JP2017139544A - 発振モジュール、電子機器及び移動体 - Google Patents

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Abstract

【課題】マスタースライスによる発振信号の周波数帯の変更が、容易に行える発振モジュールの提供。【解決手段】発振モジュール（１）は、ＳＡＷフィルター（２）と、集積回路３内に構成されたハイパスフィルター（７０）と、を備え、ハイパスフィルター（７０）は、コイル７４と、容量部７２と、コイル７４と容量部７２とを接続する第１の配線ＰＰ１と、を有し、容量部７２は、容量アレイ７２Ａを含むことを特徴とする。【選択図】図１２

Description

本発明は、発振モジュール、この発振モジュールを備えている電子機器及び移動体に関する。
特許文献１には、ＥＣＬラインレシーバーにより構成される発振用差動増幅器と、ＥＣＬラインレシーバーにより構成され、エミッター終端抵抗により出力端子が終端された帰還バッファ用差動増幅器と、スイッチ回路と、電圧制御型移相回路と、所定の共振周波数を有するＳＡＷ共振子と、インピーダンス回路とから構成され、少なくとも、発振用差動増幅器、帰還バッファ用差動増幅器、電圧制御型移相回路及びＳＡＷ共振子により正帰還発振ループが形成されている発振回路が開示されている。この発振回路によれば、帰還バッファ用差動増幅器のエミッター終端抵抗を可変させてＳＡＷ共振子のドライブレベルを増加させることにより、ＳＡＷ共振子からの信号の振幅がこれに重畳するノイズに比べて相対的に大きくなる。言い換えるとＳＮ比が大きくとれるので、ＳＡＷ共振子からの信号に重畳されたノイズに起因するジッターを低減することができる。
この発振回路は、ＳＡＷ共振子の共振周波数付近の周波数の発振信号を出力するが、後段に逓倍回路を設けることでＮ倍の周波数の信号を発生させることもできる。例えば、特許文献２には、リングオシレーターの後段に逓倍回路が設けられた発振回路が開示されている。この逓倍回路は、リングオシレーターを構成する奇数段のインバーターのうちのいずれか２つの段のインバーターから取り出した２つの信号の排他的論理和を出力する構成であり、例えば、特許文献１に記載の発振回路の後段に特許文献２に記載の逓倍回路を設ければ、回路面積の増大を抑えながら逓倍出力を得ることができる。
特開２００４−０４０５０９号公報 特開２００７−０１３５６５号公報
上記発振回路は、ＳＡＷ共振子の共振周波数付近の周波数の発振信号及びこれの逓倍の周波数の発振信号を出力する構成となっているが、マスタースライスによる発振信号の周波数帯の変更に関して改善の余地がある。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例にかかる発振モジュールは、ＳＡＷフィルターと、集積回路内に構成されたハイパスフィルターと、を備え、前記ハイパスフィルターは、コイル部と、容量部と、前記コイル部と前記容量部とを接続する第１の配線と、を有し、前記容量部は、容量アレイを含むことを特徴とする。
これによれば、発振モジュールは、ＳＡＷフィルターと、ハイパスフィルターと、を備え、ハイパスフィルターが、コイル部と、容量部とを有し、容量部が容量アレイ（配列された複数の容量（例えば、コンデンサー）の集まり、容量群）を含むことから、容量部の容量アレイ内の容量の選択により所望の周波数帯をハイパスフィルターの通過帯域とすることができる。
これにより、発振モジュールは、ＳＡＷフィルターの変更で発振周波数が変化しても、ハイパスフィルターの容量アレイの調整（例えば、配線層マスクの変更）のみで、その変化に対応することができる。
この結果、発振モジュールは、マスタースライスによる発振信号の周波数帯の変更（発振周波数のシリーズ化）に関する納期の短縮及びコストの低減を図ることが可能となる。
［適用例２］上記適用例にかかる発振モジュールにおいて、前記コイル部は、前記第１の配線が設けられている第１の配線層よりも厚い第２の配線層に設けられていることが好ましい。
これによれば、発振モジュールは、コイル部が第１の配線が設けられている第１の配線層よりも厚い第２の配線層に設けられていることから、コイル部のインダクタンスのばらつきを抑制することができる。
［適用例３］上記適用例にかかる発振モジュールにおいて、前記第２の配線層は、前記第１の配線層の上方に積層されていることが好ましい。
これによれば、発振モジュールは、第２の配線層が第１の配線層の上方に積層されていることから、第２の配線層と第１の配線層とで容量部を形成することができる。
［適用例４］上記適用例にかかる発振モジュールにおいて、前記容量アレイは、第１の容量を含み、前記第１の容量の少なくとも一方の電極は、前記第１の配線が設けられている第１の配線層に設けられていることが好ましい。
これによれば、発振モジュールは、容量アレイが第１の容量を含み、第１の容量の少なくとも一方の電極が第１の配線層に設けられていることから、第１の配線の一部を第１の容量の一方の電極とすることができる。
［適用例５］上記適用例にかかる発振モジュールにおいて、前記第１の容量の他方の電極は、第２の配線層と、第３の配線層とに跨って設けられ、前記一方の電極が設けられている前記第１の配線層を、前記第２の配線層と前記第３の配線層とで挟むように構成されていることが好ましい。
これによれば、発振モジュールは、第１の容量の他方の電極が、第２の配線層と、第３の配線層とに跨って設けられ、第１の配線層を、第２の配線層と第３の配線層とで挟むように構成されていることから、他の構成よりも少ない平面積で所望の容量値を得ることができる。
［適用例６］上記適用例にかかる発振モジュールにおいて、前記コイル部と接続されている第１の端子と、前記ハイパスフィルターの外部と接続されている第２の端子とを、更に備え、前記第１の配線は、前記一方の電極と前記第１の端子とを電気的に接続し、前記第２の配線層に設けられている第２の配線及び前記第３の配線層に設けられている第３の配線は、前記他方の電極と前記第２の端子とを電気的に接続していることが好ましい。
これによれば、発振モジュールは、第１の配線が第１の容量の一方の電極と第１の端子とを電気的に接続し、第２の配線及び第３の配線が、第１の容量の他方の電極と第２の端子とを電気的に接続していることから、第１の容量に応じた周波数帯をハイパスフィルターの通過帯域とすることができる。
これにより、発振モジュールは、ＳＡＷフィルターの変更で発振周波数が変化しても、ハイパスフィルターの容量アレイの調整のみで、その変化に対応することができる。
［適用例７］上記適用例にかかる発振モジュールにおいて、前記容量アレイは、第２の容量を更に含み、前記第２の容量の一方の電極は、前記第１の配線により前記第１の容量の前記一方の電極と接続されていることが好ましい。
これによれば、発振モジュールは、容量アレイが、第２の容量を更に含み、第２の容量の一方の電極は、第１の配線により第１の容量の一方の電極と接続されていることから、第１の容量の容量値と第２の容量の容量値との和に応じた周波数帯をハイパスフィルターの通過帯域とすることができる。
これにより、発振モジュールは、ＳＡＷフィルターの変更で発振周波数が変化しても、ハイパスフィルターの容量アレイの調整のみで、その変化に対応することができ、第１の容量のみの場合よりも対応範囲を広げることができる。
［適用例８］上記適用例にかかる発振モジュールにおいて、前記第１の容量の容量値と前記第２の容量の容量値とは略等しいことが好ましい。
これによれば、発振モジュールは、第１の容量の容量値と第２の容量の容量値とが略等しいことから、例えば、第１の容量の設計データのコピー及びペーストにより、集積回路のレイアウト設計が容易となる。
［適用例９］上記適用例にかかる発振モジュールにおいて、前記第１の容量の容量値よりも前記第２の容量の容量値の方が大きいことが好ましい。
これによれば、発振モジュールは、第１の容量の容量値よりも第２の容量の容量値の方が大きいことから、第１の容量の容量値と第２の容量の容量値とが略等しい場合よりも、ＳＡＷフィルターの変更に伴う発振周波数の変化に対する対応範囲を広げることができる。
［適用例１０］上記適用例にかかる発振モジュールにおいて、前記第１の端子から前記第１の容量までの前記第１の配線の配線長は、前記第１の端子から前記第２の容量までの前記第１の配線の配線長よりも短いことが好ましい。
これによれば、発振モジュールは、第１の端子から第１の容量までの第１の配線の配線長は、第１の端子から第２の容量までの第１の配線の配線長よりも短いことから、第１の容量の容量値が小さいほど影響が大きくなる、第１の配線の配線長に起因するインピーダンスの変化や寄生容量の変化を低減できる。
これにより、発振モジュールは、周波数精度の高い発振信号を出力することができる。
［適用例１１］上記適用例にかかる発振モジュールにおいて、前記容量アレイは、第３の容量を更に含み、前記第３の容量の一方の電極は、前記第１の配線により前記第１の容量の前記一方の電極及び前記第２の容量の前記一方の電極と接続されていることが好ましい。
これによれば、発振モジュールは、容量アレイが第３の容量を更に含み、第３の容量の一方の電極は、第１の配線により第１の容量の一方の電極及び第２の容量の一方の電極と接続されていることから、第１の容量の容量値と第２の容量の容量値と第３の容量の容量値との和に応じた周波数帯をハイパスフィルターの通過帯域とすることができる。
これにより、発振モジュールは、ＳＡＷフィルターの変更で発振周波数が変化しても、ハイパスフィルターの容量アレイの調整のみで、その変化に対応することができ、第１の容量及び第２の容量のみの場合よりも対応範囲を広げることができる。
［適用例１２］本適用例にかかる発振モジュールは、ＳＡＷフィルターと、集積回路内に構成されたハイパスフィルターと、を備え、前記ハイパスフィルターは、コイル部と、容量アレイを含む容量部と、を有し、前記容量アレイは、前記コイル部と接続されている第１の端子と、第１の容量と、第２の容量と、を含み、前記第１の容量の容量値は、前記第２の容量の容量値よりも小さく、かつ、前記第１の容量と前記第１の端子とが接続された場合の配線長は、前記第２の容量と前記第１の端子とが接続された場合の配線長よりも短いことを特徴とする。
これによれば、発振モジュールは、容量アレイの第１の容量の容量値が、第２の容量の容量値よりも小さく、第１の容量と第１の端子とが接続された場合の配線長が、第２の容量と第１の端子とが接続された場合の配線長よりも短いことから、第１の容量の容量値が小さいほど影響が大きくなる、配線長に起因するインピーダンスの変化や寄生容量の変化を低減できる。
これにより、発振モジュールは、周波数精度の高い発振信号を出力することができる。
［適用例１３］本適用例にかかる発振モジュールは、ＳＡＷフィルターと、集積回路内に構成されたハイパスフィルターと、を備え、前記ハイパスフィルターは、コイル部と、容量アレイを含む容量部と、を有し、前記容量アレイは、前記コイル部と接続されている第１の端子と、第１の容量と、第２の容量と、第３の容量と、を含み、前記第１の容量の容量値と前記第２の容量の容量値との和は、前記第３の容量の容量値よりも小さく、かつ、前記第１の容量が前記第１の端子に接続された場合の配線長は、前記第３の容量が前記第１の端子に接続された場合の配線長よりも短いことを特徴とする。
これによれば、発振モジュールは、容量アレイの第１の容量の容量値と第２の容量の容量値との和が、第３の容量の容量値よりも小さく、かつ、第１の容量が第１の端子に接続された場合の配線長が、第３の容量が第１の端子に接続された場合の配線長よりも短いことから、第１の容量の容量値が小さいほど影響が大きくなる、配線長に起因するインピーダンスの変化や寄生容量の変化を低減できる。
これにより、発振モジュールは、周波数精度の高い発振信号を出力することができる。
［適用例１４］本適用例にかかる発振モジュールは、ＳＡＷフィルターと、集積回路内に構成されたハイパスフィルターと、を備え、前記ハイパスフィルターは、コイル部と、容量アレイを含む容量部と、を有し、前記容量アレイは、前記コイル部と接続されている第１の端子と、互いに接続されるｎ個の容量の第１のアレイと、互いに接続されるｍ個の容量の第２のアレイと、を含み、前記第１のアレイの総容量値は、前記第２のアレイの総容量値よりも小さく、かつ、前記第１のアレイに属する１つの容量と前記第１の端子とが接続された場合の配線長は、前記第２のアレイに属する１つの容量と前記第１の端子とが接続された場合の配線長よりも短いことを特徴とする。
これによれば、発振モジュールは、容量アレイの第１のアレイの総容量値が、第２のアレイの総容量値よりも小さく、第１のアレイに属する１つの容量と第１の端子とが接続された場合の配線長が、第２のアレイに属する１つの容量と第１の端子とが接続された場合の配線長よりも短いことから、第１のアレイの総容量値が小さいほど影響が大きくなる、配線長に起因するインピーダンスの変化や寄生容量の変化を低減できる。
これにより、発振モジュールは、周波数精度の高い発振信号を出力することができる。
［適用例１５］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の発振モジュールを備えていることを特徴とする。
これによれば、電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の発振モジュールを備えていることから、上記適用例に記載された効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
［適用例１６］本適用例にかかる移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載の発振モジュールを備えていることを特徴とする。
これによれば、移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載の発振モジュールを備えていることから、上記適用例に記載された効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
本実施形態の発振モジュールの斜視図。 発振モジュールを図１のＡ−Ａ’で切断した断面図。 発振モジュールを図１のＢ−Ｂ’で切断した断面図。 ＳＡＷフィルター及び集積回路の平面図。 本実施形態の発振モジュールのボンディング端子部分を示す図。 本実施形態の発振モジュールの機能構成の一例を示すブロック図。 差動増幅器の回路構成の一例を示す図。 ＳＡＷフィルターの入出力波形の一例を示す図。 差動増幅器の回路構成の一例を示す図。 逓倍回路の回路構成の一例を示す図。 ハイパスフィルターの回路構成の一例を示す模式図。 容量部の構成の一例を示す模式図。 第１の容量の構成を示す模式断面図。 容量部の他の構成例を示す模式図。 容量部の別の構成例を示す模式図。 ハイパスフィルターの周波数特性の一例を示す図。 出力回路の回路構成の一例を示す図。 本実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図。 本実施形態の移動体の一例を示す図。
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
１．発振モジュール
１−１．発振モジュールの構造
図１は、本実施形態の発振モジュールの構造の一例を示す図であり、発振モジュールの斜視図である。また、図２は発振モジュールを図１のＡ−Ａ’で切断した断面図であり、図３は発振モジュールを図１のＢ−Ｂ’で切断した断面図である。なお、図１〜図３では、リッド（蓋）が無い状態の発振モジュール１が図示されているが、実際には、パッケージ４の開口が不図示のリッド（蓋）で覆われて発振モジュールが構成されている。
図１に示すように、本実施形態の発振モジュール１は、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルター（表面弾性波フィルター）２、集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）３及びパッケージ４を含んで構成されている。
パッケージ４は、例えば、セラミックパッケージ等の積層パッケージであり、ＳＡＷフィルター２と集積回路３とを同一空間内に収容する。具体的には、パッケージ４の上部には開口部が設けられており、当該開口部を不図示のリッド（蓋）で覆うことにより収容室が形成され、当該収容室に、ＳＡＷフィルター２及び集積回路３が収容されている。
図２に示すように、集積回路３は、その下面がパッケージ４の第１層４Ａの上面に接着固定されている。そして、集積回路３の上面に設けられている各電極（パッド）３Ｂとパッケージ４の第２層４Ｂの上面に設けられている各電極６Ｂとがそれぞれワイヤー５Ｂによりボンディングされている。
ＳＡＷフィルター２は、一方の端部がパッケージ４に固着されている。より具体的には、ＳＡＷフィルター２は、長手方向の一方の端部（第１端部）２Ａの下面が、接着剤７によりパッケージ４の第３層４Ｃの上面に接着固定されている。また、ＳＡＷフィルター２の長手方向の他方の端部（第２端部）２Ｂは固定されておらず、かつ、第２端部２Ｂとパッケージ４の内面との間に間隙が設けられている。すなわち、ＳＡＷフィルター２は片持ちでパッケージ４に固定されている。
なお、パッケージ４の第３層４Ｃの上面の外周には、パッケージ４の第４層４Ｄが設けられ、第４層４Ｄの上面に不図示のリッド（蓋）が接合される構成となっている。
図１に示すように、ＳＡＷフィルター２の上面には、第１端部２Ａにおいて第１の入力ポートＩＰ１、第２の入力ポートＩＰ２、第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２として機能する４つの電極（ボンディング端子ともいう）が設けられている。そして、図１及び図３に示すように、ＳＡＷフィルター２の第１の入力ポートＩＰ１、第２の入力ポートＩＰ２、第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２とパッケージ４の第３層４Ｃの上面に設けられている４つの電極６Ａとがそれぞれワイヤー５Ａによりボンディングされている。
パッケージ４の内部には、４つの電極６Ａと所定の４つの電極６Ｂとをそれぞれ電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。すなわち、ＳＡＷフィルター２の第１の入力ポートＩＰ１、第２の入力ポートＩＰ２、第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２は、ワイヤー５Ａ、ワイヤー５Ｂ及びパッケージ４の内部配線を介して、集積回路３の互いに異なる４つの電極（パッド）３Ｂとそれぞれ接続されている。
また、パッケージ４の表面（外面）には、電源端子、接地端子あるいは出力端子として機能する不図示の複数の外部電極が設けられており、パッケージ４の内部には、当該複数の外部電極の各々と所定の複数の電極６Ｂの各々とをそれぞれ電気的に接続するための不図示の配線も設けられている。
図４は、図１の発振モジュールをその上面から平面視したときのＳＡＷフィルター及び集積回路の平面図である。
図４に示すように、ＳＡＷフィルター２は、圧電基板２００の表面に設けられた、第１のＩＤＴ（Interdigital Transducer）２０１と、第２のＩＤＴ２０２と、第１の反射器２０３と、第２の反射器２０４とを有している。
圧電基板２００は、例えば、水晶、ニオブ酸リチウム（LiNbO3）、タンタル酸リチウム（LiTaO3）、四ほう酸リチウム（Li2B4O7,LBO）等の単結晶材料や、酸化亜鉛（ZnO）、窒化アルミニウム（AlN）等の圧電性薄膜、圧電性セラミックス材料等を用いて製造することができる。
第１のＩＤＴ２０１と第２のＩＤＴ２０２は、第１の反射器２０３と第２の反射器２０４との間にあり、それぞれ、一定間隔で設けられた複数の電極指を有する櫛状の２つの電極が、互いに間挿し合うように対向して配置されている。そして、図４に示すように、第１のＩＤＴ２０１の電極指ピッチ及び第２のＩＤＴ２０２の電極指ピッチはともに一定値ｄ1になっている。
また、ＳＡＷフィルター２は、圧電基板２００の表面に設けられた、第１のＩＤＴ２０１と接続されている第１の入力ポートＩＰ１と、第１のＩＤＴ２０１と接続されている第２の入力ポートＩＰ２と、第２のＩＤＴ２０２と接続されている第１の出力ポートＯＰ１と、第２のＩＤＴ２０２と接続されている第２の出力ポートＯＰ２とを有している。
具体的には、圧電基板２００の表面には、第１配線２０５と第２配線２０６とが設けられており、第１の入力ポートＩＰ１は、第１配線２０５によって第１のＩＤＴ２０１の一方の電極（図４では上側の電極）と接続され、第２の入力ポートＩＰ２は、第２配線２０６によって第１のＩＤＴ２０１の他方の電極（図４では下側の電極）と接続されている。また、圧電基板２００の表面には、第３配線２０７と第４配線２０８とが設けられており、第１の出力ポートＯＰ１は、第３配線２０７によって第２のＩＤＴ２０２の一方の電極（図４では上側の電極）と接続され、第２の出力ポートＯＰ２は、第４配線２０８によって第２のＩＤＴ２０２の他方の電極（図４では下側の電極）と接続されている。
このように構成されたＳＡＷフィルター２において、第１の入力ポートＩＰ１及び第２の入力ポートＩＰ２からｆ＝ｖ／（２ｄ1）（ｖは表面弾性波が圧電基板２００の表面を伝搬する速度）付近の周波数を有する電気信号が入力されると、第１のＩＤＴ２０１により１波長が２ｄ1に等しい表面弾性波が励起される。そして、第１のＩＤＴ２０１により励起された表面弾性波は、第１の反射器２０３と第２の反射器２０４との間で反射されて定在波となる。この定在波は、第２のＩＤＴ２０２において電気信号に変換され、第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２から出力される。すなわち、ＳＡＷフィルター２は、中心周波数をｆ＝ｖ／（２ｄ1）とする狭帯域のバンドパスフィルターとして機能する。
本実施形態では、図４に示すように、平面視で、ＳＡＷフィルター２の少なくとも一部が集積回路３と重なっている。また、平面視で、ＳＡＷフィルター２の第１端部２Ａ（図４において斜線を施した部分）は集積回路３と重なっていない。このように、本実施形態では、ＳＡＷフィルター２を、その第１端部２Ａをパッケージ４に固定して片持ちにし、ＳＡＷフィルター２の下方に形成される空間に集積回路３を配置することによって、発振モジュール１の小型化を実現している。
また、本実施形態の発振モジュール１によれば、ＳＡＷフィルター２の全面ではなく、その一部である第１端部２Ａがパッケージ４に固着されているので、固着される部分の面積が小さく、パッケージ４から加わる応力により変形しやすい部分が少ない。従って、本実施形態の発振モジュール１によれば、ＳＡＷフィルター２に加わる応力による発振信号の劣化を低減させることができる。
また、ＳＡＷフィルター２の第１端部２Ａにおける圧電基板２００の裏面は、接着剤７によってパッケージ４に固定されるため、第１端部２Ａは接着剤７の収縮によっても変形しやすい。そこで、本実施形態では、図４に示すように、第１のＩＤＴ２０１、第２のＩＤＴ２０２、第１の反射器２０３及び第２の反射器２０４は、第１端部２Ａにおける圧電基板２００の表面に設けられていない。これにより、第１のＩＤＴ２０１及び第２のＩＤＴ２０２の変形が大きく緩和される。従って、本実施形態によれば、接着剤７の収縮による応力に起因する第１のＩＤＴ２０１や第２のＩＤＴ２０２の変形によって生じる電極指ピッチｄ1の目標値に対する誤差を小さくすることができるので、高い周波数精度の発振モジュール１を実現することができる。
また、本実施形態では、ＳＡＷフィルター２を片持ちにすることで、自由端である第２端部２Ｂにパッケージ４との接触による応力が加わらない。従って、本実施形態によれば、パッケージ４との接触による応力に起因する第１のＩＤＴ２０１や第２のＩＤＴ２０２の変形が生じないので、高い周波数精度の発振モジュール１を実現することができる。
また、本実施形態では、変形によって特性が変化しない第１の入力ポートＩＰ１、第２の入力ポートＩＰ２、第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２は、ＳＡＷフィルター２の第１端部２Ａにおける圧電基板２００の表面に設けられている。これにより、ＳＡＷフィルター２が不要に大きくなることを回避し、発振モジュール１の小型化を可能としている。
また、本実施形態では、図４に示すように、ＳＡＷフィルター２は長辺２Ｘと短辺２Ｙを有する矩形状であり、平面視で、第１の入力ポートＩＰ１、第２の入力ポートＩＰ２、第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２は、ＳＡＷフィルター２の長辺２Ｘに沿って並んでいる。従って、本実施形態によれば、図１に示したように、ＳＡＷフィルター２の外部において、第１の入力ポートＩＰ１、第２の入力ポートＩＰ２、第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２のそれぞれに接続される４つのワイヤー５Ａをすべて長辺２Ｘ側に設けることができるので、パッケージ４の内部におけるＳＡＷフィルター２の長辺側の空間を効率よく利用し、短辺側の空間を小さくすることができるので、発振モジュール１の小型化が可能である。
また、本実施形態では、図４に示すように、平面視で、第１の入力ポートＩＰ１と第２の入力ポートＩＰ２とが長辺２Ｘから等距離に配置され、かつ、第１の出力ポートＯＰ１と第２の出力ポートＯＰ２とが長辺２Ｘから等距離に配置されている。従って、本実施形態によれば、第１の入力ポートＩＰ１に接続される配線（ワイヤー５Ａ及び基板配線）の長さと第２の入力ポートＩＰ２に接続される配線の長さとを揃えやすく、第１の出力ポートＯＰ１に接続される配線の長さと第２の出力ポートＯＰ２に接続される配線の長さとを揃えやすく、ＳＡＷフィルター２に入力または出力される差動信号の位相差を小さくすることができる。
さらに、本実施形態では、図４に示すように、平面視で、第１の入力ポートＩＰ１、第２の入力ポートＩＰ２、第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２が長辺２Ｘから等距離に配置されている。従って、第１の入力ポートＩＰ１、第２の入力ポートＩＰ２、第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２のそれぞれに接続される４つのワイヤー５Ａの高さを揃えやすい。
特に、本実施形態では、第１の入力ポートＩＰ１、第２の入力ポートＩＰ２、第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２が、長辺２Ｘに沿って長辺２Ｘに近い位置に設けられているため、図５の左側の断面図（図３の一部を図示した断面図）に示すように、ＳＡＷフィルター２の上面からワイヤー５Ａの最高部までの高さＨ１を小さくすることができる。図５の右側には、仮に、第１の入力ポートＩＰ１、第２の入力ポートＩＰ２、第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２を長辺２Ｘからより遠い位置に設けた場合の断面図が示されており、ＳＡＷフィルター２の上面からワイヤー５Ａの最高部までの高さＨ２はＨ１よりも大きい。このように、本実施形態によれば、ワイヤー５Ａを低くすることができるので、パッケージ４の高さ方向のサイズを小さくすることが可能となり、発振モジュール１の小型化を実現することができる。
また、本実施形態では、図４に示すように、平面視で、長辺２Ｘに沿う方向に、第１の入力ポートＩＰ１、第１の出力ポートＯＰ１、第２の出力ポートＯＰ２、第２の入力ポートＩＰ２の順に並んでいる。これにより、第１のＩＤＴ２０１と第２のＩＤＴ２０２とを長辺２Ｘに沿う方向に並べた場合に、第１配線２０５、第２配線２０６、第３配線２０７及び第４配線２０８とを互いに交差せずに設けることが容易となり、これら配線の長さを短くすることができる。
なお、ＳＡＷフィルター２は、図４の構成に限らず、例えば、反射器を有さず、入力用のＩＤＴと出力用のＩＤＴの間を表面弾性波が伝搬するトランスバーサル型ＳＡＷフィルターであってもよい。
１−２．発振モジュールの機能構成
図６は、本実施形態の発振モジュールの機能構成の一例を示すブロック図である。図６に示すように、本実施形態の発振モジュール１は、ＳＡＷフィルター２、位相シフト回路１０、差動増幅器２０、コンデンサー３２、コンデンサー３４、差動増幅器４０、コンデンサー５２、コンデンサー５４、逓倍回路６０、ハイパスフィルター７０（フィルター回路）、出力回路８０を含んで構成されている。なお、本実施形態の発振モジュール１は、適宜、これらの要素の一部を省略または変更し、あるいは他の要素を追加した構成としてもよい。
位相シフト回路１０、差動増幅器２０、コンデンサー３２、コンデンサー３４、差動増幅器４０、コンデンサー５２、コンデンサー５４、逓倍回路６０、ハイパスフィルター７０及び出力回路８０は、集積回路３に含まれている。すなわち、これらの各回路は集積回路３の一部である。
ＳＡＷフィルター２の第１の出力ポートＯＰ１は、集積回路３の入力端子Ｔ１と接続されている。また、ＳＡＷフィルター２の第２の出力ポートＯＰ２は、集積回路３の入力端子Ｔ２と接続されている。また、ＳＡＷフィルター２の第１の入力ポートＩＰ１は、集積回路３の出力端子Ｔ３と接続されている。また、ＳＡＷフィルター２の第２の入力ポートＩＰ２は、集積回路３の出力端子Ｔ４と接続されている。
集積回路３の電源端子Ｔ７は、発振モジュール１の外部端子（パッケージ４の表面に設けられた外部電極）であるＶＤＤ端子と接続されており、電源端子Ｔ７にはＶＤＤ端子を介して所望の電源電位が供給される。また、集積回路３の接地端子Ｔ８は、発振モジュール１の外部端子であるＶＳＳ端子と接続されており、接地端子Ｔ８にはＶＳＳ端子を介して接地電位（０Ｖ）が供給される。そして、位相シフト回路１０、差動増幅器２０、コンデンサー３２、コンデンサー３４、差動増幅器４０、コンデンサー５２、コンデンサー５４、逓倍回路６０、ハイパスフィルター７０及び出力回路８０は、電源端子Ｔ７と接地端子Ｔ８との間の電位差を電源電圧として動作する。なお、差動増幅器２０、差動増幅器４０、逓倍回路６０、ハイパスフィルター７０及び出力回路８０の各電源端子及び各接地端子は、電源端子Ｔ７及び接地端子Ｔ８とそれぞれ接続されているが、図６では図示が省略されている。
位相シフト回路１０及び差動増幅器２０は、ＳＡＷフィルター２の第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２から第１の入力ポートＩＰ１及び第２の入力ポートＩＰ２に至る帰還経路上に設けられている。
位相シフト回路１０は、コイル１１と、コイル１２と、可変容量素子１３とを有している。コイル１１のインダクタンスとコイル１２のインダクタンスは同じ（製造ばらつきによる差は許容される）あるいは同程度であってもよい。
コイル１１の一端は、集積回路３の入力端子Ｔ１と接続され、コイル１１の他端は、可変容量素子１３の一端及び差動増幅器２０の非反転入力端子と接続されている。また、コイル１２の一端は、集積回路３の入力端子Ｔ２と接続され、コイル１２の他端は、可変容量素子１３の他端及び差動増幅器２０の反転入力端子と接続されている。
可変容量素子１３は、例えば、印加される電圧に応じて容量値が変化するバラクター（バリキャップ、あるいは可変容量ダイオードともいう）であってもよいし、複数のコンデンサーと、複数のコンデンサーの少なくとも一部を選択するための複数のスイッチとを含み、選択信号に応じて複数のスイッチが開閉することで選択されたコンデンサーに応じて容量値が切り替わる回路であってもよい。
差動増幅器２０は、非反転入力端子と反転入力端子とに入力される１対の信号を、その電位差を増幅して非反転出力端子と反転出力端子とから出力する。差動増幅器２０の非反転出力端子は、集積回路３の出力端子Ｔ３及びコンデンサー３２の一端と接続されている。また、差動増幅器２０の反転出力端子は、集積回路３の出力端子Ｔ４及びコンデンサー３４の一端と接続されている。
図７は、差動増幅器の回路構成の一例を示す図である。図７の例では、差動増幅器２０は、抵抗２１、抵抗２２、ＮＭＯＳ（N-channel Metal Oxide Semiconductor）トランジスター２３、ＮＭＯＳトランジスター２４、定電流源２５、ＮＭＯＳトランジスター２６、ＮＭＯＳトランジスター２７、抵抗２８及び抵抗２９を含んで構成されている。図７では、例えば、入力端子ＩＰ２０が非反転入力端子であり、入力端子ＩＮ２０が反転入力端子である。また、出力端子ＯＰ２０が非反転出力端子であり、出力端子ＯＮ２０が反転出力端子である。
ＮＭＯＳトランジスター２３は、ゲート端子が入力端子ＩＰ２０と接続され、ソース端子が定電流源２５の一端と接続され、ドレイン端子が抵抗２１を介して電源端子Ｔ７（図６参照）と接続されている。
ＮＭＯＳトランジスター２４は、ゲート端子が入力端子ＩＮ２０と接続され、ソース端子が定電流源２５の一端と接続され、ドレイン端子が抵抗２２を介して電源端子Ｔ７（図６参照）と接続されている。
定電流源２５の他端は、接地端子Ｔ８（図６参照）と接続されている。
ＮＭＯＳトランジスター２６は、ゲート端子がＮＭＯＳトランジスター２３のドレイン端子と接続され、ソース端子が抵抗２８を介して接地端子Ｔ８（図６参照）と接続され、ドレイン端子が電源端子Ｔ７（図６参照）と接続されている。
ＮＭＯＳトランジスター２７は、ゲート端子がＮＭＯＳトランジスター２４のドレイン端子と接続され、ソース端子が抵抗２９を介して接地端子Ｔ８（図６参照）と接続され、ドレイン端子が電源端子Ｔ７（図６参照）と接続されている。
また、ＮＭＯＳトランジスター２６のソース端子は出力端子ＯＮ２０と接続され、ＮＭＯＳトランジスター２７のソース端子は出力端子ＯＰ２０と接続されている。
このように構成されている差動増幅器２０は、入力端子ＩＰ２０と入力端子ＩＮ２０とに入力される１対の信号を非反転増幅して出力端子ＯＰ２０と出力端子ＯＮ２０とから出力する。
図６に戻り、本実施形態では、ＳＡＷフィルター２、位相シフト回路１０及び差動増幅器２０により、ＳＡＷフィルター２の第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２から第１の入力ポートＩＰ１及び第２の入力ポートＩＰ２に至る信号経路上を１対の信号が伝搬して正帰還の閉ループが構成され、当該１対の信号が発振信号となる。すなわち、ＳＡＷフィルター２、位相シフト回路１０及び差動増幅器２０により、発振回路１００が構成される。なお、発振回路１００は、適宜、これらの要素の一部を省略または変更し、あるいは他の要素を追加した構成としてもよい。
図８の上段に、ＳＡＷフィルター２の第１の出力ポートＯＰ１から出力される信号（周波数ｆ0）の波形を実線で示し、ＳＡＷフィルター２の第２の出力ポートＯＰ２から出力される信号（周波数ｆ0）の波形を破線で示す。また、図８の下段に、ＳＡＷフィルター２の第１の入力ポートＩＰ１に入力される信号（周波数ｆ0）の波形を実線で示し、ＳＡＷフィルター２の第２の入力ポートＩＰ２に入力される信号（周波数ｆ0）の波形を破線で示す。
図８に示すように、ＳＡＷフィルター２の第１の出力ポートＯＰ１から第１の入力ポートＩＰ１に伝搬する信号（実線）と、ＳＡＷフィルター２の第２の出力ポートＯＰ２から第２の入力ポートＩＰ２に伝搬する信号（破線）とは互いに逆相である。ここで、「互いに逆相」とは、位相差が正確に１８０°の場合だけでなく、例えば、ＳＡＷフィルター２の第１の出力ポートＯＰ１から第１の入力ポートＩＰ１に至る帰還経路の配線と、ＳＡＷフィルター２の第２の出力ポートＯＰ２から第２の入力ポートＩＰ２に至る帰還経路の配線との、長さ、抵抗及び容量の差や製造誤差に起因して生じる差動増幅器２０が有する素子の特性の差等の分だけ、位相差が１８０°と異なる場合も含む概念である。
このように、本実施形態の発振回路１００は、ＳＡＷフィルター２の第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２から出力される差動信号（互いに逆相の１対の信号）を差動増幅器２０で増幅してＳＡＷフィルター２の第１の入力ポートＩＰ１及び第２の入力ポートＩＰ２に帰還させることで閉ループの帰還経路を構成して発振する。すなわち、発振回路１００は、差動で動作し、第１のＩＤＴ２０１及び第２のＩＤＴ２０２の電極指ピッチｄ1に応じた周波数ｆ0で発振する。
そして、ＳＡＷフィルター２の第１の出力ポートＯＰ１及び第２の出力ポートＯＰ２から第１の入力ポートＩＰ１及び第２の入力ポートＩＰ２に至る帰還経路上を伝搬する差動信号に電源ラインを介して重畳される電源ノイズは、コモンモードノイズであるため、差動増幅器２０により大きく低減する。従って、発振回路１００によれば、電源ノイズの影響による発振信号の劣化を低減させ、発振信号の周波数精度やＳ／Ｎを向上させることができる。
また、本実施形態の発振回路１００は、位相シフト回路１０の可変容量素子１３の容量値を変化させることで、ＳＡＷフィルター２の通過帯域内において、コイル１１のインダクタンス及びコイル１２のインダクタンスに応じた可変幅で発振信号の周波数ｆ0を変化させることができる。コイル１１のインダクタンス及びコイル１２のインダクタンスが大きいほど周波数ｆ0の可変幅が大きい。
また、本実施形態の発振回路１００は、コイル１１とコイル１２とには、互いに逆相の電流が流れる。従って、コイル１１が発生させる磁界の向きとコイル１２が発生させる磁界の向きとが逆となって互いに弱め合うため、磁界の影響による発振信号の劣化を低減させることができる。
さらに、ＳＡＷ共振子はリアクタンスに対する周波数特性が急峻であるのに対して、ＳＡＷフィルター２は、リアクタンスに対する周波数特性が直線的（穏やか）であるため、本実施形態の発振回路１００は、ＳＡＷ共振子を用いた発振回路と比較して、周波数ｆ0の可変範囲の制御が容易であるという利点を有する。
図６に戻り、発振モジュール１は、発振回路１００よりも後段に、コンデンサー３２、コンデンサー３４、差動増幅器４０、コンデンサー５２、コンデンサー５４、逓倍回路６０、ハイパスフィルター７０及び出力回路８０が設けられている。
コンデンサー３２は、一端が差動増幅器２０の非反転出力端子（図７の出力端子ＯＰ２０）と接続され、他端が差動増幅器４０の非反転入力端子と接続されている。また、コンデンサー３４は、一端が差動増幅器２０の反転出力端子（図７の出力端子ＯＮ２０）と接続され、他端が差動増幅器４０の反転入力端子と接続されている。このコンデンサー３２及びコンデンサー３４は、ＤＣカット用のコンデンサーとして機能し、差動増幅器２０の非反転出力端子（図７の出力端子ＯＰ２０）及び反転出力端子（図７の出力端子ＯＮ２０）から出力される各信号のＤＣ成分を除去する。
差動増幅器４０は、発振回路１００から逓倍回路６０に至る信号経路上に設けられている。差動増幅器４０は、非反転入力端子と反転入力端子とに入力される差動信号を増幅した差動信号を非反転出力端子と反転出力端子とから出力する。
図９は、差動増幅器の回路構成の一例を示す図である。図９の例では、差動増幅器４０は、抵抗４１、抵抗４２、ＮＭＯＳトランジスター４３、ＮＭＯＳトランジスター４４及び定電流源４５を含んで構成されている。図９では、例えば、入力端子ＩＰ４０が非反転入力端子であり、入力端子ＩＮ４０が反転入力端子である。また、出力端子ＯＰ４０が非反転出力端子であり、出力端子ＯＮ４０が反転出力端子である。
ＮＭＯＳトランジスター４３は、ゲート端子が入力端子ＩＰ４０と接続され、ソース端子が定電流源４５の一端と接続され、ドレイン端子が抵抗４１を介して電源端子Ｔ７（図６参照）と接続されている。
ＮＭＯＳトランジスター４４は、ゲート端子が入力端子ＩＮ４０と接続され、ソース端子が定電流源４５の一端と接続され、ドレイン端子が抵抗４２を介して電源端子Ｔ７（図６参照）と接続されている。
定電流源４５の他端は、接地端子Ｔ８（図６参照）と接続されている。
また、ＮＭＯＳトランジスター４３のドレイン端子は出力端子ＯＰ４０と接続され、ＮＭＯＳトランジスター４４のドレイン端子は出力端子ＯＮ４０と接続されている。
このように構成されている差動増幅器４０は、入力端子ＩＰ４０と入力端子ＩＮ４０とに入力される差動信号を反転増幅し、増幅した差動信号を出力端子ＯＰ４０と出力端子ＯＮ４０とから出力する。
図６に戻り、コンデンサー５２は、一端が差動増幅器４０の非反転出力端子（図９の出力端子ＯＰ４０）と接続され、他端が逓倍回路６０の非反転入力端子と接続されている。また、コンデンサー５４は、一端が差動増幅器４０の反転出力端子（図９の出力端子ＯＮ４０）と接続され、他端が逓倍回路６０の反転入力端子と接続されている。このコンデンサー５２及びコンデンサー５４は、ＤＣカット用のコンデンサーとして機能し、差動増幅器４０の非反転出力端子（図９の出力端子ＯＰ４０）及び反転出力端子（図９の出力端子ＯＮ４０）から出力される各信号のＤＣ成分を除去する。
逓倍回路６０は、差動で動作し、非反転入力端子と反転入力端子とに入力される差動信号の周波数ｆ0を逓倍した差動信号を非反転出力端子と反転出力端子とから出力する。
図１０は、逓倍回路の回路構成の一例を示す図である。図１０の例では、逓倍回路６０は、抵抗６１、抵抗６２、ＮＭＯＳトランジスター６３、ＮＭＯＳトランジスター６４、ＮＭＯＳトランジスター６５、ＮＭＯＳトランジスター６６、ＮＭＯＳトランジスター６７、ＮＭＯＳトランジスター６８及び定電流源６９を含んで構成されている。図１０では、例えば、入力端子ＩＰ６０が非反転入力端子であり、入力端子ＩＮ６０が反転入力端子である。また、出力端子ＯＰ６０が非反転出力端子であり、出力端子ＯＮ６０が反転出力端子である。
ＮＭＯＳトランジスター６３は、ゲート端子が入力端子ＩＰ６０と接続され、ソース端子がＮＭＯＳトランジスター６５のドレイン端子と接続され、ドレイン端子が抵抗６１を介して電源端子Ｔ７（図６参照）と接続されている。
ＮＭＯＳトランジスター６４は、ゲート端子が入力端子ＩＮ６０と接続され、ソース端子がＮＭＯＳトランジスター６５のドレイン端子と接続され、ドレイン端子が抵抗６２を介して電源端子Ｔ７（図６参照）と接続されている。
ＮＭＯＳトランジスター６５は、ゲート端子が入力端子ＩＰ６０と接続され、ソース端子が定電流源６９の一端と接続され、ドレイン端子がＮＭＯＳトランジスター６３のソース端子及びＮＭＯＳトランジスター６４のソース端子と接続されている。
ＮＭＯＳトランジスター６６は、ゲート端子が入力端子ＩＮ６０と接続され、ソース端子がＮＭＯＳトランジスター６８のドレイン端子と接続され、ドレイン端子が抵抗６１を介して電源端子Ｔ７（図６参照）と接続されている。
ＮＭＯＳトランジスター６７は、ゲート端子が入力端子ＩＰ６０と接続され、ソース端子がＮＭＯＳトランジスター６８のドレイン端子と接続され、ドレイン端子が抵抗６２を介して電源端子Ｔ７（図６参照）と接続されている。
ＮＭＯＳトランジスター６８は、ゲート端子が入力端子ＩＮ６０と接続され、ソース端子が定電流源６９の一端と接続され、ドレイン端子がＮＭＯＳトランジスター６６のソース端子及びＮＭＯＳトランジスター６７のソース端子と接続されている。
定電流源６９の他端は、接地端子Ｔ８（図６参照）と接続されている。
また、ＮＭＯＳトランジスター６３のドレイン端子及びＮＭＯＳトランジスター６６のドレイン端子は出力端子ＯＰ６０と接続され、ＮＭＯＳトランジスター６４のドレイン端子及びＮＭＯＳトランジスター６７のドレイン端子は出力端子ＯＮ６０と接続されている。
このように構成されている逓倍回路６０は、入力端子ＩＰ６０と入力端子ＩＮ６０とに入力される差動信号の周波数ｆ0の２倍の周波数２ｆ0の差動信号を生成し、出力端子ＯＰ６０と出力端子ＯＮ６０とから出力する。特に、逓倍回路６０は、平衡変調回路であり、原理的には、入力端子ＩＰ６０と入力端子ＩＮ６０とに入力される差動信号（ｆ0の信号）が出力端子ＯＰ６０と出力端子ＯＮ６０とから出力されない構成である。この逓倍回路６０によれば、各ＮＭＯＳトランジスターや各抵抗の製造ばらつきを考慮しても、出力端子ＯＰ６０と出力端子ＯＮ６０とから出力されるｆ0の信号成分を小さくすることができ、純度の高い（周波数精度の高い）２ｆ0の差動信号が得られ、かつ、回路面積も比較的小さい。
図６に戻り、逓倍回路６０の非反転出力端子（図１０の出力端子ＯＰ６０）はハイパスフィルター７０の非反転入力端子と接続されている。また、逓倍回路６０の反転出力端子（図１０の出力端子ＯＮ６０）はハイパスフィルター７０の反転入力端子と接続されている。
ハイパスフィルター７０は、逓倍回路６０から出力回路８０に至る信号経路上に設けられている。ハイパスフィルター７０は、差動で動作し、非反転入力端子と反転入力端子とに入力される差動信号から低周波成分が減衰された差動信号を非反転出力端子と反転出力端子とから出力する。
図１１は、ハイパスフィルターの回路構成の一例を示す模式図である。図１１の例では、ハイパスフィルター７０は、抵抗７１、容量部７２、容量部７３、コイル部としてのコイル７４、容量部７５、容量部７６、抵抗７７、コイル７４と各容量部とを接続する第１の配線ＰＰ１，ＮＰ１を含んで構成されている。
図１１では、例えば、入力端子ＩＰ７０が非反転入力端子であり、入力端子ＩＮ７０が反転入力端子である。また、出力端子ＯＰ７０が非反転出力端子であり、出力端子ＯＮ７０が反転出力端子である。
抵抗７１は、一端が入力端子ＩＰ７０及び容量部７２の第２の端子７２ｂと接続され、他端が入力端子ＩＮ７０及び容量部７３の第２の端子７３ｂと接続されている。
容量部７２は、第１の配線ＰＰ１によって、第１の端子７２ａがコイル７４の一端及び容量部７５の第１の端子７５ａと接続され、第２の端子７２ｂが入力端子ＩＰ７０及び抵抗７１の一端と接続されている。
容量部７３は、第１の配線ＮＰ１によって、第１の端子７３ａがコイル７４の他端及び容量部７６の第１の端子７６ａと接続され、第２の端子７３ｂが入力端子ＩＮ７０及び抵抗７１の他端と接続されている。
コイル７４は、第１の配線ＰＰ１によって、一端が容量部７２の第１の端子７２ａ及び容量部７５の第１の端子７５ａと接続され、第１の配線ＮＰ１によって、他端が容量部７３の第１の端子７３ａ及び容量部７６の第１の端子７６ａと接続されている。
容量部７５は、第１の配線ＰＰ１によって、第１の端子７５ａが容量部７２の第１の端子７２ａ及びコイル７４の一端と接続され、第２の端子７５ｂが抵抗７７の一端と接続されている。
容量部７６は、第１の配線ＮＰ１によって、第１の端子７６ａが容量部７３の第１の端子７３ａ及びコイル７４の他端と接続され、第２の端子７６ｂが抵抗７７の他端と接続されている。
抵抗７７は、一端が容量部７５の第２の端子７５ｂと接続され、他端が容量部７６の第２の端子７６ｂと接続されている。
また、容量部７５の第２の端子７５ｂ及び抵抗７７の一端は出力端子ＯＰ７０と接続され、容量部７６の第２の端子７６ｂ及び抵抗７７の他端は出力端子ＯＮ７０と接続されている。
このように、各容量部の第１の端子は、コイル７４と接続され、各容量部の第２の端子は、各入出力端子を介してハイパスフィルター７０の外部と接続されていることになる。
このように構成されているハイパスフィルター７０は、入力端子ＩＰ７０と入力端子ＩＮ７０とに入力される差動信号から低周波成分を減衰させた差動信号を生成し、出力端子ＯＰ７０と出力端子ＯＮ７０とから出力する。
ハイパスフィルター７０の各容量部は、容量アレイ（配列された複数の容量（例えば、コンデンサー）の集まり、容量群）を含んでいる。
ここでは、容量部７２を例に挙げ、その構成を具体的に説明する。他の容量部７３，７５，７６についても基本的構成は、容量部７２と同様である。
図１２は、容量部の構成の一例を示す模式図である。
図１２に示すように、容量部７２は、容量アレイ７２Ａを含んでいる。容量アレイ７２Ａは、第１の容量Ｃ１と、第２の容量Ｃ２と、を含んでいる。
図１３は、第１の容量の構成を示す模式断面図である。なお、第２の容量Ｃ２も同様の構成となっている。
図１３に示すように、第１の容量Ｃ１の一方の電極Ｃ１ａは、第１の配線層ＡＬ１に設けられている。
第１の容量Ｃ１の他方の電極Ｃ１ｂは、第２の配線層ＡＬ２と、第３の配線層ＡＬ３とに跨って設けられ、一方の電極Ｃ１ａが設けられている第１の配線層ＡＬ１を、第２の配線層ＡＬ２と第３の配線層ＡＬ３とで挟むように構成されている。
第２の配線層ＡＬ２は、第１の配線層ＡＬ１の上方に積層され、第１の配線層ＡＬ１よりも厚く形成されている（ｔ１＜ｔ２）。なお、コイル７４は、この第２の配線層ＡＬ２に設けられている。第３の配線層ＡＬ３は、第１の配線層ＡＬ１の下方に積層されている。
第１の配線層ＡＬ１には、第１の配線ＰＰ１が設けられている。第１の配線ＰＰ１は、第１の容量Ｃ１の一方の電極Ｃ１ａと第１の端子７２ａとを電気的に接続している。第１の配線ＰＰ１は、更に第１の端子７２ａとコイル７４の一端とを電気的に接続している。
第２の配線層ＡＬ２には、第２の配線ＰＰ２が設けられ、第３の配線層ＡＬ３には、第３の配線ＰＰ３が設けられている。
第２の配線ＰＰ２及び第３の配線ＰＰ３は、第１の配線層ＡＬ１に設けられている第４の配線ＰＰ４と接続され、第４の配線ＰＰ４を介して、第１の容量Ｃ１の他方の電極Ｃ１ｂと第２の端子７２ｂとを電気的に接続している。なお、第４の配線ＰＰ４は、更に第２の端子７２ｂと入力端子ＩＰ７０とを電気的に接続している。
第２の容量Ｃ２の一方の電極Ｃ２ａは、第１の配線ＰＰ１により第１の容量Ｃ１の一方の電極Ｃ１ａと電気的に接続されている。
また、第２の容量Ｃ２の他方の電極Ｃ２ｂは、第２の配線ＰＰ２、第３の配線ＰＰ３及び第４の配線ＰＰ４により、第１の容量Ｃ１の他方の電極Ｃ１ｂと電気的に接続されている。
なお、発振モジュール１は、第１の容量Ｃ１の容量値と、第２の容量Ｃ２の容量値とが略等しくてもよく、第１の容量Ｃ１の容量値よりも、第２の容量Ｃ２の容量値の方が大きくてもよい。
ここでは、一例として、第１の容量Ｃ１の容量値よりも、第２の容量Ｃ２の容量値の方が大きいものとする（Ｃ１＜Ｃ２）。
ここで、第１の端子７２ａから第１の容量Ｃ１（一方の電極Ｃ１ａ）までの第１の配線ＰＰ１の配線長Ｌ１（７２ａとＣ１ａとをつなぐ波線の経路）は、第１の端子７２ａから第２の容量Ｃ２（一方の電極Ｃ２ａ）までの第１の配線ＰＰ１の配線長Ｌ２（７２ａとＣ２ａとをつなぐ波線の経路）よりも短くなっている（Ｌ１＜Ｌ２）。
上記構成をまとめると、発振モジュール１は、ＳＡＷフィルター２と、集積回路３内に構成されたハイパスフィルター７０と、を備えている。そして、ハイパスフィルター７０は、コイル７４と、容量アレイ７２Ａを含む容量部（７２など）と、を有している。
そして、容量アレイ７２Ａは、コイル７４と接続されている第１の端子７２ａと、第１の容量Ｃ１と、第２の容量Ｃ２と、を含み、第１の容量Ｃ１の容量値は、第２の容量Ｃ２の容量値よりも小さくなっている（Ｃ１＜Ｃ２）。
かつ、第１の容量Ｃ１と第１の端子７２ａとが接続された場合の配線長Ｌ１は、第２の容量Ｃ２と第１の端子７２ａとが接続された場合の配線長Ｌ２よりも短くなっている（Ｌ１＜Ｌ２）。
なお、第１の端子７２ａは、第１の配線ＰＰ１における、コイル７４との接続部から第１の容量Ｃ１の一方の電極Ｃ１ａとの接続部までの間の任意の位置に設けることが可能である。また、第２の端子７２ｂは、第４の配線ＰＰ４における、入力端子ＩＰ７０との接続部から第１の容量Ｃ１の他方の電極Ｃ１ｂとの接続部までの間の任意の位置に設けることが可能である。これは、以下の各構成例についても同様である。
なお、各容量は、ハイパスフィルター７０で減衰させる低周波成分の周波数帯域によっては、コイル７４と非接続となる場合があり、その場合には、一方の電極及び他方の電極とも、所定の固定電位に接続されることが好ましい。
次に、容量部７２の他の構成例について説明する。
図１４は、容量部の他の構成例を示す模式図である。なお、上記構成との共通部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、上記構成と異なる部分を中心に説明する。
図１４に示すように、容量部７２は、容量アレイ７２Ａを含んでいる。容量アレイ７２Ａは、第１の容量Ｃ１と、第２の容量Ｃ２と、第３の容量Ｃ３と、を含んでいる。なお、第３の容量Ｃ３の基本的な構成は、第１の容量Ｃ１及び第２の容量Ｃ２と同様である。
第３の容量Ｃ１の一方の電極Ｃ３ａは、第１の配線ＰＰ１により第１の容量Ｃ１の一方の電極Ｃ１ａ及び第２の容量Ｃ２の一方の電極Ｃ２ａと電気的に接続されている。
また、第３の容量Ｃ３の他方の電極Ｃ３ｂは、第２の配線ＰＰ２、第３の配線ＰＰ３及び第４の配線ＰＰ４（図１３参照）により、第１の容量Ｃ１及び第２の容量Ｃ２の他方の電極Ｃ１ｂ，Ｃ２ｂと電気的に接続されている。
ここで、第１の容量Ｃ１の容量値と第２の容量Ｃ２の容量値との和は、第３の容量Ｃ３の容量値よりも小さくなっている（（Ｃ１＋Ｃ２）＜Ｃ３）。かつ、第１の容量Ｃ１（一方の電極Ｃ１ａ）が、第１の配線ＰＰ１により第１の端子７２ａと電気的に接続された場合の配線長Ｌ１は、第３の容量Ｃ３（一方の電極Ｃ３ａ）が、第１の配線ＰＰ１により第１の端子７２ａと電気的に接続された場合の配線長Ｌ３（７２ａとＣ３ａとをつなぐ波線の経路）よりも短くなっている（Ｌ１＜Ｌ３）。
この構成をまとめると、発振モジュール１は、ＳＡＷフィルター２と、集積回路３内に構成されたハイパスフィルター７０と、を備えている。そして、ハイパスフィルター７０は、コイル７４と、容量アレイ７２Ａを含む容量部（７２など）と、を有している。
そして、容量アレイ７２Ａは、コイル７４と接続されている第１の端子７２ａと、第１の容量Ｃ１と、第２の容量Ｃ２と、第３の容量Ｃ３と、を含み、第１の容量Ｃ１の容量値と第２の容量Ｃ２の容量値との和は、第３の容量Ｃ３の容量値よりも小さくなっている（（Ｃ１＋Ｃ２）＜Ｃ３）。
かつ、第１の容量Ｃ１が第１の端子７２ａに接続された場合の配線長Ｌ１は、第３の容量Ｃ３が第１の端子７２ａに接続された場合の配線長Ｌ３よりも短くなっている（Ｌ１＜Ｌ３）。
なお、各容量は、ハイパスフィルター７０で減衰させる低周波成分の周波数帯域によっては、コイル７４と非接続となる場合があり、その場合には、一方の電極及び他方の電極とも、所定の固定電位に接続されることが好ましい。
なお、第３の容量Ｃ３の容量値は、第１の容量Ｃ１の容量値または第２の容量Ｃ２の容量値と略等しくてもよい。
次に、容量部７２の別の構成例について説明する。
図１５は、容量部の別の構成例を示す模式図である。
図１５に示すように、容量部７２は、容量アレイ７２Ａを含んでいる。
容量アレイ７２Ａは、コイル７４と接続されている第１の端子７２ａと、互いに接続されるｎ（ｎは整数）個の容量（第１の容量Ｃ１〜第ｎの容量Ｃｎ）の第１のアレイＡ１と、互いに接続されるｍ（ｍは整数）個の容量（第１の容量Ｃ１’〜第ｍの容量Ｃｍ）の第２のアレイＡ２と、を含んでいる。
ここで、第１のアレイＡ１の総容量値（第１の容量Ｃ１〜第ｎの容量Ｃｎの各容量値の総和）は、第２のアレイＡ２の総容量値（第１の容量Ｃ１’〜第ｍの容量Ｃｍの各容量値の総和）よりも小さくなっている。
そして、第１のアレイＡ１に属する１つの容量と第１の端子７２ａとが電気的に接続された場合の配線長は、第２のアレイＡ２に属する１つの容量と第１の端子７２ａとが電気的に接続された場合の配線長よりも短くなっている。
一例を挙げると、第１のアレイＡ１に属する第４の容量Ｃ４（一方の電極Ｃ４ａ）と第１の端子７２ａとが、第１の配線ＰＰ１により電気的に接続された場合の配線長Ｌ４（Ｃ４ａと７２ａとをつなぐ波線の経路）は、第２のアレイＡ２に属する第１の容量Ｃ１’（一方の電極Ｃ１’ａ）と第１の端子７２ａとが、第１の配線ＰＰ１により電気的に接続された場合の配線長Ｌ５（Ｃ１’ａと７２ａとをつなぐ波線の経路）よりも短くなっている。
この構成をまとめると、発振モジュール１は、ＳＡＷフィルター２と、集積回路３内に構成されたハイパスフィルター７０と、を備えている。そして、ハイパスフィルター７０は、コイル７４と、容量アレイ７２Ａを含む容量部（７２など）と、を有している。
そして、容量アレイ７２Ａは、コイル７４と接続されている第１の端子７２ａと、互いに接続されるｎ個の容量の第１のアレイＡ１と、互いに接続されるｍ個の容量の第２のアレイＡ２と、を含み、第１のアレイＡ１の総容量値は、第２のアレイＡ２の総容量値よりも小さくなっている。
かつ、第１のアレイＡ１に属する１つの容量（例えば、第４の容量Ｃ４）と第１の端子７２ａとが接続された場合の配線長（例えば、Ｌ４）は、第２のアレイＡ２に属する１つの容量（例えば、第１の容量Ｃ１’）と第１の端子７２ａとが接続された場合の配線長（例えば、Ｌ５）よりも短くなっている。
なお、各アレイの各容量は、ハイパスフィルター７０で減衰させる低周波成分の周波数帯域によっては、コイル７４と非接続となる場合があり、その場合には、一方の電極及び他方の電極とも、所定の固定電位に接続されることが好ましい。
図１６は、ハイパスフィルターの周波数特性の一例を示す図である。図１６には、ハイパスフィルター７０の入力信号である逓倍回路６０の出力信号の周波数スペクトルも破線で図示されている。図１６において、横軸は周波数であり、縦軸はゲイン（ハイパスフィルター７０の周波数特性の場合）またはパワー（逓倍回路６０の出力信号の周波数スペクトルの場合）である。図１６に示すように、ハイパスフィルター７０のカットオフ周波数ｆcは、ｆ0と２ｆ0との間になるように、各抵抗の抵抗値、各容量部の容量値及びコイル７４のインダクタンス値が設定されている。前述したように、逓倍回路６０は、ｆ0の信号成分が小さく純度の高い（周波数精度の高い）２ｆ0の差動信号を出力するが、図１６に示すように、ハイパスフィルター７０により、そのカットオフ周波数ｆcよりも低いｆ0の信号成分は減衰するため、さらに純度の高い（周波数精度の高い）２ｆ0の差動信号が得られる。
図６に戻り、ハイパスフィルター７０の非反転出力端子（図１１の出力端子ＯＰ７０）は出力回路８０の非反転入力端子と接続されている。また、ハイパスフィルター７０の反転出力端子（図１１の出力端子ＯＮ７０）は出力回路８０の反転入力端子と接続されている。
出力回路８０は、逓倍回路６０及びハイパスフィルター７０の後段に設けられている。出力回路８０は、差動で動作し、非反転入力端子と反転入力端子とに入力される差動信号を所望の電圧レベル（あるいは電流レベル）の信号に変換した差動信号を生成し、非反転出力端子と反転出力端子とから出力する。出力回路８０の非反転出力端子は集積回路３の出力端子Ｔ５と接続され、出力回路８０の反転出力端子は集積回路３の出力端子Ｔ６と接続されている。集積回路３の出力端子Ｔ５は、発振モジュール１の外部端子であるＣＰ端子と接続されており、集積回路３の出力端子Ｔ６は、発振モジュール１の外部端子であるＣＮ端子と接続されている。そして、出力回路８０が変換した差動信号（発振信号）は、集積回路３の出力端子Ｔ５及び出力端子Ｔ６を経由して、発振モジュール１のＣＰ端子及びＣＮ端子から外部に出力される。
図１７は、出力回路の回路構成の一例を示す図である。図１７の例では、出力回路８０は、差動増幅器８１、ＮＰＮトランジスター８２及びＮＰＮトランジスター８３を含んで構成されている。図１７では、例えば、入力端子ＩＰ８０が非反転入力端子であり、入力端子ＩＮ８０が反転入力端子である。また、出力端子ＯＰ８０が非反転出力端子であり、出力端子ＯＮ８０が反転出力端子である。
差動増幅器８１は、非反転入力端子が入力端子ＩＰ８０と接続され、反転入力端子が入力端子ＩＮ８０と接続され、非反転出力端子がＮＰＮトランジスター８２のベース端子と接続され、反転出力端子がＮＰＮトランジスター８３のベース端子と接続され、電源端子Ｔ７（図６参照）と接地端子Ｔ８とから供給される電源電圧ＶＤＤで動作する。
ＮＰＮトランジスター８２は、ベース端子が差動増幅器８１の非反転出力端子と接続され、コレクター端子が電源端子Ｔ７（図６参照）と接続され、エミッター端子が出力端子ＯＰ８０と接続されている。
ＮＰＮトランジスター８３は、ベース端子が差動増幅器８１の反転出力端子と接続され、コレクター端子が電源端子Ｔ７（図６参照）と接続され、エミッター端子が出力端子ＯＮ８０と接続されている。
このように構成されている出力回路８０は、ＰＥＣＬ（Positive Emitter Coupled Logic）回路あるいはＬＶ−ＰＥＣＬ（Low-Voltage Positive Emitter Coupled Logic）回路であり、出力端子ＯＰ８０及び出力端子ＯＮ８０を所定の電位Ｖ１にプルダウンすることで、入力端子ＩＰ８０と入力端子ＩＮ８０とから入力される差動信号を、ハイレベルをＶＤＤ−ＶCE、ローレベルをＶ１とする差動信号に変換して、出力端子ＯＰ８０と出力端子ＯＮ８０とから出力する。なお、ＶCEは、ＮＰＮトランジスター８２あるいはＮＰＮトランジスター８３のコレクター−エミッター間電圧である。
上述したように、本実施形態の発振モジュール１は、ＳＡＷフィルター２と、集積回路３内に構成されたハイパスフィルター７０と、を備え、ハイパスフィルター７０が、コイル７４と、容量部（７２など）と、コイル７４と容量部（７２など）とを接続する第１の配線ＰＰ１と、を有し、容量部７２が、容量アレイ７２Ａを含んでいる。
これによれば、発振モジュール１は、容量部７２の容量アレイ７２Ａ内の容量（第１の容量Ｃ１、第２の容量Ｃ２など）の選択により、所望の周波数帯をハイパスフィルター７０の通過帯域とすることができる。
これにより、発振モジュール１は、ＳＡＷフィルター２の変更で発振周波数が変化しても、ハイパスフィルター７０の容量アレイ７２Ａの調整（具体的には、第１の配線層ＡＬ１のマスク変更による配線変更）のみで、その変化に対応することができる。
この結果、発振モジュール１は、マスタースライスによる発振信号の周波数帯の変更（発振周波数のシリーズ化）に関する納期の短縮及びコストの低減を図ることができる。
また、発振モジュール１は、コイル７４が第１の配線ＰＰ１が設けられている第１の配線層ＡＬ１よりも厚い第２の配線層ＡＬ２に設けられていることから、コイル７４のインダクタンスのばらつきを抑制することができる。
また、発振モジュール１は、第２の配線層ＡＬ２が第１の配線層ＡＬ１の上方に積層されていることから、第２の配線層ＡＬ２と第１の配線層ＡＬ１とで容量部７２（容量アレイ７２Ａ）を形成することもできる。
また、発振モジュール１は、容量アレイ７２Ａが第１の容量Ｃ１を含み、第１の容量Ｃ１の少なくとも一方の電極Ｃ１ａが第１の配線層ＡＬ１に設けられていることから、第１の配線ＰＰ１の一部を第１の容量Ｃ１の一方の電極Ｃ１ａとすることができる。
また、発振モジュール１は、第１の容量Ｃ１の他方の電極Ｃ１ｂが第２の配線層ＡＬ２と、第３の配線層ＡＬ３とに跨って設けられ、第１の配線層ＡＬ１を、第２の配線層ＡＬ２と第３の配線層ＡＬ３とで挟むように構成されていることから、他の構成よりも少ない平面積で所望の容量値を得ることができる。
また、発振モジュール１は、コイル７４と接続されている第１の端子７２ａと、ハイパスフィルター７０の外部と接続されている第２の端子７２ｂとを、備え、第１の配線ＰＰ１が第１の容量Ｃ１の一方の電極Ｃ１ａと第１の端子７２ａとを電気的に接続し、第２の配線ＰＰ２及び第３の配線ＰＰ３が、第１の容量Ｃ１の他方の電極Ｃ１ｂと第２の端子７２ｂとを電気的に接続している。
これによれば、発振モジュール１は、第１の容量Ｃ１に応じた周波数帯をハイパスフィルター７０の通過帯域とすることができる。
これにより、発振モジュール１は、ＳＡＷフィルター２の変更で発振周波数が変化しても、ハイパスフィルター７０の容量アレイ７２Ａの調整のみで、その変化に対応することができる。
また、発振モジュール１は、容量アレイ７２Ａが、第２の容量Ｃ２を含み、第２の容量Ｃ２の一方の電極Ｃ２ａは、第１の配線ＰＰ１により第１の容量Ｃ１の一方の電極Ｃ１ａと接続されていることから、第１の容量Ｃ１の容量値と第２の容量の容量値との和に応じた周波数帯をハイパスフィルター７０の通過帯域とすることができる。
これにより、発振モジュール１は、ＳＡＷフィルター２の変更で発振周波数が変化しても、ハイパスフィルター７０の容量アレイ７２Ａの調整のみで、その変化に対応することができ、第１の容量Ｃ１のみの場合よりも対応範囲を広げることができる。
また、発振モジュール１は、第１の容量Ｃ１の容量値と第２の容量Ｃ２の容量値とが略等しい場合には、第１の容量Ｃ１の設計データのコピー及びペーストにより、集積回路３のレイアウト設計が容易となる。
また、発振モジュール１は、第１の容量Ｃ１の容量値よりも第２の容量Ｃ２の容量値の方が大きい場合には、第１の容量Ｃ１の容量値と第２の容量Ｃ２の容量値とが略等しい場合よりも、ＳＡＷフィルター２の変更に伴う発振周波数の変化に対する対応範囲を広げることができる。
また、発振モジュール１は、第１の端子７２ａから第１の容量Ｃ１までの第１の配線ＰＰ１の配線長Ｌ１は、第１の端子７２ａから第２の容量Ｃ２までの第１の配線ＰＰ１の配線長Ｌ２よりも短い。
このことから、発振モジュール１は、第１の容量Ｃ１の容量値が小さいほど影響が大きくなる、第１の配線ＰＰ１の配線長Ｌ１に起因するインピーダンスの変化や寄生容量の変化を低減できる。
これにより、発振モジュール１は、周波数精度の高い発振信号を出力することができる。
また、発振モジュール１は、他の構成として、容量アレイ７２Ａが第３の容量Ｃ３を含み、第３の容量Ｃ３の一方の電極Ｃ３ａは、第１の配線ＰＰ１により第１の容量Ｃ１の一方の電極Ｃ１ａ及び第２の容量Ｃ２の一方の電極Ｃ２ａと接続されている。
このことから、発振モジュール１は、第１の容量Ｃ１の容量値と第２の容量Ｃ２の容量値と第３の容量の容量値との和に応じた周波数帯をハイパスフィルター７０の通過帯域とすることができる。
これにより、発振モジュール１は、ＳＡＷフィルター２の変更で発振周波数が変化しても、ハイパスフィルター７０の容量アレイ７２Ａの調整のみで、その変化に対応することができ、第１の容量Ｃ１及び第２の容量Ｃ２のみの場合よりも対応範囲を広げることができる。
最初の構成（図１２など）によれば、発振モジュール１は、ＳＡＷフィルター２と、集積回路３内に構成されたハイパスフィルター７０と、を備え、ハイパスフィルター７０が、コイル７４と、容量アレイ７２Ａを含む容量部７２と、を有し、容量アレイ７２Ａが、コイル７４と接続されている第１の端子７２ａと、第１の容量Ｃ１と、第２の容量Ｃ２と、を含んでいる。
そして、第１の容量Ｃ１の容量値は、第２の容量Ｃ２の容量値よりも小さく、かつ、第１の容量Ｃ１と第１の端子７２ａとが接続された場合の配線長Ｌ１は、第２の容量Ｃ２と第１の端子７２ａとが接続された場合の配線長Ｌ２よりも短くなっている。
このことから、発振モジュール１は、第１の容量Ｃ１の容量値が小さいほど影響が大きくなる、配線長Ｌ１に起因するインピーダンスの変化や寄生容量の変化を低減できる。
これにより、発振モジュール１は、周波数精度の高い発振信号を出力することができる。
また、他の構成（図１４など）によれば、発振モジュール１は、ＳＡＷフィルター２と、集積回路３内に構成されたハイパスフィルター７０と、を備え、ハイパスフィルター７０が、コイル７４と、容量アレイ７２Ａを含む容量部７２と、を有し、容量アレイ７２Ａが、コイル７４と接続されている第１の端子７２ａと、第１の容量Ｃ１と、第２の容量Ｃ２と、第３の容量Ｃ３と、を含んでいる。
そして、第１の容量Ｃ１の容量値と第２の容量Ｃ２の容量値との和は、第３の容量Ｃ３の容量値よりも小さく、かつ、第１の容量Ｃ１が第１の端子７２ａに接続された場合の配線長Ｌ１は、第３の容量Ｃ３が第１の端子７２ａに接続された場合の配線長Ｌ３よりも短くなっている。
このことから、発振モジュール１は、第１の容量Ｃ１の容量値が小さいほど影響が大きくなる、配線長Ｌ１に起因するインピーダンスの変化や寄生容量の変化を低減できる。
これにより、発振モジュール１は、周波数精度の高い発振信号を出力することができる。
また、別の構成（図１５など）によれば、発振モジュール１は、ＳＡＷフィルター２と、集積回路３内に構成されたハイパスフィルター７０と、を備え、ハイパスフィルター７０が、コイル７４と、容量アレイ７２Ａを含む容量部７２と、を有し、容量アレイ７２Ａが、コイル７４と接続されている第１の端子７２ａと、互いに接続されるｎ個の容量の第１のアレイＡ１と、互いに接続されるｍ個の容量の第２のアレイＡ２と、を含んでいる。
そして、第１のアレイＡ１の総容量値は、第２のアレイＡ２の総容量値よりも小さく、かつ、第１のアレイＡ１に属する１つの容量（例えば、第４の容量Ｃ４）と第１の端子７２ａとが接続された場合の配線長（例えば、Ｌ４）は、第２のアレイＡ２に属する１つの容量（例えば、第１の容量Ｃ１’）と第１の端子７２ａとが接続された場合の配線長（例えば、Ｌ５）よりも短くなっている。
このことから、発振モジュール１は、第１のアレイＡ１の総容量値が小さいほど影響が大きくなる、配線長（例えば、Ｌ４）に起因するインピーダンスの変化や寄生容量の変化を低減できる。
これにより、発振モジュール１は、周波数精度の高い発振信号を出力することができる。
２．電子機器
図１８は、本実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図である。本実施形態の電子機器３００は、発振モジュール３１０、ＣＰＵ（Central Processing Unit）３２０、操作部３３０、ＲＯＭ（Read Only Memory）３４０、ＲＡＭ（Random Access Memory）３５０、通信部３６０、表示部３７０を含んで構成されている。なお、本実施形態の電子機器は、図１８の構成要素（各部）の一部を省略または変更し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
発振モジュール３１０は、発振回路３１２を備えている。発振回路３１２は、不図示のＳＡＷフィルターを備えており、ＳＡＷフィルターの共振周波数に基づく周波数の発振信号を発生させる。
また、発振モジュール３１０は、発振回路３１２よりも後段にある逓倍回路３１４や出力回路３１６を備えていてもよい。逓倍回路３１４は、発振回路３１２が発生させた発振信号の周波数を逓倍した発振信号を発生させる。また、出力回路３１６は、逓倍回路３１４が発生させた発振信号あるいは発振回路３１２が発生させた発振信号をＣＰＵ３２０に出力する。発振回路３１２、逓倍回路３１４及び出力回路３１６は、それぞれ差動で動作してもよい。
ＣＰＵ３２０は、ＲＯＭ３４０等に記憶されているプログラムに従い、発振モジュール３１０から入力される発振信号をクロック信号として各種の計算処理や制御処理を行う。具体的には、ＣＰＵ３２０は、操作部３３０からの操作信号に応じた各種の処理、外部装置とデータ通信を行うために通信部３６０を制御する処理、表示部３７０に各種の情報を表示させるための表示信号を送信する処理等を行う。
操作部３３０は、操作キーやボタンスイッチ等により構成される入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号をＣＰＵ３２０に出力する。
ＲＯＭ３４０は、ＣＰＵ３２０が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。
ＲＡＭ３５０は、ＣＰＵ３２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ３４０から読み出されたプログラムやデータ、操作部３３０から入力されたデータ、ＣＰＵ３２０が各種プログラムに従って実行した演算結果等を一時的に記憶する。
通信部３６０は、ＣＰＵ３２０と外部装置との間のデータ通信を成立させるための各種制御を行う。
表示部３７０は、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等により構成される表示装置であり、ＣＰＵ３２０から入力される表示信号に基づいて各種の情報を表示する。表示部３７０には操作部３３０として機能するタッチパネルが設けられていてもよい。
発振回路３１２として例えば上述した実施形態の発振回路１００を適用し、または、発振モジュール３１０として例えば上述した実施形態の発振モジュール１を適用することにより、信頼性の高い電子機器を実現することができる。
このような電子機器３００としては種々の電子機器が考えられ、例えば、光ファイバー等を用いた光伝送装置等のネットワーク機器、放送機器、人工衛星や基地局で利用される通信機器、ＧＰＳ（Global Positioning System）モジュール、パーソナルコンピューター（例えば、モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター）、スマートフォンや携帯電話機などの移動体端末、ディジタルカメラ、インクジェット式吐出装置（例えば、インクジェットプリンター）、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、移動体端末基地局用機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、リアルタイムクロック装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ（Point Of Sale）端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、ＰＤＲ（歩行者位置方位計測）等が挙げられる。
本実施形態の電子機器３００の一例として、上述した発振モジュール３１０を基準信号源として用いて、例えば、端末と有線または無線で通信を行う端末基地局用装置等として機能する伝送装置が挙げられる。発振モジュール３１０として、例えば、上記の実施形態の発振モジュール１を適用することにより、例えば通信基地局などに利用可能な、従来よりも周波数精度の高い、高性能、高信頼性を所望される電子機器３００を実現することも可能である。
また、本実施形態の電子機器３００の他の一例として、通信部３６０が外部クロック信号を受信し、ＣＰＵ３２０（処理部）が、当該外部クロック信号と発振モジュール３１０の出力信号とに基づいて、発振モジュール３１０の周波数を制御する周波数制御部と、を含む、通信装置であってもよい。
３．移動体
図１９は、本実施形態の移動体の一例を示す図（上面図）である。図１９に示す移動体４００は、発振モジュール４１０、エンジンシステム、ブレーキシステム、キーレスエントリーシステム等の各種の制御を行うコントローラー４２０，４３０，４４０、バッテリー４５０、バックアップ用バッテリー４６０を含んで構成されている。なお、本実施形態の移動体は、図１９の構成要素（各部）の一部を省略し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
発振モジュール４１０は、不図示のＳＡＷフィルターを備えた発振回路（不図示）を備えており、ＳＡＷフィルターの共振周波数に基づく周波数の発振信号を発生させる。
また、発振モジュール４１０は、発振回路よりも後段にある逓倍回路や出力回路を備えていてもよい。逓倍回路は、発振回路が発生させた発振信号の周波数を逓倍した発振信号を発生させる。また、出力回路は、逓倍回路が発生させた発振信号あるいは発振回路が発生させた発振信号を出力する。発振回路、逓倍回路及び出力回路は、それぞれ差動で動作してもよい。
発振モジュール４１０が出力する発振信号は、コントローラー４２０，４３０，４４０に供給され、例えばクロック信号として用いられる。
バッテリー４５０は、発振モジュール４１０及びコントローラー４２０，４３０，４４０に電力を供給する。バックアップ用バッテリー４６０は、バッテリー４５０の出力電圧が閾値よりも低下した時、発振モジュール４１０及びコントローラー４２０，４３０，４４０に電力を供給する。
発振モジュール４１０が備える発振回路として例えば上述した実施形態の発振回路１００を適用し、または、発振モジュール４１０として例えば上述した実施形態の発振モジュール１を適用することにより、信頼性の高い移動体を実現することができる。
このような移動体４００としては種々の移動体が考えられ、例えば、自動車（電気自動車も含む）、ジェット機やヘリコプター等の航空機、船舶、ロケット、人工衛星等が挙げられる。
上述した実施形態は一例であって、本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
１…発振モジュール、２…ＳＡＷフィルター、２Ａ…第１端部、２Ｂ…第２端部、２Ｘ…長辺、２Ｙ…短辺、３…集積回路、３Ｂ…電極（パッド）、４…パッケージ、４Ａ…パッケージの第１層、４Ｂ…パッケージの第２層、４Ｃ…パッケージの第３層、４Ｄ…パッケージの第４層、５Ａ，５Ｂ…ワイヤー、６Ａ，６Ｂ…電極、７…接着剤、１０…位相シフト回路、１１，１２…コイル、１３…可変容量素子、２０…差動増幅器、２１，２２…抵抗、２３，２４…ＮＭＯＳトランジスター、２５…定電流源、２６，２７…ＮＭＯＳトランジスター、２８，２９…抵抗、３２，３４…コンデンサー、４０…差動増幅器、４１，４２…抵抗、４３，４４…ＮＭＯＳトランジスター、４５…定電流源、５２，５４…コンデンサー、６０…逓倍回路、６１，６２…抵抗、６３，６４，６５，６６，６７，６８…ＮＭＯＳトランジスター、６９…定電流源、７０…ハイパスフィルター、７１…抵抗、７２…容量部、７２Ａ…容量アレイ、７２ａ…第１の端子、７２ｂ…第２の端子、７３…容量部、７３ａ…第１の端子、７３ｂ…第２の端子、７４…コイル部としてのコイル、７５…容量部、７５ａ…第１の端子、７５ｂ…第２の端子、７６…容量部、７６ａ…第１の端子、７６ｂ…第２の端子、７７…抵抗、８０…出力回路、８１…差動増幅器、８２，８３…ＮＰＮトランジスター、１００…発振回路、２００…圧電基板、２０１…第１のＩＤＴ、２０２…第２のＩＤＴ、２０３…第１の反射器、２０４…第２の反射器、２０５…第１配線、２０６…第２配線、２０７…第３配線、２０８…第４配線、３００…電子機器、３１０…発振モジュール、３１２…発振回路、３１４…逓倍回路、３１６…出力回路、３２０…ＣＰＵ、３３０…操作部、３４０…ＲＯＭ、３５０…ＲＡＭ、３６０…通信部、３７０…表示部、４００…移動体、４１０…発振モジュール、４２０，４３０，４４０…コントローラー、４５０…バッテリー、４６０…バックアップ用バッテリー、Ａ１…第１のアレイ、Ａ２…第２のアレイ、ＡＬ１…第１の配線層、ＡＬ２…第２の配線層、ＡＬ３…第３の配線層、ＩＰ１…第１の入力ポート、ＩＰ２…第２の入力ポート、ＯＰ１…第１の出力ポート、ＯＰ２…第２の出力ポート、ＩＰ２０，ＩＰ４０，ＩＰ６０，ＩＰ７０，ＩＰ８０…入力端子、ＩＮ２０，ＩＮ４０，ＩＮ６０，ＩＮ７０，ＩＮ８０…入力端子、ＯＰ２０，ＯＰ４０，ＯＰ６０，ＯＰ７０，ＯＰ８０…出力端子、ＯＮ２０，ＯＮ４０，ＯＮ６０，ＯＮ７０，ＯＮ８０…出力端子、ＰＰ１，ＮＰ１…第１の配線、ＰＰ２…第２の配線、ＰＰ３…第３の配線、ＰＰ４…第４の配線、Ｃ１…第１の容量、Ｃ１ａ…一方の電極、Ｃ１ｂ…他方の電極、Ｃ２…第２の容量、Ｃ２ａ…一方の電極、Ｃ２ｂ…他方の電極、Ｃ３…第３の容量、Ｃ３ａ…一方の電極、Ｃ３ｂ…他方の電極、Ｃ４…第４の容量、Ｃ４ａ…一方の電極、Ｃ１’…第１の容量、Ｃ１’ａ…一方の電極、Ｔ１，Ｔ２…入力端子、Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５，Ｔ６…出力端子、Ｔ７…電源端子、Ｔ８…接地端子。

Claims (16)

  1. ＳＡＷフィルターと、集積回路内に構成されたハイパスフィルターと、を備え、
    前記ハイパスフィルターは、コイル部と、容量部と、前記コイル部と前記容量部とを接続する第１の配線と、を有し、
    前記容量部は、容量アレイを含むことを特徴とする発振モジュール。
  2. 前記コイル部は、前記第１の配線が設けられている第１の配線層よりも厚い第２の配線層に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の発振モジュール。
  3. 前記第２の配線層は、前記第１の配線層の上方に積層されていることを特徴とする請求項２に記載の発振モジュール。
  4. 前記容量アレイは、第１の容量を含み、
    前記第１の容量の少なくとも一方の電極は、前記第１の配線が設けられている第１の配線層に設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発振モジュール。
  5. 前記第１の容量の他方の電極は、第２の配線層と、第３の配線層とに跨って設けられ、
    前記一方の電極が設けられている前記第１の配線層を、前記第２の配線層と前記第３の配線層とで挟むように構成されていることを特徴とする請求項４に記載の発振モジュール。
  6. 前記コイル部と接続されている第１の端子と、前記ハイパスフィルターの外部と接続されている第２の端子とを、更に備え、
    前記第１の配線は、前記一方の電極と前記第１の端子とを電気的に接続し、
    前記第２の配線層に設けられている第２の配線及び前記第３の配線層に設けられている第３の配線は、前記他方の電極と前記第２の端子とを電気的に接続していることを特徴とする請求項５に記載の発振モジュール。
  7. 前記容量アレイは、第２の容量を更に含み、
    前記第２の容量の一方の電極は、前記第１の配線により前記第１の容量の前記一方の電極と接続されていることを特徴とする請求項４ないし請求項６のいずれか一項に記載の発振モジュール。
  8. 前記第１の容量の容量値と前記第２の容量の容量値とは略等しいことを特徴とする請求項７に記載の発振モジュール。
  9. 前記第１の容量の容量値よりも前記第２の容量の容量値の方が大きいことを特徴とする請求項７に記載の発振モジュール。
  10. 前記第１の端子から前記第１の容量までの前記第１の配線の配線長は、前記第１の端子から前記第２の容量までの前記第１の配線の配線長よりも短いことを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか一項に記載の発振モジュール。
  11. 前記容量アレイは、第３の容量を更に含み、
    前記第３の容量の一方の電極は、前記第１の配線により前記第１の容量の前記一方の電極及び前記第２の容量の前記一方の電極と接続されていることを特徴とする請求項７ないし請求項１０のいずれか一項に記載の発振モジュール。
  12. ＳＡＷフィルターと、集積回路内に構成されたハイパスフィルターと、を備え、
    前記ハイパスフィルターは、コイル部と、容量アレイを含む容量部と、を有し、
    前記容量アレイは、前記コイル部と接続されている第１の端子と、第１の容量と、第２の容量と、を含み、
    前記第１の容量の容量値は、前記第２の容量の容量値よりも小さく、
    かつ、前記第１の容量と前記第１の端子とが接続された場合の配線長は、前記第２の容量と前記第１の端子とが接続された場合の配線長よりも短いことを特徴とする発振モジュール。
  13. ＳＡＷフィルターと、集積回路内に構成されたハイパスフィルターと、を備え、
    前記ハイパスフィルターは、コイル部と、容量アレイを含む容量部と、を有し、
    前記容量アレイは、前記コイル部と接続されている第１の端子と、第１の容量と、第２の容量と、第３の容量と、を含み、
    前記第１の容量の容量値と前記第２の容量の容量値との和は、前記第３の容量の容量値よりも小さく、
    かつ、前記第１の容量が前記第１の端子に接続された場合の配線長は、前記第３の容量が前記第１の端子に接続された場合の配線長よりも短いことを特徴とする発振モジュール。
  14. ＳＡＷフィルターと、集積回路内に構成されたハイパスフィルターと、を備え、
    前記ハイパスフィルターは、コイル部と、容量アレイを含む容量部と、を有し、
    前記容量アレイは、前記コイル部と接続されている第１の端子と、互いに接続されるｎ個の容量の第１のアレイと、互いに接続されるｍ個の容量の第２のアレイと、を含み、
    前記第１のアレイの総容量値は、前記第２のアレイの総容量値よりも小さく、
    かつ、前記第１のアレイに属する１つの容量と前記第１の端子とが接続された場合の配線長は、前記第２のアレイに属する１つの容量と前記第１の端子とが接続された場合の配線長よりも短いことを特徴とする発振モジュール。
  15. 請求項１ないし請求項１４のいずれか一項に記載の発振モジュールを備えていることを特徴とする電子機器。
  16. 請求項１ないし請求項１４のいずれか一項に記載の発振モジュールを備えていることを特徴とする移動体。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10627367B2 (en) * 2015-03-30 2020-04-21 Kyocera Corporation Liquid specimen sensor and method of measuring liquid specimen
JP2021100214A (ja) * 2019-12-23 2021-07-01 株式会社村田製作所 複合フィルタ装置及びバンドパスフィルタ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000307452A (ja) * 1999-02-16 2000-11-02 Murata Mfg Co Ltd 高周波複合部品及びそれを用いた携帯無線機
JP2002111431A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置
WO2003015301A1 (en) * 2001-08-10 2003-02-20 Hitachi Metals, Ltd. Bypass filter, multi-band antenna switch circuit, and layered module composite part and communication device using them
US7176506B2 (en) * 2001-08-28 2007-02-13 Tessera, Inc. High frequency chip packages with connecting elements
JP2004040509A (ja) 2002-07-03 2004-02-05 Seiko Epson Corp 発振回路及びこの発振回路を用いた電子機器
US20050040909A1 (en) * 2003-08-20 2005-02-24 Waight Matthew Glenn Broadband integrated digitally tunable filters
JP4710435B2 (ja) * 2005-06-29 2011-06-29 ソニー株式会社 微小共振器、バンドパスフィルタ、半導体装置、並びに通信装置
JP2007013565A (ja) 2005-06-30 2007-01-18 Toshiba Corp 発振回路
JP2010063062A (ja) * 2008-09-08 2010-03-18 Epson Toyocom Corp マルチキャリア送信機、マルチキャリア受信機、及び送受信システム
US8884713B2 (en) * 2012-05-18 2014-11-11 Tensorcom, Inc. Method and apparatus of cancelling inductor coupling
JP6119134B2 (ja) * 2012-07-19 2017-04-26 セイコーエプソン株式会社 振動片、振動子、発振器および電子機器
DE102014102518B4 (de) * 2014-02-26 2022-04-28 Snaptrack, Inc. Package für ein abstimmbares Filter
US9595942B2 (en) * 2015-03-30 2017-03-14 Tdk Corporation MOS capacitors with interleaved fingers and methods of forming the same

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