JP2017504967A - バリスタ装置の製造方法およびバリスタ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
ある実施の形態において、不動態は、上記温度条件下で基体を暴露する間の化学反応および/または保護ガスの影響から基体を保護する。
バリスタ装置の製造中において、基体1は、不動態化のための原材料によってその後にコーティングされ得る。続いて、基体1は、不動態3を形成するために硬化または焼成され、さらに卑金属電極領域のために基材によりコーティングされ、乾燥され、上記温度条件下で暴露され、たとえばはんだストラップ4にはんだ付けされ、そして外部コーティング5によりコーティングされてもよい。
Claims (13)
- バリスタ装置(100)の製造方法であって、
前記バリスタ装置(100)用の、セラミック材料を含む基体(1)を提供するステップと、
卑金属電極領域(2)用の基材を前記基体に提供するステップと、
前記卑金属電極領域(2)が形成され、かつ前記バリスタ装置(100)の基体(1)に強固に接続されるように、前記基材を有する前記基体(1)を保護ガス雰囲気下においてある温度条件下で暴露するステップと、
前記バリスタ装置(100)を完成させるステップとを含む、バリスタ装置の製造方法。 - 前記基体(1)に基材が提供される前に、前記基体(1)に不動態(3)が提供される、請求項1に記載のバリスタ装置(100)の製造方法。
- 不動態(3)のための原料が前記基体(1)に提供された後に、前記原料は、不動態(3)を形成するために300℃から600℃までの温度において硬化される、請求項2に記載のバリスタ装置の製造方法。
- 前記基体(1)には、スクリーン印刷によって前記基材が提供される、請求項1〜3のいずれか1項に記載のバリスタ装置の製造方法。
- 前記基体(1)は、異なる温度区画を有する加熱炉の内部において、前記温度条件下で暴露される、請求項1〜4のいずれか1項に記載のバリスタ装置の製造方法。
- 前記基体(1)は、450℃から800℃までの温度の区画において、前記卑金属電極領域(2)が形成され、かつ前記基体(1)に強固に接続されるように、5分から30分までの期間、暴露される、請求項5に記載のバリスタ装置の製造方法。
- 前記基体(1)の前記温度条件下での暴露後において、はんだ接点および/またははんだストラップが前記基体(1)に提供される、請求項1〜6のいずれか1項に記載のバリスタ装置の製造方法。
- セラミック基体(1)と、
卑金属電極領域(2)を含む電極とを備え、
前記卑金属電極領域(2)は、前記セラミック基体(1)に直接接続される、バリスタ装置(100)。 - 前記卑金属電極領域(2)は、銅を含む、請求項8に記載のバリスタ装置(100)。
- 前記セラミック基体(1)に直接接続された不動態(3)を備える、請求項8または9に記載のバリスタ装置(100)。
- 前記セラミック基体は、各々が前記セラミック基体(1)の主表面(7)に接続された2つの卑金属伝教領域を備え、
前記不動態(3)は、前記セラミック基体(1)の端面(6)にしか配置されず、
前記端面(6)は、前記セラミック基体(1)の前記主表面(7)に接続される、請求項10に記載のバリスタ装置(100)。 - 前記不動態(3)は、鉛フリーガラス、セラミック材料および/または無機材料である、請求項8〜11のいずれか1項に記載のバリスタ装置(100)。
- 前記卑金属電極領域(2)は、5μmから30μmまでの厚みを有する層である、請求項8〜12のいずれか1項に記載のバリスタ装置(100)。
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