JP2000049558A - Surface acoustic wave filter - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface acoustic wave filter which sufficiently insures the low loss of an intra-passband frequency and the attenuation outside the passband. SOLUTION: This surface acoustic wave filter 10 has a 1st interdigital electrode 12 formed on a piezoelectric substrate 11, 2nd and 3rd interdigital electrodes 13 and 14 which are in the transmitting direction of a surface acoustic wave and are provided on both sides of the electrode 12 and 1st and 2nd reflectors 15 and 16 which are provided on both sides of the transmitting direction of the surface acoustic wave with the electrodes 12 to 14 between themselves and the interval SP1 between the electrodes 12 and 13 and the interval SP2 between the electrodes 12 and 14 are formed in such a manner that SP 1=SP2=nλ (n=natural number) or SP1=SP2=nλ+1/2λ(n=integer).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波（Ｓｕｒ
ｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）（以下、「Ｓ
ＡＷ」と略す）フィルタの改良、特に、すだれ状電極
（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａ１ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）
（以下、「ＩＤＴ」と略す）のピッチを改良した縦結合
型ＳＡＷフィルタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave (Sur).
face Acoustic wave) (hereinafter "S
AW "), improved filters, especially interdigital electrodes (Interdigita1 Transducer)
The present invention relates to a vertically coupled SAW filter having an improved pitch (hereinafter, abbreviated as “IDT”).

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、移動体通信の分野で帯域通過型フ
ィルタとしてＳＡＷフィルタが多く用いられている。帯
域通過型フィルタには急唆でかつ十分な遮断特性が求め
られるため、一般的にはＳＡＷ共振子を用いたフィルタ
が多く用いられている。ここで、図８には従来の弾性表
面波の一例の構成図を示しており、図８を参照して弾性
表面波フィルタ１について説明する。2. Description of the Related Art In recent years, SAW filters have been widely used as band-pass filters in the field of mobile communication. Since a bandpass filter is required to have a sharp and sufficient cutoff characteristic, a filter using a SAW resonator is generally used in many cases. Here, FIG. 8 shows a configuration diagram of an example of a conventional surface acoustic wave, and the surface acoustic wave filter 1 will be described with reference to FIG.

【０００３】ＳＡＷフィルタ１は圧電基板２、第１ＩＤ
Ｔ３、第２ＩＤＴ４、第３ＩＤＴ５、第１反射器６、第
２反射器７等からなっていて、圧電基板２は例えば水晶
板により形成されている。第１ＩＤＴ３は圧電基板２の
ほぼ中央部に形成されており、入力端子に接続されてい
る。入力端子から電圧が供給されると第１ＩＤＴ３は矢
印Ｘ方向に向かって弾性表面波を発生する。第２ＩＤＴ
４及び第３ＩＤＴ５は、圧電基板２上であって弾性表面
波の伝搬方向側に形成されている。第２ＩＤＴ４及び第
３ＩＤＴ５は出力端子と接続されており、弾性表面波を
電気信号に変換して外部に出力する。なお各ＩＤＴ３、
４、５及び各反射器６、７はそれぞれ所定のピッチでか
つ所定の数の電極指が形成されている。この３個のＩＤ
Ｔを有するいわゆる３ＩＤＴ型ＳＡＷフィルタ１は、出
力側負荷回路の負荷変動に対して周波数が安定であると
いう特性を有している。[0003] The SAW filter 1 includes a piezoelectric substrate 2 and a first ID.
The piezoelectric substrate 2 includes a T3, a second IDT4, a third IDT5, a first reflector 6, a second reflector 7, and the like. The piezoelectric substrate 2 is formed of, for example, a quartz plate. The first IDT 3 is formed substantially at the center of the piezoelectric substrate 2 and is connected to an input terminal. When a voltage is supplied from the input terminal, the first IDT 3 generates a surface acoustic wave in the direction of arrow X. 2nd IDT
The fourth and third IDTs 5 are formed on the piezoelectric substrate 2 on the propagation direction of the surface acoustic wave. The second IDT 4 and the third IDT 5 are connected to an output terminal, convert a surface acoustic wave into an electric signal, and output the electric signal to the outside. Each IDT3,
4, 5 and each of the reflectors 6 and 7 have a predetermined pitch and a predetermined number of electrode fingers, respectively. These three IDs
The so-called 3IDT type SAW filter 1 having T has a characteristic that the frequency is stable with respect to the load fluctuation of the output side load circuit.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述したように移動体
通信機器やテレビ受像器等の通信システムに使用されて
いるＳＡＷフィルタは挿入損失が小さいこと、帯域外減
衰量が大きいこと及び適当な帯域幅を有していることが
条件となっている。As described above, a SAW filter used in a communication system such as a mobile communication device or a television receiver has a small insertion loss, a large out-of-band attenuation, and an appropriate band. It is necessary to have a width.

【０００５】まず、通過帯域を広げるためには、第１反
射器６と第２反射器７の間隔を広げて、各ＩＤＴ３、
４、５の対数を増やすことが考えられる。しかし、各Ｉ
ＤＴ３、４、５の対数を増やしてしまうと、スプリアス
が発生していわゆる周波数ジャンプによる通信不良を引
き起こしてしまう。よって、ＳＡＷフィルタ１の広帯域
化を図ることができないと同時にＳＡＷフィルタ１の小
型化を図ることができないという問題がある。[0005] First, in order to widen the pass band, the distance between the first reflector 6 and the second reflector 7 is increased, and each IDT 3,
It is conceivable to increase the logarithm of 4 or 5. However, each I
If the logarithms of DT3, DT5, DT5 are increased, spurious signals are generated, causing communication failure due to a so-called frequency jump. Therefore, there is a problem in that the SAW filter 1 cannot be broadened and the SAW filter 1 cannot be downsized.

【０００６】また、ＳＡＷフィルタ１には挿入損失が小
さいことが要求されている。各ＩＤＴ３、４、５の面積
が大きくなると挿入損失が小さくなることは一般的に知
られており、電極指の交差幅をおおきくするか、もしく
は対数を増やすことでＩＤＴの面積を大きくすることが
できる。しかし、各ＩＤＴの面積が大きくなると必然的
に圧電基板２の大きさも大きくなり、ＳＡＷフィルタ１
の小型化が困難となる。The SAW filter 1 is required to have a small insertion loss. It is generally known that as the area of each of the IDTs 3, 4, and 5 increases, the insertion loss decreases. Therefore, it is possible to increase the area of the IDT by increasing the cross width of the electrode fingers or increasing the logarithm. it can. However, as the area of each IDT increases, the size of the piezoelectric substrate 2 inevitably increases, and the SAW filter 1
It is difficult to reduce the size.

【０００７】さらに、移動体通信機器において、通過さ
せる周波数帯域は高周波数域でありしかも除去する帯域
の周波数は隣接しているため、ＳＡＷフィルタには急峻
でかつ十分な遮断特性が要求される。しかし、ＳＡＷフ
ィルタ１において、ＩＤＴの対数を多くすると、各ＩＤ
Ｔ３、４、５内における内部反射により生じるスプリア
スにより、通過周波数帯域より低い周波数での十分な減
衰量が得られないため前記３個のＩＤＴを持つＳＡＷフ
ィルタ１において、通過帯域より低周波数側において急
峻でかつ十分な遮断特性が得られないという問題があ
る。Further, in a mobile communication device, a frequency band to be passed is a high frequency band and frequencies of a band to be removed are adjacent to each other. Therefore, a steep and sufficient cutoff characteristic is required for a SAW filter. However, if the logarithm of the IDT is increased in the SAW filter 1,
Due to spurious components generated by internal reflection in T3, T4, T5, a sufficient amount of attenuation at frequencies lower than the pass frequency band cannot be obtained. Therefore, in the SAW filter 1 having the three IDTs, There is a problem that steep and sufficient blocking characteristics cannot be obtained.

【０００８】そこで本発明は低損失化と通過帯域外にお
ける減衰量を十分に確保するＳＡＷフィルタを提供する
ことにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a SAW filter that can reduce the loss and sufficiently secure the attenuation outside the pass band.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、圧電
基板上に複数の電極指が所定のピッチで形成されてい
る、電気信号を弾性表面波に変換する第１のすだれ状電
極と、弾性表面波の伝搬方向であって前記第１のすだれ
状電極の両側にそれぞれ所定の間隔だけ離れて設けられ
ていて、前記第１のすだれ状電極の電極指のピッチと異
なるピッチで形成されている、前記第ｌのすだれ状電極
から伝搬する弾性表面波を電気的信号に変換する第２の
すだれ状電極及び第３のすだれ状電極と、弾性表面波の
伝搬方向両側にそれぞれ前記第１のすだれ状電極乃至第
３のすだれ状電極を挟むように設けられていて、前記第
１のすだれ状電極、前記第２のすだれ状電極及び前記第
３のすだれ状電極の電極指のピッチと異なるピッチで形
成されている、弾性表面波のエネルギーを閉じ込めるた
めの第１反射器及び第２反射器と、を有する弾性表面波
フィルタであって、弾性表面波の波長をλとしたとき
に、前記第１のすだれ状電極と前記第２のすだれ状電極
の間隔ＳＰ１及び前記第１のすだれ状電極と前記第３の
すだれ状電極との間隔ＳＰ２が、ＳＰ１＝ＳＰ２＝ｎλ
（ｎ＝自然数）、あるいはＳＰ１＝ＳＰ２＝ｎλ＋１／
２λ（ｎ＝整数）になるように形成されている弾性表面
波フィルタである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a first interdigital transducer having a plurality of electrode fingers formed at a predetermined pitch on a piezoelectric substrate, the first interdigital transducer converting an electric signal into a surface acoustic wave. Are provided at predetermined intervals on both sides of the first interdigital transducer in the propagation direction of the surface acoustic wave, and are formed at a pitch different from the pitch of the electrode fingers of the first interdigital transducer. A second IDT and a third IDT for converting a surface acoustic wave propagating from the first IDT into an electric signal, and the first IDT on both sides in the propagation direction of the surface acoustic wave. The first to third interdigital transducers are provided so as to sandwich the interdigital transducer to the third interdigital transducer, and are different in pitch from the electrode fingers of the first, second and third interdigital transducers. Elastic formed of pitch A surface acoustic wave filter having a first reflector and a second reflector for confining the energy of the surface wave, wherein the first interdigital electrode and the first interdigital electrode when the wavelength of the surface acoustic wave is λ. The distance SP1 between the second IDTs and the distance SP2 between the first IDT and the third IDT are SP1 = SP2 = nλ.
(N = natural number) or SP1 = SP2 = nλ + 1 /
This is a surface acoustic wave filter formed to have 2λ (n = integer).

【００１０】この請求項１では、通過帯域外周波数の挿
入損失を大きくして、十分な減衰量を確保することがで
きるとともに、縦インハーモニックモードを低減させ
て、いわゆる周波数ジャンプによるフィルタリング不良
を低減することができる。According to the first aspect of the present invention, the insertion loss of the frequency outside the pass band is increased to ensure a sufficient amount of attenuation, and the longitudinal inharmonic mode is reduced, so that a filtering failure due to a so-called frequency jump is reduced. can do.

【００１１】請求項２の発明は、請求項１の構成におい
て、前記第１のすだれ状電極のピッチＰＴｏ、前記第２
のすだれ状電極のピッチＰＴ１、前記第３のすだれ状電
極のピッチＰＴ２及び第１反射器と第２反射器のピッチ
ＰＲが、ＰＴｏ＜ＰＴ１＝ＰＴ２＜ＰＲ、もしくはＰＲ
＜ＰＴ１＝ＰＴ２＜ＰＴｏの関係になるように形成され
ている弾性表面波フィルタである。According to a second aspect of the present invention, in the configuration of the first aspect, the pitch PTo of the first interdigital transducer and the second
The pitch PT1 of the IDT, the pitch PT2 of the third IDT, and the pitch PR of the first reflector and the second reflector are PTo <PT1 = PT2 <PR or PR.
This is a surface acoustic wave filter formed so as to satisfy the relationship of <PT1 = PT2 <PTo.

【００１２】この請求項２では、第１のすだれ状電極乃
至第３のすだれ状電極及び反射器のピッチをいわゆる周
波数上昇型、もしくは周波数下降型にする事により、縦
インハーモニックモードを低減させて、いわゆる周波数
ジャンプによるフィルタリング不良を低減することがで
きる。According to the second aspect of the present invention, the vertical interharmonic mode is reduced by setting the pitch of the first to third interdigital electrodes and the reflector to a so-called frequency increasing type or frequency decreasing type. That is, it is possible to reduce the filtering failure due to a so-called frequency jump.

【００１３】請求項３の発明は、請求項１乃至請求項２
のいずれかの構成において、前記第２すだれ状電極の対
数と前記第３すだれ状電極の対数とが等しくなるように
形成されている弾性表面波フィルタである。[0013] The invention of claim 3 is claim 1 or claim 2.
In any one of the above structures, the surface acoustic wave filter is formed such that the number of logs of the second interdigital electrodes is equal to the number of logs of the third interdigital electrodes.

【００１４】この請求項３では、第２のすだれ状電極と
第３のすだれ状電極の対数を等しくする。これにより、
第１のすだれ状電極を中心とした左右対称の形状に形成
されて入力インピーダンスと出力インピーダンスの終端
条件が同じになり、急峻なフィルタ特性を得ることがで
きる。In the present invention, the number of pairs of the second and third interdigital electrodes is made equal. This allows
It is formed in a symmetrical shape with the first interdigital electrode as the center, and the termination conditions of the input impedance and the output impedance become the same, so that a steep filter characteristic can be obtained.

【００１５】請求項４の発明は、請求項１乃至請求項２
の構成において、前記第２のすだれ状電極の対数Ｍ２と
前記第１のすだれ状電極、前記第２のすだれ状電極及び
前記第３のすだれ状電極の対数の総和Ｍの関係は、Ｍ／
Ｍ２がほぼ３〜４の範囲にある請求項１乃至請求項３の
いずれかに記載の弾性表面波フィルタである。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the first or second aspect.
In the configuration of the above, the relationship between the logarithm M2 of the second interdigital transducer and the sum M of the logarithms of the first interdigital transducer, the second interdigital transducer and the third interdigital transducer is M /
The surface acoustic wave filter according to any one of claims 1 to 3, wherein M2 is approximately in a range of 3 to 4.

【００１６】この請求項４では、対数の総和Ｍとの関係
は、Ｍ／Ｍ２がほぼ３〜４の範囲に設定することで、通
過帯域内周波数の挿入損失を小さくして通過帯域内の減
衰量を小さくすることができる。According to the present invention, the relationship between the sum of the logarithms and M is set so that M / M2 is set in the range of approximately 3 to 4, thereby reducing the insertion loss of the frequency in the pass band and reducing the attenuation in the pass band. The amount can be reduced.

【００１７】請求項５の発明は、請求項１乃至請求項４
のいずれかの構成において、前記対数の総和Ｍが１５０
対≦Ｍ≦３００対の範囲内にある弾性表面波フィルタで
ある。The invention according to claim 5 is the invention according to claims 1 to 4.
Wherein the sum M of the logarithms is 150
The surface acoustic wave filter is in the range of ≤M≤300 pairs.

【００１８】この請求項５では、前記対数の総和Ｍが１
５０対≦Ｍ≦３００対の範囲内に設定することで、市場
要求を満足する小型サイズとフィルタ性能を備えた弾性
表面波フィルタを実現することができる。In the present invention, the sum M of the logarithms is 1
By setting the range of 50 pairs ≦ M ≦ 300 pairs, it is possible to realize a surface acoustic wave filter having a small size and filter performance that satisfies market requirements.

【００１９】請求項６の発明は、請求項１乃至請求項５
のいずれかの構成において、前記第１のすだれ状電極と
前記第２のすだれ状電極及び前記第１のすだれ状電極と
前記第３のすだれ状電極間にそれぞれ第１クロスバスバ
ー導体及び第２クロスバスバー導体が設けられている弾
性表面波フィルタである。The invention according to claim 6 is the invention according to claims 1 to 5
The first interdigital transducer, the second interdigital transducer, and the first interdigital transducer and the third interdigital transducer between the first interdigital electrode and the third interdigital electrode, respectively. This is a surface acoustic wave filter provided with a bus bar conductor.

【００２０】この請求項６では、第１クロスバスバー導
体及び第２クロスバスバー導体を設けることで、第１の
すだれ状電極と第２のすだれ状電極、および第１のすだ
れ状電極と第３のすだれ状電極の電気的分離を強めるこ
とができ、加えて第１のすだれ状電極乃至第３のすだれ
状電極を外部端子と接続する際のワイヤボンディング数
を少なくすることができる。According to the present invention, by providing the first cross bus bar conductor and the second cross bus bar conductor, the first interdigital transducer and the second interdigital transducer, and the first interdigital transducer and the third interdigital transducer are provided. The electrical separation of the interdigital transducer can be enhanced, and in addition, the number of wire bonding when connecting the first to third interdigital transducers to external terminals can be reduced.

【００２１】請求項７の発明は、請求項１乃至請求項６
のいずれかの構成において、圧電基板は、ＳＴカットあ
るいはＫカットで形成された水晶板である弾性表面波フ
ィルタである。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the first to sixth aspects.
In any one of the above structures, the piezoelectric substrate is a surface acoustic wave filter which is a quartz plate formed by ST cut or K cut.

【００２２】この請求項７では、圧電基板にＳＴカット
あるいはＫカットの水晶板を用いて、温度変化等の外界
の影響を受けにくい弾性表面波フィルタを作製する事が
できる。According to the seventh aspect, it is possible to manufacture a surface acoustic wave filter which is hardly affected by an external environment such as a temperature change by using an ST-cut or K-cut quartz plate for the piezoelectric substrate.

【００２３】[0023]

【発明の実施の形態】第１の実施の形態 以下、この発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説
明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００２４】図１は本発明の縦結合型ＳＡＷフィルタの
電極パターンの好ましい実施の形態を示す平面図であ
り、図１を参照してＳＡＷフィルタ１０について詳しく
説明する。図１のＳＡＷフィルタは、圧電基板１１、第
１ＩＤＴ１２、第２ＩＤＴ１３、第３ＩＤＴ１４、反射
器１５、１６等からなっている。圧電基板１１は例えば
水晶板であって、水晶より切り出されたＳＴ−Ｘ伝搬カ
ット、ＬＳＴ−Ｘ伝搬カット、Ｋカットなどの特定のウ
ェハをダイシングして得られる素子片である。FIG. 1 is a plan view showing a preferred embodiment of an electrode pattern of a vertical coupling type SAW filter of the present invention. The SAW filter 10 will be described in detail with reference to FIG. The SAW filter of FIG. 1 includes a piezoelectric substrate 11, a first IDT 12, a second IDT 13, a third IDT 14, reflectors 15, 16, and the like. The piezoelectric substrate 11 is, for example, a quartz plate, and is an element piece obtained by dicing a specific wafer, such as an ST-X propagation cut, an LST-X propagation cut, or a K-cut, cut out of quartz.

【００２５】この圧電基板１１を伝搬する弾性表面波の
速度Ｖは、圧電基板１１の材料、第１ＩＤＴ１２乃至第
３ＩＤＴ１４及び反射器１５、１６の厚さや幅等によっ
て決定される。この圧電基板１１の表面上をレーリー
波、リーキー波、ＳＴＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｔｒａｎｓ
ｖｅｒｓａ１ Ｗａｖｅ）波等の弾性表面波が矢印Ｘ方
向に向かって伝搬する。The velocity V of the surface acoustic wave propagating through the piezoelectric substrate 11 is determined by the material of the piezoelectric substrate 11, the thicknesses and widths of the first to third IDTs 12 to 14, the reflectors 15 and 16, and the like. A Rayleigh wave, a leaky wave, and a STW (Surface Trans)
surface waves such as (versa1 Wave) waves propagate in the arrow X direction.

【００２６】第１ＩＤＴ１２は圧電基板１１のほぼ中央
部に形成されており、複数の電極指からなるくし型電極
１２ａ、１２ｂからなっている。くし型電極１２ａ、１
２ｂは後述する所定のピッチＰＴｏ及び所定の対数Ｍ１
で形成される。第１ＩＤＴ１２には入力端子が接続され
ていて、入力端子は交流電圧源１０６に接続されてい
る。入力端子から交流電圧が供給されると、第１ＩＤＴ
１２から弾性表面波が励振する。The first IDT 12 is formed substantially at the center of the piezoelectric substrate 11 and includes comb-shaped electrodes 12a and 12b composed of a plurality of electrode fingers. Comb electrodes 12a, 1
2b is a predetermined pitch PTo and a predetermined logarithm M1 described later.
Is formed. An input terminal is connected to the first IDT 12, and the input terminal is connected to the AC voltage source 106. When an AC voltage is supplied from the input terminal, the first IDT
A surface acoustic wave is excited from 12.

【００２７】第１ＩＤＴ１２の弾性表面波伝搬方向であ
る矢印Ｘ方向には、励振された弾性表面波を電気信号に
変換して出力する第２ＩＤＴ１３と第３ＩＤＴ１４が形
成されている。第２ＩＤＴ１３はくし型電極１３ａ、１
３ｂからなっており、第３ＩＤＴ１４はくし型電極１４
ａ、１４ｂからなっている。くし型電極１３ａとくし型
電極１４ａ及びくし型電極１３ｂとくし型電極１４ｂは
それぞれ電気的に接続されて、第２ＩＤＴ１３と第３Ｉ
ＤＴ１４とは並列に接続されている。第２ＩＤＴ１３と
第３ＩＤＴ１４はそれぞれ後述する所定のピッチＰＴ
１、ＰＴ２及び所定の対数Ｍ２、Ｍ３で形成されてい
る。第２ＩＤＴ１３と第３ＩＤＴ１４には電気的負荷イ
ンピーダンスＺに接続されていて、第２ＩＤＴ１３及び
第３ＩＤＴ１４が出力する電気信号を検出する。第２Ｉ
ＤＴ１３と第３ＩＤＴ１４は第１ＩＤＴ１２からそれぞ
れ間隔ＳＰ１、ＳＰ２だけ離れて形成されている。A second IDT 13 and a third IDT 14 for converting the excited surface acoustic waves into electric signals and outputting the electric signals are formed in the direction of arrow X which is the direction of propagation of the surface acoustic waves of the first IDT 12. The second IDT 13 is a comb-shaped electrode 13a, 1
3b, and the third IDT 14 is a comb-shaped electrode 14
a and 14b. The comb-shaped electrode 13a and the comb-shaped electrode 14a, and the comb-shaped electrode 13b and the comb-shaped electrode 14b are electrically connected to each other, so that the second IDT 13 and the third
DT14 is connected in parallel. The second IDT 13 and the third IDT 14 each have a predetermined pitch PT described later.
1, PT2 and a predetermined logarithm M2, M3. The second IDT 13 and the third IDT 14 are connected to an electric load impedance Z, and detect electric signals output from the second IDT 13 and the third IDT 14. 2nd I
The DT 13 and the third IDT 14 are formed at intervals SP1 and SP2 from the first IDT 12, respectively.

【００２８】第２ＩＤＴ１３と第３ＩＤＴ１４の各電極
指はこのましくは互いに同一のピッチ（ＰＴ１＝ＰＴ
２）で同一の対数（Ｍ２＝Ｍ３）及び同一の間隔（ＳＰ
１＝ＳＰ２）で形成されている。これにより、ＳＡＷフ
ィルタ１０は中心線ＣＬ１に対して対称になるように設
けられるため、入力インピーダンスと出力インピーダン
スの終端条件が同一になり、良好なフィルタ特性を得る
ことができる。The electrode fingers of the second IDT 13 and the third IDT 14 preferably have the same pitch (PT1 = PT
2) the same logarithm (M2 = M3) and the same interval (SP
1 = SP2). Thus, since the SAW filter 10 is provided symmetrically with respect to the center line CL1, the termination conditions of the input impedance and the output impedance become the same, and good filter characteristics can be obtained.

【００２９】第２ＩＤＴ１３及び第３ＩＤＴ１４の弾性
表面波伝搬方向には反射器１５、１６が設けられてい
る。第１反射器１５及び第２反射器１６は後述する所定
のピッチＰＲであって所定の本数Ｍ４で形成されてい
る。反射器１５、１６は第１ＩＤＴ１２から出力された
弾性表面波を反射して第１反射器１５及び第２反射器１
６内に閉じ込め、多段反射することで定在波を形成す
る。上述した第１ＩＤＴ１２、第２ＩＤＴ１３、第３Ｉ
ＤＴ１４、第１反射器１５及び第２反射器１６は圧電基
板１１上に、Ａ１、Ａｕ、Ｃｕ等の導体金属膜を蒸着あ
るいはスパッタリング等の成膜形成手段により形成した
上で、フォトリソグラフィ技術によりパターン形成され
る。Reflectors 15 and 16 are provided in the surface acoustic wave propagation directions of the second IDT 13 and the third IDT 14. The first reflector 15 and the second reflector 16 are formed with a predetermined pitch PR described later and a predetermined number M4. The reflectors 15 and 16 reflect the surface acoustic wave output from the first IDT 12 and reflect the first and second reflectors 15 and 1.
6 and form a standing wave by multistage reflection. The first IDT 12, the second IDT 13, and the third I described above.
The DT 14, the first reflector 15, and the second reflector 16 are formed by forming a conductive metal film such as A1, Au, Cu, or the like on the piezoelectric substrate 11 by film forming means such as evaporation or sputtering, and then by photolithography. The pattern is formed.

【００３０】ここで、図１のＳＡＷフィルタが挿入損失
が小さく通過周波数帯域外での減衰量が大きい急峻で十
分なフィルタ特性を持つためのパラメータ設定について
考察する。一般的にＳＡＷフィルタの特性は、各ＩＤＴ
１２、１３、１４及び反射器１５、１６の各電極指のピ
ッチ、間隔ＳＰ１、ＳＰ２及び対数、電極指の膜厚と幅
等によって決定されるが、この中でも各ＩＤＴ１２、１
３、１４及び反射器１５、１６の各電極指のピッチ、間
隔ＳＰ１、ＳＰ２及び対数のパラメータについて考察す
る。なお、図２乃至図９に示されるグラフ図はスミスの
等価回路を用いたシミュレーションにおける結果を示し
ているが、実際のＳＡＷフィルタ１０における実測値と
シミュレーション値には食い違いが生じる場合がある。
しかしＳＡＷフィルタ１０の特性は一致するものである
から、シミュレーション結果に基づいて考察するものと
する。Here, consideration will be given to parameter setting for the SAW filter of FIG. 1 to have a steep and sufficient filter characteristic with a small insertion loss and a large attenuation outside the pass frequency band. Generally, the characteristics of a SAW filter are
The pitch, spacing SP1, SP2 and logarithm of each electrode finger of the reflectors 12, 13, 14 and the reflectors 15, 16 are determined by the film thickness and width of the electrode finger.
The pitch, spacing SP1, SP2 and logarithmic parameters of the electrode fingers of the reflectors 3, 14 and the reflectors 15, 16 will be considered. Although the graphs shown in FIGS. 2 to 9 show the results of the simulation using the Smith equivalent circuit, the actual measured value and the simulated value of the actual SAW filter 10 may be different from each other.
However, since the characteristics of the SAW filter 10 are the same, it is considered based on the simulation result.

【００３１】まず、第１ＩＤＴ１２乃至第３ＩＤＴ１４
と反射器１５、１６のピッチについて詳しく説明する。
一般的に角周波数ωは以下の式で与えられる。First, the first IDT 12 to the third IDT 14
And the pitch between the reflectors 15 and 16 will be described in detail.
Generally, the angular frequency ω is given by the following equation.

【００３２】ω＝２πｆ＝２πＶ／λ・・・（１） ここで、ｆは弾性表面波の周波数、Ｖは弾性表面波の速
度、λは弾性表面波の波長を示している。波長λは各Ｉ
ＤＴ及び反射器のピッチの２倍（λ＝２Ｐ；Ｐ＝ピッ
チ）となるため、式（１）は以下の式に変形することが
できる。Ω = 2πf = 2πV / λ (1) where f is the frequency of the surface acoustic wave, V is the speed of the surface acoustic wave, and λ is the wavelength of the surface acoustic wave. The wavelength λ is
Since it is twice the pitch of the DT and the reflector (λ = 2P; P = pitch), equation (1) can be transformed into the following equation.

【００３３】ω＝２πｆ＝２πＶ／２Ｐ・・・（２） このとき、図１の各ＩＤＴ及び反射器のピッチが以下の
式になるように形成すると、通過帯域外の周波数におけ
る挿入損失を大きくすることができ、通過帯域外におけ
る減衰量を大きく確保することができる。Ω = 2πf = 2πV / 2P (2) At this time, if the pitch of each IDT and reflector in FIG. 1 is formed so as to satisfy the following equation, the insertion loss at a frequency outside the pass band becomes large. Therefore, a large amount of attenuation outside the pass band can be ensured.

【００３４】 ＰＴｏ＜ＰＴ１＝ＰＴ２＜ＰＲ・・・（３） なお、上述したように、ＰＴｏは第１ＩＤＴ１２の電極
指のピッチ、ＰＴ１は第２ＩＤＴ１３の電極指のピッ
チ、ＰＴ２は第３ＩＤＴ１４の電極指のピッチ、ＰＲは
各反射器１５、１６の電極指のピッチである。PTo <PT1 = PT2 <PR (3) As described above, PTo is the pitch of the electrode fingers of the first IDT 12, PT1 is the pitch of the electrode fingers of the second IDT 13, and PT2 is the electrode finger of the third IDT 14. And PR are the pitches of the electrode fingers of the reflectors 15 and 16.

【００３５】ここで、図２を参照して上述の事項を詳し
く説明する。図２は図ｌにおける各ＩＤＴおよび反射器
の角周波数に関する概念図を示しており、横軸は前述図
１における弾性表面波の位相伝搬方向の距離であり、縦
軸は各ＩＤＴおよび各反射器における角周波数ωであ
る。また、第１ＩＤＴの対数Ｍ１＝ｌ０５対、第２ＩＤ
Ｔ１３および第３ＩＤＴ１４の対数Ｍ２＝Ｍ３＝６０
対、各反射器１５、１６の電極指の本数ＭＲ＝１０９本
とし、第１ＩＤＴ１２と第２ＩＤＴ１３間及び第１ＩＤ
Ｔ１２と第３ＩＤＴ１４間の距離ＳＰ１、ＳＰ２はＳＰ
１＝ＳＰ２＝ｎλ（ｎ＝自然数）あるいはＳＰ１＝ＳＰ
２＝ｎλ＋１／２λ（ｎ＝整数）に設定されている。Here, the above items will be described in detail with reference to FIG. FIG. 2 is a conceptual diagram relating to the angular frequency of each IDT and reflector in FIG. 1. The horizontal axis is the distance in the phase propagation direction of the surface acoustic wave in FIG. 1, and the vertical axis is each IDT and each reflector. At the angular frequency ω. Also, the logarithm M1 of the first IDT = 105 pairs, the second ID
Logarithm of T13 and third IDT14 M2 = M3 = 60
On the other hand, the number of electrode fingers MR of each of the reflectors 15 and 16 is set to 109, and the distance between the first IDT 12 and the second
The distance SP1, SP2 between T12 and the third IDT14 is SP
1 = SP2 = nλ (n = natural number) or SP1 = SP
2 = nλ + ／ λ (n = integer).

【００３６】式（２）を見ると、角周波数ωは電極指の
ピッチに反比例していることがわかる。よって、各ＩＤ
Ｔ１２、１３、１４及び各反射器１５、１６の各電極指
のピッチを式（３）のように設定すると、式（２）によ
り以下の式が導き出され、図２のようなグラフになる。From the expression (2), it can be seen that the angular frequency ω is inversely proportional to the pitch of the electrode fingers. Therefore, each ID
When the pitches of the electrode fingers of T12, 13, 14 and each of the reflectors 15, 16 are set as in equation (3), the following equation is derived from equation (2), and a graph as shown in FIG. 2 is obtained.

【００３７】ω１＞ω２＝ω３＞ωＲ・・・（４） なお、第１ＩＤＴ１２の角周波数をω１、第２ＩＤＴ１
３の角周波数をω２、第３ＩＤＴ１４の角周波数をω
３、反射器１５、１６の角周波数をωＲとする。図３に
は、式（４）のように設定したときの周波数−挿入損失
特性を示しており、図３のグラフ３０１はω１＝ω２＝
ω３＝２７６２（ｒａｄ／ｓ）に設定した場合の周波数
−挿入損失特性を示し、グラフ３０２はω１＝２７６２
（ｒａｄ／ｓ）、ω２＝ω３＝２７５４（ｒａｄ／
ｓ）、ωＲ＝２７５０（ｒａｄ／ｓ）に設定した場合の
周波数−挿入損失特性を示している。図３においてグラ
フ３０１では通過周波数帯域より下側の周波数領域で外
部回路を用いて整合を図っても縦インハーモニックモー
ド３０３が発生しているのに対し、式（４）のように設
定し外部回路を用いて整合を図ることにより線３０２に
は発生していない。これは、式（４）のように設定する
ことにより、弾性表面波のエネルギーが第１ＩＤＴ１２
により強く閉じ込められ、第２ＩＤＴ１３と反射器１５
及び第３ＩＤＴ１４と反射器１６の端部を節とする内部
反射が減少するからであり、これにより縦インハーモニ
ックモード３０３が発生しなくなる。Ω1> ω2 = ω3> ωR (4) where the angular frequency of the first IDT 12 is ω1, the second IDT1 is
The angular frequency of the third IDT 14 is ω2, and the angular frequency of the third IDT 14 is ω.
3. The angular frequency of the reflectors 15 and 16 is ωR. FIG. 3 shows a frequency-insertion loss characteristic when the frequency is set as in the equation (4), and the graph 301 in FIG.
Frequency-insertion loss characteristics when ω3 = 2762 (rad / s) are shown, and graph 302 shows ω1 = 2762.
(Rad / s), ω2 = ω3 = 2754 (rad / s
s) and frequency-insertion loss characteristics when ωR = 2750 (rad / s). In FIG. 3, in the graph 301, the vertical inharmonic mode 303 occurs even when matching is performed using an external circuit in a frequency region lower than the pass frequency band, but the external harmonics are set as shown in Expression (4). No line 302 is generated by matching using a circuit. This is because the energy of the surface acoustic wave is reduced by setting as shown in Expression (4).
The second IDT 13 and the reflector 15
This is because the internal reflection at the ends of the third IDT 14 and the reflector 16 as nodes is reduced, so that the vertical inharmonic mode 303 does not occur.

【００３８】以上のことから、各ＩＤＴ１２、１３、１
４及び反射器１５、１６の電極指のピッチを式（３）の
ように設定し、かつ第１ＩＤＴ１２と第２ＩＤＴ１３の
間隔ＳＰ１及び第１ＩＤＴ１２と第３ＩＤＴ１４の間隔
ＳＰ２とをＳＰ１＝ＳＰ２＝ｎλ（ｎ＝自然数）もしく
はＳＰ１＝ＳＰ２＝ｎλ＋１／２λ（ｎ＝整数）に設定
することで、ＳＡＷフィルタ１０は、縦インハーモニッ
クモード３０３による周波数ジャンプを起こすことな
く、通過帯域外の周波数を確実に遮断することができ
る。From the above, each of the IDTs 12, 13, 1
4 and the pitch of the electrode fingers of the reflectors 15 and 16 are set as in equation (3), and the interval SP1 between the first IDT 12 and the second IDT 13 and the interval SP2 between the first IDT 12 and the third IDT 14 are set as SP1 = SP2 = nλ (n = Natural number) or SP1 = SP2 = nλ + ／ λ (n = integer), the SAW filter 10 reliably cuts off frequencies outside the passband without causing a frequency jump due to the vertical inharmonic mode 303. be able to.

【００３９】尚、参照文献として鈴木、滝水、山内等の
文献「エネルギー閉じ込め弾性表面波共振子」、信学技
報、ＵＳ８７−３６、ｐｐ．９−１６（ｌ９８０）が挙
げられる。さらにこの角周波数の構成が妥当であるの
は、水晶ＳＴ−Ｘカット、Ｋカット等の圧電基板にアル
ミニウムで電極構成した、いわゆるエネルギー下降型の
波数分散特性をもつ場合である。もし前記カット圧電基
板に金電極を形成した場合のような、周波数降下型の波
数分散特牲をもつ場合においては、図２の角周波数ωの
大小関係を全部逆に設定する必要がある。As a reference, Suzuki, Takimizu, Yamauchi, et al., "Energy Confined Surface Acoustic Wave Resonator", IEICE Tech. 9-16 (l980). Further, the configuration of this angular frequency is appropriate when a piezoelectric substrate such as a crystal ST-X cut or a K cut is made of aluminum and has a so-called energy decreasing type wave number dispersion characteristic. If the cut-off piezoelectric substrate has a frequency-drop type wavenumber dispersion characteristic such as a case where a gold electrode is formed on the cut piezoelectric substrate, the magnitude relationship of the angular frequency ω in FIG.

【００４０】次に、図４を参照して各ＩＤＴ１２、１
３、１４の対数について考察する。なお、図４はＭ＝１
５０対、Ｍ＝２２５対、Ｍ＝３００対に設定した際、各
対数の総和と通過帯域の周波数における挿入損失とのグ
ラフ図を示している。なお、Ｍ＝Ｍ１＋Ｍ２＋Ｍ３、Ｄ
ＩＶ＝Ｍ／Ｍ２＝Ｍ／Ｍ３とする。図４で示されるよう
に、挿入損失が最小となるＤＩＶの範囲はほぼ３≦ＤＩ
Ｖ≦４の範囲にあることがわかり、対数の総和Ｍが大き
くなると挿入損失が小さくなることも示されている。Next, referring to FIG.
Consider the logarithms of 3,14. FIG. 4 shows M = 1.
When 50 pairs, M = 225 pairs, and M = 300 pairs are set, a graph of the sum of each logarithm and the insertion loss at the frequency of the pass band is shown. Note that M = M1 + M2 + M3, D
IV = M / M2 = M / M3. As shown in FIG. 4, the range of DIV in which the insertion loss is minimized is approximately 3 ≦ DI
It can be seen that it is in the range of V ≦ 4, and it is also shown that the insertion loss decreases as the sum M of logarithms increases.

【００４１】これは、弾性表面波を発生する第１ＩＤＴ
１２の面積と弾性表面波を検出する第２ＩＤＴ１３と第
３ＩＤＴ１４の合計面積とがほぼ等しくなること（ＤＩ
Ｖ＝４．０）が望ましいが、弾性表面波のエネルギーが
第１ＩＤＴ１２により強く閉じ込められている分、第２
ＩＤＴ１３と第３ＩＤＴ１４の合計面積を第１ＩＤＴ１
２の面積より多少大きく設定した範囲においても挿入損
失が最小となることを示している。また、対数の総和Ｍ
が大きくなると挿入損失が小さくなるのは、反射器１
５、１６に挟まれている各ＩＤＴ１２、１３、１４の面
積が大きくなったからであり、各ＩＤＴ１２、１３、１
４の面積が大きくなると挿入損失が小さくなることは一
般的に知られている。This is the first IDT that generates a surface acoustic wave.
12 is substantially equal to the total area of the second IDT 13 and the third IDT 14 for detecting surface acoustic waves (DI
V = 4.0), but the second surface acoustic wave is strongly confined by the first IDT 12 and the second surface
The total area of the IDT 13 and the third IDT 14 is calculated as the first IDT 1
This shows that the insertion loss is minimized even in a range set slightly larger than the area of No. 2. Also, the sum of logarithms M
The reason that the insertion loss decreases as the value of
This is because the area of each of the IDTs 12, 13, and 14 sandwiched between 5 and 16 has been increased.
It is generally known that the insertion loss decreases as the area of 4 increases.

【００４２】以上のことから３≦ＤＩＶ≦４に設定する
ことで、通過周波数帯域内における挿入損失を小さく設
定することが可能となる。ここで、ＳＡＷフィルタ１０
の小型化、実用化の観点からＭ＝１５０対〜３００対が
妥当であるため、図４にはＭ＝１５０対、Ｍ＝２２５
対、Ｍ＝３００対に設定した場合のみ言及している。し
かし、１５０対≦Ｍ≦３００対の範囲はもちろんのこ
と、Ｍ＜１５０対もしくはＭ＞３００対の範囲において
も、ほぼ３≦ＤＩＶ≦４の範囲で挿入損失が最小にな
る。ただし、Ｍ＜１５０対の範囲では挿入損失が大きく
なり実用的ではなく、またＭ＞３００対の範囲では挿入
損失は十分小さいが、小型化に逆行し実用的ではない。From the above, by setting 3 ≦ DIV ≦ 4, the insertion loss in the pass frequency band can be set small. Here, the SAW filter 10
Since M = 150 pairs to 300 pairs are appropriate from the viewpoint of miniaturization and practical application of FIG. 4, FIG. 4 shows M = 150 pairs and M = 225 pairs.
Only the case where M = 300 pairs is set is mentioned. However, not only in the range of 150 pairs ≦ M ≦ 300 pairs, but also in the range of M <150 pairs or M> 300 pairs, the insertion loss is minimized in the range of approximately 3 ≦ DIV ≦ 4. However, in the range of M <150 pairs, the insertion loss increases, which is not practical. In the range of M> 300 pairs, the insertion loss is sufficiently small, but goes against miniaturization and is not practical.

【００４３】つぎに図５における、第１ＩＤＴ１２と第
２ＩＤＴ１３間の距離ＳＰ１および第１ＩＤＴ１２と第
３ＩＤＴ１４間の距離ＳＰ２の変化に対する縦結合型Ｓ
ＡＷフィルタの伝送特性の変化を示している。図５にお
いて、グラフ５０１はＳＰ１＝ＳＰ２＝ｎλ（ｎ＝自然
数）あるいはＳＰ１＝ＳＰ２＝ｎλ十ｌ／２λ（ｎ＝整
数）と設定した際の伝送特性を示し、グラフ５０２はＳ
Ｐ１＝ＳＰ２＝ｎλ＋ｌ／４λ（ｎ＝整数）あるいはＳ
Ｐ１＝ＳＰ２＝ｎλ＋３／４λ（ｎ＝整数）と設定した
際の伝送特性を示す。グラフ５０２は１つの共振モード
のみをもつ共振子特性であり、広帯域なフィルタとして
は機能しない。一方グラフ５０１は後述する図６（Ｂ）
の二つのほぼ同等振幅のピークＰ２、Ｐ３が励振されて
おり通過周波数帯域を有するＳＡＷフィルタ１０が実現
できる。これは、第１ＩＤＴ１２の中心線ＣＬ１におい
て振動強度が最も強いピークを持つモードと、第１ＩＤ
Ｔ１２と第２ＩＤＴ１３の境界と第１ＩＤＴ１２と第３
ＩＤＴ１４の境界において振動強度が最も強いピークを
持つモードの２つのモードが励振されて、２つの共振ピ
ークが現れるためである。Next, in FIG. 5, the vertical coupling type S for changing the distance SP1 between the first IDT 12 and the second IDT 13 and the distance SP2 between the first IDT 12 and the third IDT 14 is shown.
9 shows a change in the transmission characteristics of the AW filter. In FIG. 5, a graph 501 shows transmission characteristics when SP1 = SP2 = nλ (n = natural number) or SP1 = SP2 = nλ / 101 / 2λ (n = integer), and a graph 502 shows S
P1 = SP2 = nλ + 1 / 4λ (n = integer) or S
The transmission characteristics when P1 = SP2 = nλ + 3 / 4λ (n = integer) are set. A graph 502 shows a resonator characteristic having only one resonance mode, and does not function as a broadband filter. On the other hand, a graph 501 is shown in FIG.
The two peaks P2 and P3 having substantially the same amplitude are excited, and the SAW filter 10 having a pass frequency band can be realized. This corresponds to the mode in which the vibration intensity has the strongest peak on the center line CL1 of the first IDT 12 and the first IDT12.
Boundary between T12 and second IDT13, first IDT12 and third
This is because two modes of a mode having the strongest vibration intensity at the boundary of the IDT 14 are excited, and two resonance peaks appear.

【００４４】図６には、上述した各ＩＤＴ１２、１３、
１４及び反射器１５、１６の各電極指のピッチの最適
化、スペースＳＰ１、ＳＰ２の最適化及び第２ＩＤＴ１
３と第３ＩＤＴ１４の対数Ｍ２、Ｍ３の最適化を図った
際の周波数−挿入損失のグラフ図を示している。FIG. 6 shows each of the IDTs 12 and 13 described above.
Of the electrode fingers of the reflector 14 and the reflectors 15, 16; optimization of the spaces SP1, SP2; and the second IDT1.
3 is a graph showing frequency-insertion loss when the logarithms M2 and M3 of the third and third IDTs 14 are optimized.

【００４５】まず図６（Ａ）は、第１ＩＤＴ１２、第２
ＩＤＴ１３、第３ＩＤＴ１４の対数Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３が
等しく（Ｍ１＝Ｍ２＝Ｍ３）、間隔ＳＰ１＝ＳＰ２＝ｎ
λ＋１／4 λ（ｎ＝自然数）あるいはＳＰ１＝ＳＰ２＝
ｎλ＋３／４λ（ｎ＝整数）に形成されている場合の周
波数−挿入損失のグラフを示している。図６（Ａ）にお
いて、周波数−挿入損失には１つのピークＰ１が現れて
いるのみで、周波数帯域フィルタとしての機能を果たす
ことはできない。First, FIG. 6A shows the first IDT 12 and the second IDT 12.
The logarithms M1, M2, and M3 of the IDT13 and the third IDT14 are equal (M1 = M2 = M3), and the interval SP1 = SP2 = n.
λ + ／ λ (n = natural number) or SP1 = SP2 =
FIG. 5 shows a graph of frequency-insertion loss when nλ + 3 / 4λ (n = integer) is formed. In FIG. 6 (A), only one peak P1 appears in the frequency-insertion loss, and cannot function as a frequency band filter.

【００４６】次に、ＳＰ１＝ＳＰ２＝ｎλ（ｎ＝自然
数）もしくはＳＰ１＝ＳＰ２＝ｎλ＋１／２λ（ｎ＝整
数）になるように第２ＩＤＴ１３と第３ＩＤＴ１４を形
成し、第２ＩＤＴ１３及び第３ＩＤＴ１４の対数の数を
３≦Ｍ／Ｍ２≦４内に設定し、さらにＰＴｏ＜ＰＴ１＝
ＰＴ２＜ＰＲになるように形成すると、図６（Ｂ）にお
いて２つのピークＰ２、Ｐ３が現れる。そして外部の整
合回路により適切な整合を行うことにより、図６（Ｃ）
に示すように縦ハーモニックモードの出現を防止して通
過帯域内において低損失化を実現した、良好なフィルタ
特性を示すことができる。尚、ＳＡＷフィルタ１０が図
１の中心線ＣＬ１に対して対称になるように形成される
ことで、入力インピーダンスと出力インピーダンスの終
端条件を同じにすることができ、図６（Ｃ）の部位７０
１、７０２の勾配を急峻にする事ができる。Next, the second IDT 13 and the third IDT 14 are formed so that SP1 = SP2 = nλ (n = natural number) or SP1 = SP2 = nλ + 1 / 2λ (n = integer), and the logarithm of the second IDT 13 and the third IDT 14 The number is set within 3 ≦ M / M2 ≦ 4, and PTo <PT1 =
When formed so that PT2 <PR, two peaks P2 and P3 appear in FIG. 6B. Then, by performing appropriate matching using an external matching circuit, the circuit shown in FIG.
As shown in (1), good filter characteristics can be exhibited in which the appearance of the vertical harmonic mode is prevented and the loss is reduced in the pass band. In addition, since the SAW filter 10 is formed so as to be symmetrical with respect to the center line CL1 in FIG. 1, the termination conditions of the input impedance and the output impedance can be made the same, and the portion 70 in FIG.
1, 702 can be made steep.

【００４７】第２の実施の形態 図７には第２の実施の形態を示す平面図を示しており、
図７を参照してＳＡＷフィルタについて詳しく説明す
る。尚、第２の実施形態では第１の実施形態と同様な部
分に付いては同一の符号を付してその説明を省略し、異
なる部分を中心に説明する。 Second Embodiment FIG. 7 is a plan view showing a second embodiment.
The SAW filter will be described in detail with reference to FIG. In the second embodiment, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. The different parts will be mainly described.

【００４８】図７のＳＡＷフィルタ６００Ａが図１のＳ
ＡＷフィルタ１０と異なる点は、クロスバスバー導体が
形成されていることである。第１クロスバスバー導体６
１０、第２クロスバスバー導体６１１は第１ＩＤＴ１２
と第２ＩＤＴ１３の間及び第１ＩＤＴ１２と第３ＩＤＴ
１４の間にそれぞれ形成されている。第１クロスバスバ
ー導体６１０と第２クロスバスバー導体６１１は弾性表
面波の伝搬方向に対して垂直に幅Ｂで形成されており、
電気的に接地されている。これにより、ＳＡＷフィルタ
６００Ａは図１のＳＡＷフィルタ１０と同様の作用効果
を発揮するとともに、第１ＩＤＴ１２と第２ＩＤＴ１
３、および第１ＩＤＴ１２と第３ＩＤＴ１４の電気的分
離を強めることができる。The SAW filter 600A shown in FIG.
The difference from the AW filter 10 is that a cross bus bar conductor is formed. First cross busbar conductor 6
10, the second cross bus bar conductor 611 is the first IDT 12
Between the second IDT 13 and the first IDT 12 and the third IDT
14, respectively. The first cross bus bar conductor 610 and the second cross bus bar conductor 611 are formed to have a width B perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave,
It is electrically grounded. Thereby, SAW filter 600A exhibits the same operation and effect as SAW filter 10 of FIG. 1, and also has first IDT 12 and second IDT 1
Third, the electrical isolation between the first IDT 12 and the third IDT 14 can be enhanced.

【００４９】さらに第１ＩＤＴ１２、第２ＩＤＴ１３、
第３ＩＤＴ１４の同電位電極を平面的に導通させること
により、パッケージグラントとの間のワイヤボンディン
グ数を少なくすることができる。なおクロスバスバー６
１０、６１１の導体幅Ｂと第１のＩＤＴ１２の端部１２
ｂの両側における間隔すだれ状電極間の長さの合計長Ｂ
＋ＳＰｉ＋ＳＰｏであり、Ｂ＋ＳＰｉ＋ＳＰｏ＝ｎλ
（ｎ＝整数）あるいはＢ＋ＳＰｉ＋ＳＰｏ＝ｎλ＋１／
２λ（ｎ＝整数）に設定すれば、図５とほぼ同じような
伝送特性が得られる。よって、二つのほぼ同等振幅のモ
ードが励振されておりＳＡＷフィルタが実現できる。Further, the first IDT 12, the second IDT 13,
By making the same potential electrodes of the third IDT 14 conductive in a plane, the number of wire bonding with the package grant can be reduced. Cross busbar 6
10 and 611 and the end 12 of the first IDT 12
b total length B between the interdigitated electrodes on both sides of b
+ SPi + SPo, and B + SPi + SPo = nλ
(N = integer) or B + SPi + SPo = nλ + 1 /
If it is set to 2λ (n = integer), almost the same transmission characteristics as in FIG. 5 can be obtained. Therefore, two modes having substantially the same amplitude are excited, and a SAW filter can be realized.

【００５０】本発明は上記実施の形態には限定されな
い。図１において、第１ＩＤＴ１２の本数は例えば１０
５対に形成されているが、電極指を１本減らした場合で
あっても得られるフィルタ特性は同じものとなる。その
理由は以下の通りである。第１ＩＤＴ１２の対数を変更
することは、中心間距離ＳＰ１もしくはＳＰ２が変わっ
てしまい、フィルタの位相が変わってしまうように思わ
れる。しかし、第１ＩＤＴ１２の電極指は１／２λピッ
チで形成されているため、見かけ上中心距離が変わって
も、得られるフィルタ特性は変わらない。The present invention is not limited to the above embodiment. In FIG. 1, the number of first IDTs 12 is, for example, 10
Although five pairs are formed, the filter characteristics obtained are the same even when the number of electrode fingers is reduced by one. The reason is as follows. Changing the logarithm of the first IDT 12 seems to change the center-to-center distance SP1 or SP2 and change the phase of the filter. However, since the electrode fingers of the first IDT 12 are formed at a λ pitch, even if the apparent center distance changes, the obtained filter characteristics do not change.

【００５１】[0051]

【発明の効果】以上説明したように、請求項１と請求項
２の発明によれば、十分な周波数通過帯域を形成して、
かつ通過帯域内での挿入損失を小さくして減衰量を小さ
くすることができるとともに、縦インハーモニックモー
ドを低減させて周波数ジャンプによるフィルタリング不
良を低減することができる。As described above, according to the first and second aspects of the present invention, a sufficient frequency pass band is formed,
In addition, the insertion loss in the pass band can be reduced to reduce the amount of attenuation, and the longitudinal inharmonic mode can be reduced to reduce the filtering failure due to the frequency jump.

【００５２】請求項３の発明によれば、通過帯域と通過
帯域外との境において急峻なフィルタ特性を得ることが
できる。According to the third aspect of the present invention, a sharp filter characteristic can be obtained at the boundary between the pass band and the outside of the pass band.

【００５３】請求項４と請求項５の発明によれば、第２
ＩＤＴと第３ＩＤＴの対数を調整して、周波数通過帯域
内において低損失化を実現することができる。According to the fourth and fifth aspects of the present invention, the second
By adjusting the logarithm of the IDT and the third IDT, it is possible to reduce the loss in the frequency pass band.

【００５４】請求項６の発明によれば、各ＩＤＴを電気
的に接続するためのワイヤボンディングの数を減らすこ
とができる。According to the invention of claim 6, the number of wire bonding for electrically connecting each IDT can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の弾性表面波フィルタの好ましい実施
の形態を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing a preferred embodiment of a surface acoustic wave filter according to the present invention.

【図２】 本発明の弾性表面波フィルタにおける各ＩＤ
Ｔ及び反射器の角振動数特性を示すグラフ図。FIG. 2 shows each ID in the surface acoustic wave filter of the present invention.
FIG. 4 is a graph showing T and angular frequency characteristics of a reflector.

【図３】 弾性表面波フィルタにおける周波数−挿入損
失特性を示すグラフ図であって、本発明の特性と従来技
術の特性とを比較したグラフ図。FIG. 3 is a graph showing the frequency-insertion loss characteristics of the surface acoustic wave filter, comparing the characteristics of the present invention with those of the prior art.

【図４】 弾性表面波フィルタにおけるＩＤＴ分割数Ｄ
ＩＶ−挿入損失特性を示すグラフ図であって、本発明の
特性と従来技術の特性とを比較したグラフ図。FIG. 4 is an IDT division number D in a surface acoustic wave filter.
FIG. 14 is a graph showing IV-insertion loss characteristics, in which the characteristics of the present invention are compared with those of the related art.

【図５】 本発明の弾性表面波フィルタにおける各ＩＤ
Ｔ及び反射器の角振動数特性を示すグラフ図。FIG. 5 shows each ID in the surface acoustic wave filter of the present invention.
FIG. 4 is a graph showing T and angular frequency characteristics of a reflector.

【図６】 弾性表面波フィルタにおける周波数−挿入損
失特性を示すグラフ図であって、（Ａ）は従来技術の特
性、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明の特性を示すグラフ図。FIGS. 6A and 6B are graphs showing frequency-insertion loss characteristics in the surface acoustic wave filter, wherein FIG. 6A is a graph showing characteristics of the related art, and FIGS. 6B and 6C are graphs showing characteristics of the present invention.

【図７】 本発明の弾性表面波フィルタにおける別の実
施の形態を示す平面図。FIG. 7 is a plan view showing another embodiment of the surface acoustic wave filter according to the present invention.

【図８】 従来の弾性表面波フィルタの一例を示す平面
図。FIG. 8 is a plan view showing an example of a conventional surface acoustic wave filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０・・・ＳＡＷフィルタ（弾性表面波フィルタ） １１・・・圧電基板 １２・・・第１ＩＤＴ １３・・・第２ＩＤＴ １４・・・第３ＩＤＴ １５、１６・・・反射器 Reference Signs List 10 SAW filter (surface acoustic wave filter) 11 Piezoelectric substrate 12 First IDT 13 Second IDT 14 Third IDT 15, 16 Reflector

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 圧電基板上に複数の電極指が所定のピッ
チで形成されている、電気信号を弾性表面波に変換する
第１のすだれ状電極と、 弾性表面波の伝搬方向であって前記第１のすだれ状電極
の両側にそれぞれ所定の間隔だけ離れて設けられてい
て、前記第１のすだれ状電極の電極指のピッチと異なる
ピッチで形成されている、前記第ｌのすだれ状電極から
伝搬する弾性表面波を電気的信号に変換する第２のすだ
れ状電極及び第３のすだれ状電極と、 弾性表面波の伝搬方向両側にそれぞれ前記第１のすだれ
状電極乃至第３のすだれ状電極を挟むように設けられて
いて、前記第１のすだれ状電極、前記第２のすだれ状電
極及び前記第３のすだれ状電極の電極指のピッチと異な
るピッチで形成されている、弾性表面波のエネルギーを
閉じ込めるための第１反射器及び第２反射器と、を有す
る弾性表面波フィルタであって、 弾性表面波の波長をλとしたときに、前記第１のすだれ
状電極と前記第２のすだれ状電極の間隔ＳＰ１及び前記
第１のすだれ状電極と前記第３のすだれ状電極との間隔
ＳＰ２が、ＳＰ１＝ＳＰ２＝ｎλ（ｎ＝自然数）、ある
いはＳＰ１＝ＳＰ２＝ｎλ＋１／２λ（ｎ＝整数）にな
るように形成されていることを特徴とする弾性表面波フ
ィルタ。A first interdigital electrode for converting an electric signal into a surface acoustic wave, wherein a plurality of electrode fingers are formed at a predetermined pitch on a piezoelectric substrate; The first interdigital transducer, which is provided on both sides of the first interdigital transducer at a predetermined interval and is formed at a pitch different from the pitch of the electrode fingers of the first interdigital transducer, A second IDT and a third IDT for converting a propagating surface acoustic wave into an electrical signal; and a first IDT to a third IDT on both sides in the direction of propagation of the surface acoustic wave. And a surface acoustic wave formed at a pitch different from the pitch of the electrode fingers of the first IDT, the second IDT, and the third IDT. To confine energy A first reflector and a second reflector, wherein when the wavelength of the surface acoustic wave is λ, the first interdigital transducer and the second interdigital transducer are The distance SP1 and the distance SP2 between the first IDT and the third IDT are SP1 = SP2 = nλ (n = natural number) or SP1 = SP2 = nλ + ／ λ (n = integer). A surface acoustic wave filter characterized by being formed as described above. 【請求項２】 前記第１のすだれ状電極のピッチＰＴ
ｏ、前記第２のすだれ状電極のピッチＰＴ１、前記第３
のすだれ状電極のピッチＰＴ２及び第１反射器と第２反
射器のピッチＰＲが、ＰＴｏ＜ＰＴ１＝ＰＴ２＜ＰＲ、
もしくはＰＲ＜ＰＴ１＝ＰＴ２＜ＰＴｏの関係になるよ
うに形成されている請求項１に記載の弾性表面波フィル
タ。2. The pitch PT of the first IDT.
o, the pitch PT1 of the second IDT,
The pitch PT2 of the interdigital transducer and the pitch PR of the first reflector and the second reflector are PTo <PT1 = PT2 <PR,
2. The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the filter is formed so as to satisfy a relationship of PR <PT1 = PT2 <PTo. 【請求項３】 前記第２のすだれ状電極の対数と前記第
３のすだれ状電極の対数とが等しくなるように形成され
ている請求項１乃至請求項２のいずれかに記載の弾性表
面波フィルタ。3. The surface acoustic wave according to claim 1, wherein a logarithm of the second IDT is equal to a logarithm of the third IDT. filter. 【請求項４】 前記第２のすだれ状電極の対数Ｍ２と前
記第１のすだれ状電極、前記第２のすだれ状電極及び前
記第３のすだれ状電極の対数の総和Ｍの関係は、Ｍ／Ｍ
２がほぼ３〜４の範囲にある請求項１乃至請求項３のい
ずれかに記載の弾性表面波フィルタ。4. The relationship between the logarithm M2 of the second interdigital transducer and the sum M of the logarithms of the first interdigital transducer, the second interdigital transducer and the third interdigital transducer is M / M. M
4. The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein 2 is in a range of approximately 3 to 4. 【請求項５】 前記対数の総和Ｍが１５０対≦Ｍ≦３０
０対の範囲内にある請求項１乃至請求項４のいずれかに
記載の弾性表面波フィルタ。5. The sum M of the logarithms is 150 pairs ≦ M ≦ 30.
The surface acoustic wave filter according to any one of claims 1 to 4, wherein the surface acoustic wave filter is within a range of 0 pairs. 【請求項６】 前記第１のすだれ状電極と前記第２のす
だれ状電極間及び前記第１のすだれ状電極と前記第３の
すだれ状電極間にそれぞれ第１クロスバスバー導体及び
第２クロスバスバー導体が設けられている請求項１乃至
請求項５のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ。6. A first cross bus bar conductor and a second cross bus bar between the first IDT and the second IDT and between the first IDT and the third IDT, respectively. The surface acoustic wave filter according to any one of claims 1 to 5, further comprising a conductor. 【請求項７】 圧電基板は、ＳＴカットあるいはＫカッ
トで形成された水晶板ある請求項１乃至請求項６のいず
れかに記載の弾性表面波フィルタ。7. The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the piezoelectric substrate is a quartz plate formed by ST cut or K cut.