JP2018004459A - 磁気センサおよび電流センサ - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示される断面構造と同様の構造を有する磁気センサを作製した。磁気抵抗効果素子はGMR素子であった。磁気シールドの形状は、平面形状が650μm×100μmであり、NiFeからなり厚さ10nmの軟磁性層とその上に積層されたIrMnからなり厚さ6nmの反強磁性層とからなる単位積層体を30層積層し、さらにTaからなり厚さ10nmの酸化保護層を積層することにより形成した。軟磁性層、反強磁性層、および酸化保護層はスパッタリングにより形成した。
実施例1と同様の構造であるが、積層構造を有する磁気シールドに代えて、厚さ300nmのNiFeからなるめっき層を磁気シールドとする磁気センサを作製した。
実施例1により作製した磁気センサおよび比較例1により作製した磁気センサのそれぞれについて、印加した外部磁場の最大強度(最大印加磁場)を変化させながらヒステリシスループを測定した。このヒステリシスループから、ゼロ磁場ヒステリシスZH(単位:%/FS)を測定した。ゼロ磁場ヒステリシスZHは、フルブリッジ出力曲線における出力の最大値(正の最大磁場を印加したときの値−負の最大磁場を印加したときの値)に対するゼロ磁場における出力の大きさ(正の最大磁場の印加から印加磁場ゼロまで変化させたときの値−負の最大磁場の印加から印加磁場ゼロまで変化させたときの値)の割合である。測定結果を図4に示す。
11 磁気抵抗効果素子
IM1 絶縁材料からなる層
IM2 他の絶縁材料からなる層
EL1 電極
EL2 接点用の電極
15 磁気シールド
15−1〜15−6 単位積層体
16 磁気平衡用コイル
SM 軟磁性層
AF 反強磁性層
PL 酸化保護層
29 基板
Claims (14)
- 特定の方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に印加される被測定磁界の強度を低減させる磁気シールドとを備えた磁気センサであって、
前記磁気シールドは、軟磁性層と前記軟磁性層に接する反強磁性層とを備える単位積層体が複数積層された積層構造を有し、
前記単位積層体が備える前記軟磁性層は、前記単位積層体が備える前記反強磁性層と交換結合していること
を特徴とする磁気センサ。 - 前記積層構造に含まれる前記単位積層体の一つが備える前記軟磁性層における交換結合に基づく磁界の向きと、前記単位積層体の一つに最近位の前記単位積層体が備える前記軟磁性層における交換結合に基づく磁界の向きとは反平行の関係を有する、請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記反強磁性層は不規則系反強磁性材料からなる、請求項2に記載の磁気センサ。
- 前記反強磁性層は白金族元素およびMnを含有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 前記反強磁性層はIrMnからなる、請求項1から4のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 前記積層構造は、前記反強磁性層と前記軟磁性層との交互積層構造を有する、請求項1から5のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子は、異方性磁気抵抗効果素子、巨大磁気抵抗効果素子およびトンネル磁気抵抗効果素子からなる群から選ばれる1種以上の素子からなる、請求項1から6のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子は、巨大磁気抵抗効果素子からなり、前記巨大磁気抵抗効果素子はセルフピン構造を有する固定層を備える、請求項1から6のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 前記磁気センサは、基板の上に前記磁気抵抗効果素子が形成され、その上に前記磁気シールドが形成された構造を備え、前記磁気シールドの最下層に位置する前記単位積層体は、NiFeからなる前記軟磁性層とその上に形成された前記反強磁性層とを備える、請求項1から8のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 前記磁気シールドは、前記磁気抵抗効果素子から最遠位に設けられた酸化保護層を備える、請求項9に記載の磁気センサ。
- 前記軟磁性層における交換結合に基づく磁界の向きは、前記磁気抵抗効果素子の前記感度軸に沿った方向に対して直交する、請求項1から10のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 磁気平衡用コイルをさらに備え、前記磁気平衡用コイルに流れる電流に基づき前記被測定磁界の強度を測定する、請求項1から11のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 前記磁気平衡用コイルはスパイラルコイルであって、前記磁気抵抗効果素子と前記磁気シールドとの間に位置する、請求項12に記載の磁気センサ。
- 請求項1から13のいずれか一項に記載される磁気センサを備え、前記磁気センサは被測定電流の誘導磁界を前記被測定磁界とする電流センサ。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2020085480A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | Tdk株式会社 | 磁気センサ及び位置検出装置 |
US11385302B2 (en) | 2019-03-12 | 2022-07-12 | Tdk Corporation | Magnetic flux absorber and magnetic sensor having the same |
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- 2016-07-04 JP JP2016132143A patent/JP6726040B2/ja active Active
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