JP2017534320A - 傾斜角度でx線放射線を検出するx線検出器装置 - Google Patents

傾斜角度でx線放射線を検出するx線検出器装置 Download PDF

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Abstract

本発明は、X線放射線を、該X線放射線に対し傾斜した角度で検出するX線検出器装置10、X線イメージングシステム1、X線イメージング方法、このような方法を実施するようにこのような装置又はシステムを制御するコンピュータプログラム要素、及びこのようなコンピュータプログラム要素を記憶したコンピュータ可読媒体に関する。X線検出器装置10は、カソード表面11及びアノード表面12を有する。カソード表面11及びアノード表面12は、動作中、カソード表面11に入射するX線放射線に応答してカソード表面11とアノード表面12の間の電荷輸送Tを可能にするように分離層13によって隔てられている。アノード表面12は、複数のアノードピクセル121にセグメント化されており、カソード表面11は、複数のカソードピクセル111にセグメント化されている。カソードピクセル111の少なくとも1つは、カソード表面11に対し傾斜した結合方向Cにおいて、アノードピクセル121の少なくとも1つに割り当てられる。カソードピクセル111の少なくとも1つは、隣接するカソードピクセルに対し電圧オフセットを有するように構成され、アノードピクセル121の少なくとも1つは、隣接するアノードピクセル121に対し電圧オフセットを有するように構成される。電圧オフセットは、結合方向Cと平行な方向に電荷輸送Tを収束させるように構成される。

Description

本発明は、傾斜した角度でX線放射線を検出するX線検出器装置、X線イメージングシステム、X線イメージング方法、このような方法を実施するためにこのような装置又はシステムを制御するコンピュータプログラム要素、及びこのようなコンピュータプログラム要素を記憶したコンピュータ可読媒体に関する。
国際公開第2010/015959A2号は、カソード、コンバータ材料及び基板を有するイメージング装置用のX線光子検出器を開示する。カソードは、外方に延びるプレート及び基部プレートを有する。コンバータ材料は、外方に延びるプレートの側面に取り付けられる。基板は、アノードを有し、コンバータ材料に取り付けられる。
国際公開第2013/088352A2号公報は、アノードセグメント及びカソードセグメントにそれぞれセグメント化されたアノード及びカソードを有する放射線検出器を開示する。ここで、それぞれのアノードセグメントは、互いに異なる電位を供給される。同様のアプローチが、カソードセグメントについて採用されている。
米国特許第5,111,052号は、半導体基板の同じ1つの表面に配置される共通電極及びスプリット電極を備える半導体基板を有する放射線センサを開示する。
X線イメージングのためのX線検出は、X線放射線に対し垂直に又は非垂直に傾斜されて配置されるこのような半導体X線検出器によって行われることができる。傾斜した又はエッジオン検出は、垂直な又は正面を向いた検出において、いくつかの利点を有し、とりわけ、シリコンのようなより低い原子番号を有する物質について改善された検知量子効率をもたらす。
しかしながら、傾斜した角度での検出の場合に、特に相対的に低い原子番号の検出器材料を使用する場合、X線検出器に入射するX線放射線は、可能性として、いくつかの検出器電極にわたって共有され、これは、空間画像解像度の損失につながる。
詳しくは、傾斜した角度での検出の場合、検出器カソードと検出器アノードとの間の電界の方向は、到来するX線放射線の方向に対して或る角度をなし、これは、X線検出器の表面法線に対する到来X線放射線の傾斜角度に等しい。検出器カソードと検出器アノードとの間で輸送される電荷は、例えば2つの隣接する検出器アノードのいずれかによって収集されることができる。それゆえ、電荷は、実際の相互作用サイトの横方向位置に関して、誤って割り当てられることがあり、これは、低下する横方向画像解像度及びゆえに空間画像解像度の損失につながりうる。
それゆえ、X線放射線に対し傾斜した角度で改善されたX線放射線の検出を行うためのX線検出器装置を提供する必要がありえ、これは、照射X線を傾斜角度で検出する際の空間画像解像度の損失を低減することを可能にする。
本発明の課題は、独立請求項の主題によって解決され、他の実施形態が、従属請求項に組み込まれている。以下に記述される本発明の見地は、X線検出器装置、X線イメージングシステム、X線イメージング方法、コンピュータプログラム要素及びコンピュータ可読媒体にも適用されることに留意すべきである。
本発明により、X線イメージング検出器が提示される。X線検出器装置は、カソード表面及びアノード表面を有する。カソード表面及びアノード表面は、分離層によって隔てられており、それにより、動作中にカソード表面に入射するX線放射線に応じたカソード表面とアノード表面との間の電荷輸送を可能にする。
アノード表面は、複数のアノードピクセルにセグメント化され、カソード表面は、複数のカソードピクセルにセグメント化される。カソードピクセルの少なくとも1つは、カソード表面に対して傾斜された結合方向において、アノードピクセルの少なくとも1つに割り当てられる。
カソードピクセルの少なくとも1つは、隣接するカソードピクセルに対し電圧オフセットを有するように構成され、アノードピクセルの少なくとも1つは、隣接するアノードピクセルに対し電圧オフセットを有するように構成される。電圧オフセットは、結合方向と平行な方向に電荷輸送を収束させるように構成される。電圧オフセットは、カソード表面と結合方向との間の傾斜角度に依存し、結合方向は、動作中カソード表面に入射するX線放射線のビームの対称軸と平行である。
結合方向は、動作中にカソード表面に入射するX線放射線のビームの対称軸と平行であることが理解されることができる。X線放射線の非扇形又は非円錐形ビームが使用される場合、結合方向は、カソード表面を照射するX線放射線と平行な方向であることがより容易に理解されることができる。
ここで「結合方向Cと平行に電荷輸送を収束させる」は、電荷輸送Tの方向が、結合方向Cに近い(approach)ことを示す。ここで「近い(approach)」は、前記2つの方向の間のわずかな偏差を可能にする。このようなわずかな偏差は、例えば電荷輸送を駆動する電界の変化によるものであり、及び/又はX線放射線のビームの変化によるものでありうる。このようなわずかな偏差の実現可能な量は、生成されるべきX線画像の所望の空間解像度によって決定される。ここで「近い」とは、電荷輸送方向及び結合方向のアライメント又は再度のアライメントを更に含むことができる。
このように結合方向と平行に電荷輸送を収束させることは、隣接するカソードピクセル間及びアノードピクセル間のオフセット電圧によって達成される。カソード表面及びアノード表面は、ピクセル化されており、電荷輸送方向を結合方向と平行にするようにスタガ型の高電圧設計により提供される。
詳しくは、電荷輸送が、結合方向に平行な方向に後ろへ収束されるので、X線検出器に入射するX線放射線は、いくつかの検出器電極にわたって、もはや広がらず又はより少ない程度で広がる。それゆえ、電荷は、実際の相互作用サイトの横方向位置に関して、もはや誤って割り当てられることはなく、又はより少ない程度で誤って割り当てられることがあり、これは、横方向画像解像度の低下を回避し又は緩和する。その結果、本発明によるX線検出器装置は、傾斜角度で照射するX線の検出の空間画像解像度を改善する。言い換えると、本発明は、空間画像解像度を公称値に回復することを可能にする。
一例において、カソード表面と結合方向との間の傾斜角度は、5°乃至89°の間、好適には10°乃至60°の間、より好適には15°乃至50°の間である。言い換えると、「傾斜」は、垂直及び平行を除外する。
一例において、電圧オフセットは、任意の第1のカソードピクセルと第2のカソードピクセルとの間のカソードピクセルのオフセット数xに反比例する。第2のカソードピクセルは、カソード表面の法線方向において第1のカソードピクセルにアラインされるアノードピクセルと等電位線にあるように規定される。例示として、言い換えると、オフセット数xは、結合方向と平行に予め規定されたカソードピクセルをアノードピクセルにアラインするために使用されるピクセルオフセット又はピクセルの数であり、結合方向は、簡単に言えば、入力X線の方向でありうる。これは、以下に詳しく説明される。
同じことを、アノードピクセルに基づいて述べることができる。従って、一例において、電圧オフセットは、任意の第1のアノードピクセルと第2のアノードピクセルとの間のアノードピクセルのオフセット数xに反比例する。第2のアノードピクセルは、カソード表面の法線方向において第1のアノードピクセルにアラインされるカソードピクセルと等電位線にあるように規定される。
一例において電圧オフセットΔUは、
Figure 2017534320
であり、すなわち言い換えると、オフセット数xは、
Figure 2017534320
である。
は、カソードピクセルのカソード電圧であり、Uは、アノードピクセルのアノード電圧である。このアノードピクセル及びこのカソードピクセルは、カソード表面の法線方向にアラインされる。言い換えると、U及びUは、幾何学的に向かい合うアノードピクセル及びカソードピクセル上の電圧である。
一例として、公称高電圧設定U−Uと比較した電圧オフセットΔUの値の算定は、以下のように得られることができる:電荷輸送ラインが、第1の方向に、例えば鉛直方向に延びるとすると、等電位ラインは、第1の方向に垂直であり、ここでは例えば水平である。こうして、電位Uを有する特定のアノードピクセルから始まる水平な等電位線は、第1のカソードピクセルのところで終わり、第1のカソードピクセルは、電位UAを有するアノードピクセルと幾何学的に反対側(カソード表面の法線方向において)の第2のカソードピクセルに対して、例えば3ピクセル分オフセットされる。
一例において、オフセット数xは、1乃至無限大である。オフセット数xは、好適には2乃至10の間である。オフセット数は、整数である必要はない。
別の例において、電圧オフセットΔUは、
Figure 2017534320
である。
上式で、Uは再びカソードピクセルのカソード電圧であり、Uは、アノードピクセルのアノード電圧である。このアノードピクセル及びこのカソードピクセルは、カソード表面の法線方向においてアラインされる。言い換えると、U及びUは、幾何学的に対向する電極上の電圧である。更に、pは、アノードピッチであり、アノードピッチは、2つの隣接するアノードピクセルの間の距離を意味する。隣接するカソードピクセルは、同じ距離及びピッチを有することができる。
更に、dは、カソード表面とアノード表面との間の距離である。
φは、結合方向とカソード表面法線との間の角度である。
ピッチと距離の間の比p/dは、0.5乃至7の間、好適には0.5乃至5の間、より好適には0.7乃至4の間でありうる。
本発明により、更にX線イメージングシステムが提示される。X線イメージングシステムは、上述したX線検出器装置と、動作中、X線放射線のビームの対称軸とカソード表面の間に傾斜した角度を有してX線検出器装置のカソード表面に入射するX線放射線のビームを生成するように構成されるX線管と、を有する。一例において、X線イメージングシステムは更に、位相コントラストイメージングのためにX線検出器装置によって検出される干渉縞を処理するように構成される処理ユニットを有する。
本発明により、更にX線イメージング方法が提示される。X線イメージング方法は、傾斜した角度でX線検出器装置のカソード表面を照射するようにX線を供給するステップと、上述したX線検出器装置によってX線を検出するステップと、を有する。
一例において、半導体X線検出器装置は、検出器表面の法線に対し或る角度で照射され、X線検出器内のドリフトする電子及び正孔の方向は、平均的に、入力X線の方向であり又はより正確にはX線放射線のビームの対称軸と平行な方向である結合方向と異なる。
一例において、隣接するカソードピクセル及び隣接するアノードピクセルは、カソード表面又はアノード表面に対し垂直な方向に電荷が運ばれることを回避するために、互いに対し一定の高電圧オフセットに置かれる。このような電圧オフセットは、電荷輸送方向を結合方向に収束させるための適切な極性を有するように調整されることができる。結合方向に平行に電荷輸送を収束させることによって、結合方向に対する電荷輸送方向のアプローチが、理解されることができる。実現されると、電荷は、アノードピクセルに向かって結合方向と平行に進むことができ、横方向のスペクトル解像度の低下が減少され又は回避される。
一例において、X線イメージング方法は、電圧オフセットのさまざまな値について解像度ファントムを測定するステップと、電圧オフセットの関数として空間解像度を最大にすることによってX線検出器装置を較正するステップと、を更に含む。
解像度ファントムは、解像度を評価するために使用されるべき高いコントラストを与えるライン対でありうる。較正は、変調伝達関数(MTF)較正方法によって行われることができる。較正は、最良の回復を達成するために電圧オフセットの関数として空間解像度を最大にするよう行われることができる。較正は、結合方向と電荷輸送方向との間の不整合につながりうる高電圧又は抵抗の不完全性を回避するために行われることができる。
この装置、システム又は方法は、スリットスキャニングマンモグラフィにおいて及びSiベースのCT検出器及び位相コントラストトモシンセシスの検出概念において、使用されることができる。
本発明によれば、更に、コンピュータプログラム要素が提示され、コンピュータプログラム要素は、コンピュータプログラムがX線検出器装置を制御するコンピュータ上でランされるとき、装置の独立請求項に記載のX線検出器装置に、X線イメージング方法の各ステップを実施させるためのプログラムコード手段を有する。
独立請求項に記載のX線検出器装置、X線イメージングシステム、X線イメージング方法、このような装置を制御するためのコンピュータプログラム要素、及びこのようなコンピュータプログラム要素を記憶したコンピュータ可読媒体が、従属請求項に記載の同様の及び/又は同一の好適な実施形態を有することが理解されるべきである。更に、本発明の好適な実施形態は更に、個々の独立請求項と従属請求項の任意の組み合わせでありうることが理解されるべきである。
本発明のこれらの及び他の見地は、以下に記述される実施形態から明らかになり、それらを参照して説明される。
本発明の例示的な実施形態は、添付の図面を参照して以下に記述される。
本発明によるX線イメージングシステムの一例を示す概略図。 本発明によるX線検出器装置の一実施形態を概略的及び例示的に示す図。 本発明によるX線イメージング方法のステップを示す概略図。
図1は、本発明による、X線イメージングシステム1の一実施形態を概略的及び例示的に示す図。X線イメージングシステム1は、X線検出器装置10及びX線管20を有する。X線検出器装置10は、カソード表面11及びアノード表面12を有する。X線管20は、動作中、X線検出器装置10のカソード表面11を照射するX線放射線のビームを生成する。X線管20は、X線ビームの対称軸がX線検出器装置10の表面に対し傾斜した角度で配置されるように、X線検出器装置10の上方に幾何学的に配置される。それによって、X線管20によって生成されるX線は、図1において矢印で示されるように、傾斜した角度αを有してX線検出器装置10のカソード表面11を照射し、傾斜した角度は、非ゼロであり、非垂直の角度を示す。
図2は、本発明によるX線検出器装置10の一実施形態を概略的及び例示的に示す。X線検出器装置10は、ここでは例えばカソード表面11及びアノード表面12を有するDi−Coセンサである。動作中、カソード表面11に入射するX線放射線に応じて、カソード表面11とアノード表面12の間の電荷輸送を可能にするために、カソード表面11とアノード表面12の間に分離層13が配置されている。カソード表面11からアノード表面12への電荷輸送Tの方向は、矢印Tによって示されている。
アノード表面12は、複数のアノードピクセル121にセグメント化されており、カソード表面11は、複数のカソードピクセル111にセグメント化されている。カソードピクセル111は、カソード表面法線Nに対し角度φ傾斜した結合方向Cにおいて、アノードピクセル121に割り当てられる。結合方向Cは、動作中、カソード表面11に入射するX線放射線のビームの対称軸に平行であることが理解されることができる。X線放射線のビームは、グレーのバンドとして図2に示されている。X線放射線の非扇形又は円錐形ビームが使用される場合、X線ビームの対称軸は、ビームに含まれるすべてのX線と平行であり、結合方向Cは、カソード表面11を照射するX線放射線に平行な方向であることがより容易に理解されることができる。
カソードピクセル111は、隣接するカソードピクセル111に対し電圧オフセットを有し、アノードピクセル121は、隣接するアノードピクセル121に対し電圧オフセットを有する。電圧オフセットは、結合方向Cと平行な方向に、カソード表面11とアノード表面12との間の電荷輸送Tを収束させるように設計される。
ここで「結合方向Cに平行に電荷輸送Tを収束させること」は、電荷輸送Tの方向が、結合方向Cに近いことを示す。
ここで、「近い」は、前記2つの方向の間のわずかな偏差を可能にする。このようなわずかな偏差は、電荷輸送を駆動する電界の変化によるもの、及び/又はX線放射線のビームの変化によるものでありうる。このようなわずかな偏差の実現可能な量は、得られるべきX線画像の所望の空間解像度によって決定される。
電圧オフセットにより、電荷輸送Tは、結合方向Cと平行な方向に収束される。
それによって、垂直方向の検出と比較して傾斜角度での検出の不利益が克服されることができる。すなわち、X線検出器に入射するX線放射線は、いくつかの検出器電極にわたって、もはや広がらず又はより少ない程度で広がる。それゆえ、電荷は、実際の相互作用サイトの横方向位置に関して、もはや誤って割り当てられず、又はより少ない程度で誤って割り当てられ、これは、低下する横方向画像解像度を回避し又は緩和する。その結果、傾斜角度での照射X線の検出の空間画像解像度が改善される。
電圧オフセットは、カソード表面11と結合方向Cとの間の傾斜角度αに依存する。カソード表面11と結合方向Cとの間の傾斜角度αは、ここでは、約60°である。
電圧オフセットは、任意の第1のカソードピクセルと第2のカソードピクセルの間のカソードピクセルのオフセット数xに反比例する。第2のカソードピクセルは、カソード表面11の法線方向Nにおいて第1のカソードピクセルとアラインされるアノードピクセルと等電位線Pにあるように規定される。言い換えると、例えば、オフセット数xは、ピクセルオフセットであり、すなわち、結合方向Cと平行に、予め規定されたカソードピクセルをアノードピクセルとアラインするために使用されるピクセルの数である。
結合方向は、簡単に言えば、到来X線の方向でありうる。これは、以下の例に基づいて説明される。
一例として、電圧オフセットΔUは、
Figure 2017534320
であり、言い換えるとオフセット数xは、
Figure 2017534320
である。
は、カソードピクセルのカソード電圧であり、Uは、アノードピクセルのアノード電圧である。このアノードピクセル及びこのカソードピクセルは、カソード表面11の法線方向Nおいてアラインされる。言い換えると、U及びUは、幾何学的に対向するアノードピクセル及びカソードピクセル上の電圧である。
公称高電圧設定U−Uと比較した電圧オフセットΔUの値の算定は、以下のように得られることができる。ここで、電荷輸送ラインTは、鉛直方向に延びるように設計されている。次に、等電位ラインは、鉛直方向の電荷輸送ラインTに対し垂直であり、これは、水平であることを意味する。こうして、電位Uを有する特定のアノードピクセルから始まる水平方向の等電位線Pは、第1のカソードピクセルのところで終わり、第1のカソードピクセルは、電位UAを有するアノードピクセルに(カソード表面11の法線方向において)幾何学的に対向する第2のカソードピクセルに対して、3ピクセル分オフセットされている。その結果、図2のオフセット数xは3である。
より一般的にいえば、電圧オフセットは、
Figure 2017534320
である。
上式で、Uは、再びカソードピクセルのカソード電圧であり、Uは、カソードピクセルに幾何学的に対向するアノードピクセルのアノード電圧である。このアノードピクセル及びこのカソードピクセルは、カソード表面11の法線方向においてアラインされている。言い換えると、U及びUは、幾何学的に対向する電極上の電圧である。更に、pはアノードピッチであり、アノードピッチは、2つの隣接するアノードピクセル121の間の距離を意味する。隣接するカソードピクセル111は、同じ距離及びピッチを有することができる。更に、dは、カソード表面11とアノード表面12との間の距離であり、αは、結合方向Cとカソード表面法線Nとの間の角度である。
比率p/dは、0.5乃至7の間、好適には0.5乃至5の間、より好適には0.7乃至4の間でありうる。
図3は、本発明によるX線イメージング方法のステップの概略図を示す。方法は、必ずしもこの順序でなくてよいが、以下のステップを含む。
−第1ステップS1において、傾斜した角度で、X線検出器装置10のカソード表面11を照射するようにX線を供給する。
−第2ステップS2において、上述したX線検出器装置10によって、X線を検出する。
−任意の第3のステップS3において、電圧オフセットのさまざまな値について解像度ファントムを測定する。
−任意の第4のステップS4において、電圧オフセットの関数として空間解像度を最大にすることによって、X線検出器装置10を較正する。
言い換えると、半導体X線検出器装置10は、検出器表面に対し角度αをなして及び検出器表面法線Nに対して角度φをなして、照射され、X線検出器の電子及び正孔をドリフトする方向は、平均して、入力X線の方向であり又はより正確にはX線放射線のビームの対称軸と平行な方向である結合方向Cと異なる。
隣接するカソードピクセル111及び隣接するアノードピクセル121は、電荷がカソード又はアノード表面12に対し垂直な方向に運ばれることを回避するために、互いにオフセットされる一定の高電圧を与えられる。このような電圧オフセットは、結合方向Cに電荷輸送方向Tを収束させるために適切な極性を有するように調整されることができる。
結合方向Cと平行に電荷輸送Tをアラインすることによって、結合方向Cへの電荷輸送方向Tの近付けが理解されることができる。実現されるとき、電荷は、アノードピクセル121へ向かって、結合方向Cと平行に進むことができ、横方向スペクトル解像度の低下が減少され又は回避される。
較正は、変調伝達関数(MTF)較正方法によって行われることができる。較正は、最良の回復を達成するために、電圧オフセットの関数として空間解像度を最大にするように行われることができる。
本発明により、更にsコンピュータプログラム要素が提示され、かかるコンピュータプログラム要素は、コンピュータプログラムがX線検出器装置10を制御するコンピュータ上でランされるとき、装置の独立請求項に記載のX線検出器装置10にX線イメージング方法の各ステップを実施させるプログラムコード手段を有する。
本発明の別の例示的な実施形態において、上述した実施形態の1つによる方法の個々の方法ステップを適当なシステム上で実行するように適応されることによって特徴付けられるコンピュータプログラム又はコンピュータプログラム要素が提供される。
従って、コンピュータプログラム要素は、コンピュータユニットに記憶されことができ、かかるコンピュータユニットも、本発明の一実施形態の一部でありうる。このコンピューティングユニットは、上述の方法の各ステップを実施するように又は各ステップの実施を引き起こすように、適応されることができる。更に、コンピューティングユニットは、上述した装置のコンポーネントを動作させるように適応されることができる。コンピューティングユニットは、自動的に作動するように及び/又はユーザの命令を実行するように適応されることができる。コンピュータプログラムは、データプロセッサの作業メモリにロードされることができる。こうして、データプロセッサは、本発明の方法を実施する能力を備えることができる。
本発明のこの例示的な実施形態は、最初からすぐに本発明を使用するコンピュータプログラム及び更新によって既存のプログラムを本発明を使用するプログラムにかえるコンピュータプログラムの両方をカバーする。
更に、コンピュータプログラム要素は、上述したような方法の例示的な実施形態のプロシージャを実現するために必要なすべてのステップを提供することが可能でありうる。
本発明の他の例示的な実施形態により、コンピュータ可読媒体(例えばCD−ROM)が提示され、コンピュータ可読媒体は、上述のセクションによって記述されたコンピュータプログラムであって、それに記憶されたコンピュータプログラム要素を有する。
コンピュータプログラムは、他のハードウェアと共に又はその一部として供給される光学記憶媒体又はソリッドステート媒体のような適切な媒体に記憶され及び/又は配布されることができるが、他の形式で、例えばインターネット又は他のワイヤード又はワイヤレス通信システムを通じて、配布されることもできる。
しかしながら、コンピュータプログラムは、ワールドワイドウェブのようにネットワークを通じて提示されることもでき、このようなネットワークからデータプロセッサの作業メモリにダウンロードされることが可能である。本発明の他の例示的な実施形態により、本発明の上述の実施形態の1つに従う方法を実施するように構成されるコンピュータプログラム要素をダウンロード可能にするための媒体が提供される。
本発明の実施形態は、それぞれ異なる発明の主題に関して記述されていることが留意される必要がある。特に、ある実施形態は、方法タイプの請求項に関して記述され、他の実施形態は、装置タイプの請求項に関して記述されている。しかしながら、当業者であれば、特に他の場合が示されない限り、上述の及び後述の記述から、発明の主題の1つのタイプに属する特徴の任意の組み合わせに加えて、それぞれ異なる発明の主題に関連する特徴間の任意の組み合わせが、本願により開示されていると考えられることが分かるであろう。しかしながら、すべての特徴は、特徴の単純な足し合わせより多くの相乗効果を提供するように組み合わせられることができる。
本発明は、図面及び上述の説明において詳細に図示され記述されているが、このような図示及び記述は、制限的でなく、説明的又は例示的なものであると考えられることができる。本発明は、開示された実施形態に制限されない。開示された実施形態に対する他の変更が、図面、開示及び従属請求項の検討から、請求項に記載の本発明を実施する際に、当業者によって理解され達成されることができる。
請求項において、「含む、有する(comprising)」の語は、他の構成要素又はステップを除外せず、不定冠詞「a」又は「an」は、複数性を除外しない。単一のプロセッサ又は他のユニットが、請求項に列挙されるいくつかのアイテムの機能を実現することができる。特定の手段が相互に異なる従属請求項に列挙されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが有利に使用されることができないことを示さない。請求項における任意の参照符号は、請求項の範囲を制限するものとして解釈されるべきでない。

Claims (12)

  1. X線放射線を、該X線放射線に対し傾斜した角度で検出するX線検出器装置であって、
    カソード表面と、
    アノード表面と、を有し、
    前記カソード表面及び前記アノード表面は、動作中に前記カソード表面に入射するX線放射線に応じて前記カソード表面と前記アノード表面の間の電荷輸送を可能にするよう分離層によって隔てられており、
    前記アノード表面が、アノードピクセルにセグメント化されており、
    前記カソード表面が、カソードピクセルにセグメント化されており、
    前記カソードピクセルの少なくとも1つが、前記カソード表面に対し傾斜した結合方向において、前記アノードピクセルの少なくとも1つに割り当てられ、
    前記カソードピクセルの前記少なくとも1つが、隣接するカソードピクセルに対し電圧オフセットを有するように構成され、
    前記アノードピクセルの前記少なくとも1つが、隣接するアノードピクセルに対し電圧オフセットを有するように構成され、
    前記電圧オフセットは、前記結合方向に平行な方向に電荷輸送を収束させるように構成され、前記電圧オフセットは、前記カソード表面と前記結合方向との間の傾斜角度に依存し、前記結合方向は、動作中に前記カソード表面に入射するX線放射線のビームの対称軸に平行である、
    X線検出器装置。
  2. 前記電圧オフセットが、第1のカソードピクセルと第2のカソードピクセルの間のカソードピクセルのオフセット数xに反比例し、前記第2のカソードピクセルが、前記カソード表面の法線方向において前記第1のカソードピクセルとアラインされたアノードピクセルと等電位線上にあるように規定される、請求項1に記載のX線検出器装置。
  3. 前記電圧オフセットが、第1のアノードピクセルと第2のアノードピクセルの間のアノードピクセルのオフセット数xに反比例し、前記第2のアノードピクセルが、前記カソード表面の法線方向において前記第1のアノードピクセルとアラインされたカソードピクセルと等電位線上にあるように規定される、請求項1に記載のX線検出器装置。
  4. 前記電圧オフセットが、
    Figure 2017534320
    であり、
    上式で、Uはカソードピクセルのカソード電圧であり、Uはアノードピクセルのアノード電圧であり、前記カソードピクセル及び前記アノードピクセルは、前記カソード表面の法線方向においてアラインされ、pは、アノードピッチであり、dは、前記カソード表面と前記アノード表面との間の距離であり、φは、前記結合方向と前記カソード表面の法線との間の角度である、請求項1に記載のX線検出器装置。
  5. 比p/dが、0.5乃至7であり、好適には0.5乃至5であり、より好適には0.7乃至4である、請求項4に記載のX線検出器装置。
  6. 前記カソード表面と前記結合方向との間の傾斜角度が、5°乃至89°であり、好適には10°乃至60°であり、より好適には15°乃至50°である、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のX線検出器装置。
  7. 請求項1乃至6のいずれか1項に記載のX線検出器装置と、
    動作中、前記X線放射線のビームの対称軸と前記カソード表面の間に傾斜した角度を有して、前記X線検出器装置の前記カソード表面に入射するX線放射線のビームを生成するように構成されるX線管と、
    を有する、X線イメージングシステム。
  8. 位相コントラストイメージングのために、前記X線検出器装置によって検出される干渉縞を処理するように構成される処理ユニットを更に有する、請求項7に記載のX線イメージングシステム。
  9. 請求項1乃至6のいずれか1項に記載のX線検出器装置のカソード表面を傾斜角度で照射するようにX線を供給するステップと、
    前記X線検出器装置によって前記X線を検出するステップと、
    を有する、X線イメージング方法。
  10. 前記電圧オフセットのさまざまな値について解像度ファントムを測定するステップと、
    前記電圧オフセットの関数として空間解像度を最大にすることによって前記X線検出器装置を較正するステップと、
    を更に含む、請求項9に記載のX線イメージング方法。
  11. 請求項1乃至6のいずれか1項に記載のX線検出器装置又は請求項7若しくは8に記載のX線イメージングシステムを制御するための、又は請求項9若しくは10に記載のX線イメージング方法を実施するためのコンピュータプログラム要素であって、処理ユニットによって実行されるとき、請求項9又は10に記載のX線イメージング方法の各ステップを処理ユニットに実施させるコンピュータプログラム要素。
  12. 請求項11に記載のコンピュータプログラム要素を記憶したコンピュータ可読媒体。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108267777B (zh) * 2018-02-26 2023-07-07 张岚 面阵列像素探测器及中低能射线源的定向方法
US11674797B2 (en) * 2020-03-22 2023-06-13 Analog Devices, Inc. Self-aligned light angle sensor using thin metal silicide anodes

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02197178A (ja) * 1989-01-26 1990-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体放射線検出器
JPH10512372A (ja) * 1995-10-13 1998-11-24 ディジラッド,インコーポレーテッド 電荷収集能を高めた半導体放射線検出器
JP2001274450A (ja) * 2000-03-23 2001-10-05 Fuji Electric Co Ltd β線検出器
US6333504B1 (en) * 1995-10-13 2001-12-25 Digirad Corp Semiconductor radiation detector with enhanced charge collection
JP2007007407A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 General Electric Co <Ge> 多層直接変換式コンピュータ断層検出器モジュール
US20080175353A1 (en) * 2005-07-01 2008-07-24 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for angle of inclination acquisition and display on radiographic image
WO2010073189A1 (en) * 2008-12-22 2010-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation detector with improved charge collection and minimized leakage currents
WO2013041114A1 (en) * 2011-09-21 2013-03-28 Cern - European Organization For Nuclear Research A single layer 3d tracking semiconductor detector
JP2013516609A (ja) * 2009-12-30 2013-05-13 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ ピクセル型画像検出器において共有電荷を提供するシステム及び方法
WO2013088352A2 (en) * 2011-12-13 2013-06-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation detector
US20140048714A1 (en) * 2012-08-20 2014-02-20 General Electricity Company Apparatus and methods for charge collection control in radiation detectors

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5111052A (en) 1988-11-10 1992-05-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Radiation sensor and a radiation detecting apparatus using the same
JP2985731B2 (ja) * 1995-05-31 1999-12-06 松下電器産業株式会社 X線撮像装置
US6037595A (en) * 1995-10-13 2000-03-14 Digirad Corporation Radiation detector with shielding electrode
DE19616545B4 (de) * 1996-04-25 2006-05-11 Siemens Ag Schneller Strahlungsdetektor
IL119075A (en) * 1996-08-14 1999-11-30 Imarad Imaging Systems Ltd Semiconductor detector
US6169287B1 (en) * 1997-03-10 2001-01-02 William K. Warburton X-ray detector method and apparatus for obtaining spatial, energy, and/or timing information using signals from neighboring electrodes in an electrode array
US6034373A (en) * 1997-12-11 2000-03-07 Imrad Imaging Systems Ltd. Semiconductor radiation detector with reduced surface effects
US6028313A (en) * 1997-12-31 2000-02-22 Mcdaniel; David L. Direct conversion photon detector
US6285029B1 (en) * 1998-07-27 2001-09-04 Imarad Imaging Systems Ltd. Semiconductor gamma-ray detector
SE9900856L (sv) 1999-03-10 2000-11-10 Mamea Imaging Ab Metod och anordning för detektering av röntgenstrålar och användning av sådan anordning
IL137579A (en) * 2000-07-30 2006-12-31 Orbotech Medical Solutions Ltd Gamma-ray detector for coincidence detection
IL145745A (en) * 2001-10-03 2006-08-20 Orbotech Medical Solutions Ltd Two-dimensional radiation detector
US6928144B2 (en) * 2003-08-01 2005-08-09 General Electric Company Guard ring for direct photo-to-electron conversion detector array
US7634061B1 (en) * 2004-03-26 2009-12-15 Nova R & D, Inc. High resolution imaging system
US7256402B1 (en) * 2004-04-15 2007-08-14 Denny Lee Flat panel X-ray imager with a grid structure
US7145986B2 (en) * 2004-05-04 2006-12-05 General Electric Company Solid state X-ray detector with improved spatial resolution
US7196332B2 (en) * 2004-05-04 2007-03-27 General Electric Company Monolithic x-ray detector with staggered detection areas
US6953935B1 (en) * 2004-05-11 2005-10-11 General Electric Company CT detector fabrication process
US7092481B2 (en) * 2004-05-19 2006-08-15 General Electric Company Direct conversion energy discriminating CT detector
US7606347B2 (en) * 2004-09-13 2009-10-20 General Electric Company Photon counting x-ray detector with overrange logic control
US7260174B2 (en) * 2004-09-13 2007-08-21 General Electric Company Direct conversion energy discriminating CT detector with over-ranging correction
US8067744B2 (en) * 2005-07-06 2011-11-29 Ge Healthcare Israel Method and apparatus of detecting ionizing radiation
CA2541256A1 (en) * 2006-02-22 2007-08-22 Redlen Technologies Inc. Shielding electrode for monolithic radiation detector
JP4881071B2 (ja) * 2006-05-30 2012-02-22 株式会社日立製作所 放射線検出器、及びこれを搭載した放射線撮像装置
US7652258B2 (en) * 2007-01-08 2010-01-26 Orbotech Medical Solutions Ltd. Method, apparatus, and system of reducing polarization in radiation detectors
JP2008177387A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置
US7573040B2 (en) * 2007-03-23 2009-08-11 General Electric Company Energy discriminating detector different materials direct conversion layers
US7643615B2 (en) * 2007-09-27 2010-01-05 Carestream Health, Inc. Radiographic marker for inclination angle of imaging receiver
US7613274B2 (en) * 2007-11-16 2009-11-03 General Electric Company Method and system of energy integrating and photon counting using layered photon counting detector
US8212327B2 (en) * 2008-03-06 2012-07-03 Sionyx, Inc. High fill-factor laser-treated semiconductor device on bulk material with single side contact scheme
JP5150325B2 (ja) * 2008-03-25 2013-02-20 株式会社東芝 X線検出器
CN101569530B (zh) * 2008-04-30 2013-03-27 Ge医疗***环球技术有限公司 X-射线检测器和x-射线ct设备
JP5185003B2 (ja) * 2008-07-25 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
US8426826B2 (en) * 2008-08-07 2013-04-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Combined ASG, cathode, and carrier for a photon detector
US9202961B2 (en) * 2009-02-02 2015-12-01 Redlen Technologies Imaging devices with solid-state radiation detector with improved sensitivity
US8314395B2 (en) * 2009-08-31 2012-11-20 General Electric Company Semiconductor crystal based radiation detector and method of producing the same
US8165266B2 (en) * 2009-09-10 2012-04-24 General Electric Company Transverse scanning bone densitometer and detector used in same
EP2616845A2 (en) * 2010-09-13 2013-07-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation detector with steering electrodes
RU2575941C2 (ru) * 2010-12-07 2016-02-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Рентгеновский детектор прямого преобразования
DE102011003454A1 (de) * 2011-02-01 2012-08-02 Siemens Aktiengesellschaft Strahlungsdirektkonverter, Strahlungsdetektor, medizintechnisches Gerät und Verfahren zum Erzeugen eines Strahlungsdirektkonverters
US8927937B2 (en) * 2011-05-11 2015-01-06 Koninklijke Philips N.V. Ionizing radiation detection
WO2013012809A1 (en) 2011-07-15 2013-01-24 Brookhaven Science Associates, Llc Radiation detector modules based on multi-layer cross strip semiconductor detectors
DE102011080077A1 (de) * 2011-07-29 2013-01-31 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Erfassen der wahren Koinzidenz zweier Ladungspulse auf benachbarten Bildpunktelementen, Röntgenstrahlungsdetektor sowie Röntgenbildaufnahmevorrichtung
DE102011081322B4 (de) * 2011-08-22 2015-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Detektorelement, Strahlungsdetektor und medizinisches Gerät mit solchen Detektorelementen und Verfahren zum Erzeugen eines Detektorelements
BR112014004344A2 (pt) * 2011-08-30 2017-05-30 Koninklijke Philips Nv matriz detectora e método de detecção de maiores taxas de fluxo de fóton
IN2014CN02540A (ja) * 2011-10-19 2015-08-07 Koninkl Philips Nv
US8824635B2 (en) * 2011-10-27 2014-09-02 General Electric Company Detector modules for imaging systems and methods of manufacturing
RU2605523C2 (ru) * 2011-11-09 2016-12-20 Конинклейке Филипс Н.В. Чувствительное к излучению детекторное устройство с отклоняющими заряд зазорами между сегментами
US9006010B2 (en) * 2011-11-22 2015-04-14 General Electric Company Radiation detectors and methods of fabricating radiation detectors
US9000389B2 (en) * 2011-11-22 2015-04-07 General Electric Company Radiation detectors and methods of fabricating radiation detectors
US8610081B2 (en) * 2011-11-23 2013-12-17 General Electric Company Systems and methods for generating control signals in radiation detector systems
US20130161523A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 General Electric Company Radiation detector with voltage-biased focus grid
DE102012213404B3 (de) * 2012-07-31 2014-01-23 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Temperaturstabilisierung, Röntgenstrahlungsdetektor und CT-System
BR112015007858A2 (pt) * 2012-10-12 2017-07-04 Koninklijke Philips Nv aparelho de formação de imagem radiográfica, e método de formação de imagem radiográfica
EP2962130B1 (en) * 2013-03-01 2019-09-25 Koninklijke Philips N.V. Semiconductor radiation detector
KR20140111818A (ko) * 2013-03-12 2014-09-22 삼성전자주식회사 엑스선 영상 장치 및 그 제어 방법
KR20140145682A (ko) * 2013-06-13 2014-12-24 삼성전자주식회사 엑스선 영상 장치 및 그 제어방법
US9613992B2 (en) * 2013-06-24 2017-04-04 Ge Medical Systems Israel, Ltd Detector module for an imaging system
KR20150036840A (ko) * 2013-09-27 2015-04-08 삼성전자주식회사 엑스선 검출기 및 이를 포함한 엑스선 촬영 장치
DE102013219740A1 (de) * 2013-09-30 2015-04-02 Siemens Aktiengesellschaft Zählender digitaler Röntgenbilddetektor mit zwei schaltbaren Modi
KR20150041239A (ko) * 2013-10-07 2015-04-16 삼성전자주식회사 엑스선 영상 장치 및 그 제어 방법
KR20150052769A (ko) * 2013-11-06 2015-05-14 삼성전자주식회사 엑스선 디텍터, 엑스선 촬영 장치 및 그 제어 방법
JP2015231933A (ja) * 2013-11-13 2015-12-24 キヤノン株式会社 ヨウ化ビスマス及び放射線検出素子の製造方法
KR20150061083A (ko) * 2013-11-25 2015-06-04 삼성전자주식회사 방사선 영상 장치 및 그 제어 방법
CN105793734B (zh) * 2013-11-27 2019-05-07 皇家飞利浦有限公司 用于探测光子的探测设备以及其方法
EP2878267B1 (en) * 2013-11-28 2018-08-15 Samsung Electronics Co., Ltd. X-ray imaging apparatus and control method thereof
DE102014201772B4 (de) * 2014-01-31 2017-10-12 Siemens Healthcare Gmbh Direktkonvertierender Röntgenstrahlungsdetektor, CT-System und Verfahren hierzu
DE102014204042A1 (de) * 2014-03-05 2015-09-10 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Ansteuerung eines Röntgendetektors und zugehörige Steuereinheit
US9219178B2 (en) * 2014-03-21 2015-12-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method to fabricate collimator structures on a direct conversion semiconductor X-ray detector
US9700269B2 (en) * 2015-04-07 2017-07-11 Toshiba Medical Systems Corporation Parallel transverse field (PTF) tilted and collimated detectors

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02197178A (ja) * 1989-01-26 1990-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体放射線検出器
JPH10512372A (ja) * 1995-10-13 1998-11-24 ディジラッド,インコーポレーテッド 電荷収集能を高めた半導体放射線検出器
US6333504B1 (en) * 1995-10-13 2001-12-25 Digirad Corp Semiconductor radiation detector with enhanced charge collection
JP2001274450A (ja) * 2000-03-23 2001-10-05 Fuji Electric Co Ltd β線検出器
JP2007007407A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 General Electric Co <Ge> 多層直接変換式コンピュータ断層検出器モジュール
US20080175353A1 (en) * 2005-07-01 2008-07-24 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for angle of inclination acquisition and display on radiographic image
WO2010073189A1 (en) * 2008-12-22 2010-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation detector with improved charge collection and minimized leakage currents
JP2013516609A (ja) * 2009-12-30 2013-05-13 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ ピクセル型画像検出器において共有電荷を提供するシステム及び方法
WO2013041114A1 (en) * 2011-09-21 2013-03-28 Cern - European Organization For Nuclear Research A single layer 3d tracking semiconductor detector
WO2013088352A2 (en) * 2011-12-13 2013-06-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation detector
US20140048714A1 (en) * 2012-08-20 2014-02-20 General Electricity Company Apparatus and methods for charge collection control in radiation detectors

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