JP2017135280A - Photoelectric conversion film and photoelectric conversion device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoelectric conversion film and a solar cell capable of increasing a light absorption amount.SOLUTION: In a photoelectric conversion film 7, a plurality of quantum dots 7a are integrated and quantum dot rods 7A having a diameter D corresponding to a wavelength in the visible light region are periodically arranged in an array. Diameters of the quantum dot rod 7A is 700 to 1000 nm, and it is arranged at intervals equal to or less than the diameters of the same. Further, the quantum dot rods 7A have organic molecules 7b between the quantum dots 7a. The photoelectric conversion device has the photoelectric conversion film 7 between two conductor layers.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、光電変換膜および光電変換装置に関する。   The present invention relates to a photoelectric conversion film and a photoelectric conversion device.

近年、太陽電池の光電変換効率を向上させる目的で光電変換膜に量子ドットを適用する試みが行われている（例えば、特許文献１を参照）。   In recent years, attempts have been made to apply quantum dots to photoelectric conversion films for the purpose of improving the photoelectric conversion efficiency of solar cells (see, for example, Patent Document 1).

量子ドットを用いた太陽電池の光電変換効率は、量子ドットを集積した光電変換膜内に生成するキャリアの総量に関係する。   The photoelectric conversion efficiency of a solar cell using quantum dots is related to the total amount of carriers generated in a photoelectric conversion film in which quantum dots are integrated.

特表２０１１−５３０８２９号公報Special table 2011-530829 gazette

ところが、量子ドットを単純に膜状に集積した光電変換膜は、量子効果に基づくものであることから、吸収することのできる光としては、バンドギャップに対応するエネルギーの波長を有する光となるため、光吸収量を高めることができない場合がある。   However, since the photoelectric conversion film in which quantum dots are simply integrated into a film is based on the quantum effect, the light that can be absorbed is light having a wavelength of energy corresponding to the band gap. In some cases, the amount of light absorption cannot be increased.

従って本発明は、光吸収量を高めることのできる光電変換膜および光電変換装置を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a photoelectric conversion film and a photoelectric conversion device that can increase the amount of light absorption.

本発明の光電変換膜は、複数の量子ドットが集積され、直径が可視光領域から近赤外領域までの波長の範囲内に在る複数の量子ドットロッドが、アレイ状に配列している。   In the photoelectric conversion film of the present invention, a plurality of quantum dots are integrated, and a plurality of quantum dot rods having a diameter in the wavelength range from the visible light region to the near infrared region are arranged in an array.

本発明の光電変換装置は、２つの導体層間に光電変換層を備えた光電変換装置であって、前記光電変換層が上記の光電変換膜である。   The photoelectric conversion device of the present invention is a photoelectric conversion device including a photoelectric conversion layer between two conductor layers, and the photoelectric conversion layer is the photoelectric conversion film.

本発明によれば、光吸収量を高めることができる。   According to the present invention, the amount of light absorption can be increased.

本発明の光電変換装置の一実施形態を部分的に模式的に示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows typically one Embodiment of the photoelectric conversion apparatus of this invention partially. 本実施形態の他の態様を示すもので、光電変換膜を部分的に拡大した模式図である。It shows the other aspect of this embodiment, and is the schematic diagram which expanded the photoelectric converting film partially. 量子ドットロッドが長さ方向に２種類の有機分子を有している状態を拡大して示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which expands and shows the state in which the quantum dot rod has two types of organic molecules in the length direction. 本実施形態の光電変換装置の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus of this embodiment.

図１は、本発明の光電変換装置の一実施形態を部分的に模式的に示す分解斜視図である。次に紹介する実施形態および図面は当業者が本発明の思想を理解できるようにするための一例として挙げるものである。従って、本発明は以下に提示する実施形態および図面に限定されるものではなく、他の形態に具現化することができるのは言うまでもない。   FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing a part of an embodiment of the photoelectric conversion device of the present invention. The following embodiments and drawings are given as examples for enabling those skilled in the art to understand the idea of the present invention. Therefore, it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments and drawings presented below, and can be embodied in other forms.

図１に示す光電変換装置は、下面側に第１導体層３を有する シリコン基板５の上面に
、光電変換膜７、ホウ素ドープアモルファスシリコン膜９および第２導体層１１がこの順に積層された構成を有している。ここで、第１導体層３には、通常、銀（Ａｇ）などの貴金属を含む金属膜が適用される 。 シリコン基板５にはリンドープシリコン基板が適用される。第２導体層１１にはインジウム錫酸化物に代表される透明導電膜が用いられる。 The photoelectric conversion device shown in FIG. 1 has a configuration in which a photoelectric conversion film 7, a boron-doped amorphous silicon film 9, and a second conductor layer 11 are laminated in this order on the upper surface of a silicon substrate 5 having a first conductor layer 3 on the lower surface side. have. Here, a metal film containing a noble metal such as silver (Ag) is usually applied to the first conductor layer 3. A phosphorus-doped silicon substrate is applied to the silicon substrate 5. A transparent conductive film typified by indium tin oxide is used for the second conductor layer 11.

光電変換膜７は、複数の量子ドット７ａが集積された複数の量子ドットロッド７Ａがｎ型シリコン膜５上にアレイ状に配置された構成を成している。   The photoelectric conversion film 7 has a configuration in which a plurality of quantum dot rods 7A in which a plurality of quantum dots 7a are integrated are arranged on the n-type silicon film 5 in an array.

この場合、量子ドットロッド７Ａの基本的な形状は柱状体であるが、その横断面は円に限らず、多角形状であっても良い。また、量子ドットロッド７Ａは、基本的に、光電変換膜７の厚み方向にほぼ垂直に林立しているが、一部の量子ドットロッド７Ａにおいては、斜めの方向に向いているものが含まれていても良い。   In this case, the basic shape of the quantum dot rod 7A is a columnar body, but its cross section is not limited to a circle but may be a polygonal shape. In addition, the quantum dot rod 7A is basically erected almost perpendicularly to the thickness direction of the photoelectric conversion film 7, but some of the quantum dot rods 7A include those that are inclined. May be.

この量子ドットロッド７Ａは、その直径Ｄが可視光領域の波長の範囲内に在る。ここで、可視光領域から近赤外領域までの波長の範囲とは、４００ｎｍ〜２５００ｎｍである。   The quantum dot rod 7A has a diameter D within the wavelength range of the visible light region. Here, the wavelength range from the visible light region to the near infrared region is 400 nm to 2500 nm.

光電変換膜７によれば、量子ドットロッド７Ａの直径Ｄが可視光領域から近赤外領域までの波長の範囲内に在るため、量子ドットロッド７Ａに入射してきた太陽光のうち、量子ドットロッド７Ａの直径Ｄに相当する波長の光が、量子ドットロッド７Ａ内でミー散乱しやすくなるため、量子ドットロッド７Ａで反射する太陽光の量が減り、これにより量子ドットロッド７Ａでの光吸収量を高めることができる。   According to the photoelectric conversion film 7, since the diameter D of the quantum dot rod 7A is in the wavelength range from the visible light region to the near infrared region, of the sunlight that has entered the quantum dot rod 7A, the quantum dot Since light having a wavelength corresponding to the diameter D of the rod 7A is easily scattered in the quantum dot rod 7A, the amount of sunlight reflected by the quantum dot rod 7A is reduced, thereby absorbing light in the quantum dot rod 7A. The amount can be increased.

ここで、量子ドットロッド７Ａの直径Ｄとは、光電変換膜７を断面視したときに、各量子ドットロッド７Ａにおいて最大となる幅を言う。この場合、量子ドットロッド７Ａの本数割合で１０％以下であれば、一部に、４００ｎｍ〜２５００ｎｍを外れる量子ドットロッド７Ａが含まれていても良い。   Here, the diameter D of the quantum dot rod 7A refers to the maximum width of each quantum dot rod 7A when the photoelectric conversion film 7 is viewed in cross section. In this case, if the number ratio of the quantum dot rods 7A is 10% or less, the quantum dot rods 7A outside 400 nm to 2500 nm may be included in part.

また、この光電変換膜７において、量子ドットロッド７Ａの直径を７００〜１０００ｎｍの範囲にしたときには、さらに光吸収量を向上させることができる。   Moreover, in this photoelectric conversion film 7, when the diameter of the quantum dot rod 7A is in the range of 700 to 1000 nm, the light absorption amount can be further improved.

量子ドット７ａにシリコンを使用し、トップセルとして利用する場合、量子ドット７ａを薄膜状にしたときのバンドギャップは、１．７〜１．９ｅＶ付近(波長で６５０〜７３
０)が適したものとなる。 When silicon is used for the quantum dot 7a and is used as a top cell, the band gap when the quantum dot 7a is made into a thin film is 1.7 to 1.9 eV (wavelength of 650 to 73).
0) is suitable.

そこで、量子ドットロッド７Ａの直径を７００〜１０００ｎｍにすると、量子ドット７ａを膜状に形成したときに、光吸収係数の最も低い吸収端である７００ｎｍ付近の光吸収量を増やすことができる。   Therefore, when the diameter of the quantum dot rod 7A is 700 to 1000 nm, when the quantum dot 7a is formed in a film shape, the amount of light absorption near 700 nm, which is the absorption edge with the lowest light absorption coefficient, can be increased.

また、この光電変換膜では、量子ドットロッド７Ａ同士がその直径Ｄよりも短い間隔で
配置されていることが望ましい。量子ドットロッド７Ａが緻密化するように配列させる
と、光電変換膜７は量子ドットロッド７Ａの占有面積の増加によって、太陽光の受光面が大きくなり、これにより光吸収量をさらに高めることができる。 Further, in this photoelectric conversion film, it is desirable that the quantum dot rods 7A are arranged at intervals shorter than the diameter D thereof. When the quantum dot rods 7A are arranged so as to be densified, the photoelectric conversion film 7 has a larger sunlight receiving surface due to an increase in the area occupied by the quantum dot rods 7A, thereby further increasing the amount of light absorption. .

なお、量子ドットロッド７Ａ同士は短絡しない間隔で配置されていれば良い。例えば、２０ｎｍ以上であれば良い。   The quantum dot rods 7A may be arranged at intervals that do not short-circuit. For example, it may be 20 nm or more.

なお、量子ドットロッド７Ａ間の隙間には絶縁性の材料が充填されていることが望ましい。絶縁性の材料としては、有機樹脂または金属酸化物が好適なものとなる。   It is desirable that the gap between the quantum dot rods 7A is filled with an insulating material. As the insulating material, an organic resin or a metal oxide is preferable.

量子ドットロッド７Ａの長さとしては、例えば、１０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であれば、高い光吸収量を維持することができる。   If the length of the quantum dot rod 7A is, for example, 10 nm or more and 5000 nm or less, a high light absorption amount can be maintained.

図２は、本実施形態の他の態様を示すもので、光電変換膜を部分的に拡大した模式図である。   FIG. 2 shows another aspect of the present embodiment, and is a schematic view in which a photoelectric conversion film is partially enlarged.

また、この量子ドットロッド７Ａは量子ドット７ａ間に有機分子７ｂを有していてもよい。量子ドット７ａの周囲に有機分子７ｂを障壁層として有する場合には、障壁層の厚みを有機分子７ｂの分子量によって変化させることができる。これによりバンドギャップの制御が容易となり、キャリアの閉じ込め効果の高い量子ドットロッド７Ａを形成することができる。ここで、障壁層となる有機分子７ｂとしては、ヨウ化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＩ）、１，２−エタンジチオール（ＥＤＴ）、トリオクチルホスフィン（ＴＯＰ）、トリオクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）、オレイン酸、オレイルアミン、オクチルアミン、トリオクチルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタンチオール、ドデカンチオール、ヘキシルホスホン酸（ＨＰＡ）、テトラデシルホスホン酸（ＴＤＰＡ）、オクチルホスフィン酸（ＯＰＡ）およびポリオキシエチレン（ＰＯＥ）の群から選ばれる少なくとも１種でが適したものとなる。   The quantum dot rod 7A may have organic molecules 7b between the quantum dots 7a. When the organic molecules 7b are provided as a barrier layer around the quantum dots 7a, the thickness of the barrier layer can be changed according to the molecular weight of the organic molecules 7b. As a result, the band gap can be easily controlled, and the quantum dot rod 7A having a high carrier confinement effect can be formed. Here, as the organic molecule 7b serving as the barrier layer, tetrabutylammonium iodide (TBAI), 1,2-ethanedithiol (EDT), trioctylphosphine (TOP), trioctylphosphine oxide (TOPO), oleic acid, From the group of oleylamine, octylamine, trioctylamine, hexadecylamine, octanethiol, dodecanethiol, hexylphosphonic acid (HPA), tetradecylphosphonic acid (TDPA), octylphosphinic acid (OPA) and polyoxyethylene (POE) At least one selected is suitable.

図３は、量子ドットロッドが長さ方向に２種類の有機分子を有している状態を拡大して示す断面模式図である。例えば、図３に示すように、量子ドットロッド７Ａの長さ方向の上側と下側とに異なる分子量の有機分子７ｂ（符号７ｂａは分子量の大きい分子、符号７ｂｂは符号７ｂａで表している有機分子よりも分子量の小さい分子）を含ませた場合には、例えば、量子ドットロッド７Ａの長さ方向にエネルギー準位が変化したエネルギーバンドの傾きを形成することができる。図３では、符号７ｂａは分子量の大きい分子、符号７ｂｂは分子量の小さい分子を表している。   FIG. 3 is an enlarged schematic cross-sectional view showing a state in which the quantum dot rod has two types of organic molecules in the length direction. For example, as shown in FIG. 3, organic molecules 7b having different molecular weights on the upper and lower sides in the length direction of the quantum dot rod 7A (7ba is a molecule having a large molecular weight, 7bb is an organic molecule represented by 7ba) When a molecule having a smaller molecular weight is included, for example, an energy band inclination in which the energy level changes in the length direction of the quantum dot rod 7A can be formed. In FIG. 3, reference numeral 7ba represents a molecule having a high molecular weight, and reference numeral 7bb represents a molecule having a low molecular weight.

量子ドットロッド７Ａが有機分子７ｂをこのように２種類含む場合には、光電変換膜７内に生成した極性の異なるキャリア（電子ｅ、ホールｈ）が、量子ドットロッド７Ａの長さ方向において、互いに反対の方向へ移動しやすくなり、第１導体層３および第２導体層１１のそれぞれでキャリアの収集効率が向上し、光電変換効率をさらに高めることができる。   When the quantum dot rod 7A includes two kinds of organic molecules 7b in this way, carriers (electrons e, holes h) having different polarities generated in the photoelectric conversion film 7 are in the length direction of the quantum dot rod 7A. It becomes easy to move in directions opposite to each other, the carrier collection efficiency is improved in each of the first conductor layer 3 and the second conductor layer 11, and the photoelectric conversion efficiency can be further increased.

上記した量子ドットの材料としては、種々の半導体材料が適用されるが、そのエネルギーギャップ（Ｅｇ）としては、０．１５〜４．５０ｅｖを有するものが好適である。具体的な半導体材料としては、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、硫黄（Ｓ）、鉛（Ｐｂ）、テルル（Ｔｅ）およびセレン（Ｓｅ）から選ばれるいずれか１種またはこれらの化合物もしくは酸化物を用いることが望ましい。   Various semiconductor materials are applied as the material of the quantum dots described above, and those having an energy gap (Eg) of 0.15 to 4.50 ev are suitable. Specific semiconductor materials include germanium (Ge), silicon (Si), gallium (Ga), indium (In), arsenic (As), antimony (Sb), copper (Cu), iron (Fe), zinc ( It is desirable to use any one selected from Zn), sulfur (S), lead (Pb), tellurium (Te) and selenium (Se), or a compound or oxide thereof.

次に、本実施形態の光電変換装置の製造方法について説明する。図４は、本実施形態の光電変換装置の製造方法を示す工程図である。まず、リンドープシリコン基板を準備する。   Next, the manufacturing method of the photoelectric conversion apparatus of this embodiment is demonstrated. FIG. 4 is a process diagram showing a method for manufacturing the photoelectric conversion device of this embodiment. First, a phosphorus-doped silicon substrate is prepared.

次に、このリンドープシリコン膜５ の表面上に上記の光電変換膜７を形成する。この
場合、慣用のメタルアシストエッチング法を用いる。まず、図４（ａ）に示すように、第１導体層３とは反対側のリンドープシリコン基板５上に量子ドット７ａの集積膜８を形成する。 Next, the photoelectric conversion film 7 is formed on the surface of the phosphorus-doped silicon film 5. In this case, a conventional metal assist etching method is used. First, as shown in FIG. 4A, an integrated film 8 of quantum dots 7a is formed on a phosphorus-doped silicon substrate 5 opposite to the first conductor layer 3.

次に、図４（ｂ）に示すように、量子ドット７ａの集積膜８の表面にＡｇなどの金属粒
子１０を置いて、溶解液によって金属が置かれた部分を厚み方向に溶解させていく。このような処理の後に残った部分が量子ドットロッド７Ａとなる。この場合、エッチング溶液としては、過酸化水素とフッ化水素水との混合溶液を用いる。このとき、集積膜８の下層側を残すようにする。 Next, as shown in FIG. 4B, metal particles 10 such as Ag are placed on the surface of the integrated film 8 of the quantum dots 7a, and the portion where the metal is placed is dissolved in the thickness direction by the solution. . The portion remaining after such processing becomes the quantum dot rod 7A. In this case, a mixed solution of hydrogen peroxide and hydrogen fluoride water is used as the etching solution. At this time, the lower layer side of the integrated film 8 is left.

次に、図４（ｃ）に示すように、量子ドットロッド７Ａを除く領域に絶縁性材料１２を充填する。絶縁性の材料としては、有機樹脂または金属酸化物が好適なものとなる。このようにして光電変換膜７を形成する。   Next, as shown in FIG. 4C, an insulating material 12 is filled in the region excluding the quantum dot rod 7A. As the insulating material, an organic resin or a metal oxide is preferable. In this way, the photoelectric conversion film 7 is formed.

次に、図１に示した光電変換装置となるように、以下の工程を実施する。光電変換膜７の表面にホウ素ドープアモルファスシリコン膜９を形成する。このホウ素ドープアモルファスシリコン膜９の形成にはプラズマＣＶＤ法を用いる。最後に、ホウ素ドープアモルファスシリコン膜９の表面に、第２導体層１１となるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜を形成する。一方、リンドープシリコン基板５の裏面に第１導体層３となる銀の膜を蒸着法によって形成する。 こうして本実施形態の光電変換装置が得られる。   Next, the following steps are performed so as to obtain the photoelectric conversion device shown in FIG. A boron-doped amorphous silicon film 9 is formed on the surface of the photoelectric conversion film 7. A plasma CVD method is used to form the boron-doped amorphous silicon film 9. Finally, an indium tin oxide (ITO) film to be the second conductor layer 11 is formed on the surface of the boron-doped amorphous silicon film 9. On the other hand, a silver film to be the first conductor layer 3 is formed on the back surface of the phosphorus-doped silicon substrate 5 by vapor deposition. Thus, the photoelectric conversion device of this embodiment is obtained.

以下、上記した方法によって光電変換装置を作製して光吸収量の評価を行った。この場合、光吸収量の評価として短絡電流密度を測定した。   Hereinafter, a photoelectric conversion device was prepared by the above-described method, and the light absorption amount was evaluated. In this case, the short circuit current density was measured as an evaluation of the amount of light absorption.

まず、リンドープシリコン基板は厚みが０．５ｍｍ、第１導体層には銀（Ａｇ）を用いた。第２導体層にはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いた。量子ドットにはＳｉ粒子（平均粒径：５ｎｍ）を用いた。絶縁材料としてはＳｉＯ２をＣＶＤ法により形成した。 First, the phosphorus-doped silicon substrate has a thickness of 0.5 mm, and silver (Ag) is used for the first conductor layer. Indium tin oxide (ITO) was used for the second conductor layer. Si particles (average particle diameter: 5 nm) were used for the quantum dots. As the insulating material, SiO 2 was formed by a CVD method.

次に、作製した光電変換膜の横断面を電子顕微鏡によって観察し、量子ドットロッドのサイズを確認した。作製した光電変換装置は、量子ドットロッドの平均の直径は９００ｎｍ、平均長さが１μｍ、その間隔は平均で１００ｎｍであった。第１導体層の平均厚みが０．１μｍ、第２導体層の平均厚みが０．３μｍであった。   Next, the cross section of the produced photoelectric conversion film was observed with an electron microscope, and the size of the quantum dot rod was confirmed. The produced photoelectric conversion device had an average diameter of quantum dot rods of 900 nm, an average length of 1 μm, and an average interval of 100 nm. The average thickness of the first conductor layer was 0.1 μm, and the average thickness of the second conductor layer was 0.3 μm.

また、得られた光電変換膜の第１導体層と第２導体層間にリード線を接続し、１ＳＵＮの太陽光を照射してＩ−Ｖ特性を測定し、短絡電流密度を求めた。   Moreover, a lead wire was connected between the first conductor layer and the second conductor layer of the obtained photoelectric conversion film, and the I-V characteristics were measured by irradiating 1 SUN sunlight, and the short-circuit current density was obtained.

比較例として、量子ドットロッドの直径を３０ｎｍ とした試料を作製し、同様の評価
を行った。 As a comparative example, a sample having a quantum dot rod diameter of 30 nm was prepared and evaluated in the same manner.

３・・・・・第１導体層
５・・・・・リンドープシリコン基板
７・・・・・光電変換膜
７Ａ・・・・量子ドットロッド
７ａ・・・・量子ドット
７ｂ・・・・有機成分
９・・・・・ホウ素ドープアモルファスシリコン膜
１１・・・・第２導体層 3... First conductor layer 5... Phosphorus doped silicon substrate 7... Photoelectric conversion film 7 A... Quantum dot rod 7 a. Component 9... Boron doped amorphous silicon film 11... Second conductor layer

Claims (6)

複数の量子ドットが集積され、直径が可視光領域から近赤外領域までの波長の範囲内に在る複数の量子ドットロッドが、アレイ状に配列していることを特徴とする光電変換膜。   A photoelectric conversion film, wherein a plurality of quantum dot rods are integrated and a plurality of quantum dot rods having a diameter in a wavelength range from a visible light region to a near infrared region are arranged in an array. 前記直径が７００〜１０００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の光電変換膜。   The photoelectric conversion film according to claim 1, wherein the diameter is 700 to 1000 nm. 前記量子ドットロッドは、前記直径以下の間隔で配置されていることを特徴とする請求項２に記載の光電変換膜。   The photoelectric conversion film according to claim 2, wherein the quantum dot rods are arranged at intervals equal to or less than the diameter. 前記量子ドットロッドは前記量子ドット間に有機分子を有していることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載の光電変換膜。   The photoelectric conversion film according to claim 1, wherein the quantum dot rod has an organic molecule between the quantum dots. 前記有機分子が、ヨウ化テトラブチルアンモニウム（Tetrabutylammonium iodide(TBAI)）、１，２−エタンジチオール（1,2-Ethanedithiol(EDT)）、トリオクチルホスフィン
（trioctylphosphine(TOP)）、トリオクチルホスフィンオキシド（trioctylphosphine oxide(TOPO)）、オレイン酸、オレイルアミン、オクチルアミン、トリオクチルアミン、ヘ
キサデシルアミン、オクタンチオール、ドデカンチオール、ヘキシルホスホン酸（ＨＰＡ）、テトラデシルホスホン酸（ＴＤＰＡ）、オクチルホスフィン酸（ＯＰＡ）およびポリオキシエチレンの群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項４に記載の光電変換膜。 The organic molecule is tetrabutylammonium iodide (TBAI), 1,2-ethanedithiol (1,2-Ethanedithiol (EDT)), trioctylphosphine (TOP), trioctylphosphine oxide ( trioctylphosphine oxide (TOPO)), oleic acid, oleylamine, octylamine, trioctylamine, hexadecylamine, octanethiol, dodecanethiol, hexylphosphonic acid (HPA), tetradecylphosphonic acid (TDPA), octylphosphinic acid (OPA) And at least one selected from the group consisting of polyoxyethylene and the photoelectric conversion film according to claim 4. ２つの導体層間に光電変換層を備えた太陽電池であって、前記光電変換層が請求項１乃至５のうちいずれかに記載の光電変換膜であることを特徴とする光電変換装置。   A solar cell comprising a photoelectric conversion layer between two conductor layers, wherein the photoelectric conversion layer is the photoelectric conversion film according to any one of claims 1 to 5.
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