JP2017508439A - フライバック型昇圧回路、ｌｅｄバックライト駆動回路及び液晶ディスプレイ - Google Patents

フライバック型昇圧回路、ｌｅｄバックライト駆動回路及び液晶ディスプレイ Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、フライバック型昇圧回路を開示し、さらに前記フライバック型昇圧回路を含むＬＥＤバックライト駆動回路及び前記バックライト駆動回路を含む液晶ディスプレイを提供している。【解決手段】前記フライバック型昇圧回路は、ｎ個の１次側コイルと１個の２次側コイルを有する変圧器、ｎ個のスイッチング素子を有するスイッチモジュール、駆動モジュール及び出力ダイオードを含み、ｎ個の１次側コイルのドット端はそれぞれｎ個のスイッチング素子と１対１対応するように接続され、１次側コイルの他端は入力電圧に接続され、２次側コイルのドット端は出力ダイオードのプラス端に接続され、他端は接地され、出力ダイオードのマイナス端とグラウンドとの間には出力コンデンサが接続され、駆動モジュールは、ｎ個のスイッチング素子がデューティ比Ｄの時間内に順にそのうちの１つを開放するように制御するために、それぞれｎ個のスイッチング素子に制御信号を提供し、ｎ個のスイッチング素子のデューティ比の和はＤであり、ｎは２以上の整数である。

Description

本発明はフライバック型昇圧回路、前記フライバック型昇圧回路を含むＬＥＤバックライト駆動回路、及び該ＬＥＤバックライト駆動回路を備える液晶ディスプレイに関する。
技術の絶えず進歩に伴って、液晶表示装置のバックライト技術は絶えず発展している。従来の液晶表示装置のバックライト光源には冷陰極蛍光管（ＣＣＦＬ）を採用している。ところが、ＣＣＦＬのバックライト光源には、色再現性が悪く、発光効率が低く、放電電圧が高く、低温における放電特性が悪く、加熱する時に安定したグレースケールに達する時間が長いなどの欠点が存在するため、現在既にＬＥＤバックライト光源を用いるバックライト光源技術が開発され、液晶表示装置において、ＬＥＤバックライト光源に液晶表示パネルに表示光源を提供させるために、ＬＥＤバックライト光源と液晶表示パネルとを対向するように設置している。
ＬＥＤバックライト光源の駆動回路は一般的に電源モジュールにより提供される電圧を必要な出力電圧に変換してＬＥＤユニットに提供する昇圧回路を含む。そのうち、幅広く応用されている昇圧回路がフライバックコンバータ（Ｆｌｙｂａｃｋ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）であり、フライバック変圧器は誘導性エネルギー蓄積型変圧器とも呼ばれ、メインスイッチングトランジスタが導通された期間に、回路はエネルギーを蓄積するだけで伝達せず、メインスイッチングトランジスタが遮断された期間にのみ、負荷にエネルギーを伝達する回路構造である。フライバックコンバータは、（１）回路の素子が最も少なく、
（２）回路の信頼度が高く、（３）回路のコストが最も低い特徴を有する。
図１に示すような従来のフライバック型昇圧回路は、１次側コイルＰと２次側コイルＳを含む変圧器、ソースが接地され、ゲートがパルス信号ＤＲＶにより制御されるＭＯＳスイッチングトランジスタＱ及び出力ダイオードＤｏを含み、１次側コイルＰと２次側コイルＳとの巻数比はＫであり、１次側コイルＰのドット端はＭＯＳスイッチングトランジスタＱのドレインに接続され、１次側コイルＰの他端は、フィルタコンデンサＣを介して接地される入力電圧Ｖｉｎに接続され、２次側コイルＳのドット端は出力ダイオードＤｏのプラス端に接続され、他端は接地され、出力ダイオードＤｏのマイナス端とグラウンドとの間にはさらに出力コンデンサＣｏが接続され、且つ、出力ダイオードＤｏのマイナス端は負荷に出力電圧Ｖｏｕｔを提供する。
ＭＯＳスイッチングトランジスタＱがパルス信号ＤＲＶに励起されて開放する時、直流入力電圧Ｖｉｎが変圧器の１次側コイルＰに印加され、変圧器の２次側コイルＳに誘導された電圧は出力ダイオードＤｏを逆バイアスさせて遮断し、この時、電力は磁力の形態で１次側コイルＰに蓄積され、ＭＯＳスイッチングトランジスタＱが遮断された時、１次側コイルＰの両端における電圧極性は逆であり、２次側コイルＳにおける電圧極性は反転され、出力ダイオードＤｏを導通させ、変圧器に蓄積されたエネルギーは負荷に放出される。図２は上記のようなフライバック型昇圧回路の電流波形図である。ＤＲＶはＭＯＳトランジスタＱの開放又は遮断を制御する制御信号であり、Ｉｐは１次側コイルＰにおける電流信号であり、Ｉｓは２次側コイルＳにおける電流信号である。図１に示す回路において、入力電圧と出力電圧の関係は
であり、Ｋは２次側コイルＳと１次側コイルＰとの巻数比であり、ＤはＭＯＳスイッチングトランジスタＱのデューティ比で、
、ＴｏｎはＭＯＳスイッチングトランジスタＱの開放時間を、ＴｏｆｆはＭＯＳスイッチングトランジスタＱの遮断時間を指し、昇圧回路を設計する時はパラメータＫとＤを考慮しなければならず、Ｋの値が決定された後、Ｄの値を５０％より大きく設計しなければ、昇圧の目的を実現することができない。従来の回路において、単一の１次側コイル及び単一のスイッチング素子を採用し、Ｄの値が５０％より大きく設計された場合、スイッチング素子の開放期間に大量の熱が発生し、そのため、Ｄの値は一般的に５０％以下に制限され、このように出力電圧Ｖｏｕｔの範囲を制限している。
本発明は、従来技術に存在する不備に鑑みて、スイッチモジュールの放熱量が大きい問題を効果的に解決し、出力電圧の範囲を向上できるフライバック型昇圧回路を提供している。
上記目的を達成するために、本発明は以下のような技術的解決手段を採用している。
ｎ個の１次側コイルと１個の２次側コイルを有する変圧器、ｎ個のスイッチング素子を有するスイッチモジュール、駆動モジュール及び出力ダイオードを備えるフライバック型昇圧回路であって、前記スイッチモジュールのデューティ比はＤであり、前記ｎ個の１次側コイルのドット端はそれぞれ前記ｎ個のスイッチング素子と１対１対応するように接続され、前記ｎ個の１次側コイルの他端はそれぞれ入力電圧に接続され、前記２次側コイルと各１次側コイルとの巻数比はいずれもＫであり、前記駆動モジュールは、前記ｎ個のスイッチング素子がデューティ比Ｄの時間内に順にそのうちの１つを開放するように制御するために、それぞれ前記ｎ個のスイッチング素子に制御信号を提供し、前記ｎ個のスイッチング素子のデューティ比の和はＤであり、前記２次側コイルのドット端は前記出力ダイオードのプラス端に接続され、他端は接地され、前記出力ダイオードのマイナス端とグラウンドとの間にはさらに出力コンデンサが接続され、且つ、前記出力ダイオードのマイナス端は負荷に出力電圧を提供し、ｎは２以上の整数である。
ｎの値は２〜５である。
ｎの値は２である。
前記ｎ個のスイッチング素子のデューティ比は等しい。
前記スイッチング素子は、ドレインが１次側コイルのドット端に接続され、ソースが接地され、ゲートが前記制御信号に接続されるＭＯＳトランジスタである。
前記入力電圧はフィルタコンデンサを介して接地される。
本発明の別の態様によれば、電源モジュールと、前記のようなフライバック型昇圧回路であり、前記電源モジュールにより提供される電圧を必要な出力電圧に変換してＬＥＤユニットに提供する昇圧回路と、を含むＬＥＤバックライト駆動回路を提供している。
前記ＬＥＤユニットは並列接続された複数のＬＥＤストリングであり、各ＬＥＤストリングは直列接続された複数のＬＥＤを含み、各ＬＥＤストリングはそれぞれ抵抗を介して電気的に接地され、各ＬＥＤストリングのマイナス端は抵抗に接続され、抵抗の他端は電気的に接地される。
本発明の別の態様によれば、上記のようなＬＥＤバックライト駆動回路を採用するＬＥＤバックライト光源を含む液晶ディスプレイを提供している。
本発明により提供されるフライバック型昇圧回路において、変圧器には複数の１次側コイル及び複数のスイッチング素子を採用し、変圧器によりエネルギーを変換する時、現在単一のスイッチング素子を採用することによるデューティ比に対する制限を超え、スイッチモジュールの放熱量が大きい問題を効果的に解決し、出力電圧の範囲を向上することができる。
従来のフライバック型昇圧回路の回路図である。 図１に示すフライバック型昇圧回路の電流波形図である。 本発明の一具体的な実施例により提供されるフライバック型昇圧回路の回路図である。 図３に示すフライバック型昇圧回路の電流波形図である。 本発明の一具体的な実施例により提供されるＬＥＤバックライト駆動回路のモジュール接続図である。
本発明は、従来技術に存在する問題を解決するために、変圧器に複数の１次側コイルを採用してエネルギー変換を行い、複数の１次側コイルはそれぞれ複数のスイッチング素子により制御され、従来の単一のスイッチング素子のデューティ比が５０％以下に制限される問題を解消し、出力電圧の範囲を向上することを構想している。
上記構想に基づき、本発明は以下のような技術的解決手段を提供する。１次側コイルと２次側コイルを有する変圧器、スイッチモジュール、駆動モジュール及び出力ダイオードを備えるフライバック型昇圧回路であって、２次側コイルと１次側コイルとの巻数比はＫであり、前記１次側コイルのドット端は前記スイッチモジュールに接続され、前記スイッチモジュールにより前記１次側コイルの導通又は遮断を制御し、前記１次側コイルの他端は入力電圧に接続され、前記駆動モジュールは、前記スイッチモジュールを開放又は遮断するのに用いられる制御信号を提供し、前記スイッチモジュールのデューティ比はＤであり、前記２次側コイルのドット端は前記出力ダイオードのプラス端に接続され、他端は接地され、前記出力ダイオードのマイナス端とグラウンドとの間にはさらに出力コンデンサが接続され、且つ、前記出力ダイオードのマイナス端は負荷に出力電圧を提供し、
前記変圧器はｎ個の１次側コイルＰ１〜Ｐｎを有し、前記スイッチモジュールはｎ個のスイッチング素子Ｑ１〜Ｑｎを有し、前記ｎ個の１次側コイルのドット端はそれぞれ前記ｎ個のスイッチング素子と１対１対応するように接続され、前記ｎ個の１次側コイルの他端はそれぞれ前記入力電圧Ｖｉｎに接続され、前記２次側コイルと各１次側コイルとの巻数比はいずれもＫであり、前記駆動モジュールは、前記ｎ個のスイッチング素子がデューティ比Ｄの時間内に順にそのうちの１つを開放するように制御するために、それぞれ前記ｎ個のスイッチング素子に制御信号ＤＲＶ１〜ＤＲＶｎを提供し、前記ｎ個のスイッチング素子のデューティ比はそれぞれＤ１〜Ｄｎであり、Ｄ１＋Ｄ２＋…＋Ｄｎ＝Ｄであり、ｎは２以上の整数である。
エネルギーの変換を行う時、単一の１次側コイルの導通時間を複数の１次側コイルの導通時間の和に分けることにより、各スイッチング素子の開放時間を減少し、スイッチモジュールの放熱量が大きい問題を効果的に解決し、同時に、スイッチモジュールのデューティ比Ｄを５０％以上に設計してもよく、出力電圧の範囲を向上させる。
より好ましい解決手段は、前記ｎ個のスイッチング素子のデューティ比が等しく、即ちＤ１＝Ｄ２＝…＝Ｄｎ＝Ｄ／ｎである。
より好ましい解決手段は、ｎの値が２〜５である。
さらに好ましい解決手段は、ｎの値が２である。
さらに好ましい解決手段は、前記スイッチング素子は、ドレインが１次側コイルのドット端に接続され、ソースが接地され、ゲートが前記制御信号に接続されるＭＯＳトランジスタである。
以下、図面に合わせて実施例により本発明についてさらに説明する。
図３は本実施例により提供されるフライバック型昇圧回路の回路図であり、本実施例においてｎの値が２である場合を具体的な例として本発明を具体的に説明する。
図３に示すように、該フライバック型昇圧回路２０は、２個の１次側コイルＰ１、Ｐ２及び１個の２次側コイルＳを有する変圧器２１、２個のＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ２を有するスイッチモジュール２２、駆動モジュール２３及び出力ダイオードＤｏを備え、２個の１次側コイルＰ１、Ｐ２の巻き取り方向は逆であり、即ち、２個の１次側コイルＰ１、Ｐ２のドット端はそれぞれ２個のＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ２のドレインに接続され、２個の１次側コイルＰ１、Ｐ２の他端はそれぞれ入力電圧Ｖｉｎに接続され、２次側コイルＳのドット端は出力ダイオードＤｏのプラス端に接続され、他端は接地され、且つ、２次側コイルＳと１次側コイルのＰ１、Ｐ２との巻数比はいずれも１であり、出力ダイオードＤｏのマイナス端とグラウンドとの間にはさらに出力コンデンサＣｏが接続され、出力ダイオードＤｏのマイナス端は負荷に出力電圧Ｖｏｕｔを提供し、ＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ２のソースはそれぞれ接地され、ゲートはそれぞれ駆動モジュール２３により提供される制御信号ＤＲＶ１、ＤＲＶ２に接続され、駆動モジュール２３により提供される制御信号ＤＲＶ１、ＤＲＶ２はＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ２を開放又は遮断するのに用いられ、よって１次側コイルＰ１、Ｐ２の導通又は遮断を制御する。
本実施例において、入力電圧ＶｉｎはさらにフィルタコンデンサＣを介して接地される。
本実施例において、スイッチモジュール２２のデューティ比はＤであり、デューティ比がＤである開放時間Ｔｏｎ内に、駆動モジュール２３により提供される制御信号ＤＲＶ１とＤＲＶ２はそれぞれＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ２を制御し、順にＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ２を開放する時間はＴｏｎ１、Ｔｏｎ２であり、ＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ２のデューティ比をそれぞれＤ１、Ｄ２にさせ、本実施例において、Ｄ１＝Ｄ２＝Ｄ／２であり、その他の一部の実施例において、Ｄ１＋Ｄ２＝Ｄを満たせば、Ｄ１とＤ２は異なってもよい。
以下、上記のようなフライバック型昇圧回路の動作過程について説明する。
フライバック型昇圧回路の回路原理によれば、１次側コイルと２次側コイルに同時に電流が流れることなく、そのため、図３に示すフライバック型昇圧回路において、ＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ２のうちの１つが開放される時、１次側コイルＰ１又はＰ２には電流が流れ、且つ、Ｐ１又はＰ２のドット端は低電位であり、この時、２次側コイルＳのドット端は低電位であり、出力ダイオードＤｏは遮断され、ＭＯＳトランジスタＱ１とＱ２が同時に遮断される時、２次側コイルＳのドット端は高電位であり、出力ダイオードＤｏは導通され、負荷に出力電圧Ｖｏｕｔを提供すると共に出力コンデンサＣｏを充電し、次のサイクルにおける出力ダイオードＤｏが遮断される時、出力コンデンサＣｏを介して負荷に電圧を提供する。
図４は本実施例により提供されるフライバック型昇圧回路の電流波形図である。ＤＲＶ１はＭＯＳトランジスタＱ１の開放又は遮断を制御する制御信号であり、ＤＲＶ２はＭＯＳトランジスタＱ２の開放又は遮断を制御する制御信号であり、Ｉｐ１は１次側コイルＰ１における電流信号、Ｉｐ２は１次側コイルＰ２における電流信号であり、Ｉｓは２次側コイルＳにおける電流信号である。
本実施例により提供されるフライバック型昇圧回路において、入力電圧と出力電圧の関係は
であり、Ｄの値が大きいほど、出力電圧Ｖｏｕｔの範囲も大きく、スイッチモジュールのデューティ比Ｄは複数のスイッチング素子のデューティ比Ｄ１、Ｄ２の和に分けることができるため、単一のスイッチング素子のデューティ比が５０％以下に制限される場合、スイッチモジュールのデューティ比Ｄは５０％の制限を超えることができ、例えば、スイッチモジュールのデューティ比Ｄを７０％に設計した時、Ｄ１を３０％、Ｄ２を４０％に設計してもよく、又はＤ１とＤ２をいずれも３５％に設計してもよく、上記に基づき、このような回路構造は単一のスイッチング素子の開放時間を減少し、スイッチモジュールの放熱量が大きい問題を効果的に解決することができ、同時に、出力電圧の範囲を向上している。
図５は本実施例により提供されるＬＥＤバックライト駆動回路のモジュール接続図である。図５に示すように、該ＬＥＤバックライト駆動回路は、電源モジュール１と、本発明により提供されるフライバック型昇圧回路２０であり、前記電源モジュール１により提供される入力電圧Ｖｉｎを必要な出力電圧Ｖｏｕｔに変換してＬＥＤユニット３に提供する昇圧回路２と、を含む。
ＬＥＤユニットは１つ又は並列接続された複数のＬＥＤストリングであってもよく、各ＬＥＤストリングは直列接続された複数のＬＥＤを含み、且つ、各ＬＥＤストリングはそれぞれ抵抗を介して電気的に接地され、各ＬＥＤストリングのマイナス端は抵抗に接続され、抵抗の他端は電気的に接地される。
要するに、本発明により提供されるフライバック型昇圧回路において、変圧器には複数の１次側コイル及び複数のスイッチング素子を採用し、変圧器によりエネルギーを変換する時、現在単一の１次側コイルを採用することによるピーク電流の制限及び単一のスイッチング素子のデューティ比の制限を超え、スイッチモジュールの放熱量が大きい問題を効果的に解決し、出力電圧の範囲を向上させることができ、該回路はＬＥＤバックライト駆動回路に効果的に応用されることができる。
ここで説明すべきことは、本明細書において、用語「含む」、「有する」又はその他の如何なる変形は非排他的な「含む」を覆うことを目的とし、よって一連の要素を含む過程、方法、品物又は装置にそれらの要素を含ませるだけでなく、さらに明らかに挙げられていないその他の要素を含ませ、又はこのような過程、方法、品物又は装置に固有の要素をさらに含ませる。さらなる制限がない場合、文言「……含む」により限定された要素は、前記要素を含む過程、方法、品物又は装置にさらに別の同じ要素が存在することを排除しない。
上記に説明されたものは本願の具体的な実施形態に過ぎず、当業者にとって、本願の原理を逸脱しない限り、さらに様々な改良と潤色を行うことができ、これらの改良と潤色も本願の保護範囲に含まれるべきである。

Claims (20)

  1. ｎ個の１次側コイルと１個の２次側コイルを有する変圧器、ｎ個のスイッチング素子を有するスイッチモジュール、駆動モジュール及び出力ダイオードを備えるフライバック型昇圧回路であって、
    前記スイッチモジュールのデューティ比はＤであり、
    前記ｎ個の１次側コイルのドット端はそれぞれ前記ｎ個のスイッチング素子と１対１対応するように接続され、前記ｎ個の１次側コイルの他端はそれぞれ入力電圧に接続され、前記２次側コイルと各１次側コイルとの巻数比はいずれもＫであり、
    前記駆動モジュールは、前記ｎ個のスイッチング素子がデューティ比Ｄの時間内に順にそのうちの１つを開放するように制御するために、それぞれ前記ｎ個のスイッチング素子に制御信号を提供し、前記ｎ個のスイッチング素子のデューティ比の和はＤであり、
    前記２次側コイルのドット端は前記出力ダイオードのプラス端に接続され、他端は接地され、前記出力ダイオードのマイナス端とグラウンドとの間にはさらに出力コンデンサが接続され、前記出力ダイオードのマイナス端は負荷に出力電圧を提供し、
    ｎは２以上の整数である、ことを特徴とするフライバック型昇圧回路。
  2. ｎの値は２〜５であることを特徴とする請求項１に記載のフライバック型昇圧回路。
  3. ｎの値は２であることを特徴とする請求項１に記載のフライバック型昇圧回路。
  4. 前記ｎ個のスイッチング素子のデューティ比は等しいことを特徴とする請求項１に記載のフライバック型昇圧回路。
  5. 前記スイッチング素子は、ドレインが１次側コイルのドット端に接続され、ソースが接地され、ゲートが前記制御信号に接続される、ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項４に記載のフライバック型昇圧回路。
  6. 前記２個のスイッチング素子のデューティ比は等しく、前記スイッチング素子は、ドレインが１次側コイルのドット端に接続され、ソースが接地され、ゲートが前記制御信号に接続される、ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項３に記載のフライバック型昇圧回路。
  7. 前記入力電圧はフィルタコンデンサを介して接地されることを特徴とする請求項５に記載のフライバック型昇圧回路。
  8. 電源モジュールと、前記電源モジュールにより提供される電圧を必要な出力電圧に変換してＬＥＤユニットに提供し、ｎ個の１次側コイルと１個の２次側コイルを有する変圧器、ｎ個のスイッチング素子を有するスイッチモジュール、駆動モジュール及び出力ダイオードを含む昇圧回路と、を備えるＬＥＤバックライト駆動回路であって、
    前記スイッチモジュールのデューティ比はＤであり、
    前記ｎ個の１次側コイルのドット端はそれぞれ前記ｎ個のスイッチング素子と１対１対応するように接続され、前記ｎ個の１次側コイルの他端はそれぞれ入力電圧に接続され、前記２次側コイルと各１次側コイルとの巻数比はいずれもＫであり、
    前記駆動モジュールは、前記ｎ個のスイッチング素子がデューティ比Ｄの時間内に順にそのうちの１つを開放するように制御するために、それぞれ前記ｎ個のスイッチング素子に制御信号を提供し、前記ｎ個のスイッチング素子のデューティ比の和はＤであり、
    前記２次側コイルのドット端は前記出力ダイオードのプラス端に接続され、他端は接地され、前記出力ダイオードのマイナス端とグラウンドとの間にはさらに出力コンデンサが接続され、前記出力ダイオードのマイナス端は負荷に出力電圧を提供し、
    ｎは２以上の整数である、ことを特徴とするＬＥＤバックライト駆動回路。
  9. ｎの値は２〜５であることを特徴とする請求項８に記載のＬＥＤバックライト駆動回路。
  10. ｎの値は２であることを特徴とする請求項８に記載のＬＥＤバックライト駆動回路。
  11. 前記ｎ個のスイッチング素子のデューティ比は等しいことを特徴とする請求項８に記載のＬＥＤバックライト駆動回路。
  12. 前記スイッチング素子は、ドレインが１次側コイルのドット端に接続され、ソースが接地され、ゲートが前記制御信号に接続される、ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１１に記載のＬＥＤバックライト駆動回路。
  13. 前記２個のスイッチング素子のデューティ比は等しく、前記スイッチング素子は、ドレインが１次側コイルのドット端に接続され、ソースが接地され、ゲートが前記制御信号に接続される、ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤバックライト駆動回路。
  14. 前記入力電圧はフィルタコンデンサを介して接地されることを特徴とする請求項１２に記載のＬＥＤバックライト駆動回路。
  15. 前記ＬＥＤユニットは並列接続された複数のＬＥＤストリングであり、各ＬＥＤストリングは直列接続された複数のＬＥＤを含み、各ＬＥＤストリングはそれぞれ抵抗を介して電気的に接地され、各ＬＥＤストリングのマイナス端は抵抗に接続され、抵抗の他端は電気的に接地されることを特徴とする請求項８に記載のＬＥＤバックライト駆動回路。
  16. ＬＥＤバックライト光源を含む液晶ディスプレイであって、
    前記ＬＥＤバックライト光源の駆動回路は、電源モジュールと、前記電源モジュールにより提供される電圧を必要な出力電圧に変換してＬＥＤユニットに提供し、ｎ個の１次側コイルと１個の２次側コイルを有する変圧器、ｎ個のスイッチング素子を有するスイッチモジュール、駆動モジュール及び出力ダイオードを含む昇圧回路と、を備え、
    前記スイッチモジュールのデューティ比はＤであり、
    前記ｎ個の１次側コイルのドット端はそれぞれ前記ｎ個のスイッチング素子と１対１対応するように接続され、前記ｎ個の１次側コイルの他端はそれぞれ入力電圧に接続され、前記２次側コイルと各１次側コイルとの巻数比はいずれもＫであり、
    前記駆動モジュールは、前記ｎ個のスイッチング素子がデューティ比Ｄの時間内に順にそのうちの１つを開放するように制御するために、それぞれ前記ｎ個のスイッチング素子に制御信号を提供し、前記ｎ個のスイッチング素子のデューティ比の和はＤであり、
    前記２次側コイルのドット端は前記出力ダイオードのプラス端に接続され、他端は接地され、前記出力ダイオードのマイナス端とグラウンドとの間にはさらに出力コンデンサが接続され、前記出力ダイオードのマイナス端は負荷に出力電圧を提供し、
    ｎは２以上の整数である、ことを特徴とする液晶ディスプレイ。
  17. ｎの値は２であることを特徴とする請求項１６に記載の液晶ディスプレイ。
  18. 前記ｎ個のスイッチング素子のデューティ比は等しく、前記スイッチング素子は、ドレインが１次側コイルのドット端に接続され、ソースが接地され、ゲートが前記制御信号に接続される、ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１６に記載の液晶ディスプレイ。
  19. 前記２個のスイッチング素子のデューティ比は等しく、前記スイッチング素子は、ドレインが１次側コイルのドット端に接続され、ソースが接地され、ゲートが前記制御信号に接続される、ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１７に記載の液晶ディスプレイ。
  20. 前記入力電圧はフィルタコンデンサを介して接地されることを特徴とする請求項１８に記載の液晶ディスプレイ。
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