JP2017133865A - 電流検出装置、及び電流検出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】外部磁場及び他の電流路を流れる電流による磁界の影響を抑制することができ、広い計測範囲において高精度の検出を小さなスペースで可能とする電流検出装置。【解決手段】電流検出装置は、電流路に流れる電流により発生する磁界の強度を検出する第1及び第2の磁気検出素子と、前記第1及び第2の磁気検出素子の出力差から、対応する電流路を流れる電流の大きさを検出する検出回路を有する。第1の磁気検出素子は、第2の磁気検出素子に比べ前記磁界の強度が大きい位置に設置され、さらに、第1の磁気検出素子は、第2の磁気検出素子に比べ高い磁気感度を持つ。【選択図】図6A
Description
本発明は、磁気検出素子を用いて電流路に流れる電流を検出する電流検出装置、及び電流検出方法に関する。
例えば、ハイブリッド車や電気自動車等におけるモータ駆動技術等の分野では、比較的大きな電流が取り扱われるため、大電流を非接触で測定可能な電流検出装置が要求されている。このような電流検出装置として、磁気検出素子を用い、被測定電流によって生じた磁界の強度を検出して、被測定電流の大きさを検出するものがある。磁気検出素子としては、ホール効果を利用したホール素子や、異方性磁気抵抗効果(AMR:Anisotropic Magneto-Resistive effect)を利用したAMR素子、巨大磁気抵抗効果(GMR:Giant Magneto-Resistive effect)を利用したGMR素子、トンネル磁気抵抗効果(TMR:Tunnel Magneto-Resistive effect)を用いたTMR素子等がある。
ホール素子は電流センサとしては最も広く用いられている磁気検出素子である。ただし、ホール素子は感度が低いため、通常は被測定電流が流れる電流路を囲むように磁性体からなるC型の集磁コアを設置し、集磁コアのギャップ部分の磁束密度が高くなった部分にホール素子を設置して磁界を検知している。一方、GMR素子等のように高感度な素子を用いると、集磁コアを必要としないため、コアのないいわゆるコアレス電流センサを実現することができる。コアレス電流センサは、コアが不要な分、コアを備えた電流センサに比べて小型化が可能という利点がある。その一方で、3相モータの駆動等において複数の電流路に流れる電流を検出する場合、コアレス電流センサは、コアによる集磁を行わないので、他の相の電流路を流れる電流によって発生する磁界の影響を受けやすい。そこで、電流路及び磁気検出素子の配置を工夫して、他の電流路からの影響を低減することが行われている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1では、電流検出装置がハイブリッド車や電気自動車等に用いられる3相モータ駆動回路の電流路の電流値を検出する。
図7は、この3相モータ駆動回路を示す。
図7は、この3相モータ駆動回路を示す。
3相モータ駆動回路は、直流電流71と、インバータ72と、3相(交流)モータ73と、モータ制御部74と、ドライブ回路75と、電流路77a,77b,77cの電流値を検出する電流検出装置76と、を備えている。これらのうちインバータ72はバッテリなどの直流電源から受けた直流電圧をU相、V相、W相の3相の交流電圧に変換し、交流の3相モータを所定の制御回転数で駆動する。
3相モータ73はインバータ72が出力する3相交流電力を受けて駆動され、例えば電気自動車等の駆動源として用いられる。この3相モータには回転数情報をU相、V相、W相ごとに検出する回転角度センサが設けられている。モータ制御部74は回転角度センサによって検出された3相モータの回転数情報、及び前記電流検出装置76を構成する磁束検出素子76a,76b,76cによってU相、V相、W相ごとに検出された電流値に基づきドライブ回路75を制御する。ドライブ回路75はモータ制御部74からの制御出力を受けて、インバータ72を構成するスイッチング素子のスイッチタイミングを制御し、インバータ72出力の各相電流を決定し、3相モータ73を所定の回転数に駆動制御する。
特許文献1に記載の電流検出装置は、電流路及び磁気検出素子の配置に厳格な制限があるため、装置構成に自由度を持たせることが難しく、設置スペースの確保が必要であった。
また、各磁気検出素子が地磁気をはじめとする外部磁場の影響を受けやすく、外部磁場に対する対策が別途必要であった。
本発明は、外部磁場及び他の電流路を流れる電流による磁界の影響を抑制することができ、広い計測範囲で高い検出精度をもつ小型の電流検出装置、及び電流検出方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決することを目的として、並列して設置された複数の電流路と、各電流路に対応して設けられた電流検出部と、を備え、各電流検出部は、対応する電流路に流れる電流により発生する磁界の強度を検出する第1及び第2の磁気検出素子と、第1及び第2の磁気検出素子の出力差から、対応する電流路を流れる電流の大きさを検出する検出回路と、を有し、第1及び第2の磁気検出素子は、感磁軸の方向が、複数の電流路の並列方向となり、不感軸の方向が、複数の電流路の並列方向と直交し、かつ対応する電流路の通電方向とも直交する方向となるように設置され、さらに、前記第1の磁気検出素子は、前記第2の磁気検出素子に比べ前記磁界の強度が大きい位置に設置され、さらに、前記第1の磁気検出素子は、前記第2の磁気検出素子に比べ高い磁気感度を持つ電流検出装置を提供する。
本発明によれば、外部磁場及び他の電流路を流れる電流による磁界の影響を抑制することができ、広い計測範囲で高い検出精度をもつ小型の電流検出装置、及び電流検出方法を提供することが可能となる。
(電流路の構成例)
図1Aは、本発明の一実施の形態に係る電流検出装置の電流路の斜視図である。この構成例は、3本の電流路1,2,3を備えた3相の電流路を示しており、各電流路1,2,3は、3相のU相、V相、又はW相のいずれかに対応している。この構成例では、各電流路1,2,3は、平板状のバスバーであり、3本の電流路1,2,3が、図面の横方向に並列して設置されている。そして、この構成例では、バスバーの幅方向が、電流路1,2,3の並列方向と一致している。
図1Aは、本発明の一実施の形態に係る電流検出装置の電流路の斜視図である。この構成例は、3本の電流路1,2,3を備えた3相の電流路を示しており、各電流路1,2,3は、3相のU相、V相、又はW相のいずれかに対応している。この構成例では、各電流路1,2,3は、平板状のバスバーであり、3本の電流路1,2,3が、図面の横方向に並列して設置されている。そして、この構成例では、バスバーの幅方向が、電流路1,2,3の並列方向と一致している。
各電流路1,2,3のバスバーには、バスバーの上下面を貫通する穴1c,2c,3cが設けられている。なお、この構成例では、穴1c,2c,3cの形状が上から見て長方形であるが、穴の形状はこれに限らず、正方形や四角形の角を丸めたもの、あるいは円又は楕円等であってもよい。
バスバーに穴1c,2c,3cを設けることにより、各電流路1,2,3のバスバーには、穴1c,2c,3cの両側(左右)に、第1の分岐路1a,2a,3a及び第2の分岐路1b,2b,3bが形成されている。図1Bは、図1AのA−A線断面図である。
(電流検出部の構成例)
図2Aは、本発明の他の実施の形態に係る電流検出装置の電流検出部の回路図である。電流検出部10は、第1の磁気検出素子11と、第2の磁気検出素子12と、検出回路13とを含んで構成されている。各磁気検出素子11,12はGMR素子からなり、電流路を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する。検出回路13は、各磁気検出素子11,12の出力差から、電流路を流れる電流の大きさを検出する。この構成例では、各磁気検出素子11,12及び検出回路13が、破線で示す1つのチップ14内に収納されている。
図2Aは、本発明の他の実施の形態に係る電流検出装置の電流検出部の回路図である。電流検出部10は、第1の磁気検出素子11と、第2の磁気検出素子12と、検出回路13とを含んで構成されている。各磁気検出素子11,12はGMR素子からなり、電流路を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する。検出回路13は、各磁気検出素子11,12の出力差から、電流路を流れる電流の大きさを検出する。この構成例では、各磁気検出素子11,12及び検出回路13が、破線で示す1つのチップ14内に収納されている。
GMR素子は、ホール素子に比べて、高感度である。より具体的には、ホール素子の最小磁界検出感度は0.5Oe(空気中での磁束密度に換算して0.05mT)であるのに対し、GMR素子では、0.02Oe(空気中での磁束密度に換算して0.002mT)である。また、GMR素子は、例えばホール素子等の他の磁気検出素子に比べて、応答速度が速い。そして、GMR素子は、例えば磁界の変化を捉えるコイル等とは異なり、磁界そのものを直接検出するため、磁界の微小な変化にも敏感に対応することが可能である。従って、各磁気検出素子11,12としてGMR素子を用いることにより、電流路を流れる電流により発生した磁界の検出精度が向上する。
図2Bは、図2Aの磁気検出素子11,12の配置を示す斜視図である。いま、各磁気検出素子11,12の矢印Dで示す感磁軸の方向をY方向、バイアス軸の方向をX方向、不感軸の方向をZ方向とする。このとき、この構成例では、2つの磁気検出素子11,12が、感磁軸の方向と同じY方向に並べられている。加えて、第1の磁気検出素子11は、第2の磁気検出素子12と比べ電流路を流れる電流により発生した磁界の強度が大きい位置に配置されているものとする。
(電流検出装置の動作)
電流検出部10は、図1Aの各電流路1,2,3にそれぞれ対応して設けられる。そして、各電流検出部10の磁気検出素子11,12は、図1Aの各電流路1,2,3の通電方向において、穴1c,2c,3cが設けられた範囲に設置される。各磁気検出素子11,12は、第1の分岐路1a,2a,3aを流れる電流により発生する磁界と、第2の分岐路1b,2b,3bを流れる電流により発生する磁界との、合成磁界の強度を検出する。
電流検出部10は、図1Aの各電流路1,2,3にそれぞれ対応して設けられる。そして、各電流検出部10の磁気検出素子11,12は、図1Aの各電流路1,2,3の通電方向において、穴1c,2c,3cが設けられた範囲に設置される。各磁気検出素子11,12は、第1の分岐路1a,2a,3aを流れる電流により発生する磁界と、第2の分岐路1b,2b,3bを流れる電流により発生する磁界との、合成磁界の強度を検出する。
図3Aは、各磁気検出素子の出力電圧及びそれらの出力差と、電流路を流れる電流の大きさの関係を示した図であり、横軸を電流の大きさIm、縦軸を出力電圧Vmとしている。GMR素子である磁気検出素子11,12は、電流路を流れる電流により発生した磁界に対し非線形的に出力電圧が変化するため、各磁気検出素子11,12の出力はそれぞれ11V,12Vのようになり、それらの出力差は112Vのようになる。出力差をとると出力値が小さくなることに加え、電流の大きさに対し増減を繰り返す特徴を持つようになるため、対応する電流路に流れる電流の大きさを出力差から検出できる範囲は、0を中心に最小点から最大点までの間に限られる。
ここで、磁気検出素子12のバイアス磁界強度を大きくするまたは磁気検出素子11のバイアス磁界強度を小さくする等により、磁気検出素子11の磁気感度を磁気検出素子12に比べ高くする。磁気検出素子12の感度を低下させる方が望ましい。すると、各磁気検出素子11,12の出力及びそれらの出力差は、それぞれ図3Bの11V’,12V’,112V’のようになり、磁気感度に差を持たなかったV112に比べ出力差を大きくとることができ、計測範囲を広げることができる。
一方、磁気検出素子11と磁気検出素子12の距離を離す等各磁気検出素子の配置を変えて、各磁気検出素子が受ける対応する電流路に流れる電流により発生した磁界の強度差を大きくすることでも同様の効果を得ることができるが、この場合配置スペース上の制約を受けることがある。また、距離を離す場合、各磁気検出素子に加わる外部磁場の強度差が大きくなり、外乱の影響が大きくなる。
また、各磁気検出素子11,12には、外部磁気又は並列された他の電流路を流れる電流による磁界が、ほぼ同じ強さで加わる。各電流検出部10の検出回路13は、各磁気検出素子11,12の出力差から、各電流路1,2,3を流れる電流の大きさを検出するので、外部磁場又は並列された他の電流路を流れる電流による磁界の影響が抑制される。
(電流路を流れる電流により発生する磁界)
図4Aは、電流路を流れる電流により発生する磁界を説明する図である。図4Aは、図1Aの電流路1の第1の分岐路1a及び第2の分岐路1bの断面を示している。電流路1の通電方向をX方向、電流路1,2,3の並列方向をY方向としたとき、第1の分岐路1aを流れる電流及び第2の分岐路1bを流れる電流により、電流路1の周囲には、矢印で示す方向の磁界が発生する。
図4Aは、電流路を流れる電流により発生する磁界を説明する図である。図4Aは、図1Aの電流路1の第1の分岐路1a及び第2の分岐路1bの断面を示している。電流路1の通電方向をX方向、電流路1,2,3の並列方向をY方向としたとき、第1の分岐路1aを流れる電流及び第2の分岐路1bを流れる電流により、電流路1の周囲には、矢印で示す方向の磁界が発生する。
図4Bは、磁界の強度と穴の中心点からの距離との関係を示す図である。図4Bの横軸は、第1の分岐路1aと第2の分岐路1bとの中間点、即ち、バスバーに設けた穴1cの中心点hcからの、Y方向の距離を示している。また、図4Bの縦軸は、穴1cの中心点hcを通り、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)と平行で、かつ電流路1の通電方向(X方向)とも平行な第1の面P1から、Z方向に所定の距離だけ離れた位置における、第1の分岐路1aを流れる電流により発生する磁界と、第2の分岐路1bを流れる電流により発生する磁界との、合成磁界BmのY方向の強度を示している。
第1の面P1からのZ方向の距離が十分小さければ、合成磁界BmのY方向の強度は、第1の分岐路1aの中心を通る位置Pa、及び第2の分岐路1bの中心を通る位置Pbで最大となる。穴1cの中心点hcの位置では、第1の分岐路1aを流れる電流により発生する磁界と、第2の分岐路1bを流れる電流により発生する磁界とが打ち消し合って、合成磁界BmのY方向の強度は最小となる。
(磁気検出素子の設置範囲)
図5は、第1及び第2の磁気検出素子の設置範囲を示す図である。図6には、電流路1,2,3の通電方向をX方向、電流路1,2,3の並列方向をY方向としたとき、図1Aの電流路1の第1の分岐路1a及び第2の分岐路1bに対して、各磁気検出素子11,12の設置範囲20が、破線で示されている。また、穴1cの中心点hcを通り、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)と平行で、かつ電流路1の通電方向(X方向)とも平行な第1の面P1と、穴1cの中心点hcを通り、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)と直交する第2の面P2とが、破線で示されている。第1の面P1は、穴1cの中心点hcを含み、X方向及びY方向へ広がる平面である。第2の面P2は、穴1cの中心点hcを含み、X方向及びZ方向へ広がる平面である。
図5は、第1及び第2の磁気検出素子の設置範囲を示す図である。図6には、電流路1,2,3の通電方向をX方向、電流路1,2,3の並列方向をY方向としたとき、図1Aの電流路1の第1の分岐路1a及び第2の分岐路1bに対して、各磁気検出素子11,12の設置範囲20が、破線で示されている。また、穴1cの中心点hcを通り、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)と平行で、かつ電流路1の通電方向(X方向)とも平行な第1の面P1と、穴1cの中心点hcを通り、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)と直交する第2の面P2とが、破線で示されている。第1の面P1は、穴1cの中心点hcを含み、X方向及びY方向へ広がる平面である。第2の面P2は、穴1cの中心点hcを含み、X方向及びZ方向へ広がる平面である。
各磁気検出素子11,12の設置範囲20は、設置作業が容易となるように、穴1cの中心点hcに対して、上下対称及び左右対称とする。そして、電流路1を構成するバスバーの幅をw0とし、穴1cの幅をwhとしたとき、設置範囲20のバスバーの幅方向(Y方向)の寸法を、(w0+wh)/2とする。従って、各磁気検出素子11,12は、穴1cの中心点hcからバスバーの幅方向(Y方向)に、±(w0+wh)/4以内の範囲に設置される。
図4Bにおいて、Y方向に−(w0+wh)/4の位置は、第1の分岐路1aの中心を通る位置Paである。また、Y方向に+(w0+wh)/4の位置は、第2の分岐路1bの中心を通る位置Pbである。従って、合成磁界BmのY方向の強度が最大となる位置Paと、合成磁界BmのY方向の強度が最大となる位置Pbとの間で、検出が行われる。
一方、設置範囲20の、バスバーの幅方向(Y方向)と直交し、通電方向(X方向)とも直交する方向(Z方向)の寸法は、合成磁界BmのY方向の強度が、Z方向の距離の変化に応じてほぼ直線的に変化する範囲とする。ただし、第1の面P1上では、第1の分岐路1aを流れる電流により発生する磁界も、第2の分岐路1bを流れる電流により発生する磁界も、Y方向の成分がなく、合成磁界BmのY方向の強度が0となるので、磁気検出素子11及び磁気検出素子12の少なくとも一方は、第1の面P1上を除いた位置とする。図5の例では、Z方向の寸法を、Y方向と同じ、(w0+wh)/2としている。
(実施の形態)
図6Aは、本発明の形態に係る電流検出装置を示す図である。本実施の形態は、図1Aの電流路1,2,3と、図2Aの電流検出部10とを組み合わせた例を示している。図6Aには、電流路1,2,3の通電方向をX方向、電流路1,2,3の並列方向をY方向としたときの、電流路1,2,3の第1の分岐路1a,2a,3aの断面形状、及び第2の分岐路1b,2b,3bの断面形状が示されている。また、電流検出部10は、各磁気検出素子11,12の側面のみが、黒塗りの四角形で示されている。
図6Aは、本発明の形態に係る電流検出装置を示す図である。本実施の形態は、図1Aの電流路1,2,3と、図2Aの電流検出部10とを組み合わせた例を示している。図6Aには、電流路1,2,3の通電方向をX方向、電流路1,2,3の並列方向をY方向としたときの、電流路1,2,3の第1の分岐路1a,2a,3aの断面形状、及び第2の分岐路1b,2b,3bの断面形状が示されている。また、電流検出部10は、各磁気検出素子11,12の側面のみが、黒塗りの四角形で示されている。
図6Bは、図6Aの電流路1の斜視図である。電流路2,3も、電流路1と同様の構成である。各磁気検出素子11,12は、矢印で示す感磁軸の方向が、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)となり、不感軸の方向が、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)と直交し、かつ電流路1の通電方向(X方向)とも直交する方向(Z方向)となるように設置されている。従って、各磁気検出素子11,12は、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)における、合成磁界Bmの強度の変化を検出することが可能となる。
そして、本実施の形態では、第1の磁気検出素子11と第2の磁気検出素子12とが、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)において異なる位置に配置されており、加えて第1の磁気検出素子11は、第2の磁気検出素子12と比べ電流路を流れる電流により発生した磁界の強度が大きい位置に配置されている。図4Bに示すように、Y方向の位置が異なると、合成磁界BmのY方向の強度が変化する。
さらに、本実施の形態では、第1の磁気検出素子11と第2の磁気検出素子12とが、第1の分岐路1aと第2の分岐路1bとの中間点(穴1cの中心点hc)を含む第2の面P2に対し、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)の同じ側に配置されている。なお、図6A及び図6Bでは、第1の磁気検出素子11と第2の磁気検出素子12とが、第2の面P2に対し、図面左側に配置されているが、第1の磁気検出素子11と第2の磁気検出素子12とを、第2の面P2に対し、図面右側に配置してもよい。これにより、図4Bにおいて、合成磁界BmのY方向の強度が、増減を繰り返さずに、単調に増加又は減少する範囲で検出が行われ、各磁気検出素子11,12の出力差が得られる。また、本実施の形態では、図6Aの断面視において、第1の磁気検出素子11及び第2の磁気検出素子12は、その少なくとも一部が穴1cに収容されて配置されている。
(実施形態の作用及び効果)
以上説明した実施の形態によれば、以下のような作用及び効果が得られる。
以上説明した実施の形態によれば、以下のような作用及び効果が得られる。
(1)第1の磁気検出素子11及び第2の磁気検出素子12は、感磁軸の方向が、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)となり、不感軸の方向が、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)と直行し、かつ電流路1,2,3の通電方向(X方向)とも直交する方向(Z方向)となるように設置されている。従って、各磁気検出素子11,12は、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)における、合成磁界Bmの強度の変化を検出することが可能となる。そして、第1の磁気検出素子11と第2の磁気検出素子12とが、合成磁界Bmの強度が異なる位置に設置されており、各磁気検出素子11,12の出力差から、各電流路1,2,3を流れる電流の大きさを検出するので、外部磁場又は並列された他の電流路を流れる電流による磁界の影響が抑制される。
(2)第1の磁気検出素子11が、第2の磁気検出素子12と比べ電流路を流れる電流により発生した磁界の強度が大きい位置に配置されている構成において、第1の磁気検出素子11の磁気感度が第2の磁気検出素子12に比べ高いため、出力差を大きくとることができ、広い計測範囲をもつ。
(3)上記(2)において、第1の磁気検出素子11と第2の磁気検出素子12との対応する電流路を流れる電流による磁界の強度の差を大きくする必要がないため、配置スペースを小さくすることができる。
(4)各電流路1,2,3は、平板状のバスバーであり、バスバーに穴1c,2c,3cを設けて、穴1c,2c,3cの両側に、第1の分岐路1a,2a,3a及び第2の分岐路1b、2b、3bが形成されているので、簡単な構成で、合成磁界Bmの強度分布に大きな強度差が生じる。
(5)上記(4)において、バスバーの幅をw0とし、穴1c,2c,3cの幅をwhとしたとき、第1の磁気検出素子11及び第2の磁気検出素子12は、穴1c,2c,3cの中心点hcからバスバーの幅方向に、±(w0+wh)/4以内の範囲に設置されているので、合成磁界BmのY方向の強度が最大となる第1の分岐路1a,2a,3aの中心と、合成磁界BmのY方向の強度が最大となる第2の分岐路1b,2b,3bの中心との間で検出を行うことができる。
(6)第1の磁気検出素子11と第2の磁気検出素子12とが、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)において異なる位置に配置された構成において、第2の磁気検出素子11は、第1の分岐路1a,2a,3aと第2の分岐路1b,2b,3bとの中間点に配置されているので、限られた配置スペースで、磁気検出素子11,12間での出力差を、より多く得ることができる。
(7)第1の磁気検出素子11と第2の磁気検出素子12とが、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)において異なる位置に配置された構成において、第1の磁気検出素子11と第2の磁気検出素子12とが、第1の分岐路1a,2a,3aと第2の分岐路1b,2b,3bとの中間点に対し、電流路1,2,3の並列方向(Y方向)の同じ側に配置されているので、各磁気検出素子11,12の出力差を確実に得ることが可能となる。
(変形例)
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。
本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、各電流路は、平板状のバスバーであり、バスバーに穴を設けて、穴の両側に第1及び第2の分岐路が形成されているが、各電流路は、例えばより線であり、より線の途中を2つの束に分けて、第1及び第2の分岐路を形成してもよい。
また、上記実施の形態では、各磁気検出素子11,12としてGMR素子を使用しているが、他の磁気検出素子、例えばホール素子、AMR素子、TMR素子等を組み合わせて用いてもよい。
磁気検出素子11の磁気感度を磁気検出素子12に比べ高くする手段は限定していない。例えば、GMR素子の場合、磁気検出素子12のバイアス磁界強度を磁気検出素子11バイアス磁界強度比べ大きくすること等で可能である。
1,2,3…電流路
1a,2a,3a…第1の分岐路
1b,2b,3b…第2の分岐路
1c,2c,3c…穴
10…電流検出部
11…第1の磁気検出素子
12…第2の磁気検出素子
11V,11V’…第1の磁気検出素子の出力
12V,12V’…第2の磁気検出素子の出力
112V,112V’…第1の磁気検出素子と第2の磁気検出素子の出力差
13…検出回路
14…チップ
20…第1及び第2の磁気検出素子の設置範囲
1a,2a,3a…第1の分岐路
1b,2b,3b…第2の分岐路
1c,2c,3c…穴
10…電流検出部
11…第1の磁気検出素子
12…第2の磁気検出素子
11V,11V’…第1の磁気検出素子の出力
12V,12V’…第2の磁気検出素子の出力
112V,112V’…第1の磁気検出素子と第2の磁気検出素子の出力差
13…検出回路
14…チップ
20…第1及び第2の磁気検出素子の設置範囲
Claims (6)
- 並列して設置された複数の電流路と、
各電流路に対応して設けられた電流検出部と、を備え、
各電流検出部は、対応する電流路に流れる電流により発生する磁界の強度を検出する第1及び第2の磁気検出素子と、
前記第1及び第2の磁気検出素子の出力差から対応する電流路を流れる電流の大きさを検出する検出回路と、を有し、
前記第1及び第2の磁気検出素子は、
感磁軸の方向が、前記複数の電流路の並列方向となり、不感軸の方向が、前記複数の電流路の並列方向と直交し、かつ対応する電流路の通電方向とも直交する方向に設置し、
前記第1の磁気検出素子が、前記第2の磁気検出素子に比べ、磁界の強度が大きい位置に設置され、
前記第1の磁気検出素子は、前記第2の磁気検出素子に比べ高い磁気感度を持つ電流検出装置。 - 前記各電流路には、穴が形成されており、当該穴の両側に、第1及び第2の分岐路を有する、請求項1に記載の電流検出装置。
- 前記第1の磁気検出素子及び前記第2の磁気検出素子は、前記穴内に配置される、請求項2に記載の電流検出装置。
- 前記第1の磁気検出素子と前記第2の磁気検出素子とは、前記複数の電流路の配列方向に並列して前記穴内に配置される、請求項3に記載の電流検出装置。
- 前記第1磁気検出素子は、前記第2磁気検出素子よりも前記第1又は第2の分岐路に近い位置に配置される、請求項4に記載の電流検出装置。
- 前記第2の磁気検出素子を、前記第1の分岐路と前記第2の分岐路との中間点に配置する、請求項1〜5の何れかに記載の電流検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016011892A JP2017133865A (ja) | 2016-01-25 | 2016-01-25 | 電流検出装置、及び電流検出方法 |
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JP2017133865A true JP2017133865A (ja) | 2017-08-03 |
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ID=59504328
Family Applications (1)
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JP2016011892A Pending JP2017133865A (ja) | 2016-01-25 | 2016-01-25 | 電流検出装置、及び電流検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2017133865A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022249836A1 (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
-
2016
- 2016-01-25 JP JP2016011892A patent/JP2017133865A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022249836A1 (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP7472853B2 (ja) | 2021-05-27 | 2024-04-23 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
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