JP2017500741A - 溶液で処理できる金属酸化物バッファー層を含む電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
好ましい態様では、該金属酸化物は、1種または2種以上の金属によって(金属に対して)0.001〜30wt%、好ましくは0.01〜15wt%、最も好ましくは0.1〜10wt%でドープされることができる。
好ましい態様では、該ドーパント原子は、遷移金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群から選択される。
RO−(C2H4O)m(C3H6O)n−H (I)
(式中、RはC1〜C10アルキルであり、そしてmおよびnはそれぞれ、独立して、2〜20である。)のアルキルエーテルのホスフェートエステルである。したがって、式(I)のアルキルエーテルは、ポリ(C2〜3アルキレングリコール)−モノ−C1〜10アルキルエーテルのクラスに属する。
Rは直鎖または分枝であることができるが、好ましくは直鎖である。Rは特にメチルであることができる。
RO−(C2H4O)mH (II)、
(式中、Rおよびmは、上記で規定した通りである)のポリエチレングリコールアルキルエーテルとプロピレンオキサイドとを反応させることにより製造される。
RO(C2H4O)o(PES)p−H (III)
(式中、RはC1〜10アルキルであり;PESは、環状ラクトンから誘導されたポリエステルであり;oは5〜60であり;pは2〜30であり;そしてRO(C2H4O)oの分子量は(PES)pの分子量より大きい)のブロックコポリマーのホスフェートエステルである。したがって、式(III)のアルキルエーテル(「ブロックコポリマー」)は、ポリ(C2−アルキレングリコール−C5〜6エステル)−モノ−C1〜10アルキルエーテルのクラスに属する。
RO−(C2H4O)o−H (IV)、
(式中、Rおよびoは上記で規定した通りである)のポリエチレングリコールアルキルエーテルとバレロラクトンまたはε−カプロラクトンなどの環状ラクトンとを反応させることによって製造される。
(a)透明電極/HEL/活性層/EEL
(b)非透明電極/HEL/活性層/EEL
(c)透明電極/EEL/活性層/HEL
(d)非透明電極/EEL/活性層/HEL、
を有し、
ここで、透明電極は、PEDOT:PSS、(銀ナノワイヤー、銅ナノワイヤー、ニッケルナノワイヤーを含む)金属ナノワイヤー、グラフェン、カーボンナノチューブおよびITOからなる群から選択され;そして
ここで、非透明電極は、厚い銀、厚いアルミニウム、厚い銅、厚い金、厚い(不透明の)カーボンナノチューブ層および厚い(不透明の)グラフェン系層からなる群から選択される。
したがって、本発明は、本明細書中で規定された半製品の製造のための本明細書中に記載された分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子の使用を提供する。本発明は、特にOLED、OPV、光検出器および有機トランジスターの群から選択された、本明細書中に記載された電子機器を製造するための、本明細書中に記載された分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子の使用をさらに提供する。
一態様では、例えば混合またはボールミル粉砕によって、溶媒およびナノ粒子が混合される。初期の懸濁液を得るために、分散剤が加えられる。コーティングは室温でまたは加熱および混合下で生じる。
1つの代わりの態様において、例えば、混合によって、溶媒および分散剤が混合される。初期溶液を得るために、ナノ粒子が加えられる。コーティングは室温でまたは加熱および混合下で生じる。
一態様では、本発明は、本明細書中で規定された半製品を製造する方法を提供し、ここでバッファー層は、(a)基材または被覆された基材上に懸濁液を適用すること、ここで該懸濁液は分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子および溶媒を含み、そして該組成物から溶媒を除去すること、および(b)得られた薄膜から溶媒を除去すること、および(c)任意選択的に高温において乾燥層を処理すること、の各ステップを含んで製造される。
ステップ(a)懸濁液の適用:基材に液体組成物を適用して湿式薄膜となる多くの工程が知られている;当業者は、適当に選択する位置にある。好適なものは、例えば、コーティング、特にロールトゥーロールコーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、超音波スプレーコーティング、ディップコーティング、リールトゥーリールコーティング、ブレードコーティング;または印刷、特にインクジェット印刷、パッド印刷、オフセット印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷、凹刻印刷、シートトゥーシート印刷である。真空系の工程に比較した場合に、そうした工程は、一般的に大スケール生産に好都合であると考えられている。ステップ(a)中で使用される組成物により、このステップを繰り返すことができる(すなわち、複数回行うことができる)。この態様は、最終膜厚を微調整するために好都合であると考えられる。
ステップ(b)乾燥および膜形成:コーティングされた基材の湿式薄膜から液体を除く多くの工程が知られている;当業者は、適当に選択する位置にある。好適なものは、例えば、室温でのまたは高温での乾燥である。乾燥は、空気中、窒素またはアルゴンなどの保護ガス中で起こることができる。特に適したものは、低湿度含有量を有するガス(例えば窒素、乾燥空気、アルゴン)である。
ステップ(c):温度クリーニングステップ:温度アニーリングの形態のクリーニングステップを、150℃未満の温度において任意選択的に行うことができる。有利な態様では、ステップ(c)中で乾燥されたナノ粒子膜は、空気中または保護ガス中80℃〜150℃でアニールされる。
有利な態様では、半製品のすべての層は、コーティングまたは印刷によって製造される。
したがって、本発明は、(a)本明細書中で規定された半製品を提供すること、(b)該物品の層と電気回路とを接触させること、(d)得られた製品を仕上げること、のステップを含む、本明細書中で規定された電子機器を製造するための方法を提供する。
本発明は、したがって金属酸化物ナノ粒子、分散剤および溶媒を混合するステップを含む方法により得られた懸濁液を提供する。
本発明は、したがって、基材または被覆された基材上に懸濁液を適用すること、ここで該懸濁液は(i)分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子および(ii)溶媒を含み、そして該組成物から溶媒を除去すること、そして任意選択的に高温において乾燥層を処理すること、の各ステップを含む方法により得られる、半製品を提供する。
本発明は、したがって電子機器、本明細書中で規定された半製品を提供すること、層と電気回路とを接触させること、得られた製品を仕上げること、の各ステップを含む方法によって得られる電子機器を提供する。
RO−(C2H4O)m(C3H6O)n−H (I)
のアルキルエーテルのホスフェートエステルであるか、または、
該分散剤は、式(III)
RO(C2H4O)o(PES)p−H (III)
(式中、置換基は上記で規定したとおりである)のブロックコポリマーのホスフェートエステルである。
・真空堆積カルシウム(ベンチマークセル;溶液で処理されていないETL)
・ゾルゲル法によるAZO(比較例)
・ZnOナノ粒子ETL(本発明)
・AZOナノ粒子ETL(本発明)
異なるタイプのETL層を有するOPV電池が、2つの異なる活性層を有する標準構造で製造された。第1の活性層の順を有するスタック層は次のようであった:ガラス/ITO/PEDOT:PSS/Si−PCPDTBT:PC(70)BM/ETL/Ag(図5をまた参照のこと);Si−PCPDTBT:PC(70)BMは「SiZZ」と表示される。
機器を周囲雰囲気中で加工した。予め組み立てられたITO被覆ガラス基材(Weidner Glas GmbH)をアセトン中で、そして次にイソプロピルアルコール中でクリーニングした。乾燥後に、基材をPEDOT:PSS(VP Al4083、Heraeus)層(約50nm)を用いて被覆した。約100nm厚の活性層を、質量比1:1.5のSi−PCPDTBT(Fa. Konarka)およびPC[70]BM([6.6]−フェニル−C71酪酸メチルエステル、Solenne)のジクロロベンゼン溶液からドクターブレードした。次に、ZnO/AZO層を活性層の上でドクターブレードし、そして80℃で5分間アニールした。全ZnO/AZO層での最終の厚さを(接触形状測定によって決定して)50nmに設定した。機器をAg(100nm)上部電極の蒸発によって仕上げた。参照機器では、ETL層は真空堆積Ca層(15nm)からなっていた。
機器をグローブボックス中窒素雰囲気中で処理した。予め組み立てられたITO被覆ガラス基材(Weidner Glas GmbH)をアセトン中、そして次にイソプロピルアルコール中でクリーニングした。乾燥後、基材をPEDOT:PSS(VP Al4083、Heraeus)層(約50nm)を用いて被覆した。約200nm厚の活性層をジメチルホルムアミド中のPbCl2およびCH3NH3I(1:3のモル比)の(30%の全濃度の)溶液でスピンコートした。次にPC[60]BM(Solenne;クロロベンゼン中の20mg/mL)の溶液をペロブスカイト層の上でスピンコートした。次にZnO層をPCBMの上でスピンコートした。ZnO層の最終厚さを(接触形状測定によって決定した)50nmに設定した。機器をAg(100nm)上部電極の蒸発により仕上げた。
結果をすべての実験および機器にわたる平均値で表す。
ZnO中2wt%のAl2O3の公称組成を有するアルミニウムドープ亜鉛酸化物(「AZO」)ナノ粒子を噴霧火炎合成によって合成した。前駆体の調製のために、33gのZn−アセテート(Aldrich)および1.9gのAl−アセチルアセトネート(Aldrich)を200gの2−エチルヘキサン酸に加え、そして150℃において1時間混合物を加熱することによって溶解した。得られた溶液をTHF質量で1:2のTHFで希釈した。次に前駆体をスプレーノズルに(5ml/分、HNP Mikrosysteme、micro annularギアポンプmzr−2900)供給し、酸素(7l/分、PanGas tech.)により分散し、そして予混合したメタン酸素炎(CH4:1.2l/分、O2:2.2l/分)により点火した。排ガスを約20m3/時間で真空ポンプ(Busch、Seco SV1040CV)によりガラス繊維フィルター(Schleicher & Schuell)を通してろ過した。得られた酸化物ナノパウダーをガラス繊維フィルターから集めた。
ZnOナノ粒子の合成のために、同じ手順を行ったが、前駆体中でAl−アセチルアセトネートを使用しなかった。
ZnOまたはAZOのいずれかを用いた懸濁液を以下のように調製した:
懸濁液の調製のために、5wt%の(上記の様な)ナノパウダー、0.35wt%の式(I)のホスフェートエステルおよび94.65wt%の乾燥エタノールをボールミルにより6時間分散させた。D2O中のホスフェートエステルのNMRスペクトルを図4(1H)および図5(31P);n=8、m=3、R=Me;MW=615g/モル)中に提供する。
AZOゾルゲルコーティング液を、(上記で引用した)Stubhanらのものと同じに調製した。詳細には、2.17gの酢酸亜鉛・H2O 0.037gの硝酸アルミニウム・9H2Oを100mLのエタノール中で混合した。混合物を80℃で3時間加熱し、そしてその後0.45μmのPTFEフィルターを通してろ過し、不溶性材料を除去した。
第1の実験において、AZO−懸濁液を提供するために、AZOナノ粒子を例2に記載されたように合成した。次に、40wt%のAZOナノ粒子、4wt%の(例2中に示されるような)ホスフェートエステルおよび56wt%のエタノールの混合物をボールミル粉砕により6時間分散させた。BaTiO3懸濁液では、40wt%のBaTiO3(200nm粒径、Nanoamorから購入した、製品ナンバー1148DY)、4wt%の(上記の様な)ホスフェートエステルおよび56wt%のプロポキシエタノールをボールミルにより1時間分散させた。
次に、2質量部のAZO懸濁液を1質量部のBaTiO3懸濁液と混合させた。この最終調合物を、250回転/分および8000回転/分を用いて、顕微鏡スライドガラス上にスピンコートした。ヘイズ(積分球; Perkin Elmer Lambda950)、表面粗さ(AFM NT−MDT Nano Educator)、電気伝導度(4点法; R−CHECK model RC2175)および膜厚(表面形状測定装置; KLA Tencor Α−Step D100)を測定して生じた膜に特徴付けた。以下の結果を観察した:
250回転/分スピンコーティング速度:41%ヘイズ、10,000nm膜厚、Ra=11nm
8000回転/分スピンコーティング速度:9%ヘイズ、2000nm膜厚。
250回転/分スピンコーティング速度:30%ヘイズ、8,800nm膜厚、Ra=8nm、伝導度=5Ω/□(226S/cm)
8000回転/分スピンコーティング速度:14%ヘイズ、1800nm膜厚、Ra=10nm、伝導度=1400Ω/□(3.9S/cm)。
250回転/分スピンコーティング速度:30%ヘイズ、8,800nm膜厚、Ra=8nm、伝導度=5Ω/□(226S/cm)
8000回転/分スピンコーティング速度:14%ヘイズ、1800nm膜厚、Ra=10nm、伝導度=1400Ω/□(3.9S/cm)。
(態様)
(態様1)
有機エレクトロニクスの群から選択された電子機器であって、
該機器は基材および多数の層を含み、
該層の少なくとも1つはバッファー層であり、
該バッファー層は、少なくとも1種の分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子を含み、
該分散剤は、式(I)
RO−(C 2 H 4 O) m (C 3 H 6 O) n −H (I)
(式中、RはC 1 〜C 10 アルキルであり;そしてmおよびnは、それぞれ独立して、2〜60である)のアルキルエーテルのホスフェートエステルであるか、
または、
該分散剤は、式(III)
RO(C 2 H 4 O)o(PES) p −H (III)
(式中、Rは、C 1〜10 アルキルであり;PESは、環状ラクトンから誘導されたポリエステルであり;oは5〜60であり;pは2〜30であり;そしてRO(C 2 H 4 O)oの分子量は(PES) p の分子量より大きい)のブロックコポリマーのホスフェートエステルである、電子機器。
(態様2)
OPV、OLED、光検出器および有機トランジスターからなる群から選択された、態様1に記載の機器。
(態様3)
該多数の層が、通常構造中にまたは逆構造中に並べられている、態様2に記載の機器。
(態様4)
該バッファー層が、正孔輸送(HTL)、正孔注入(HIL)、正孔抽出(HEL)、電子輸送(ETL)、電子注入(EIL)および電子抽出(EEL)層からなる群から選択される、態様1に記載の機器。
(態様5)
該金属酸化物ナノ粒子が、
純粋な金属酸化物、好ましくはZnO、TiO x 、WO x 、NiO、V y O x 、Mo y O x およびNb y O x ;
混合金属酸化物、好ましくはIGZO、IZO、ZnSnO 3 ;
ドープ金属酸化物、好ましくは ITOおよびATO;
からなる群から選択され、該金属酸化物が、任意選択的に炭素質材料を含む、態様1〜4のいずれか一項に記載の機器。
(態様6)
該金属酸化物ナノ粒子が、ZnO、AlドープZnO(「AZO」)、炭素質材料含有ZnO、炭素質材料含有AZO、TiO x およびドープTiO x からなる群から選択される、態様1〜5のいずれか一項に記載の機器。
(態様7)
該基材が、
(a)活性層;または
(b)追加のバッファー層;または、
(c)無機導電性電極材料、好ましくはITO、Ag、CuまたはNi;または、
(d)有機導電性電極材料、好ましくはPEDOT:PSS;または、
(e)(c)および(d)の組み合わせから選択される、態様1〜6のいずれか一項に記載の機器。
(態様8)
多数の層で被覆されたシート状基材を含む半製品であって、該層が、
(a)順に、電極/HEL/活性層/EEL/電極(「通常構造」)を有するか;または、
(b)順に、電極/EEL/活性層/HEL/電極。(「逆構造」)を有するか;または、
(c)順に、電極/EEL/活性層/HELを含むか;または、
(d)順に、電極/HEL/活性層/EELを含むか;または、
(e)順に、電極/HIL/HTL/活性層/ETL/EIL/電極を含み、
(a)〜(e)のぞれぞれの場合において、該バッファー層、HEL、EEL、HILの1つまたは2つ以上は、場合によって、態様6に記載の材料を含む、半製品。
(態様9)
該バッファー層が、散乱粒子を含まず、そして3〜1000nmの厚さを有し、または該バッファー層が、散乱粒子を含み、そして100〜20000nmの厚さを有し;そして/または、
該バッファー層が、30nm未満の平均表面粗さを有し;そして/または、
該バッファー層が、追加の散乱粒子を含み;そして/または、
該基材が、ITO、銀、銅、ニッケル、PEDOT:PSSまたは活性層の群から選択され;そして/または、
追加の層が存在せず;そして/または、
リン含有量は、0.005〜13wt%の範囲内にある、態様8に記載の半製品。
(態様10)
(a)金属酸化物ナノ粒子の群から選択されるが、ZnOナノ粒子を含まない、ナノ粒子と、
(b)式(I)のアルキルエーテルのホスフェートエステルおよび/または式(III)のブロックコポリマーの群から選択された、分散剤と、
(c)溶媒、好ましくは水、アルコール、グリコールエーテルおよびケトンからなる群から選択された溶媒と、
を含む、懸濁液の形態の組成物。
(態様11)
態様9または8に記載の半製品の製造するための、またはOLED、OPV、光検出器および有機トランジスターからなる群から選択される電子機器を製造するための、
(a)態様1中で規定された分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子、特に態様5中で規定された金属酸化物ナノ粒子と、
(b)水、アルコール、グリコールエーテルおよびケトンからなる群から選択された溶媒と、
を含む、懸濁液の形態の組成物の使用。
(態様12)
態様9または8に記載の半製品を製造する方法であって、
(a)基材または被覆された基材上に懸濁液を適用する工程であって、該懸濁液は(i)態様1中で規定された分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子、特に態様5中で規定された金属酸化物ナノ粒子と、(ii)溶媒と、を含む工程と、
(b)組成物から該溶媒を除く工程と、
(c)任意選択的に高温で乾燥層を処理する工程と、
の各ステップを含み、該バッファー層が製造される、方法。
(態様13)
(a)ステップ(a)の該懸濁液がコーティングまたは印刷によって適用され;そして/または、
(b)ステップ(b)の該溶媒が、空気下除去されるか、または低湿度含有量を有する保護ガス下で除去され;そして/または、
(c)ステップ(c)中の乾燥したナノ粒子膜が、空気中または保護ガス中で、80℃〜150℃においてアニールされる、態様12に記載の方法。
(態様14)
すべての層がコーティングまたは印刷によって製造される、態様13または12に記載の方法。
(態様15)
態様1〜8のいずれか一項に記載の電子機器を製造するための方法であって、
(a)態様8に記載の半製品を提供することと、
(b)該製品の該層と電気回路と接触させることと、
(c)得られた製品を仕上げることと、
の各ステップを含む、方法。
(態様16)
(a)態様8に記載の半製品を提供することと、
(b)該層と電気回路とを接触させることと、
(c)得られた製品を仕上げることと、
の各ステップを含む方法によって得られた、電子機器。
(態様17)
(a)基材または被覆された基材上に懸濁液を適用する工程であって、該懸濁液が(i)態様1中で規定された分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子、特に態様5中で規定された金属酸化物ナノ粒子、および(ii)溶媒を含む、工程と、
(b)組成物から該溶媒を除く工程と、
(c)任意選択的に高温で乾燥層を処理する工程と、
の各ステップを含む方法によって得られた、半製品。
Claims (17)
- 有機エレクトロニクスの群から選択された電子機器であって、
該機器は基材および多数の層を含み、
該層の少なくとも1つはバッファー層であり、
該バッファー層は、少なくとも1種の分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子を含み、
該分散剤は、式(I)
RO−(C2H4O)m(C3H6O)n−H (I)
(式中、RはC1〜C10アルキルであり;そしてmおよびnは、それぞれ独立して、2〜60である)のアルキルエーテルのホスフェートエステルであるか、
または、
該分散剤は、式(III)
RO(C2H4O)o(PES)p−H (III)
(式中、Rは、C1〜10アルキルであり;PESは、環状ラクトンから誘導されたポリエステルであり;oは5〜60であり;pは2〜30であり;そしてRO(C2H4O)oの分子量は(PES)pの分子量より大きい)のブロックコポリマーのホスフェートエステルである、電子機器。 - OPV、OLED、光検出器および有機トランジスターからなる群から選択された、請求項1に記載の機器。
- 該多数の層が、通常構造中にまたは逆構造中に並べられている、請求項2に記載の機器。
- 該バッファー層が、正孔輸送(HTL)、正孔注入(HIL)、正孔抽出(HEL)、電子輸送(ETL)、電子注入(EIL)および電子抽出(EEL)層からなる群から選択される、請求項1に記載の機器。
- 該金属酸化物ナノ粒子が、
純粋な金属酸化物、好ましくはZnO、TiOx、WOx、NiO、VyOx、MoyOxおよびNbyOx;
混合金属酸化物、好ましくはIGZO、IZO、ZnSnO3;
ドープ金属酸化物、好ましくは ITOおよびATO;
からなる群から選択され、該金属酸化物が、任意選択的に炭素質材料を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の機器。 - 該金属酸化物ナノ粒子が、ZnO、AlドープZnO(「AZO」)、炭素質材料含有ZnO、炭素質材料含有AZO、TiOxおよびドープTiOxからなる群から選択される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の機器。
- 該基材が、
(a)活性層;または
(b)追加のバッファー層;または、
(c)無機導電性電極材料、好ましくはITO、Ag、CuまたはNi;または、
(d)有機導電性電極材料、好ましくはPEDOT:PSS;または、
(e)(c)および(d)の組み合わせから選択される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の機器。 - 多数の層で被覆されたシート状基材を含む半製品であって、該層が、
(a)順に、電極/HEL/活性層/EEL/電極(「通常構造」)を有するか;または、
(b)順に、電極/EEL/活性層/HEL/電極。(「逆構造」)を有するか;または、
(c)順に、電極/EEL/活性層/HELを含むか;または、
(d)順に、電極/HEL/活性層/EELを含むか;または、
(e)順に、電極/HIL/HTL/活性層/ETL/EIL/電極を含み、
(a)〜(e)のぞれぞれの場合において、該バッファー層、HEL、EEL、HILの1つまたは2つ以上は、場合によって、請求項6に記載の材料を含む、半製品。 - 該バッファー層が、散乱粒子を含まず、そして3〜1000nmの厚さを有し、または該バッファー層が、散乱粒子を含み、そして100〜20000nmの厚さを有し;そして/または、
該バッファー層が、30nm未満の平均表面粗さを有し;そして/または、
該バッファー層が、追加の散乱粒子を含み;そして/または、
該基材が、ITO、銀、銅、ニッケル、PEDOT:PSSまたは活性層の群から選択され;そして/または、
追加の層が存在せず;そして/または、
リン含有量は、0.005〜13wt%の範囲内にある、請求項8に記載の半製品。 - (a)金属酸化物ナノ粒子の群から選択されるが、ZnOナノ粒子を含まない、ナノ粒子と、
(b)式(I)のアルキルエーテルのホスフェートエステルおよび/または式(III)のブロックコポリマーの群から選択された、分散剤と、
(c)溶媒、好ましくは水、アルコール、グリコールエーテルおよびケトンからなる群から選択された溶媒と、
を含む、懸濁液の形態の組成物。 - 請求項9または8に記載の半製品の製造するための、またはOLED、OPV、光検出器および有機トランジスターからなる群から選択される電子機器を製造するための、
(a)請求項1中で規定された分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子、特に請求項5中で規定された金属酸化物ナノ粒子と、
(b)水、アルコール、グリコールエーテルおよびケトンからなる群から選択された溶媒と、
を含む、懸濁液の形態の組成物の使用。 - 請求項9または8に記載の半製品を製造する方法であって、
(a)基材または被覆された基材上に懸濁液を適用する工程であって、該懸濁液は(i)請求項1中で規定された分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子、特に請求項5中で規定された金属酸化物ナノ粒子と、(ii)溶媒と、を含む工程と、
(b)組成物から該溶媒を除く工程と、
(c)任意選択的に高温で乾燥層を処理する工程と、
の各ステップを含み、該バッファー層が製造される、方法。 - (a)ステップ(a)の該懸濁液がコーティングまたは印刷によって適用され;そして/または、
(b)ステップ(b)の該溶媒が、空気下除去されるか、または低湿度含有量を有する保護ガス下で除去され;そして/または、
(c)ステップ(c)中の乾燥したナノ粒子膜が、空気中または保護ガス中で、80℃〜150℃においてアニールされる、請求項12に記載の方法。 - すべての層がコーティングまたは印刷によって製造される、請求項13または12に記載の方法。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の電子機器を製造するための方法であって、
(a)請求項8に記載の半製品を提供することと、
(b)該製品の該層と電気回路と接触させることと、
(c)得られた製品を仕上げることと、
の各ステップを含む、方法。 - (a)請求項8に記載の半製品を提供することと、
(b)該層と電気回路とを接触させることと、
(c)得られた製品を仕上げることと、
の各ステップを含む方法によって得られた、電子機器。 - (a)基材または被覆された基材上に懸濁液を適用する工程であって、該懸濁液が(i)請求項1中で規定された分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子、特に請求項5中で規定された金属酸化物ナノ粒子、および(ii)溶媒を含む、工程と、
(b)組成物から該溶媒を除く工程と、
(c)任意選択的に高温で乾燥層を処理する工程と、
の各ステップを含む方法によって得られた、半製品。
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