JP2017201569A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、コンパレータと、を有し、
   前記コンパレータは、非反転入力端子、反転入力端子、および出力端子を有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記コンパレータの前記非反転入力端子に電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有する半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１のトランジスタは、バックゲートを有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのバックゲートと電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタは、バックゲートを有し、
   前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのバックゲートと電気的に接続されている半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記反転入力端子に電気的に接続されている半導体装置。