JP2017219700A - Large-sized substrate, liquid crystal device, method of manufacturing large-sized substrate, method of manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、大型基板、液晶装置、大型基板の製造方法、液晶装置の製造方法、及び電子機器に関する。 The present invention relates to a large substrate, a liquid crystal device, a method for manufacturing a large substrate, a method for manufacturing a liquid crystal device, and an electronic apparatus.
上記大型基板(500)は、例えば、図20に示すように、複数の素子基板10が面付けされた第1大型基板510と、複数の対向基板20が面付けされた第2大型基板520とが、シール材14を介して貼り合わされている。
For example, as shown in FIG. 20, the large substrate (500) includes a first
例えば、特許文献1に記載のように、一対の大型基板のうち一方の基板側(例えば、対向基板20側)には、光の利用効率を高めるために、各画素に対応する位置に微小なマイクロレンズMLが設けられている。このような大型基板500からチップサイズに切断することにより、複数の液晶装置100を同時に形成することができる。
For example, as described in Patent Document 1, on one substrate side (for example, the
しかしながら、図21に示すように、マイクロレンズMLを形成した後にできる膜表面の凹凸を平坦にするべく平坦化処理を行った場合、表示領域E1に対応する部分にしかマイクロレンズMLが形成されていないことから、マイクロレンズMLがある領域(密の状態)と無い領域(疎の状態)とによって、レンズ層42のエッチングレートが異なる。よって、図22に示すように、第2大型基板520の面内に凹凸が発生し、その結果、その液晶装置100を使用した際、セルギャップのばらつきに起因して表示ムラになるという課題がある。
However, as shown in FIG. 21, when the flattening process is performed to flatten the irregularities on the film surface after the microlens ML is formed, the microlens ML is formed only in the portion corresponding to the display region E1. Therefore, the etching rate of the
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。 An aspect of the present invention has been made to solve at least a part of the above problems, and can be realized as the following forms or application examples.
[適用例1]本適用係る大型基板は、複数の第1基板を備える第1大型基板と、前記第1大型基板と対向するように配置された、複数の第2基板を備える第2大型基板と、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合せるシール材と、を備え、前記第1大型基板及び前記第2大型基板のうち少なくとも一方の基板の表示領域に設けられた第1マイクロレンズと、前記一方の基板の前記表示領域の周囲である周辺領域の少なくとも一部に設けられた第2マイクロレンズと、を備えることを特徴とする。 Application Example 1 A large substrate according to the present application includes a first large substrate including a plurality of first substrates, and a second large substrate including a plurality of second substrates arranged to face the first large substrate. A first microlens provided in a display region of at least one of the first large substrate and the second large substrate, and a sealing material that bonds the first substrate and the second substrate together. And a second microlens provided in at least a part of a peripheral region that is the periphery of the display region of the one substrate.
本適用例によれば、表示領域の第1マイクロレンズに加えて、表示領域の周囲に第2マイクロレンズを設けるので、第1マイクロレンズ及び第2マイクロレンズの上方の膜を平坦にするべく平坦化処理を行った際、大型基板の全体に亘って略同じ膜厚分を除去することができる。よって、エッチングレートを略同じにすることが可能となり、大型基板の全体に亘って平坦化することができる。その結果、第1大型基板と第2大型基板との間のセルギャップを均一にすることができ、表示ムラが発生することを抑えることができる。 According to this application example, in addition to the first microlens in the display area, the second microlens is provided around the display area, so that the film above the first microlens and the second microlens is flattened. When the crystallization treatment is performed, substantially the same film thickness can be removed over the entire large substrate. Therefore, the etching rate can be made substantially the same, and the entire large substrate can be flattened. As a result, the cell gap between the first large substrate and the second large substrate can be made uniform, and display unevenness can be suppressed.
[適用例2]上記適用例に係る大型基板において、前記シール材は、前記周辺領域に配置されており、前記第2マイクロレンズは、前記シール材の少なくとも一部と重なる領域に配置されていることが好ましい。 Application Example 2 In the large substrate according to the application example described above, the sealing material is disposed in the peripheral region, and the second microlens is disposed in a region overlapping at least a part of the sealing material. It is preferable.
本適用例によれば、表示領域に加えて、シール材と重なる領域の少なくとも一部に第2マイクロレンズが設けられているので、基板に第1マイクロレンズのみを備えている場合と比較して、基板上を平坦化しやすくすることができる。よって、第1大型基板と第2大型基板とのセルギャップを均一にすることが可能となり、マイクロレンズに通る光を画素に均一に集光させることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。 According to this application example, in addition to the display area, the second microlens is provided in at least a part of the area overlapping with the sealing material, so that the substrate is provided with only the first microlens. The substrate can be easily planarized. Therefore, the cell gap between the first large substrate and the second large substrate can be made uniform, and the light passing through the microlens can be uniformly condensed on the pixels. As a result, display quality can be improved.
[適用例3]上記適用例に係る大型基板において、前記第2マイクロレンズは、少なくとも前記シール材と重なる領域に設けられていることが好ましい。 Application Example 3 In the large substrate according to the application example, it is preferable that the second microlens is provided at least in a region overlapping with the sealing material.
本適用例によれば、表示領域に加えて、少なくともシール材と重なる領域に第2マイクロレンズが設けられているので、基板に第1マイクロレンズのみを備えている場合と比較して、基板上を平坦化しやすくすることができる。よって、第1基板と第2基板とのセルギャップを均一にすることが可能となり、マイクロレンズに通る光を画素に均一に集光させることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。 According to this application example, in addition to the display area, the second microlens is provided at least in an area overlapping with the sealing material. Therefore, compared with the case where the substrate includes only the first microlens, Can be easily flattened. Therefore, the cell gap between the first substrate and the second substrate can be made uniform, and the light passing through the microlens can be uniformly condensed on the pixels. As a result, display quality can be improved.
[適用例4]本適用例に係る液晶装置は、第1基板と、前記第1基板と対向するように配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合せるシール材と、前記シール材で囲まれた中に配置された液晶層と、を備え、前記第1基板及び前記第2基板のうち少なくとも一方の基板の表示領域に設けられた第1マイクロレンズと、前記一方の基板の前記表示領域の周囲である周辺領域の少なくとも一部に設けられた第2マイクロレンズと、を備えることを特徴とする。 Application Example 4 A liquid crystal device according to this application example includes a first substrate, a second substrate disposed so as to face the first substrate, and a seal that bonds the first substrate and the second substrate together. A first microlens provided in a display region of at least one of the first substrate and the second substrate, and a liquid crystal layer disposed inside the material and surrounded by the sealing material; And a second microlens provided in at least a part of a peripheral area around the display area of the one substrate.
本適用例によれば、表示領域の第1マイクロレンズに加えて、表示領域の周囲に第2マイクロレンズを設けるので、第1マイクロレンズ及び第2マイクロレンズの上方の膜を平坦にするべく平坦化処理を行った際、一方の基板の全体に亘って同じ膜厚分を除去することができる。よって、エッチングレートを略同じにすることが可能となり、基板の全体に亘って平坦化することができる。その結果、基板間のセルギャップを均一にすることができ、表示ムラが発生することを抑えることができる。 According to this application example, in addition to the first microlens in the display area, the second microlens is provided around the display area, so that the film above the first microlens and the second microlens is flattened. When the crystallization treatment is performed, the same film thickness can be removed over the entire one substrate. Accordingly, the etching rate can be made substantially the same, and the entire substrate can be flattened. As a result, the cell gap between the substrates can be made uniform, and display unevenness can be suppressed.
[適用例5]上記適用例に係る液晶装置において、前記シール材は、前記周辺領域に配置されており、前記第2マイクロレンズは、前記シール材の少なくとも一部と重なる領域に配置されていることが好ましい。 Application Example 5 In the liquid crystal device according to the application example, the sealing material is arranged in the peripheral region, and the second microlens is arranged in a region overlapping at least a part of the sealing material. It is preferable.
本適用例によれば、表示領域に加えて、シール材と重なる領域の少なくとも一部に第2マイクロレンズが設けられているので、基板に第1マイクロレンズのみを備えている場合と比較して、基板上を平坦化しやすくすることができる。よって、第1基板と第2基板とのセルギャップを均一にすることが可能となり、マイクロレンズに通る光を画素に均一に集光させることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。 According to this application example, in addition to the display area, the second microlens is provided in at least a part of the area overlapping with the sealing material, so that the substrate is provided with only the first microlens. The substrate can be easily planarized. Therefore, the cell gap between the first substrate and the second substrate can be made uniform, and the light passing through the microlens can be uniformly condensed on the pixels. As a result, display quality can be improved.
[適用例6]上記適用例に係る液晶装置において、前記第2マイクロレンズは、少なくとも前記シール材と重なる領域に設けられていることが好ましい。 Application Example 6 In the liquid crystal device according to the application example described above, it is preferable that the second micro lens is provided at least in a region overlapping with the sealing material.
本適用例によれば、表示領域に加えて、少なくともシール材と重なる領域に第2マイクロレンズが設けられているので、基板に第1マイクロレンズのみを備えている場合と比較して、基板上を平坦化しやすくすることができる。よって、第1基板と第2基板とのセルギャップを均一にすることが可能となり、マイクロレンズに通る光を画素に均一に集光させることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。 According to this application example, in addition to the display area, the second microlens is provided at least in an area overlapping with the sealing material. Therefore, compared with the case where the substrate includes only the first microlens, Can be easily flattened. Therefore, the cell gap between the first substrate and the second substrate can be made uniform, and the light passing through the microlens can be uniformly condensed on the pixels. As a result, display quality can be improved.
[適用例7]本適用例に係る大型基板の製造方法は、複数の第1基板を備える第1大型基板と、複数の第2基板を備える第2大型基板とのうち、一方の基板の表示領域に第1マイクロレンズを形成すると共に、前記表示領域の周囲である周辺領域の少なくとも一部に第2マイクロレンズを形成する工程と、前記第1マイクロレンズ及び前記第2マイクロレンズに亘って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に平坦化処理を施す工程と、前記第1大型基板にシール材を塗布して、前記第1大型基板と前記第2大型基板とを貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする。 Application Example 7 A method for manufacturing a large substrate according to this application example is to display one of a first large substrate including a plurality of first substrates and a second large substrate including a plurality of second substrates. Forming a first microlens in the area and forming a second microlens in at least a part of a peripheral area surrounding the display area; and insulating between the first microlens and the second microlens A step of forming a film, a step of planarizing the insulating film, a step of applying a sealing material to the first large substrate, and bonding the first large substrate and the second large substrate; It is characterized by having.
本適用例によれば、一方の基板における表示領域に第1マイクロレンズを形成し、更に、表示領域の周辺領域に第2マイクロレンズを形成するので、第1マイクロレンズ及び第2マイクロレンズの全体に亘って絶縁膜を形成した際、絶縁膜の表面から第1マイクロレンズ及び第2マイクロレンズまでの距離を略同じにすることができる。よって、絶縁膜の表面に平坦化処理を施した際、大型基板の全体に亘って略同じ膜厚分を除去することができる。これにより、エッチングレートを略同じにすることが可能となり、大型基板の全体に亘って平坦化することができる。その結果、第1大型基板と第2大型基板との間のセルギャップを均一にすることができ、表示ムラが発生することを抑えることができる。加えて、表示領域にマイクロレンズを形成する工程でマイクロレンズの形成範囲を増やすことが可能となるので、製造工程を増やすことなく対応することができる。 According to this application example, the first microlens is formed in the display area of one substrate, and the second microlens is formed in the peripheral area of the display area. Therefore, the entire first microlens and the second microlens are formed. When the insulating film is formed over the distance, the distance from the surface of the insulating film to the first microlens and the second microlens can be made substantially the same. Therefore, when the surface of the insulating film is planarized, the substantially same film thickness can be removed over the entire large substrate. Thereby, it becomes possible to make an etching rate substantially the same, and it can planarize over the whole large sized board | substrate. As a result, the cell gap between the first large substrate and the second large substrate can be made uniform, and display unevenness can be suppressed. In addition, since the formation range of the microlens can be increased in the process of forming the microlens in the display area, it is possible to cope without increasing the manufacturing process.
[適用例8]本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第1基板と第2基板とのうち一方の基板の表示領域に第1マイクロレンズを形成すると共に、前記表示領域の周囲である周辺領域の少なくとも一部に第2マイクロレンズを形成する工程と、前記第1マイクロレンズ及び前記第2マイクロレンズに亘って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に平坦化処理を施す工程と、前記第1基板にシール材を塗布する工程と、前記シール材で囲まれた中に液晶を塗布する工程と、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする。 Application Example 8 In the method for manufacturing a liquid crystal device according to this application example, the first microlens is formed in the display region of one of the first substrate and the second substrate, and is around the display region. Forming a second microlens in at least a part of the peripheral region, forming an insulating film over the first microlens and the second microlens, and performing a planarization process on the insulating film; And a step of applying a sealing material to the first substrate, a step of applying a liquid crystal while being surrounded by the sealing material, and a step of bonding the first substrate and the second substrate together. Features.
本適用例によれば、一方の基板における表示領域に第1マイクロレンズを形成し、更に、表示領域の周辺領域に第2マイクロレンズを形成するので、第1マイクロレンズ及び第2マイクロレンズの全体に亘って絶縁膜を形成した際、絶縁膜の表面から第1マイクロレンズ及び第2マイクロレンズまでの距離を略同じにすることができる。よって、絶縁膜の表面に平坦化処理を施した際、基板の全体に亘って略同じ膜厚分を除去することができる。これにより、エッチングレートを略同じにすることが可能となり、第1基板の全体に亘って平坦化することができる。その結果、第1基板と第2基板との間のセルギャップを均一にすることができ、表示ムラが発生することを抑えることができる。 According to this application example, the first microlens is formed in the display area of one substrate, and the second microlens is formed in the peripheral area of the display area. Therefore, the entire first microlens and the second microlens are formed. When the insulating film is formed over the distance, the distance from the surface of the insulating film to the first microlens and the second microlens can be made substantially the same. Therefore, when the surface of the insulating film is flattened, substantially the same film thickness can be removed over the entire substrate. Thereby, the etching rate can be made substantially the same, and the entire first substrate can be flattened. As a result, the cell gap between the first substrate and the second substrate can be made uniform, and the occurrence of display unevenness can be suppressed.
[適用例9]本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。 Application Example 9 Electronic equipment according to this application example includes the liquid crystal device described above.
本適用例によれば、上記に記載の液晶装置を備えているので、表示ムラなどが抑えられた表示品質の高い電子機器を提供することができる。 According to this application example, since the liquid crystal device described above is provided, it is possible to provide an electronic device with high display quality in which display unevenness is suppressed.
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。 In the following embodiments, for example, when “on the substrate” is described, the substrate is disposed so as to be in contact with the substrate, or is disposed on the substrate via another component, or the substrate. It is assumed that a part is arranged so as to be in contact with each other and a part is arranged via another component.
本実施形態では、薄膜トランジスターを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投写型表示装置(液晶プロジェクター)の光変調素子(液晶ライトバルブ)として好適に用いることができるものである。 In this embodiment, an active matrix type liquid crystal device including a thin film transistor as a pixel switching element will be described as an example. This liquid crystal device can be suitably used, for example, as a light modulation element (liquid crystal light valve) of a projection display device (liquid crystal projector).
(第1実施形態)
<大型基板の構成>
図1は、複数の液晶装置を備える大型基板の構成を示す斜視図である。図2は、図1に示す大型基板を上方から見た概略平面図である。図3は、図1及び図2に示す大型基板のA部を拡大して示す拡大平面図である。図4は、大型基板の構造を示す概略断面図である。以下、大型基板の構成を、図1〜図4を参照しながら説明する。
(First embodiment)
<Configuration of large substrate>
FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration of a large substrate including a plurality of liquid crystal devices. FIG. 2 is a schematic plan view of the large substrate shown in FIG. 1 as viewed from above. FIG. 3 is an enlarged plan view showing the A portion of the large substrate shown in FIGS. 1 and 2 in an enlarged manner. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a large substrate. Hereinafter, the configuration of the large substrate will be described with reference to FIGS.
図1及び図2に示すように、大型基板500は、第1大型基板510と第2大型基板520とがシール材14を介して貼り合わされている。シール材14で囲まれた領域には、液晶層15が配置されている。大型基板500には、複数の液晶装置100がマトリクス状に面付けされている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a
第1大型基板510及び第2大型基板520の大きさは、例えば、8インチである。第1大型基板510及び第2大型基板520のそれぞれの厚みは、例えば、1.2mmである。
The size of the first
図3に示すように、各液晶装置100には、表示領域E1の周辺に、データ線駆動回路22、走査線駆動回路24、及び外部接続用端子部61が形成されている。データ線駆動回路22及び走査線駆動回路24と外部接続用端子部61とは、互いに配線29によって、電気的に接続されている。
As shown in FIG. 3, in each
図4に示すように、大型基板500は、素子基板10(第1基板)側の第1大型基板510と、マイクロレンズMLを備える対向基板20(第2基板)側の第2大型基板520と、素子基板10と対向基板20とを貼り合わせるためのシール材14と、シール材14で囲まれた領域に配置された液晶層15と、を備えている。
As shown in FIG. 4, a
液晶装置100は、シール材14を介して第1大型基板510と第2大型基板520とを貼り合わせて大型基板500を形成した後、大型基板500における液晶装置100の外周を切断することにより完成される。次に、液晶装置100の構成について、図5を参照しながら説明する。
The
<液晶装置の構成>
図5は、大型基板を切断することによりできる液晶装置の構成を示す模式平面図である。図6は、図5に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構成を、図5及び図6を参照しながら説明する。なお、マイクロレンズ(マイクロレンズアレイ基板40)についての説明はここでは省略し、後に詳細に説明する。
<Configuration of liquid crystal device>
FIG. 5 is a schematic plan view showing a configuration of a liquid crystal device that can be obtained by cutting a large substrate. 6 is a schematic cross-sectional view taken along the line HH ′ of the liquid crystal device shown in FIG. Hereinafter, the configuration of the liquid crystal device will be described with reference to FIGS. The description of the microlens (microlens array substrate 40) is omitted here, and will be described later in detail.
図5及び図6に示すように、本実施形態の液晶装置100は、対向配置された素子基板10及び対向基板20と、これら一対の基板によって挟持された液晶層15とを有する。素子基板10を構成する第1基材10a、および対向基板20を構成する第2基材20aは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
As shown in FIGS. 5 and 6, the
素子基板10は対向基板20よりも大きく、両基板は、対向基板20の外周に沿って配置されたシール材14を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層15を構成している。
The
シール材14は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材14の内側には、表示に寄与する複数の画素Pが配列した表示領域E1が設けられている。
For example, an adhesive such as a thermosetting or ultraviolet curable epoxy resin is employed as the sealing
素子基板10の1辺部に沿ったシール材14と該1辺部との間に、データ線駆動回路22が設けられている。また、該1辺部に対向する他の1辺部に沿ったシール材14と表示領域E1との間に、検査回路25が設けられている。さらに、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿ったシール材14と表示領域E1との間に走査線駆動回路24が設けられている。該1辺部と対向する他の1辺部に沿ったシール材14と検査回路25との間には、2つの走査線駆動回路24を繋ぐ複数の配線29が設けられている。
A data
対向基板20側における額縁状に配置されたシール材14の内側には、同じく額縁状に遮光膜18(見切り部)が設けられている。遮光膜18は、例えば、光反射性を有する金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜18の内側が複数の画素Pを有する表示領域E1となっている。遮光膜18としては、例えば、タングステンシリサイド(WSi)を用いることができる。
A light shielding film 18 (parting portion) is also provided in the same frame shape inside the sealing
これらデータ線駆動回路22、走査線駆動回路24に繋がる配線29は、該1辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子部61に接続されている。以降、該1辺部に沿った方向をX方向とし、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿った方向をY方向として説明する。
The
図6に示すように、第1基材10aの液晶層15側の表面には、画素Pごとに設けられた透光性の画素電極27およびスイッチング素子である薄膜トランジスター(以降、「トランジスター30」と呼称する)と、信号配線(図示せず)と、これらを覆う第1配向膜28とが形成されている。
As shown in FIG. 6, on the surface of the
また、トランジスター30における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造(図示せず)が採用されている。本発明における素子基板10は、少なくとも画素電極27、トランジスター30、第1配向膜28を含むものである。
Further, a light shielding structure (not shown) that prevents light from entering the semiconductor layer in the
対向基板20の液晶層15側の表面には、遮光膜18と、これを覆うように成膜された保護層33と、保護層33を覆うように設けられた対向電極31と、対向電極31を覆う第2配向膜32とが設けられている。本発明における対向基板20は、少なくとも遮光膜18、対向電極31、第2配向膜32を含むものである。
On the surface of the
遮光膜18は、図5に示すように表示領域E1を取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路24、検査回路25と重なる位置に設けられている。これにより対向基板20側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域E1に入射しないように遮蔽して、表示領域E1の表示における高いコントラストを確保している。
As shown in FIG. 5, the
保護層33は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜18を覆うように設けられている。このような保護層33の形成方法としては、例えばプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
The protective layer 33 is made of, for example, an inorganic material such as silicon oxide, and is provided so as to cover the
対向電極31は、例えばITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜からなり、保護層33を覆うと共に、図5に示すように対向基板20の四隅に設けられた上下導通部26により素子基板10側の配線に電気的に接続されている。
The
画素電極27を覆う第1配向膜28および対向電極31を覆う第2配向膜32は、液晶装置100の光学設計に基づいて選定される。第1配向膜28及び第2配向膜32としては、気相成長法を用いてSiOx(酸化シリコン)などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
The
このような液晶装置100は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Pの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Pの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
Such a
<液晶装置を構成する画素の構成>
次に、画素の構成について、図7を参照して説明する。図7は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。なお、図7は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
<Configuration of pixels constituting liquid crystal device>
Next, the configuration of the pixel will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view mainly showing the structure of a pixel in the liquid crystal device. FIG. 7 shows the cross-sectional positional relationship of each component, and is represented on a scale that can be clearly shown.
図7に示すように、液晶装置100の画素Pは、素子基板10と、これに対向配置される対向基板20とを備えている。素子基板10は、第1基材10aと、遮光層3cと、絶縁層11aと、トランジスター30と、絶縁層11bと、遮光層3dと、絶縁層11cと、画素電極27と、第1配向膜28とを備えている。第1基材10aは、例えばガラスや石英など光透過性を有する材料からなる。
As shown in FIG. 7, the pixel P of the
遮光層3cは、第1基材10a上に設けられている。遮光層3cは、上層の遮光層3dとともに、対向基板20側の遮光膜18と平面視で重なるように格子状に形成されている。遮光層3cおよび遮光層3dは、素子基板10の厚さ方向(Z方向)において、トランジスター30を間に挟むように配置されている。
The
遮光層3cおよび遮光層3dが設けられていることにより、トランジスター30への光の入射が抑制される。遮光層3cに囲まれた領域、及び遮光層3dに囲まれた領域は、平面視で互いに重なっており光が透過する領域となる。絶縁層11a,11b,11cは、例えば、酸化シリコン(SiO2)などの無機材料である。
By providing the
トランジスター30は、絶縁層11a上に設けられている。トランジスター30は、画素電極27を駆動するスイッチング素子である。トランジスター30は、図示しない半導体層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極で構成されている。半導体層には、ソース領域、チャネル領域、及びドレイン領域が形成されている。チャネル領域とソース領域、又は、チャネル領域とドレイン領域との界面にはLDD(Lightly Doped Drain)領域が形成されていてもよい。
The
ゲート電極は、素子基板10において平面視で半導体層のチャネル領域と重なる領域にゲート絶縁膜を介して形成されている。図示を省略するが、ゲート電極は、下層側に配置された走査線にコンタクトホールを介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってトランジスター30をオン/オフ制御している。
The gate electrode is formed in a region overlapping with the channel region of the semiconductor layer in plan view on the
絶縁層11bは、絶縁層11aとトランジスター30とを覆うように設けられている。絶縁層11bは、トランジスター30の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。絶縁層11bにより、トランジスター30によって生じる表面の凹凸が緩和される。絶縁層11b上には、遮光層3dが設けられている。そして、絶縁層11bと遮光層3dとを覆うように絶縁層11cが設けられている。
The insulating
画素電極27は、絶縁層11c上に、画素Pに対応して設けられている。画素電極27は、遮光層3cの開口部、及び遮光層3dの開口部に平面視で重なる領域に配置されている。画素電極27は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)などの透明導電膜からなる。第1配向膜28は、画素電極27を覆うように設けられている。液晶層15は、素子基板10側の第1配向膜28と対向基板20側の第2配向膜32との間に挟持されている。
The
なお、トランジスター30に電気信号を供給する電極や配線など(図示しない)は、平面視で遮光層3c及び遮光層3dに重なる領域に設けられている。これらの電極や配線などが遮光層3cや遮光層3dを兼ねる構成であってもよい。
Note that electrodes, wirings, and the like (not shown) that supply electrical signals to the
一方、対向基板20は、マイクロレンズアレイ基板40と、パス層44と、遮光膜18と、保護層33と、対向電極31と、第2配向膜32とを備えている。
On the other hand, the
マイクロレンズアレイ基板40は、第2基材20aと、レンズ層42(絶縁膜)とを備えている。第2基材20aは、例えば、ガラスや石英などの光透過性を有する無機材料からなる。ここで、第2基材20aの液晶層15側の面を、面20a1と称する。第2基材20aの液晶層15とは反対側の面を、面20a2と称する。第2基材20aは、面20a1側に形成された複数の凹部42aを有している。各凹部42aは、画素Pに対応して設けられている。
The
レンズ層42は、第2基材20aの面20a1側を覆うように設けられている。レンズ層42は、凹部42aの深さよりも厚く形成されており、複数の凹部42aを埋め込むように形成されている。レンズ層42は、光透過性を有し、第2基材20aとは異なる屈折率を有する材料からなる。より具体的には、レンズ層42は、第2基材20aよりも光屈折率の高い無機材料からなる。このような無機材料としては、例えばSiON、Al2O3などが挙げられる。
The
レンズ層42を形成する材料で凹部42aを埋め込むことにより、凸状のマイクロレンズMLが構成される。したがって、各マイクロレンズMLは、画素Pに対応して設けられている。また、複数のマイクロレンズMLによりマイクロレンズアレイMLAが構成される。マイクロレンズアレイ基板40の表面、すなわちレンズ層42の表面は、略平坦な面となっている。
By embedding the
パス層44は、レンズ層42と、素子基板10側における光が透過する開口部と、の距離を調整するために配置されている。パス層44の材質は、例えば、酸化シリコン(SiO2)である。
The
遮光膜18は、パス層44上に設けられている。遮光膜18は、素子基板10の遮光層3c及び遮光層3dに平面視で重なるように、格子状または島状に形成されている。図7は、遮光膜18が格子状に形成されており、開口部18aを有する場合を示している。この場合、遮光膜18の開口部18a内が、光が透過する領域となる。
The
保護層33は、遮光膜18を覆うように設けられている。対向電極31は、保護層33を覆うように設けられている。対向電極31は、複数の画素Pに跨って形成されている。対向電極31は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)などの透明導電膜からなる。第2配向膜32は、対向電極31を覆うように設けられている。
The protective layer 33 is provided so as to cover the
なお、保護層33は、遮光膜18を覆って対向電極31が形成される液晶層15側の表面を平坦化するためのものである。例えば、導電性の遮光膜18を直接覆うように対向電極31を形成する構成としてもよく、その場合は保護層33を省略してもよい。
The protective layer 33 is for flattening the surface on the
本実施形態の液晶装置100では、例えば、光源などから発せられた光は、マイクロレンズMLを備える対向基板20(第2基材20a)側から入射し、マイクロレンズMLによって集光される。第2基材20a側から面20a2の法線方向に沿ってマイクロレンズMLに入射する光のうち、画素Pの領域の平面的な中心を通過する光軸に沿って入射した入射光L1は、マイクロレンズMLをそのまま直進し、液晶層15を通過して素子基板10側に射出される。
In the
入射光L1よりも外側の平面視で遮光膜18(または遮光層3d)と重なる領域からマイクロレンズMLの周縁部に入射した入射光L2は、仮にそのまま直進した場合、破線で示すように遮光膜18(または遮光層3d)で遮光されてしまうが、第2基材20aとレンズ層42との間の光屈折率の差により、画素Pの領域の平面的な中心側へ屈折する。
When the incident light L2 incident on the peripheral edge of the microlens ML from a region overlapping the light shielding film 18 (or the
液晶装置100では、このように直進した場合に遮光膜18(または遮光層3d)で遮光されてしまう入射光L2も、マイクロレンズMLの作用により開口部18a内に入射させて液晶層15を通過させることができる。この結果、素子基板10側から射出される光の量を多くできるので、光の利用効率を高めることができる。
In the
<大型基板、及び液晶装置におけるマイクロレンズの形成範囲>
次に、マイクロレンズの形成範囲について、図8A〜図8Cを参照して説明する。図8Aは、大型基板及び液晶装置の一部におけるマイクロレンズの形成範囲を示す概略平面図(図3の一部に相当)である。図8Bは、図8Aに示す概略平面図におけるB−B’線に沿う模式断面図である。図8Cは、図8Aに示す概略平面図におけるC−C’線に沿う模式断面図である。なお、図8A〜図8Cは、説明しやすいように、素子基板、対向基板、及びマイクロレンズを主に図示して簡略化している。
<Formation range of microlenses in large substrates and liquid crystal devices>
Next, the formation range of the microlens will be described with reference to FIGS. 8A to 8C. FIG. 8A is a schematic plan view (corresponding to a part of FIG. 3) showing the formation range of the microlens in a part of the large substrate and the liquid crystal device. 8B is a schematic cross-sectional view along the line BB ′ in the schematic plan view shown in FIG. 8A. FIG. 8C is a schematic cross-sectional view taken along the line CC ′ in the schematic plan view shown in FIG. 8A. 8A to 8C are simplified by mainly illustrating the element substrate, the counter substrate, and the microlens for easy explanation.
図8A〜図8Cに示すように、大型基板500は、シール材14で囲まれた表示領域E1と、シール材14と平面視で重なる領域であるシール領域E2と、大型基板500から液晶装置100の形状に切断する切断領域E3と、シール領域E2と切断領域E3との間の領域であるシール領域外E4と、外部接続用端子部61が配置されたシール領域E2と切断領域E3との間の端子領域E5と、を有する。なお、表示領域E1には、見切り領域も含まれている。
As shown in FIGS. 8A to 8C, the
本実施形態のマイクロレンズMLは、表示領域E1からシール領域E2に亘って形成されている。表示領域E1に設けられたマイクロレンズMLを第1マイクロレンズとも呼ぶ。また、表示領域E1の周囲である周辺領域(シール領域E2、シール領域外E4、端子領域E5、切断領域E3を含む)に設けられたマイクロレンズMLを第2マイクロレンズとも呼ぶ。 The microlens ML of the present embodiment is formed from the display area E1 to the seal area E2. The microlens ML provided in the display area E1 is also referred to as a first microlens. The microlens ML provided in the peripheral area (including the seal area E2, the seal area outside E4, the terminal area E5, and the cutting area E3) around the display area E1 is also referred to as a second microlens.
このように、マイクロレンズMLを、表示領域E1だけに限らず、少なくとも表示領域E1からシール領域E2に亘って形成することにより、表示領域だけにマイクロレンズMLを形成する場合と比較して、マイクロレンズMLの形成範囲が広くなる。よって、レンズ層42の表面(パス層44側、図7参照)を平坦化した際、除去するレンズ層42の膜厚量の違いによって、レンズ層42の表面に凹凸が発生することを抑えることができる。よって、レンズ層42の表面が凹凸になることによる光の利用効率が低下することを抑えることができる。
In this way, the microlens ML is not limited to the display area E1, but is formed at least from the display area E1 to the seal area E2, so that the microlens ML is formed only in the display area. The formation range of the lens ML is widened. Therefore, when the surface of the lens layer 42 (
<大型基板(液晶装置)の製造方法>
図9は、大型基板(液晶装置)の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図10〜図15は、大型基板の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図である。以下、大型基板の製造方法を、図9〜図15を参照しながら説明する。
<Manufacturing method of large substrate (liquid crystal device)>
FIG. 9 is a flowchart showing a method of manufacturing a large substrate (liquid crystal device) in the order of steps. 10 to 15 are schematic cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing method of the large substrate. Hereinafter, a method for manufacturing a large substrate will be described with reference to FIGS.
最初に、第1大型基板510(素子基板10)側の製造方法を説明する。まず、ステップS11では、石英基板などからなる第1基材10a上にトランジスター30などを形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、トランジスター30などを形成する。
First, a manufacturing method on the first large substrate 510 (element substrate 10) side will be described. First, in step S11, the
ステップS12では、画素電極27を形成する。製造方法としては、上記と同様、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、画素電極27を形成する。
In step S12, the
ステップS13では、第1配向膜28を形成する。具体的には、画素電極27を覆うように第1配向膜28を形成する。第1配向膜28の製造方法としては、例えば、酸化シリコン(SiO2)などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、第1大型基板510側が完成する。
In step S13, the
次に、第2大型基板520(対向基板20)側の製造方法を説明する。ステップS21では、対向基板20を構成するマイクロレンズMLを形成する。具体的には、図10〜図14を参照しながら説明する。
Next, a manufacturing method on the second large substrate 520 (counter substrate 20) side will be described. In step S21, the microlens ML that constitutes the
図10に示す工程では、第2基材20a上に酸化膜51(高温酸化膜、HTO:High Temperature Oxide(例えば、700℃〜1100℃程度のアニール処理を行った酸化膜))を形成し、酸化膜51上にポリシリコン膜52を形成する。酸化膜51は、例えば、第2基材20aよりエッチングレートが早い、CVD(Chemical Vapor Deposition)法によって形成されたシリコン酸化膜が用いられる。更に、酸化膜51上に、後にマスクとして用いられるポリシリコン膜52を形成する。
In the step shown in FIG. 10, an oxide film 51 (high temperature oxide film, HTO: High Temperature Oxide (for example, an oxide film subjected to annealing at about 700 ° C. to 1100 ° C.)) is formed on the
図11に示す工程では、ポリシリコン膜52に開口孔52aを形成する。具体的には、図示しないレジストパターンをマスクとして、表示領域E1及びシール領域E2に対応する位置のポリシリコン膜52をエッチングして、複数の開口孔52aを形成する。開口孔52aの大きさは、後のエッチング工程で凹部42aを広げることから、例えば、画素Pの開口領域より小さく形成する。これにより、開口孔52aを有するマスク52bが完成する。
In the step shown in FIG. 11, an
図12に示す工程では、マスク52bの開口孔52aを介して、酸化膜51及び第2基材20aに第1のエッチング処理を施し、酸化膜51を開孔し、第2基材20aに凹部42aを形成する。エッチング処理は、ドライエッチング処理(異方性エッチング)である。酸化膜51の役割として、エッチングレートを調整することにより、第2基材20aに形成される凹部42aの横幅や深さを変えることができる。
In the step shown in FIG. 12, the
次に、マスク52bを介して、酸化膜51及び第2基材20aに第2のエッチング処理を施す。第2のエッチング処理は、ウェットエッチング(等方性エッチング)である。これにより、酸化膜51の開口孔が広がると共に、第2基材20aの凹部42aが等方的に広がる。その結果、第2基材20aにマイクロレンズMLとなる前の凹部42aが形成される。
Next, a second etching process is performed on the
ポリシリコン膜からなるマスク52bはエッチングされない条件を用いる。エッチング液は、例えば、フッ酸である。
The
図13に示す工程では、マスク52bを除去する。なお、酸化膜51は、上記エッチング処理によって、若干残っている程度である。これにより、マイクロレンズMLとなる前の凹部42aが完成する。
In the step shown in FIG. 13, the
図14に示す工程では、凹部42aを有する第2基材20a上の全体に、レンズ層42となる前のレンズ層前駆体膜42bを成膜する。レンズ層前駆体膜42bは、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)である。成膜方法としては、例えば、プラズマCVD法を用いることができる。凹部42aの上のレンズ層前駆体膜42bは、凹部42aの起伏に倣って凹凸状になっている。
In the step shown in FIG. 14, the lens
次に、ステップS22では、レンズ層42に平坦化処理を施す。具体的には、図15に示すように、レンズ層前駆体膜42bを平坦化してレンズ層42を形成する。平坦化する方法としては、CMP(Chemical Mechanical Polishing)研磨を用いることができる。
Next, in step S22, the
上記したように、マイクロレンズMLを、表示領域E1だけに限らず、少なくとも表示領域E1からシール領域E2に亘って形成することにより、マイクロレンズMLの形成範囲が広くなる。よって、レンズ層42の表面(パス層44側)を平坦化した際、除去するレンズ層の膜厚量に応じてレンズ層42の表面に凹凸が発生することを抑えることができる。
As described above, the microlens ML is formed not only in the display area E1, but at least from the display area E1 to the seal area E2, so that the formation range of the microlens ML is widened. Therefore, when the surface of the lens layer 42 (
ステップS23では、対向電極31を形成する。具体的には、平坦化したレンズ層42の上にパス層44、遮光膜18、保護層33を順に形成する。その後、保護層33上にITOなどからなる対向電極31を形成する。
In step S23, the
ステップS24では、対向電極31上に第2配向膜32を形成する。具体的には、対向電極31上に、酸化シリコン(SiO2)などの無機材料を斜方蒸着して第2配向膜32を形成する。以上により、対向基板20側が完成する。次に、素子基板10(第1大型基板510)と対向基板20(第2大型基板520)とを貼り合わせる方法を説明する。
In step S <b> 24, the
ステップS31では、素子基板10(第1大型基板510)上にシール材14を塗布する。具体的には、素子基板10と、例えば、ディスペンサー(吐出装置でも可能)との相対的な位置関係を変化させて、素子基板10における表示領域E1の周縁部に(表示領域E1を囲むように)シール材14を塗布する。シール材14としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。
In step S31, the sealing
ステップS32では、シール材14で囲まれた中に液晶を滴下する。具体的には、液晶滴下方式(ODF(One Drop Fill)方式)を用いる。滴下する方法としては、例えば、インクジェットヘッドなどを用いることができる。また、液晶は、シール材14によって囲まれた領域(表示領域E1)の中央部に滴下することが望ましい。
In step S <b> 32, the liquid crystal is dropped inside the
ステップS33では、第1大型基板510と第2大型基板520とを貼り合わせる。具体的には、素子基板10に塗布されたシール材14を介して素子基板10と対向基板20とを貼り合わせる。
In step S33, the first
ステップS34では、貼り合わせた一対の大型基板500を切断して、個々の液晶装置100を完成させる。具体的には、一対の大型基板(510,520)を貼り合せた後、シール材14を硬化させる。そして、貼り合わされている大型基板500における隣り合う液晶装置100の間に切り込みを形成する。その後、切り込みが形成された面とは反対側の面に向かって力を加えることにより大型基板500をブレイクする。これにより、大型基板500から複数の液晶装置100に分離され、液晶装置100が完成する。
In step S34, the paired
<電子機器の構成>
図16は、電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。以下、プロジェクターの構成を、図16を参照しながら説明する。
<Configuration of electronic equipment>
FIG. 16 is a schematic diagram illustrating a configuration of a projector as an electronic apparatus. Hereinafter, the configuration of the projector will be described with reference to FIG.
図16に示すように、本実施形態のプロジェクター1000は、システム光軸Lに沿って配置された照明系としての偏光照明装置1100と、光分離素子としての2つのダイクロイックミラー1104,1105と、3つの反射ミラー1106,1107,1108と、5つのリレーレンズ1201,1202,1203,1204,1205と、3つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ1210,1220,1230と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム1206と、投写レンズ1207とを備えている。
As shown in FIG. 16, the
偏光照明装置1100は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。
The polarized
ダイクロイックミラー1104は、偏光照明装置1100から射出された偏光光束のうち、赤色光(R)を反射させ、緑色光(G)と青色光(B)とを透過させる。もう1つのダイクロイックミラー1105は、ダイクロイックミラー1104を透過した緑色光(G)を反射させ、青色光(B)を透過させる。
The
ダイクロイックミラー1104で反射した赤色光(R)は、反射ミラー1106で反射した後にリレーレンズ1205を経由して液晶ライトバルブ1210に入射する。ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光(G)は、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。ダイクロイックミラー1105を透過した青色光(B)は、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。
The red light (R) reflected by the
液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、クロスダイクロイックプリズム1206の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ1210,1220,1230に入射した色光は、映像情報(映像信号)に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム1206に向けて射出される。
The liquid
このプリズムは、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写レンズ1207によってスクリーン1300上に投写され、画像が拡大されて表示される。
In this prism, four right-angle prisms are bonded together, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof. The three color lights are synthesized by these dielectric multilayer films, and the light representing the color image is synthesized. The synthesized light is projected onto the
液晶ライトバルブ1210は、後述する液晶装置100が適用されたものである。液晶装置100は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ1220,1230も同様である。
The liquid
以上のような構成の電子機器は、上述した実施形態の液晶装置100を用いるため、信頼性が高く優れた表示特性を有するプロジェクター1000を提供することができる。
Since the electronic apparatus having the above-described configuration uses the
なお、上記液晶装置100が搭載される電子機器としては、プロジェクター1000の他、例えば、ヘッドマウントディスプレイ(HMD)、ヘッドアップディスプレイ(HUD)、スマートフォン、EVF(Electrical View Finder)、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、照明機器など各種電子機器に用いることができる。
In addition to the
以上詳述したように、第1実施形態の大型基板500、液晶装置100、大型基板500の製造方法、液晶装置100の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
As described above in detail, according to the
(1)第1実施形態の大型基板500、液晶装置100、大型基板500の製造方法、及び液晶装置100の製造方法によれば、表示領域E1のマイクロレンズMLに加えて、シール領域E2にもマイクロレンズMLを設けるので、マイクロレンズML上のレンズ層42を平坦にするべく平坦化処理を行った際、表示領域E1のみにマイクロレンズMLを設けた場合と比較して、基板の全体に亘って同じ程度の膜厚量を除去することができる。よって、エッチングレートを略同じにすることが可能となり、大型基板500(第2大型基板520)の全体に亘って平坦化することができる。その結果、第1大型基板510と第2大型基板520との間のセルギャップを均一にすることができ、表示領域E1のマイクロレンズMLに通る光を画素に均一に集光させることができる。その結果、表示ムラが発生することを抑えることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
(1) According to the
(2)第1実施形態の大型基板500の製造方法及び液晶装置100の製造方法によれば、表示領域E1にマイクロレンズMLを形成する工程と同じ工程で、表示領域E1の周囲のマイクロレンズMLも形成することができるので、製造工程を増やすことなくマイクロレンズMLを形成することができる。
(2) According to the manufacturing method of the
(3)第1実施形態の電子機器によれば、上記の液晶装置100を備えているので、表示ムラなどが抑えられた表示品質の高い電子機器を提供することができる。
(3) According to the electronic apparatus of the first embodiment, since the
(第2実施形態)
<大型基板、及び液晶装置におけるマイクロレンズの形成範囲>
次に、第2実施形態の大型基板、及び液晶装置におけるマイクロレンズの形成範囲について、図17A〜図17Cを参照しながら説明する。図17Aは、大型基板及び液晶装置の一部におけるマイクロレンズの形成範囲を示す概略平面図(図3の一部に相当)である。図17Bは、図17Aに示す概略平面図におけるB−B’線に沿う模式断面図である。図17Cは、図17Aに示す概略平面図におけるC−C’線に沿う模式断面図である。なお、図17A〜図17Cは、説明しやすいように、素子基板、対向基板、及びマイクロレンズを主に図示して簡略化している。
(Second Embodiment)
<Formation range of microlenses in large substrates and liquid crystal devices>
Next, the formation range of the microlens in the large-sized substrate of the second embodiment and the liquid crystal device will be described with reference to FIGS. 17A to 17C. FIG. 17A is a schematic plan view (corresponding to a part of FIG. 3) showing a formation range of a microlens in a part of a large substrate and a liquid crystal device. FIG. 17B is a schematic cross-sectional view along the line BB ′ in the schematic plan view shown in FIG. 17A. FIG. 17C is a schematic cross-sectional view taken along the line CC ′ in the schematic plan view shown in FIG. 17A. 17A to 17C are simplified by mainly illustrating the element substrate, the counter substrate, and the microlens for easy explanation.
第2実施形態の大型基板500は、上述の第1実施形態の大型基板500と比べて、表示領域E1からシール領域外E4に亘ってマイクロレンズMLが設けられている部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第2実施形態では、第1実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
The
図17A〜図17Cに示すように、第2実施形態の大型基板500において、第1大型基板510(素子基板10)側の構成は第1実施形態と同様である。一方、第2大型基板520(対向基板20)側の構成は、マイクロレンズMLの形成範囲が異なっている。具体的には、表示領域E1からシール領域外E4に亘ってマイクロレンズMLが形成されている。
As shown in FIGS. 17A to 17C, in the
第1実施形態と同様に、大型基板500は、シール材14で囲まれた表示領域E1と、シール材14と平面視で重なる領域であるシール領域E2と、大型基板500から液晶装置100の形状に切断する切断領域E3と、シール領域E2と切断領域E3との間の領域であるシール領域外E4と、外部接続用端子部61が配置されたシール領域E2と切断領域E3との間の端子領域E5と、を有する。なお、表示領域E1には、見切り領域も含まれている。
Similar to the first embodiment, the
第2実施形態のマイクロレンズMLは、表示領域E1からシール領域E2、シール領域外E4に亘って形成されている。このように、マイクロレンズMLを、表示領域E1だけに限らず、少なくとも表示領域E1からシール領域外E4に亘って形成することにより、表示領域E1だけにマイクロレンズMLを形成する場合と比較して、マイクロレンズMLの形成範囲が広くなる。よって、レンズ層42の表面(パス層44側、図7参照)を平坦化した際、除去するレンズ層42の膜厚量の違いによって、レンズ層42の表面に凹凸が発生することを抑えることができる。よって、レンズ層42の表面が凹凸になることによる光の利用効率が低下することを抑えることができる。
The microlens ML of the second embodiment is formed from the display area E1 to the seal area E2 and outside the seal area E4. In this way, the microlens ML is not limited to the display area E1, but is formed at least from the display area E1 to the outside of the seal area E4, so that the microlens ML is formed only in the display area E1. The formation range of the micro lens ML is widened. Therefore, when the surface of the lens layer 42 (
なお、第2実施形態の大型基板500(液晶装置100)の製造方法は、第1実施形態の大型基板500(液晶装置100)の製造方法と比較して、マイクロレンズMLを形成する範囲が異なるものであり、略同様の製造方法で形成することができる。 In addition, the manufacturing method of the large substrate 500 (liquid crystal device 100) of the second embodiment is different from the manufacturing method of the large substrate 500 (liquid crystal device 100) of the first embodiment in the range in which the microlenses ML are formed. It can be formed by substantially the same manufacturing method.
以上詳述したように、第2実施形態の大型基板500、液晶装置100、大型基板500の製造方法、及び液晶装置100の製造方法によれば、上記実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
As described above in detail, according to the
(4)第2実施形態の大型基板500、液晶装置100、大型基板500の製造方法、及び液晶装置100の製造方法によれば、マイクロレンズMLを、表示領域E1だけに限らず、少なくとも表示領域E1からシール領域外E4に亘って形成することにより、表示領域E1だけにマイクロレンズMLを形成する場合と比較して、マイクロレンズMLの形成範囲が広くなる。よって、レンズ層42の表面(パス層44側、図7参照)を平坦化した際、除去するレンズ層42の膜厚量の違いによって、レンズ層42の表面に凹凸が発生することを抑えることができる。よって、レンズ層42の表面が凹凸になることによる光の利用効率が低下することを抑えることができる。
(4) According to the
(第3実施形態)
<大型基板、及び液晶装置におけるマイクロレンズの形成範囲>
次に、第3実施形態の大型基板、及び液晶装置におけるマイクロレンズの形成範囲について、図18A〜図18Cを参照しながら説明する。図18Aは、大型基板及び液晶装置の一部におけるマイクロレンズの形成範囲を示す概略平面図(図3の一部に相当)である。図18Bは、図18Aに示す概略平面図におけるB−B’線に沿う模式断面図である。図18Cは、図18Aに示す概略平面図におけるC−C’線に沿う模式断面図である。なお、図18A〜図18Cは、説明しやすいように、素子基板、対向基板、及びマイクロレンズを主に図示して簡略化している。
(Third embodiment)
<Formation range of microlenses in large substrates and liquid crystal devices>
Next, the formation range of the microlens in the large substrate and the liquid crystal device of the third embodiment will be described with reference to FIGS. 18A to 18C. FIG. 18A is a schematic plan view (corresponding to a part of FIG. 3) showing a formation range of a microlens in a part of a large substrate and a liquid crystal device. 18B is a schematic cross-sectional view along the line BB ′ in the schematic plan view shown in FIG. 18A. 18C is a schematic cross-sectional view taken along the line CC ′ in the schematic plan view shown in FIG. 18A. 18A to 18C are simplified by mainly illustrating an element substrate, a counter substrate, and a microlens for easy explanation.
第3実施形態の大型基板500は、上述の第1実施形態の大型基板500と比べて、表示領域E1から切断領域E3、つまり基板の全面に亘ってマイクロレンズMLが設けられている部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第3実施形態では、第1実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
The
図18A〜図18Cに示すように、第3実施形態の大型基板500において、第1大型基板510(素子基板10)側の構成は第1実施形態と同様である。一方、第2大型基板520(対向基板20)側の構成は、マイクロレンズMLの形成範囲が異なっている。具体的には、表示領域E1から切断領域E3に亘ってマイクロレンズMLが形成されている。
As shown in FIGS. 18A to 18C, in the
第1実施形態と同様に、大型基板500は、シール材14で囲まれた表示領域E1と、シール材14と平面視で重なる領域であるシール領域E2と、大型基板500から液晶装置100の形状に切断する切断領域E3と、シール領域E2と切断領域E3との間の領域であるシール領域外E4と、外部接続用端子部61が配置されたシール領域E2と切断領域E3との間の端子領域E5と、を有する。なお、表示領域E1には、見切り領域も含まれている。
Similar to the first embodiment, the
第3実施形態のマイクロレンズMLは、表示領域E1から切断領域E3、つまり基板の全面に亘って形成されている。このように、マイクロレンズMLを、表示領域E1だけに限らず、大型基板500の全面に亘って形成することにより、表示領域E1だけにマイクロレンズMLを形成する場合と比較して、マイクロレンズMLの形成範囲が広くなる。よって、レンズ層42の表面(パス層44側、図7参照)を平坦化した際、除去するレンズ層42の膜厚量の違いによって、レンズ層42の表面に凹凸が発生することを抑えることができる。よって、レンズ層42の表面が凹凸になることによる光の利用効率が低下することを抑えることができる。
The microlens ML of the third embodiment is formed from the display area E1 to the cutting area E3, that is, the entire surface of the substrate. As described above, the microlens ML is formed not only in the display area E1 but over the entire surface of the
なお、第3実施形態の大型基板500(液晶装置100)の製造方法は、第1実施形態の大型基板500(液晶装置100)の製造方法と比較して、マイクロレンズMLを形成する範囲が異なるものであり、略同様の製造方法で形成することができる。 Note that the method of manufacturing the large substrate 500 (liquid crystal device 100) of the third embodiment differs from the method of manufacturing the large substrate 500 (liquid crystal device 100) of the first embodiment in the range in which the microlenses ML are formed. It can be formed by substantially the same manufacturing method.
以上詳述したように、第3実施形態の大型基板500、液晶装置、大型基板の製造方法、及び液晶装置の製造方法によれば、上記実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
As described above in detail, according to the
(5)第3実施形態の大型基板500、液晶装置100、大型基板500の製造方法、及び液晶装置100の製造方法によれば、マイクロレンズMLを、表示領域E1だけに限らず、大型基板500の全面に亘って形成することにより、表示領域E1だけにマイクロレンズMLを形成する場合と比較して、マイクロレンズMLの形成範囲が広くなる。よって、レンズ層42の表面(パス層44側、図7参照)を平坦化した際、除去するレンズ層42の膜厚量の違いによって、レンズ層42の表面に凹凸が発生することを抑えることができる。よって、レンズ層42の表面が凹凸になることによる光の利用効率が低下することを抑えることができる。
(5) According to the
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。 The aspect of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification. It is included in the range. Moreover, it can also implement with the following forms.
(変形例1)
上記した第1実施形態のように、表示領域E1及びシール領域E2にマイクロレンズMLを設けることに限定されず、表示領域E1及びシール領域E2の一部にマイクロレンズMLを設けるようにしてもよい。また、シール領域外E4にマイクロレンズMLを形成するようにしてもよい。少なくとも、表示領域E1だけにマイクロレンズMLを形成することに代えて、それ以上の範囲にマイクロレンズMLが設けられる構成にすることが好ましい。
(Modification 1)
As in the first embodiment described above, the microlens ML is not limited to being provided in the display area E1 and the seal area E2, and the microlens ML may be provided in part of the display area E1 and the seal area E2. . Further, the micro lens ML may be formed outside the seal region E4. Instead of forming the microlens ML only at least in the display area E1, it is preferable that the microlens ML is provided in a range beyond that.
これによれば、表示領域E1のみにマイクロレンズMLを備えている場合と比較して、基板上を平坦化しやすくすることができる。よって、第1大型基板510と第2大型基板520との間のセルギャップを均一にすることが可能となり、マイクロレンズMLに通る光を画素Pに均一に集光させることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。
According to this, compared with the case where the microlens ML is provided only in the display area E1, the surface of the substrate can be easily flattened. Therefore, the cell gap between the first
(変形例2)
上記した第2実施形態のように、表示領域E1からシール領域外E4に亘ってマイクロレンズMLを設けることに限定されず、例えば、図19A〜図19C(特に、図19C)に示すように、表示領域E1から端子領域E5に亘ってマイクロレンズMLを設けるようにしてもよい。言い換えれば、切断領域E3以外にマイクロレンズMLを設けるようにしてもよい。これによれば、第2実施形態の大型基板500(液晶装置100)と比べて、マイクロレンズMLが設けられる領域が広くなるので、基板上を平坦化しやすくすることができる。
(Modification 2)
As in the second embodiment described above, the present invention is not limited to providing the microlens ML from the display area E1 to the outside of the seal area E4. For example, as shown in FIGS. 19A to 19C (particularly, FIG. 19C), The microlens ML may be provided from the display area E1 to the terminal area E5. In other words, the microlens ML may be provided in addition to the cutting area E3. According to this, compared with the large substrate 500 (the liquid crystal device 100) of the second embodiment, the area where the microlenses ML are provided is widened, so that the substrate can be easily flattened.
なお、図19Aは、変形例の大型基板及び液晶装置の一部におけるマイクロレンズの形成範囲を示す概略平面図である。図19Bは、図19Aに示す概略平面図におけるB−B’線に沿う模式断面図である。図19Cは、図19Aに示す概略平面図におけるC−C’線に沿う模式断面図である。 FIG. 19A is a schematic plan view illustrating a microlens formation range in a part of a large substrate and a liquid crystal device according to a modification. FIG. 19B is a schematic cross-sectional view along the line B-B ′ in the schematic plan view shown in FIG. 19A. FIG. 19C is a schematic cross-sectional view taken along line C-C ′ in the schematic plan view shown in FIG. 19A.
(変形例3)
上記した液晶装置100(図7参照)における素子基板10の露出面側、及び対向基板20の露出面側に、防塵ガラスを配置するようにしてもよい。
(Modification 3)
Dust-proof glass may be disposed on the exposed surface side of the
3c,3d…遮光層、E1…表示領域、E2…シール領域、E3…切断領域、E4…シール領域外、E5…端子領域、10…第1基板としての素子基板、10a…第1基材、11a,11b,11c…絶縁層、14…シール材、15…液晶層、18…遮光膜、18a…開口部、20…第2基板としての対向基板、20a…第2基材、22…データ線駆動回路、24…走査線駆動回路、25…検査回路、26…上下導通部、27…画素電極、28…第1配向膜、29…配線、30…トランジスター、31…対向電極、32…第2配向膜、33…保護層、40…マイクロレンズアレイ基板、42…レンズ層、42a…凹部、42b…レンズ層前駆体膜、44…パス層、51…酸化膜、52…ポリシリコン膜、52a…開口孔、52b…マスク、61…外部接続用端子部、100…液晶装置、500…大型基板、510…第1大型基板、520…第2大型基板、1000…プロジェクター、1100…偏光照明装置、1101…ランプユニット、1102…インテグレーターレンズ、1103…偏光変換素子、1104,1105…ダイクロイックミラー、1106,1107,1108…反射ミラー、1201,1202,1203,1204,1205…リレーレンズ、1206…クロスダイクロイックプリズム、1207…投写レンズ、1210,1220,1230…液晶ライトバルブ、1300…スクリーン。
3c, 3d ... light shielding layer, E1 ... display area, E2 ... seal area, E3 ... cutting area, E4 ... outside seal area, E5 ... terminal area, 10 ... element substrate as first substrate, 10a ... first base material, 11a, 11b, 11c ... insulating layer, 14 ... sealing material, 15 ... liquid crystal layer, 18 ... light-shielding film, 18a ... opening, 20 ... counter substrate as second substrate, 20a ... second substrate, 22 ... data
Claims (9)
前記第1大型基板と対向するように配置された、複数の第2基板を備える第2大型基板と、
前記第1基板と前記第2基板とを貼り合せるシール材と、
を備え、
前記第1大型基板及び前記第2大型基板のうち少なくとも一方の基板の表示領域に設けられた第1マイクロレンズと、
前記一方の基板の前記表示領域の周囲である周辺領域の少なくとも一部に設けられた第2マイクロレンズと、
を備えることを特徴とする大型基板。 A first large substrate comprising a plurality of first substrates;
A second large substrate comprising a plurality of second substrates, disposed to face the first large substrate;
A sealing material for bonding the first substrate and the second substrate;
With
A first microlens provided in a display area of at least one of the first large substrate and the second large substrate;
A second microlens provided in at least a part of a peripheral region that is a periphery of the display region of the one substrate;
A large-sized substrate comprising:
前記シール材は、前記周辺領域に配置されており、
前記第2マイクロレンズは、前記シール材の少なくとも一部と重なる領域に配置されていることを特徴とする大型基板。 The large substrate according to claim 1,
The sealing material is disposed in the peripheral region;
The large-sized substrate, wherein the second microlens is disposed in a region overlapping with at least a part of the sealing material.
前記第2マイクロレンズは、少なくとも前記シール材と重なる領域に設けられていることを特徴とする大型基板。 The large substrate according to claim 1 or 2,
The second microlens is provided at least in a region overlapping with the sealing material.
前記第1基板と対向するように配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板とを貼り合せるシール材と、
前記シール材で囲まれた中に配置された液晶層と、
を備え、
前記第1基板及び前記第2基板のうち少なくとも一方の基板の表示領域に設けられた第1マイクロレンズと、
前記一方の基板の前記表示領域の周囲である周辺領域の少なくとも一部に設けられた第2マイクロレンズと、
を備えることを特徴とする液晶装置。 A first substrate;
A second substrate disposed to face the first substrate;
A sealing material for bonding the first substrate and the second substrate;
A liquid crystal layer disposed inside the sealing material;
With
A first microlens provided in a display area of at least one of the first substrate and the second substrate;
A second microlens provided in at least a part of a peripheral region that is a periphery of the display region of the one substrate;
A liquid crystal device comprising:
前記シール材は、前記周辺領域に配置されており、
前記第2マイクロレンズは、前記シール材の少なくとも一部と重なる領域に配置されていることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal device according to claim 4,
The sealing material is disposed in the peripheral region;
The liquid crystal device, wherein the second microlens is disposed in a region overlapping with at least a part of the sealing material.
前記第2マイクロレンズは、少なくとも前記シール材と重なる領域に設けられていることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal device according to claim 4 or 5, wherein
The liquid crystal device, wherein the second microlens is provided at least in a region overlapping with the sealing material.
前記第1マイクロレンズ及び前記第2マイクロレンズに亘って絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に平坦化処理を施す工程と、
前記第1大型基板にシール材を塗布して、前記第1大型基板と前記第2大型基板とを貼り合わせる工程と、
を有することを特徴とする大型基板の製造方法。 A first microlens is formed in a display region of one of the first large substrate including a plurality of first substrates and the second large substrate including a plurality of second substrates, and around the display region. Forming a second microlens in at least a part of a certain peripheral region;
Forming an insulating film over the first microlens and the second microlens;
A step of planarizing the insulating film;
Applying a sealing material to the first large substrate and bonding the first large substrate and the second large substrate;
A method for producing a large substrate, comprising:
前記第1マイクロレンズ及び前記第2マイクロレンズに亘って絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に平坦化処理を施す工程と、
前記第1基板にシール材を塗布する工程と、
前記シール材で囲まれた中に液晶を塗布する工程と、
前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。 Forming a first microlens in a display area of one of the first substrate and the second substrate, and forming a second microlens in at least a part of a peripheral area around the display area;
Forming an insulating film over the first microlens and the second microlens;
A step of planarizing the insulating film;
Applying a sealing material to the first substrate;
Applying liquid crystal inside the sealing material;
Bonding the first substrate and the second substrate;
A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising:
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CN109541863A (en) * | 2019-01-04 | 2019-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of display panel and its driving method, display module |
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