスタとして前記トランジスタを有する、表示装置。
9. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載のトランジスタを有する表示装置であって、
   表示部を有し、
   前記表示部の駆動トランジスタとして前記トランジスタを有する、表示装置。
10. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のトランジスタを有する表示装置であって、
    表示部と、ゲートドライバと、を有し、
    前記ゲートドライバが前記トランジスタを有する、表示装置。