JP2017535812A - 低温ポリシリコン半導体薄膜トランジスタに基づくgoa回路 - Google Patents
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Abstract
Description
200 プルアップ部分
300 ブースト部分
400 第1プルダウン部分
500 プルダウンホールディング回路部分
Cb 第1コンデンサ
CKN 第1クロック駆動信号
G(N) 出力端
H 直流定電圧高電位
T1 第1トランジスタ
T2 第2トランジスタ
T3 第3トランジスタ
T4 第4トランジスタ
T5 第5トランジスタ
T6 第6トランジスタ
T8 第8トランジスタ
T9 第9トランジスタ
T10 第10トランジスタ
T11 第11トランジスタ
T12 第12トランジスタ
T13 第13トランジスタ
T14 第14トランジスタ
P(N) 第2ノード
Q(N) 第1ノード
VSS1 第1直流定電圧低電位
VSS2 第2直流定電圧低電位
VSS3 第3直流定電圧低電位
XCKN 第2クロック駆動信号
Claims (11)
- カスケード接続する複数のGOAユニットを具え、Nを正の整数とし、第N段GOAユニットはプルアップ制御部分と、プルアップ部分と、第1プルダウン部分と、プルダウンホールディング回路部分と、トランファー部分とを含み、
該プルアップ制御部分は、ゲート電極とソース電極とのいずれもが該第N段GOAユニットの前1段第N−1段GOAユニットの出力端に電気的に接続し、ドレイン電極が第1ノードに電気的に接続する第1トランジスタを具え、
該プルアップ部分は、第1ノードに電気的に接続するゲート電極と、第1クロック駆動信号に電気的に接続するソース電極と、出力端に電気的に接続するドレイン電極とを含む第2トランジスタを具え、
該プルダウンホールディング回路部分は、第1ノードと、出力端と、直流定電圧高電位と、第1、第2、第3直流定電圧低電位とに電気的に接続し、
該プルダウンホールディング回路部分は高低電位逆算設計を採用し、かつ第3トランジスタと、第4トランジスタと、第5トランジスタと、第6トランジスタと、第8トランジスタと、第10トランジスタと、第12トランジスタと、第13トランジスタとを含み、
該第3トランジスタはゲート電極とソース電極とがいずれも直流定電圧高電位に電気的に接続し、ドレイン電極が該第5トランジスタのソース電極に電気的に接続し、
該第4トランジスタはゲート電極が該第3トランジスタのドレイン電極に電気的に接続し、ソース電極が直流定電圧高電位に電気的に接続し、ドレイン電極が第2ノードに電気的に接続し、
該第5トランジスタは、ゲート電極が第1ノードに電気的に接続しソース電極が第3トランジスタのドレイン電極に電気的に接続し、ドレイン電極が第1直流定電圧低電位に電気的に接続し、
該第6トランジスタは、ゲート電極が第1ノードに電気的に接続し、ソース電極が第2ノードに電気的に接続し、ドレイン電極が該第8トランジスタのソース電極に電気的に接続し、
該第8トランジスタは、ゲート電極が該第1ノードに電気的に接続し、ソース電極が該第6トランジスタのドレイン電極に電気的に接続し、ドレイン電極が第3直流定電圧低電位に電気的に接続し、
該第10トランジスタは、ゲート電極が第2ノードに電気的に接続し、ソース電極が直流定電圧高電位に電気的に接続し、ドレイン電極が該第6トランジスタのドレイン電極に電気的に接続し、
該第12トランジスタは、ゲート電極が第2ノードに電気的に接続し、ソース電極が第1ノードに電気的に接続し、ドレイン電極が第2直流定電圧低電位に電気的に接続し、
該第13トランジスタは、ゲート電極が第2ノードに電気的に接続し、ソース電極が出力端に電気的に接続し、ドレイン電極が第1直流定電圧低電位に電気的に接続し、
該第3トランジスタと、該第4トランジスタと、該第5トランジスタと、該第6トランジスタとが順方向に高電位を提供して該第12トランジスタの制御と該第13トランジスタの開放に用いられ、かつ該第8トランジスタが作動時間内の負電位の逆方向ブーストラップを構成し、作動時間において第2ノードに対してさらに低い電位を提供するために用いられ、直流定電圧高電位を利用して非作動時間において第2ノードに適宜な高電位を提供して第1ノードと出力端とに低電位を維持させ、
該第1プルダウン部分は該第1ノードと、第2クロック駆動信号と、第2直流定電圧低電位とに電気的に接続し、かつ該第1プルダウン部分は該第2クロック駆動信号に基づいて該第1ノードの電位を該第2直流定電圧停電に至るまでプルダウンし、
該第1プルダウン部分は、第2クロック駆動信号に電気的に接続するゲート電極と、第1ノードに電気的に接続するソース電極と、第2直流定電圧低電位に電気的に接続するドレイン電極とを含む第14トランジスタを具え、
該第3直流定電圧低電位と、該第2直流定電圧低電位と、該第1直流定電圧低電位との関係が該第3直流定電圧低電位<該第2直流定電圧低電位<該第1直流定電圧低電位であることを特徴とする低温ポリシリコン半導体薄膜トランジスタに基づくGOA回路。 - 前記プルダウンホールディング回路部分がさらに第9トランジスタと第11トランジスタとを含み、該第9トランジスタはゲート電極が第1ノードに電気的に接続し、ソース電極が第10トランジスタのゲート電極に電気的に接続し、ドレイン電極が第3直流定電圧低電位に電気的に接続し、該第11トランジスタはゲート電極とソース電極とが直流低電圧高電位に電気的に接続し、ドレイン電極が第10トランジスタのゲート電極に電気的に接続し、かつ第10トランジスタと第2ノードとが切断され開いていることを特徴とする請求項1に記載の低温ポリシリコン半導体薄膜トランジスタに基づくGOA回路。
- 前記第4トランジスタと第6トランジスタと第8トランジスタとが直列することを特徴とする請求項1に記載の低温ポリシリコン半導体薄膜トランジスタに基づくGOA回路。
- 前記GOAユニットがさらにブースト部分を含み、該ブースト部分が該第1ノードと該出力端との間に電気的に接続して該第1ノードの電位をブーストするために用いられることを特徴とする請求項1に記載の低温ポリシリコン半導体薄膜トランジスタに基づくGOA回路。
- 前記ブースト部分が、一端が該第1ノードに電気的に接続し、他端が出力端に電気的に接続する第1コンデンサを含むことを特徴とする請求項4に記載の低温ポリシリコン半導体薄膜トランジスタに基づくGOA回路。
- 前記第1クロック駆動信号と該第2クロック駆動信号の波形のデューティー比が、いずれも50/50より小さく、該第2クロック駆動信号の高電位時において該第14トランジスタ該が第1ノードの電位を該第2直流定電圧低電位に至るまでプルダウンすることを特徴とする請求項1に記載の低温ポリシリコン半導体薄膜トランジスタに基づくGOA回路。
- 前記第1ノードの出力する信号の波形が、該第1クロック駆動信号と該第2クロック駆動信号の波形のデューティー比の変化に基づいて変化することを特徴とする請求項4に記載の低温ポリシリコン半導体薄膜トランジスタに基づくGOA回路。
- 前記第1ノードの出力する信号の波形が凸字形状を呈することを特徴とする請求項7に記載の低温ポリシリコン半導体薄膜トランジスタに基づくGOA回路。
- 前記GOAユニットの第1段の接続関係において、該第1トランジスタのゲート電極とソース電極とが、いずれも回路の起動信号端に電気的に接続することを特徴とする請求項1に記載の低温ポリシリコン半導体薄膜トランジスタに基づくGOA回路。
- 前記GOA回路は出力端の出力する信号を採用して前の段と次の段に伝送する信号とすることを特徴とする請求項1に記載の低温ポリシリコン半導体薄膜トランジスタに基づくGOA回路。
- カスケード接続する複数のGOAユニットを具え、Nを正の整数とし、第N段GOAユニットはプルアップ制御部分と、プルアップ部分と、第1プルダウン部分と、プルダウンホールディング回路部分と、トランファー部分とを含み、
該プルアップ制御部分は該第N段GOAユニットの前1段第N−1段GOAユニットの出力端に電気的に接続するゲート電極と、該第N段GOAユニットの前1段第N−1段GOAユニットの出力端に電気的に接続するソース電極と、第1ノードに電気的に接続するドレイン電極とを含む第1トランジスタを具え、
該プルアップ部分は、第1ノードに電気的に接続するゲート電極と、第1クロック駆動信号に電気的に接続するソース電極と、出力端に電気的に接続するドレイン電極とを含む第2トランジスタを具え、
該プルダウンホールディング回路部分は、第1ノードと、出力端と、直流定電圧高電位と、第1、第2、第3直流定電圧低電位とに電気的に接続し、
該プルダウンホールディング回路部分は高低電位逆算設計を採用し、かつ第3トランジスタと、第4トランジスタと、第5トランジスタと、第6トランジスタと、第8トランジスタと、第10トランジスタと、第12トランジスタと、第13トランジスタとを含み、
該第3トランジスタはゲート電極とソース電極とがいずれも直流定電圧高電位に電気的に接続し、ドレイン電極が該第5トランジスタのソース電極に電気的に接続し、
該第4トランジスタはゲート電極が該第3トランジスタのドレイン電極に電気的に接続し、ソース電極が直流定電圧高電位に電気的に接続し、ドレイン電極が第2ノードに電気的に接続し、
該第5トランジスタは、ゲート電極が第1ノードに電気的に接続しソース電極が第3トランジスタのドレイン電極に電気的に接続し、ドレイン電極が第1直流定電圧低電位に電気的に接続し、
該第6トランジスタは、ゲート電極が第1ノードに電気的に接続し、ソース電極が、第2ノードに電気的に接続し、ドレイン電極が該第8トランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
該第8トランジスタは、ゲート電極が該第1ノードに電気的に接続し、ソース電極が該第6トランジスタのドレイン電極に電気的に接続し、ドレイン電極が第3直流定電圧低電位に電気的に接続し、
該第10トランジスタは、ゲート電極が第2ノードに電気的に接続し、ソース電極が直流定電圧高電位に電気的に接続し、ドレイン電極が該第6トランジスタのドレイン電極に電気的に接続し、
該第12トランジスタは、ゲート電極が第2ノードに電気的に接続し、ソース電極が第1ノードに電気的に接続し、ドレイン電極が第2直流定電圧低電位に電気的に接続し、
該第13トランジスタは、ゲート電極が第2ノードに電気的に接続し、ソース電極が出力端に電気的に接続し、ドレイン電極が第1直流定電圧低電位に電気的に接続し、
該第3トランジスタと、該第4トランジスタと、該第5トランジスタと、該第6トランジスタとが順方向に高電位を提供して該第12トランジスタの制御と該第13トランジスタの開放に用いられ、
該第8トランジスタが作動時間内の負電位の逆方向ブーストラップを構成し、作動時間において第2ノードに対してさらに低い電位を提供するために用いられ、
直流定電圧高電位を利用して非作動時間において第2ノードに適宜な高電位を提供して第1ノードと出力端とに低電位を維持させ、
該第1プルダウン部分は該第1ノードと、第2クロック駆動信号と、第2直流定電圧低電位とに電気的に接続し、かつ該第1プルダウン部分は該第2クロック駆動信号に基づいて該第1ノードの電位を該第2直流定電圧停電に至るまでプルダウンし、
該第1プルダウン部分は、第2クロック駆動信号に電気的に接続するゲート電極と、第1ノードに電気的に接続するソース電極と、第2直流定電圧低電位に電気的に接続するドレイン電極とを含む第14トランジスタを具え、
該第3直流定電圧低電位と、該第2直流定電圧低電位と、該第1直流定電圧低電位との関係が該第3直流定電圧低電位<該第2直流定電圧低電位<該第1直流定電圧低電位であり、
該GOAユニットがさらにブースト部分を含み、該ブースト部分が該第1ノードと該出力端との間に電気的に接続して該第1ノードの電位をブーストするために用いられ、
該ブースト部分が、一端が該第1ノードに電気的に接続し、他端が出該力端に電気的気に接続する第1コンデンサを含み、
該第1クロック駆動信号と該第2クロック駆動信号の波形のデューティー比が、いずれも50/50より小さく、該第2クロック駆動信号の高電位時において該第14トランジスタが第1ノードの電位を該第2直流定電圧低電位に至るまでプルダウンし、
該第1ノードの出力する信号の波形が凸字形状を呈することを特徴とする低温ポリシリコン半導体薄膜トランジスタに基づくGOA回路。
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