JP2018006715A - エッチング液組成物およびエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
本発明の課題は、タングステン膜と窒化チタン膜とを一括でエッチング処理することが可能なエッチング液組成物および当該エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、硝酸と、水とを含む、タングステン膜と窒化チタン膜とを一括でエッチング処理するためのエッチング液組成物。
【選択図】なし
Description
特に、近年発表された3D NAND技術のように、三次元構造を採用することによってメモリの大容量化を進める場合には、所望の三次元構造を精緻に作成することが可能なエッチング液が求められる。
[1] 硝酸と、水とを含む、タングステン膜と窒化チタン膜とを一括でエッチング処理するためのエッチング液組成物。
[2] さらに、硫酸および脂肪族スルホン酸からなる群より選択される少なくとも1つを含む、[1]に記載のエッチング液組成物。
[3] 脂肪族スルホン酸がメタンスルホン酸である、[2]に記載のエッチング液組成物。
[4] さらに、りん酸を含む、[1]〜[3]のいずれか1つに記載のエッチング液組成物。
[5] [1]〜[4]のいずれか一つに記載のエッチング液組成物を用いて、タングステン膜と窒化チタン膜とを一括でエッチングする、エッチング方法。
[6] エッチングにおけるエッチング組成物の温度が50℃以上である、[5]に記載の方法。
[7] 三次元構造を有するパターンを作成するための、[5]または[6]に記載の方法。
本発明のエッチング液組成物は、タングステン膜と窒化チタン膜とを一括でエッチング処理するために用いられるエッチング液組成物である。
エッチング液組成物中における水の含有量は、特に限定されないが、好ましくは、2.0〜80.0重量%であり、より好ましくは、5.0〜70.0重量%である。
特に、昇温条件下でエッチング処理を行う場合には、水の蒸発によりエッチング液組成物の組成が変化することを抑制するために、水の含有量を8.0〜65.0重量%とすることが好ましい。エッチング液組成物の組成の変化を抑制することにより、昇温条件下でのエッチング処理に長い時間を要する場合であっても、組成の変化によって選択比がエッチング処理中に変化する恐れが少なくなり、好ましい。また、エッチング処理前後での選択比の変化が小さいため、エッチング液組成物を繰り返し使用することが可能となる。このことは、エッチング液の廃液処理に伴うコストおよび環境負荷の削減の観点から、好ましい。
エッチング液組成物が硝酸と水とからなる場合は、エッチング液組成物中の水の含有量を少なくすることは難しいが、硫酸および脂肪族スルホン酸からなる群より選択される少なくとも1つを添加することにより、水の含有量をさらに低くすることができる。
これにより、エッチング液組成物の組成をより広い範囲で調節することが可能となり、好ましい。また、水の揮発によるエッチング液組成物の組成の変化を抑制することが望まれる場合において、水の含有量を低くすることが可能となり、好ましい。
後述するように、本発明のエッチング液組成物を構成する成分の含有量は、目的とする選択比と、タングステン膜および窒化チタン膜の膜質とにより適宜調節されるため、特に制限がないが、硫酸および脂肪族スルホン酸からなる群より選択される少なくとも1つの含有量は、好ましくは5.0〜95.0重量%であり、より好ましくは8.0〜40.0重量%である。
後述するように、本発明のエッチング液組成物を構成する成分の含有量は、目的とする選択比と、タングステン膜および窒化チタン膜の膜質とにより適宜調節されるため、特に制限がないが、りん酸の含有量は、好ましくは0.1〜90.0重量%であり、より好ましくは0.5〜80.0重量%である。
また、昇温条件下でのエッチング液組成物の組成の変化を抑制することが要求される場合は、エッチング液に一般的に含まれる成分であっても、揮発性の高い成分を含まないことが好ましい。このような揮発性の高い成分の具体例としては、ギ酸および酢酸などのカルボン酸およびその塩、ならびに、クエン酸および酒石酸などの多価カルボン酸およびその塩が挙げられる。
このような基材の構成材料としては、シリコン、ガラス、石英、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルフォンなどが挙げられる。また、タングステン膜と窒化チタン膜とは、前記基材上に形成されたシリコン酸化膜(SiO2)上に形成されていてもよい。
Claims (7)
- 硝酸と、水とを含む、タングステン膜と窒化チタン膜とを一括でエッチング処理するためのエッチング液組成物。
- さらに、硫酸および脂肪族スルホン酸からなる群より選択される少なくとも1つを含む、請求項1に記載のエッチング液組成物。
- 脂肪族スルホン酸がメタンスルホン酸である、請求項2に記載のエッチング液組成物。
- さらに、りん酸を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載のエッチング液組成物。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載のエッチング液組成物を用いて、タングステン膜と窒化チタン膜とを一括でエッチングする、エッチング方法。
- エッチングにおけるエッチング組成物の温度が50℃以上である、請求項5に記載の方法。
- 三次元構造を有するパターンを作成するための、請求項5または6に記載の方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019165225A (ja) * | 2018-03-16 | 2019-09-26 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | タングステンワード線リセスのためのエッチング溶液 |
JP2020145412A (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP2022544904A (ja) * | 2019-08-23 | 2022-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 別の金属及び誘電体に対してチューニング可能な選択性を有するチタン含有材料層の非プラズマエッチング |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108588728A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-09-28 | 深圳仕上电子科技有限公司 | 利用硝酸水溶液剥离工件表面膜的方法 |
CN108707899A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-10-26 | 深圳仕上电子科技有限公司 | 利用双氧水溶液剥离钛和氮化钛膜的方法 |
SG11202101593YA (en) * | 2018-08-31 | 2021-03-30 | Kao Corp | Etching liquid |
IL308906A (en) | 2018-09-12 | 2024-01-01 | Fujifilm Electronic Mat Usa Inc | Etching mixes |
CN110195229B (zh) * | 2019-06-21 | 2021-05-14 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种钨和氮化钛金属薄膜的蚀刻液及其使用方法 |
KR20210045838A (ko) * | 2019-10-17 | 2021-04-27 | 삼성전자주식회사 | 금속 함유막 식각액 조성물 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 |
JP7412990B2 (ja) * | 2019-12-04 | 2024-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
CN114350365A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-04-15 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种稳定蚀刻氮化钛的蚀刻液 |
CN114369462A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-19 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种选择性蚀刻氮化钛及钨的蚀刻液 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122651A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001077118A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-03-23 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013033942A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-02-14 | Fujifilm Corp | エッチング方法及びこれに用いられるエッチング液、これを用いた半導体基板製品の製造方法 |
US20150200112A1 (en) * | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming conductive patterns and methods of manufacturing semiconductor devices using the same |
KR101587758B1 (ko) * | 2015-03-05 | 2016-01-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 질화 티탄(TiN) 막의 식각액 조성물 및 그를 이용한 금속배선의 형성 방법 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1640737A (en) | 1922-07-15 | 1927-08-30 | Du Pont | Nitration process and nitrating mixture therefor |
US4610798A (en) | 1985-04-16 | 1986-09-09 | Michael Burkus | Method and composition of matter for conditioning and passivating certain metals |
US5424000A (en) | 1993-10-05 | 1995-06-13 | West Agro, Inc. | Acid cleanings and staining compositions |
TW374802B (en) | 1996-07-29 | 1999-11-21 | Ebara Densan Ltd | Etching composition, method for roughening copper surface and method for producing printed wiring board |
TWI245071B (en) | 2002-04-24 | 2005-12-11 | Mitsubishi Chem Corp | Etchant and method of etching |
JP2004031791A (ja) | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Mitsubishi Chemicals Corp | タングステン合金のエッチング液及びエッチング方法 |
JP4093147B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2008-06-04 | 三菱電機株式会社 | エッチング液及びエッチング方法 |
JP4355201B2 (ja) | 2003-12-02 | 2009-10-28 | 関東化学株式会社 | タングステン金属除去液及びそれを用いたタングステン金属の除去方法 |
JP5037442B2 (ja) | 2008-06-25 | 2012-09-26 | 東京応化工業株式会社 | 窒化チタン除去液、窒化チタン被膜の除去方法、及び窒化チタン除去液の製造方法 |
EP2401352B1 (en) * | 2009-02-25 | 2013-06-12 | Avantor Performance Materials, Inc. | Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers |
EP2613345A4 (en) * | 2010-08-31 | 2015-03-18 | Mitsubishi Gas Chemical Co | SILICON ETCHING AGENT AND PROCESS FOR PRODUCING TRANSISTORS USING THE SAME |
EP2618367B1 (en) * | 2010-09-17 | 2016-10-19 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Silicon etching fluid and method for producing transistor using same |
KR20130049504A (ko) * | 2011-11-04 | 2013-05-14 | 동우 화인켐 주식회사 | 텅스텐막 식각액 조성물 및 이를 이용한 텅스텐막의 식각방법 |
US9338896B2 (en) | 2012-07-25 | 2016-05-10 | Enthone, Inc. | Adhesion promotion in printed circuit boards |
JP6063206B2 (ja) * | 2012-10-22 | 2017-01-18 | 富士フイルム株式会社 | エッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
WO2014178422A1 (ja) | 2013-05-02 | 2014-11-06 | 富士フイルム株式会社 | エッチング液およびエッチング液のキット、これを用いたエッチング方法および半導体基板製品の製造方法 |
JP6174935B2 (ja) | 2013-08-05 | 2017-08-02 | 三和油化工業株式会社 | エッチング液組成物 |
JP6261926B2 (ja) * | 2013-09-18 | 2018-01-17 | 関東化學株式会社 | 金属酸化物エッチング液組成物およびエッチング方法 |
KR102161019B1 (ko) * | 2013-10-31 | 2020-09-29 | 솔브레인 주식회사 | 질화티타늄막 및 텅스텐막의 적층체용 식각 조성물, 이를 이용한 식각 방법 및 이로부터 제조된 반도체 소자 |
TWI564433B (zh) * | 2014-03-07 | 2017-01-01 | 史達克公司 | 用於電子裝置中金屬化作用之蝕刻化學 |
JP2016017209A (ja) | 2014-07-08 | 2016-02-01 | メック株式会社 | エッチング剤および補給液 |
JP6756460B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2020-09-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法及びセラミック製部品の製造方法 |
JP2016124915A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨方法、及びセラミック製部品の製造方法 |
-
2016
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-
2020
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122651A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001077118A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-03-23 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013033942A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-02-14 | Fujifilm Corp | エッチング方法及びこれに用いられるエッチング液、これを用いた半導体基板製品の製造方法 |
US20150200112A1 (en) * | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming conductive patterns and methods of manufacturing semiconductor devices using the same |
KR101587758B1 (ko) * | 2015-03-05 | 2016-01-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 질화 티탄(TiN) 막의 식각액 조성물 및 그를 이용한 금속배선의 형성 방법 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019165225A (ja) * | 2018-03-16 | 2019-09-26 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | タングステンワード線リセスのためのエッチング溶液 |
US11499236B2 (en) | 2018-03-16 | 2022-11-15 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for tungsten word line recess |
JP2020145412A (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP7398969B2 (ja) | 2019-03-01 | 2023-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP2022544904A (ja) * | 2019-08-23 | 2022-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 別の金属及び誘電体に対してチューニング可能な選択性を有するチタン含有材料層の非プラズマエッチング |
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