JP2017225109A - Multiplexer and high frequency front end module - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress reduction in pass characteristics of other filters constituting the same multiplexer when using an acoustic wave filter in the multiplexer.SOLUTION: A multiplexer comprises: a first filter 11 which is disposed between a common terminal 15 and a first terminal 16; and a second filter 12 which is disposed between the common terminal 15 and a second terminal 17 and has a higher pass band frequency than that of the first filter 11. The second filter 12 includes multiple IDT parts 211-215 that are disposed to be longitudinally coupled. Among multiple IDT electrodes constituting the IDT parts 211-215, IDT electrodes 212b and 214b at one side are connected to a side of the common terminal 15, and IDT electrodes 211b, 213b and 215b at the other side are connected to a side of the second terminal 17. Between the IDT electrodes at one side and the IDT electrodes at the other side, main pitches λm of multiple electrode fingers are different and in at least one of the IDT electrodes at the other side, the main pitch λm of the electrode fingers is maximum.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、複数のフィルタを有するマルチプレクサ、および、このマルチプレクサを備える高周波フロントエンドモジュールに関する。   The present invention relates to a multiplexer having a plurality of filters and a high-frequency front-end module including the multiplexer.

近年の携帯電話には、一端末で複数の周波数帯域および複数の無線方式、いわゆるマルチバンド化およびマルチモード化に対応することが要求されている。これに対応すべく、１つのアンテナの直下には、複数の無線搬送周波数を有する高周波信号を分波するマルチプレクサが配置される。マルチプレクサを構成する複数の帯域通過フィルタとしては、通過帯域内における低損失性および通過帯域周辺における通過特性の急峻性を特徴とする弾性波フィルタ等が用いられる。   Recent mobile phones are required to support a plurality of frequency bands and a plurality of wireless systems, so-called multiband and multimode, in one terminal. In order to cope with this, a multiplexer for demultiplexing a high-frequency signal having a plurality of radio carrier frequencies is arranged immediately below one antenna. As the plurality of band pass filters constituting the multiplexer, an elastic wave filter or the like characterized by low loss in the pass band and steep pass characteristics around the pass band is used.

この弾性波フィルタの一例として、特許文献１には、５つのＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）部を有する縦結合型の弾性波フィルタが開示されている。この弾性波フィルタでは、５つのＩＤＴ部が弾性波の伝搬方向に沿って圧電基板上に配置されている。   As an example of this elastic wave filter, Patent Document 1 discloses a longitudinally coupled elastic wave filter having five IDT (Inter Digital Transducer) sections. In this elastic wave filter, five IDT portions are arranged on the piezoelectric substrate along the propagation direction of the elastic wave.

国際公開第２０１３／０６９２２５号International Publication No. 2013/069225

特許文献１に開示された弾性波フィルタでは、５つのＩＤＴ部のうちの第１のＩＤＴ電極、第３のＩＤＴ電極および第５のＩＤＴ電極が一方の入力側の端子（不平衡端子）に共通接続され、第２のＩＤＴ電極および第４のＩＤＴ電極が、異なる他方の出力側の端子（平衡端子）にそれぞれ接続されている。また、特許文献１の段落［００２５］の記載では、第１および第５のＩＤＴ電極の電極指のピッチは１．０５８２μｍ、第２および第４のＩＤＴ電極の電極指のピッチは、１．０５６９μｍ、第３のＩＤＴ電極の電極指のピッチは１．０６１２μｍとなっている。すなわち、最大の電極指のピッチを有するＩＤＴ電極（特許文献１の場合、第３のＩＤＴ電極）が、入力側端子に接続されている。   In the elastic wave filter disclosed in Patent Document 1, the first IDT electrode, the third IDT electrode, and the fifth IDT electrode of the five IDT portions are common to one input side terminal (unbalanced terminal). The second IDT electrode and the fourth IDT electrode are connected to different terminals on the other output side (balanced terminals). In the description of paragraph [0025] of Patent Document 1, the pitch of electrode fingers of the first and fifth IDT electrodes is 1.0582 μm, and the pitch of electrode fingers of the second and fourth IDT electrodes is 1.0569 μm. The pitch of the electrode fingers of the third IDT electrode is 1.0612 μm. That is, the IDT electrode having the maximum electrode finger pitch (in the case of Patent Document 1, the third IDT electrode) is connected to the input side terminal.

前述したマルチバンド化等に対応するためには、複数のフィルタを有するマルチプレクサが用いられる。これに関して発明者は、マルチプレクサのフィルタとして上記に示すような電極指のピッチを有する弾性波フィルタを用いた場合、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることがあることに気付いた。   In order to cope with the above-described multibanding or the like, a multiplexer having a plurality of filters is used. In this regard, the inventor has noticed that when an acoustic wave filter having the electrode finger pitch as shown above is used as a multiplexer filter, the pass characteristics of other filters constituting the same multiplexer may be reduced. .

そこで、本発明は、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いる場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することを目的とする。   In view of the above, an object of the present invention is to suppress degradation of the pass characteristics of other filters constituting the same multiplexer when an elastic wave filter is used in the multiplexer.

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、共通端子、第１端子および第２端子と、前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタと、前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ経路上に配置され、前記第１フィルタより高い通過帯域周波数を有する第２フィルタと、を備え、前記第２フィルタは、弾性波フィルタであって、弾性波の伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ部を有し、前記複数のＩＤＴ部のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極で構成され、前記複数のＩＤＴ部を構成する複数の前記ＩＤＴ電極のうち、一方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記共通端子側に接続され、他方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に接続され、前記一方のＩＤＴ電極および前記他方のＩＤＴ電極のそれぞれは、圧電基板の表面に形成され、前記弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指を有し、前記一方のＩＤＴ電極と前記他方のＩＤＴ電極とでは、前記電極指のメインピッチが異なり、前記他方のＩＤＴ電極の少なくとも１つは、複数の前記ＩＤＴ電極のうち前記電極指のメインピッチが最大である。   To achieve the above object, a multiplexer according to an aspect of the present invention includes a common filter, a first terminal, a second terminal, and a first filter disposed on a path connecting the common terminal and the first terminal. And a second filter disposed on a path connecting the common terminal and the second terminal and having a higher passband frequency than the first filter, and the second filter is an acoustic wave filter, , Having a plurality of IDT portions arranged along the propagation direction of the elastic wave, each of the plurality of IDT portions being composed of a pair of IDT electrodes facing each other, and a plurality of constituting the plurality of IDT portions Of the IDT electrodes, one IDT electrode is connected to the common terminal side of the common terminal and the second terminal, and the other IDT electrode is the second of the common terminal and the second terminal. Each of the one IDT electrode and the other IDT electrode is formed on the surface of the piezoelectric substrate and has a plurality of electrode fingers arranged in the propagation direction of the elastic wave, and the one IDT electrode And the other IDT electrode have different main pitches of the electrode fingers, and at least one of the other IDT electrodes has a maximum main pitch of the electrode fingers among the plurality of IDT electrodes.

このように、他方のＩＤＴ電極の少なくとも１つについて、電極指のメインピッチが最大となるようにすることで、第１フィルタの周波数通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタの通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   In this way, for at least one of the other IDT electrodes, by making the main pitch of the electrode fingers maximum, an unnecessary wave that increases the return loss of the second filter that occurs in the frequency passband of the first filter. Can be moved out of the pass band of the first filter. Thereby, when an elastic wave filter is used in a multiplexer, it can suppress that the pass characteristic of the other filter which comprises the same multiplexer falls.

また、前記一方のＩＤＴ電極の少なくとも１つは、複数の前記ＩＤＴ電極のうち前記電極指のメインピッチが最小であってもよい。   Further, at least one of the one IDT electrodes may have a minimum main pitch of the electrode fingers among the plurality of IDT electrodes.

このように、一方のＩＤＴ電極の少なくとも１つについて、電極指のメインピッチが最小となるようにすることで、第１フィルタの通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を、第１フィルタの通過帯域よりも高周波側であって、第２フィルタの低周波側ストップバンドの帯域内に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   In this way, for at least one of the IDT electrodes, the main pitch of the electrode fingers is minimized, so that the return loss of the second filter that occurs in the pass band of the first filter increases. The position can be moved to a higher frequency side than the pass band of the first filter and into a low frequency side stop band of the second filter. Thereby, when an elastic wave filter is used in a multiplexer, it can suppress that the pass characteristic of the other filter which comprises the same multiplexer falls.

また、本発明の他の一態様に係るマルチプレクサは、共通端子、第１端子および第２端子と、前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタと、前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ経路上に配置され、前記第１フィルタより高い通過帯域周波数を有する第２フィルタと、を備え、前記第２フィルタは、弾性波フィルタであって、弾性波の伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ部を有し、前記複数のＩＤＴ部のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極で構成され、前記複数のＩＤＴ部を構成する複数の前記ＩＤＴ電極のうち、一方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記共通端子側に接続され、他方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に接続され、前記一方のＩＤＴ電極および前記他方のＩＤＴ電極のそれぞれは、圧電基板の表面に形成され、前記弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指を有し、前記一方のＩＤＴ電極と前記他方のＩＤＴ電極とでは、前記電極指のメインピッチが異なり、前記一方のＩＤＴ電極が有する前記電極指のピッチの総平均は、前記他方のＩＤＴ電極が有する前記電極指のピッチの総平均よりも小さい。   In addition, a multiplexer according to another aspect of the present invention includes a common terminal, a first terminal, a second terminal, a first filter disposed on a path connecting the common terminal and the first terminal, and the common A second filter disposed on a path connecting the terminal and the second terminal and having a passband frequency higher than that of the first filter, the second filter being an acoustic wave filter, A plurality of IDT portions arranged along a propagation direction, each of the plurality of IDT portions being composed of a pair of IDT electrodes facing each other, and the plurality of IDT electrodes constituting the plurality of IDT portions One IDT electrode is connected to the common terminal side of the common terminal and the second terminal, and the other IDT electrode is connected to the second terminal side of the common terminal and the second terminal. Is Each of the one IDT electrode and the other IDT electrode has a plurality of electrode fingers formed on the surface of the piezoelectric substrate and arranged in the propagation direction of the elastic wave, and the one IDT electrode and the other IDT electrode The main pitch of the electrode fingers is different, and the total average pitch of the electrode fingers of the one IDT electrode is smaller than the total average pitch of the electrode fingers of the other IDT electrode.

このように、一方のＩＤＴ電極が有する電極指のピッチの総平均を、他方のＩＤＴ電極が有する電極指のピッチの総平均よりも小さくすることで、第１フィルタの周波数通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタの通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   Thus, by making the total average of the pitches of the electrode fingers possessed by one IDT electrode smaller than the total average of the pitches of the electrode fingers possessed by the other IDT electrode, the first frequency generated in the frequency passband of the first filter. It becomes possible to move the position of the unnecessary wave where the return loss of the two filters becomes large outside the pass band of the first filter. Thereby, when an elastic wave filter is used in a multiplexer, it can suppress that the pass characteristic of the other filter which comprises the same multiplexer falls.

また、本発明の他の一態様に係るマルチプレクサは、共通端子、第１端子および第２端子と、前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタと、前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ経路上に配置され、前記第１フィルタより高い通過帯域周波数を有する第２フィルタと、を備え、前記第２フィルタは、弾性波フィルタであって、弾性波の伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ部を有し、前記複数のＩＤＴ部のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極で構成され、前記複数のＩＤＴ部を構成する複数の前記ＩＤＴ電極のうち、一方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記共通端子側に接続され、他方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に接続され、前記一方のＩＤＴ電極および前記他方のＩＤＴ電極のそれぞれは、圧電基板の表面に形成され、前記弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指を有し、前記一方のＩＤＴ電極と前記他方のＩＤＴ電極とでは、前記電極指のメインピッチが異なり、それぞれの前記ＩＤＴ電極において前記電極指のピッチの平均値を求めた場合に、最大の前記平均値を有するＩＤＴ電極が前記他方のＩＤＴ電極中に存在する。   In addition, a multiplexer according to another aspect of the present invention includes a common terminal, a first terminal, a second terminal, a first filter disposed on a path connecting the common terminal and the first terminal, and the common A second filter disposed on a path connecting the terminal and the second terminal and having a passband frequency higher than that of the first filter, the second filter being an acoustic wave filter, A plurality of IDT portions arranged along a propagation direction, each of the plurality of IDT portions being composed of a pair of IDT electrodes facing each other, and the plurality of IDT electrodes constituting the plurality of IDT portions One IDT electrode is connected to the common terminal side of the common terminal and the second terminal, and the other IDT electrode is connected to the second terminal side of the common terminal and the second terminal. Is Each of the one IDT electrode and the other IDT electrode has a plurality of electrode fingers formed on the surface of the piezoelectric substrate and arranged in the propagation direction of the elastic wave, and the one IDT electrode and the other IDT electrode The main pitch of the electrode fingers is different, and when the average value of the pitch of the electrode fingers is obtained for each of the IDT electrodes, the IDT electrode having the maximum average value exists in the other IDT electrode To do.

このように、それぞれのＩＤＴ電極において電極指のピッチの平均値を求めた場合に、最大の平均値を有するＩＤＴ電極が他方のＩＤＴ電極中に存在することで、第１フィルタの周波数通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタの通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   Thus, when the average value of the pitch of the electrode finger is obtained in each IDT electrode, the IDT electrode having the maximum average value is present in the other IDT electrode, so that the frequency pass band of the first filter is obtained. It becomes possible to move the position of the unnecessary wave where the return loss of the generated second filter becomes large outside the pass band of the first filter. Thereby, when an elastic wave filter is used in a multiplexer, it can suppress that the pass characteristic of the other filter which comprises the same multiplexer falls.

また、それぞれの前記ＩＤＴ電極において前記電極指のピッチの平均値を求めた場合に、最小の前記平均値を有するＩＤＴ電極が前記一方のＩＤＴ電極中に存在してもよい。   Moreover, when the average value of the pitch of the electrode fingers is obtained for each of the IDT electrodes, an IDT electrode having the minimum average value may be present in the one IDT electrode.

このように、最小の平均値を有するＩＤＴ電極が一方のＩＤＴ電極中に存在することで、第１フィルタの通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を、第１フィルタの通過帯域よりも高周波側であって、第２フィルタの低周波側ストップバンドの帯域内に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   As described above, since the IDT electrode having the minimum average value is present in one IDT electrode, the position of the unnecessary wave at which the return loss of the second filter generated in the pass band of the first filter becomes large is determined as the first. It is possible to move to a higher frequency side than the pass band of the filter and within a low frequency side stop band of the second filter. Thereby, when an elastic wave filter is used in a multiplexer, it can suppress that the pass characteristic of the other filter which comprises the same multiplexer falls.

また、前記一方のＩＤＴ電極と前記共通端子との間に、前記第２フィルタと異なる回路素子が接続されていてもよい。   A circuit element different from the second filter may be connected between the one IDT electrode and the common terminal.

このように、一方のＩＤＴ電極と共通端子との間に、第２フィルタと異なる回路素子が接続されている場合であっても、第１フィルタの周波数通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタの通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   Thus, even when a circuit element different from the second filter is connected between the one IDT electrode and the common terminal, the return loss of the second filter that occurs in the frequency passband of the first filter. It becomes possible to move the position of the unnecessary wave where the frequency becomes large outside the pass band of the first filter. Thereby, it can suppress that the pass characteristic of the other filter which comprises the same multiplexer falls.

また、第２フィルタは、３以上の奇数の前記ＩＤＴ部を有し、前記一方のＩＤＴ電極の数は、前記他方のＩＤＴ電極の数より少なくてもよい。   The second filter may include an odd number of IDT portions of 3 or more, and the number of the one IDT electrodes may be smaller than the number of the other IDT electrodes.

これによれば、第１フィルタの通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を、容易に高周波側に移動させることができ、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   According to this, the position of the unnecessary wave where the return loss of the second filter generated in the pass band of the first filter becomes large can be easily moved to the high frequency side, and when the elastic wave filter is used in the multiplexer. Decreasing the pass characteristics of other filters constituting the same multiplexer can be suppressed.

また、前記第２フィルタは、５以上の前記ＩＤＴ部を有していてもよい。   The second filter may include five or more IDT portions.

これによれば、第１フィルタおよび第２フィルタそれぞれの周波数通過帯域を広げることができる。   According to this, the frequency pass band of each of the first filter and the second filter can be expanded.

また、前記第１フィルタおよび前記第２フィルタは、互いに受信フィルタであってもよい。   The first filter and the second filter may be reception filters.

これによれば、弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる、複数の受信フィルタからなるマルチプレクサを提供することができる。   According to this, when an elastic wave filter is used, it is possible to provide a multiplexer composed of a plurality of reception filters that can suppress the deterioration of the pass characteristics of other filters constituting the same multiplexer.

また、前記第１フィルタが前記共通端子に接続されているときに、前記第２フィルタが前記共通端子に接続されていてもよい。   In addition, when the first filter is connected to the common terminal, the second filter may be connected to the common terminal.

これによれば、第１フィルタの通過帯域に第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波が発生する場合であっても、上記不要波を第１フィルタの通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   According to this, even when an unnecessary wave in which the return loss of the second filter becomes large is generated in the pass band of the first filter, the unnecessary wave can be moved out of the pass band of the first filter. Become. Thereby, when an elastic wave filter is used in a multiplexer, it can suppress that the pass characteristic of the other filter which comprises the same multiplexer falls.

また、本発明の他の態様に係る高周波フロントエンドモジュールは、上記マルチプレクサを備えている。   A high frequency front end module according to another aspect of the present invention includes the multiplexer.

このように、高周波フロントエンドモジュールのマルチプレクサにおいて、他方のＩＤＴ電極の少なくとも１つが、電極指のメインピッチが最大となるようにすることで、第１フィルタの周波数通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタの通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、高周波フロントエンドモジュールにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   Thus, in the multiplexer of the high-frequency front-end module, at least one of the other IDT electrodes has the main pitch of the electrode fingers maximized, so that the second filter generated in the frequency passband of the first filter It is possible to move the position of the unwanted wave where the return loss increases outside the pass band of the first filter. Thereby, when an elastic wave filter is used in a high frequency front end module, it can control that the passage characteristic of other filters which constitute the same multiplexer falls.

本発明は、マルチプレクサまたは高周波フロントエンドモジュールにおいて弾性波フィルタを用いる場合に、同じマルチプレクサまたは高周波フロントエンドモジュールを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   According to the present invention, when an elastic wave filter is used in a multiplexer or a high-frequency front-end module, it is possible to suppress a decrease in pass characteristics of other filters constituting the same multiplexer or high-frequency front-end module.

実施の形態に係るマルチプレクサを含む通信装置の回路構成図である。It is a circuit block diagram of the communication apparatus containing the multiplexer which concerns on embodiment. 実施の形態に係るマルチプレクサの挿入損失（通過特性）を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the insertion loss (passage characteristic) of the multiplexer which concerns on embodiment. 実施の形態に係るマルチプレクサであって、第１フィルタおよび第２フィルタを有するマルチプレクサを示す回路構成図である。It is a circuit block diagram which is the multiplexer which concerns on embodiment, Comprising: The multiplexer which has a 1st filter and a 2nd filter. 図２に示すマルチプレクサの第２フィルタを示す模式的平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view showing a second filter of the multiplexer shown in FIG. 2. 図２に示す第２フィルタのＩＤＴ部を模式的に表す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。It is a figure which represents typically the IDT part of the 2nd filter shown in FIG. 2, (a) is a top view, (b) is sectional drawing. 比較例に係るマルチプレクサの第２フィルタを示す模式的平面図である。It is a typical top view which shows the 2nd filter of the multiplexer concerning a comparative example. 第１フィルタの周波数通過帯域における挿入損失を示す図である。It is a figure which shows the insertion loss in the frequency pass band of a 1st filter. 第１フィルタの周波数通過帯域における、第２フィルタのリターンロスを示す図である。It is a figure which shows the return loss of a 2nd filter in the frequency pass band of a 1st filter. 実施の形態に係るマルチプレクサを含む高周波フロントエンドモジュールの回路構成図である。It is a circuit block diagram of the high frequency front end module containing the multiplexer which concerns on embodiment. その他の形態に係るマルチプレクサの第２フィルタ側の構成を示す模式的平面図である。It is a schematic plan view which shows the structure by the side of the 2nd filter of the multiplexer which concerns on another form.

以下、本発明の実施の形態について、実施の形態および図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the embodiments and the drawings. It should be noted that each of the embodiments described below shows a comprehensive or specific example. Numerical values, shapes, materials, constituent elements, arrangement of constituent elements, connection forms, and the like shown in the following embodiments are merely examples, and are not intended to limit the present invention. Among the constituent elements in the following embodiments, constituent elements not described in the independent claims are described as optional constituent elements. In addition, the size or size ratio of the components shown in the drawings is not necessarily strict.

（実施の形態）
［１．マルチプレクサの全体構成］
図１Ａは、実施の形態に係るマルチプレクサ１を含む通信装置９の回路構成図である。図１Ｂは、実施の形態に係るマルチプレクサ１の挿入損失（通過特性）を示す模式図である。 (Embodiment)
[1. Overall configuration of multiplexer]
FIG. 1A is a circuit configuration diagram of a communication device 9 including a multiplexer 1 according to an embodiment. FIG. 1B is a schematic diagram illustrating insertion loss (passage characteristics) of the multiplexer 1 according to the embodiment.

通信装置９は、図１Ａに示されるように、マルチプレクサ１と、高周波信号処理回路であるＲＦＩＣ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）４とを備える。マルチプレクサ１は、共通端子１５を介して、アンテナ素子２に接続される。   As illustrated in FIG. 1A, the communication device 9 includes a multiplexer 1 and a radio frequency integrated circuit (RFIC) 4 that is a high-frequency signal processing circuit. The multiplexer 1 is connected to the antenna element 2 via the common terminal 15.

図１Ａは、マルチプレクサ１の一例として、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）規格のＢａｎｄ２５（送信通過帯域：１８５０−１９１５ＭＨｚ、受信通過帯域：１９３０−１９９５ＭＨｚ）、および、Ｂａｎｄ６６（送信通過帯域：１７１０−１７８０ＭＨｚ、受信通過帯域：２１１０−２２００ＭＨｚ）に適用されるクワッドプレクサを示している。   FIG. 1A shows, as an example of the multiplexer 1, Band 25 (transmission pass band: 1850-1915 MHz, reception pass band: 1930-1995 MHz) and Band 66 (transmission pass band: 1710-1780 MHz, reception) of LTE (Long Term Evolution) standard. The quadplexer applied to a passband: 2110-2200 MHz is shown.

マルチプレクサ１は、送信側フィルタ１０１、１０３と、受信側フィルタ１０２、１０４と、共通端子１５と、送信入力端子１０６、１０８と、受信出力端子１０７、１０９とを備える。送信側フィルタ１０１、１０３および受信側フィルタ１０２、１０４は、それぞれの引き出し線が束ねられて共通端子１５に接続されている。   The multiplexer 1 includes transmission side filters 101 and 103, reception side filters 102 and 104, a common terminal 15, transmission input terminals 106 and 108, and reception output terminals 107 and 109. The transmission-side filters 101 and 103 and the reception-side filters 102 and 104 are connected to the common terminal 15 by bundling respective lead wires.

送信側フィルタ１０１、１０３のそれぞれは、ＲＦＩＣ４で生成された送信波を、それぞれの送信入力端子１０６、１０８を経由して入力し、各送信通過帯域でフィルタリングして共通端子１５へ出力する帯域通過フィルタである。   Each of the transmission-side filters 101 and 103 receives the transmission wave generated by the RFIC 4 via the respective transmission input terminals 106 and 108, and filters the respective transmission pass bands to output to the common terminal 15. It is a filter.

受信側フィルタ１０２、１０４のそれぞれは、共通端子１５から入力された受信波を入力し、各受信通過帯域でフィルタリングしてそれぞれの受信出力端子１０７、１０９へ出力する帯域通過フィルタである。   Each of the reception-side filters 102 and 104 is a band-pass filter that receives a reception wave input from the common terminal 15, filters it in each reception pass band, and outputs it to the respective reception output terminals 107 and 109.

ここで、本実施の形態のマルチプレクサ１の要旨を把握するため、図１Ａのマルチプレクサ１に含まれる任意の２つのフィルタに着目する。そして、着目した２つのフィルタのそれぞれを、第１フィルタ１１および第２フィルタ１２と呼ぶ。   Here, in order to grasp the gist of the multiplexer 1 of the present embodiment, attention is paid to arbitrary two filters included in the multiplexer 1 of FIG. 1A. Then, each of the focused two filters is referred to as a first filter 11 and a second filter 12.

図２は、第１フィルタ１１および第２フィルタ１２を含むマルチプレクサ１Ａを示す回路構成図である。   FIG. 2 is a circuit configuration diagram showing a multiplexer 1 </ b> A including the first filter 11 and the second filter 12.

図２に示されるように、第１フィルタ１１は、共通端子１５と第１端子１６とを結ぶ経路上に配置されている。第２フィルタ１２は、共通端子１５と第２端子１７とを結ぶ経路上に配置されている。少なくとも、第１フィルタ１１が共通端子１５に接続されてフィルタリングを行っているとき、第２フィルタ１２は共通端子１５に接続されている。   As shown in FIG. 2, the first filter 11 is disposed on a path connecting the common terminal 15 and the first terminal 16. The second filter 12 is disposed on a path connecting the common terminal 15 and the second terminal 17. At least when the first filter 11 is connected to the common terminal 15 for filtering, the second filter 12 is connected to the common terminal 15.

第２フィルタ１２は、通過帯域の周波数が第１フィルタ１１よりも高い。本実施の形態では、一例として、第１フィルタ１１をＢａｎｄ２５の受信通過帯域（Ｂａｎｄ２５Ｒｘ）のフィルタとし、第２フィルタ１２をＢａｎｄ６６の受信通過帯域（Ｂａｎｄ６６Ｒｘ）のフィルタとして説明する。   The second filter 12 has a passband frequency higher than that of the first filter 11. In this embodiment, as an example, the first filter 11 is described as a Band 25 reception passband (Band25Rx) filter, and the second filter 12 is described as a Band66 reception passband (Band66Rx) filter.

［２．第２フィルタのＩＤＴ部の構造］
図３は、マルチプレクサ１Ａの第２フィルタ１２を示す模式的平面図である。 [2. Structure of IDT part of second filter]
FIG. 3 is a schematic plan view showing the second filter 12 of the multiplexer 1A.

第２フィルタ１２は、縦結合型の弾性波フィルタであって、複数のＩＤＴ部２１１、２１２、２１３、２１４および２１５を有している。なお、第１フィルタ１１は、直列共振子および並列共振子を有するラダー型のフィルタであってもよいし、縦結合型の弾性波フィルタであってもよい。   The second filter 12 is a longitudinally coupled elastic wave filter and includes a plurality of IDT portions 211, 212, 213, 214 and 215. The first filter 11 may be a ladder type filter having a series resonator and a parallel resonator, or may be a longitudinally coupled elastic wave filter.

第２フィルタ１２を説明する前に、第２フィルタ１２を構成するＩＤＴ部２１１〜２１５の構造について、ＩＤＴ部２１１〜２１５と共通するＩＤＴ部２２を用いて説明する。   Before describing the second filter 12, the structure of the IDT units 211 to 215 constituting the second filter 12 will be described using the IDT unit 22 common to the IDT units 211 to 215.

図４は、ＩＤＴ部２２を模式的に表す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。なお、ＩＤＴ部２２は、弾性波フィルタの典型的な構造を説明するためのものであって、電極を構成する電極指の本数や長さなどは、これに限定されない。   4A and 4B are diagrams schematically showing the IDT portion 22, where FIG. 4A is a plan view and FIG. 4B is a cross-sectional view. The IDT section 22 is for explaining a typical structure of the acoustic wave filter, and the number and length of electrode fingers constituting the electrode are not limited to this.

ＩＤＴ部２２は、櫛形形状を有するＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極２２ａおよび２２ｂとで構成されている。   The IDT section 22 is configured by IDT (Inter Digital Transducer) electrodes 22a and 22b having a comb shape.

図４の（ａ）に示すように、圧電基板３２６の上には、互いに対向する一組のＩＤＴ電極２２ａおよび２２ｂが形成されている。ＩＤＴ電極２２ａは、互いに平行な複数の電極指２２２ａと、複数の電極指２２２ａを接続するバスバー電極２２１ａとで構成されている。また、ＩＤＴ電極２２ｂは、互いに平行な複数の電極指２２２ｂと、複数の電極指２２２ｂを接続するバスバー電極２２１ｂとで構成されている。複数の電極指２２２ａおよび２２２ｂは、弾性波の伝搬方向と直交する方向に沿って形成されている。すなわち、電極指２２２ａおよび２２２ｂは、弾性波の伝搬方向に並んで形成されている。   As shown in FIG. 4A, a pair of IDT electrodes 22a and 22b facing each other are formed on the piezoelectric substrate 326. The IDT electrode 22a includes a plurality of electrode fingers 222a that are parallel to each other and a bus bar electrode 221a that connects the plurality of electrode fingers 222a. The IDT electrode 22b includes a plurality of electrode fingers 222b that are parallel to each other and a bus bar electrode 221b that connects the plurality of electrode fingers 222b. The plurality of electrode fingers 222a and 222b are formed along a direction orthogonal to the propagation direction of the elastic wave. That is, the electrode fingers 222a and 222b are formed side by side in the propagation direction of the elastic wave.

また、複数の電極指２２２ａおよび２２２ｂ、ならびに、バスバー電極２２１ａおよび２２１ｂで構成されるＩＤＴ電極２２ａおよび２２ｂは、図４の（ｂ）に示すように、密着層３２３と主電極層３２４との積層構造となっている。   Further, the IDT electrodes 22a and 22b including the plurality of electrode fingers 222a and 222b and the bus bar electrodes 221a and 221b are formed by stacking the adhesion layer 323 and the main electrode layer 324 as shown in FIG. It has a structure.

密着層３２３は、圧電基板３２６と主電極層３２４との密着性を向上させるための層であり、材料として、例えば、Ｔｉが用いられる。密着層３２３の膜厚は、例えば、１２ｎｍである。   The adhesion layer 323 is a layer for improving the adhesion between the piezoelectric substrate 326 and the main electrode layer 324, and for example, Ti is used as a material. The film thickness of the adhesion layer 323 is, for example, 12 nm.

主電極層３２４は、材料として、例えば、Ｃｕを１％含有したＡｌが用いられる。主電極層３２４の膜厚は、例えば１６２ｎｍである。   The main electrode layer 324 is made of, for example, Al containing 1% Cu. The film thickness of the main electrode layer 324 is, for example, 162 nm.

保護層３２５は、ＩＤＴ電極２２ａおよび２２ｂを覆うように形成されている。保護層３２５は、主電極層３２４を外部環境から保護する、周波数温度特性を調整する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする層であり、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜である。   The protective layer 325 is formed so as to cover the IDT electrodes 22a and 22b. The protective layer 325 is a layer for the purpose of protecting the main electrode layer 324 from the external environment, adjusting frequency temperature characteristics, and improving moisture resistance, and is, for example, a film mainly composed of silicon dioxide. .

圧電基板３２６は、例えば、所定のカット角を有するＬｉＴａＯ３圧電単結晶、ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶、または圧電セラミックスからなる。 The piezoelectric substrate 326 is made of, for example, LiTaO 3 piezoelectric single crystal, LiNbO 3 piezoelectric single crystal, or piezoelectric ceramic having a predetermined cut angle.

ここで、ＩＤＴ部２２の設計パラメータについて説明する。弾性表面波共振子の波長とは、図４の（ｂ）に示すＩＤＴ２２を構成する複数の電極指２２２ａおよび２２２ｂの繰り返しピッチλで規定される。また、ＩＤＴ電極の交叉幅Ｌは、図４の（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極２２ａの電極指２２２ａとＩＤＴ電極２２ｂの電極指２２２ｂとを弾性波の伝搬方向から見た場合の重複する電極指長さである。また、デューティー比Ｄは、複数の電極指２２２ａおよび２２２ｂのライン幅占有率であり、複数の電極指２２２ａおよび２２２ｂのライン幅とスペース幅との加算値に対する当該ライン幅の割合である。より具体的には、デューティー比は、ＩＤＴ電極２２ａおよび２２ｂを構成する電極指２２２ａおよび２２２ｂのライン幅をＷとし、隣り合う電極指２２２ａと電極指２２２ｂとの間のスペース幅をＳとした場合、Ｗ／（Ｗ＋Ｓ）で定義される。   Here, the design parameters of the IDT unit 22 will be described. The wavelength of the surface acoustic wave resonator is defined by the repetition pitch λ of the plurality of electrode fingers 222a and 222b constituting the IDT 22 shown in FIG. Further, as shown in FIG. 4A, the IDT electrode crossing width L overlaps when the electrode finger 222a of the IDT electrode 22a and the electrode finger 222b of the IDT electrode 22b are viewed from the propagation direction of the elastic wave. The electrode finger length. The duty ratio D is the line width occupation ratio of the plurality of electrode fingers 222a and 222b, and is the ratio of the line width to the sum of the line width and the space width of the plurality of electrode fingers 222a and 222b. More specifically, the duty ratio is set when the line width of the electrode fingers 222a and 222b constituting the IDT electrodes 22a and 22b is W, and the space width between the adjacent electrode fingers 222a and 222b is S. , W / (W + S).

［３．実施の形態における第２フィルタの構成］
前述したように、第２フィルタ１２は、縦結合型の弾性波フィルタであって、図３に示すように複数のＩＤＴ部２１１〜２１５を有している。また、第２フィルタ１２は、反射器２２０および２２１と、第１ポート２３０および第２ポート２４０とを備えている。第１ポート２３０は、共通端子１５および第２端子１７のうち、複数のＩＤＴ部２１１〜２１５から見て共通端子１５側に設けられている。第２ポート２４０は、共通端子１５および第２端子１７のうち、複数のＩＤＴ部２１１〜２１５から見て第２端子１７側に設けられている。 [3. Configuration of Second Filter in Embodiment]
As described above, the second filter 12 is a longitudinally coupled elastic wave filter, and includes a plurality of IDT portions 211 to 215 as shown in FIG. The second filter 12 includes reflectors 220 and 221, a first port 230 and a second port 240. The first port 230 is provided on the common terminal 15 side when viewed from the plurality of IDT portions 211 to 215 among the common terminal 15 and the second terminal 17. The second port 240 is provided on the second terminal 17 side of the common terminal 15 and the second terminal 17 when viewed from the plurality of IDT portions 211 to 215.

この第２フィルタ１２では、例えば、共通端子１５から高周波信号が入力されると、共通端子１５と基準端子（グランド）との間で電位差が生じ、これにより、圧電基板３２６が歪むことで弾性表面波が発生する。ここで、ＩＤＴ部２１１〜２１５のそれぞれの電極指のピッチλと、通過帯域の波長とを略一致させておくことで、第２フィルタ１２を用いて、通過させたい周波数成分を有する高周波信号を通過させることができる。   In the second filter 12, for example, when a high-frequency signal is input from the common terminal 15, a potential difference is generated between the common terminal 15 and the reference terminal (ground). A wave is generated. Here, by making the pitch λ of each electrode finger of the IDT sections 211 to 215 substantially coincide with the wavelength of the pass band, the second filter 12 is used to generate a high-frequency signal having a frequency component to be passed. Can be passed.

第２フィルタ１２のＩＤＴ部２１１は、互いに対向する一組のＩＤＴ電極２１１ａおよび２１１ｂを有している。同様に、ＩＤＴ部２１２〜２１５のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極２１２ａおよび２１２ｂと、２１３ａおよび２１３ｂと、２１４ａおよび２１４ｂと、２１５ａおよび２１５ｂとを有している。ＩＤＴ部２１１〜２１５は縦結合するように弾性波の伝搬方向に沿って順に配置されている。すなわち、ＩＤＴ部２１２および２１４は、ＩＤＴ部２１３を上記伝搬方向に挟み込むように配置され、ＩＤＴ部２１１および２１５は、ＩＤＴ部２１２〜２１４を上記伝搬方向に挟み込むように配置されている。反射器２２０および２２１は、ＩＤＴ部２１１〜２１５を上記伝搬方向に挟み込むように配置されている。   The IDT section 211 of the second filter 12 has a pair of IDT electrodes 211a and 211b facing each other. Similarly, each of the IDT portions 212 to 215 includes a pair of IDT electrodes 212a and 212b, 213a and 213b, 214a and 214b, and 215a and 215b that face each other. The IDT parts 211 to 215 are sequentially arranged along the propagation direction of the elastic wave so as to be vertically coupled. That is, the IDT units 212 and 214 are arranged so as to sandwich the IDT unit 213 in the propagation direction, and the IDT units 211 and 215 are arranged so as to sandwich the IDT units 212 to 214 in the propagation direction. Reflectors 220 and 221 are arranged so as to sandwich IDT portions 211 to 215 in the propagation direction.

ＩＤＴ部２１２および２１４は、第１ポート２３０と基準端子（グランド）との間に並列接続されている。具体的には、ＩＤＴ電極２１２ａおよび２１４ａは、基準端子に接続されている。また、ＩＤＴ電極２１２ｂおよび２１４ｂは、第１ポート２３０を介して、共通端子１５および第２端子１７のうちの共通端子１５側に接続されている。   The IDT units 212 and 214 are connected in parallel between the first port 230 and a reference terminal (ground). Specifically, the IDT electrodes 212a and 214a are connected to the reference terminal. The IDT electrodes 212 b and 214 b are connected to the common terminal 15 side of the common terminal 15 and the second terminal 17 via the first port 230.

ＩＤＴ部２１１、２１３および２１５は、第２ポート２４０と基準端子との間に並列接続されている。具体的には、ＩＤＴ電極２１１ａ、２１３ａおよび２１５ａは、基準端子に接続されている。また、ＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂおよび２１５ｂは、第２ポート２４０を介して、共通端子１５および第２端子１７のうちの第２端子１７側に接続されている。   The IDT units 211, 213, and 215 are connected in parallel between the second port 240 and the reference terminal. Specifically, the IDT electrodes 211a, 213a, and 215a are connected to the reference terminal. The IDT electrodes 211 b, 213 b and 215 b are connected to the second terminal 17 side of the common terminal 15 and the second terminal 17 via the second port 240.

このように第２フィルタ１２では、複数のＩＤＴ部２１１〜２１５のうち、一方のＩＤＴ電極２１２ｂおよび２１４ｂは共通端子１５側に接続され、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂおよび２１５ｂは第２端子１７側に接続されている。すなわち、一方のＩＤＴ電極２１２ｂおよび２１４ｂの接続先は共通端子１５であり、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂおよび２１５ｂの接続先は第２端子１７である。   As described above, in the second filter 12, among the plurality of IDT portions 211 to 215, one IDT electrode 212b and 214b is connected to the common terminal 15 side, and the other IDT electrode 211b, 213b and 215b is the second terminal 17 side. It is connected to the. That is, the connection destination of one IDT electrode 212b and 214b is the common terminal 15, and the connection destination of the other IDT electrodes 211b, 213b and 215b is the second terminal 17.

ここで、表１に、ＩＤＴ部２１１〜２１５の設計パラメータ（電極指のメインピッチλｍ、交叉幅Ｌ、ＩＤＴ対数Ｎ、デューティー比Ｄ）を示す。   Here, Table 1 shows design parameters (main pitch λm of electrode fingers, crossing width L, IDT logarithm N, duty ratio D) of the IDT portions 211 to 215.

Figure 2017225109
Figure 2017225109

なお、反射器２２０および２２１の電極指のピッチは、１．８５５μｍであり、ＩＤＴ部２１１〜２１５の電極指のメインピッチλ１〜λ５より大きい。   The pitch of the electrode fingers of the reflectors 220 and 221 is 1.855 μm, which is larger than the main pitch λ1 to λ5 of the electrode fingers of the IDT portions 211 to 215.

また、表１に示す電極指のメインピッチλｍは、それぞれのＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂの中央部における電極指のピッチである。メインピッチλｍは、ＩＤＴ電極２１１ｂを例に挙げて説明すると、ＩＤＴ電極２１１ｂの全ての電極指のうちの５０％以上を占める電極指によりそれぞれ形成されるピッチである。縦結合型の弾性波フィルタでは、隣に位置するＩＤＴ電極２１２ｂとの結合度を調整するために、ＩＤＴ電極２１１ｂの両端部における電極指のピッチを中央部よりも小さくすることがある。そのため、電極指のピッチλは、ＩＤＴ電極２１１ｂの全体で見た場合に、弾性波の伝搬方向におけるＩＤＴ電極２１１ｂの中央部と、両端部とで異なる値となる。したがって、本実施の形態では、ＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂの電極指のピッチλを比較する場合、メインピッチλｍで比較する場合もある。   Moreover, the main pitch λm of the electrode fingers shown in Table 1 is the pitch of the electrode fingers at the center of each IDT electrode 211b to 215b. The main pitch λm is a pitch formed by electrode fingers that occupy 50% or more of all the electrode fingers of the IDT electrode 211b, taking the IDT electrode 211b as an example. In the longitudinally coupled elastic wave filter, the pitch of the electrode fingers at both ends of the IDT electrode 211b may be made smaller than that at the central portion in order to adjust the degree of coupling with the adjacent IDT electrode 212b. For this reason, the pitch λ of the electrode fingers is different between the central portion and both end portions of the IDT electrode 211b in the elastic wave propagation direction when viewed from the whole IDT electrode 211b. Therefore, in this embodiment, when comparing the pitch λ of the electrode fingers of the IDT electrodes 211b to 215b, the comparison may be made at the main pitch λm.

本実施の形態では、表１に示すように、それぞれの電極指のメインピッチλｍが以下の関係を有している。   In the present embodiment, as shown in Table 1, the main pitch λm of each electrode finger has the following relationship.

（λ２＝λ４）＜（λ１＝λ５）＜λ３   (Λ2 = λ4) <(λ1 = λ5) <λ3

すなわち、共通端子１５に接続されている一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂの電極指のメインピッチλ２、λ４と、第２端子１７に接続されている他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂの電極指のメインピッチλ１、λ３、λ５とが異なっている。   That is, the main pitches λ2, λ4 of the electrode fingers of one IDT electrode 212b, 214b connected to the common terminal 15 and the electrode fingers of the other IDT electrodes 211b, 213b, 215b connected to the second terminal 17 are connected. The main pitches λ1, λ3, and λ5 are different.

また、複数のＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂのそれぞれのメインピッチλ１〜λ５のうち、第２端子１７に接続されている他方のＩＤＴ電極２１３ｂの電極指のメインピッチλ３が、最大となっている。また、メインピッチλ１〜λ５のうち、共通端子１５に接続されているＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂのメインピッチλ２、λ４が、最小となっている。   Of the main pitches λ1 to λ5 of each of the plurality of IDT electrodes 211b to 215b, the main pitch λ3 of the electrode finger of the other IDT electrode 213b connected to the second terminal 17 is the maximum. Of the main pitches λ1 to λ5, the main pitches λ2 and λ4 of the IDT electrodes 212b and 214b connected to the common terminal 15 are the smallest.

また、本実施の形態では、一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂが有する複数の電極指のピッチλの総平均は、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂが有する複数の電極指のピッチλの総平均よりも小さい。複数の電極指のピッチλの総平均は、ＩＤＴ電極の中央部および端部を含む電極指のピッチλを加重平均することで求められる。本実施の形態では、一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂの電極指のピッチの総平均は、１．７８９μｍであり、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂの電極指のピッチの総平均は、１．８１９μｍである。   In the present embodiment, the total average of the pitch λ of the plurality of electrode fingers included in one IDT electrode 212b, 214b is the total average of the pitch λ of the plurality of electrode fingers included in the other IDT electrode 211b, 213b, 215b. Smaller than. The total average of the pitches λ of the plurality of electrode fingers can be obtained by weighted averaging the pitches λ of the electrode fingers including the center and end portions of the IDT electrode. In this embodiment, the total average pitch of electrode fingers of one IDT electrode 212b, 214b is 1.789 μm, and the total average pitch of electrode fingers of the other IDT electrodes 211b, 213b, 215b is 1. 819 μm.

また、本実施の形態では、それぞれのＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂにおいて、複数の電極指のピッチλの平均値を求めた場合に、最大の平均値を有するＩＤＴ電極が、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂのいずれかの中に存在する。複数の電極指のピッチλの平均値とは、ＩＤＴ電極の中央部および端部を含む電極指のピッチλの加重平均をＩＤＴ電極ごとに求めた値である。本実施の形態では、最大の平均値を有するＩＤＴ電極はＩＤＴ電極２１３ｂであり、最小の平均値を有するＩＤＴ電極は、ＩＤＴ電極２１２ｂおよび２１４ｂである。   Further, in the present embodiment, when the average value of the pitch λ of the plurality of electrode fingers is obtained for each IDT electrode 211b to 215b, the IDT electrode having the maximum average value is the other IDT electrode 211b, 213b. 215b. The average value of the pitches λ of the plurality of electrode fingers is a value obtained by calculating a weighted average of the pitches λ of the electrode fingers including the center and end portions of the IDT electrodes for each IDT electrode. In the present embodiment, the IDT electrode having the maximum average value is the IDT electrode 213b, and the IDT electrodes having the minimum average value are the IDT electrodes 212b and 214b.

［４．比較例における第２フィルタの構成］
図５は、比較例に係るマルチプレクサの第２フィルタ５５２を示す模式的平面図である。 [4. Configuration of second filter in comparative example]
FIG. 5 is a schematic plan view showing the second filter 552 of the multiplexer according to the comparative example.

第２フィルタ５５２は、図５に示すように、複数のＩＤＴ部５１１〜５１５と、反射器２２０および２２１と、第１ポート２３０および第２ポート２４０とを備えている。   As shown in FIG. 5, the second filter 552 includes a plurality of IDT units 511 to 515, reflectors 220 and 221, a first port 230 and a second port 240.

ＩＤＴ部５１１は、互いに対向する一組のＩＤＴ電極５１１ａおよび５１１ｂを有している。同様に、ＩＤＴ部５１２〜５１５のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極５１２ａおよび５１２ｂと、５１３ａおよび５１３ｂと、５１４ａおよび５１４ｂと、５１５ａおよび５１５ｂとを有している。ＩＤＴ部５１１〜５１５は縦結合するように弾性波の伝搬方向に沿って順に配置されている。   The IDT portion 511 has a pair of IDT electrodes 511a and 511b facing each other. Similarly, each of the IDT portions 512 to 515 has a pair of IDT electrodes 512a and 512b, 513a and 513b, 514a and 514b, and 515a and 515b facing each other. The IDT portions 511 to 515 are sequentially arranged along the propagation direction of the elastic wave so as to be vertically coupled.

ＩＤＴ部５１１、５１３および５１５は、第１ポート２３０と基準端子（グランド）との間に並列接続されている。具体的には、ＩＤＴ電極５１１ａ、５１３ａおよび５１５ａは、基準端子に接続されている。また、ＩＤＴ電極５１１ｂ、５１３ｂおよび５１５ｂは、第１ポート２３０を介して共通端子１５に接続されている。   The IDT portions 511, 513, and 515 are connected in parallel between the first port 230 and a reference terminal (ground). Specifically, the IDT electrodes 511a, 513a, and 515a are connected to the reference terminal. The IDT electrodes 511b, 513b, and 515b are connected to the common terminal 15 via the first port 230.

ＩＤＴ部５１２および５１４は、第２ポート２４０と基準端子との間に並列接続されている。具体的には、ＩＤＴ電極５１２ａおよび５１４ａは、基準端子に接続されている。また、ＩＤＴ電極５１２ｂおよび５１４ｂは、第２ポート２４０を介して第２端子１７に接続されている。   The IDT parts 512 and 514 are connected in parallel between the second port 240 and the reference terminal. Specifically, the IDT electrodes 512a and 514a are connected to the reference terminal. The IDT electrodes 512b and 514b are connected to the second terminal 17 via the second port 240.

このように、比較例の第２フィルタ５５２では、複数のＩＤＴ部５１１〜５１５のうち、一方のＩＤＴ電極５１１ｂ、５１３ｂおよび５１５ｂは共通端子１５に接続され、他方のＩＤＴ電極５１２ｂおよび５１４ｂは第２端子１７に接続されている。   Thus, in the second filter 552 of the comparative example, among the plurality of IDT portions 511 to 515, one IDT electrode 511b, 513b and 515b is connected to the common terminal 15, and the other IDT electrode 512b and 514b is the second. It is connected to the terminal 17.

ここで、表２に、比較例のＩＤＴ部５１１〜５１５の設計パラメータを示す。   Here, Table 2 shows design parameters of the IDT portions 511 to 515 of the comparative example.

Figure 2017225109
Figure 2017225109

なお、反射器２２０および２２１の電極指のピッチは、１．８６１μｍであり、ＩＤＴ部５１１の電極指のメインピッチλ１より大きく、ＩＤＴ部５１３の電極指のメインピッチλ３より小さい。   The pitch of the electrode fingers of the reflectors 220 and 221 is 1.861 μm, which is larger than the main pitch λ1 of the electrode fingers of the IDT portion 511 and smaller than the main pitch λ3 of the electrode fingers of the IDT portion 513.

比較例では、表２に示すように、電極指のメインピッチλｍが以下の関係を有している。   In the comparative example, as shown in Table 2, the main pitch λm of the electrode fingers has the following relationship.

（λ２＝λ４）＜（λ１＝λ５）＜λ３   (Λ2 = λ4) <(λ1 = λ5) <λ3

比較例における電極指のメインピッチλｍの大小関係は、実施の形態と同じである。ただし、比較例では、ＩＤＴ電極５１１ｂ、５１３ｂ、５１５ｂが共通端子１５に接続され、ＩＤＴ電極５１２ｂ、５１４ｂが第２端子１７に接続されている点で、本実施の形態と異なっている。   The magnitude relationship of the main pitch λm of the electrode fingers in the comparative example is the same as in the embodiment. However, the comparative example is different from the present embodiment in that the IDT electrodes 511b, 513b, and 515b are connected to the common terminal 15 and the IDT electrodes 512b and 514b are connected to the second terminal 17.

［５．実施の形態および比較例の周波数特性］
以下、本実施の形態および比較例におけるマルチプレクサの周波数特性について説明する。 [5. Frequency characteristics of embodiment and comparative example]
Hereinafter, the frequency characteristics of the multiplexers in the present embodiment and the comparative example will be described.

図６は、第１フィルタ１１の周波数通過帯域における挿入損失を示す図である。実施の形態に対応する評価回路としては、図６の（ａ）に示すように、第１フィルタ１１および第２フィルタ１２の一方の引き出しを互いに束ねた回路を用いた。比較例に対応する評価回路としては、実施の形態の第２フィルタ１２を比較例の第２フィルタ５５２に置き換えた回路を用いた。   FIG. 6 is a diagram illustrating the insertion loss in the frequency pass band of the first filter 11. As an evaluation circuit corresponding to the embodiment, as shown in FIG. 6A, a circuit in which one lead of the first filter 11 and the second filter 12 is bundled is used. As an evaluation circuit corresponding to the comparative example, a circuit obtained by replacing the second filter 12 of the embodiment with the second filter 552 of the comparative example was used.

図６の（ｂ）は、１８５０ＭＨｚから２０５０ＭＨｚにおいて、実施の形態および比較例のそれぞれの挿入損失（通過特性）を示す図である。図６の（ｂ）に示すように、比較例では、Ｂａｎｄ２５Ｒｘの帯域内である１９７５ＭＨｚ付近において、挿入損失が大きくなっている。それに対し、実施の形態では、比較例に比べて１９７５ＭＨｚ付近における挿入損失が小さくなっている。この違いについて、図７を参照して説明する。   FIG. 6B is a diagram illustrating the insertion loss (passage characteristics) of the embodiment and the comparative example from 1850 MHz to 2050 MHz. As shown in FIG. 6B, in the comparative example, the insertion loss is large in the vicinity of 1975 MHz, which is within the Band25Rx band. On the other hand, in the embodiment, the insertion loss near 1975 MHz is smaller than that of the comparative example. This difference will be described with reference to FIG.

図７は、第１フィルタ１１の周波数通過帯域における、第２フィルタ１２（または５５２）のリターンロスを示す図である。実施の形態に対応する評価回路としては、図７の（ａ）に示すように、第１フィルタ１１および第２フィルタ１２の束ねを解除し、第２フィルタ１２のみで構成される回路を用いた。比較例に対応する評価回路としては、比較例の第２フィルタ５５２のみで構成される回路を用いた。   FIG. 7 is a diagram showing the return loss of the second filter 12 (or 552) in the frequency pass band of the first filter 11. As shown in FIG. As an evaluation circuit corresponding to the embodiment, as shown in FIG. 7A, a circuit composed only of the second filter 12 is used by releasing the bundle of the first filter 11 and the second filter 12. . As an evaluation circuit corresponding to the comparative example, a circuit including only the second filter 552 of the comparative example was used.

図７の（ｂ）は、１８５０ＭＨｚから２０５０ＭＨｚにおいて、実施の形態および比較例のそれぞれのリターンロスを示す図である。図７の（ｂ）に示すように、比較例では、Ｂａｎｄ２５Ｒｘの帯域内である１９７５ＭＨｚ付近において、リターンロスが大きくなる不要波が発生している。これは、比較例の第２フィルタ５５２において、１９７５ＭＨｚで入力された信号が十分に反射されずに一部が吸収されていることを示している。比較例では、この不要波が１９７５Ｍｚ付近に存在するため、図６の（ｂ）で示すように、１９７５ＭＨｚ付近における挿入損失が大きくなっていると考えられる。   (B) of FIG. 7 is a figure which shows each return loss of embodiment and a comparative example in 1850 MHz to 2050 MHz. As shown in FIG. 7B, in the comparative example, an unnecessary wave with a large return loss occurs in the vicinity of 1975 MHz within the Band 25Rx band. This indicates that the second filter 552 of the comparative example absorbs a part of the signal input at 1975 MHz without being sufficiently reflected. In the comparative example, since this unnecessary wave exists in the vicinity of 1975 Mz, it is considered that the insertion loss in the vicinity of 1975 MHz is large as shown in FIG.

それに対し、実施の形態では、Ｂａｎｄ２５Ｒｘの帯域内においてリターンロスが小さい。これは、ＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂの電極指のピッチλを変えることで、第１フィルタ１１の周波数通過帯域（Ｂａｎｄ２５Ｒｘ）に発生する第２フィルタ１２のリターンロスが大きくなる不要波の位置を、通過帯域外に移動させているからである。具体的には、第２端子１７に接続されるＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂの電極指のメインピッチλｍを大きく、または、共通端子１５に接続されるＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂの電極指のメインピッチλｍを小さくすることで、上記不要波の位置を第１フィルタ１１の通過帯域よりも高周波側に移動させることができるからである。これにより、実施の形態の第２フィルタ１２を用いたマルチプレクサ１Ａでは、第１フィルタ１１の通過帯域において、挿入損失が大きくなることを抑制することができる。   On the other hand, in the embodiment, the return loss is small in the Band25Rx band. This is because by changing the pitch λ of the electrode fingers of the IDT electrodes 211b to 215b, it passes the position of the unnecessary wave where the return loss of the second filter 12 generated in the frequency pass band (Band25Rx) of the first filter 11 becomes large. This is because they are moved out of band. Specifically, the main pitch λm of the electrode fingers of the IDT electrodes 211b, 213b, and 215b connected to the second terminal 17 is increased, or the main pitch of the electrode fingers of the IDT electrodes 212b and 214b connected to the common terminal 15 This is because by reducing λm, the position of the unnecessary wave can be moved to the higher frequency side than the pass band of the first filter 11. Thereby, in the multiplexer 1A using the second filter 12 of the embodiment, it is possible to suppress an increase in insertion loss in the pass band of the first filter 11.

［６．まとめ］
以上、本実施の形態に係るマルチプレクサ１Ａは、共通端子１５、第１端子１６および第２端子１７と、共通端子１５と第１端子１６とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタ１１と、共通端子１５と第２端子１７とを結ぶ経路上に配置され、第１フィルタ１１より高い通過帯域周波数を有する第２フィルタ１２とを備えている。 [6. Summary]
As described above, the multiplexer 1A according to the present embodiment includes the common terminal 15, the first terminal 16, the second terminal 17, and the first filter 11 disposed on the path connecting the common terminal 15 and the first terminal 16. A second filter 12 is disposed on a path connecting the common terminal 15 and the second terminal 17 and has a higher passband frequency than the first filter 11.

第２フィルタ１２は、弾性波フィルタであって、弾性波の伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ部２１１〜２１５を有している。複数のＩＤＴ部２１１〜２１５のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極で構成され、複数のＩＤＴ部２１１〜２１５を構成する複数のＩＤＴ電極のうち、一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂは、共通端子１５および第２端子１７のうちの共通端子１５側に接続され、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂは、共通端子１５および第２端子１７のうちの第２端子１７側に接続されている。一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂおよび他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂのそれぞれは、圧電基板３２６の表面に形成され、弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指を有している。一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂと他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂとでは、弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指のメインピッチλｍが異なり、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂの少なくとも１つは、複数のＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂのうちの電極指のメインピッチλｍが最大である。   The 2nd filter 12 is an elastic wave filter, Comprising: It has several IDT parts 211-215 arrange | positioned along the propagation direction of an elastic wave. Each of the plurality of IDT portions 211 to 215 is composed of a pair of IDT electrodes facing each other, and one of the plurality of IDT electrodes constituting the plurality of IDT portions 211 to 215 is common to one IDT electrode 212b, 214b. The terminal 15 and the second terminal 17 are connected to the common terminal 15 side, and the other IDT electrodes 211b, 213b, and 215b are connected to the common terminal 15 and the second terminal 17 on the second terminal 17 side. . Each of the IDT electrodes 212b and 214b and the other IDT electrodes 211b, 213b, and 215b has a plurality of electrode fingers formed on the surface of the piezoelectric substrate 326 and arranged in the propagation direction of the elastic wave. One IDT electrode 212b, 214b and the other IDT electrode 211b, 213b, 215b have different main pitches λm of a plurality of electrode fingers arranged in the propagation direction of the elastic wave, and at least one of the other IDT electrodes 211b, 213b, 215b. One of the plurality of IDT electrodes 211b to 215b has the largest main pitch λm of electrode fingers.

この構成によれば、第１フィルタ１１の周波数通過帯域に発生する第２フィルタ１２のリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタ１１の通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサ１Ａにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   According to this configuration, it is possible to move the position of the unnecessary wave where the return loss of the second filter 12 generated in the frequency pass band of the first filter 11 becomes large outside the pass band of the first filter 11. Thereby, when an elastic wave filter is used in the multiplexer 1A, it is possible to suppress a decrease in pass characteristics of other filters constituting the same multiplexer.

また、一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂの少なくとも１つは、複数のＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂのうちの電極指のメインピッチλｍが最小であってもよい。   Further, at least one of the one IDT electrodes 212b and 214b may have a minimum main pitch λm of electrode fingers among the plurality of IDT electrodes 211b to 215b.

これによれば、第１フィルタ１１の通過帯域に発生する第２フィルタ１２のリターンロスが大きくなる不要波の位置を、第１フィルタ１１の通過帯域よりも高周波側であって、第２フィルタ１２の低周波側ストップバンドの帯域内に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサ１Ａにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   According to this, the position of the unwanted wave where the return loss of the second filter 12 generated in the pass band of the first filter 11 becomes larger than the pass band of the first filter 11 is higher than the second filter 12. It is possible to move within the low frequency side stop band. Thereby, when an elastic wave filter is used in the multiplexer 1A, it is possible to suppress a decrease in pass characteristics of other filters constituting the same multiplexer.

また、本実施の形態に係るマルチプレクサ１Ａは、一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂが有する電極指のピッチλの総平均は、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂが有する電極指のピッチλの総平均よりも小さい。   Further, in the multiplexer 1A according to the present embodiment, the total average of the electrode finger pitch λ of one IDT electrode 212b, 214b is the total average of the electrode finger pitch λ of the other IDT electrode 211b, 213b, 215b. Smaller than.

また、本実施の形態に係るマルチプレクサ１Ａは、それぞれのＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂにおいて電極指のピッチλの平均値を求めた場合に、最大の平均値を有するＩＤＴ電極が他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂ中に存在する。   Further, in the multiplexer 1A according to the present embodiment, when the average value of the pitch λ of the electrode fingers is obtained in each of the IDT electrodes 211b to 215b, the IDT electrode having the maximum average value is the other IDT electrode 211b, 213b. 215b.

この構成によれば、第１フィルタ１１の周波数通過帯域に発生する第２フィルタ１２のリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタ１１の通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサ１Ａにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   According to this configuration, it is possible to move the position of the unnecessary wave where the return loss of the second filter 12 generated in the frequency pass band of the first filter 11 becomes large outside the pass band of the first filter 11. Thereby, when an elastic wave filter is used in the multiplexer 1A, it is possible to suppress a decrease in pass characteristics of other filters constituting the same multiplexer.

（その他の形態など）
以上、本発明の実施の形態に係るマルチプレクサ１、１Ａについて説明したが、本発明は、上記実施の形態には限定されない。例えば、上記実施の形態に次のような変形を施した態様も、本発明に含まれ得る。 (Other forms etc.)
Although the multiplexers 1 and 1A according to the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments. For example, an aspect in which the following embodiment is modified as follows can be included in the present invention.

図８は、マルチプレクサ１Ｂを含む高周波フロントエンドモジュール８を示す回路構成図である。図８に示す高周波フロントエンドモジュール８では、入力された信号を増幅するため、第１端子１６とＲＦＩＣ４との間、および、第２端子１７とＲＦＩＣ４との間にそれぞれＬＮＡ（Ｌｏｗ Ｎｏｉｓｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）３が設けられている。また、アンテナ素子２との接続状態を切り替えるため、第１フィルタ１１と共通端子１５との間、および、第２フィルタ１２と共通端子１５との間にマルチポートスイッチ５が設けられている。マルチポートスイッチ５は、同時にＯＮ／ＯＦＦすることができるスイッチであり、第１フィルタ１１が共通端子１５に接続されているとき、すなわち、第１フィルタ１１が信号処理をしている場合に、第２フィルタ１２も共通端子１５に接続されるようにすることができる。   FIG. 8 is a circuit configuration diagram showing the high-frequency front-end module 8 including the multiplexer 1B. In the high frequency front end module 8 shown in FIG. 8, in order to amplify an input signal, an LNA (Low Noise Amplifier) 3 is provided between the first terminal 16 and the RFIC 4 and between the second terminal 17 and the RFIC 4. Is provided. In order to switch the connection state with the antenna element 2, the multiport switch 5 is provided between the first filter 11 and the common terminal 15 and between the second filter 12 and the common terminal 15. The multi-port switch 5 is a switch that can be turned ON / OFF at the same time. When the first filter 11 is connected to the common terminal 15, that is, when the first filter 11 performs signal processing, The two filters 12 can also be connected to the common terminal 15.

このような回路構成を有する高周波フロントエンドモジュール８においても上記実施の形態と同様に、マルチプレクサ１Ａの一部として弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   Also in the high-frequency front end module 8 having such a circuit configuration, when an elastic wave filter is used as a part of the multiplexer 1A, the pass characteristics of other filters constituting the same multiplexer are reduced, as in the above embodiment. Can be suppressed.

また、本実施の形態では、マルチプレクサ１Ａの第１フィルタ１１および第２フィルタ１２の両方が受信フィルタである例を説明したが、それに限られず、両方が送信フィルタであってもよいし、一方が受信フィルタでもう一方が送信フィルタであってもよい。具体的には、Ｂａｎｄ６６Ｒｘの帯域通過フィルタを第２フィルタ１２とし、Ｂａｎｄ２５ＴｘおよびＢａｎｄ６６Ｔｘの帯域通過フィルタのいずれかを第１フィルタ１１としてもよい。また、Ｂａｎｄ２５Ｒｘの帯域通過フィルタを第２フィルタ１２とし、Ｂａｎｄ６６ＴｘおよびＢａｎｄ２５Ｔｘの帯域通過フィルタのいずれかを第１フィルタ１１としてもよい。また、Ｂａｎｄ２５Ｔｘの通過帯域フィルタを第２フィルタ１２とし、Ｂａｎｄ６６Ｔｘの帯域通過フィルタを第１フィルタ１１としてもよい。   In the present embodiment, the example in which both the first filter 11 and the second filter 12 of the multiplexer 1A are reception filters has been described. However, the present invention is not limited to this, and both may be transmission filters. The reception filter and the other may be a transmission filter. Specifically, the Band 66 Rx band-pass filter may be the second filter 12, and either the Band 25 Tx or Band 66 Tx band-pass filter may be the first filter 11. Alternatively, the Band 25 Rx band pass filter may be the second filter 12, and either the Band 66 Tx or Band 25 Tx band pass filter may be the first filter 11. Further, the Band 25 Tx pass band filter may be the second filter 12, and the Band 66 Tx band pass filter may be the first filter 11.

また、例えば、上記実施の形態に次のような変形を施した態様も、本発明に含まれ得る。   In addition, for example, an aspect in which the following embodiment is modified as described below may be included in the present invention.

図９は、その他の形態に係るマルチプレクサの第２フィルタ１２側の構成を示す模式的平面図である。   FIG. 9 is a schematic plan view showing the configuration of the multiplexer according to another embodiment on the second filter 12 side.

この形態に係るマルチプレクサでは、第２フィルタ１２の一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂと共通端子１５との間に回路素子３５０が接続されている。具体的には、第１ポート２３０と共通端子１５との間に、第２フィルタ１２と異なる回路素子３５０が直列接続されている。この回路素子３５０は、例えば、インダクタ、キャパシタ、スイッチ、ＬＣ共振子または弾性波共振子などである。例えば、ＬＣ共振子および弾性波共振子は、直列共振子であってもよいし、並列共振子であってもよいし、直列共振子および並列共振子の両方を含む共振子であってもよい。回路素子３５０は、周波数トラップのため、または、インピーダンス整合のために設けられていてもよい。   In the multiplexer according to this embodiment, the circuit element 350 is connected between the IDT electrodes 212 b and 214 b of the second filter 12 and the common terminal 15. Specifically, a circuit element 350 different from the second filter 12 is connected in series between the first port 230 and the common terminal 15. The circuit element 350 is, for example, an inductor, a capacitor, a switch, an LC resonator, or an acoustic wave resonator. For example, the LC resonator and the acoustic wave resonator may be a series resonator, a parallel resonator, or a resonator including both a series resonator and a parallel resonator. . The circuit element 350 may be provided for frequency trapping or impedance matching.

本発明では、上記のように一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂと共通端子１５との間に回路素子３５０が接続されている場合であっても、第１フィルタ１１の周波数通過帯域に発生する第２フィルタ１２のリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタ１１の通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサ１Ａにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。   In the present invention, even when the circuit element 350 is connected between the one IDT electrode 212b, 214b and the common terminal 15 as described above, the second generated in the frequency pass band of the first filter 11. It is possible to move the position of the unnecessary wave where the return loss of the filter 12 becomes large outside the pass band of the first filter 11. Thereby, when an elastic wave filter is used in the multiplexer 1A, it is possible to suppress a decrease in pass characteristics of other filters constituting the same multiplexer.

また、上記実施の形態では、マルチプレクサ１、１Ａ、高周波フロントエンドモジュール８として、ＩＤＴ電極を有する弾性表面波フィルタを例示した。しかしながら、本発明に係るマルチプレクサ１、１Ａおよび高周波フロントエンドモジュール８を構成する各フィルタは、弾性境界波を用いた弾性波フィルタであってもよい。これによっても、上記実施の形態に係るマルチプレクサ等が有する効果と同様の効果が奏される。   Moreover, in the said embodiment, the surface acoustic wave filter which has an IDT electrode was illustrated as the multiplexer 1, 1A, and the high frequency front end module 8. FIG. However, the filters constituting the multiplexers 1 and 1A and the high-frequency front-end module 8 according to the present invention may be elastic wave filters using boundary acoustic waves. This also produces the same effect as the effect of the multiplexer according to the above embodiment.

また、弾性表面波フィルタを構成する圧電基板３２６は、高音速支持基板と、低音速膜と、圧電膜とがこの順で積層された積層構造であってもよい。圧電膜は、例えば、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３圧電単結晶または圧電セラミックス（Ｘ軸を中心軸としてＹ軸から５０°回転した軸を法線とする面で切断したタンタル酸リチウム単結晶、またはセラミックスであって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶またはセラミックス）からなる。圧電膜は、例えば、厚みが６００ｎｍである。高音速支持基板は、低音速膜、圧電膜ならびにＩＤＴ電極を支持する基板である。高音速支持基板は、さらに、圧電膜を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、高音速支持基板中のバルク波の音速が高速となる基板であり、弾性表面波を圧電膜および低音速膜が積層されている部分に閉じ込め、高音速支持基板より下方に漏れないように機能する。高音速支持基板は、例えば、シリコン基板であり、厚みは、例えば２００μｍである。低音速膜は、圧電膜を伝搬するバルク波よりも、低音速膜中のバルク波の音速が低速となる膜であり、圧電膜と高音速支持基板との間に配置される。この構造と、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質とにより、弾性表面波エネルギーのＩＤＴ電極外への漏れが抑制される。低音速膜は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜であり、厚みは、例えば６７０ｎｍである。この積層構造によれば、圧電基板３２６を単層で使用している構造と比較して、共振周波数および***振周波数におけるＱ値を大幅に高めることが可能となる。すなわち、Ｑ値が高い弾性表面波共振子を構成し得るので、当該弾性表面波共振子を用いて、挿入損失が小さいフィルタを構成することが可能となる。 Further, the piezoelectric substrate 326 constituting the surface acoustic wave filter may have a laminated structure in which a high acoustic velocity support substrate, a low acoustic velocity film, and a piezoelectric film are laminated in this order. The piezoelectric film may be, for example, a 50 ° Y-cut X-propagating LiTaO 3 piezoelectric single crystal or a piezoelectric ceramic (a lithium tantalate single crystal cut along a plane whose axis is rotated by 50 ° from the Y axis with the X axis as the central axis, Alternatively, it is made of ceramic and is made of a single crystal or ceramic in which surface acoustic waves propagate in the X-axis direction. The piezoelectric film has a thickness of 600 nm, for example. The high sound velocity support substrate is a substrate that supports the low sound velocity film, the piezoelectric film, and the IDT electrode. The high-sonic support substrate is a substrate in which the acoustic velocity of the bulk wave in the high-sonic support substrate is higher than that of the surface wave or boundary wave that propagates through the piezoelectric film. It functions in such a way that it is confined in the portion where the sonic film is laminated and does not leak below the high sonic support substrate. The high sound speed support substrate is, for example, a silicon substrate, and has a thickness of, for example, 200 μm. The low acoustic velocity film is a membrane in which the acoustic velocity of the bulk wave in the low acoustic velocity film is lower than the bulk wave propagating through the piezoelectric membrane, and is disposed between the piezoelectric membrane and the high acoustic velocity support substrate. Due to this structure and the property that energy is concentrated in a medium where acoustic waves are essentially low in sound velocity, leakage of surface acoustic wave energy to the outside of the IDT electrode is suppressed. The low acoustic velocity film is, for example, a film mainly composed of silicon dioxide and has a thickness of, for example, 670 nm. According to this laminated structure, the Q value at the resonance frequency and the anti-resonance frequency can be greatly increased as compared with a structure in which the piezoelectric substrate 326 is used as a single layer. That is, since a surface acoustic wave resonator having a high Q value can be configured, a filter with a small insertion loss can be configured using the surface acoustic wave resonator.

本発明は、マルチバンド化およびマルチモード化された周波数規格に適用できる低損失のマルチプレクサおよび高周波フロントエンドモジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely used in communication devices such as mobile phones as a low-loss multiplexer and a high-frequency front-end module that can be applied to multiband and multimode frequency standards.

１、１Ａ、１Ｂ マルチプレクサ
２ アンテナ素子
３ ＬＮＡ
４ ＲＦＩＣ（高周波信号処理回路）
５ マルチポートスイッチ
８ 高周波フロントエンドモジュール
９ 通信装置
１１ 第１フィルタ
１２ 第２フィルタ
１５ 共通端子
１６ 第１端子
１７ 第２端子
２２ ＩＤＴ部
２２ａ、２２ｂ ＩＤＴ電極
１０１、１０３ 送信側フィルタ
１０２、１０４ 受信側フィルタ
１０６、１０８ 送信入力端子
１０７、１０９ 受信出力端子
２１１、２１２、２１３、２１４、２１５ ＩＤＴ部
２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂ 他方のＩＤＴ電極
２１２ｂ、２１４ｂ 一方のＩＤＴ電極
２２０、２２１ 反射器
２２１ａ、２２１ｂ バスバー電極
２２２ａ、２２２ｂ 電極指
２３０ 第１ポート
２４０ 第２ポート
３２６ 圧電基板
３５０ 回路素子
５１１、５１２、５１３、５１４、５１５ ＩＤＴ部（比較例）
５１１ｂ、５１３ｂ、５１５ｂ 一方のＩＤＴ電極（比較例）
５１２ｂ、５１４ｂ 他方のＩＤＴ電極（比較例）
５５２ 第２フィルタ（比較例）
λ 電極指のピッチ
λｍ、λ１、λ２、λ３、λ４、λ５ 電極指のメインピッチ 1, 1A, 1B Multiplexer 2 Antenna element 3 LNA
4 RFIC (High Frequency Signal Processing Circuit)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 Multiport switch 8 High frequency front end module 9 Communication apparatus 11 1st filter 12 2nd filter 15 Common terminal 16 1st terminal 17 2nd terminal 22 IDT part 22a, 22b IDT electrode 101,103 Transmission side filter 102,104 Reception side Filter 106, 108 Transmission input terminal 107, 109 Reception output terminal 211, 212, 213, 214, 215 IDT part 211b, 213b, 215b Other IDT electrode 212b, 214b One IDT electrode 220, 221 Reflector 221a, 221b Bus bar electrode 222a, 222b Electrode finger 230 1st port 240 2nd port 326 Piezoelectric substrate 350 Circuit element 511, 512, 513, 514, 515 IDT part (comparative example)
511b, 513b, 515b One IDT electrode (comparative example)
512b, 514b The other IDT electrode (comparative example)
552 Second Filter (Comparative Example)
λ Pitch of electrode fingers λm, λ1, λ2, λ3, λ4, λ5 Main pitch of electrode fingers

Claims (11)

共通端子、第１端子および第２端子と、
前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタと、
前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ経路上に配置され、前記第１フィルタより高い通過帯域周波数を有する第２フィルタと、を備え、
前記第２フィルタは、弾性波フィルタであって、弾性波の伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ部を有し、
前記複数のＩＤＴ部のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極で構成され、
前記複数のＩＤＴ部を構成する複数の前記ＩＤＴ電極のうち、一方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記共通端子側に接続され、他方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に接続され、
前記一方のＩＤＴ電極および前記他方のＩＤＴ電極のそれぞれは、圧電基板の表面に形成され、前記弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指を有し、
前記一方のＩＤＴ電極と前記他方のＩＤＴ電極とでは、前記電極指のメインピッチが異なり、
前記他方のＩＤＴ電極の少なくとも１つは、複数の前記ＩＤＴ電極のうち前記電極指のメインピッチが最大である
マルチプレクサ。 A common terminal, a first terminal and a second terminal;
A first filter disposed on a path connecting the common terminal and the first terminal;
A second filter disposed on a path connecting the common terminal and the second terminal and having a higher passband frequency than the first filter;
The second filter is an elastic wave filter, and has a plurality of IDT portions arranged along the propagation direction of the elastic wave,
Each of the plurality of IDT portions is composed of a pair of IDT electrodes facing each other,
Of the plurality of IDT electrodes constituting the plurality of IDT portions, one IDT electrode is connected to the common terminal side of the common terminal and the second terminal, and the other IDT electrode is the common terminal and the Connected to the second terminal of the second terminals,
Each of the one IDT electrode and the other IDT electrode has a plurality of electrode fingers formed on the surface of the piezoelectric substrate and arranged in the propagation direction of the elastic wave,
The main pitch of the electrode fingers is different between the one IDT electrode and the other IDT electrode,
At least one of the other IDT electrodes has a maximum main pitch of the electrode fingers among the plurality of IDT electrodes. 前記一方のＩＤＴ電極の少なくとも１つは、複数の前記ＩＤＴ電極のうち前記電極指のメインピッチが最小である
請求項１に記載のマルチプレクサ。 The multiplexer according to claim 1, wherein at least one of the one IDT electrodes has a minimum main pitch of the electrode fingers among the plurality of IDT electrodes. 共通端子、第１端子および第２端子と、
前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタと、
前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ経路上に配置され、前記第１フィルタより高い通過帯域周波数を有する第２フィルタと、を備え、
前記第２フィルタは、弾性波フィルタであって、弾性波の伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ部を有し、
前記複数のＩＤＴ部のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極で構成され、
前記複数のＩＤＴ部を構成する複数の前記ＩＤＴ電極のうち、一方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記共通端子側に接続され、他方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に接続され、
前記一方のＩＤＴ電極および前記他方のＩＤＴ電極のそれぞれは、圧電基板の表面に形成され、前記弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指を有し、
前記一方のＩＤＴ電極と前記他方のＩＤＴ電極とでは、前記電極指のメインピッチが異なり、
前記一方のＩＤＴ電極が有する前記電極指のピッチの総平均は、前記他方のＩＤＴ電極が有する前記電極指のピッチの総平均よりも小さい
マルチプレクサ。 A common terminal, a first terminal and a second terminal;
A first filter disposed on a path connecting the common terminal and the first terminal;
A second filter disposed on a path connecting the common terminal and the second terminal and having a higher passband frequency than the first filter;
The second filter is an elastic wave filter, and has a plurality of IDT portions arranged along the propagation direction of the elastic wave,
Each of the plurality of IDT portions is composed of a pair of IDT electrodes facing each other,
Of the plurality of IDT electrodes constituting the plurality of IDT portions, one IDT electrode is connected to the common terminal side of the common terminal and the second terminal, and the other IDT electrode is the common terminal and the Connected to the second terminal of the second terminals,
Each of the one IDT electrode and the other IDT electrode has a plurality of electrode fingers formed on the surface of the piezoelectric substrate and arranged in the propagation direction of the elastic wave,
The main pitch of the electrode fingers is different between the one IDT electrode and the other IDT electrode,
The total average pitch of the electrode fingers of the one IDT electrode is smaller than the total average pitch of the electrode fingers of the other IDT electrode. Multiplexer. 共通端子、第１端子および第２端子と、
前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタと、
前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ経路上に配置され、前記第１フィルタより高い通過帯域周波数を有する第２フィルタと、を備え、
前記第２フィルタは、弾性波フィルタであって、弾性波の伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ部を有し、
前記複数のＩＤＴ部のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極で構成され、
前記複数のＩＤＴ部を構成する複数の前記ＩＤＴ電極のうち、一方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記共通端子側に接続され、他方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に接続され、
前記一方のＩＤＴ電極および前記他方のＩＤＴ電極のそれぞれは、圧電基板の表面に形成され、前記弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指を有し、
前記一方のＩＤＴ電極と前記他方のＩＤＴ電極とでは、前記電極指のメインピッチが異なり、
それぞれの前記ＩＤＴ電極において前記電極指のピッチの平均値を求めた場合に、最大の前記平均値を有するＩＤＴ電極が前記他方のＩＤＴ電極中に存在する
マルチプレクサ。 A common terminal, a first terminal and a second terminal;
A first filter disposed on a path connecting the common terminal and the first terminal;
A second filter disposed on a path connecting the common terminal and the second terminal and having a higher passband frequency than the first filter;
The second filter is an elastic wave filter, and has a plurality of IDT portions arranged along the propagation direction of the elastic wave,
Each of the plurality of IDT portions is composed of a pair of IDT electrodes facing each other,
Of the plurality of IDT electrodes constituting the plurality of IDT portions, one IDT electrode is connected to the common terminal side of the common terminal and the second terminal, and the other IDT electrode is the common terminal and the Connected to the second terminal of the second terminals,
Each of the one IDT electrode and the other IDT electrode has a plurality of electrode fingers formed on the surface of the piezoelectric substrate and arranged in the propagation direction of the elastic wave,
The main pitch of the electrode fingers is different between the one IDT electrode and the other IDT electrode,
The multiplexer in which the IDT electrode having the maximum average value exists in the other IDT electrode when the average value of the pitches of the electrode fingers is obtained in each of the IDT electrodes. それぞれの前記ＩＤＴ電極において前記電極指のピッチの平均値を求めた場合に、最小の前記平均値を有するＩＤＴ電極が前記一方のＩＤＴ電極中に存在する
請求項４に記載のマルチプレクサ。 The multiplexer according to claim 4, wherein an IDT electrode having the minimum average value exists in the one IDT electrode when an average value of pitches of the electrode fingers is obtained in each of the IDT electrodes. 前記一方のＩＤＴ電極と前記共通端子との間に、前記第２フィルタと異なる回路素子が接続されている
請求項１〜５のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。 The multiplexer according to any one of claims 1 to 5, wherein a circuit element different from the second filter is connected between the one IDT electrode and the common terminal. 前記第２フィルタは、３以上の奇数の前記ＩＤＴ部を有し、
前記一方のＩＤＴ電極の数は、前記他方のＩＤＴ電極の数より少ない
請求項１〜６のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。 The second filter has an odd number of IDT portions of 3 or more,
The multiplexer according to claim 1, wherein the number of the one IDT electrode is smaller than the number of the other IDT electrode. 前記第２フィルタは、５以上の前記ＩＤＴ部を有する
請求項１〜７のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。 The multiplexer according to claim 1, wherein the second filter includes five or more IDT units. 前記第１フィルタおよび前記第２フィルタは、互いに受信フィルタである
請求項１〜８のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。 The multiplexer according to any one of claims 1 to 8, wherein the first filter and the second filter are reception filters. 前記第１フィルタが前記共通端子に接続されているときに、前記第２フィルタが前記共通端子に接続されている
請求項１〜９のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。 The multiplexer according to any one of claims 1 to 9, wherein the second filter is connected to the common terminal when the first filter is connected to the common terminal. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載のマルチプレクサを備える高周波フロントエンドモジュール。   A high frequency front end module comprising the multiplexer according to claim 1.
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