JP2017520799A - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
ＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置がケーラー照明を提供するように構成されたイルミネータを有する。イルミネータは、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー（４２２）及び複数の瞳ファセット（４２４１−４１〜４２４１−Ｍ）を有する瞳ミラー（４２４）を含み、個々に誘導可能なリフレクタは数組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタに分けられて仮想フィールドファセット（５０）を形成し、瞳ファセットが仮想フィールドファセットの像を投影して照明フィールド（ＩＳ）を充填する。個々に誘導可能なリフレクタは、基板に送達される線量を制御するために１つの非アクティブ状態と少なくとも１つのアクティブ状態との間で制御される。【選択図】 図１２A lithographic apparatus that uses EUV radiation has an illuminator configured to provide Koehler illumination. The illuminator includes a field mirror (422) having a plurality of individually navigable reflectors and a pupil mirror (424) having a plurality of pupil facets (4241-41 to 4241-M), with a number of individually navigable reflectors. Divided into a set of adjacent individually navigable reflectors to form a virtual field facet (50), and the pupil facet projects an image of the virtual field facet to fill the illumination field (IS). The individually steerable reflector is controlled between one inactive state and at least one active state to control the dose delivered to the substrate. [Selection] FIG.
Description
関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１４年７月１５日出願の欧州特許出願公開ＥＰ１４１７７０２５．５号の利益を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
Cross-reference of related applications
[0001] This application claims the benefit of European Patent Application Publication No. EP 1417705.5, filed July 15, 2014, which is hereby incorporated by reference in its entirety.
[0002] 本発明の実施形態は、リソグラフィ装置―特にファセットフィールドミラーデバイス及び／又はファセット瞳ミラーデバイスを備えたリソグラフィ装置―及びリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法に関する。 Embodiments of the present invention relate to a lithographic apparatus—particularly a lithographic apparatus comprising a faceted field mirror device and / or a faceted pupil mirror device—and a device manufacturing method using the lithographic apparatus.
[0003] リソグラフィは、集積回路（ＩＣ）及びその他のデバイス及び／又は構造を製造する際の主要なステップの１つとして広く認識されている。しかし、リソグラフィを使用して製造される特徴の寸法がより微細になると共に、リソグラフィは小型ＩＣ又はその他のデバイス、及び／又は構造の製造を可能にするためのより決定的なファクタになってきている。 [0003] Lithography is widely recognized as one of the major steps in the manufacture of integrated circuits (ICs) and other devices and / or structures. However, as the dimensions of features manufactured using lithography become finer, lithography has become a more critical factor to enable the manufacture of small ICs or other devices and / or structures. Yes.
[0004] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、ＩＣの製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。 A lithographic apparatus is a machine that applies a desired pattern onto a substrate, usually onto a target portion of the substrate. A lithographic apparatus can be used, for example, in the manufacture of ICs. In such cases, a patterning device, alternatively referred to as a mask or reticle, can be used to generate a circuit pattern to be formed on an individual layer of the IC. This pattern can be transferred onto a target portion (eg including part of, one, or several dies) on a substrate (eg a silicon wafer). The pattern is usually transferred by imaging onto a layer of radiation sensitive material (resist) provided on the substrate. In general, a single substrate will contain a network of adjacent target portions that are successively patterned.
[0005] 露光波長を短縮し、それによって印刷可能な最小サイズを縮小するため、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されてきた。ＥＵＶ放射源は、通常は、およそ５〜２０ｎｍ、例えば、１３．５ｎｍ又は約１３ｎｍ又は６．５〜６．８ｎｍの放射波長を出力するように構成されている。ＥＵＶ放射の使用は、小さなフィーチャ印刷の達成への重要なステップになり得る。かかる放射は、極端紫外線又は軟Ｘ線と呼ばれ、可能な放射源として、例えば、レーザ生成プラズマ放射源、放電プラズマ放射源、又は電子蓄積リングからのシンクトロン放射がある。 [0005] In order to shorten the exposure wavelength and thereby reduce the minimum printable size, it has been proposed to use an extreme ultraviolet (EUV) radiation source. The EUV radiation source is typically configured to output a radiation wavelength of approximately 5-20 nm, such as 13.5 nm or about 13 nm or 6.5-6.8 nm. The use of EUV radiation can be an important step towards achieving small feature printing. Such radiation is termed extreme ultraviolet or soft x-ray and possible sources include, for example, laser-produced plasma radiation sources, discharge plasma radiation sources, or synchrotron radiation from electron storage rings.
[0006] たいていの材料はＥＵＶ放射を吸収するので、ＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置の光学システムは、リフレクタを使用して設計されなければならない。高い反射性を有するＥＵＶ用のリフレクタを作製することは困難であるので、使用されるリフレクタの数は最小限に維持しなければならない。したがって、均一で制御された手法でパターニングデバイスを照明することができる光学システムを設計し作製することは困難である。 [0006] Since most materials absorb EUV radiation, the optical system of a lithographic apparatus that uses EUV radiation must be designed using a reflector. Since it is difficult to produce a reflector for EUV with high reflectivity, the number of reflectors used must be kept to a minimum. Therefore, it is difficult to design and fabricate an optical system that can illuminate the patterning device in a uniform and controlled manner.
[0007] ＥＵＶ光学装置の照明システムの一設計では、個々に誘導可能なリフレクタのアレイ及びファセット瞳ミラーを有するフィールドミラーが使用される。個々に誘導可能なリフレクタは、仮想フィールドファセットにグループ化される。各仮想ファセットは、ファセット瞳ミラーの瞳ファセットと呼ばれるファセット上に放射を誘導する。各瞳ファセットは、照明システムにおける任意のその他のミラーと一緒に、パターニングデバイスで照明フィールド（スリットと呼ばれることもある）上に仮想フィールドファセットを結像する。多くの仮想フィールドファセットの像は照明フィールド内で重なって照明の均一性を増大させる。 [0007] One design of an illumination system for an EUV optical device uses a field mirror having an array of individually steerable reflectors and a faceted pupil mirror. Individually navigable reflectors are grouped into virtual field facets. Each virtual facet induces radiation on a facet called the pupil facet of the facet pupil mirror. Each pupil facet, together with any other mirror in the illumination system, images a virtual field facet on the illumination field (sometimes called a slit) with the patterning device. Many virtual field facet images overlap within the illumination field to increase illumination uniformity.
[0008] 様々な理由により、照明フィールドのサイズを調節し、且つ／又は照明フィールドの長さ及び／又は幅にわたって照明の強度を調節することが望ましい。これは、パターニングデバイスの近くの照明放射に投影するように選択的に延出され得る、マスキングブレード又はその他のマスキング部材を提供することによって行うことができる。しかし、パターニングデバイスの近くのスペースは、リソグラフィ装置のその他のコンポーネントにも必要である。 [0008] For various reasons, it is desirable to adjust the size of the illumination field and / or adjust the intensity of the illumination over the length and / or width of the illumination field. This can be done by providing a masking blade or other masking member that can be selectively extended to project to illumination radiation near the patterning device. However, space near the patterning device is also required for other components of the lithographic apparatus.
[0009] 本発明の一態様によれば、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーと、
個々に誘導可能なリフレクタを制御して所望の線量プロファイルを基板のターゲット部分に送達するように構成されたコントローラと、基板が露光されている間に基板をスキャン方向にスキャンするように構成されたポジショナと、を含むリソグラフィ装置が提供される。
[0009] According to one aspect of the invention, a field mirror having a plurality of individually steerable reflectors and a pupil mirror having a plurality of pupil facets;
A controller configured to control individually navigable reflectors to deliver a desired dose profile to the target portion of the substrate, and to scan the substrate in the scan direction while the substrate is exposed And a lithographic apparatus including the positioner.
[0010] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイスを製造する方法が提供され、リソグラフィ装置は、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーを含み、個々に誘導可能なリフレクタは数組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタに分けられて仮想フィールドファセットを形成し、瞳ファセットが仮想フィールドファセットの像を投影して照明フィールドを充填し、方法は、
１つの仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットが、１つの仮想フィールドファセットのその他の個々に誘導可能なリフレクタと同じ瞳ファセット内へ放射を誘導することがないように１つの仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタを制御することと、
照明フィールドにパターニングデバイスの一部を位置決めすることと、
パターニングデバイスの一部の像を基板のターゲット部分へ投影することと、を含み、
サブセットにおける個々に誘導可能なリフレクタの数は経時的に変動し、所望の線量プロファイルがターゲット部分によって受けられるようになっている。
[0010] According to an aspect of the invention, there is provided a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus, the lithographic apparatus comprising a field mirror having a plurality of individually steerable reflectors and a pupil having a plurality of pupil facets. Including the mirror, the individually navigable reflector is divided into several adjacent individually navigable reflectors to form a virtual field facet, and the pupil facet projects an image of the virtual field facet to fill the illumination field The way is
One virtual field facet so that a subset of individually navigable reflectors of one virtual field facet does not induce radiation into the same pupil facet as the other individually navigable reflectors of one virtual field facet Controlling individually inducible reflectors,
Positioning a portion of the patterning device in the illumination field;
Projecting an image of a portion of the patterning device onto a target portion of the substrate;
The number of individually steerable reflectors in the subset varies over time so that the desired dose profile is received by the target portion.
[0011] 本発明の態様によれば、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーと、
個々に誘導可能なリフレクタを制御し、第１のモードでは第１の放射強度で照明フィールドの全体を照明し、第２のモードでは第２の放射強度で照明フィールドのある領域を照明するように構成されたコントローラと、を含み、照明フィールドの領域は、全体の照明フィールドよりも小さく、第２の放射強度は第１の放射強度よりも大きい、リソグラフィ装置が提供される。
[0011] According to an aspect of the invention, a field mirror having a plurality of individually navigable reflectors and a pupil mirror having a plurality of pupil facets;
Control the individually steerable reflector so that the first mode illuminates the entire illumination field with a first radiation intensity and the second mode illuminates an area of the illumination field with a second radiation intensity A lithographic apparatus is provided, wherein the area of the illumination field is smaller than the entire illumination field and the second radiation intensity is greater than the first radiation intensity.
[0012] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイスを製造する方法が提供され、リソグラフィ装置は、複数の個々に誘導可能なリフレクタと、複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーとを含み、個々に誘導可能なリフレクタは、数組の個々に誘導可能なリフレクタに分けられて仮想フィールドファセットを形成し、瞳ファセットが仮想フィールドファセットの像を投影して照明フィールドを充填し、方法は、
各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットが、仮想フィールドファセットのその他の個々に誘導可能なリフレクタと同じ瞳ファセット内へ放射を誘導することがないように、各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタを制御することと、
パターニングデバイスの一部分を照明フィールドに位置決めすることと、
パターニングデバイスの一部の像を基板のターゲット部分へ投影することと、を含み、
仮想フィールドファセットは第１の方向に伸長し、
各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットは、照明フィールドの端部分が照明されないように、第１の方向で各仮想フィールドファセットの少なくとも１つの端部分にあるように選択され、かつ
各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットの配向は、それらがその仮想フィールドファセットのその他の個々に誘導可能なリフレクタとは異なる瞳ファセットの１つ内へ放射を誘導するように制御される。
[0012] According to an aspect of the invention, there is provided a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus, the lithographic apparatus comprising a plurality of individually steerable reflectors and a pupil mirror having a plurality of pupil facets. The individually navigable reflector is divided into several individually navigable reflectors to form a virtual field facet, the pupil facet projects an image of the virtual field facet to fill the illumination field, and the method includes ,
Individually for each virtual field facet, so that a subset of the individually navigable reflectors of each virtual field facet does not induce radiation into the same pupil facet as the other individually navigable reflectors of the virtual field facet Controlling a navigable reflector;
Positioning a portion of the patterning device in the illumination field;
Projecting an image of a portion of the patterning device onto a target portion of the substrate;
The virtual field facet extends in the first direction,
A subset of individually navigable reflectors for each virtual field facet is selected to be at least one end portion of each virtual field facet in a first direction such that the end portion of the illumination field is not illuminated, and each The orientation of a subset of individually steerable reflectors of a virtual field facet is controlled so that they direct radiation into one of the pupil facets that is different from the other individually steerable reflectors of that virtual field facet .
[0013] 本発明の一態様によれば、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーと、
一組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタの第１のサブセットが第１の瞳ファセットに放射を誘導し、一組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタの第２のサブセットが第２の瞳ファセットに放射を誘導するように一組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタを制御するコントローラと、を含み、第２のサブセットは、照明フィールドに所望の線量プロファイルを提供するように選択されている、リソグラフィ装置が提供される。
[0013] According to one aspect of the invention, a field mirror having a plurality of individually steerable reflectors and a pupil mirror having a plurality of pupil facets;
A first subset of a set of adjacent individually navigable reflectors directs radiation to the first pupil facet, and a second subset of the set of adjacent individually navigable reflectors is a second pupil facet. A controller that controls a set of adjacent individually steerable reflectors to direct radiation into a second subset, wherein the second subset is selected to provide a desired dose profile for the illumination field; A lithographic apparatus is provided.
[0014] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイスを製造する方法が提供され、リソグラフィ装置は、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーを含み、個々に誘導可能なリフレクタは数組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタに分けられて仮想フィールドファセットを形成し、瞳ファセットが仮想フィールドファセットの像を投影して照明フィールドを充填し、方法は、
１つの仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットが、１つの仮想フィールドファセットのその他の個々に誘導可能なリフレクタと同じ瞳ファセット内へ放射を誘導することがないように１つの仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタを制御することと、
照明フィールドにパターニングデバイスの一部を位置決めすることと、
パターニングデバイスの一部の像を基板のターゲット部分へ投影することと、を含み、
１つの仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットは、所望の線量プロファイルを提供するように選択され、かつ
各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットの配向は、それらがその仮想フィールドファセットのその他の個々に誘導可能なリフレクタとは異なる瞳ファセットの１つ内へ放射を誘導するように制御される。
[0014] According to an aspect of the invention, there is provided a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus, the lithographic apparatus comprising a field mirror having a plurality of individually steerable reflectors and a pupil having a plurality of pupil facets. Including the mirror, the individually navigable reflector is divided into several adjacent individually navigable reflectors to form a virtual field facet, and the pupil facet projects an image of the virtual field facet to fill the illumination field The way is
One virtual field facet so that a subset of individually navigable reflectors of one virtual field facet does not induce radiation into the same pupil facet as the other individually navigable reflectors of one virtual field facet Controlling individually inducible reflectors,
Positioning a portion of the patterning device in the illumination field;
Projecting an image of a portion of the patterning device onto a target portion of the substrate;
A subset of individually navigable reflectors in one virtual field facet is selected to provide the desired dose profile, and the orientation of the individually navigable reflector subsets in each virtual field facet determines that they are virtual Controlled to direct radiation into one of the pupil facets different from the other individually steerable reflectors of the field facets.
[0015] 本発明の一態様によれば、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーと、
基板の縁に隣接したターゲット部分の縁部が、ターゲット部分の非縁部より低い線量を受けるように個々に誘導可能なリフレクタを制御するように配置されたコントローラと、を含むリソグラフィ装置が提供される。
[0015] According to one aspect of the invention, a field mirror having a plurality of individually steerable reflectors and a pupil mirror having a plurality of pupil facets;
A lithographic apparatus comprising: a controller arranged to control individually steerable reflectors such that an edge of the target portion adjacent to the edge of the substrate receives a lower dose than a non-edge of the target portion; The
[0016] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイスを製造する方法が提供され、リソグラフィ装置は、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーを含み、個々に誘導可能なリフレクタは数組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタに分けられて仮想フィールドファセットを形成し、瞳ファセットが仮想フィールドファセットの像を投影して照明フィールドを充填し、方法は、
各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットが、瞳ミラー内へ放射を誘導することがないように、各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタを制御することと、
照明フィールドにパターニングデバイスの一部を位置決めすることと、
パターニングデバイスの一部の像を基板のターゲット部分へ投影することと、を含み、
ターゲット部分は基板の縁と交差し、個々に誘導可能なリフレクタのサブセットは、ターゲット部分の縁部が、ターゲット部分の非縁部よりも低い線量を受けるように配置され、縁部は基板の縁に隣接しており、非縁部は基板の縁に隣接していない。
[0016] According to an aspect of the invention, there is provided a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus, the lithographic apparatus comprising a field mirror having a plurality of individually steerable reflectors and a pupil having a plurality of pupil facets. Including the mirror, the individually navigable reflector is divided into several adjacent individually navigable reflectors to form a virtual field facet, and the pupil facet projects an image of the virtual field facet to fill the illumination field The way is
Controlling the individually steerable reflectors of each virtual field facet such that a subset of the individually steerable reflectors of each virtual field facet does not induce radiation into the pupil mirror;
Positioning a portion of the patterning device in the illumination field;
Projecting an image of a portion of the patterning device onto a target portion of the substrate;
The target portion intersects the edge of the substrate, and a subset of individually navigable reflectors are arranged such that the edge of the target portion receives a lower dose than the non-edge of the target portion, the edge being the edge of the substrate. And the non-edge is not adjacent to the edge of the substrate.
[0017] 本発明の様々な実施形態のさらなる態様、特徴、及び潜在的利点、さらには構造及び動作は、添付の図面を参照して以下で詳しく述べられる。本発明は、本明細書に記載する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に記載されている。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者はさらなる実施形態を容易に思い付くであろう。 [0017] Further aspects, features, and potential advantages, as well as structure and operation, of various embodiments of the present invention are described in detail below with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the present invention is not limited to the specific embodiments described herein. Such embodiments are described herein for illustrative purposes only. Based on the teachings contained herein, those skilled in the art will readily perceive additional embodiments.
[0018] 本発明の実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
[0036] 図１は、本発明の実施形態による放射源コレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置４１００を模式的に示す。この装置は、露光ビーム（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＥＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって露光ビームＥＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射性投影システム）ＰＳとを含む。
FIG. 1 schematically depicts a
[0037] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を用いて、パターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にできるフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。 [0037] The support structure MT holds the patterning device MA in a manner that depends on the orientation of the patterning device, the design of the lithographic apparatus, and conditions such as, for example, whether or not the patterning device is held in a vacuum environment. The support structure can hold the patterning device using mechanical, vacuum, electrostatic or other clamping techniques. The support structure may be, for example, a frame or table that can be fixed or movable as required. The support structure may ensure that the patterning device is at a desired position, for example with respect to the projection system.
[0038] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指すものとして広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分に形成されるデバイス内の特定の機能層に対応していてもよい。 [0038] As used herein, the term "patterning device" is broadly interpreted as referring to any device that can be used to impart a pattern to a cross section of a radiation beam so as to produce a pattern in a target portion of a substrate. It should be. The pattern imparted to the radiation beam may correspond to a particular functional layer in a device being formed in the target portion, such as an integrated circuit.
[0039] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。 [0039] The patterning device may be transmissive or reflective. Examples of patterning devices include masks, programmable mirror arrays, and programmable LCD panels. Masks are well known in lithography, including mask types such as binary masks, Levenson's alternating phase shift masks, halftone phase shifted masks, and various hybrid mask types. It is. As an example of a programmable mirror array, a matrix array of small mirrors is used, each of which can be individually tilted to reflect the incoming radiation beam in a different direction. The tilted mirror imparts a pattern to the radiation beam reflected by the mirror matrix.
[0040] 照明システムのような投影システムは、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。 [0040] A projection system, such as an illumination system, is suitable for other factors such as the exposure radiation used or the use of a vacuum, as appropriate, eg optical components such as refractive, reflective, magnetic, electromagnetic, electrostatic, etc., or any of them Various types of optical components, such as a combination of: Because other gases absorb too much radiation, it may be desirable to use a vacuum for EUV radiation. Thus, a vacuum environment may be provided to the entire beam path using a vacuum wall and a vacuum pump.
[0041] 本明細書で示すように、本装置は反射タイプである（例えば反射マスクを使用する）。 [0041] As shown herein, the apparatus is of a reflective type (eg, using a reflective mask).
[0042] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。 [0042] The lithographic apparatus may be of a type having two (dual stage) or more substrate tables (and / or two or more mask tables). In such “multi-stage” machines, additional tables may be used in parallel, or preliminary steps may be performed on one or more tables while one or more other tables are used for exposure. Can do.
[0043] 図１を参照すると、イルミネータＥＩＬは、放射源コレクタモジュールＳＯから極端紫外線ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法には、必ずしも限定されないが、物質を、ＥＵＶ範囲内の１本以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、又はスズである少なくとも１つの元素を有するプラズマ状態に変換することが含まれる。多くの場合にレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれるこのような方法の１つでは、必要とされるプラズマは、必要な輝線を放出する元素を有する物質の液滴、ストリーム又はクラスタなどの燃料をレーザビームによって照射することによって生成することができる。放射源コレクタモジュールＳＯは、燃料を励起させるレーザビームを提供するために、図１には示されないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射である出力放射を放出し、この放射は、放射源コレクタモジュール内に配された放射コレクタを用いて集められる。例えばＣＯ２レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを提供する場合は、レーザと放射源コレクタモジュールは別個の構成要素であってよい。 [0043] Referring to FIG. 1, the illuminator EIL receives an extreme ultraviolet beam from a radiation source collector module SO. The method of generating EUV light is not necessarily limited, but the material may be converted to a plasma state having at least one element, for example xenon, lithium, or tin, having one or more emission lines in the EUV range. included. In one such method, often referred to as a laser-produced plasma (“LPP”), the required plasma is a fuel, such as a droplet, stream or cluster of material having the elements that emit the required emission lines. Can be generated by irradiation with a laser beam. The source collector module SO may be part of an EUV radiation system that includes a laser not shown in FIG. 1 to provide a laser beam that excites the fuel. The resulting plasma emits output radiation, for example EUV radiation, which is collected using a radiation collector disposed in the source collector module. If, for example, a CO 2 laser is used to provide the laser beam for fuel excitation, the laser and the source collector module may be separate components.
[0044] その場合、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、放射ビームはレーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が多くの場合ＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。 [0044] In that case, the laser is not considered to form part of the lithographic apparatus, and the radiation beam passes from the laser to the source collector module, eg, a beam delivery including a suitable guiding mirror and / or beam expander. Sent using the system. In other cases the source may be an integral part of the source collector module, for example when the source is a discharge produced plasma EUV generator, often referred to as a DPP source.
[0045] イルミネータＥＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えていてもよい。一般に、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。加えて、イルミネータＥＩＬは、ファセットフィールド及び瞳ミラーデバイスなどの様々なその他のコンポーネントを含んでもよい。イルミネータＥＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。 [0045] The illuminator EIL may include an adjuster for adjusting the angular intensity distribution of the radiation beam. In general, the outer and / or inner radius ranges (commonly referred to as σ-outer and σ-inner, respectively) of the intensity distribution at the pupil plane of the illuminator IL can be adjusted. In addition, the illuminator EIL may include various other components such as facet fields and pupil mirror devices. The illuminator EIL may be used to adjust the radiation beam so that the desired uniformity and intensity distribution is obtained across its cross section.
[0046] 露光ビームＥＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付与される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、露光ビームＥＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを露光ビームＥＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭ及びその他の位置センサＰＳ１を用いて、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを露光ビームＥＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされ得る。 [0046] The exposure beam EB is incident on the patterning device (eg, mask) MA, which is held on the support structure (eg, mask table) MT, and is patterned by the patterning device MA. After being reflected from the patterning device (eg mask) MA, the exposure beam EB passes through the projection system PS, which focuses the beam onto the target portion C of the substrate W. Using the second positioner PW and the position sensor PS2 (eg interferometer device, linear encoder or capacitive sensor), for example, the substrate table so as to position various target portions C in the path of the exposure beam EB. The WT can be moved accurately. Similarly, the first positioner PM and other position sensor PS1 can be used to accurately position the patterning device (eg, mask) MA with respect to the path of the exposure beam EB. Patterning device (eg mask) MA and substrate W may be aligned using mask alignment marks M1, M2 and substrate alignment marks P1, P2.
[0047] リソグラフィ装置は、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）スキャンモードで動作し得る。支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。 [0047] The lithographic apparatus synchronously scans a support structure (eg, mask table) MT and a substrate table WT while projecting a pattern imparted to the radiation beam onto a target portion C (ie, a single dynamic Exposure) Can operate in scan mode. The speed and direction of the substrate table WT relative to the support structure (eg mask table) MT can be determined by the (reduction) magnification factor and image reversal characteristics of the projection system PS.
[0048] 図２は、放射源コレクタモジュールＳＯ、イルミネータＥＩＬ、及び投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置４１００より詳細に示す。放射源コレクタモジュールＳＯは、放射源コレクタモジュールＳＯの囲い構造４２２０内に真空環境が維持可能であるように構成配置されている。ＥＵＶ放射を放出するプラズマ４２１０が放電生成プラズマ源によって形成され得る。ＥＵＶ放射は、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気又はＳｎ蒸気といったガス又は蒸気によって生成されてよく、ガス又は蒸気内では非常に高温のプラズマ４２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射が放出される。この非常に高温のプラズマ４２１０は、例えば少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを引き起こす放電によって生成される。例えば、１０Ｐａの分圧のＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又は任意の他の好適なガス又は蒸気が、放射の効率のよい発生には必要となり得る。一実施形態では、励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供されてＥＵＶ放射が生成される。
FIG. 2 shows in more detail a
[0049] プラズマ４２１０によって放出された放射は、放射源チャンバ４２１１からコレクタチャンバ４２１２内へと、放射源チャンバ４２１１の開口内又はその後方に位置決めされる光学ガスバリア又は汚染物質トラップ４２３０（汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれることもある）を介して送られる。汚染物質トラップ４２３０はチャネル構造を含み得る。汚染物質トラップ４２３０はガスバリア、又は、ガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。汚染物質トラップは、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。
[0049] Radiation emitted by the
[0050] コレクタチャンバ４２１２は、いわゆるかすめ入射コレクタであり得る放射コレクタＣＯを含み得る。コレクタＣＯを通過する放射は、格子スペクトル純度フィルタ４２４０から反射されて仮想放射源点ＩＦに合焦される。仮想放射源点ＩＦは通常中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールは中間焦点ＩＦが囲い構造４２２０の開口４２２１に又はその付近に置かれるように配置されている。仮想放射源点ＩＦは放射を放出するプラズマ４２１０の像である。
[0050] The
[0051] 次に、放射はイルミネータＥＩＬを通過するが、これはパターニングデバイスＭＡにおいて露光ビームＥＢの所望の角分布を提供し、また、パターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイス４２２及びファセット瞳ミラーデバイス４２４を含み得る。ファセットフィールドミラー４２２は、複数のフィールドファセットを有する。ファセット瞳ミラーデバイス４２２は、複数の瞳ファセットを有する。イルミネータＥＩＬはイルミネータ４２３、４２５も含み、これらはファセット瞳ミラーデバイス４２４と協働し、ファセットフィールドミラーデバイスの各ファセットの像を照明フィールド（スリットとも呼ばれる）ＩＳ上へ結像する。イルミネータＥＩＬは、照明スリットＩＳのケーラー照明を提供するように配置されている。
[0051] Next, the radiation passes through the illuminator EIL, which provides the desired angular distribution of the exposure beam EB in the patterning device MA and also provides the desired radiation intensity uniformity in the patterning device MA. Facet
[0052] 支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡでの露光ビームＥＢの反射と同時に、パターンが付与されたビーム４２６が形成され、パターンが付与されたビーム４２６は、反射エレメント４２８、４３０を介して投影システムＰＳによって、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上へ結像される。
[0052] Simultaneously with the reflection of the exposure beam EB at the patterning device MA held by the support structure MT, a
[0053] 図示されるよりも多くのエレメントが一般的にイルミネータＥＩＬ及び投影システムＰＳ内に存在し得る。格子スペクトル純度フィルタ４２４０は、リソグラフィ装置のタイプに依存して任意選択的に存在し得る。さらに図示されるよりも多くのミラーが存在してよく、例えば、図２に示されるよりも１〜６個追加の反射エレメントが投影システムＰＳ内に存在してもよい。
[0053] More elements than shown may generally be present in the illuminator EIL and projection system PS. A grating
[0054] コレクタ光学部品ＣＯは、図２に示されているように、コレクタ（又はコレクタミラー）のほんの一例として、かすめ入射リフレクタを有するネスト型コレクタとして示されている。このタイプのコレクタＣＯは、多くの場合、ＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマ源と組み合わせて用いられることが望ましい。 [0054] The collector optics CO is shown as a nested collector with a grazing incidence reflector as just one example of a collector (or collector mirror), as shown in FIG. This type of collector CO is often desirable in combination with a discharge generated plasma source called a DPP source.
[0055] 一実施形態では、放射源コレクタモジュールＳＯは、ＬＰＰ放射システムの一部であってよい。レーザＬＡがキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）などの燃料にレーザエネルギーを与えるように配置され、それにより、数十ｅＶの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマ４２１０が生成される。脱励起及びこれらのイオンの再結合時に発生されるエネルギー放射がプラズマから放出され、近垂直入射コレクタＣＯによって集められ、囲い構造４２２０の開口４２２１に合焦される。
[0055] In one embodiment, the source collector module SO may be part of an LPP radiation system. A laser LA is arranged to provide laser energy to a fuel such as xenon (Xe), tin (Sn), or lithium (Li), thereby creating a highly ionized
[0056] リソグラフィでは、パターニングデバイスの照明がきわめて重要である。特に、照明フィールドＩＳに到達する放射の角分布を制御することが望ましい。イルミネータＥＩＬは、ケーラー照明を提供するように配置されることが望ましく、瞳ミラーによって照明フィールドへ結像されるフィールドミラー及びイルミネータの任意のその他の光学コンポーネントを有する。ケーラー照明では、照明システムでの放射の角分布は、瞳面、例えば、瞳ミラーの面における放射の空間分布の点から便利に記述されている。いわゆる従来の照明モードでは、放射は光軸上を中心として瞳面の円形区域を均一に充填する。ダイポール照明モードでは、放射は、光軸から離隔している瞳面の２つの区域を充填する。その他多くの照明モードが周知である。原則としては、最適な照明モードは、所定の条件下に所定のパターンを結像するように規定できる。したがって、照明フィールドに適応性を提供することが望ましい。 [0056] In lithography, illumination of the patterning device is extremely important. In particular, it is desirable to control the angular distribution of radiation that reaches the illumination field IS. The illuminator EIL is preferably arranged to provide Kohler illumination and has a field mirror that is imaged to the illumination field by a pupil mirror and any other optical components of the illuminator. In Koehler illumination, the angular distribution of radiation in the illumination system is conveniently described in terms of the spatial distribution of radiation on the pupil plane, eg, the plane of the pupil mirror. In so-called conventional illumination modes, the radiation uniformly fills a circular area of the pupil plane about the optical axis. In dipole illumination mode, the radiation fills two areas of the pupil plane that are separated from the optical axis. Many other illumination modes are well known. In principle, the optimal illumination mode can be defined to image a predetermined pattern under predetermined conditions. Therefore, it is desirable to provide adaptability to the lighting field.
[0057] 照明の均一性もきわめて重要である。照明の均一性は、基板上に形成されたフィーチャの寸法の均一性の重要な尺度である、ＣＤ均一性に影響を与える、基板のターゲット部分が露光される線量の均一性に影響を及ぼす。ファセットフィールドミラーデバイスは、フィールドミラーとして使用され、ファセット瞳ミラーデバイスは瞳ミラーとして使用され得る。イルミネータは、各フィールドファセットが重ね合わせる手法で照明フィールドＩＳ上に結像されるように配置されている。望ましくは、フィールドファセットの各像は、照明スリットＩＳを充填する。フィールドファセットの像の重なりは、放射源コレクタモジュールＳＯによって提供される露光ビームＥＢ内の任意の不規則性を強調する。 [0057] The uniformity of illumination is also extremely important. Illumination uniformity affects the uniformity of the dose at which the target portion of the substrate is exposed, which affects CD uniformity, which is an important measure of the dimensional uniformity of features formed on the substrate. Faceted field mirror devices can be used as field mirrors and faceted pupil mirror devices can be used as pupil mirrors. The illuminator is arranged such that each field facet is imaged on the illumination field IS in a manner of overlapping. Desirably, each image of the field facet fills the illumination slit IS. The field facet image overlap highlights any irregularities in the exposure beam EB provided by the source collector module SO.
[0058] 多くの個々に誘導可能なリフレクタを有するファセットフィールドミラーデバイスが、米国特許出願公開ＵＳ２０１１／０００１９４７Ａ１号及びＰＣＴ国際特許出願公開ＷＯ２０１４／０１９６７５号に記載されている。このような個々に誘導可能なリフレクタは、例えば、多層ミラーであってよい。各個々に誘導可能なリフレクタは、放射が誘導される瞳面上の位置が制御され得るように、１つ又は２つの軸の周りで制御された配向を有することができる。個々に誘導可能なリフレクタはグループに分けられ、各グループは仮想フィールドファセットとしてみなされている。瞳ファセットは、仮想フィールドファセットを照明フィールド内へ結像する。所望の照明モードを有効にするために、各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタは、瞳ファセットの選択された１つに放射を誘導するように制御される。幾つかの瞳ファセットは、１つ以上の仮想フィールドファセットから放射を受けることがあり、その他の瞳ファセットは放射を受けないことがある。この配置を使用して、多くの異なる照明モードを有効にすることができる。フィールドミラーの実質的にすべての個々に誘導可能なリフレクタが仮想フィールドファセットへグループ化され得る。フィールドミラーの実質的にすべての個々に誘導可能なリフレクタを仮想フィールドファセットへグループ化することによって、放射強度は最適化される。 [0058] Faceted field mirror devices having a number of individually steerable reflectors are described in US Patent Application Publication No. US2011 / 0001947A1 and PCT International Patent Application Publication No. WO2014 / 019675. Such individually steerable reflectors can be, for example, multilayer mirrors. Each individually steerable reflector can have a controlled orientation about one or two axes so that the position on the pupil plane from which radiation is guided can be controlled. Individually navigable reflectors are divided into groups, each group being regarded as a virtual field facet. The pupil facet images the virtual field facet into the illumination field. To enable the desired illumination mode, the individually steerable reflector of each virtual field facet is controlled to direct radiation to a selected one of the pupil facets. Some pupil facets may receive radiation from one or more virtual field facets, and other pupil facets may not receive radiation. This arrangement can be used to enable many different illumination modes. Virtually all individually navigable reflectors of the field mirror can be grouped into virtual field facets. By grouping substantially all individually navigable reflectors of the field mirror into virtual field facets, the radiation intensity is optimized.
[0059] 本発明の一実施形態において使用に適したリソグラフィ装置では、図３に示したファセットフィールドミラーデバイス４２２は、複数のフィールドファセット５０−１乃至５０−ｎ（ｎは整数である）を含む。フィールドファセットの各々は、図４に示されているように、複数の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１から成る。明確さのために、少数のフィールドファセットしか図３には示されていないが、実際の実施形態では、１００以上のフィールドファセット、例えば、３００乃至４００のフィールドファセットが存在し得る。一実施形態では、個々に誘導可能なリフレクタのフィールドファセットへの割り当ては固定されておらず、変更可能である一方で、リソグラフィ装置は使用されている。フィールドファセットは仮想フィールドファセットと呼ぶことができる。
[0059] In a lithographic apparatus suitable for use in an embodiment of the present invention, the facet
[0060] 個々に誘導可能なリフレクタ４２２１の各々は、１つ以上のアクチュエータを有し、それにより個々に誘導可能なリフレクタ４２２１は１つの軸又は２つの直交軸の周りを回転することができる。それによって、各個々に誘導可能なリフレクタ４２２１は制御され、特定の方向に放射を誘導することができる。個々に誘導可能なリフレクタ４２２１は、超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）であることができる。１００，０００個以上の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１がファセットフィールドミラーデバイス４４２に存在し得る。
[0060] Each individually
[0061] フィールドファセット５０−１乃至５０−ｎの１つを構成する一組の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１は、照明フィールドＩＳの形状に対応する形状で複数の隣接した個々に誘導可能なリフレクタ４２２１を含む。一組の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１は、１つ以上の瞳ファセットによって結像され、イルミネータ４２３、４２５と組み合わせて、照明スリットＩＳを充填する。各フィールドファセットの形状及びサイズは、照明フィールドＩＳと厳密に同じではないが、イルミネータ４２３、４２５と組み合わせて瞳ファセットのＸ及びＹ方向の拡大に左右されることに留意されたい。照明フィールドＩＳは、曲げられ又は真っすぐにされ得る。一実施形態では、フィールドファセットは伸長し、フィールドファセットの像の長手方向が、スキャン方向、例えば、Ｙ方向に対して垂直であり、フィールドファセットの像の横方向がスキャン方向に対して平行であるように照明フィールドへ投影される。
[0061] The set of individually
[0062] 各フィールドファセットは、数百又はそれ以上の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１を含むことができる。一実施形態では、各組は１０列ごとに１００個の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１で配置された１０００個のミラーを有する。これらの列は、１０個の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１の１００の縦列が存在するように整列させることができる。縦列の幾つかは、隣接し縦列からずらされ、ほぼ湾曲した形状を形成することができる。一実施形態では、一組の個々に誘導可能なリフレクタは、仮想フィールドファセットが単一の近接領域を占めるように隣接している。一実施形態では、一組の個々に誘導可能なリフレクタの一部又はすべては、互いに隣接していない。
[0062] Each field facet may include hundreds or more individually
[0063] 各個々に誘導可能なリフレクタ４２２１は、少なくとも２つの状態に設定することができる。すなわち、中間焦点ＩＦから受け取った放射を、放射が照明フィールドＩＳに到達しないような方向に向ける非アクティブ状態と、中間焦点ＩＦから受け取った放射線を、照明フィールドＩＳに放射線が到達するような方向に向けるアクティブ状態とを含む。アクティブ状態では、各個々に誘導可能なリフレクタ４２２１は、放射を瞳ファセットに誘導する。１つの個々に誘導可能なリフレクタ４２２１が複数のアクティブ状態を有することができ、各アクティブ状態では、放射は瞳ファセットの異なる１つに誘導され、したがって、異なる角度から照明フィールドＩＳで到達する。したがって、異なる照明モードは、適切な状態にあるように個々に誘導可能なリフレクタ４２２１を制御することによって有効にすることができる。ビームダンプは、非アクティブ状態にある個々の指示可能なリフレクタ４２２１によって反射された放射を受け取るために提供することができる。ビームダンプは、イルミネータを囲む真空チャンバの壁内へ統合させることができる。
[0063] Each individually
[0064] 本発明の一態様では、各組の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１の選択された１つが、それらの非アクティブ状態に設定され、基板のターゲット部分に送達される線量を制御する。それらの非アクティブ状態に設定される個々に誘導可能なリフレクタ４２２１の１つは、以下では非アクティブリフレクタと呼ばれる。図５に示されているように、非アクティブリフレクタ４２２３（図中の陰影で示した）はフィールドファセット５０にわたって分布され、個々に誘導可能なリフレクタ４２２１のサブセットを形成する。図５では、フィールドファセット５０は例示の便宜上、直線で示されているが、上記のように湾曲されてもよい。非アクティブリフレクタ４２２３の数及び／又は分布は、基板Ｗによって受けた線量Ｉが図６に示されているように経時的に変化するように、経時的に変更される。
[0064] In one aspect of the invention, a selected one of each set of individually
[0065] 線量制御の幾つかのモードを本発明の実施形態によって提供することができる。露光間線量制御モードでは、非アクティブリフレクタの分布は、フィールドファセット５０の長手方向にわたって実質的に均一であり、１つのターゲット部分の露光にかかる時間中に一定である。しかし、非アクティブリフレクタの数は、１つのターゲット部分の１つの露光から別のターゲット部分から別の露光まで変化する。バッチの１つの基板上の所定の位置のターゲット部分を露光するために使用される線量は、そのバッチの別の基板上の対応する位置のターゲット部分を露光するために使用される線量と同じであり又は異なることもある。このように、異なるターゲット部分は、異なる線量で露光され、基板上のターゲット部分間のＣＤ又はＣＤ均一性などの結像パラメータのバラツキを補正することができる。
[0065] Several modes of dose control can be provided by embodiments of the present invention. In the inter-exposure dose control mode, the distribution of inactive reflectors is substantially uniform over the length of the
[0066] 露光内モードでは、図７に示すように、フィールドファセット５０の長さＸにわたる所望の配置に従って非アクティブリフレクタの分布が不均一になり、したがって照明フィールドＩＳの長さにわたって不均一なリフレクタが形成される。非アクティブリフレクタの配置は、ターゲット部分ＣのＸ方向にわたって線量の所望の変動を有効にし、かつパターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗのスキャンと同期して経時的に変化し、図８に示されているように、ターゲット部分ＣのＹ方向にわたって線量の所望の変動を有効にするように選ばれる。図８の強度の変動は、例示を目的として誇張されており、実際の実施形態では、線量の変動はおそらく最大線量の５％未満であることに留意されたい。
[0066] In the in-exposure mode, as shown in FIG. 7, the distribution of inactive reflectors is non-uniform according to the desired arrangement over the length X of the
[0067] 露光内モードを使用し、基板の各ターゲット部分で同じ線量プロファイルを有効にすることができる。代替的に、線量プロファイルが基板上又はバッチ内のターゲット部分間で異なるように、露光内モードを露光間モードと結合することができる。 [0067] In-exposure mode can be used to enable the same dose profile for each target portion of the substrate. Alternatively, the in-exposure mode can be combined with the between-exposure mode so that the dose profile differs between target portions on the substrate or in a batch.
[0068] 粗線量制御モード（ｃｏａｒｓｅ ｄｏｓｅ ｃｏｎｔｒｏｌ ｍｏｄｅ）では、本発明の一実施形態が使用され、送達することができる最大出力の約１０％乃至約３０％の範囲の量で投影ビームにおける放射の強度を縮小する。このような粗制御は、個々に誘導可能なリフレクタの約１０％から約３０％に非アクティブ状態に設定することによって有効にされる。非アクティブ状態に設定されている個々に誘導可能なリフレクタは、フィールドファセットにわたって均等に分布されている。非アクティブ状態に設定されている個々に誘導可能なリフレクタの分布は、疑似ランダムであり得る。非アクティブ状態に設定された個々に誘導可能なリフレクタの分布は、露光の経過中に一定であり、又は変動する一方で、非アクティブ状態での個々に誘導可能なリフレクタの総数を一定に維持し、均一の線量が露光されたターゲット区域にわたって受けられることを確実にすることができる。 [0068] In a coarse dose control mode, an embodiment of the present invention is used and the amount of radiation in the projection beam in an amount ranging from about 10% to about 30% of the maximum power that can be delivered. Reduce intensity. Such coarse control is enabled by setting the inactive state to about 10% to about 30% of individually inducible reflectors. The individually steerable reflectors that are set to the inactive state are evenly distributed across the field facets. The distribution of individually navigable reflectors set to the inactive state can be pseudo-random. The distribution of individually navigable reflectors set to the inactive state is constant or fluctuates over the course of the exposure, while keeping the total number of individually navigable reflectors in the inactive state constant. , It can be ensured that a uniform dose is received over the exposed target area.
[0069] 粗線量制御は、高い感度、すなわち露光するために低線量を必要とする放射感受性層（例えば、レジスト）を使用する際に有用であり得る。ＥＵＶ源は、特定の出力レベルで放射光放出するために最適化され、減量することができない可能性がある。基板での線量を縮小する一方で、露光スキャン中にパターニングデバイス及び基板の動きの速度を上昇させることによって、ＥＵＶ源出力を一定に維持することは可能である。しかし、直観に反して、スキャン速度を上昇させると、露光スキャン間にパターニングデバイス及び基板テーブルを加速及び減速するために必要な追加の時間のため、スループットの低下することがある。したがって、粗動線量制御は、高感度を有する放射感応性層（例えば、レジスト）を使用する際にスループットを増大するために使用することができる。 [0069] Coarse dose control may be useful when using radiation sensitive layers (eg, resists) that require high sensitivity, ie, low dose to expose. EUV sources are optimized to emit radiation at a particular power level and may not be able to be reduced in weight. While reducing the dose at the substrate, it is possible to keep the EUV source output constant by increasing the speed of movement of the patterning device and substrate during the exposure scan. However, contrary to intuition, increasing the scan speed may reduce throughput due to the additional time required to accelerate and decelerate the patterning device and substrate table between exposure scans. Thus, coarse dose control can be used to increase throughput when using a radiation sensitive layer (eg, resist) with high sensitivity.
[0070] 本発明の別の態様は、パターニングデバイスの仮想マスキングに関する。ターゲット部分がスキャンモードで露光されるとき、パターニングデバイスは、露光開始前にスキャン速度までもたらされる必要がある。パターニングデバイス、例えば、マスクは、露光すべきパターンが画定され、通常、不透明又は非反応性である、境界によって囲まれた、パターン領域ＭＦを有する。境界は吸収性であり得る。露光の開始時に、パターン領域ＭＦの先端（ｌｅａｄｉｎｇ ｅｄｇｅ）は照明フィールドＩＳ内へ移動し、次いで照明フィールドを横切る。先端が照明フィールドに達する前に、露光放射は境界に衝突し、これが照明フィールドの望ましくない加熱の原因になり得る。 [0070] Another aspect of the invention relates to virtual masking of a patterning device. When the target portion is exposed in scan mode, the patterning device needs to be brought up to the scan speed before exposure begins. A patterning device, e.g. a mask, has a pattern region MF, surrounded by a border, that defines the pattern to be exposed and is typically opaque or non-reactive. The boundary can be absorbent. At the start of the exposure, the leading edge of the pattern area MF moves into the illumination field IS and then crosses the illumination field. Before the tip reaches the illumination field, the exposure radiation strikes the boundary, which can cause unwanted heating of the illumination field.
[0071] Ｘ方向での照明フィールドの長さは、露光され得るターゲット部分Ｃの最大幅に対応する。場合によっては、基板に付与されるべきパターンは、Ｘ方向での照明フィールドの長さよりもＸ方向で小さくなる。言い換えれば、照明フィールドは、露光され得る最大寸法とは異なる寸法をＸ方向（すなわち、スキャン方向に対して垂直）で有し得る。Ｙ方向に延出する境界の各部分は、したがって、露光中に照明フィールド以内であり、露光中に放射を受けることがある。同様に、照明フィールドは、露光され得る最大寸法とは異なる寸法をＹ方向（すなわち、スキャン方向に対して平行）で有し得る。 [0071] The length of the illumination field in the X direction corresponds to the maximum width of the target portion C that can be exposed. In some cases, the pattern to be applied to the substrate is smaller in the X direction than the length of the illumination field in the X direction. In other words, the illumination field may have a dimension in the X direction (ie, perpendicular to the scan direction) that is different from the largest dimension that can be exposed. Each portion of the boundary extending in the Y direction is therefore within the illumination field during exposure and may receive radiation during exposure. Similarly, the illumination field may have a dimension in the Y direction (ie, parallel to the scan direction) that is different from the largest dimension that can be exposed.
[0072] 境界の照射を回避するには、パターニングデバイスの近くに可動式のマスキングブレードを設けることが周知である。いわゆるＹマスキングブレードはＸ方向に平行して延出し、Ｙ方向に可動式である。それらはＹ方向における露光を画定するために使用される。いわゆるＸマスキングブレードはＹ方向に平行して延出し、Ｘ方向に可動式である。それらはＹ方向における露光を画定するために使用される。Ｙマスキングブレードは露光前に閉鎖されており、パターン領域の先端の照明フィールド内への動きと同期して開放する。露光の終了時に、それらは照明フィールドから出るパターン領域の後縁（ｔｒａｉｌｉｎｇ ｅｄｇｅ）と同期して閉鎖される。Ｘマスキングブレードは、Ｘ方向におけるパターン領域の幅と一致するように設定され、露光中には静止している。 [0072] To avoid boundary illumination, it is well known to provide a movable masking blade near the patterning device. A so-called Y masking blade extends in parallel with the X direction and is movable in the Y direction. They are used to define exposure in the Y direction. A so-called X masking blade extends parallel to the Y direction and is movable in the X direction. They are used to define exposure in the Y direction. The Y masking blade is closed before exposure and opens in synchronization with the movement of the tip of the pattern area into the illumination field. At the end of the exposure, they are closed in synchronism with the trailing edge of the pattern area exiting the illumination field. The X masking blade is set so as to match the width of the pattern area in the X direction, and is stationary during exposure.
[0073] 上記のＰＣＴ国際特許出願公開ＷＯ２０１４／０１９６７５号は、移動可能なマスキングブレードと同様の機能性を有効にするために、幾つかの個々に誘導可能なリフレクタを、マスクに対して放射を反射しない位置に設定することを開示している。 [0073] The above-mentioned PCT International Patent Application Publication No. WO 2014/019675 discloses that several individually navigable reflectors emit radiation to a mask in order to enable functionality similar to a movable masking blade. It discloses that the position is set so as not to reflect.
[0074] 次に、本発明の一実施形態による方法を図９、図１０、及び図１１を参考にして説明する。これらの図は、マスキングモードでの１つのフィールドファセットにおける個々に誘導可能なリフレクタの切り替えを例示している。一実施形態では、すべてのフィールドファセットに対応するすべての組の個々に誘導可能なリフレクタは、露光中に同じように制御される。最初、個々に誘導可能なリフレクタのすべては非アクティブ状態に設定され、この状態は図９乃至図１１に斜線の陰影で示されているが、照明フィールドに到達する放射はない。パターン領域ＭＦが照明フィールド内へ移動すると、パターン領域ＭＦの先端が達している照明フィールドの部分に対応する個々に誘導可能なリフレクタの列は、アクティブ状態に切り替わる。図９では、パターン領域は、個々に誘導可能なリフレクタの２つの列Ｒ１、Ｒ２と同等の距離を照明フィールド内へ移動し、そこでパターン領域ＭＦの幅以内にある第１の２つの列における個々に誘導可能なリフレクタは、アクティブ状態に切り替わり、この状態は図９乃至図１１に陰影なしで示されている。図１０では、パターン領域は別の列Ｒ３を照明フィールド内へ移動させ、別の列の個々に誘導可能なリフレクタはアクティブ状態に切り替わる。図１１では、パターン領域は別の列Ｒ４を照明フィールド内へ移動させ、さらに別の個々に誘導可能なリフレクタはアクティブ状態に切り替わる。この段階では最後の列Ｒ５の個々に誘導可能なリフレクタのみが非アクティブ状態であるが、これらはパターン領域がさらに進むとアクティブ状態に切り替わる。 Next, a method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9, FIG. 10, and FIG. These figures illustrate the switching of individually navigable reflectors in one field facet in masking mode. In one embodiment, all sets of individually steerable reflectors corresponding to all field facets are similarly controlled during exposure. Initially, all of the individually steerable reflectors are set to an inactive state, which is indicated by the shaded shading in FIGS. 9-11, but no radiation reaches the illumination field. As the pattern region MF moves into the illumination field, the individually navigable reflector rows corresponding to the portion of the illumination field that the tip of the pattern region MF has reached will switch to the active state. In FIG. 9, the pattern area has moved into the illumination field a distance equivalent to the two rows R1, R2 of individually steerable reflectors, where the individual in the first two rows is within the width of the pattern region MF. The inductive reflector is switched to the active state, which is shown without shading in FIGS. In FIG. 10, the pattern area moves another row R3 into the illumination field, and the individually steerable reflector in the other row switches to the active state. In FIG. 11, the pattern area moves another row R4 into the illumination field, and yet another individually navigable reflector switches to the active state. At this stage, only the individually steerable reflectors in the last row R5 are inactive, but they switch to active as the pattern area proceeds further.
[0075] 以上のように、パターン領域ＭＦはＸ方向の照明フィールドよりも小さい。個々に誘導可能なリフレクタの縦列Ｃ１乃至Ｃ３及びＣｎ−２乃至Ｃｎは、パターン領域の外側の照明フィールドで結像される。これらのミラーが、パターン領域が進むにつれて残りの個々に誘導可能なリフレクタと一緒にアクティブ状態に切り替わるのは、それらが誘導する放射はパターニングデバイス上に不必要な熱負荷の原因となるため望ましくない。縦列Ｃ１乃至Ｃ３及びＣｎ−２乃至Ｃｎの個々に誘導可能なリフレクタは、露光全体を通じて非アクティブ状態に切り替り得る。 As described above, the pattern area MF is smaller than the illumination field in the X direction. Individually steerable reflector columns C1 to C3 and Cn-2 to Cn are imaged in the illumination field outside the pattern area. It is undesirable for these mirrors to switch to an active state with the remaining individually steerable reflectors as the pattern area progresses, as the radiation they induce causes unnecessary heat loads on the patterning device. . The individually steerable reflectors in columns C1 to C3 and Cn-2 to Cn can be switched to an inactive state throughout the exposure.
[0076] 本発明の実施形態によるデバイス製造方法では、個々に誘導可能なリフレクタの縦列Ｃ１乃至Ｃ３及びＣｎ−２乃至Ｃｎは、パターン領域の外側の照明フィールドで結像され、エッジリフレクタ（ｅｄｇｅ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）と呼ばれるが、非アクティブ状態には切り替わらない。エッジリフレクタはその正常なアクティブ状態にも切り替わらない。むしろ、エッジリフレクタは、中間リフレクタと呼ばれる、パターン領域ＭＦの内側の照明フィールドで結像される個々に誘導可能なリフレクタとは異なる瞳ファセットに放射を誘導する第２のアクティブ状態に切り替わる。第２のアクティブ状態は、図９乃至図１１では水平の陰影で示されている。言い換えれば、所定の仮想フィールドファセットでは、中間リフレクタは、第１の瞳ファセットに放射を誘導するように設定され、エッジリフレクタは、第１の瞳ファセットとは異なる第２の瞳ファセットに放射を誘導するように設定される。 [0076] In the device manufacturing method according to an embodiment of the present invention, the individually inducible reflector columns C1 to C3 and Cn-2 to Cn are imaged in an illumination field outside the pattern area and are edge reflectors. ) But does not switch to the inactive state. The edge reflector does not switch to its normal active state. Rather, the edge reflector switches to a second active state that directs radiation to a different pupil facet than the individually steerable reflector imaged in the illumination field inside the pattern area MF, referred to as an intermediate reflector. The second active state is indicated by a horizontal shading in FIGS. In other words, for a given virtual field facet, the intermediate reflector is set to direct radiation to the first pupil facet and the edge reflector directs radiation to a second pupil facet that is different from the first pupil facet. Set to do.
[0077] 図１２は、どのように放射の再誘導が達成されるかを示している。瞳ミラー４２４は、複数の瞳ファセット４２４１−１乃至４２４１−Ｍを含む。瞳ファセットの数は、フィールドファセットの数よりも多く、例えば、３乃至５倍多い。各フィールドファセットは、瞳ファセットの数、例えば、３乃至５と関係がある。フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタの各々は、フィールドファセットと関係がある瞳ファセットの任意の１つに放射を誘導するように設定することができる。個々に誘導可能なミラーが、関係のある瞳ファセットの１つへ放射を誘導するように設定されると、放射は照明フィールドＩＳに到達するが、照明フィールドＩＳでの放射の入射の位置及び方向は、放射が誘導されている瞳ファセットによって異なる。第１の仮想フィールドファセットのエッジリフレクタは、第２の仮想フィールドファセットの中間リフレクタと同じ瞳ファセットに放射を誘導することができる。
[0077] FIG. 12 shows how radiation re-induction is achieved.
[0078] 図１３乃至図１７は、リソグラフィ装置に結像され得る最大デバイスパターンよりも小さいデバイスパターンを露光するときに、仮想フィールドファセットの縁に置かれている個々に誘導可能なリフレクタから放射を再誘導する本発明の実施形態による方法を示す。 [0078] FIGS. 13-17 show radiation from individually steerable reflectors placed at the edges of a virtual field facet when exposing a device pattern that is smaller than the largest device pattern that can be imaged to the lithographic apparatus. 2 illustrates a method according to an embodiment of the present invention for redirecting.
[0079] 図１３は、仮想フィールドファセット５０−１乃至５０−５の列を示し、その各々は、図１５に示されているように、これも長さＬ１を有する、照明フィールドＩＳへ結像され得る長さＬ１を有する。仮想フィールドファセット５０−１乃至５０−５は、真っすぐに示されているが、その代わりに湾曲していてもよい。説明を容易にするために、フィールドファセット５０とパターニングデバイスＭＡとの間の光学システムが１の倍率を有すると仮定し、倍率が１でない場合、フィールドファセットはそれに応じて拡大縮小される。
[0079] FIG. 13 shows columns of virtual field facets 50-1 to 50-5, each of which is imaged onto the illumination field IS, which also has a length L1, as shown in FIG. It has a length L1 that can be made. Virtual field facets 50-1 through 50-5 are shown straight, but may instead be curved. For ease of explanation, assume that the optical system between
[0080] 各フィールドファセット５０は、個々に誘導可能なリフレクタが第１のアクティブ状態に設定されている長さＬ２の中間部分５１を有する。中間部分５１は、Ｌ１未満である、照明スリットＩＳの長さＬ２が照明されるように、照明スリットＩＳ上へ結像される。長さＬ２は、結像されるべきデバイスパターンの幅に対応し、そこではデバイスパターンは、リソグラフィ装置によって結像可能な最大のデバイスパターンよりも小さい。各フィールドファセット５０は、結像されるべきデバイスパターンに対応する区域の外側の照明スリットＩＳに結像されることになる２つの縁部分５２も有する。縁部分５２における個々に誘導可能なリフレクタは、図１６に示されているように、それらがビームダンプ６０に放射を誘導する非アクティブ状態に設定することができる。しかし、放射をビームダンプ６０に誘導することは、ビームダンプに誘導される放射は目的を果たさないという意味で無駄である。
[0080] Each
[0081] 本発明の一実施形態では、個々に誘導可能なリフレクタの割り当ては、リソグラフィ装置に結像され得る最大のデバイスパターンよりも小さいデバイスパターンを露光する際に変更される。図１４は、フィールドミラーデバイスの仮想フィールドファセット５０−１乃至５０−５と同じ長さを占める第２の仮想フィールドファセット５５−１乃至５５−６の列を示す。したがって、この例では、６つの第２の仮想フィールドファセットが、５つの仮想フィールドファセットを作るために使用された個々に誘導可能なリフレクタから作成されている。第２の仮想フィールドファセット５５−１乃至５５−６の各々は、照明フィールドＩＳに結像され、長さＬ２の照明された区域を形成するが、図１７に示されているようにＬ２はＬ１よりも短い（Ｌ２＜Ｌ１）。このようにして、より小さいデバイスパターンが放射を無駄にせずに照明され得る。照明フィールドでの放射の強度は、照明フィールドの全長が照明されるときよりも高く、したがって、スキャン速度は上昇し得る。したがって、スループットが増大し得る。フィールドミラーの実質的にすべての個々に誘導可能なリフレクタは、仮想フィールドファセット内へグループ化され得る。フィールドミラーの実質的にすべての個々に誘導可能なリフレクタを仮想フィールドファセット内へグループ化することによって、放射強度は最大化される。照明フィールドのある一定の寸法により、すべての個々に誘導可能なリフレクタを同等に仮想フィールドファセット一面に分布することができないことがある。このような場合、個々に誘導可能なリフレクタのすべてをアクティブに設定できない。記載された例では、１つの列の仮想フィールドファセットの数は、５から６に拡大される。本発明はこの実施形態に限定されない。１列以内のその他の数の仮想フィールドファセットが可能である。 [0081] In an embodiment of the invention, the assignment of individually navigable reflectors is changed when exposing a device pattern that is smaller than the largest device pattern that can be imaged to the lithographic apparatus. FIG. 14 shows a row of second virtual field facets 55-1 to 55-6 that occupy the same length as the virtual field facets 50-1 to 50-5 of the field mirror device. Thus, in this example, six second virtual field facets are created from individually navigable reflectors used to create five virtual field facets. Each of the second virtual field facets 55-1 to 55-6 is imaged in the illumination field IS to form an illuminated area of length L2, but L2 is L1 as shown in FIG. Shorter (L2 <L1). In this way, smaller device patterns can be illuminated without wasting radiation. The intensity of the radiation in the illumination field is higher than when the entire length of the illumination field is illuminated, so the scan speed can be increased. Thus, throughput can be increased. Virtually all individually navigable reflectors of the field mirror can be grouped into virtual field facets. By grouping substantially all individually navigable reflectors of the field mirror into a virtual field facet, the radiation intensity is maximized. Due to certain dimensions of the illumination field, all individually navigable reflectors may not be equally distributed over the virtual field facet. In such a case, not all individually navigable reflectors can be set active. In the example described, the number of virtual field facets in a column is expanded from 5 to 6. The present invention is not limited to this embodiment. Other numbers of virtual field facets within one column are possible.
[0082] 本発明の別の態様は、エッジダイ（ｅｄｇｅ ｄｉｅ）の露光に関する。図１８は、円形基板Ｗに課されたターゲット部分Ｃの長方形グリッドを示す。示されるように、グリッド内の一定のセルが基板の縁一面に延出する。このようなセルは、エッジダイと呼ばれ、有用なデバイスを製造するためには使用できない。基板上の使用に適したターゲット部分Ｃの配置は、基板ごとに使用に適したターゲット部分Ｃの数を最大にするために、及び／又はスループットを最大にするために、図示された単純なグリッドから変動し得る。それにもかかわらず、任意の配置で幾つかのエッジダイＥが存在することになる。 [0082] Another aspect of the invention relates to exposure of an edge die. FIG. 18 shows a rectangular grid of target portions C imposed on the circular substrate W. As shown, certain cells in the grid extend across the edge of the substrate. Such cells are called edge dies and cannot be used to make useful devices. Arrangement of target portions C suitable for use on the substrate is shown in the simple grid shown to maximize the number of target portions C suitable for use per substrate and / or to maximize throughput. Can vary from Nevertheless, there will be several edge dies E in any arrangement.
[0083] エッジダイは有用なデバイスを製造するために使用できないにもかかわらず、有用なターゲット部分Ｃと同じようにして、エッジダイを露光し処理することは慣例となっている。これは、エッジダイが露光されず、処理されない場合は、デバイスの製造中に使用に適したターゲット部分に層が蓄積すると、エッジダイと使用に適したターゲット部分との間の高さの差が発生し得るからである。基板の内部応力の差も発生し得る。これらの差は、基板の変形につながりかねない。また、処理ステップ中、露光され処理されていないエッジダイに隣接するターゲット部分によって経験される環境は、基板の中心のターゲット部分によって経験される環境とは異なるであろう。 [0083] It is customary to expose and process the edge die in the same way as the useful target portion C, even though the edge die cannot be used to produce useful devices. This is because if the edge die is not exposed and processed, a layer builds up on the target portion suitable for use during device manufacture, resulting in a height difference between the edge die and the target portion suitable for use. Because you get. Differences in the internal stress of the substrate can also occur. These differences can lead to substrate deformation. Also, during the processing steps, the environment experienced by the target portion adjacent to the exposed and unprocessed edge die will be different from the environment experienced by the target portion in the center of the substrate.
[0084] しかし、本発明者らは、エッジダイが露光される場合は、デブリが引き起こされ得ると判断した。特に、薄い構造、例えば、孤立ラインが基板の縁の近くに形成されるようにエッジダイが露光される場合は、構造の各部分が断ち切れ、デブリを生成する大きな可能性がある。デブリによって様々な問題が発生する可能性がある。デブリは、基板の他のターゲット部分を汚染又は損傷させる可能性がある。デブリは、リソグラフィ装置の一部を汚染する可能性がある。デブリは、まだ露光されていないターゲット部分に落下し、結像の欠陥を引き起こす可能性がある。 [0084] However, the inventors have determined that debris can be caused when the edge die is exposed. In particular, if the edge die is exposed such that a thin structure, for example, an isolated line is formed near the edge of the substrate, each part of the structure can break off, creating a great potential to generate debris. Various problems may occur due to debris. Debris can contaminate or damage other target portions of the substrate. Debris can contaminate parts of the lithographic apparatus. Debris can fall on target portions that are not yet exposed and cause imaging defects.
[0085] 本発明の一実施形態では、少なくともエッジダイの一部が露光される線量は、使用に適したターゲット部分を露光するために使用される線量と比べて縮小するエッジダイモードが提案されている。縮小した線量を受けるエッジダイの部分は基板の縁に隣接しており、縁部と呼ばれる。線量は、レジストのタイプ、パターン、及びレシピが、線量を縮小することによって、結果として大きい及び／又はより強固であるフィーチャが形成されるような場合には縮小する。一実施形態では、縁部を露光するために使用される線量は均一ではなく、むしろ基板の縁に向かって縮小する。図１９は、例として、基板の＋Ｘ側でのエッジダイの露光に有用な線量プロファイルを示す。エッジダイの左手側（−Ｘ側）は、使用に適したターゲット部分を露光するために使用される線量と実質的に等しい標準の線量を受ける。線量は、エッジダイの縁部における右手側（＋Ｘ側）に向かって先細り、そのため基板の縁に隣接したフィーチャサイズが増大する。図示されているように、線量の先細りは直線的であるが、そうである必要はない。基板の最先端部（ｖｅｒｙ ｅｄｇｅ）では、線量はゼロに縮小する。基板の最先端部で線量をゼロに縮小することによって、基板ホルダ又は基板テーブルへの過剰な放射はなくなり、熱負荷が防止され、その上のコーティングの劣化が回避される。 [0085] In one embodiment of the invention, an edge die mode is proposed in which the dose at which at least a portion of the edge die is exposed is reduced compared to the dose used to expose a target portion suitable for use. Yes. The portion of the edge die that receives the reduced dose is adjacent to the edge of the substrate and is called the edge. The dose is reduced if the resist type, pattern, and recipe result in a feature that is larger and / or more robust by reducing the dose. In one embodiment, the dose used to expose the edge is not uniform, but rather decreases towards the edge of the substrate. FIG. 19 shows by way of example a dose profile useful for edge die exposure on the + X side of the substrate. The left hand side (−X side) of the edge die receives a standard dose that is substantially equal to the dose used to expose the target portion suitable for use. The dose tapers towards the right hand side (+ X side) at the edge of the edge die, thus increasing the feature size adjacent to the edge of the substrate. As shown, the dose taper is linear, but it need not be. At the very edge of the substrate, the dose is reduced to zero. By reducing the dose to zero at the leading edge of the substrate, excessive radiation to the substrate holder or substrate table is eliminated, thermal loading is prevented, and coating degradation thereon is avoided.
[0086] もちろん、基板の縁は直線状ではなく、Ｙ方向（スキャン方向）には整列していない。したがって、先細の線量プロファイルは、エッジダイの露光中に一定ではあり得ないが、基板の縁に対して投影ビームの一時的な位置に従って動的に調整される。しかし、基板の縁がＹ方向に対してほぼ平行であるエッジダイには一定のプロファイを使用することができる。縁に対して異なる位置の縁には異なる線量プロファイルが決定される。基板の縁がＸ方向に対してほぼ平行であるエッジダイについては、線量プロファイルはＸで一定であるが、基板の動きと同期して経時的に変動し得る。 Of course, the edges of the substrate are not linear and are not aligned in the Y direction (scan direction). Thus, the tapered dose profile cannot be constant during the exposure of the edge die, but is dynamically adjusted according to the temporary position of the projection beam relative to the edge of the substrate. However, a certain profile can be used for an edge die whose substrate edge is substantially parallel to the Y direction. Different dose profiles are determined for edges at different positions relative to the edge. For edge dies where the edge of the substrate is approximately parallel to the X direction, the dose profile is constant at X, but can vary over time in synchronization with the movement of the substrate.
[0087] 上述した本発明の様々な態様の線量調整モードは、他の何らかの理由で必要とされる可能性のある線量調整と相互に組み合わせることができることが理解されよう。 [0087] It will be appreciated that the dose adjustment modes of the various aspects of the invention described above may be combined with dose adjustments that may be required for some other reason.
[0088] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義とみなしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。 [0088] Although the text specifically refers to the use of a lithographic apparatus in the manufacture of ICs, it should be understood that the lithographic apparatus described herein has other uses. For example, this is the manufacture of integrated optical systems, guidance and detection patterns for magnetic domain memories, flat panel displays, liquid crystal displays (LCDs), thin film magnetic heads, and the like. In light of these alternative applications, the use of the terms “wafer” or “die” herein are considered synonymous with the more general terms “substrate” or “target portion”, respectively. Those skilled in the art will recognize that this may be the case. The substrates described herein may be processed before or after exposure, for example, with a track (usually a tool that applies a layer of resist to the substrate and develops the exposed resist), metrology tools, and / or inspection tools. be able to. Where appropriate, the disclosure herein may be applied to these and other substrate processing tools. In addition, the substrate can be processed multiple times, for example to produce a multi-layer IC, so the term substrate as used herein can also refer to a substrate that already contains multiple processed layers.
[0089] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
[0089] While specific embodiments of the invention have been described above, it will be appreciated that the invention may be practiced otherwise than as described. The above description is illustrative and not restrictive. Thus, it will be apparent to one skilled in the art that modifications may be made to the invention as described without departing from the scope of the claims set out below.
Claims (22)
複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーと、前記個々に誘導可能なリフレクタを制御し、所望の線量プロファイルを基板のターゲット部分に送達するように構成されたコントローラと、
前記基板が露光されている間に前記基板をスキャン方向にスキャンするように構成されたポジショナと、を含むリソグラフィ装置。 A lithographic apparatus comprising:
A field mirror having a plurality of individually navigable reflectors and a pupil mirror having a plurality of pupil facets, and configured to control the individually navigable reflectors and deliver a desired dose profile to a target portion of the substrate; Controller,
A lithographic apparatus comprising: a positioner configured to scan the substrate in a scan direction while the substrate is exposed.
１つの仮想フィールドファセットの前記個々に誘導可能なリフレクタを制御することであって、前記１つの仮想フィールドファセットの前記個々に誘導可能なリフレクタのサブセットが、前記１つの仮想フィールドファセットのその他の個々に誘導可能なリフレクタと同じ瞳ファセット内へ放射を誘導することがないように制御することと、
前記照明フィールドに前記パターニングデバイスの一部を位置決めすることと、
前記パターニングデバイスの一部の像を基板のターゲット部分へ投影することと、を含み、
前記サブセットにおける個々に誘導可能なリフレクタの数は経時的に変動し、所望の線量プロファイルが前記ターゲット部分によって受けられる、方法。 A method of manufacturing a device using a lithographic apparatus, the lithographic apparatus comprising a field mirror having a plurality of individually navigable reflectors and a pupil mirror having a plurality of pupil facets, the individually navigable reflectors Is divided into a number of adjacent individually navigable reflectors to form a virtual field facet, and a pupil facet projects an image of the virtual field facet to fill the illumination field, the method comprising:
Controlling the individually navigable reflector of one virtual field facet, wherein a subset of the individually navigable reflectors of the one virtual field facet is the other individually of the one virtual field facet Control to not induce radiation into the same pupil facet as the steerable reflector;
Positioning a portion of the patterning device in the illumination field;
Projecting an image of a portion of the patterning device onto a target portion of a substrate;
The number of individually steerable reflectors in the subset varies over time and a desired dose profile is received by the target portion.
１つの仮想フィールドファセットの前記個々に誘導可能なリフレクタを制御することであって、前記１つの仮想フィールドファセットの前記個々に誘導可能なリフレクタのサブセットが、前記１つの仮想フィールドファセットのその他の個々に誘導可能なリフレクタと同じ瞳ファセット内へ放射を誘導することがないように制御することと、
前記照明フィールドに前記パターニングデバイスの一部を位置決めすることと、
前記パターニングデバイスの一部の像を基板のターゲット部分へ投影することと、を含み、
前記仮想フィールドファセットは第１の方向に伸長し、
各仮想フィールドファセットの前記個々に誘導可能なリフレクタの前記サブセットは、前記照明フィールドの端部分が照明されないように、前記第１の方向で各仮想フィールドファセットの少なくとも１つの端部分にあるように選択され、かつ
各仮想フィールドファセットの前記個々に誘導可能なリフレクタの前記サブセットの前記配向は、それらがその仮想フィールドファセットの前記その他の個々に誘導可能なリフレクタとは異なる前記瞳ファセットの１つ内へ放射を誘導するように制御される、方法。 A method of manufacturing a device using a lithographic apparatus, the lithographic apparatus comprising a field mirror having a plurality of individually navigable reflectors and a pupil mirror having a plurality of pupil facets, the individually navigable reflectors Is divided into a number of adjacent individually navigable reflectors to form a virtual field facet, and a pupil facet projects an image of the virtual field facet to fill the illumination field, the method comprising:
Controlling the individually navigable reflector of one virtual field facet, wherein a subset of the individually navigable reflectors of the one virtual field facet is the other individually of the one virtual field facet Control to not induce radiation into the same pupil facet as the steerable reflector;
Positioning a portion of the patterning device in the illumination field;
Projecting an image of a portion of the patterning device onto a target portion of a substrate;
The virtual field facet extends in a first direction;
The subset of the individually steerable reflectors of each virtual field facet is selected to be at at least one end portion of each virtual field facet in the first direction such that the end portion of the illumination field is not illuminated And the orientation of the subset of the individually navigable reflectors of each virtual field facet is within one of the pupil facets where they are different from the other individually navigable reflectors of the virtual field facet A method that is controlled to induce radiation.
複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーと、
一組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタを制御し、前記一組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタの第１のサブセットが第１の瞳ファセットに放射を誘導し、前記一組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタの第２のサブセットが第２の瞳ファセットに放射を誘導するように構成されたコントローラと、を含み、前記第２のサブセットは、照明フィールドに所望の線量プロファイルを提供するように選択されている、リソグラフィ装置。 A lithographic apparatus comprising:
A field mirror having a plurality of individually steerable reflectors and a pupil mirror having a plurality of pupil facets;
Controlling a set of adjacent individually navigable reflectors, wherein a first subset of the set of adjacent individually navigable reflectors directs radiation to a first pupil facet, and the set of adjacent navigable reflectors; A second subset of individually steerable reflectors configured to direct radiation to a second pupil facet, said second subset providing a desired dose profile for the illumination field A lithographic apparatus that has been selected.
１つの仮想フィールドファセットの前記個々に誘導可能なリフレクタのサブセットを制御することであって、前記１つの仮想フィールドファセットの前記その他の個々に誘導可能なリフレクタと同じ瞳ファセット内へ放射を誘導することがないように、前記１つの仮想フィールドファセットの前記個々に誘導可能なリフレクタを制御することと、
前記照明フィールドに前記パターニングデバイスの一部を位置決めすることと、
前記パターニングデバイスの一部の像を基板のターゲット部分へ投影することと、を含み、
前記１つの仮想フィールドファセットの前記個々に誘導可能なリフレクタの前記サブセットは、所望の線量プロファイルを提供するように選択され、かつ
前記１つの仮想フィールドファセットの前記個々に誘導可能なリフレクタの前記サブセットの前記配向は、それらが前記１つの仮想フィールドファセットの前記その他の個々に誘導可能なリフレクタとは異なる前記瞳ファセットの１つ内へ放射を誘導するように制御される、方法。 A method of manufacturing a device using a lithographic apparatus, the lithographic apparatus comprising a field mirror having a plurality of individually navigable reflectors and a pupil mirror having a plurality of pupil facets, the individually navigable reflectors Is divided into a number of adjacent individually navigable reflectors to form a virtual field facet, and a pupil facet projects an image of the virtual field facet to fill the illumination field, the method comprising:
Controlling a subset of the individually navigable reflectors of one virtual field facet, directing radiation into the same pupil facet as the other individually navigable reflectors of the one virtual field facet Controlling the individually navigable reflectors of the one virtual field facet such that there is no
Positioning a portion of the patterning device in the illumination field;
Projecting an image of a portion of the patterning device onto a target portion of a substrate;
The subset of the individually navigable reflectors of the one virtual field facet is selected to provide a desired dose profile and the subset of the individually navigable reflectors of the one virtual field facet The method wherein the orientations are controlled such that they direct radiation into one of the pupil facets different from the other individually steerable reflector of the one virtual field facet.
各仮想フィールドファセットの前記個々に誘導可能なリフレクタのサブセットが、前記瞳ミラー内へ放射を誘導することがないように、各仮想フィールドファセットの前記個々に誘導可能なリフレクタを制御することと、
前記照明フィールドに前記パターニングデバイスの一部を位置決めすることと、
前記パターニングデバイスの一部の像を基板のターゲット部分へ投影することと、を含み、
前記ターゲット部分は前記基板の縁と交差し、前記個々に誘導可能なリフレクタの前記サブセットは、前記ターゲット部分の縁部が、前記ターゲット部分の非縁部よりも低い線量を受けるように配置されており、前記縁部は前記基板の前記縁に隣接し、前記非縁部は前記基板の前記縁に隣接していない、方法。 A method of manufacturing a device using a lithographic apparatus, the lithographic apparatus comprising a field mirror having a plurality of individually navigable reflectors and a pupil mirror having a plurality of pupil facets, the individually navigable reflectors Is divided into a number of adjacent individually navigable reflectors to form a virtual field facet, and a pupil facet projects an image of the virtual field facet to fill the illumination field, the method comprising:
Controlling the individually navigable reflectors of each virtual field facet such that a subset of the individually navigable reflectors of each virtual field facet does not induce radiation into the pupil mirror;
Positioning a portion of the patterning device in the illumination field;
Projecting an image of a portion of the patterning device onto a target portion of a substrate;
The target portion intersects the edge of the substrate, and the subset of the individually steerable reflectors is arranged such that the edge of the target portion receives a lower dose than the non-edge of the target portion. Wherein the edge is adjacent to the edge of the substrate and the non-edge is not adjacent to the edge of the substrate.
前記投影することは、前記パターニングデバイスを前記照明フィールドにおける前記パターニングデバイスの前記一部の像を通じて前記ターゲット部分をスキャンすることを含み、かつ
前記制御することは、前記パターニングデバイスの前記スキャンすることと同期して前記個々に誘導可能なリフレクタの前記サブセットを変更し、前記縁部における前記低い線量を達成することを含む、請求項２０の方法。 The positioning includes scanning the patterning device through the illumination field;
The projecting includes scanning the patterning device through an image of the portion of the patterning device in the illumination field, and the controlling comprises scanning the patterning device. 21. The method of claim 20, comprising synchronously changing the subset of the individually navigable reflectors to achieve the low dose at the edge.
22. A method according to claim 20 or 21, wherein the illumination field is elongated and the subset of the individually steerable reflectors is located in a part of the illumination field.
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