JP2017524150A - リソグラフィ装置、デバイス製造方法、並びに関連付けられたデータ処理装置及びコンピュータプログラム製品 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000004590 computer program Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 152
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 63
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 62
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 53
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 9
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 40
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 40
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 14
- 101100378758 Anemone leveillei AL21 gene Proteins 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 4
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000012472 biological sample Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000339 bright-field microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7034—Leveling
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
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Abstract
Description
[0001] 本願は、2014年7月16日出願の欧州出願第14177232.7号及び2014年12月22日出願の欧州出願第14199539.9号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
−パターンの適用に先立って基板上のフィーチャの位置を測定するための少なくとも1つのセンサであって、結像光学システムと、結像光学システムによって形成される像をキャプチャするための像検出器とを備える、センサと、
−像検出器によって供給されるピクセルデータから位置測定を抽出するためのデータプロセッサと、
−センサによって測定された位置を使用して、パターンを基板に適用するためにリソグラフィ装置を制御するように構成されたコントローラと、
を含み、
結像光学システムは1つ以上の明視野変調素子を含み、データプロセッサは位置測定を抽出するためにピクセルデータを明視野像として処理するように構成される。
(a)少なくとも1つの明視野結像センサを使用して、リソグラフィ装置内の基板上のフィーチャの位置を測定するステップと、
(b)センサを使用して取得した明視野像データから、位置測定を抽出するステップと、
(c)アライメントセンサによって測定された位置を使用して、パターンを基板に適用するためにリソグラフィ装置を制御するステップと、
を含む。
図4は、図1のリソグラフィ装置で使用されるアライメント感知構成ASの一例を示す。この構成は、複数のアライメントヘッドAL1、並びにAL21、AL22、AL23、及びAL24を組み込んでいる。各アライメントヘッドは、以下でより詳細に説明するタイプの像ベースのアライメントセンサを含む。異なる数及び構成のアライメントヘッドが可能である。アライメントヘッドは図4では一般的に、例えば以前の図、又は例えば他のウェーハステージに示されるように、基板テーブルWTa又はWTbとすることが可能な基板テーブル300全体にわたって位置決めされるように示されている。
X及びY方向の粗動及び微動運動を行うためのリニアモータに基づき、それ自体の位置決めシステムが提供される。このタイプの構成は、Shibazaki及びKanekoによる先行出願にも記載されており、ここでは詳細に説明する必要がない。無論、異なる構成も可能である。
次に図5の側面図を参照すると、参照フレームRF上に取り付けられた、既知のアライメント感知構成320の5つのアライメントヘッドAL1、AL21、AL22、AL23、AL24が見られる。これらは名目上すべて完全にX及びY方向に位置決めされており、Z軸に平行なそれらの光軸Oと位置合わせされているが、実際には、わずかな位置合わせ誤差が存在する。例えばセンサAL22は、その光軸がZ軸に対して角度θだけ傾斜しているように示されている(この図ではY軸の傾斜のみが見られるが、θはもちろん、X及び/又はY軸に関する傾斜も表し得る)。特に、アライメントヘッドが移動可能な例では、これらのわずかな配置誤差及び傾斜はバッチごとに異なる場合がある。複数のアライメントヘッドによって実施される測定は、可能であれば同時に実施される。しかしながら、基板の表面に沿った高さの違いにより、典型的には平滑化プロセスが実施される。これは、図1の位置決めシステムPWを使用して、基板テーブルをZ方向に移動させることによって実行可能である。これに対する代替形態は、以下で考察される。基板が平滑化センサの所定の焦点面と一致する時点を特定するための焦点検出技法を使用する、レベルセンサLS(素子306、308、310)が提供される。
図7は、図1から図4の装置においてアライメントセンサASを形成する、修正されたアライメント感知構成530を示す。構成は、既知の例のように、5つのアライメントヘッドAL1、AL21、AL22、AL23、AL24を備える。しかしながら、各アライメントヘッド内のアライメントセンサは、その光学システム及びデータ処理において、既知のセンサとは異なる。簡単に言えば、新規の構成における各アライメントセンサは、従来の2D結像システムではなく明視野結像システム(プレノプティック結像システムとも呼ばれる)を備える。図5に概略的に示されるように、各明視野像センサは、単一焦点面ではなく拡張ゾーン532内にマークを結像することができる。本発明の開示で説明する方法は、アライメントステップ中に取る必要のある各マークの像の数を削減するという目的を有する。潜在的に、単一の露光はすべてのマークの合焦像を取得するのに十分である。いわゆる4D明視野情報は、検出器602によってキャプチャされ、合焦及び他の調整は処理ユニット606内でデジタル的に実行することができる。これは、アライメントの持続時間及びドリフトが削減可能であることを意味する。代替又は追加として、明視野像を処理して、傾斜及びテレセントリシティを補正することができる。さらにこれらを使用して、高さ測定(レベルセンサ)を実行又は支援することができる。
−K. Marwah、G. Wetzstein、Y. Bando、R.Raskarによる、「Compressive Light Field Photography using Overcomplete Dictionaries and Optimized Projections」、Proc. of SIGGRAPH 2013(ACM Transactions on Graphics 32, 4)、2013年
−A.Ashok、Mark A. Neifeldによる、「Compressive light−field imaging」、SPIE Newsroom、DOI: 10.11117/2.1201008.003113、2010年8月19日
−O.Cossairt、M.Gupta、Shree K Nayarによる、「When Does Computational Imaging Improve Performance?」、IEEE Transactions on Image Processing(Volume 22, Issue 2)、2013年2月、447〜458ページ、DOI: 10.1109/TIP.2012.2216538
−I.Ihrke、G.Wetzstein、W.Heidrichによる、「A theory of plenoptic multiplexing」、2010 IEEE Computer Society Conference on Computer Vision and Pattern Recognition、483〜490ページ、2010年6月13〜18日、San Francisco, CA、 http://doi.ieeecomputersociety.org/10.1109/CVPR.2010.5540174
−T.E.Bishop、S.Zanetti、P.Favaroによる、「Light Field Superresolution」、in 1st IEEE International Conference on Computational Photography (ICCP)、2009年4月、1〜9ページ、DOI: 10.1109/ICCPHOT.2009.5559010
−Z.Xu、J.Ke、E.Y Lamによる「High−resolution lightfield photography using two masks」、Optics Express.2012年5月 7; 20(10):10971−83. DOI: 10.1364/OE.20.010971
−M.W.Tao、S.Hadap、J.Malik、及びR.Ramamoorthiによる、「Depth from Combining Defocus and Correspondence Using Light−Field Cameras」、Proceedings of International Conference on Computer Vision (ICCV), 2013年
図8内に破線で示されるように、ステップDFOCでのデジタル処理によって、レベルセンサLSによって提供される補足又は潜在的置換のための高さデータAzも生成可能である。すなわち、各アライメントマークの各像にとって、又は基板上の他のフィーチャにとって、最良の焦点深度を認識することにより、X−Y位置に加えてそのマークに関する高さ値を導出することができる。原理上、パターニングステップにおいて焦点を制御するために、明視野像センサをもっぱら高さ感知のために使用することができるが、この例における明視野像センサの主要な機能は、パターニングステップにおいてX−Y位置を制御するためのアライメントである。
結論として、リソグラフィにおいてパターニングプロセスを制御するために測定を取得するための新規の方法は、測定時間を削減することが可能であり、したがって製品の高スループットを維持するのを助けることができる。
Claims (19)
- 基板上にパターンを適用するためのリソグラフィ装置であって、
−前記パターンの適用に先立って前記基板上のフィーチャの位置を測定するための少なくとも1つのセンサであって、結像光学システムと、前記結像光学システムによって形成される像をキャプチャするための像検出器とを備える、センサと、
−前記像検出器によって供給されるピクセルデータから位置測定を抽出するためのデータプロセッサと、
−前記センサによって測定された前記位置を使用して、前記パターンを前記基板に適用するために前記リソグラフィ装置を制御するように構成されたコントローラと、
を含み、
前記結像光学システムは1つ以上の明視野変調素子を含み、前記データプロセッサは前記位置測定を抽出するために前記ピクセルデータを明視野像として処理するように構成される、
リソグラフィ装置。 - 前記データプロセッサは、前記基板上のフィーチャの合焦像を前記明視野像から導出するように、及び、前記合焦像に基づいて、前記結像光学システムの光軸に対して横方向に前記フィーチャの位置を示すように構成される、請求項1に記載の装置。
- 前記データプロセッサは、前記検出される像における前記フィーチャの見掛けの位置の深度依存度を低下させるための補正を、前記位置測定に含めるように構成される、請求項2に記載の装置。
- 前記データプロセッサは、視点を補正して前記基板上のフィーチャの像を前記明視野像から導出するように構成される、請求項1、2、又は3に記載の装置。
- 前記データプロセッサは、前記基板上のフィーチャの高さの測定を前記明視野像から導出するように構成され、前記高さの寸法は前記結像光学システムの光軸に対してほぼ平行であり、前記コントローラは前記リソグラフィ装置によって適用されるパターンの合焦を制御するために前記高さの測定を使用する、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置。
- 前記データプロセッサは、2つ又はそれ以上の深度で合焦された像を、前記明視野像から導出するように構成される、請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記センサは共通参照フレーム上に取り付けられた複数の同様のセンサのうちの1つであり、前記複数のセンサは動作時に、前記基板全体にわたるそれぞれのロケーションでほぼ同時に複数のフィーチャの位置を測定し、各センサの前記プロセッサは、前記基板の局所部分上で合焦された像をそのそれぞれの明視野像から導出する、請求項1から6のいずれか一項に記載の装置。
- 前記センサは共通参照フレーム上に取り付けられた複数の同様のセンサのうちの1つであり、前記複数のセンサは動作時に、前記基板全体にわたるそれぞれのロケーションでほぼ同時に複数のフィーチャの位置を測定し、各センサの前記プロセッサは、位置と深度との間のセンサ特有の依存度について調整された像をそのそれぞれの明視野像から導出する、請求項1から7のいずれか一項に記載の装置。
- 連続する層内のパターンを基板上に適用すること、及び機能的なデバイスフィーチャを生成するために前記基板を処理することを含む、デバイス製造方法であって、少なくとも1つの前記層内でパターンを適用するステップは、
(a)少なくとも1つの明視野結像センサを使用して、リソグラフィ装置内の前記基板上のフィーチャの位置を測定するステップと、
(b)前記センサを使用して取得した明視野像データから、位置測定を抽出するステップと、
(c)前記アライメントセンサによって測定された前記位置を使用して、前記パターンを前記基板に適用するために前記リソグラフィ装置を制御するステップと、
を含む、デバイス製造方法。 - ステップ(b)は、前記基板上のフィーチャの合焦像を前記明視野像データから導出することを含み、前記合焦像に基づいて、前記結像光学システムの光軸に対して横方向に前記フィーチャの位置を示す、請求項9に記載の方法。
- 前記位置測定は、前記検出される像における前記フィーチャの見掛けの位置の深度依存度を低下させるための補正を含む、請求項10に記載の方法。
- ステップ(b)は、視点を補正して前記基板上のフィーチャの像を前記明視野像から導出することを含む、請求項9、10、又は11に記載の方法。
- ステップ(b)は、前記基板上のフィーチャの高さの測定を前記明視野像から導出することを含み、前記高さの寸法は前記結像光学システムの光軸に対してほぼ平行であり、ステップ(c)は、前記リソグラフィ装置によって適用されるパターンの合焦を制御するために前記高さの測定を使用することを含む、請求項9から12のいずれか一項に記載の方法。
- ステップ(b)は、2つ又はそれ以上の深度で合焦された像を、前記明視野像から導出することを含む、請求項9から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記センサは共通参照フレーム上に取り付けられた複数の同様のセンサのうちの1つであり、前記複数のセンサは、前記基板全体にわたるそれぞれのロケーションでほぼ同時に複数のフィーチャの位置を測定し、ステップ(b)は、前記基板の局所部分上で合焦された像をそのそれぞれの明視野像から導出することを含む、請求項9から14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記センサは共通参照フレーム上に取り付けられた複数の同様のセンサのうちの1つであり、前記複数のセンサは、前記基板全体にわたるそれぞれのロケーションでほぼ同時に複数のフィーチャの位置を測定し、ステップ(b)は、各センサについて、位置と深度との間のセンサ特有の依存度について調整された像をそのそれぞれの明視野像から導出することを含む、請求項9から15のいずれか一項に記載の方法。
- 1つ以上のプロセッサに、請求項1から8のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置のデータプロセッサ及びコントローラ機能を実装させるための機械可読命令を備える、コンピュータプログラム製品。
- 請求項1から8のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置のコントローラを実装するようにプログラミングされた1つ以上のプロセッサを備える、データ処理システム。
- 1つ以上のプロセッサに、請求項9から16のいずれか一項に記載の方法のステップ(b)を実行させるための機械可読命令を備える、コンピュータプログラム製品。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14177232 | 2014-07-16 | ||
EP14177232.7 | 2014-07-16 | ||
EP14199539.9 | 2014-12-22 | ||
EP14199539 | 2014-12-22 | ||
PCT/EP2015/062846 WO2016008647A1 (en) | 2014-07-16 | 2015-06-09 | Lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017524150A true JP2017524150A (ja) | 2017-08-24 |
JP6595517B2 JP6595517B2 (ja) | 2019-10-23 |
Family
ID=53373455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016575374A Active JP6595517B2 (ja) | 2014-07-16 | 2015-06-09 | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、並びに関連付けられたデータ処理装置及びコンピュータプログラム製品 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9983485B2 (ja) |
JP (1) | JP6595517B2 (ja) |
NL (1) | NL2014941A (ja) |
WO (1) | WO2016008647A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3001672A1 (en) * | 2014-09-25 | 2016-03-30 | Thomson Licensing | Plenoptic camera comprising a spatial light modulator |
US10225468B2 (en) * | 2016-01-13 | 2019-03-05 | Omnivision Technologies, Inc. | Imaging systems and methods with image data path delay measurement |
JP6945316B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2021-10-06 | キヤノン株式会社 | 検出装置、パターン形成装置、取得方法、検出方法、および物品製造方法 |
US11307507B2 (en) | 2017-07-14 | 2022-04-19 | Asml Netherlands B.V. | Method to obtain a height map of a substrate having alignment marks, substrate alignment measuring apparatus and lithographic apparatus |
EP3518040A1 (en) * | 2018-01-30 | 2019-07-31 | ASML Netherlands B.V. | A measurement apparatus and a method for determining a substrate grid |
US10677588B2 (en) * | 2018-04-09 | 2020-06-09 | Kla-Tencor Corporation | Localized telecentricity and focus optimization for overlay metrology |
TWI824334B (zh) * | 2018-08-17 | 2023-12-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 非暫時性電腦可讀媒體 |
JP2022138502A (ja) | 2021-03-10 | 2022-09-26 | キオクシア株式会社 | 重ね合わせマーク、位置ずれ検出方法及び装置、半導体装置の製造方法 |
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JP2012119680A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Asml Netherlands Bv | パターニングデバイスの操作方法及びリソグラフィ装置 |
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Family Cites Families (2)
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AU3609601A (en) | 2000-03-06 | 2001-09-17 | Olympus Optical Co., Ltd. | Pattern forming member applied to sectioning image observing device and sectioning image observing device using it |
JP2012116980A (ja) | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Niigata Univ | 黄色蛍光体およびその製造方法 |
-
2015
- 2015-06-09 WO PCT/EP2015/062846 patent/WO2016008647A1/en active Application Filing
- 2015-06-09 JP JP2016575374A patent/JP6595517B2/ja active Active
- 2015-06-09 US US15/325,048 patent/US9983485B2/en active Active
- 2015-06-09 NL NL2014941A patent/NL2014941A/en unknown
-
2018
- 2018-03-15 US US15/922,881 patent/US10754258B2/en active Active
-
2020
- 2020-08-21 US US16/999,140 patent/US11169447B2/en active Active
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JP2012119680A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Asml Netherlands Bv | パターニングデバイスの操作方法及びリソグラフィ装置 |
JP2013074294A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Asml Netherlands Bv | 基板にパターンを適用する方法、デバイス製造方法、及びこの方法に使用されるリソグラフィ装置 |
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Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180203368A1 (en) | 2018-07-19 |
WO2016008647A1 (en) | 2016-01-21 |
US10754258B2 (en) | 2020-08-25 |
JP6595517B2 (ja) | 2019-10-23 |
US11169447B2 (en) | 2021-11-09 |
US20170184980A1 (en) | 2017-06-29 |
US20200379358A1 (en) | 2020-12-03 |
US9983485B2 (en) | 2018-05-29 |
NL2014941A (en) | 2016-04-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |