JP2017524126A - Mems二層浮遊微小構造の製作方法とmems赤外線センサー - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 基板を提供するステップと、
基板上に第一犠牲層を形成するステップと、
第一犠牲層をパターン化するステップと、
第一犠牲層上に第一媒体層を堆積形成するステップと、
第一媒体層をパターン化することにより、前記第一犠牲層上に位置する第一膜体と、基板と第一膜体を連結するアーム状梁と、を形成するステップと、
第一媒体層上に第二犠牲層を形成するステップと、
第一膜体上に位置する第二犠牲層をパターン化することにより、支持構造を形成するための凹部を形成し、該凹部の底部に第一膜体を露出させるステップと、
第二犠牲層上に第二媒体層を堆積形成するステップと、
第二媒体層をパターン化することにより、第二膜体と前記支持構造を形成し、該支持構造で第一膜体と第二膜体を連結するステップと、
第一犠牲層と第二犠牲層を除去することによりMEMS二層浮遊微小構造を獲得するステップとを含むことを特徴とするMEMS二層浮遊微小構造の製作方法。 - 前記第一犠牲層及び/または第二犠牲層はポリイミド層であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第一犠牲層と第二犠牲層の厚さはいずれも500nm〜3000nmであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第一媒体層と第二媒体層の厚さはいずれも100nm〜2000nmであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第一媒体層と第二媒体層の材料は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、或いはこれらのうち2種か3種を積層したものであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記アーム状梁は2つあり、それぞれ前記第一膜体の両側に位置していることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記凹部は、一個であり、前記第一膜体の上方を露出させ、かつ第二犠牲層の中央部に位置していることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 基板の表面に投影された前記第二膜体の投影面積は、基板の表面に投影された前記第一膜体の投影面積より大きいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第一犠牲層と第二犠牲層を除去するステップにおいて、酸素イオンドライエッチング工程で第一犠牲層と第二犠牲層を除去することにより、MEMS二層浮遊微小構造を獲得することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 基板上に第一膜体と、基板と第一膜体を連結するアーム状梁と、を形成するステップと、
第一膜体とアーム状梁上に犠牲層を形成するステップと、
第一膜体上に位置する犠牲層をパターン化することにより、支持構造を形成するための凹部を形成し、該凹部の底部に第一膜体を露出させるステップと、
犠牲層上に媒体層を堆積形成するステップと、
媒体層をパターン化することにより、第二膜体と前記支持構造を形成し、該支持構造で第一膜体と第二膜体を連結するステップと、
犠牲層を除去することによりMEMS二層浮遊微小構造を獲得するステップとを含むことを特徴とするMEMS二層浮遊微小構造の製作方法。 - 前記犠牲層はポリイミド層であることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記媒体層の材料は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、或いはこれらのうち2種か3種を積層したものであることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 基板の表面に投影された前記第二膜体の投影面積は、基板の表面に投影された前記第一膜体の投影面積より大きいことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記犠牲層を除去するステップにおいて、酸素イオンドライエッチング工程で犠牲層を除去することにより、MEMS二層浮遊微小構造を獲得することを特徴とする請求項10に記載の方法。
- MEMS二層浮遊微小構造を含むMEMS赤外線センサーであって、前記MEMS二層浮遊微小構造は、基板と、基板上の第一膜体と、前記基板と第一膜体を連結するアーム状梁と、第一膜体上の第二膜体と、前記第一膜体と第二膜体を連結する支持構造とを含むことを特徴とするMEMS赤外線センサー。
- 前記アーム状梁は2つあり、それぞれ前記第一膜体の両側に位置していることを特徴とする請求項15に記載のMEMS赤外線センサー。
- 前記支持構造は、一個であり、前記第二膜体の中央部に位置していることを特徴とする請求項15に記載のMEMS赤外線センサー。
- 前記第一媒体層と第二媒体層の材料は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、或いはこれらのうち2種か3種を積層したものであることを特徴とする請求項15に記載のMEMS赤外線センサー。
- 前記第一媒体層と第二媒体層の厚さはいずれも100nm〜2000nmであることを特徴とする請求項15に記載のMEMS赤外線センサー。
- 基板の表面に投影された前記第二膜体の投影面積は、基板の表面に投影された前記第一膜体の投影面積より大きいことを特徴とする請求項15に記載のMEMS赤外線センサー。
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