JP2017105675A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
2 シリコン融液
3 シリコン単結晶
3a シリコン単結晶のネック部
3b シリコン単結晶のショルダー部
3c シリコン単結晶のボディー部
3c1 第1の製品領域
3c2 第2の製品領域
3d テール部
10 チャンバ
11 石英ルツボ
12 サセプタ
13 ヒーター
14 ワイヤ
15 ワイヤ巻き取り機構
16 シードチャック
17 シャフト
18 シャフト駆動機構
Claims (7)
- 窒素がドープされたシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
シリコン単結晶のトップ側に位置する第1の製品領域を育成する工程と、
前記第1の製品領域よりも前記シリコン単結晶のボトム側に位置し、前記第1の製品領域とはBMD密度の製造仕様が異なる第2の製品領域を育成する工程とを含み、
前記第2の製品領域におけるBMD密度の製造仕様の上限値および下限値は、前記第1の製品領域におけるBMD密度の製造仕様の上限値および下限値よりもそれぞれ大きく、
前記第1の製品領域を育成する工程では、前記第1の製品領域におけるBMD密度の製造仕様の範囲内に収まるように、前記シリコン単結晶中の酸素濃度を制御し、
前記第2の製品領域を育成する工程では、前記第2の製品領域におけるBMD密度の製造仕様の範囲内に収まるように、前記シリコン単結晶中の酸素濃度を制御することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 前記第2の製品領域におけるBMD密度の製造仕様の下限値は、前記第1の製品領域におけるBMD密度の製造仕様の中央値以上である、請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記第2の製品領域におけるBMD密度の製造仕様の下限値は、前記第1の製品領域におけるBMD密度の製造仕様の上限値以上である、請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記第2の製品領域における酸素濃度の下限値は、前記第1の製品領域における酸素濃度の上限値以上である、請求項1ないし3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記酸素濃度の制御では、前記シリコン融液を支持する石英ルツボの回転速度、前記シリコン融液を加熱するヒーターのパワー、炉内雰囲気圧の少なくともいずれか1つを調整する、請求項1ないし4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記第2の製品領域を育成する工程において、窒素の偏析現象により前記シリコン単結晶中に取り込まれる窒素濃度の増大に伴い結晶成長方向に形成されるBMD密度の増加を抑制するように、前記シリコン単結晶中の酸素濃度を低下させる、請求項1ないし5のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記第1の製品領域の育成後に前記石英ルツボの回転速度を増大させて前記シリコン融液中の酸素濃度を一旦上昇させた後、前記第2の製品領域を育成する、請求項1ないし6のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
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