JP2017084958A - 半導体装置の評価装置及び評価方法 - Google Patents
半導体装置の評価装置及び評価方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】複数の半導体装置3が形成されたウエハ2をチャックステージ1が固定する。絶縁基板5にプローブ4が固定されている。評価部10がプローブ4を介して半導体装置3に電流を流して半導体装置3の電気特性を評価する。半導体装置3のインク打点の有無を検出するインク打点検出部13が絶縁基板5に設けられている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の評価装置を示す図である。チャックステージ1がウエハ2を固定する。ウエハ2には、評価対象である複数の半導体装置3が形成されている。チャックステージ1は、ウエハ2の設置面(裏面)と接触してウエハ2を固定する台座である。ウエハ2を固定する手段は例えば真空吸着であるが、これに限るものではなく静電吸着等でもよい。
図7は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の評価装置を示す図である。実施の形態1ではインク打点検出部である画像処理用カメラ13が評価時にプローブ4が接触する半導体装置3に対向していたが、本実施の形態では画像処理用カメラ13は評価時にプローブ4が接触する半導体装置に隣接する半導体装置に対向する。即ち、画像処理用カメラ13はプローブ4に対して1つの半導体装置分だけ横方向にずらして配置されている。これにより、次に評価の対象となる半導体装置3のインク打点の有無を事前に検出することができるため、工程を短縮できる。
図8は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の評価装置を示す図である。実施の形態1,2では非接触でインク打点の検出を行うため、インク打点検出部をプローブ4の先端よりZ方向に凹ませてインク打点や半導体装置表面との接触を避けていた。これに対して、本実施の形態では、インク打点検出部として、半導体装置3に対向する接触センサ17を用いる。接触センサ17は、プローブ4の先端よりZ軸下方向に突出している。
図9は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置の評価装置を示す図である。複数のインク打点検出部18を設けている。これにより、例えば、評価対象の半導体装置だけでなく、一つ評価前の半導体装置についてもインク打点の有無の検出を実施する。複数回検出を行うことにより誤検出の抑制が可能となる。複数のインク打点検出部18は上述のカメラ又はセンサ等であるが、同一の種類に限らず、異なる種類のものでもよい。
Claims (16)
- 複数の半導体装置が形成されたウエハを固定するチャックステージと、
絶縁基板と、
前記絶縁基板に固定されたプローブと、
前記プローブを介して前記半導体装置に電流を流して前記半導体装置の電気特性を評価する評価部と、
前記絶縁基板に設けられ、前記半導体装置のインク打点の有無を検出するインク打点検出部とを備えることを特徴とする半導体装置の評価装置。 - 前記インク打点検出部は、評価時に前記プローブが接触する半導体装置に対向することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記インク打点検出部は、評価時に前記プローブが接触する前記半導体装置に隣接する半導体装置に対向することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記インク打点検出部は、評価時に前記プローブが接触する半導体装置と、その半導体装置に隣接する半導体装置の両方に対向することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記インク打点検出部は、前記絶縁基板に対して位置を変えることができることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記インク打点検出部は、前記絶縁基板に対して角度を変えることができることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記インク打点検出部は、前記半導体装置の表面を撮影する画像処理用カメラと、前記画像処理用カメラが撮影した画像を画像処理する画像処理部とを有することを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記インク打点検出部は、前記半導体装置の表面までの距離を計測する光学式距離センサを有することを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記インク打点検出部は、前記半導体装置の表面までの距離を計測する距離検出用カメラを有することを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記インク打点検出部は、放射率を固定した放射温度計を有することを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記インク打点検出部は、接触センサを有することを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の半導体装置の評価装置。
- 絶縁基板に設けられたインク打点検出部を用いて、ウエハに形成された複数の半導体装置のインク打点の有無を検出する工程と、
前記絶縁基板に固定されたプローブを用いて、前記インク打点が無い半導体装置の電気特性を評価する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の評価方法。 - 前記複数の半導体装置の全てについてインク打点の有無と位置情報を検出した後に、前記インク打点が無い半導体装置の電気特性を評価することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の評価方法。
- 前記位置情報として前記ウエハの中心からの前記半導体装置の距離を検出することを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の評価方法。
- 各半導体装置について1つずつ前記インク打点の有無の検出と前記電気特性の評価を連続して実施することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の評価方法。
- 評価対象の半導体装置だけでなく、一つ評価前の半導体装置についても前記インク打点の有無の検出を実施することを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の評価方法。
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JP2019086491A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-06 | 三菱電機株式会社 | 導通検査用治具 |
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2015
- 2015-10-28 JP JP2015211595A patent/JP6424794B2/ja active Active
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