JP2017512375A - チャンバコーティング - Google Patents
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Abstract
一実施形態では、処理チャンバの少なくとも1つの表面がSivYwMgxAlyOzを含むコーティングを有する、処理チャンバが開示され、SivYwMgxAlyOzにおいて、vは約0.0196から0.2951までの範囲にわたり、wは約0.0131から0.1569までの範囲にわたり、xは約0.0164から0.0784までの範囲にわたり、yは約0.0197から0.1569までの範囲にわたり、zは約0.5882から0.6557までの範囲にわたり、v+w+x+y+z=1である。【選択図】図1
Description
本開示の実施形態は概して、コーティング、及び、コーティングを使用してチャンバ性能を改善する方法に関する。
半導体製造工場(FAB)が半導体基板(すなわちウエハ)を処理する速度は、半導体業界における企業の存続可能性及び採算性にとって重要である。基板処理速度、又はスループットを低下させる一般的な問題は、処理チャンバの作動実行時間の累計が増大するにつれて、かかる処理チャンバの性能が衰えることである。たとえ単一のチャンバの処理時間の増大であっても、FABの稼働に予想不可能性を付加し、そのことが、処理におけるボトルネックにつながりうる。チャンバ洗浄方法の改善は、チャンバ性能の劣化を幾分軽減してきたが、この改善は、現在のスループット要求に対して十分ではない。
従って、必要とされているのは、処理チャンバ性能の経時的な低下を防止するための方法である。
本開示の実施形態は、処理チャンバをコーティングする組成物と、チャンバ性能の経時的な低下を防止する、基板を処理する方法とを対象とする。
一実施形態では、処理チャンバの少なくとも1つの表面がSivYwMgxAlyOzを含むコーティングを有する、処理チャンバが開示されており、SivYwMgxAlyOzにおいて、vは約0.0196から0.2951までの範囲にわたり、wは約0.0131から0.1569までの範囲にわたり、xは約0.0164から0.0784までの範囲にわたり、yは約0.0197から0.1569までの範囲にわたり、zは約0.5882から0.6557までの範囲にわたり、v+w+x+y+z=1である。
別の実施形態では、SivYwMgxAlyOzを含む分子構造を有する組成物が開示されており、SivYwMgxAlyOzにおいて、vは約0.0196から0.2951までの範囲にわたり、wは約0.0131から0.1569までの範囲にわたり、xは約0.0164から0.0784までの範囲にわたり、yは約0.0197から0.1569までの範囲にわたり、zは約0.5882から0.6557までの範囲にわたり、v+w+x+y+z=1である。
別の実施形態では、基板を処理する方法が開示される。方法は、処理チャンバの内部でプラズマ又はラジカルを生成すること、或いは、処理チャンバの中にプラズマ又はラジカルを導入することを含み、その処理チャンバは、SivYwMgxAlyOzでコーティングされた少なくとも1つの表面を有し、SivYwMgxAlyOzにおいて、vは約0.0196から0.2951までの範囲にわたり、wは約0.0131から0.1569までの範囲にわたり、xは約0.0164から0.0784までの範囲にわたり、yは約0.0197から0.1569までの範囲にわたり、zは約0.5882から0.6557までの範囲にわたり、v+w+x+y+z=1である。
本開示の上述の特徴を詳細に理解しうるように、上記で簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態は付随する図面に例示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、付随する図面はこの開示の典型的な実施形態しか例示しておらず、従って、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
理解を容易にするため、可能な限り、複数の図に共通する同一の要素を指し示すためには同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び/又はプロセスステップは、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれうると想定される。
本開示の様々な実施形態の説明が例示目的で提示されてきたが、それらは、網羅的であることが意図されているわけではない。当業者には、説明されている実施形態の範囲及び本質から逸脱することなく、多数の修正例及び変形例が自明となろう。本書で使用される用語は、実施形態の原理、実践的応用、又は、市場に既存の技術を凌駕する技術的改良を最もよく説明するため、或いは、本書で開示されている実施形態の他の当業者による理解を可能にするために、選択された。
本開示の実施形態は、処理チャンバの構成要素をコーティングする組成物と、チャンバ性能の経時的な低下を防止する、基板を処理する方法とを対象とする。組成物は、SivYwMgxAlyOzを含む分子構造を有する。処理チャンバは、SivYwMgxAlyOzを含む分子構造を有する組成物でコーティングされた、少なくとも1つの表面を備える。この分子構造において、vは約0.0196から0.2951までの範囲にわたり、wは約0.0131から0.1569までの範囲にわたり、xは約0.0164から0.0784までの範囲にわたり、yは約0.0197から0.1569までの範囲にわたり、zは約0.5882から0.6557までの範囲にわたり、v+w+x+y+z=1である(不純物を除く)。コーティングされた表面は、チャンバの稼働中に、例えば、プラズマ、ラジカル、又はその両方に曝露される表面でありうる。基板を処理する方法は、処理チャンバの内部でプラズマ又はラジカルを生成すること、或いは、処理チャンバの中にプラズマ又はラジカルを導入することを含み、処理チャンバは、SivYwMgxAlyOzでコーティングされた少なくとも1つの表面を有する。コーティングにおいて、vは約0.0196から0.2951までの範囲にわたり、wは約0.0131から0.1569までの範囲にわたり、xは約0.0164から0.0784までの範囲にわたり、yは約0.0197から0.1569までの範囲にわたり、zは約0.5882から0.6557までの範囲にわたる。コーティングされた表面は、チャンバの稼働中に、例えば、プラズマ、ラジカル、又はその両方に曝露される表面でありうる。処理チャンバ表面上のSivYwMgxAlyOzコーティングは、チャンバ性能の経時的な低下を、無くさないとしても、著しく減少させうる。
処理チャンバ内で生成されるプラズマ及び/又はラジカルに直接接触する処理チャンバ材料は、高品質な薄膜の作製のために重要である。一般的に、プラズマ及び/又はラジカルに接触するチャンバ表面はシリカ又はアルミニウムで構成され、シリカとアルミニウムは両方とも、プラズマプロセスにおいて生成されうる水素ラジカルを消費し、意図されるプロセスを実施するための水素ラジカルは少ししか残らない。理論によって限定するわけではないが、従来型の洗浄プロセスでアルミニウム表面はフッ化アルミニウムに転化され、次いで、水素ラジカルに関係するプロセスにおいて、水素ラジカルがフッ化アルミニウムを水素化アルミニウムに変換させると考えられる。チャンバ稼働時間の累計が増大するにつれて、フッ化アルミニウムの表面層は厚くなり、処理速度のより劇的な低下までもがもたらされる。
酸化アルミニウム、シリコン、マグネシウム、及びイットリウムを含む分子構造を有する組成物(以下「AsMY」コーティング)でコーティングされた処理チャンバ表面は、従来型の表面と比較して、水素ラジカルを(消費するとしても)著しくわずかしか消費しない。そのため、プラズマ、及び/又は、水素ラジカルのようなラジカルに曝露される処理チャンバの表面をAsMYでコーティングすることで、チャンバ性能が改善され、高品質なフィルムの形成が可能になる。処理チャンバ表面上のAsMYコーティングは、チャンバ性能の経時的な低下を、無くさないとしても、著しく減少させうる。加えて、チャンバ表面をAsMYでコーティングすることで、処理チャンバの内表面の耐プラズマ浸食性が改善される。
一実施形態では、AsMYは、以下のプロセスによって作製される。Al2O3、SiO2、MgO、及びY2O3の原料粉末を、ボールミリングプロセスを使用して十分に混ぜ合わせる。原料粉末は、低くとも98%以上の純度、例えば約99.9%の純度を有する。原料粉末のサイズは、約10ナノメートル(nm)から約100ミクロン(μm)まで、例としては約5μmから約15μm、例えば約10μmでありうる。水:粉末:ボールの重量比は約1:1:2でありうる。Al2O3、SiO2、MgO、及びY2O3の混合物は、モルパーセント単位で以下の比率を有しうる。SiO2:10〜90%、Y2O3:2〜50%、MgO:5〜40%、及び、Al2O3:3〜40%。例えば、比率は、モルパーセント単位で、SiO2:20〜60%、Y2O3:8〜25%、MgO:12〜25%、及び、Al2O3:10〜35%でありうる。特定の例においては、混合比率は、56.8モルパーセントのSiO2、10.2モルパーセントのY2O3、18モルパーセントのMgO、及び15.0モルパーセントのAl2O3でありうる。別の代表的な例においては、混合比率は、90.0モルパーセントのSiO2、2.0モルパーセントのY2O3、5.0モルパーセントのMgO、及び、3.0モルパーセントのAl2O3でありうる。別の実施形態においては、混合比率は、10%のSiO2、50%のY2O3、20%のMgO、及び20%のAl2O3でありうる。原料粉末が十分に混合された後に、混合物は、約1400℃から約1800℃までの範囲にわたる温度で、約120分間溶融されうる。溶融された原料粉末の混合物は次いで、大気/水まで急冷されて、AsMYガラスを形成しうる。
AsMYガラスは次いで、砕かれて小粒子にされうる。小粒子のサイズは、約100nmから約10μmの範囲にわたりうる。砕かれたAsMYは次いで、バインダと混合されうる。バインダは、例えばポリビニルアルコール(PVA)でありうる。バインダは次いで、脱イオン水に溶解されて溶液となる。一例では、水に対するバインダの質量比は3:97である。溶液に対する砕かれたAsMYの比は、約20:100から約45:100、例えば30:100でありうる。溶液とAsMYガラス粉末が混ぜ合わされた後に、混合物は、噴霧乾燥されて顆粒状粒子を生成する。顆粒状粒子のサイズは、約20〜50μmの範囲にわたりうる。一実施形態では、D50粒度分布(すなわち、累積分布における50%の粒子径の中央値)は約30μmである。
別の実施形態では、AsMYは、溶融と急冷のプロセスによって作製される。Al2O3、SiO2、MgO、及びY2O3の原料粉末を、十分に混合し、石英るつぼの中に入れる。混合された粉末は、摂氏約1,500度まで加熱される。るつぼがヒータを使用して加熱されうるか、又は、プラズマが粉末を加熱するために使用されうる。溶融物は次いで、急冷されて断片にされ、断片はボールミリングされて顆粒状粒子となる。粒子は次いで、(バインダを用いて、又は用いずに)噴霧乾燥される。一実施形態では、顆粒状粒子のD50粒度分布は約30μmである。
上記の実施形態では、実質的に球形の粒子が作り出される。しかし、別の実施形態では、非対称的又は不揃いな粒子が作り出されうる。不揃いな粒子を作り出すことは、ボールミリング後の粒子の選別を除いて、上記のプロセスと同様であり、噴霧乾燥プロセスは省略される。ミリングの後に、粒子は選別されうる。一実施形態では、不揃いな粒子のD50粒度分布は約30μmである。別の実施形態では、不揃いな粒子のD50粒度分布は約45μmである。
粒子は、熱溶射プロセス、例えばプラズマ溶射プロセスによって、処理チャンバの構成要素に付けられうる。AsMYコーティングは、ガラス(非晶体)又はガラスセラミック(非晶相及び一又は複数の結晶相を有する物質)でありうる。ガラスAsMYコーティングを得るためには、構成要素の温度は150℃を下回ってよく、かつ/又は、構成要素とプラズマガンとの間の動作距離は、ガラスセラミックコーティングを行う時よりも長くなる。ガラスセラミックAsMYコーティングを得るためには、構成要素の温度は400°Cを上回ってよく、かつ/又は、構成要素とプラズマガンとの間の動作距離は、ガラスコーティングを行う時よりも短い距離になりうる。
プラズマ溶射プロセスにおいて、構成要素の温度は、セラミック構成要素上の、非晶質AsMYコーティングのためにはおよそ150℃に、ガラスセラミックコーティングのためにはおよそ450℃に維持されうる。AsMYコーティングは、それが約20〜300μmの、例としては100〜250μmの、例えば200μmの厚みを有するようになるまで付けられうる。AsMYコーティングは、処理チャンバの構成要素に直接付けられうるか、又は、処理チャンバの構成要素の表面上に堆積したコーティングのような層として付けられうる。
表1は、処理チャンバの構成要素をコーティングする熱溶射プロセスのための、例示的なパラメータを含む。
最終コーティングは、SivYwMgxAlyOzという分子構造であって、vは約0.0196から約0.2951までの範囲にわたり、wは約0.0131から約0.1569までの範囲にわたり、xは約0.0164から約0.0784までの範囲にわたり、yは約0.0197から約0.1569までの範囲にわたり、zは約0.5882から約0.6557までの範囲にわたる、分子構造を含みうる。例えば、vは約0.0393から約0.118までの範囲にわたってよく、wは約0.0213から約0.0634までの範囲にわたってよく、xは約0.0119から約0.0356までの範囲にわたってよく、yは約0.0221から約0.0663までの範囲にわたってy0おく、zは約0.155から約0.466までの範囲にわたりうる。例えば、この分子構造は、Si0.171Y0.062Mg0.054Al0.090O0.623、又は、およそSi0.171Y0.062Mg0.054Al0.090O0.623でありうる。別の実施形態では、この分子構造は、およそSi4Y2Mg2Al3O14でありうる。
AsMYでコーティングされうる表面は、処理チャンバの構成要素の任意の表面、例えば、コーティング及び/又はその下にある材料を劣化させうるプラズマ及び/又はラジカルに曝露されうる表面を含む。ラジカルは、処理チャンバの内部で生成されるか、又は処理チャンバの中に導入される、水素ラジカル又はフッ素ラジカルを含む。水素ラジカルは、プラズマによって、熱線化学気相堆積装置によって、又は他の好適な手段によって、生成されうる。フッ素ラジカルは、チャンバ洗浄プロセスにおいて、処理チャンバ内で生成されうるか、又は処理チャンバの中に導入されうる。いくつかの実施形態では、プラズマ溶射されたAsMYコーティングは、コーティングの特性を強化するために熱処理されうる。
本書において、「処理チャンバの構成要素(processing chamber component)」は、チャンバの壁と、例えばシャワーヘッド、バッフル、ブロッカプレート、及び基板支持体といった処理チャンバの内部に包含される任意の構成要素と、例えば遠隔プラズマ源システム、ガス供給システム、及び真空システムといったチャンバに連結された任意の構成要素とを含む。AsMYコーティングから恩恵を得ることができる代表的な処理表面が、図1に関連して例示されている。
図1は、AsMYコーティングから恩恵を得ることができる表面を有する、流動性化学気相堆積チャンバ100の断面図である。流動性化学気相堆積チャンバが例示されているが、本開示の実施形態は、例えば化学気相堆積チャンバ、エッチチャンバ、物理気層堆積チャンバ、及び原子層堆積チャンバといった、任意のチャンバに適用可能である。チャンバ100は、チャンバ本体101と、ドーム111と、バッキング板121と、遠隔プラズマ源システム141とを有する。チャンバ本体101は、チャンバ本体側壁102とプロセス容積103とを有する。側壁102は、チャンバ本体101の内部表面を含む。プロセス容積103は、デュアルチャネルシャワーヘッド104及び側壁102によって画定された容積である。基板(図示せず)が処理される際に基板を上に載せうる基板支持体(こちらも図示せず)は、プロセス容積103の中に配置されうる。
チャンバ本体101は、デュアルチャネルシャワーヘッド104を有する。デュアルチャネルシャワーヘッド104は、2組の化学反応が、デュアルチャネルシャワーヘッドの内部で互いに影響しあうことなくプロセス容積103の中へと移行することを可能にするよう構成された、2組の開孔を有する。デュアルチャネルシャワーヘッド104は、ガス入口105を通じて一又は複数のガス源(図示せず)に連結されうる。ガス入口105は、デュアルチャネルシャワーヘッド104の1組の開孔を通じて、プロセス容積103の中へとガスを導入しうる。プラズマ及び他の反応性核種は、デュアルチャネルシャワーヘッド104の開孔の第2の組を通じて、プロセス容積103に入りうる。「ガス(gas及びgases)」という用語は、別途明記されない限り、交換可能に使用され、一又は複数の前駆体、反応物質、触媒、キャリア、パージ、洗浄剤、それらの組み合わせ、並びに、処理チャンバ100の中、例えばプロセス容積103の中へと導入される他の任意の流体を表す。
ドーム111は、デュアルチャネルシャワーヘッド104の上方に配置され、チャンバ本体101に連結される。ドーム111は、ガス、及び、遠隔プラズマ源システム141からの水素含有プラズマ又はフッ素含有プラズマのようなプラズマを受容しうる、容積を提供する。ドーム111は、ドーム側壁112及びバッフル114を含む。バッフル114は、デュアルチャネルシャワーヘッド104の上方に、それとは接触しないように配置される。バッフル114は、ガス供給ブロック113から出るガス及びプラズマを拡散させる。
ガス供給ブロック113は、バッキング板121からドーム111内に突出していてよく、1つの表面で遠隔プラズマ源システム141に、別の表面でバッキング板121に、連結される。バッキング板121は、ドーム111の上方に配置され、ドーム111に連結される。ガス供給ブロック113は内部表面115を有し、内部表面115は、ガス及びプラズマがガス供給ブロック113を通って移動する際にガス及びプラズマと接触する。
遠隔プラズマ源システム141は、遠隔プラズマ源(図示せず)と、チョーカー148と、遠隔プラズマ導管146と、心出しリング144と、遠隔プラズマ源ブラケット142とを含む。遠隔プラズマ源は遠隔プラズマを生成し、遠隔プラズマは、プロセス容積103のような処理領域とは分離した領域で作り出されたプラズマである。遠隔プラズマ源は、一方の端部でチョーカー148に連結し、他方の端部で遠隔プラズマ源ブラケット142の表面に連結してよいが、それは図示されていない。チョーカー148は、内部表面149を有する。チョーカー148は、遠隔プラズマ導管146に連結する。遠隔プラズマ導管146は、内部表面147を有する。遠隔プラズマ導管は、遠隔形成されたプラズマを、遠隔プラズマ源から心出しリング144へと供給する。遠隔プラズマ導管146は、心出しリング144に連結する。心出しリング144は、内部表面145を有する。心出しリング144は、プラズマがドーム111の容積に供給されうるように、遠隔プラズマ導管146から出てくる遠隔形成されたプラズマを、ガス供給ブロック113の内部表面と位置合わせする。心出しリング144は、遠隔プラズマ源ブラケット142に連結する。遠隔プラズマ源ブラケット142は、内部表面143を有する。遠隔プラズマ源ブラケット142は、遠隔プラズマ源のための構造支持体を提供する。
チャンバ100の稼働中に、遠隔プラズマ源からのプラズマとプラズマによって生成されたラジカルは、チョーカー148、遠隔プラズマ導管146、心出しリング144、遠隔プラズマ源ブラケット142、及びガス供給ブロック113を通って、ドーム111の中へと移動し、そこでバッフル114と接触した後に、デュアルチャネルシャワーヘッド104を通ってプロセス容積103の中へと移動する。プラズマとラジカルが遠隔プラズマ源からプロセス容積103へと移動するにつれて、プラズマとラジカルは、チョーカー148の内部表面149、遠隔プラズマ導管146の内部表面147、心出しリング144の内部表面145、遠隔プラズマ源ブラケット142の内部表面143、及びガス供給ブロック113の内部表面115に接触して、ドーム111の中に入り、そこで、ドーム側壁112、バッフル114、及びデュアルチャネルシャワーヘッド104の上面132、並びにデュアルチャネルシャワーヘッド104の開孔に接触した後に、デュアルチャネルシャワーヘッド104を通ってプロセス容積103の中へと移動する。プロセス容積103の中で、プラズマとラジカルは、チャンバ本体101の側壁102に接触し、デュアルチャネルシャワーヘッド104の底面に接触しうる。
処理チャンバの内部で生成されるか、処理チャンバの中に導入されるプラズマ及びラジカルと接触しうる、全てのチャンバ表面は、AsMYコーティングから恩恵を得ることができる。本書に記載のAsMYコーティングは、アルミニウム(Al)、セラミック及びグラファイトを含むがそれらだけに限定されるわけではない、多種多様な材料上に使用されうる。図1の代表的な例では、少なくとも、側壁102と、デュアルチャネルシャワーヘッド104の上面及び底面、並びに開孔と、バッフル114と、ガス供給ブロック113の内部表面115と、遠隔プラズマ源ブラケット142の内部表面143と、心出しリング144の内部表面145と、遠隔プラズマ導管146の内部表面147と、チョーカー148の内部表面149とが、コーティング150として図示されているAsMYコーティングから恩恵を得ることができる。種々の処理チャンバは、AsMYコーティングから恩恵を得る種々の表面を有しうる。例えば、単一チャネルシャワーヘッド又はブロッカプレートを有するチャンバは、単一チャネルシャワーヘッド及び/又はブロッカプレートをAsMYでコーティングすることで、恩恵を得るだろう。ブロッカプレートは、ガスの分配を支援するために、ガス源とガス分配プレートとの間に含まれうる。ブロッカプレートは、ガス分配プレートを通過する前のガスの分配に役立つ、複数の離間した穴を含みうる。更なる代表的な例としては、異なる遠隔プラズマ源システム構成を有するチャンバは、AsMYコーティング(例えばコーティング150)から恩恵を得る、種々の遠隔プラズマ源システム構成要素を有するだろう。
図2は、処理チャンバの単一の表面のみがAsMY(例えばコーティング150)でコーティングされる場合の処理チャンバ性能の向上を示すグラフ200である。遠隔プラズマ源と、AsMYでコーティングされた上面132を有するデュアルチャネルシャワーヘッド104とが装備された処理チャンバ内での、カーボンフィルムのエッチング速度を、コーティングされていないデュアルチャネルシャワーヘッドを装備したチャンバ内でのカーボンフィルムのエッチング速度と比較した。比較は、0.5Torr及び1.0Torrの圧力下で実行された。全ての事例において、エッチングは純水素プラズマ中で実行され、水素ガスは1500sccmで供給され、温度は300℃であった。0.5Torrでは、AsMYでコーティングされたデュアルチャネルシャワーヘッドを使用してのエッチング速度は382A/分であり、コーティングされていないデュアルチャネルシャワーヘッドのエッチング速度は115A/分であった。AsMYでコーティングされたデュアルチャネルシャワーヘッドを使用してのエッチング速度は、コーティングされていないデュアルチャネルシャワーヘッドのエッチング速度の3倍を上回る速さであった。1Torrでは、AsMYでコーティングされたデュアルチャネルシャワーヘッドを用いたエッチング速度は222A/分であり、コーティングされていないデュアルチャネルシャワーヘッドのエッチング速度は82A/分であった。AsMYでコーティングされたデュアルチャネルシャワーヘッドを用いたエッチング速度は、コーティングされていないシャワーヘッドを用いたエッチング速度の3倍に迫る速さであった。
プラズマ溶射されたAsMYコーティングは、他のプラズマ溶射されたコーティングよりも、より平坦になり、亀裂が少なくなり、粒子汚染の可能性が減少する。プラズマ溶射されたAsMYコーティングを、プラズマ溶射されたY2O3コーティング、及び、Y4Al2O9とY2O3−ZrO2の固溶体との混合物(この混合物は以下「HPM」と称される)を含有する、プラズマ溶射されたコーティングと比較した。HPM、Y2O3、及びAsMYの有孔率は、それぞれ、約2.5%、約3%、及び約0.25〜1.0%である。HPM、Y2O3、及びAsMYの表面粗さは、それぞれ、約180μインチ、約190μインチ、及び約150μインチである。HPM、Y2O3、及びAsMyのアルミニウム基材への接合強度は、それぞれ、29MPa、18MPa、及び30MPaである。HPM、Y2O3、及びAsMyの硬度(ビッカース硬度)は、それぞれ、6.6GPa、4.0GPa、及び5.1GPaである。8ミル(0.008インチ)の厚みを有するコーティングを、5%の塩酸に曝露した。HPMには約3時間の曝露、Y2O3には約4時間の曝露でエッチングが明白となったが、AsMyは8時間を超えた。8ミルのコーティングの破壊電圧は、HPMでは650ボルト/ミル、Y2O3では630ボルト/ミル、AsMYでは520ボルト/ミルである。HPM、Y2O3、及びAsMyの熱膨張率(CTE)は、それぞれ、8.5×10−6/K、7.2×10−6/K、及び6.8×10−6/Kである。
図3は、従来型の表面と比較してAsMYの耐プラズマ浸食性が優位であることを示すグラフ300である。NH3/NF3から生成されたフッ素プラズマに70時間を越えて曝露された後の、AsMy、AlN、SiC、Si、及び石英を含有する表面の表面浸食速度を比較した。図3に示す結果は、AsMYでコーティングされた表面の浸食速度に正規化された値で表されている。石英は、AsMYの浸食速度よりも20倍速い浸食速度を有した。Siは、AsMYよりも8倍速い浸食速度を有した。SiCは、AsMYの5倍に迫る速さの浸食速度を有した。AlNは、AsMYの浸食速度の2倍を超える浸食速度を有した。NH3/NF3プラズマに70時間を超えて曝露された後であっても、AsMYでコーティングされた表面は、測定可能な不具合も浸食も示していない。
図4Aから図4Fは、様々な倍率(それぞれ200倍、1,000倍、及び4,000倍)で、窒化アルミニウム(AlN(図4Aから図4C))及びアルミニウム(Al(図4Dから図4F))の金属表面上のプラズマ溶射されたAsMYコーティングを示す、SEM画像である。比較のために、プラズマ溶射されたY2O3コーティングのSEM画像も、図4Gから図4Iに示されている。図示しているように、Y2O3コーティングと比較して、AsMYコーティングが示している亀裂は少ない。加えて、AsMYコーティングは、Y2O3コーティングよりも平坦かつ/又は滑らかである。
図5Aから図5Fは、様々な倍率(それぞれ200倍、1,000倍、及び4,000倍)で、AlN(図5Aから図5C)及びAl金属(図5Dから図5F)の表面上のプラズマ溶射されたAsMYコーティングの断面を示す、SEM画像である。比較のために、プラズマ溶射されたY2O3コーティングのSEM断面画像も、図5Gから図5Iに示されている。図示しているように、Y2O3コーティングと比較して、AsMYコーティングが示している有孔率は少ない。
図6Aから図6I、及び図7Aから図7Iは、熱処理された後の、アルミニウム金属表面上のプラズマ溶射されたAsMYコーティングの特性を表示するSEM画像である。
図6Aから図6Iは、様々な倍率(それぞれ200倍、1,000倍、及び4,000倍)で、アルミニウム金属表面上のAsMYコーティングを示すSEM画像である。図6Aから図6Cは、溶射されたままのAsMYコーティングを示し、図6Dから図6Fは、摂氏900度で処理されたAsMYコーティングを示し、図6Gから図6Iは、摂氏1,100度で処理されたAsMYコーティングを示している。図示しているように、熱処理は、AsMYコーティングの表面形態を改善する。
図7Aから図7Iは、様々な倍率(それぞれ200倍、1,000倍、及び4,000倍)で、アルミニウム金属表面上のAsMYコーティングの断面を示すSEM画像である。図7Aから図7Cは、溶射されたままのAsMYコーティングを示し、図7Dから図7Fは、摂氏900度で処理されたAsMYコーティングを示し、図7Gから図7Iは、摂氏1,100度で処理されたAsMYコーティングを示している。図示しているように、熱処理は、AsMYコーティングの品質を改善する。
図8は、X線回折(XRD)技法を使用してAsMYコーティングの回折パターンを示すグラフ800である。横座標は検出された光線の角度を表し、縦座標はカウント毎秒(CPS)を表している。曲線805は、溶射されたままのAsMYコーティングの回折パターンを示している。曲線810は、摂氏900度で熱処理されたAsMYコーティングの回折パターンを示している。曲線815は、摂氏1,100度で熱処理されたAsMYコーティングの回折パターンを示している。図示しているように、溶射されたままのAsMYコーティング、並びに摂氏900度で処理されたAsMYコーティングが非晶質のままである一方で、摂氏1,100度で処理されたAsMYコーティングは、いくらかの結晶化度を含む。AsMYコーティングは、従来型の物質と比較して、プラズマ環境においてより安定的であることが分かっているが、非晶型と結晶型とは、特定のプラズマ環境により適したものでありうる。例えば、非晶質AsMYコーティング(曲線805及び曲線810)は、水素プラズマ環境での使用に有益でありうる一方で、結晶性AsMYコーティング(曲線815)は、安定性を強化する結晶構造により、フッ素プラズマ環境での使用に有益でありうる。
図9A及び図9Bはそれぞれ、様々なAsMYコーティングの表面粗さを示すグラフ900A及び900Bである。グラフ900Aは、溶射されたままのAsMYコーティング、摂氏900度で処理されたAsMYコーティング、及び摂氏1,100度で処理されたAsMYコーティングの平均表面粗さ(Ra)を示し、グラフ900Bは、それらの平均粗さ深さ(Rz)を示している。図示しているように、AsMYコーティングの熱処理は、表面粗さを著しく低下させる(すなわち、約三分の一に減少)。
図10Aから図10Cはそれぞれ、様々なAsMYコーティングの表面形状を示す、グラフ1000、1005、及び1010である。グラフ1000は、溶射されたままのAsMYコーティングを示している。グラフ1005は、摂氏900度で処理されたAsMYコーティングを示している。グラフ1010は、摂氏1,100度で処理されたAsMYコーティングを示している。図示しているように、摂氏900度で処理されたAsMYコーティング、及び摂氏1,100度で処理されたAsMYコーティングは、溶射されたままのAsMYコーティングよりも著しく滑らかである。グラフ1005及び1010に示すAsMYコーティングは類似しているが、摂氏1,100度で処理されたAsMYコーティングは、摂氏900度で処理されたAsMYコーティングと比較して、大きなピークに付いたより小さなピークを有している。このことは、摂氏1,100度で処理されたAsMYコーティングの結晶化の影響であると考えられる。
図11A及び図11Bはそれぞれ、溶射されたままのAsMYコーティングと比較した、熱処理によるAsMYコーティングの接合強度の改善を示す、グラフ1100及び1105である。この例では、AsMYコーティングはAlN基材に付けられた。コーティングされた基材は、炉内に入れられ、毎分摂氏0.5度の速度で、表示された温度まで加熱された。温度は、グラフ1100及び1105に表示された時間にわたり保たれた。その後、コーティングされた基材は、炉の温度が摂氏80度を下回ると炉から取り出された。熱処理は接合強度を著しく改善することが示され、処理時間が長いほど、接合強度は安定する。
図12は、プラズマ溶射されたAsMYコーティングとプラズマ溶射されたY2O3コーティングとの、接合強度の相違を示すグラフ1200である。視認できるように、熱処理で、AsMYコーティングの接合強度は改善したが、Y2O3コーティングの接合強度は低下した。
図13は、溶射されたままのAsMYコーティングと比較した、熱処理によるAsMYコーティングの接合強度の改善を示すグラフ1300である。この例では、AsMYコーティングはAl基材に付けられた。コーティングされた基材は、炉内に入れられ、グラフ1300に表示された時間にわたって、表示された温度まで加熱された。その後、コーティングされた基材は、炉の温度が摂氏80度を下回ると炉から取り出された。熱処理は、接合強度を著しく、摂氏300度では2倍近い強度に、改善することが示されている。
いくつかの実施形態では、本書に記載のAsMYコーティングは、光エネルギーに対して透過性でありうる。一例では、AsMYコーティングは、29.0重量パーセントのY2O3粉末(10.3モルパーセント)、19.3重量パーセントのAl2O3粉末(15.1モルパーセント)、42.6重量パーセントのSiO2(56.8モルパーセント)、及び、9.1重量パーセントのMgO(18.0モルパーセント)を利用する、透明なガラス物質として形成されうる。250nmの波長の光がAsMYコーティングの1ミリメートル厚サンプルを通る透過率は、約78パーセントである。表2は、純粋なY2O3及び石英の特性と比べての、この特定の組成のAsMYの特性を示している。
図14は、NF3プラズマに曝露された場合の、本書に記載のプラズマ溶射されたAsMYコーティングと比べての、複数の物質の浸食速度を示すグラフ1400である。Y2O3基板、AsMY基板、アルミナ(Al2O3)基板、及び石英基板の各々を、摂氏400度かつ2.8Torrの条件下で燃焼してプラズマになった500sccmのNF3ガスに5時間にわたり曝露した。AsMYコーティングは、Y2O3コーティングよりも若干早い速度で浸食されるが、石英及びアルミナの浸食速度よりもずっと遅いということが分かった。しかし、純結晶性の酸化イットリウムは、様々なエッチャントプラズマに対する良好な耐食性を示すが、赤外(IR)波長域又は紫外波長域の熱エネルギーを使用して基板を加熱するチャンバ用途における光透過性のウインドウ又はシャワーヘッドとして、現実に入手可能な選択肢にはならないことに、留意されたい。Y2O3は透過性でありうるが、透過性Y2O3のサイズ及び厚みは限定され、ゆえに、限定された用途しか有しない。更に、透過性Y2O3は比較的高価である。従ってY2O3は、場合によっては、処理チャンバでの使用には望ましくないものになりうる。
上記は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、他の実施形態及び更なる実施形態が考案されうる。本開示の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。
Claims (15)
- 処理チャンバの少なくとも1つの表面がSivYwMgxAlyOzを含むコーティングを有し、SivYwMgxAlyOzにおいて、
vは約0.0196から0.2951までの範囲にわたり、
wは約0.0131から0.1569までの範囲にわたり、
xは約0.0164から0.0784までの範囲にわたり、
yは約0.0197から0.1569までの範囲にわたり、
zは約0.5882から0.6557までの範囲にわたり、
v+w+x+y+z=1である、処理チャンバ。 - 前記コーティングは、Si0.171Y0.062Mg0.054Al0.090O0.623を含む化学式を有する、請求項1に記載の処理チャンバ。
- 前記コーティングはガラス又はガラスセラミックである、請求項1に記載の処理チャンバ。
- 前記コーティングは約20ミクロンから約300ミクロンまでの厚みを有する、請求項3に記載の処理チャンバ。
- 前記処理チャンバの前記少なくとも1つの表面は、チャンバ本体側壁の表面、ドーム側壁の表面、ガス分配シャワーヘッドの表面、バッフルの表面、ブロッカプレートの表面、ガス供給ブロックの表面、遠隔プラズマ源ブラケットの表面、心出しリングの表面、遠隔プラズマ導管の表面、及びチョーカーの表面から成るグル―プから選択される、請求項1に記載の処理チャンバ。
- 前記コーティングは約0.25%から約1.0%までの有孔率を有する、請求項1に記載の処理チャンバ。
- SivYwMgxAlyOzを含む分子構造を有する組成物であって、SivYwMgxAlyOzにおいて、
vは約0.0196から0.2951までの範囲にわたり、
wは約0.0131から0.1569までの範囲にわたり、
xは約0.0164から0.0784までの範囲にわたり、
yは約0.0197から0.1569までの範囲にわたり、
zは約0.5882から0.6557までの範囲にわたり、
v+w+x+y+z=1である、組成物。 - 更にバインダを含む、請求項7に記載の組成物。
- 前記組成物はガラス又はガラスセラミックである、請求項7に記載の組成物。
- 化学式がSi0.171Y0.062Mg0.054Al0.090O0.623である、請求項7に記載の組成物。
- 前記組成物は非晶質である、請求項7に記載の組成物。
- 前記組成物は結晶性である、請求項7に記載の組成物。
- コーティングは光エネルギーに対して透過性である、請求項7に記載の組成物。
- 基板を処理する方法であって、
処理チャンバの内部でプラズマ又はラジカルを生成すること、或いは、処理チャンバの中にプラズマ又はラジカルを導入することを含み、前記処理チャンバは、SivYwMgxAlyOzでコーティングされた少なくとも1つの表面を有し、SivYwMgxAlyOzにおいて、
vは約0.0196から0.2951までの範囲にわたり、
wは約0.0131から0.1569までの範囲にわたり、
xは約0.0164から0.0784までの範囲にわたり、
yは約0.0197から0.1569までの範囲にわたり、
zは約0.5882から0.6557までの範囲にわたり、
v+w+x+y+z=1である、方法。 - 前記コーティングは、低くとも摂氏約900度に熱処理される、請求項14に記載の方法。
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