Die Erfindung betrifft einen Facettenspiegel zur kanalweisen Reflexion einer Beleuchtungsstrahlung. Die Erfindung betrifft außerdem eine Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines Objektfeldes und ein Verfahren zur Beleuchtung eines Objektfeldes. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage, eine Projektionsbelichtungsanlage, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils und ein derart hergestelltes Bauteil. The invention relates to a facet mirror for channelwise reflection of illumination radiation. The invention also relates to an illumination optics for illuminating an object field and to a method for illuminating an object field. Furthermore, the invention relates to a lighting system for a projection exposure apparatus, a projection exposure apparatus, a method for producing a micro- or nanostructured component and a component produced in this way.
Beleuchtungsoptiken mit Facettenspiegeln sind aus der DE 10 2008 009 600 A1 und der DE 10 2009 045 694 A1 bekannt. Illumination optics with faceted mirrors are from the DE 10 2008 009 600 A1 and the DE 10 2009 045 694 A1 known.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik zu verbessern. It is an object of the present invention to improve a facet mirror for illumination optics.
Diese Aufgabe ist durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. This object is solved by the features of claim 1.
Der Kern der Erfindung besteht darin, bei einem Facettenspiegel eine Vielzahl von Facetten durch makroskopische Facetten zu realisieren, während eine Mehrzahl von Facetten aus einer Vielzahl von verlagerbaren Mikrospiegeln zusammengesetzt ist. Es ist insbesondere vorgesehen, die Mehrheit der Facetten, insbesondere mindestens 80 % der Gesamtzahl der Facetten, als makroskopische, einfache Facetten auszubilden. The essence of the invention is to realize a plurality of facets by macroscopic facets in a faceted mirror, while a plurality of facets of a plurality of displaceable micromirrors is composed. In particular, it is envisaged to form the majority of the facets, in particular at least 80% of the total number of facets, as macroscopic, simple facets.
Ein derartiger Facettenspiegel ist zum einen wesentlich einfacher herstellbar als ein Facettenspiegel, welcher überwiegend oder ausschließlich aus Mikrospiegeln aufgebaut ist. Andererseits wurde überraschend gefunden, dass selbst eine vergleichsweise geringe Anzahl an verlagerbaren Mikrospiegeln ausreicht, um die Abbildungseigenschaften des Facettenspiegels deutlich zu verbessern. Such a facet mirror is on the one hand much easier to produce than a facet mirror, which is predominantly or exclusively composed of micromirrors. On the other hand, it has surprisingly been found that even a comparatively small number of displaceable micromirrors is sufficient to significantly improve the imaging properties of the facet mirror.
Die Mikrospiegel sind insbesondere zu Modulen zusammengefasst. Diese Module sind vorzugsweise jeweils als mikro-elektromechanisches System (MEMS) ausgebildet. Die Module weisen jeweils mindestens 16, insbesondere mindestens 64, insbesondere mindestens 144 Einzelspiegel auf. The micromirrors are in particular combined into modules. These modules are preferably each designed as a micro-electro-mechanical system (MEMS). The modules each have at least 16, in particular at least 64, in particular at least 144 individual mirrors.
Vorteilhafterweise ist zumindest eine Teilmenge der Mikrospiegel, insbesondere sämtliche der Mikrospiegel, derart in eine Mehrzahl von Gruppen gruppierbar, dass eine aus der Gesamtheit der Einzel-Reflexionsflächen einer Gruppe gebildete Gruppen-Reflexionsfläche jeweils die Form einer einfachen Facette approximiert. Die Gruppen-Reflexionsfläche, welche die Facetten-Reflexionsfläche einer zusammengesetzten Facette bildet, hat insbesondere Abmessungen in einer Längs- und einer Querrichtung, welche jeweils höchstens um die Ausdehnung zweier Mikrospiegel, insbesondere höchstens um die Ausdehnung eines Mikrospiegels, von denen einer einfachen Facette abweichen. Die Approximierung der Form der einfachen Facetten kann hierbei durch Verlagerung einzelner Mikrospiegel flexibel angepasst werden. Dies ermöglicht es, die effektiv genutzte Reflexionsfläche der zusammengesetzten Facetten zu variieren. Hierdurch ist eine sehr flexible Anpassung der Gesamtintensität und Intensitätsverteilung der reflektierten Beleuchtungsstrahlung möglich. Dies kann vorteilhafterweise beispielsweise zur Korrektur von Abweichungen der scanintegrierten Gesamtintensität, einer sogenannten Gleichmäßigkeit, der Beleuchtung eines Objektfeldes verwendet werden. Advantageously, at least a subset of the micromirrors, in particular all of the micromirrors, can be grouped into a plurality of groups in such a way that a group reflection surface formed from the entirety of the individual reflection surfaces of a group in each case approximates the shape of a simple facet. The group reflection surface, which forms the facet reflection surface of a composite facet, has in particular dimensions in a longitudinal and a transverse direction which deviate at most by the extent of two micromirrors, in particular at most the extent of a micromirror, from those of a simple facet. The approximation of the shape of the simple facets can be flexibly adapted by displacing individual micromirrors. This makes it possible to vary the effectively used reflection area of the composite facets. As a result, a very flexible adaptation of the overall intensity and intensity distribution of the reflected illumination radiation is possible. This can advantageously be used, for example, to correct deviations in the scan-integrated overall intensity, a so-called uniformity, the illumination of an object field.
Die Anzahl der Mikrospiegel je zusammengesetzter Facette liegt im Bereich von 150 bis 20000, insbesondere im Bereich von 400 bis 1500.The number of micromirrors per compound facet is in the range of 150 to 20,000, in particular in the range of 400 to 1,500.
Die Gesamtzahl der Mikrospiegel des Facettenspiegels beträgt mindestens 1000, insbesondere mindestens 5000, insbesondere mindestens 20000. The total number of micromirrors of the facet mirror is at least 1000, in particular at least 5000, in particular at least 20 000.
Die Anzahl der einfachen Facetten des Facettenspiegels liegt im Bereich von 20 bis 1000, insbesondere im Bereich von 50 bis 500. The number of simple facets of the facet mirror is in the range of 20 to 1000, in particular in the range of 50 to 500.
Die Facetten sind vorzugsweise in Spalten, insbesondere in Halbspalten angeordnet. Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist vorgesehen, genau eine oder mehrere dieser Halbspalten als zusammengesetzte Facetten auszubilden. Die übrigen Halbspalten sind vorzugsweise aus einfachen Facetten gebildet. The facets are preferably arranged in columns, in particular in half-columns. According to one aspect of the invention, it is provided to form exactly one or more of these half-slits as composite facets. The remaining half-columns are preferably formed from simple facets.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines Objektfeldes und ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern. Diese Aufgaben werden durch die Merkmale der Ansprüche 7 und 8 gelöst. Die Vorteile entsprechen den vorhergehend für den Facettenspiegel beschriebenen. Another object of the invention is to improve an illumination optics for illuminating an object field and an illumination system for a projection exposure apparatus. These objects are achieved by the features of claims 7 and 8. The advantages correspond to those described above for the facet mirror.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Beleuchtung eines Objektfeldes zu verbessern. Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 9 gelöst. Der Kern der Erfindung besteht darin, mit dem erfindungsgemäßen Facettenspiegel die Beleuchtung eines Objektfeldes durch eine Verlagerung einer Anzahl der Mikrospiegel der zusammengesetzten Facetten derart anzupassen, dass die Beleuchtung eine hohe Gleichmäßigkeit aufweist und gleichzeitig das Bild einer zusammengesetzten Feldfacette jeweils mindestens 80 % des Objektfeldes ausleuchtet. Die Bilder der zusammengesetzten Facetten in der Objektebene haben insbesondere Abmessungen, welche um höchstens 20 %, insbesondere um höchstens 10 %, insbesondere um höchstens 5 % von denen des zu beleuchtenden Objektfeldes abweichen. Sie weichen insbesondere in Richtung senkrecht zur Scanrichtung um höchstens 20 %, insbesondere höchstens 10 %, insbesondere höchstens 5 % von denen des zu beleuchtenden Objektfeldes ab. Another object of the invention is to improve a method for illuminating an object field. This object is solved by the features of claim 9. The essence of the invention is to adapt the illumination of an object field by displacing a number of the micromirrors of the composite facets with the facet mirror according to the invention such that the illumination has a high uniformity and at the same time the image of a composite field facet illuminates at least 80% of the object field. The images of the composite facets in the object plane have, in particular, dimensions which are not more than 20%, in particular not more than 10%, in particular by at most 5% of those of the object field to be illuminated. They deviate, in particular in the direction perpendicular to the scanning direction, by at most 20%, in particular at most 10%, in particular at most 5%, from those of the object field to be illuminated.
Mit anderen Worten lässt sich mit dem erfindungsgemäßen Facettenspiegel ein Beleuchtungssetting eines Objektfeldes erreichen, bei welchem die Beleuchtung des Objektfeldes eine hohe Gleichmäßigkeit aufweist und gleichzeitig ein gegebener Beleuchtungskanal das gegebene Objektfeld ohne wesentlichen Lichtverlust weitestgehend ausleuchtet. In other words, with the facet mirror according to the invention, an illumination setting of an object field can be achieved in which the illumination of the object field has a high degree of uniformity and at the same time a given illumination channel largely illuminates the given object field without significant loss of light.
Weitere Aufgaben der Erfindung bestehen darin, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils und ein entsprechendes Bauteil zu verbessern. Diese Aufgaben werden durch die Merkmale der Ansprüche 10, 11 und 12 gelöst. Further objects of the invention are to improve a method for producing a micro- or nanostructured component and a corresponding component. These objects are achieved by the features of claims 10, 11 and 12.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing. Show it:
1 schematisch einen Meridionalschnitt durch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithographie; 1 schematically a meridional section through a projection exposure system for EUV projection lithography;
2 schematisch eine Aufsicht auf einen Ausschnitt eines Feldfacettenspiegels zum Einsatz in der Projektionsbelichtungsanlage nach 1; 2 schematically a plan view of a section of a Feldfacettenspiegels for use in the projection exposure system according to 1 ;
3 Darstellungen der scanintegrierten Intensität eines Beleuchtungskanals für ein aus dem Stand der Technik bekanntes EUV-Beleuchtungssystem und ein Beleuchtungssystem mit einem Facettenspiegel gemäß 2. 3 Representations of the scan-integrated intensity of a lighting channel for a known from the prior art EUV lighting system and a lighting system with a facet mirror according to 2 ,
1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikro-Lithographie. Zur Projektionsbelichtungsanlage 1 gehört eine Strahlungsquelle 2. Ein Beleuchtungssystem 3 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat eine Beleuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines mit einem Objektfeld 5 zusammenfallenden Beleuchtungsfeldes in einer Objektebene 6. Das Beleuchtungsfeld kann auch größer sein als das Objektfeld 5. Hierbei trägt außerhalb des Objektfeldes 5 fallende Strahlung nicht zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 bei. Belichtet wird hierbei ein Objekt in Form eines im Objektfeld 5 angeordneten Retikels 7, das von einem Objekt- bzw. Retikelhalter 8 gehalten ist. Der Objekthalter 8 ist über einen Objektverlagerungsantrieb 9 längs einer Verlagerungsrichtung verlagerbar. Eine Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem ebenfalls nicht dargestellten Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über eine Waferverlagerungsantrieb 15 synchronisiert zum Objekthalter 8 ebenfalls längs der Verlagerungsrichtung verlagerbar. 1 schematically shows in a meridional section a projection exposure system 1 for micro-lithography. To the projection exposure system 1 belongs to a radiation source 2 , A lighting system 3 the projection exposure system 1 has a lighting look 4 to expose one with an object field 5 coincident illumination field in an object plane 6 , The illumination field can also be larger than the object field 5 , This carries outside of the object field 5 falling radiation not for imaging the object field 5 in a picture field 11 at. An object in the form of an object field is exposed in this case 5 arranged reticle 7 that of an object or reticle holder 8th is held. The object holder 8th is about a object displacement drive 9 displaceable along a displacement direction. A projection optics 10 serves to represent the object field 5 in a picture field 11 in an image plane 12 , A structure is shown on the reticle 7 on a photosensitive layer in the area of the image field 11 in the picture plane 12 arranged wafers 13 , The wafer 13 is from a wafer holder, also not shown 14 held. The wafer holder 14 is about a wafer displacement drive 15 synchronized to the object holder 8th also displaceable along the displacement direction.
Bei der Strahlungsquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gasdischarge-produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser-produced plasma) handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron oder auf einem freien Elektronenlaser (FEL) basiert, ist für die Strahlungsquelle 2 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Strahlungsquelle findet der Fachmann beispielsweise aus der US 6,859,515 B2 . EUV-Strahlung 16, die von der Strahlungsquelle 2 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Ein entsprechender Kollektor ist aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 17 propagiert die EUV-Strahlung 16 durch eine Zwischenfokusebene 18, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel 19 mit einer Vielzahl von Feldfacetten 38 trifft. Der Feldfacettenspiegel 19 ist ein erster Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik 4. Der Feldfacettenspiegel 19 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Objektebene 6 optisch konjugiert ist. At the radiation source 2 It is an EUV radiation source with an emitted useful radiation in the range between 5 nm and 30 nm. It can be a plasma source, for example a GDPP source (plasma generation by gas discharge, gasdischarge-produced plasma) or an LPP source. Source (plasma generation by laser, laser-produced plasma) act. Also, a radiation source based on a synchrotron or on a free electron laser (FEL) is for the radiation source 2 used. Information about such a radiation source is the expert, for example from the US Pat. No. 6,859,515 B2 , EUV radiation 16 coming from the radiation source 2 emanating from a collector 17 bundled. A corresponding collector is from the EP 1 225 481 A known. After the collector 17 propagates the EUV radiation 16 through an intermediate focus level 18 before moving to a field facet mirror 19 with a variety of field facets 38 meets. The field facet mirror 19 is a first facet mirror of the illumination optics 4 , The field facet mirror 19 is in a plane of illumination optics 4 arranged to the object level 6 is optically conjugated.
Die EUV-Strahlung 16 wird nachfolgend auch als Beleuchtungsstrahlung, Beleuchtungslicht oder Abbildungslicht bezeichnet. The EUV radiation 16 is hereinafter also referred to as illumination radiation, illumination light or imaging light.
Nach dem Feldfacettenspiegel 19 wird die EUV-Strahlung 16 von einem Pupillenfacettenspiegel 20 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 20 ist ein zweiter Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik 4. Der Pupillenfacettenspiegel 20 ist in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Zwischenfokusebene 18 und zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist oder mit dieser Pupillenebene zusammenfällt. Der Pupillenfacettenspiegel 20 hat eine Mehrzahl von Pupillenfacetten 37, die in der 1 nicht dargestellt sind. Mit Hilfe der Pupillenfacetten 37 des Pupillenfacettenspiegels 20 und einer nachfolgenden abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertragungsoptik 21 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs bezeichneten Spiegeln 22, 23 und 24 werden Feldfacetten 38 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der letzte Spiegel 24 der Übertragungsoptik 21 ist ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing Incidence-Spiegel“).After the field facet mirror 19 becomes the EUV radiation 16 from a pupil facet mirror 20 reflected. The pupil facet mirror 20 is a second facet mirror of the illumination optics 4 , The pupil facet mirror 20 is in a pupil plane of the illumination optics 4 arranged to the Zwischenfokusebene 18 and to a pupil plane of the projection optics 10 is optically conjugated or coincides with this pupil plane. The pupil facet mirror 20 has a plurality of pupil facets 37 in the 1 are not shown. With the help of the pupil facets 37 of the pupil facet mirror 20 and a subsequent imaging optical assembly in the form of a transmission optics 21 with mirrors in the order of the beam path 22 . 23 and 24 become field facets 38 in the object field 5 displayed. The last mirror 24 the transmission optics 21 is a grazing incidence mirror.
Die Feldfacetten 38 des Feldfacettenspiegels 19 sind den Pupillenfacetten 37 des Pupillenfacettenspiegels 20 zur Ausbildung von Beleuchtungskanälen zur Beleuchtung des Objektfeldes 5 mit bestimmten Einfallswinkeln jeweils individuell zuordenbar.The field facets 38 of the field facet mirror 19 are the pupil facets 37 of the pupil facet mirror 20 for the education of Illumination channels for illuminating the object field 5 individually assignable with certain angles of incidence.
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der 1 ein kartesisches xyz-Koordinatensystem als globales Koordinatensystem für die Beschreibung der Lageverhältnisse von Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 eingezeichnet. Hierbei ist die z-Richtung jeweils parallel zur optischen Achse, das heißt zur zentralen Hauptstrahlrichtung ausgerichtet. Die x-Richtung verläuft in 1 senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Richtung ist in der 1 nach rechts laufend dargestellt. Sie ist im Bereich der Objektebene 6 parallel zur Verlagerungsrichtung des Objekthalters 8 und im Bereich der Bildebene 12 parallel zur Verlagerungsrichtung des Waferhalters 14. To facilitate the description of positional relationships is in the 1 a Cartesian xyz coordinate system as a global coordinate system for the description of the positional relationships of components of the projection exposure apparatus 1 between the object plane 6 and the picture plane 12 located. Here, the z-direction is in each case parallel to the optical axis, that is aligned to the central main radiation direction. The x-direction runs in 1 perpendicular to the drawing plane into this. The y direction is in the 1 shown running to the right. It is in the area of the object plane 6 parallel to the direction of displacement of the object holder 8th and in the area of the image plane 12 parallel to the direction of displacement of the wafer holder 14 ,
Eine Pupillenfacette 37 erzeugt ein Bild der zugeordneten Feldfacette 38 in der Objektebene 6. Das Bild der Feldfacetten 38 in der Objektebene 6 hat hierbei jeweils Abmessungen, welche vorteilhafterweise um höchstens 20 %, insbesondere um höchstens 10 % von denen des Objektfeldes 5 abweichen. Für den Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 ist es vorteilhaft, wenn das Bild einer Feldfacette 37 das Objektfeld 5 jeweils möglichst vollständig ausfüllt. Mit anderen Worten sind die Beleuchtungskanäle vorteilhafterweise derart ausgebildet, dass das Objektfeld 5 mit jedem der Beleuchtungskanäle möglichst vollständig, insbesondere zu mindestens 80 %, insbesondere zu mindestens 90 %, insbesondere zu mindestens 95 %, ausleuchtbar ist. Dieses gilt insbesondere auch in y-Richtung. Wird das Objektfeld 5 in y-Richtung von einem Bild einer Feldfacette 38 nur teilweise ausgefüllt, so wird vom Lichtleitwert, den die Projektionsoptik 10 transportieren kann, nur ein Teil ausgenutzt. Bei festem Lichtleitwert der Strahlungsquelle 2 und festen Toleranz- und Stabilitätsanforderungen an die Projektionsbelichtungsanlage 1 würde sich dann die Pupillenfüllung vergrößern, was die Abbildungsqualität der Projektionsbelichtungsanlage negativ beeinflussen kann. Dieser Stärke dieser unerwünschten Effektes kann dadurch quantifiziert werden, indem angegeben wird, welcher Anteil des Objektfeldes 5 vom Bild einer Feldfacette 38 jeweils ausgefüllt wird. Dieser Wert sei derart verstanden, dass die Differenz zwischen der größten y-Koordinate im Objektfeld 5 (relativ zur y-Koordinate der Mitte des Objektfeldes 5 für die entsprechende x-Koordinate) und der kleinsten y-Koordinate im Objektfeld 5 (relativ zur y-Koordinate der Mitte des Objektfeldes 5 für die entsprechende x-Koordinate) gebildet wird. Diese Definition bedeutet effektiv, dass der Lichtleitwertverlust, welche durch die Verdrehung des Bildes der Feldfacette 38 auf Grund der Abbildungsfehler der Pupillenfacette 37 auftritt, nicht berücksichtigt wird.A pupil facet 37 generates an image of the assigned field facet 38 in the object plane 6 , The image of the field facets 38 in the object plane 6 in this case has dimensions which are advantageously at most 20%, in particular at most 10% of those of the object field 5 differ. For the operation of the projection exposure machine 1 It is beneficial if the image of a field facet 37 the object field 5 each as completely as possible. In other words, the illumination channels are advantageously designed such that the object field 5 with each of the illumination channels as completely as possible, in particular at least 80%, in particular at least 90%, in particular at least 95%, can be illuminated. This is especially true in the y direction. Will the object field 5 in y-direction from an image of a field facet 38 only partially filled, so is the Lichtleitwert, the projection optics 10 can transport, only a part exploited. With a fixed optical conductivity of the radiation source 2 and fixed tolerance and stability requirements for the projection exposure equipment 1 The pupil filling would then increase, which can adversely affect the imaging quality of the projection exposure apparatus. This strength of this undesirable effect can be quantified by indicating what proportion of the object field 5 from the picture of a field facet 38 each filled out. This value is understood to mean that the difference between the largest y-coordinate in the object field 5 (relative to the y-coordinate of the center of the object field 5 for the corresponding x-coordinate) and the smallest y-coordinate in the object field 5 (relative to the y-coordinate of the center of the object field 5 for the corresponding x-coordinate) is formed. This definition effectively means that the light conductance loss caused by the rotation of the image of the field facet 38 due to the aberrations of the pupil facet 37 occurs, is not considered.
Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die 2 der erfindungsgemäße Aufbau des Facettenspiegels 19 näher beschrieben. Der Feldfacettenspiegel 19 hat eine x0/y0-Erstreckung, die je nach Ausführung beispielsweise 300 mm × 300 mm oder 600 mm × 600 mm beträgt. Der Facettenspiegel 19 umfasst eine Vielzahl von einfachen Facetten 38e. Die einfachen Facetten 38e weisen einfach zusammenhängende Facetten-Reflexionsflächen auf. Bei den einfachen Facetten 38e handelt es sich um makroskopische Spiegel mit einer Facetten-Reflexionsfläche von mindestens 10 mm2, insbesondere mindestens 50 mm2. Die Facetten-Reflexionsfläche der einfachen Facetten 38e entspricht, abgesehen von einer möglichen Skalierung, den Abmessungen des Objektfeldes 5. Sie weist insbesondere ein Aspektverhältnis von mindestens 8:1, insbesondere mindestens 13:1 auf. Die einfachen Facetten 38e sind vorzugsweise rechteckig oder bogenförmig ausgebildet. The following is with reference to the 2 the inventive structure of the facet mirror 19 described in more detail. The field facet mirror 19 has a x0 / y0 extent, which, depending on the design, for example, 300 mm × 300 mm or 600 mm × 600 mm. The facet mirror 19 includes a variety of simple facets 38e , The simple facets 38e have simply contiguous facet reflection surfaces. With the simple facets 38e these are macroscopic mirrors with a facet reflection surface of at least 10 mm 2 , in particular at least 50 mm 2 . The facet reflection surface of the simple facets 38e corresponds, apart from a possible scaling, the dimensions of the object field 5 , In particular, it has an aspect ratio of at least 8: 1, in particular at least 13: 1. The simple facets 38e are preferably rectangular or arcuate.
Die Anzahl der einfachen Facetten 38e liegt im Bereich von 20 bis 1000, insbesondere im Bereich von 50 bis 500. Sie sind vorzugsweise in mehreren Spalten 25 auf dem Feldfacettenspiegel 19 angeordnet. Die Spalten 25 sind jeweils durch einen zentralen, nichtreflektierenden Bereich 26 in Halbspalten 27 unterteilt. The number of simple facets 38e is in the range of 20 to 1000, in particular in the range of 50 to 500. They are preferably in several columns 25 on the field facet mirror 19 arranged. The columns 25 are each through a central, non-reflective area 26 in half columns 27 divided.
Wie in der 2 schematisch dargestellt ist, ist erfindungsgemäß vorgesehen, die einfachen Facetten 38e der zentralen oberen Halbspalte 27 durch zusammengesetzte Facetten 38z zu ersetzen. Der erfindungsgemäße Facettenspiegel 19 umfasst somit eine Mehrzahl von zusammengesetzten Facetten 38z. Die Anzahl zusammengesetzter Facetten 38z liegt im Bereich von 1 % bis 20 % der Gesamtzahl der Facetten 38 des Facettenspiegels 19. Die zusammengesetzten Facetten 38z weisen Facetten-Reflexionsfacetten auf, welche aus einer Vielzahl von Einzel-Reflexionsflächen von verlagerbaren Mikrospiegeln 28 zusammengesetzt sind. Die Mikrospiegel 28 haben Abmessungen im Bereich von 10 µm × 10 µm bis 2 mm × 2 mm. Sie weisen insbesondere Einzel-Reflexionsflächen mit einer Fläche von höchstens 5 mm2, insbesondere höchstens 10–6 m2, insbesondere höchstens 10–8 m2, insbesondere höchstens 10–10 m2 auf. Sie sind derart ausgebildet, dass ein von ihn reflektierter Anteil der Beleuchtungsstrahlung 16 jeweils einen Abschnitt des Objektfeldes 5 beleuchtet, dessen Fläche höchstens 1 %, insbesondere höchstens 1 ‰, insbesondere höchstens 0,1 ‰ der Fläche des gesamten Objektfeldes 5 beträgt. Die Mikrospiegel 28 weisen insbesondere identische Abmessungen auf. Für Details der Mikrospiegel 28 und der Ausbildung der zusammengesetzten Facetten 38z durch die Mikrospiegel 28 sei auf die WO 2009/100 856 A1 verwiesen, die vollumfänglich Bestandteil dieser Anmeldung sein soll. Like in the 2 is shown schematically, the invention provides the simple facets 38e the central upper half-column 27 through compound facets 38z to replace. The facet mirror according to the invention 19 thus comprises a plurality of composite facets 38z , The number of compound facets 38z ranges from 1% to 20% of the total number of facets 38 of the facet mirror 19 , The composite facets 38z have faceted reflection facets consisting of a plurality of individual reflection surfaces of displaceable micromirrors 28 are composed. The micromirrors 28 have dimensions in the range of 10 μm × 10 μm to 2 mm × 2 mm. In particular, they have individual reflection surfaces with an area of at most 5 mm 2, in particular at most 10 -6 m 2, in particular at most 10 -8 m 2, in particular at most 10 -10 m 2. They are designed such that a portion of the illumination radiation reflected by it 16 each a section of the object field 5 whose area is at most 1%, in particular at most 1 ‰, in particular at most 0.1 ‰ of the area of the entire object field 5 is. The micromirrors 28 have in particular identical dimensions. For details of the micromirrors 28 and the formation of compound facets 38z through the micromirrors 28 be on the WO 2009/100 856 A1 referenced, which should be fully incorporated into this application.
Die Mikrospiegel 28 sind in Modulen 29 angeordnet. Jedes der Module 29 umfasst mindestens 16, insbesondere mindestens 64, insbesondere mindestens 256 Mikrospiegel 28. Die Mikrospiegel 28 sind mittels Aktuatoren verlagerbar. Sie sind insbesondere modulweise von einer zentralen Steuer-Einrichtung steuerbar verlagerbar. Die Module 29 sind jeweils als mikro-elektromechanisches System (MEMS) ausgebildet. The micromirrors 28 are in modules 29 arranged. Each of the modules 29 comprises at least 16, in particular at least 64, in particular at least 256 micromirrors 28 , The micromirrors 28 are displaceable by means of actuators. In particular, they are controllably displaceable in modules by a central control device. The modules 29 are each designed as a micro-electro-mechanical system (MEMS).
Die Gesamtanzahl der Mikrospiegel 28 des Facettenspiegels 19 beträgt mindestens 1000, insbesondere mindestens 10000.The total number of micromirrors 28 of the facet mirror 19 is at least 1000, in particular at least 10000.
Die Mikrospiegel 28 sind quadratisch ausgebildet. Auch andere Formen, die eine möglichst lückenlose Belegung der Reflexionsfläche der zusammengesetzten Facetten 38z ermöglichen, sind möglich. Derartige alternative Mikrospiegel-Formen sind aus der mathematischen Theorie der Parkettierung bekannt. The micromirrors 28 are square shaped. Other forms, the most complete occupation of the reflection surface of the composite facets 38z are possible. Such alternative micromirror forms are known from the mathematical theory of tiling.
Die Mikrospiegel 28 jedes Moduls 29 sind in einer Matrix, das heißt einem Array, von Zeilen und Spalten angeordnet. Die Anordnung der Zeilen und Spalten der Arrays der Mikrospiegel 28 können relativ zum xyz-Koordinatensystem, insbesondere relativ zur Verlagerungsrichtung, verdreht sein. Sie können insbesondere um 45 ° verdreht sein. The micromirrors 28 every module 29 are arranged in a matrix, that is an array, of rows and columns. The arrangement of the rows and columns of the arrays of micromirrors 28 may be rotated relative to the xyz coordinate system, in particular relative to the direction of displacement. In particular, they can be twisted by 45 °.
Die Mikrospiegel 28 sind plan ausgebildet. Ihre Reflexionsfläche weist somit keine Krümmung auf. Sie weisen jeweils eine EUV-reflektierende Beschichtung, insbesondere eine mehrlagige Beschichtung auf. The micromirrors 28 are trained plan. Your reflection surface thus has no curvature. They each have an EUV-reflecting coating, in particular a multi-layer coating.
Der Abstand zweier benachbarter Mikrospiegel 28 desselben Moduls 29 beträgt höchstens 100 µm, insbesondere höchstens 50 µm, vorzugsweise höchstens 10 µm. Die Mikrospiegel 28 eines Moduls 29 sind somit im Wesentlichen lückenlos, das heißt dicht gepackt angeordnet. The distance between two adjacent micromirrors 28 same module 29 is at most 100 .mu.m, in particular at most 50 .mu.m, preferably at most 10 .mu.m. The micromirrors 28 a module 29 are thus essentially seamless, that is arranged densely packed.
Der Abstand zwischen benachbarten Modulen 29 kann größer sein als der Abstand benachbarter Mikrospiegel 28 desselben Moduls 29. The distance between adjacent modules 29 may be greater than the spacing of adjacent micromirrors 28 same module 29 ,
Jeder der Mikrospiegel 28 ist individuell unabhängig um zwei senkrecht aufeinander stehende Kippachsen verkippbar. Die beiden Kippachsen liegen in den Einzel-Reflexionsflächen der jeweiligen Mikrospiegel 28. Each of the micromirrors 28 is independently tiltable about two mutually perpendicular tilting axes. The two tilt axes lie in the individual reflection surfaces of the respective micromirrors 28 ,
Die Mikrospiegel 28 sind insbesondere individuell zwischen mindestens zwei Kippstellungen verkippbar ausgebildet. Hierbei trägt die von den jeweiligen Mikrospiegeln 28 reflektierte Beleuchtungsstrahlung 16 in der ersten Kippstellung zu einer Gesamtintensität der Beleuchtungsstrahlung 16 des jeweiligen Beleuchtungskanals im Objektfeld 5 bei. Es kann mehrere erste Kippstellungen geben, in denen die Beleuchtungsstrahlung 16 über verschiedene Pupillenfacetten 37 zum Objektfeld 5 geführt wird. In der zweiten Kippstellung der Mikrospiegel 28 wird die von den jeweiligen Mikrospiegeln 28 reflektierte Strahlung 16 nicht zum Objektfeld 5 geleitet und trägt somit nicht zur Gesamtintensität der Beleuchtungsstrahlung 16 des jeweiligen Beleuchtungskanals im Objektfeld 5 bei. Es ist somit mit anderen Worten möglich, sämtliche Mikrospiegel 28 einer zusammengesetzten Feldfacette 38z zur Führung der Beleuchtungsstrahlung 16 von der Strahlungsquelle 2 zum Objektfeld 5 zu verwenden oder einzelne der Mikrospiegel 28 auszuschalten. Hierdurch ist es möglich, die Gesamtintensität der einzelnen Strahlungskanäle im Bereich des Objektfeldes 5 durch Verkippung einer geeigneten Auswahl von Mikrospiegeln 28 an einen vorgegebenen Wert anzupassen. Hierdurch kann die Uniformität jedes einzelnen Strahlungskanals verbessert werden. Es ist insbesondere möglich, die Feldabhängigkeit der Pupille zu verringern.The micromirrors 28 are in particular designed individually tiltable between at least two tilt positions. This carries the from the respective micromirrors 28 reflected illumination radiation 16 in the first tilted position to a total intensity of the illumination radiation 16 of the respective illumination channel in the object field 5 at. There may be several first tilt positions in which the illumination radiation 16 about different pupil facets 37 to the object field 5 to be led. In the second tilt position of the micromirrors 28 becomes that of the respective micromirrors 28 reflected radiation 16 not to the object field 5 and thus does not contribute to the overall intensity of the illumination radiation 16 of the respective illumination channel in the object field 5 at. It is thus possible in other words, all micromirrors 28 a composite field facet 38z for guiding the illumination radiation 16 from the radiation source 2 to the object field 5 to use or single of the micromirrors 28 off. This makes it possible, the total intensity of the individual radiation channels in the field of the object field 5 by tilting a suitable selection of micromirrors 28 to adapt to a predetermined value. As a result, the uniformity of each individual radiation channel can be improved. In particular, it is possible to reduce the field dependence of the pupil.
Vorzugsweise ist mittels der Aktuatoren auch eine individuelle Verlagerung der Mikrospiegel 28 in z-Richtung möglich. Die Mikrospiegel 28 sind also separat voneinander ansteuerbar längs einer Normalen auf die Reflexionsfläche verlagerbar. Hierdurch kann die Topographie der Reflexionsfläche insgesamt verändert werden. Preferably, by means of the actuators also an individual displacement of the micromirrors 28 in z-direction possible. The micromirrors 28 are therefore separately controllable along a normal to the reflection surface displaced. As a result, the topography of the reflection surface can be changed overall.
Prinzipiell ist es auch möglich, einen Teil der Mikrospiegel 28 starr, das heißt nichtverlagerbar auszubilden. Allgemein sind zumindest einige der Mikrospiegel 28 verlagerbar. Vorzugsweise sind sämtliche Mikrospiegel 28 verlagerbar.In principle it is also possible to use a part of the micromirrors 28 rigid, that is, not displaceable. Generally, at least some of the micromirrors are 28 displaced. Preferably, all micromirrors are 28 displaced.
Die Mikrospiegel 28 sind jeweils derart in Gruppen gruppierbar, dass eine aus der Gesamtheit der Einzel-Reflexionsflächen einer der Gruppen gebildeten Gruppen-Reflexionsfläche jeweils die Form einer der einfachen Facetten 38e approximiert. The micromirrors 28 are each grouped into groups such that one of the totality of the individual reflection surfaces of one of the groups formed group reflection surface each have the shape of one of the simple facets 38e approximated.
Die Mikrospiegel 28 einer zusammengesetzten Feldfacette 38z können zu unterschiedlichen Einzelspiegel-Gruppen gehören.The micromirrors 28 a composite field facet 38z can belong to different individual mirror groups.
Die Anzahl der Mikrospiegel 28 einer zusammengesetzten Feldfacette 38z liegt im Bereich von 1 bis 106, insbesondere im Bereich von 150 bis 20000, insbesondere im Bereich von 400 bis 1500.The number of micromirrors 28 a composite field facet 38z is in the range of 1 to 10 6 , in particular in the range of 150 to 20,000, in particular in the range of 400 to 1500.
Die Gruppen-Reflexionsfläche der zusammengesetzten Facetten 38z ist somit die diskrete Summe der Einzel-Reflexionsflächen der zugehörigen Mikrospiegel 28. Durch individuelle Verlagerung der Mikrospiegel 28, insbesondere im Randbereich der zusammengesetzten Facetten 38z, kann die Approximierung der Form der einfachen Facetten 38e flexibel angepasst werden. Hierdurch ist es insbesondere möglich, die Anzahl der Mikrospiegel 28, welche zu jeder der zusammengesetzten Facetten 38z beitragen, flexibel anzupassen. Durch Verkippung einzelner Mikrospiegel 28 kann somit die von einer zusammengesetzten Facette 38z ins Objektfeld 5 reflektierte Intensität der Beleuchtungsstrahlung 16 ortsabhängig variiert werden. Dies kann zu einer sogenannten Uniformitätskorrektur verwendet werden. The group reflection surface of the composite facets 38z is thus the discrete sum of the individual reflection surfaces of the associated micromirrors 28 , By individual displacement of the micromirrors 28 , in particular in the edge region of the composite facets 38z , the approximation may be the shape of the simple facets 38e be flexibly adapted. This makes it possible, in particular, the number of micromirrors 28 . which to each of the compound facets 38z contribute, adapt flexibly. By tilting individual micromirrors 28 can thus be that of a compound facet 38z into the object field 5 reflected intensity of the illumination radiation 16 be varied depending on location. This can be used for a so-called uniformity correction.
Bei einem aus dem Stand der Technik bekannten Facettenspiegel, welcher ausschließlich einfache Facetten aufweist, kommt es im Bereich des Objektfeldes 5 zu einer Ortsabhängigkeit der Intensität eines Strahlungskanals. Die relevante Größe zur Charakterisierung einer derartigen Ortsabhängigkeit ist die sogenannte Gleichförmigkeit oder Uniformität. Bei einer als Scanner ausgebildeten Projektionsbelichtungsanlage 1 ist hierbei insbesondere das Integral der Intensität senkrecht zur Verlagerungsrichtung relevant. Die scanintegrierte Intensität im Bereich der Objektebene 6 ergibt sich durch Integration der Intensität des Beleuchtungslichts 16 entlang der Verlagerungsrichtung des Objekthalters 8, also durch Integration über die y-Koordinate, über den ausgeleuchteten Bereich der Objektebene 6. Die scanintegrierte Intensität ist die relevante Größe für die Quantifizierung der Gleichmäßigkeit der Ausleuchtung der Objektebene 6. Der Wert der scanintegrierten Intensität hängt von der Position senkrecht zur Verlagerungsrichtung in der Objektebene 6 ab, also von der x-Koordinate. Neben der totalen scanintegrierten Intensität, also dem Integral über die gesamte Intensität des Beleuchtungslichts 16 in der Objektebene 6, kann auch eine scanintegrierte Intensität definiert werden, welche nur das Beleuchtungslicht 16 umfasst, welches über eine bestimmte zusammengesetzte Feldfacette 38z des Feldfacettenspiegels 19 geführt wurde.In a known from the prior art facet mirror, which has only simple facets, it comes in the field of the object field 5 to a location dependence of the intensity of a radiation channel. The relevant quantity for characterizing such a location dependence is the so-called uniformity. In a trained as a scanner projection exposure system 1 In this case, in particular, the integral of the intensity perpendicular to the direction of displacement is relevant. The scan-integrated intensity in the area of the object plane 6 results from integration of the intensity of the illumination light 16 along the direction of displacement of the object holder 8th , ie by integration over the y-coordinate, over the illuminated area of the object plane 6 , The scan-integrated intensity is the relevant quantity for the quantification of the uniformity of the illumination of the object plane 6 , The value of the scan-integrated intensity depends on the position perpendicular to the direction of displacement in the object plane 6 from the x-coordinate. In addition to the total scan-integrated intensity, ie the integral over the entire intensity of the illumination light 16 in the object plane 6 , it is also possible to define a scan-integrated intensity, which is only the illumination light 16 which is about a particular composite field facet 38z of the field facet mirror 19 was led.
Für einige Anwendungen ist es entscheidend, das Objektfeld 5 mit einer hohen Gleichmäßigkeit zu beleuchten. Zur Verbesserung der Gleichmäßigkeit der Beleuchtung wird üblicherweise eine beispielsweise aus der EP 0 952 491 A2 bekanntes Uniformitätskorrekturvorrichtung basierend auf räumlichen Abblenden eingesetzt. Eine derartige Uniformitätskorrekturvorrichtung begrenzt jedoch die Abbildungsqualität eines Beleuchtungssystems 3 signifikant. Es führt insbesondere dazu, dass effektiv nur ein kleiner Teil des Lichtleitwerts eines derartigen Beleuchtungssystems 3 genutzt wird. Grund ist, dass die Bilder der Feldfacetten 38 im Objektfeld 5 gegeneinander verschoben sind und daher nicht mehr überlagert werden können. Somit kann jedes Bild nur einen Teil des Objektfeldes 5 ausleuchten.For some applications, it is crucial to have the object field 5 to illuminate with a high uniformity. To improve the uniformity of the lighting is usually a example of the EP 0 952 491 A2 known uniformity correction device based on spatial dimming used. However, such a uniformity correction device limits the imaging quality of a lighting system 3 significant. In particular, it results in that only a small part of the optical conductivity of such a lighting system 3 is being used. Reason is that the pictures of the field facets 38 in the object field 5 are shifted against each other and therefore can not be superimposed. Thus, each image can only be part of the object field 5 illuminate.
Ohne eine Uniformitätskorrekturvorrichtung weist die Intensität der Beleuchtungsstrahlung 16 im Objektfeld 5, wie exemplarisch durch die Kurve 31 in 3 dargestellt ist, eine starke Ungleichmäßigkeit oder Non-Uniformität auf. Ein Hauptgrund für diese Ungleichmäßigkeit besteht in der Charakteristik der Lichtquelle.Without a uniformity correction device, the intensity of the illumination radiation is indicative 16 in the object field 5 , as exemplified by the curve 31 in 3 is shown to have a strong unevenness or non-uniformity. One main reason for this unevenness is the characteristic of the light source.
Bei der erfindungsgemäßen Ausbildung des Facettenspiegels 19 ist dieser Ungleichmäßigkeit außerdem eine Feinstruktur aufgrund der unvermeidlichen Abstände benachbarter Mikrospiegel 28 desselben Moduls 29 einerseits sowie insbesondere benachbarter Module 29 andererseits überlagert. In the inventive design of the facet mirror 19 Moreover, this unevenness is a fine structure due to the inevitable spacing of adjacent micromirrors 28 same module 29 on the one hand, and in particular adjacent modules 29 on the other hand superimposed.
Da jeder Mikrospiegel 28 jedoch nur einen kleinen Bereich des Objektfelds 5 beleuchtet, kann durch Ausschalten einzelner Mikrospiegel 28, das heißt durch Verkippen derselben, erreicht werden, dass die von ihnen reflektierte Beleuchtungsstrahlung 16 nicht mehr das Objektfeld 5 erreicht. Somit kann die Intensität im Objektfeld 5 örtlich verringert, das heißt angepasst werden. Hierdurch ist es möglich, die Gleichförmigkeit der Beleuchtung des Objektfeldes 5 wesentlich zu verbessern. Dies ist exemplarisch in der Kurve 32 der 3 dargestellt. Because every micromirror 28 however, only a small area of the object field 5 Illuminated, by turning off individual micromirrors 28 , that is, by tilting the same, can be achieved that the illumination radiation reflected by them 16 no longer the object field 5 reached. Thus, the intensity in the object field 5 locally reduced, that is adapted. This makes it possible, the uniformity of the illumination of the object field 5 significantly improve. This is an example in the curve 32 of the 3 shown.
Erfindungsgemäß wurde gefunden, dass es zur Korrektur der Gleichmäßigkeit genügt, lediglich einen Teil der Facetten 38 als zusammengesetzte Facetten 38z auszubilden. Es genügt insbesondere, lediglich 20 %, insbesondere lediglich 15 % der Facetten 38, insbesondere lediglich 10 %, insbesondere lediglich 5 % derselben als zusammengesetzte Facetten 38z auszubilden. According to the invention, it has been found that it is sufficient to correct the uniformity, only a part of the facets 38 as compound facets 38z train. It is sufficient in particular, only 20%, in particular only 15% of the facets 38 , in particular only 10%, in particular only 5% thereof as composite facets 38z train.
Es ergab sich hierbei, dass eine Gesamtuniformität, das heißt die scanintegrierte Gesamtintensität der Beleuchtungsstrahlung 16 nach Summation der scanintegrierten Intensität über sämtliche Feldfacetten 38, von besser als 1 %, insbesondere besser als 0,5 %, insbesondere besser als 0,2 % gewährleistet werden kann. It turned out that a total uniformity, that is the scan integrated total intensity of the illumination radiation 16 after summation of the scan-integrated intensity over all field facets 38 , better than 1%, in particular better than 0.5%, in particular better than 0.2% can be guaranteed.
Die Ausbildung des Facettenspiegels 19 einfachen Facetten 38e und zusammengesetzten Facetten 38z wurde vorhergehend unter Bezugnahme auf den Feldfacettenspiegel 19 und die Feldfacetten 38 beschrieben. Eine entsprechende Ausbildung ist auch für den Pupillenfacettenspiegel 20 mit den Pupillenfacetten 37 möglich. The formation of the facet mirror 19 simple facets 38e and compound facets 38z was previously described with reference to the field facet mirror 19 and the field facets 38 described. An appropriate training is also for the pupil facet mirror 20 with the pupil facets 37 possible.
Im Folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren zur Beleuchtung des Objektfeldes 5 mit dem vorhergehend beschriebenen Beleuchtungssystem 3 beschrieben. Zunächst wird das abzubildende Retikel 7, welches allgemein eine zu beleuchtende Struktur bildet, im Objektfeld 5 der Beleuchtungsoptik 4 bereitgestellt. Sodann wird ein Beleuchtungssetting mit Beleuchtungskanälen einer bestimmten Intensitäts- und Einfallswinkelverteilung eingestellt. Hierbei werden zumindest einige der zusammengesetzten Facetten 38z durch eine Verlagerung einer Anzahl ihrer Mikrospiegel 28 derart angepasst, dass die scanintegrierte Intensität im Objektfeld 5 ortsabhängig um höchstens 5 %, insbesondere höchstens 1 %, insbesondere höchstens 0,5 %, insbesondere höchstens 0,2 % von einem Mittelwert abweicht, wobei ihr Bild im Objektfeld 5 jeweils mindestens 80 %, insbesondere mindestens 90 %, insbesondere mindestens 95 % des Objektfeldes 5 ausfüllt.In the following, the inventive method for illuminating the object field 5 with the illumination system described above 3 described. First, the reticle to be imaged 7 , which generally forms a structure to be illuminated, in the object field 5 the illumination optics 4 provided. Then, an illumination setting is set with illumination channels of a specific intensity and angle of incidence distribution. Here are at least some of the compound facets 38z by shifting a number of their micromirrors 28 adjusted so that the scan-integrated intensity in the object field 5 depending on location at most 5%, in particular at most 1%, in particular at most 0.5%, in particular at most 0.2%, deviates from an average value, with its image in the object field 5 in each case at least 80%, in particular at least 90%, in particular at least 95% of the object field 5 fills.
Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird der Wafer 13, auf den zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, bereitgestellt und anschließend zumindest ein Abschnitt des Retikels 7 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 auf denselben projiziert. Anschließend wird die mit der Beleuchtungsstrahlung 16 belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 13 entwickelt. Bei dem mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteil handelt es sich beispielsweise um einen Halbleiterchip.The wafer is used to produce a microstructured or nanostructured component 13 on which at least partially a layer of a photosensitive material is applied, provided, and then at least a portion of the reticle 7 with the help of the projection exposure system 1 projected onto it. Subsequently, the with the illumination radiation 16 exposed photosensitive layer on the wafer 13 developed. The microstructured or nanostructured component is, for example, a semiconductor chip.
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
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DE 102008009600 A1 [0002] DE 102008009600 A1 [0002]
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DE 102009045694 A1 [0002] DE 102009045694 A1 [0002]
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US 6859515 B2 [0022] US Pat. No. 685,951 B2 [0022]
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EP 1225481 A [0022] EP 1225481 A [0022]
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WO 2009/100856 A1 [0030] WO 2009/100856 A1 [0030]
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EP 0952491 A2 [0047] EP 0952491 A2 [0047]
