JP2018006693A - ガラスリッドおよびそれを利用したduv−led装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】DUV(深紫外)−LED素子の水平方向の光を効率よく前方に集光させることができるガラスリッド、およびそのガラスリッドを利用したLED装置を提供する。
【解決手段】内周壁面が、リフレクタ基部を兼ねた傾斜壁を有するDUV光透過性ガラスの枠体11と、この枠体の片方の開口を覆って枠体に気密封着したDUV光透過性ガラスのウインド12とを備え、枠体は少なくともその傾斜壁面11aにDUV反射性被覆13を有する。
【選択図】図1
【解決手段】内周壁面が、リフレクタ基部を兼ねた傾斜壁を有するDUV光透過性ガラスの枠体11と、この枠体の片方の開口を覆って枠体に気密封着したDUV光透過性ガラスのウインド12とを備え、枠体は少なくともその傾斜壁面11aにDUV反射性被覆13を有する。
【選択図】図1
Description
本発明はDUV発光装置に用いられるガラスリッドおよびそれを利用したDUV−LED装置に関する。
近年、紫外(Ultraviolet:UV)光よりも、さらに短い波長(200〜300nm)の深紫外(Deep Ultraviolet:DUV)光を照射可能なDUV−LEDデバイスが注目されている。DUV−LEDは、高密度光情報記録、高輝度・長寿命蛍光照明装置などの情報・電子分野、公害物質やアレルゲンなどの高速分解処理、殺菌、皮膚治療、レーザメス、細胞選別などの殺菌・医療等への応用が期待されている。従来のDUV−LEDデバイスは、窒化アルミニウムなど高熱伝導材料からなる断面が凹形状のベースにDUV−LED素子を取り付け、このベース内を窒素ガスなどの不活性ガスで満たし容器開口部をDUV透過性に優れる平板状の石英リッドで覆って、該石英リッドとベースとをAu−Sn合金ロウ材で気密封止して形成されていた。DUV−LED発光素子は、可視光LEDに比べて発光効率が極めて低く、加えてベースに利用される窒化アルミニウムは、反射率が極めて低い材料のため、DUV−LEDパッケージには、銅やアルミニウムの金属板などの反射板を形成して反射率を向上させることが必要とされる。
しかしながら、従来の石英リッドは、UV領域の透過率が90〜93%でありDUV光の透過性に非常に優れた材料である反面、熱膨張係数αが0.6ppm/Kで、ほとんど熱膨張しない材料である。このため、αが大きい銅やアルミニウムの反射板(リフレクタ)は、凹形状に形成した窒化アルミニウムのベースに設けられていた。3次元形状の窒化アルミニウムベースを形成する方法としては、射出成形法、プレス成形法、積層セラミックス法などがある。しかし、3次元形状のベースは、射出成形法によると焼結時の収縮が大きくなり寸法のばらつきが大きくなること、プレス成形法によると複数の個片から成るシートを製作すると金型が複雑になること、積層セラミックス法によると平板を貼り合せて構成するため熱伝導率が低下してしまうことなどの欠点がある。さらに、キャビティを有する3次元形状のベースは、焼結前にペースト等を用いて電極形成する場合は微細なパターン形成が難しく、焼結後に回路を形成する場合は反射板をもった凹形状ではなく、平板にしなければならないなどの制約もある。
従来のDUV−LEDデバイスは、容器内外に導通する電極を有する床部とこれを取り囲む周壁部からなる凹形状の窒化アルミニウムの容器にDUV−LED素子を実装し、開口端面を平板状の石英リッドで封口して形成していた。窒化アルミニウムの反射率は極めて低く発光効率が低下するので、窒化アルミニウムを焼結した後に大気雰囲気で再焼成して表面に反射率の高いアルミナの酸化層を形成させたり、アルミ反射板などの機構部品を別途追加したりする措置が必要とされていた。しかし、DUV−LED素子の発光効率は、可視光−LED素子に比較して劣っており、特に製品の厚さが制限され反射板などの機構部品を追加する空間的余裕が少ない軽薄短小型のDUV−LED装置において大きな課題となっていた。また、上記構成のDUV−LEDデバイスは、高温再焼成や追加部品を要し経済的に必ずしも好ましい構成ではない。
一方、DUV光の透過性のガラス材は、特許文献1に記載の高紫外線透過性ホウ珪酸ガラス材がある。この高紫外線透過性ホウ珪酸ガラスは、UV透過率が80%以上と石英に近い値を有しており、熱膨張係数αが4ppm/K前後のものがある。
本発明の目的は、DUV−LED素子の水平方向の光を効率よく前方に集光させることができるガラスリッドおよびそのガラスリッド利用したLED装置を実現することにある。
本発明によれば、内周壁面がリフレクタ基部を兼ねた傾斜壁を有するDUV光透過性ガラスの枠体と、この枠体の片方の開口を覆って枠体に気密封着したDUV光透過性ガラスのウインドとを備え、該枠体は、少なくとも傾斜壁面にDUV反射性被覆を有することを特徴とするDUV−LED用ガラスリッドが提供される。枠体に設けるDUV反射性被覆は、さらに必要に応じてウインドとの封着面(枠体上端面)または/および枠体下端面に設けてもよい。本発明のウインドは、窓面の反射防止のためのコーティング膜を施してもよい。
本発明の別形態によれば、複数の配線電極を有する高熱伝導材からなるベースと、ベースに実装され配線電極と電気接続したDUV−LED素子と、該DUV−LED素子の上部を覆って気密封止したDUV透過性のガラスリッドから形成されたDUV−LED装置であって、該リッドは、内周壁面がリフレクタ基部を兼ねた傾斜壁を有するDUV光透過性ガラスの枠体と、この枠体の片方の開口を覆って枠体に気密封着したDUV光透過性ガラスのウインドとを備え、該枠体は、少なくとも傾斜壁面にDUV反射性被覆を有したことを特徴とするDUV−LED装置が提供される。
本発明に係るDUV−LED装置のウインドは、窓面に反射防止の目的でコーティング膜を施してもよい。
本発明に係るDUV−LED用ガラスリッドおよび該ガラスリッドを利用したDUV−LED装置は、水平方向のDUV光をリッド枠体の傾斜壁面に設けたDUV反射性被覆で反射して垂直方向へ収束できる。金属反射板などの追加部品を必要としないので、小型薄型化が容易であり、ウェハレベルのパッケージングが可能である。また、窒化アルミニウムは高価であるので比較的安価な平板状のものが好ましいが、本発明のDUV−LED装置のベースは平板状であり経済的効果を有する。
本発明のDUV−LED用ガラスリッドは、DUV反射性被覆をウインドとの封着面である枠体上端面に設けることにより、DUV反射性被覆がダメージを受けないように、DUV反射性被覆の融点以下の作業温度でウインドガラスとの陽極接合が可能となる。さらにDUV反射性被覆をDUV−LED装置のベースとの封止面である枠体下端面に設けることにより、DUV反射性被覆がダメージを受けないように、DUV反射性被覆の融点以下の作業温度でベースとのロウ接が可能となる。
本発明に係るガラスリッド10は、図1に示すように、内周壁面がリフレクタ基部を兼ねた傾斜壁を有するDUV光透過性のホウ珪酸ガラスからなる枠体11と、枠体11の片方の開口を覆って枠体11に気密封着したDUV光透過性のホウ珪酸ガラスからなるウインド12とを備え、枠体11は、少なくとも傾斜壁面11aにDUV反射性被覆13を有することを特徴とする。傾斜壁面11aは、該傾斜壁面11aと枠体下端面11cのなす角(傾斜角)βが45〜85°となるように設けると好ましい。DUV反射性被覆13は、必要に応じてウインド12との封着面(枠体上端面)11bまたは/および枠体下端面11cに設けてもよい。DUV反射性被覆13の成膜法は、DUV反射性の被覆が成膜できれば何れの成膜法に依ってもよい。例えば、めっき被膜、スパッタリング膜、蒸着膜の何れでもよい。DUV反射性被覆13は、高DUV反射性の金属被覆であればどのような材料を用いてもよいが、特にアルミニウムまたはアルミニウムを主成分として含有する合金材が好ましい。そして、アルミニウムのDUV反射性被覆13は、ウインド12との封着面11bに施してもよく、その場合は枠体11とウインド12との接合に陽極接合を用いる。陽極接合はDUV反射性被覆13の融点以下の作業温度で接合するので、DUV反射性被覆13の反射性に影響しない。ウインド12は、必要に応じて窓面の反射防止の目的でHfO2またはZrO2とSiO2とを積層したARコーティングを施してもよい。
本発明に係るDUV−LED装置200は、上記ガラスリッド10を蓋体に用いたDUV用のLED装置であって、図2に示すように、複数の配線電極を有する窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの高熱伝導材からなるベース201と、ベース201に実装され配線電極と電気接続したDUV−LED素子202と、DUV−LED素子202の上部を覆って気密封止したDUV透過性のガラスリッド10から形成されたDUV−LED装置であって、ガラスリッド10は、内周壁面がリフレクタ基部を兼ねた傾斜壁を有するDUV光透過性のホウ珪酸ガラスからなる枠体11と、枠体11の片方の開口を覆って枠体11に気密封着したDUV光透過性のホウ珪酸ガラスからなるウインド12とを備え、枠体11は、少なくとも傾斜壁面11aにDUV反射性被覆13を有する。傾斜壁面11aは傾斜角が45〜85°となるように設けると好ましい。DUV反射性被覆13は、必要に応じてウインド12との封着面(枠体上端面)11bまたは/および枠体下端面11cに設けてもよい。DUV反射性被覆13の成膜法は、DUV反射性の被覆が成膜できれば何れの成膜法に依ってもよい。例えば、めっき被膜、スパッタリング膜、蒸着膜の何れでもよい。またDUV反射性被覆13は、高DUV反射性の金属被覆であればどのような材料を用いてもよいが、特にアルミニウム、またはアルミニウムを主成分として含有する合金材が好ましい。アルミニウムのDUV反射性被覆13は、ウインド12との封着面11bに施してもよく、その場合は枠体11とウインド12との接合に陽極接合を用いる。そして、ガラスリッド10は、DUV反射性被覆13の反射性に影響しないようにDUV反射性被覆13の融点以下の作業温度のロウ材203を用いてベース201に気密封止される。その際、DUV−LED装置内の構成材料が劣化しないように、窒素ガス、Heガス、Arガスなどの不活性ガスを充填して封止する。さらにガラスリッド10のウインド12は、窓面に反射防止の目的でHfO2またはZrO2とSiO2とを積層したARコーティングを施してもよい。
本発明に係るメタル−ガラスリッド10の実施例1は、図1に示すように、内周壁面がリフレクタ基部を兼ねた傾斜壁を有するホウ珪酸ガラス(SCHOTT社製8337B、DUV光透過率88〜92%、α=4.1ppm/K)からなる枠体11と、枠体11の片方の開口を覆って枠体11に気密封着したホウ珪酸ガラス(SCHOTT社製8337B)からなるウインド12とを備え、枠体11は、傾斜壁面11a、枠体上端面11bおよび枠体下端面11cにアルミニウムからなるDUV反射性被覆13を有することを特徴とする。
本発明に係るDUV−LED装置200は、図2に示すように、複数の配線電極を有する窒化アルミニウム(α=4.5ppm/K)製のベース201と、ベース201に実装され配線電極と電気接続したDUV−LED素子202と、DUV−LED素子202の上部を覆って気密封止したDUV透過性のガラスリッド10から形成されたDUV−LED装置であって、ガラスリッド10は、内周壁面がリフレクタ基部を兼ねた傾斜壁を有するホウ珪酸ガラス(SCHOTT社製8337B、DUV光透過率88〜92%、α=4.1ppm/K)の枠体11と、枠体11の片方の開口を覆って枠体11に封着したホウ珪酸ガラス(SCHOTT社製8337B)のウインド12とを備え、枠体11は、傾斜壁面11a、枠体上端面11bおよび枠体下端面11cにアルミニウムからなるDUV反射性被覆13を有する。DUV−LED装置20のガラスリッド10は、融点217℃の90Au−Snロウ材203を用いてベースに気密封止される。その際、DUV−LED装置の容器内には窒素ガスを充填する。
本発明は、特に高エネルギーの深紫外光に対して長期の耐久性が要求される高出力の深紫外光LED装置、例えば、高密度光情報記録装置、高輝度・長寿命蛍光照明装置、公害物質やアレルゲンなどの高速分解処理装置、殺菌灯、皮膚治療装置、レーザメス、細胞選別装置等のDUV-LEDデバイス用のリッドおよびDUV-LEDデバイスのパッケージに利用できる。
10・・・ガラスリッド、
11・・・枠体、
11a・・・傾斜壁面、
11b・・・封着面(枠体上端面)、
11c・・・枠体下端面、
12・・・ウインド、
13・・・DUV反射性被覆、
β・・・傾斜壁面と枠体下端面のなす角(傾斜角)、
200・・・DUV−LED装置、
201・・・ベース、
202・・・DUV−LED素子、
203・・・ロウ材。
11・・・枠体、
11a・・・傾斜壁面、
11b・・・封着面(枠体上端面)、
11c・・・枠体下端面、
12・・・ウインド、
13・・・DUV反射性被覆、
β・・・傾斜壁面と枠体下端面のなす角(傾斜角)、
200・・・DUV−LED装置、
201・・・ベース、
202・・・DUV−LED素子、
203・・・ロウ材。
Claims (12)
- 内周壁面がリフレクタ基部を兼ねた傾斜壁を有するDUV光透過性ガラスの枠体と、この枠体の片方の開口を覆って前記枠体に気密封着したDUV光透過性ガラスのウインドとを備え、前記枠体は、少なくともその傾斜壁面にDUV反射性被覆を有することを特徴とするDUV−LED用ガラスリッド。
- 前記枠体および前記ウインドは、ホウ珪酸ガラスである請求項1に記載のDUV−LED用ガラスリッド。
- 前記傾斜壁面は、傾斜角が45〜85°となるように設けた請求項1または請求項2に記載のDUV−LED用ガラスリッド。
- 前記DUV反射性被覆は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分として含有する合金材からなる請求項1ないし請求項3の何れか一つに記載のDUV−LED用ガラスリッド。
- 前記枠体は、さらに前記ウインドとの封着面(枠体上端面)または/および枠体下端面に前記DUV反射性被覆を設けたことを特徴とする請求項1ないし請求項4の何れか一つに記載のDUV−LED用ガラスリッド。
- 前記枠体は、前記封着面(枠体上端面)で前記ウインドと陽極接合されたことを特徴とする請求項5に記載のDUV−LED用ガラスリッド。
- 複数の配線電極を有する高熱伝導材からなるベースと、このベースに実装され配線電極と電気接続したDUV−LED素子と、このDUV−LED素子の上部を覆って気密封止したDUV透過性のガラスリッドから形成されたDUV−LED装置であって、該ガラスリッドは、内周壁面がリフレクタ基部を兼ねた傾斜壁を有するDUV光透過性の枠体と、この枠体の片方の開口を覆って該枠体に気密封着したDUV光透過性のウインドとを備え、前記枠体は、少なくとも傾斜壁面にDUV反射性被覆を有したことを特徴とするDUV−LED装置。
- 前記枠体および前記ウインドは、ホウ珪酸ガラスである請求項7に記載のDUV−LED装置。
- 前記傾斜壁面は、傾斜角が45〜85°となるように設けた請求項7または請求項8に記載のDUV−LED装置。
- 前記DUV反射性被覆は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分として含有する合金材からなることを特徴とする請求項7ないし請求項9の何れか一つに記載のDUV−LED装置。
- 前記枠体は、さらに前記ウインドとの封着面(枠体上端面)または/および枠体下端面に前記DUV反射性被覆を設けたことを特徴とする請求項7ないし請求項10の何れか一つに記載のDUV−LED装置。
- 前記枠体は、前記封着面(枠体上端面)で前記ウインドと陽極接合されたことを特徴とする請求項11に記載のDUV−LED装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2021132061A (ja) * | 2020-02-18 | 2021-09-09 | 日機装株式会社 | 半導体パッケージ基板、半導体パッケージ及び半導体発光装置 |
US11539182B2 (en) | 2019-09-20 | 2022-12-27 | Nichia Corporation | Light source device and method of manufacturing the same |
WO2023067863A1 (ja) * | 2021-10-22 | 2023-04-27 | 日本電気硝子株式会社 | 膜付き枠部の製造方法及び保護キャップの製造方法 |
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2016
- 2016-07-08 JP JP2016135728A patent/JP2018006693A/ja active Pending
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