JP2017212522A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
実施の形態2では、実施の形態1の過電圧保護回路12の変形例となる過電圧保護回路12aを有する半導体装置2について説明する。そこで、図10に実施の形態2にかかる半導体装置2のブロック図を示す。なお、実施の形態2の説明では、実施の形態1で説明した構成要素については、実施の形態1と同じ符号を付して説明を省略する。
実施の形態3では、実施の形態2の過電圧保護回路12aの変形例となる過電圧保護回路12bを有する半導体装置3について説明する。そこで、図11に実施の形態3にかかる半導体装置3のブロック図を示す。なお、実施の形態3の説明では、実施の形態1、2で説明した構成要素については、実施の形態1と同じ符号を付して説明を省略する。
Icomp=2VDD−2Vth/2Rref=VDD−Vth/Rref・・・(7)
Iref=VDD−Vth/Rref・・・(8)
なお、(7)、(8)式において、Vthは、NMOSトランジスタの閾値電圧である。
実施の形態4では、ハイサイドスイッチに対して過電圧保護回路12に相当する過電圧保護回路32を適用した例について説明する。そこで、実施の形態4にかかる半導体装置4のブロック図を図12に示す。
図12に示すように、実施の形態4にかかる半導体装置4は、負荷回路RLに電源電圧VDDを供給するか否かを切り替えるハイサイドスイッチである。また、実施の形態4にかかる半導体装置4が制御対象とする負荷回路RLは、誘導性負荷を含み、電源電圧を供給した状態から電源電圧の供給を遮断した状態に切り替えたときに逆起電力を生じ、当該逆起電力に起因して出力電圧Voutが接地電圧以下に低下する。
実施の形態5では、実施の形態2にかかる過電圧保護回路12aの変形例となる過電圧保護回路12cを有する半導体装置5について説明する。そこで、実施の形態5にかかる半導体装置5のブロック図を図14に示す。なお、実施の形態5の説明では、実施の形態1、2で説明した構成要素については、実施の形態1、2と同じ符号を付して説明を省略する。
実施の形態6では、実施の形態1にかかる半導体装置1の出力トランジスタ13を個別の半導体チップとして設けた半導体隊装置6について説明する。そこで、図17に実施の形態6にかかる半導体装置6のブロック図を示す。なお、なお、実施の形態6の説明では、実施の形態1で説明した構成要素については、実施の形態1と同じ符号を付して説明を省略する。
実施の形態7は、実施の形態4にかかる半導体装置4の出力トランジスタ33を個別の半導体チップとして設けた半導体隊装置7について説明する。そこで、図18に実施の形態7にかかる半導体装置7のブロック図を示す。なお、実施の形態7の説明では、実施の形態4で説明した構成要素については、実施の形態4と同じ符号を付して説明を省略する。
実施の形態8では、実施の形態1にかかる半導体装置1の利用形態の第1の例を説明する。そこで、図19に実施の形態8にかかる半導体装置8のブロック図を示す。なお、実施の形態8の説明では、実施の形態1で説明した構成要素については、実施の形態1と同じ符号を付して説明を省略する。
実施の形態9では、実施の形態1にかかる半導体装置1の利用形態の第2の例を説明する。そこで、図20に実施の形態9にかかる半導体装置9の適用例である車両のブロック図を示す。図20に示すように、車両には多気筒(例えば、4気筒)のエンジンが搭載される。この4気筒エンジンでは、シリンダ毎にソレノイドインジェクタ84(例えば、ソレノイドインジェクタ84a〜84d)が設けられる。また、車両では、ソレノイドインジェクタ84を1つの電子制御ユニット(以下、ECUと称す)を用いて制御する。このECUは、車両に搭載されたバッテリから電源の供給を受ける。
10、30 駆動回路
11、31 放電回路
12、32 過電圧保護回路
13、33 出力トランジスタ
14、34 過電流検出保護回路
15、35 過温度検出保護回路
21、22 PMOSトランジスタ
23、24、26〜28 NMOSトランジスタ
25、48 過電圧保護トランジスタ
41〜44、47 PMOSトランジスタ
45、46 NMOSトランジスタ
48 過電圧保護トランジスタ
50 シリアルパラレルインタフェース回路
50a レジスタ
52、74、83 MCU
61、65、71、81 バッテリ
62、66 制御チップ
63、67 パワーMOSチップ
72、82 ECU
73、84 ソレノイドインジェクタ
75 レギュレータ
Rref 基準電流設定抵抗
Rdet 比較電流設定抵抗
Rs 電流制限抵抗
RL 負荷回路
TM1 入力端子
TM2 出力端子
TM3 電源端子
TM4 接地端子
TM5 ゲート出力端子
TM6 ソース側接続端子
TM7 ドレイン側接続端子
TM11 ゲート入力端子
TM12 ドレイン端子
TM13 ソース端子
TM21 電源端子
TM22 電源端子
TM23 接地端子
TM24 出力端子
D1 逆流防止ダイオード
D2 ダイオード
Claims (15)
- 第1の電源が与えられる第1の電源端子と、
第2の電源が与えられる第2の電源端子と、
前記第1の電源端子に一旦が接続される負荷回路の他端が接続される出力電圧検出端子と、
前記負荷回路の他端と前記第2の電源端子との間に接続される出力トランジスタのゲートに接続されるゲート配線と、
前記出力トランジスタを制御する駆動回路と、
前記第2の電源端子と前記出力電圧検出端子との間の電圧差に基づき前記出力トランジスタを制御する過電圧保護回路と、を有し、
前記過電圧保護回路は、
前記第1の電源と前記第2の電源との電圧差に比例した大きさの基準電流を生成する第1の電流源と、
前記第2の電源端子と前記出力電圧検出端子との間の電圧差に基づき比較電流を生成する第2の電流源と、
前記ゲート配線に前記基準電流と前記比較電流との電流差に応じた大きさの過電圧保護電流を与える過電圧保護トランジスタと、
を有する半導体装置。 - 前記基準電流は、前記出力電圧検出端子と前記第2の電源端子との電圧差が前記第1の電源の電圧と同じ電圧である状態で前記比較電流の略2倍となるように設定される請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の電流源は、
一端が前記第2の電源端子に接続される基準電流設定抵抗と、
ドレインが前記基準電流設定抵抗の他端に接続され、ソースが前記第1の電源端子に接続され、ゲートとドレインが接続される第1のトランジスタと、
ソースが前記第1の電源端子に接続され、ドレインが前記過電圧保護トランジスタのゲートに接続され、ゲートが前記第1のトランジスタのゲートと共通接続される第2のトランジスタと、を有し、
前記第2の電流源は、
一端が前記出力電圧検出端子に接続される比較電流設定抵抗と、
ドレインが前記比較電流設定抵抗の他端に接続され、ソースが前記第2の電源端子に接続され、ゲートとドレインが接続される第3のトランジスタと、
ソースが前記第2の電源端子に接続され、ドレインが前記過電圧保護トランジスタのゲートに接続され、ゲートが前記第3のトランジスタのゲートと共通接続される第4のトランジスタと、を有し、
前記過電圧保護トランジスタは、ドレインが前記ゲート配線に接続され、ソースが前記第1の電源端子に接続される請求項1に記載の半導体装置。 - 前記比較電流設定抵抗の他端にアノードが接続され、前記第3のトランジスタのドレインにカソードが接続されるダイオードを有する請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1の電流源は、
一端が前記第1の電源端子に接続される基準電流設定抵抗と、
ドレインが前記基準電流設定抵抗の他端に接続され、ソースが前記第2の電源端子に接続され、ゲートとドレインが接続される第1のトランジスタと、
ソースが前記第2の電源端子に接続され、ゲートが前記第1のトランジスタのゲートと共通接続される第2のトランジスタと、
ドレインが前記第2のトランジスタのドレインに接続され、ソースが前記第1の電源端子に接続され、ゲートとドレインが接続される第3のトランジスタと、
ソースが前記第1の電源端子に接続され、ドレインが前記過電圧保護トランジスタのゲートに接続され、ゲートが前記第3のトランジスタのゲートと共通接続される第4のトランジスタと、を有し、
前記第2の電流源は、
一端が前記出力電圧検出端子に接続される比較電流設定抵抗と、
ドレインが前記比較電流設定抵抗の他端に接続され、ソースが前記第2の電源端子に接続され、ゲートとドレインが接続される第5のトランジスタと、
ソースが前記第2の電源端子に接続され、ドレインが前記過電圧保護トランジスタのゲートに接続され、ゲートが前記第5のトランジスタのゲートと共通接続される第6のトランジスタと、を有し、
前記過電圧保護トランジスタは、ドレインが前記ゲート配線に接続され、ソースが前記第1の電源端子に接続される請求項1に記載の半導体装置。 - 前記比較電流設定抵抗の他端にアノードが接続され、前記第5のトランジスタのドレインにカソードが接続されるダイオードを有する請求項5に記載の半導体装置。
- 前記第1の電流源は、
一端が前記第1の電源端子に接続される基準電流設定抵抗と、
ドレインが前記基準電流設定抵抗の他端に接続され、ソースが前記第2の電源端子に接続され、ゲートとドレインが接続される第1のトランジスタと、
ソースが前記第2の電源端子に接続され、ゲートが前記第1のトランジスタのゲートと共通接続され、ドレインが前記過電圧保護トランジスタのゲートに接続される第2のトランジスタと、を有し、
前記第2の電流源は、
一端が前記出力電圧検出端子に接続される比較電流設定抵抗と、
ドレインが前記比較電流設定抵抗の他端に接続され、ソースが前記第2の電源端子に接続され、ゲートとドレインが接続される第3のトランジスタと、
ソースが前記第2の電源端子に接続され、ゲートが前記第3のトランジスタのゲートと共通接続される第4のトランジスタと、
ソースが前記第1の電源端子に接続され、ドレインが前記第4のトランジスタのドレインと接続され、ゲートとドレインが接続される第5のトランジスタと、
ソースが前記第1の電源端子に接続され、ゲートが前記第5のトランジスタのゲートと共通接続され、ドレインが前記過電圧保護トランジスタのゲートに接続される第6のトランジスタと、を有し、
前記過電圧保護トランジスタは、ドレインが前記ゲート配線に接続され、ソースが前記第1の電源端子に接続される請求項1に記載の半導体装置。 - 前記比較電流設定抵抗の他端にアノードが接続され、前記第3のトランジスタのドレインにカソードが接続されるダイオードを有する請求項7に記載の半導体装置。
- 前記過電圧保護トランジスタのドレインと前記ゲート配線の間に接続される逆流防止ダイオードを有する請求項7に記載の半導体装置。
- 外部から与えられる電流調整値を保持するレジスタを有し、
前記第1の電流源は、前記電流調整値に基づき前記基準電流の大きさを微調整する請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ゲート配線と出力トランジスタのソースとの間に接続されるゲート放電トランジスタを有する請求項1に記載の半導体装置。
- 前記出力トランジスタは、前記過電圧保護回路と同じ半導体基板に形成される請求項1に記載の半導体装置。
- 前記負荷回路は、誘導性負荷を含む請求項1に記載の半導体装置。
- 第1の電源が与えられる第1の電源端子と、
第2の電源が与えられる第2の電源端子と、
前記第1の電源端子に一旦が接続される負荷回路の他端が接続される出力電圧検出端子と、
前記負荷回路の他端と前記第2の電源端子との間に接続される出力トランジスタのゲートに接続されるゲート配線と、
前記出力トランジスタを制御する駆動回路と、
前記出力トランジスタが遮断状態に制御されている状態で、前記第2の電源端子と前記出力電圧検出端子との間の電圧差が、前記第1の電源と前記第2の電源の電圧差に比例するように設定されるクランプ電圧に達したことに応じて前記出力トランジスタを導通した状態に制御する過電圧保護回路と、
を有する半導体装置。 - 前記クランプ電圧は、前記第2の電源端子と前記出力電圧検出端子との電圧差が前記第1の電源と前記第2の電源の電圧差の略2倍にとなったときの電圧が設定される請求項14に記載の半導体装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020025444A (ja) * | 2018-07-12 | 2020-02-13 | パワー インテグレーションズ スイッツランド ゲーエムベーハーPower Integrations Switzerland GmbH | スイッチング電力コンバーターにおいて半導体スイッチを保護すること |
JP2020108142A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | ローム株式会社 | スイッチ装置 |
JP2021097387A (ja) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 駆動装置 |
DE102022124776A1 (de) | 2021-09-27 | 2023-03-30 | Renesas Electronics Corporation | Halbleitervorrichtung |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9608616B1 (en) * | 2016-05-27 | 2017-03-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Power clamp circuits and methods |
JP6749184B2 (ja) * | 2016-09-01 | 2020-09-02 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置 |
US11184000B2 (en) * | 2018-01-10 | 2021-11-23 | Texas Instruments Incorporated | Adaptive voltage clamps and related methods |
US10819074B2 (en) * | 2018-05-08 | 2020-10-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Overvoltage protection circuit for USB connector |
US10848142B2 (en) * | 2018-05-10 | 2020-11-24 | Texas Instruments Incorporated | Constant resistance input pass switch with overvoltage protection |
JP6722717B2 (ja) * | 2018-05-31 | 2020-07-15 | 矢崎総業株式会社 | 車両用電力供給システム |
KR102441339B1 (ko) * | 2018-06-21 | 2022-09-08 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치 및 그 제어 방법 |
TWI723470B (zh) | 2018-07-31 | 2021-04-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 驅動電路、積體電路、及操作驅動電路的方法 |
US11201613B2 (en) * | 2018-07-31 | 2021-12-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Driver circuit and method of operating the same |
US11128288B2 (en) * | 2018-12-26 | 2021-09-21 | Rohm Co., Ltd. | Switching device |
US11495960B2 (en) * | 2019-03-07 | 2022-11-08 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11502674B2 (en) | 2020-07-20 | 2022-11-15 | Texas Instruments Incorporated | Optimized low Ron flatness gate driver |
CN113760032B (zh) * | 2021-09-18 | 2022-11-08 | 普冉半导体(上海)股份有限公司 | 一种低功耗钳位电路 |
CN114069562A (zh) * | 2021-11-18 | 2022-02-18 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种有源钳位保护电路 |
CN117134757B (zh) * | 2023-10-25 | 2024-01-19 | 晶艺半导体有限公司 | 半导体合封器件及其过温保护电路和方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006148323A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路 |
JP2009225087A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Denso Corp | 過電流保護回路 |
JP2010093434A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Yazaki Corp | 負荷回路の保護装置 |
JP2010183518A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Yazaki Corp | 負荷回路の駆動装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000200902A (ja) | 1999-01-05 | 2000-07-18 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体集積回路及びその製造方法 |
US6807040B2 (en) * | 2001-04-19 | 2004-10-19 | Texas Instruments Incorporated | Over-current protection circuit and method |
US7907379B2 (en) * | 2008-09-30 | 2011-03-15 | Infineon Technologies Ag | Overload protection for a circuit arrangement having a transistor |
TW201240257A (en) * | 2011-03-17 | 2012-10-01 | Green Solution Tech Co Ltd | Transistor circuit with protecting function |
JP6253418B2 (ja) * | 2014-01-17 | 2017-12-27 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | ボルテージレギュレータおよび半導体装置 |
JP6316647B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2018-04-25 | エイブリック株式会社 | 過電流保護回路、半導体装置、及びボルテージレギュレータ |
JP2016001822A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-07 | 富士電機株式会社 | 負荷駆動回路 |
-
2016
- 2016-05-24 JP JP2016103174A patent/JP6649845B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-25 US US15/496,275 patent/US10547170B2/en active Active
- 2017-05-22 CN CN201710362880.0A patent/CN107425833A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006148323A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路 |
JP2009225087A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Denso Corp | 過電流保護回路 |
JP2010093434A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Yazaki Corp | 負荷回路の保護装置 |
JP2010183518A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Yazaki Corp | 負荷回路の駆動装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020025444A (ja) * | 2018-07-12 | 2020-02-13 | パワー インテグレーションズ スイッツランド ゲーエムベーハーPower Integrations Switzerland GmbH | スイッチング電力コンバーターにおいて半導体スイッチを保護すること |
JP7417791B2 (ja) | 2018-07-12 | 2024-01-19 | パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド | スイッチング電力コンバーターにおいて半導体スイッチを保護すること |
US11973494B2 (en) | 2018-07-12 | 2024-04-30 | Power Integrations, Inc. | Protecting semiconductor switches in switched mode power converters |
JP2020108142A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | ローム株式会社 | スイッチ装置 |
JP7398940B2 (ja) | 2018-12-26 | 2023-12-15 | ローム株式会社 | スイッチ装置 |
JP2021097387A (ja) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 駆動装置 |
WO2021124893A1 (ja) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 駆動装置 |
JP7310591B2 (ja) | 2019-12-19 | 2023-07-19 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 駆動装置 |
DE102022124776A1 (de) | 2021-09-27 | 2023-03-30 | Renesas Electronics Corporation | Halbleitervorrichtung |
US11799468B2 (en) | 2021-09-27 | 2023-10-24 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and control system |
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