JP2017069231A - Mos型電界効果トランジスタ、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器 - Google Patents
Mos型電界効果トランジスタ、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017069231A JP2017069231A JP2015189169A JP2015189169A JP2017069231A JP 2017069231 A JP2017069231 A JP 2017069231A JP 2015189169 A JP2015189169 A JP 2015189169A JP 2015189169 A JP2015189169 A JP 2015189169A JP 2017069231 A JP2017069231 A JP 2017069231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- element isolation
- electrode
- channel
- active region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 75
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 30
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 133
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 60
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 33
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 33
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 109
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 12
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
- H01L29/4238—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the surface lay-out
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
- H01L29/42368—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity the thickness being non-uniform
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】製造コストを増加させることなく、RTSノイズの低減を可能にしたMOS型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】本開示のMOS型電界効果トランジスタは、活性領域を画定する素子分離領域と、活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を有し、ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する。【選択図】 図1
Description
本開示は、MOS型電界効果トランジスタ、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器に関する。
MOS(metal-oxide-semiconductor)型電界効果トランジスタ(field-effect transistor:FET)から構成される半導体集積回路において、MOSFETのランダムテレグラフシグナルノイズ(Random Telegraph Signal:以下、「RTSノイズ」と記述する)が問題となっている。MOS型電界効果トランジスタを用いて構成される半導体集積回路として、例えば、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型固体撮像素子が知られている。より具体的には、画素から読み出されたアナログの画素信号を、例えば画素列毎にAD変換する列並列型AD変換部を有するCMOS型固体撮像素子(例えば、特許文献1参照)において、AD変換部を構成する比較器にMOS型電界効果トランジスタが用いられている。
CMOS型固体撮像素子の画質の良し悪しを示す指標として、センシングした画像の時間的なチラつきがある。画像の時間的なチラつきは、各画素から検出した信号レベルが時間的にランダムに揺らぐために起こる。その原因として、例えば、AD変換部を構成する比較器に用いられるMOS型電界効果トランジスタからRTSノイズが発生した場合に、センシングした画像を著しくチラつかせることがわかっている。この画像のチラつきを低減するには、ノイズ源となるMOS型電界効果トランジスタから発生するRTSノイズを低減する必要がある。
このMOS型電界効果トランジスタから発生するRTSノイズを低減するために、従来は、半導体集積回路中のノイズ源となるMOSFETを、埋め込みチャネル型のMOS型電界効果トランジスタで構成する手法が採られていた(例えば、特許文献2参照)。
しかしながら、特許文献2に記載の従来技術の場合、埋め込みチャネル型のMOS型電界効果トランジスタを、一般的な表面チャネル型のMOS型電界効果トランジスタと同一の半導体基板上に混載させる構成を採ることになる。従って、埋め込みチャネル型のMOS型電界効果トランジスタを形成するための製造プロセス工程を増やす必要があるため、CMOS型固体撮像素子等の半導体集積回路の製造コストを増加させることになる。
そこで、本開示は、製造コストを増加させることなく、RTSノイズの低減を可能にしたMOS型電界効果トランジスタ、当該MOS型電界効果トランジスタを用いる半導体集積回路及び固体撮像素子、並びに、当該固体撮像素子を有する電子機器を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するための本開示のMOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する。
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する。
上記の目的を達成するための本開示の半導体集積回路は、
MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、
MOS型電界効果トランジスタとして、上記の構成のMOS型電界効果トランジスタを用いる。
MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、
MOS型電界効果トランジスタとして、上記の構成のMOS型電界効果トランジスタを用いる。
上記の目的を達成するための本開示の固体撮像素子は、
光電変換素子を含む画素が行列状に配置されて成る画素アレイ部と、
MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、画素から読み出される信号を処理する回路部と、
を備え、
MOS型電界効果トランジスタとして、上記の構成のMOS型電界効果トランジスタを用いる。
光電変換素子を含む画素が行列状に配置されて成る画素アレイ部と、
MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、画素から読み出される信号を処理する回路部と、
を備え、
MOS型電界効果トランジスタとして、上記の構成のMOS型電界効果トランジスタを用いる。
上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、
撮像部として、
光電変換素子を含む画素が行列状に配置されて成る画素アレイ部と、
MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、画素から読み出される信号を処理する回路部と、
を備える固体撮像素子を搭載しており、
MOS型電界効果トランジスタとして、上記の構成のMOS型電界効果トランジスタを用いる。
撮像部として、
光電変換素子を含む画素が行列状に配置されて成る画素アレイ部と、
MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、画素から読み出される信号を処理する回路部と、
を備える固体撮像素子を搭載しており、
MOS型電界効果トランジスタとして、上記の構成のMOS型電界効果トランジスタを用いる。
MOS型電界効果トランジスタにおいて、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅いと、オン電流(ドレイン電流)は、その大部分がチャネル中心部を流れるようになり、素子分離領域の端部周辺にはほとんど流れない。これにより、素子分離領域の端部に存在するRTSノイズの原因となるトラップへのキャリアの捕獲/放出が起こりにくい状態となる。従って、埋め込みチャネル型のMOS型電界効果トランジスタを作り込まなくても、RTSノイズの発生を抑制することができる。
本開示によれば、埋め込みチャネル型のMOS型電界効果トランジスタを作り込まなくても、RTSノイズの発生を抑制することができるため、製造コストを増加させることなく、RTSノイズを低減できる。
尚、ここに記載された効果に必ずしも限定されるものではなく、本明細書中に記載されたいずれかの効果であってもよい。また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、これに限定されるものではなく、また付加的な効果があってもよい。
以下、本開示の技術を実施するための形態(以下、「実施形態」と記述する)について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
1.本開示のMOS型電界効果トランジスタ、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器、全般に関する説明
2.MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)
2−1.実施例1(N型MOSFETの例)
2−2.実施例2(実施例1の変形例)
2−3.実施例3(実施例1の変形例)
2−4.実施例4(実施例3の変形例)
2−5.実施例5(実施例3の変形例)
2−6.実施例6(実施例3及び実施例4の変形例)
2−7.実施例7(ゲート電極の形状が平面視で矩形形状の例)
2−8.実施例8(P型MOSFETの例)
3.半導体集積回路
4.固体撮像素子(CMOSイメージセンサの例)
4−1.システム構成
4−2.画素構成
4−3.適用例1
4−4.適用例2
5.電子機器(撮像装置の例)
1.本開示のMOS型電界効果トランジスタ、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器、全般に関する説明
2.MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)
2−1.実施例1(N型MOSFETの例)
2−2.実施例2(実施例1の変形例)
2−3.実施例3(実施例1の変形例)
2−4.実施例4(実施例3の変形例)
2−5.実施例5(実施例3の変形例)
2−6.実施例6(実施例3及び実施例4の変形例)
2−7.実施例7(ゲート電極の形状が平面視で矩形形状の例)
2−8.実施例8(P型MOSFETの例)
3.半導体集積回路
4.固体撮像素子(CMOSイメージセンサの例)
4−1.システム構成
4−2.画素構成
4−3.適用例1
4−4.適用例2
5.電子機器(撮像装置の例)
<本開示のMOS型電界効果トランジスタ、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器、全般に関する説明>
本開示のMOS型電界効果トランジスタ(以下、「MOSFET」と記述する)、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器にあっては、ゲート電極について、素子分離領域と活性領域との境界部のゲート長方向の長さが、チャネル中心部のゲート長方向の長さよりも長い構成とすることができる。また、ゲート絶縁膜について、素子分離領域と活性領域との境界部の膜厚が、チャネル中心部の膜厚よりも厚い構成とすることができる。
本開示のMOS型電界効果トランジスタ(以下、「MOSFET」と記述する)、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器にあっては、ゲート電極について、素子分離領域と活性領域との境界部のゲート長方向の長さが、チャネル中心部のゲート長方向の長さよりも長い構成とすることができる。また、ゲート絶縁膜について、素子分離領域と活性領域との境界部の膜厚が、チャネル中心部の膜厚よりも厚い構成とすることができる。
上述した好ましい構成を含む本開示のMOSFET、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器にあっては、ゲート電極について、活性領域の中央部のチャネル領域上に配置された第1電極領域と、当該第1電極領域と接続され、素子分離領域と活性領域の境界上に沿って配置された第2電極領域とから成る構成とすることができる。このとき、第2電極領域について、素子分離領域のゲート長方向の端部で、ソース領域及びドレイン領域のコンタクト部と対向する部位を除いて、素子分離領域と活性領域との境界に沿って配置され、素子分離領域の一部及び活性領域の一部を覆う構成とすることができる。また、ソース領域及びドレイン領域の各々に、コンタクト部を複数個配置する構成とすることができる。
更に、上述した好ましい構成を含む本開示のMOSFET、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器にあっては、ゲート電極の第2電極領域について、ソース領域側にのみ、もしくは、ドレイン領域側にのみ素子分離領域と活性領域の境界上に沿って配置され、素子分離領域及び活性領域の一部を覆う構成とすることができる。また、ゲート絶縁膜について、チャネル幅方向の両端部に位置する素子分離領域と活性領域との境界に沿って設けられ、素子分離領域の一部及び活性領域の一部に対応する領域が厚膜化された2つの厚膜領域を有する構成とすることができる。また、2つの厚膜領域について、チャネル中心部側に突出した突出領域を有する構成とすることができる。
更に、上述した好ましい構成を含む本開示のMOSFET、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器にあっては、ゲート電極について、平面視で矩形の電極形状を有する構成とすることができる。このとき、ゲート絶縁膜については、チャネル幅方向の両端部に位置する素子分離領域と活性領域との境界に沿って設けられ、素子分離領域の一部及び活性領域の一部に対応する領域が厚膜化された2つの厚膜領域と、チャネル中心部において2つの厚膜領域間を繋ぐ厚膜の連結領域とを有する構成とすることができる。
また、上述した好ましい構成を含む本開示の固体撮像素子にあっては、回路部が、画素アレイ部の各画素から画素列毎に読み出される信号を基準信号と比較する比較器を含むAD変換器を有する信号処理部から成るとき、比較器について、本開示のMOSFET、即ち素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状のゲート電極を有するMOSFETを用いる構成とすることができる。また、単位画素を構成する、光電変換素子で光電変換された電荷に基づく信号を増幅する増幅トランジスタについて、本開示のMOSFET、即ち素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状のゲート電極を有するMOSFETを用いる構成とすることができる。
<MOS型電界効果トランジスタ>
[実施例1]
実施例1では、N型MOSFETに適用した場合を例に挙げている。実施例1に係るMOSFETの概略平面図を図1に示す。また、図1のA−A’線に沿った断面図を図2Aに示し、図1のB−B’線に沿った断面図を図2Bに示す。
[実施例1]
実施例1では、N型MOSFETに適用した場合を例に挙げている。実施例1に係るMOSFETの概略平面図を図1に示す。また、図1のA−A’線に沿った断面図を図2Aに示し、図1のB−B’線に沿った断面図を図2Bに示す。
MOSFET1は、素子分離領域(Shallow Trench Isolation:STI)11、ソース領域12、ドレイン領域13、ゲート絶縁膜14、及び、ゲート電極15を有する。素子分離領域11は、絶縁膜が埋め込まれて形成されており、ドレイン電流が流れる不純物原子が注入された活性領域16を画定する。活性領域16は、P型ウェル(PWL)から成る。尚、図1では、素子分離領域11の図示を省略している。ソース領域12及びドレイン領域13は、活性領域16にN+拡散層によって形成され、コンタクト部17,18を介して図示せぬ配線(ソース電極、ドレイン電極)に電気的に接続される。
ゲート絶縁膜14は、ソース領域12とドレイン領域13との間のチャネル領域19上に設けられており、素子分離領域11と活性領域16との境界部に設けられた厚膜領域14Aと、チャネル中心部に設けられた薄膜領域14Bとを有する。すなわち、ゲート絶縁膜14は、素子分離領域11と活性領域16との境界部の膜厚が、チャネル中心部の膜厚よりも厚い構成となっている。
ゲート電極15は、N型電極から成り、ゲート絶縁膜14上に設けられている。このゲート電極15は、その平面形状がゲート長方向及びゲート幅方向において対称性を持っている。そして、ゲート電極15は、図1に示すように、素子分離領域11と活性領域16との境界部のゲート長方向の長さが、チャネル中心部のゲート長方向の長さよりも長い、即ちゲート長方向の長さがゲート幅方向に対して不連続な電極構造となっている。より具体的には、ゲート電極15は、ゲート長方向の長さが長い電極領域15Aと短い電極領域15Bとから成る。
ここで、上記の構成のMOSFET1の各部の寸法の一例について、図3A、図3Bを用いて説明する。図3Aは、実施例1に係るMOSFETの平面形状における各部の寸法の一例を示す図であり、図3Bは、実施例1に係るMOSFET断面形状における各部の寸法の一例を示す図である。
ゲート電極15において、ゲート長方向の長さが長い電極領域15Aと短い電極領域15Bとの寸法差をα1とし、長い電極領域15Aの内側の辺と活性領域16の外側の辺との間の寸法をα2とするとき、α1及びα2は共に0.05[um]以上であることが好ましい。また、ゲート絶縁膜14において、厚膜領域14Aの内側の辺と活性領域16の外側の辺との間の寸法をβ1とし、厚膜領域14Aの端とゲート電極15の長い電極領域15Aの端との間の寸法をβ2とするとき、β1及びβ2は共に0.05[um]以上であることが好ましい。更に、ゲート絶縁膜14の素子分離領域11と活性領域16との境界部の厚膜領域14Aの膜厚をT1とし、チャネル中心部の薄膜領域14Bの膜厚をT2とするとき、T1−T2は1[nm]以上であることが好ましい。
上述したように、実施例1に係るMOSFET1は、ゲート電極15の素子分離領域11と活性領域16との境界部のゲート長方向の長さが、チャネル中心部のゲート長方向の長さよりも長い電極構造となっている。また、ゲート絶縁膜14の素子分離領域11と活性領域16との境界部の膜厚が、チャネル中心部の膜厚よりも厚い構造となっている。実施例1の電極構造におけるMOSFET1のオン状態のとき(チャネルが反転状態のとき)のチャネルのポテンシャルプロファイルを模式的な断面図にて図4Aに示す。
図4Aに示すように、実施例1の電極構造では、素子分離領域11の端部近傍の閾値電圧が高く、ポテンシャルが浅くなり、かつ、チャネル中心部に至ってはポテンシャルが深くなる。換言すれば、実施例1の電極構造は、ゲート電極15が、素子分離領域11と活性領域16との境界部のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する電極構造となっている。
このように、素子分離領域11と活性領域16との境界部のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅いと、MOSFET1のオン電流(ドレイン電流)は、大部分がチャネル中心部を流れるようになり、素子分離領域11の端部周辺にはほとんど流れない。すなわち、ゲート電極15のゲート長方向の長さが短い電極領域15Bであるチャネル中心部にドレイン電流密度が集中する。これにより、素子分離領域11の端部に存在するRTSノイズの原因となるトラップへのキャリアの捕獲/放出が起こりにくい状態となり、RTSノイズの発生を抑制することができるため、RTSノイズを低減することができる。
因みに、実施例1の電極構造を採らないMOSFETにあっては、図4Bに示すように、RTSノイズの原因となるキャリアを時間的に捕獲及び放出する界面準位は、素子分離領域11と活性領域16との境界付近のシリコン表面に集中している。
[実施例2]
実施例2は、実施例1の変形例である。実施例2では、ゲート絶縁膜14の膜厚が、素子分離領域11と活性領域16との境界部とチャネル中心部とで同じ膜厚となっている。実施例2に係るMOSFET(その1)の概略平面図を図5Aに示し、実施例2に係るMOSFET(その2)の概略平面図を図5Bに示す。
実施例2は、実施例1の変形例である。実施例2では、ゲート絶縁膜14の膜厚が、素子分離領域11と活性領域16との境界部とチャネル中心部とで同じ膜厚となっている。実施例2に係るMOSFET(その1)の概略平面図を図5Aに示し、実施例2に係るMOSFET(その2)の概略平面図を図5Bに示す。
実施例2のゲート電極15は、その平面形状ゲート長方向及びゲート幅方向において対称性を持っている。そして、実施例2のゲート電極15は、素子分離領域11と活性領域16との境界部のゲート長方向の長さが、チャネル中心部のゲート長方向の長さよりも長い、即ちゲート長方向の長さがゲート幅方向に対して不連続な電極構造である点で、実施例1と同じである。
図5Aに示す実施例2に係るMOSFET(その1)では、ゲート電極15の長い電極領域15Aの端部が、実施例1と同様に矩形状になっている。このゲート電極15において、ゲート長方向の長さが長い電極領域15Aと短い電極領域15Bとの長さの差α1とし、長い電極領域15Aの内側の辺と活性領域16の外側の辺との間の寸法をα2とするとき、α1及びα2は共に0.05[um]以上であることが好ましい。
図5Bに示す実施例2に係るMOSFET(その2)では、ゲート電極15の長い電極領域15Aの端部が、例えば2段の階段状になっている。このゲート電極15の階段部分において、1段目の高さをα3とし、2段目の高さをα4とするとき、α3及びα4は共に0.05[um]以上であることが好ましい。また、活性領域16の外側の辺と1段目の内面との間の寸法をα5とし、1段目の内面と2段目の内面との間の寸法をα6とするとき、α5及びα6は共に0.05[um]以上であることが好ましい。
上述した実施例2に係るMOSFET1では、ゲート絶縁膜14の膜厚が全体的に同じ膜厚であるものの、ゲート電極15の素子分離領域11と活性領域16との境界部のゲート長方向の長さが、チャネル中心部のゲート長方向の長さよりも長い電極構造となっている。この実施例2の電極構造にあっても、チャネル中心部のポテンシャルが、素子分離領域11と活性領域16との境界部のポテンシャルよりも深くなり、チャネル中心部にドレイン電流密度が集中する。これにより、RTSノイズの発生を抑制できるため、RTSノイズを低減できる。
[実施例3]
実施例3は、実施例1の変形例である。実施例3に係る電極構造は、実施例1に係る電極構造よりもゲート電極15の面積が大きい構成となっている。実施例3に係るMOSFETの概略平面図を図6Aに示し、図6AのA−A’線に沿った断面図を図6Bに示し、図6AのB−B’線に沿った断面図を図6Cに示す。
実施例3は、実施例1の変形例である。実施例3に係る電極構造は、実施例1に係る電極構造よりもゲート電極15の面積が大きい構成となっている。実施例3に係るMOSFETの概略平面図を図6Aに示し、図6AのA−A’線に沿った断面図を図6Bに示し、図6AのB−B’線に沿った断面図を図6Cに示す。
図6Aに示すように、ゲート電極15は、その平面形状がゲート長方向及びゲート幅方向において対称性を持っている。そして、ゲート電極15は、活性領域16の中央部のチャネル領域19上に配置され、ソース領域12とドレイン領域13とを分離する第1電極領域15Cと、当該第1電極領域15Cと接続され(一体化され)、素子分離領域11と活性領域16との全ての境界上に沿って配置された第2電極領域15Dとから成る。図6Aには、素子分離領域11と活性領域16との境界を一点鎖線で図示している。
ゲート電極15の第1電極領域15Cは、実施例1のゲート電極15の電極領域15Bに相当する。ゲート電極15の第2電極領域15Dは、素子分離領域11の一部及び活性領域16の一部を覆うように設けられている。ここで、図6Aにおいて、素子分離領域11と活性領域16との境界からのゲート電極15のゲート幅方向における被せ幅をW1とし、ゲート長方向における被せ幅をW2とするとき、W1及びW2は共に0.05[um]以上であることが好ましい。
実施例3に係る電極構造においても、実施例1の電極構造と同様に、MOSFET1のオン状態のとき、素子分離領域11と活性領域16との境界部のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるポテンシャルプロファイルとなる。これにより、ドレイン電流密度がチャネル中心部に集中するため、活性領域16の端部のトラップに起因するRTSノイズの発生を抑制することができる。
また、実施例3に係る電極構造では、ゲート電極15の実行的な電極面積が増加している。ここで、RTSノイズの振幅は、MOSFETのゲート面積に反比例する。従って、ゲート電極15の実行的な電極面積が増加することで、チャネル中心部で発生するRTSノイズの振幅を低減できるため、RTSノイズのノイズパワーを低減することができる。加えて、ソース領域12及びドレイン領域13となるN+拡散層の面積が小さくなるために、当該N+拡散層と活性領域(ウェル)16との間の接合リーク電流や接合容量を低減できる効果もある。
[実施例4]
実施例4は、実施例3の変形例であり、実施例4に係る電極構造は、実施例3に係る電極構造に比べて、ゲート電極15−コンタクト部17,18間の容量を低減した構成となっている。実施例3に係るMOSFETの概略平面図を図7Aに示す。
実施例4は、実施例3の変形例であり、実施例4に係る電極構造は、実施例3に係る電極構造に比べて、ゲート電極15−コンタクト部17,18間の容量を低減した構成となっている。実施例3に係るMOSFETの概略平面図を図7Aに示す。
図7Aに示すように、ゲート電極15は、平面形状がゲート長方向及びゲート幅方向において対称性を持っている。そして、ゲート電極15は、電極領域15Cと、当該電極領域15Cと接続された(一体化された)電極領域15Eとから成る。電極領域15Cは、実施例2の場合と同様に、活性領域16の中央部のチャネル領域19上に配置され、ソース領域12とドレイン領域13とを分離する。第2電極領域15Dに相当する電極領域15Eは、素子分離領域11のゲート長方向の端部で、コンタクト部17,18と対向する部位を除いて、素子分離領域11と活性領域16との境界上に沿って配置され、素子分離領域11の一部及び活性領域16の一部を覆うように設けられている。
ゲート電極15の電極領域15Cは、実施例1のゲート電極15の電極領域15Cと同じ構成となっている。ゲート電極15の電極領域15Eは、実施例1のゲート電極15の電極領域15Dにおいて、素子分離領域11のゲート長方向の端部で、コンタクト部17,18と対向する部位を除去した構成となっている。ここで、素子分離領域11と活性領域16との境界からのゲート電極15のゲート幅方向における被せ幅をW3とするとき、W3は0.05[um]以上であることが好ましい。
実施例4に係る電極構造によれば、実施例2に係る電極構造と同様の効果、即ちチャネル中心部のポテンシャルを深くすることによる効果に加えて、次のような効果を得ることができる。すなわち、実施例3に係る電極構造では、ゲート電極15が、素子分離領域11のゲート長方向の端部で、コンタクト部17,18と対向する部位に電極が存在しない電極形状となっているため、実施例2に係る電極構造に比べて、ゲート電極15−コンタクト部17,18間の容量を低減できる。これにより、ソース領域12及びドレイン領域13にコンタクト部を複数配置することが可能となるため、コンタクト抵抗の低減や通電不良に起因した歩留まりの向上を両立できる効果がある。図7Bに、ソース領域12に2個のコンタクト部17A,17Bを配置し、ドレイン領域13に2個のコンタクト部18A,18Bを配置した例を示す。
[実施例5]
実施例5は、実施例3の変形例である。実施例5に係るMOSFET(その1)の概略平面図を図8Aに示し、実施例5に係るMOSFET(その2)の概略平面図を図8Bに示す。
実施例5は、実施例3の変形例である。実施例5に係るMOSFET(その1)の概略平面図を図8Aに示し、実施例5に係るMOSFET(その2)の概略平面図を図8Bに示す。
図8A、図8Bに示すように、ゲート電極15は、平面形状がゲート長方向及びゲート幅方向において対称性を持っている。そして、ゲート電極15は、電極領域15Cと、当該電極領域15Cと接続された(一体化された)電極領域15Dとから成る。電極領域15Cは、実施例2の場合と同様に、活性領域16の中央部のチャネル領域19上に配置され、ソース領域12とドレイン領域13とを分離する。
電極領域15Dは、ソース領域12側にのみ(図8Aの場合)、もしくは、ドレイン領域13側にのみ(図8Bの場合)、素子分離領域11と活性領域16との境界に沿って配置され、素子分離領域11の一部及び活性領域16の一部を覆うように設けられている。図8A、図8Bには、素子分離領域11と活性領域16との境界を一点鎖線で図示している。ここで、図8A、図8Bにおいて、素子分離領域11と活性領域16との境界からのゲート電極15のゲート幅方向における被せ幅をW4とし、ゲート長方向における被せ幅をW5とするとき、W4及びW5は共に0.05[um]以上であることが好ましい。
実施例5に係る電極構造は、実施例3に係る電極構造と同様の効果、即ちドレイン電流密度をチャネル中心部に集中させて、活性領域16の端部のトラップに起因するRTSノイズの発生を抑制する効果を持っている。また、実施例5に係る電極構造では、例えば図8Aの場合、ソース領域12側の活性領域16に対してゲート電極15がリング状に配置されている。この電極構造の場合、実施例3の電極構造や実施例4の電極構造に対して、ゲート-ドレイン間容量Cgdを低減できる効果がある。これにより、実施例5に係る電極構造のMOSFETを、例えばソース接地回路で用いた場合に、ゲート-ドレイン間容量Cgdによる帰還作用によって発生するミラー効果を低減できるため、低ノイズ化とミラー効果の低減を両立できる。
[実施例6]
実施例6は、実施例3及び実施例4の変形例である。実施例6に係るMOSFET(その1)の概略平面図を図9Aに示し、実施例6に係るMOSFET(その2)の概略平面図を図9Bに示す。図9Aに示す実施例6に係るMOSFET(その1)は、図6Aに示す実施例3の変形例であり、図9Bに示す実施例5に係るMOSFET(その2)は、図7Aに示す実施例4の変形例である。
実施例6は、実施例3及び実施例4の変形例である。実施例6に係るMOSFET(その1)の概略平面図を図9Aに示し、実施例6に係るMOSFET(その2)の概略平面図を図9Bに示す。図9Aに示す実施例6に係るMOSFET(その1)は、図6Aに示す実施例3の変形例であり、図9Bに示す実施例5に係るMOSFET(その2)は、図7Aに示す実施例4の変形例である。
図9Aに示すように、実施例6に係るMOSFET(その1)の電極構造は、図6Aに示す実施例3に係る電極構造において、チャネル幅方向の両端部に位置する素子分離領域11と活性領域16との境界(一点鎖線で図示)に沿って設けられ、素子分離領域11の一部及び活性領域16の一部に対応する領域が厚膜化された2つの厚膜領域14A,14Aを有するゲート絶縁膜14を有している。ゲート絶縁膜14の2つの厚膜領域14A,14Aの膜厚は、チャネル中心部の薄膜領域(図2Bの薄膜領域14Bに相当)の膜厚よりも厚い。厚膜化された厚膜領域14Aは、その平面形状がゲート長方向及びゲート幅方向において対称性を持っている。
ここで、チャネル幅方向において、厚膜領域14Aの内側の辺と素子分離領域11と活性領域16との境界(一点鎖線で図示)との間の寸法をβ1とし、チャネル長方向において、厚膜領域14Aの端面からチャネル領域19の端面までの寸法をβ2とするとき、β1及びβ2は共に0.05[um]以上であることが好ましい。
図9Bに示すように、実施例6に係るMOSFET(その2)の電極構造も、図7Aに示す実施例3に係る電極構造において、MOSFET(その1)と同様の構造の厚膜領域14Aを含むゲート絶縁膜14を有している。また、寸法β1及びβ2についても、MOSFET(その1)と同じである。
実施例6に係る電極構造によれば、実施例3に係る電極構造と同様の効果、即ちチャネル中心部のポテンシャルを深くすることによる効果に加えて、次のような効果を得ることができる。すなわち、実施例6に係る電極構造では、素子分離領域11のチャネル幅方向の端部のゲート絶縁膜14が厚膜化(厚膜領域14A)されているため、素子分離領域11のチャネル幅方向の端部の活性領域16の閾値電圧が高くなる。これにより、素子分離領域11の端部の活性領域16のポテンシャルが浅くなり、素子分離領域11の端部に流れるドレイン電流を低減できるため、RTSノイズの発生を抑制することができる。
図10Aに、実施例6に係るMOSFET(その1)の変形例の概略平面図を示す。本変形例に係る電極構造は、実施例5に係るMOSFET(その1)の電極構造において、ゲート絶縁膜14のチャネル幅方向の両側に設けられた厚膜領域14A,14Aが、チャネル中心部側に突出した突出領域14C,14Cを有する構造となっている。突出領域14C,14Cの突出量β3は、β1及びβ2と同じ0.05[um]以上であることが好ましい。
この厚膜領域14A,14A及び突出領域14C,14Cを有する実施例6のゲート絶縁膜14の構造によれば、素子分離領域11の端部側に流れるドレイン電流をより低減できる。換言すれば、チャネル中心部にドレイン電流密度をより集中させることができる。これにより、RTSノイズの発生をより抑制できることになるため、RTSノイズをより低減できる。
[実施例7]
実施例7は、ゲート電極15の形状が平面視で矩形形状の例である。実施例7に係るMOSFETの概略平面図を図10Bに示す。
実施例7は、ゲート電極15の形状が平面視で矩形形状の例である。実施例7に係るMOSFETの概略平面図を図10Bに示す。
図10Bに示すように、ゲート電極15は、一般的なMOSFETと同様に、平面視で矩形の電極形状を有している(平面形状が矩形となっている)。また、ゲート絶縁膜14は、実施例5の場合と同様に、チャネル幅方向の両側に設けられた厚膜領域14A,14Aに加えて、チャネル中心部において厚膜領域14A,14A間を繋ぐ厚膜の連結領域14Dを有する構造となっている。すなわち、ゲート絶縁膜14は、チャネル幅方向において、厚膜領域14A,14Aが素子分離領域11と活性領域16との境界に沿って配置され、かつ、チャネル中心部にも厚膜の連結領域14Dが配置された構造となっている。換言すれば、ゲート絶縁膜14において、厚膜領域(14A,14A,14D)は、活性領域16に対して、チャネル長方向において平面視でH型になった構造となっており、チャネル長方向及びチャネル幅方向において対称性を持つ平面形状となっている。
ここで、チャネル幅方向において、厚膜領域14Aの内側の辺から素子分離領域11と活性領域16との境界までの寸法をγ1とする。また、チャネル長方向において、厚膜領域14Aの端面からゲート電極15の端面までの寸法をγ2とし、ゲート電極15の端面から連結領域14Dの端面までの寸法をγ3とするとき、γ1、γ2、γ3は共に0.05[um]以上であることが好ましい。
実施例7に係る電極構造によれば、素子分離領域11の端部のゲート絶縁膜14を厚膜化することで、素子分離領域11の端部の活性領域16の閾値電圧が高くなり、チャネル中心部にドレイン電流が集中するため、素子分離領域11の端部に存在するトラップ起因のRTSノイズの発生を抑制することができる。加えて、チャネル中心部のゲート絶縁膜14を厚膜化することで、MOSFETを高いゲート電圧や高いドレイン電圧で駆動することができる。すなわち、実施例6に係る電極構造によれば、RTSノイズの発生を抑制し、RTSノイズを低減する効果と、MOSFETを高いゲート電圧や高いドレイン電圧で駆動する効果とを両立することができる。
[実施例8]
実施例8では、P型MOSFETに適用した場合を例に挙げている。実施例8に係るMOSFETの概略平面図を図11Aに示し、図11AのA−A’線に沿った断面図を図11Bに示す。P型MOSFETに適用した実施例8では、MOSFET1を構成する各部の導電型がN型MOSFETに適用した実施例1の場合と逆導電型となっており、基本的な構成は実施例1の場合と同じである。
実施例8では、P型MOSFETに適用した場合を例に挙げている。実施例8に係るMOSFETの概略平面図を図11Aに示し、図11AのA−A’線に沿った断面図を図11Bに示す。P型MOSFETに適用した実施例8では、MOSFET1を構成する各部の導電型がN型MOSFETに適用した実施例1の場合と逆導電型となっており、基本的な構成は実施例1の場合と同じである。
この実施例8に係るMOSFET1にあっても、ゲート電極15のゲート長方向の長さが短い電極領域15Bであるチャネル中心部にドレイン電流密度が集中するため、素子分離領域11の端部に存在するRTSノイズの原因となるトラップへのキャリアの捕獲/放出が起こりにくい状態となる。これにより、RTSノイズの発生を抑制することができるため、RTSノイズを低減することができる。
N型MOSFETに適用した実施例2乃至実施例7の電極構造についても、実施例8に係るMOSFET1と同様に、P型MOSFETに適用することができる。
以上説明した実施例1乃至実施例8に係るMOSFET1によれば、素子分離領域11と活性領域16との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなることで、オン電流(ドレイン電流)は、その大部分がチャネル中心部を流れるようになり、素子分離領域11の端部周辺にはほとんど流れない。これにより、素子分離領域11の端部に存在するRTSノイズの原因となるトラップへのキャリアの捕獲/放出が起こりにくい状態となる。従って、埋め込みチャネル型のMOSFETを作り込まなくても、RTSノイズの発生を抑制することができるため、製造コストを増加させることなく、RTSノイズを低減できる。
また、ゲート絶縁膜14について、実施例2以外の膜厚構造をとる実施例に係る電極構造にあっては、上記の作用、効果に加えて、次のような作用、効果を得ることもできる。例えば、MOSFET1の製造工程中に活性領域16とゲート電極15との合わせズレが生じてしまった場合を想定する。この場合、例えば図12に示すように、活性領域16に対してゲート電極15がゲート幅方向の片側にズレてしまい、ゲート電極15のチャネル長方向の長さが短い電極領域15Bが素子分離領域11の端部に近接した構造に形成されてしまう。
このような合わせズレを持った電極構造に形成されてしまったとしても、素子分離領域11と活性領域16Sの境界付近のゲート絶縁膜14が厚膜化されていることで、当該境界付近の活性領域16の閾値電圧が高い構造となっているがために、素子分離領域11の端部のポテンシャルが浅い状態となる。これにより、オン電流(ドレイン電流)は素子分離領域11の端部には流れにくい状態が保たれるために、素子分離領域11の端部に存在するトラップに起因したRTSノイズの発生を抑制できる。つまりは、製造工程中の活性領域16とゲート電極15との合わせズレに対して、RTSノイズの発生確率が増加することを防ぐ効果があり、製品の歩留まりを安定させることができる。
<半導体集積回路>
以上説明した実施例1乃至実施例8に係るMOSFET1は、無線通信機器で用いられる高周波受信回路において、低ノイズが要求される低ノイズアンプや局部発振器を構成するMOSFETに適用することができる。高周波受信回路の構成の一例のブロック図を図13に示す。
以上説明した実施例1乃至実施例8に係るMOSFET1は、無線通信機器で用いられる高周波受信回路において、低ノイズが要求される低ノイズアンプや局部発振器を構成するMOSFETに適用することができる。高周波受信回路の構成の一例のブロック図を図13に示す。
本例に係る高周波受信回路20は、受信アンテナ21、BPF(バンド・パス・フィルタ)22、低ノイズアンプ(LNA:Low Noise Amp)23、ミキサ24、局部発振器25、LPF(ロー・パス・フィルタ)26、及び、信号処理回路27によって構成されている。この高周波受信回路20において、例えば、低ノイズアンプ23や局部発振器25は、MOSFETを用いて構成される半導体集積回路である。
そして、半導体集積回路の一例である低ノイズアンプ23や局部発振器25を構成するMOSFETに、先述した実施例1乃至実施例8に係るMOSFET1を適用することにより、当該MOSFET1はRTSノイズを低減できる。その結果、低ノイズアンプ23や局部発振器25の低ノイズ化を実現できる。
上記高周波受信回路20が使用される電子機器としては、
・携帯電話機
・無線LAN(Local Area Network )、ワイヤレスキーボードなどのワイヤレス機器
・テレビジョンのチューナー
・GPS(Global Positioning System)
・ETC(Electronic Toll Collection System)
などを例示することができる。
・携帯電話機
・無線LAN(Local Area Network )、ワイヤレスキーボードなどのワイヤレス機器
・テレビジョンのチューナー
・GPS(Global Positioning System)
・ETC(Electronic Toll Collection System)
などを例示することができる。
また、半導体集積回路としてMOSFETを用いて構成される低ノイズオペアンプが使用される電子機器としては、
・オーディオ機器
・産業用ロボット及びその制御機器
・家庭用電化製品(冷蔵庫、掃除機、洗濯機、冷暖房器具など)
・計測機器
・医療機器
・デスクトップ型PC(パーソナルコンピュータ)、ノート型PC、タブレット端末
・プリンタ、スキャナ、プロジェクター
・デジタルカメラやビデオカメラなどの画像処理装置
・セキュリティ機器
などを例示することができる。
・オーディオ機器
・産業用ロボット及びその制御機器
・家庭用電化製品(冷蔵庫、掃除機、洗濯機、冷暖房器具など)
・計測機器
・医療機器
・デスクトップ型PC(パーソナルコンピュータ)、ノート型PC、タブレット端末
・プリンタ、スキャナ、プロジェクター
・デジタルカメラやビデオカメラなどの画像処理装置
・セキュリティ機器
などを例示することができる。
<固体撮像素子>
また、MOSFETを用いて構成される半導体集積回路として、CMOS型固体撮像素子(CMOSイメージセンサ)を例示することができる。そして、CMOS型固体撮像素子の回路部を構成するMOSFETに対しても、先述した実施例1乃至実施例8に係るMOSFET1を適用することができる。以下に、実施例1乃至実施例8に係るMOSFET1が適用されるCMOS型固体撮像素子について説明する。
また、MOSFETを用いて構成される半導体集積回路として、CMOS型固体撮像素子(CMOSイメージセンサ)を例示することができる。そして、CMOS型固体撮像素子の回路部を構成するMOSFETに対しても、先述した実施例1乃至実施例8に係るMOSFET1を適用することができる。以下に、実施例1乃至実施例8に係るMOSFET1が適用されるCMOS型固体撮像素子について説明する。
[システム構成]
図14は、CMOS型固体撮像素子の構成の概略を示すシステム構成図である。図14に示すように、ここで例示するCMOS型固体撮像素子30は、単位画素31が行列状に2次元配置されてなる画素アレイ部32と、当該画素アレイ部32の各画素31を駆動する周辺の駆動系及び信号処理系を有する。本例では、周辺の駆動系や信号処理系として、例えば、行走査部33、カラム処理部34、参照信号生成部35、列走査部36、水平出力線37、映像信号処理部38、及び、タイミング制御部39が設けられている。これらの駆動系及び信号処理系は、画素アレイ部32と同一の半導体基板(チップ)40上に集積されている。
図14は、CMOS型固体撮像素子の構成の概略を示すシステム構成図である。図14に示すように、ここで例示するCMOS型固体撮像素子30は、単位画素31が行列状に2次元配置されてなる画素アレイ部32と、当該画素アレイ部32の各画素31を駆動する周辺の駆動系及び信号処理系を有する。本例では、周辺の駆動系や信号処理系として、例えば、行走査部33、カラム処理部34、参照信号生成部35、列走査部36、水平出力線37、映像信号処理部38、及び、タイミング制御部39が設けられている。これらの駆動系及び信号処理系は、画素アレイ部32と同一の半導体基板(チップ)40上に集積されている。
このシステム構成において、タイミング制御部39は、マスタークロックMCKに基づいて、行走査部33、カラム処理部34、参照信号生成部35、及び、列走査部36などの動作の基準となるクロック信号や制御信号などを生成する。タイミング制御部39で生成されたクロック信号や制御信号などは、行走査部33、カラム処理部34、参照信号生成部35、及び、列走査部36などに対してそれらの駆動信号として与えられる。
画素アレイ部32は、受光した光量に応じた光電荷を生成し、かつ、蓄積する光電変換素子を有する単位画素(以下、単に「画素」と記述する場合もある)31が行方向及び列方向に、即ち、行列状(マトリックス状)に2次元配置された構成となっている。ここで、行方向とは画素行における画素の配列方向を言い、列方向とは画素列における画素の配列方向を言う。
この画素アレイ部32において、m行n列の画素配列に対して、画素行毎に行制御線41(41_1〜41_m)が行方向に沿って配線され、画素列毎に列信号線42(42_1〜42_n)が列方向に沿って配線されている。行制御線41は、単位画素31から信号を読み出す際の制御を行うための制御信号を伝送する。図14では、行制御線41について1本の配線として図示しているが、1本に限られるものではない。行制御線41_1〜41_mの各一端は、行走査部33の各行に対応した各出力端に接続されている。
行走査部33は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、画素アレイ部32の各画素31を全画素同時あるいは行単位等で駆動する。この行走査部33はその具体的な構成については図示を省略するが、一般的に、読出し走査系と掃出し走査系の2つの走査系を有する構成となっている。読出し走査系は、単位画素31から信号を読み出すために、画素アレイ部32の単位画素31を行単位で順に選択走査する。単位画素31から読み出される信号はアナログ信号である。掃出し走査系は、読出し走査系によって読出し走査が行われる読出し行に対して、その読出し走査よりもシャッタスピードの時間分だけ先行して掃出し走査を行う。
この掃出し走査系による掃出し走査により、読出し行の単位画素31の光電変換素子から不要な電荷が掃き出されることによって当該光電変換素子がリセットされる。そして、この掃出し走査系によって不要電荷を掃き出す(リセットする)ことにより、所謂、電子シャッタ動作が行われる。ここで、電子シャッタ動作とは、光電変換素子の光電荷を捨てて、新たに露光を開始する(光電荷の蓄積を開始する)動作のことを言う。
読出し走査系による読出し動作によって読み出される信号は、その直前の読出し動作または電子シャッタ動作以降に受光した光量に対応するものである。そして、直前の読出し動作による読出しタイミングまたは電子シャッタ動作による掃出しタイミングから、今回の読出し動作による読出しタイミングまでの期間が、単位画素31における光電荷の露光期間となる。
カラム処理部34は、例えば、画素アレイ部32の画素列毎、即ち、列信号線42(42_1〜42_n)毎に1対1の対応関係をもって設けられたAD(アナログ/デジタル)変換器50(50_1〜50_n)を有する信号処理部である。AD変換器50(50_1〜50_n)は、画素アレイ部32の各単位画素31から画素列毎に出力されるアナログ信号(画素信号)をデジタル信号に変換する。
参照信号生成部35は、時間が経過するにつれて電圧値が階段状に変化する、所謂、ランプ(RAMP)波形(傾斜状の波形)の参照信号Vrefを、AD変換に用いる基準信号として生成する。参照信号生成部35については、例えば、DAC(デジタル−アナログ変換)回路を用いて構成することができる。尚、参照信号生成部35としては、DAC回路を用いた構成のものに限られるものではない。
参照信号生成部35は、タイミング制御部39による制御の下に、当該タイミング制御部39から与えられるクロックCKに基づいてランプ波の参照信号Vrefを基準信号として生成する。そして、参照信号生成部35は、生成した参照信号Vrefをカラム処理部34のAD変換器50_1〜50_nに対して供給する。
AD変換器50_1〜50_nは全て同じ構成となっている。ここでは、n列目のAD変換器50_nを例に挙げて、その具体的な構成について説明する。AD変換器50_nは、比較器(コンパレータ)51、カウント部である例えばアップ/ダウンカウンタ(図中、「U/DCNT」と記している)52、及び、ラッチ53を有する、シングルスロープ型のAD変換器構成となっている。
比較器51は、画素アレイ部32のn列目の各単位画素31から出力される画素信号に応じた列信号線42_nの信号電圧Voutを比較入力とし、参照信号生成部35から供給されるランプ波の参照信号Vrefを基準入力とし、両者を比較する。そして、比較器51は、例えば、参照信号Vrefが信号電圧Voutよりも大きいときに出力Vcoが第1の状態(例えば、高レベル)になり、参照信号Vrefが信号電圧Vout以下のときに出力Vcoが第2の状態(例えば、低レベル)になる。
アップ/ダウンカウンタ52は非同期カウンタである。このアップ/ダウンカウンタ52には、タイミング制御部39による制御の下に、当該タイミング制御部39からクロックCKが参照信号生成部35と同じタイミングで与えられる。これにより、アップ/ダウンカウンタ52は、クロックCKに同期してダウン(DOWN)カウント、または、アップ(UP)カウントを行うことで、比較器51での比較動作の開始から比較動作の終了までの比較期間を計測する。
ラッチ53は、タイミング制御部39による制御の下に、ある画素行の単位画素31についてのアップ/ダウンカウンタ52のカウント動作が完了した時点で、当該アップ/ダウンカウンタ52のカウント結果をラッチする。
このようにして、画素アレイ部32の各単位画素31から列信号線42_1〜42_nを経由して画素列毎に供給されるアナログ信号について、AD変換器50_1〜50_nにおいて先ず比較器51で比較動作が行われる。そして、アップ/ダウンカウンタ52において、比較器51での比較動作の開始から比較動作の終了までの期間に亘ってカウント動作を行うことで、アナログ信号がデジタル信号に変換されてラッチ53に格納される。
列走査部36は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、カラム処理部34におけるAD変換器50_1〜50_nの列アドレスや列走査の制御を行う。この列走査部36による制御の下に、AD変換器50_1〜50_nの各々でAD変換されたデジタル信号は順に水平出力線37に読み出され、例えば映像信号処理部38を経由して出力端子43から半導体基板40外へ撮像データとして出力される。
尚、上記構成の列並列ADC搭載のCMOS型固体撮像素子30では、カラム処理部34について、AD変換器50が列信号線42毎に1対1の対応関係をもって設けられた構成を例に挙げたが、1対1の対応関係の配置に限られるものではない。例えば、1つのAD変換器50を複数の画素列で共有し、複数の画素列間で時分割にて使用する構成を採ることも可能である。
[画素構成]
図15は、単位画素31の回路構成の一例を示す回路図である。図15に示すように、本例に係る単位画素31は、光電変換素子として例えばフォトダイオード(PD)61を有している。単位画素31は、フォトダイオード61に加えて、例えば、転送トランジスタ(転送ゲート部)62、リセットトランジスタ63、増幅トランジスタ64、及び、選択トランジスタ65を有する構成となっている。
図15は、単位画素31の回路構成の一例を示す回路図である。図15に示すように、本例に係る単位画素31は、光電変換素子として例えばフォトダイオード(PD)61を有している。単位画素31は、フォトダイオード61に加えて、例えば、転送トランジスタ(転送ゲート部)62、リセットトランジスタ63、増幅トランジスタ64、及び、選択トランジスタ65を有する構成となっている。
尚、ここでは、転送トランジスタ62、リセットトランジスタ63、増幅トランジスタ64、及び、選択トランジスタ65の4つのトランジスタとして、例えばN型MOSFETを用いている。但し、ここで例示した4つのトランジスタ62〜65の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
この単位画素31に対して、先述した行制御線41(41_1〜41_m)として、複数の制御線411,412,413が同一画素行の各画素に対して共通に配線されている。複数の制御線411,412,413は、行走査部33の各画素行に対応した出力端に画素行単位で接続されている。行走査部33は、複数の制御線411,412,413に対して転送信号TRG、リセット信号RST、及び、選択信号SELを適宜出力する。
フォトダイオード61は、アノード電極が低電位側電源(例えば、グランド)に接続されており、受光した光をその光量に応じた電荷量の光電荷(ここでは、光電子)に光電変換してその光電荷を蓄積する。フォトダイオード61のカソード電極は、転送トランジスタ62を介して増幅トランジスタ64のゲート電極と電気的に接続されている。増幅トランジスタ64のゲート電極と電気的に繋がった領域は、電荷を電圧に変換する電荷検出部66である。以下、電荷検出部66をFD(フローティング・ディフュージョン/浮遊拡散領域/不純物拡散領域)部66と呼ぶ。
転送トランジスタ62は、フォトダイオード61のカソード電極とFD部66との間に接続されている。転送トランジスタ62のゲート電極には、高レベル(例えば、Vddレベル)がアクティブ(以下、「Highアクティブ」と記述する)となる転送信号TRGが行走査部33から制御線411を通して与えられる。転送トランジスタ62は、転送信号TRGに応答して導通状態となることで、フォトダイオード61で光電変換され、蓄積された光電荷をFD部66に転送する。
リセットトランジスタ63は、ドレイン電極が電圧Vddの電源線67に、ソース電極がFD部66にそれぞれ接続されている。リセットトランジスタ63のゲート電極には、Highアクティブのリセット信号RSTが行走査部33から制御線412を通して与えられる。リセットトランジスタ63は、リセット信号RSTに応答して導通状態となり、FD部66の電荷を電源線67に捨てることによって当該FD部66をリセットする。
増幅トランジスタ64は、ゲート電極がFD部66に、ドレイン電極が電源線67にそれぞれ接続されている。この増幅トランジスタ64は、フォトダイオード61での光電変換によって得られる信号を読み出す読出し回路であるソースフォロワの入力部となる。すなわち、増幅トランジスタ64は、ソース電極が選択トランジスタ65を介して列信号線42に接続されることで、当該列信号線42の一端に接続される電流源68とソースフォロワを構成する。
選択トランジスタ65は、例えば、ドレイン電極が増幅トランジスタ64のソース電極に、ソース電極が列信号線42にそれぞれ接続されている。選択トランジスタ65のゲート電極には、Highアクティブの選択信号SELが行走査部33から制御線413を通して与えられる。選択トランジスタ65は、選択信号SELに応答して導通状態となることで、単位画素31を選択状態として増幅トランジスタ64から出力される信号を列信号線42に伝達する。
尚、選択トランジスタ65については、電源線67と増幅トランジスタ64のドレイン電極との間に接続した回路構成を採ることも可能である。また、本例では、単位画素31の画素回路として、転送トランジスタ62、リセットトランジスタ63、増幅トランジスタ64、及び、選択トランジスタ65から成る、即ち4つのトランジスタ(Tr)から成る4Tr構成を例に挙げたが、これに限られるものではない。例えば、選択トランジスタ65を省略し、増幅トランジスタ64に選択トランジスタ65の機能を持たせた3Tr構成とすることもできるし、必要に応じて、トランジスタの数を増やした構成とすることもできる。
上記の構成の単位画素31が配置されて成るCMOS型固体撮像素子30では、一般的に、リセット動作時のノイズを除去するために、相関二重サンプリング(Correlated Double Sampling:CDS)によるノイズ除去処理が行わる。単位画素31からは、例えば、リセットレベルVrst及び信号レベルVsigの順に読み出される。リセットレベルVrstは、FD部66を電源電圧Vddにリセットした際の当該FD部66の電位に相当する。信号レベルVsigは、フォトダイオード61に蓄積された電荷をFD部66へ転送した際の当該FD部66の電位に相当する。
リセットレベルVrstを先に読み出す読み出し方式においては、リセットしたときに発生するランダムノイズはFD部66で保持されているため、信号電荷を加えて読み出された信号レベルVsigには、リセットレベルVrstと同じノイズ量が保持されている。このため、信号レベルVsigからリセットレベルVrstを減算する相関二重サンプリング動作を行うことで、これらのノイズを除去した信号を得ることが可能となる。また、信号の読み出しに用いられる増幅トランジスタ64の閾値ばらつき等、固定的に加わるノイズ(Fixed Pattern Noise)も除去することができる。
カラム処理部34において、AD変換処理の際に、相関二重サンプリング処理が実行される。具体的には、カラム処理部34では、比較器51での比較動作の開始から比較動作の終了までの比較期間を計測する手段としてアップ/ダウンカウンタ52を用いている。そして、その計測動作の際に、アップ/ダウンカウンタ52は、単位画素31から順に読み出されるリセットレベルVrst及び信号レベルVsigについて、例えば、リセットレベルVrstに対してはダウンカウントを行い、信号レベルVsigに対してはアップカウントを行う。このダウンカウント/アップカウントの動作により、信号レベルVsigとリセットレベルVrstとの差分をとることができる。その結果、カラム処理部34において、AD変換処理の際に相関二重サンプリング処理が行われる。
以上説明した列並列ADC搭載のCMOS型固体撮像素子30は、半導体基板40上に形成されたフォトダイオード61、拡散層、ゲート絶縁膜の膜厚が異なる2種類以上のMOSFET、バイポーラトランジスタ、抵抗素子、容量素子を多層配線で接続することによって構成される。ゲート絶縁膜の膜厚が異なるMOSFETとしては、例えば、ゲート絶縁膜の膜厚が5.5[nm]程度の厚膜型MOSFETと、ゲート絶縁膜の膜厚が2.5[nm]程度の薄膜型MOSFETとを例示することができる。半導体基板40上にこれらの回路を形成する方法としては、一般的なCMOSプロセスを用いて形成する方法が用いられる。
[適用例1]
図14に示すCMOS型固体撮像素子30において、AD変換器50を構成する比較器51に用いるN型MOSFETに対して、先述した実施例1乃至実施例7に係るMOSFET1を適用することができる。比較器51に用いるMOSFETに適用する場合を適用例1として以下に説明する。
図14に示すCMOS型固体撮像素子30において、AD変換器50を構成する比較器51に用いるN型MOSFETに対して、先述した実施例1乃至実施例7に係るMOSFET1を適用することができる。比較器51に用いるMOSFETに適用する場合を適用例1として以下に説明する。
シングルスロープ型のAD変換器50の構成の一例を図16Aに示す。本例に係るAD変換器50は、トランスコンダクタンスアンプ(以下、「Gmアンプ」と記述する)501を有し、Gmアンプ501の非反転(+)入力端及び反転(−)入力端と2つの入力端子54,55との間にサンプリング容量502,503が接続された構成となっている。Gmアンプ501の後段には、電圧変動を抑えるためのアイソレータ504が配され、アイソレータ504の後段には、アンプ505が配されている。また、Gmアンプ501の反転(−)入力端とアイソレータ504の出力端との間には、オートゼロスイッチ506が接続されている。
図14に示すシングルスロープ型のAD変換器50との対応関係において、一方の入力端子54には、参照信号生成部35で生成された参照信号Vrefが入力信号IN1として供給される。また、他方の入力端子55には、単位画素31から読み出された画素信号が列信号線42を通して供給される。
上記のシングルスロープ型のAD変換器50の初段回路であるGmアンプ511の回路構成の一例を図16Bに示す。Gmアンプ511は、N型MOSFETから成る差動対トランジスタQn1,Qn2を有し、差動対トランジスタQn1,Qn2のソース共通接続ノードNが電流源56を介して低電位側電源に接続された構成となっている。また、電圧VDDの電源線57側には、カレントミラー回路を構成するP型MOSトランジスタQp1,Qp2が設けられている。
そして、N型MOSトランジスタQn1のゲート電極とドレイン電極との間にオートゼロスイッチ506_1が接続されている。また、N型MOSトランジスタQn2のドレイン電極にはアイソレータ504が接続され、N型MOSトランジスタQn2のゲート電極とアイソレータ504の出力端との間にオートゼロスイッチ506_2が接続されている。
上記の構成のシングルスロープ型AD変換器50のGmアンプ511において、差動対トランジスタQn1,Qn2として用いるN型MOSFETに、先述した実施例1乃至実施例7に係るMOSFET1を適用する。ここで、実施例1乃至実施例7に係るMOSFET1、即ちRTSノイズを低減できるMOSFET1を、シングルスロープ型AD変換器50を構成するMOSFETに適用したCMOS型固体撮像素子30において、10万個分のAD変換器50の出力ノイズデータの累積頻度のプロットグラフを図17に示す。
図17には、従来の電極構造のMOSFETを用いたシングルスロープ型AD変換器、即ち実施例1乃至実施例7に係るMOSFET1を用いないシングルスロープ型AD変換器と比較した場合を示している。図17において、破線が本開示の電極構造の場合(実施例1乃至実施例7に係るMOSFET1を適用した場合)を示し、実線が従来の電極構造の場合(実施例1乃至実施例7に係るMOSFET1を適用しない場合)を示している。図17の出力ノイズデータの累積頻度のプロットグラフから、従来の電極構造の場合に比較して、本開示の電極構造の場合のノイズレベルについて、同一発生確率で比較した場合、低ノイズ化されていることが確認できる。
[適用例2]
図14に示すCMOS型固体撮像素子30において、単位画素31を構成する増幅トランジスタ64(図15参照)として用いるN型MOSFETに対して、先述した実施例1乃至実施例7に係るMOSFET1を適用することができる。増幅トランジスタ64に用いるMOSFETに適用する場合を適用例2として以下に説明する。
図14に示すCMOS型固体撮像素子30において、単位画素31を構成する増幅トランジスタ64(図15参照)として用いるN型MOSFETに対して、先述した実施例1乃至実施例7に係るMOSFET1を適用することができる。増幅トランジスタ64に用いるMOSFETに適用する場合を適用例2として以下に説明する。
図18に、単位画素31を構成する素子、即ちフォトダイオード(PD)61、転送トランジスタ62、リセットトランジスタ63、増幅トランジスタ64、及び、選択トランジスタ65のレイアウトを示す。図18において、ハッチングで図示した領域が素子分離領域11であり、網掛けで図示した領域が活性領域16であり、白抜きで図示した領域が転送トランジスタ62、リセットトランジスタ63、増幅トランジスタ64、及び、選択トランジスタ65の各ゲート電極である。ウェルタップ部69は、固定電位との接続のための電位接続部である。
CMOS型固体撮像素子30から発生されるランダムノイズは、単位画素31内の例えばN型MOSFETから成る増幅トランジスタ64が発生するRTSノイズが支配的である。そこで、N型MOSFETから成る増幅トランジスタ64の電極構造に、先述した実施例1乃至実施例7に係る電極構造を適用する。これにより、増幅トランジスタ64が発生するRTSノイズを低減でき、結果的には、CMOS型固体撮像素子30を低ノイズ化できる。
(具体例1)
具体例1は、増幅トランジスタ64の電極構造に対して、例えば実施例1に係る電極構造(図1及び図2参照)を適用する例である。具体例1に係るMOSFETの概略平面図を図19に示す。また、図19のA−A’線に沿った断面図を図20Aに示し、図19のB−B’線に沿った断面図を図20Bに示す。
具体例1は、増幅トランジスタ64の電極構造に対して、例えば実施例1に係る電極構造(図1及び図2参照)を適用する例である。具体例1に係るMOSFETの概略平面図を図19に示す。また、図19のA−A’線に沿った断面図を図20Aに示し、図19のB−B’線に沿った断面図を図20Bに示す。
具体例1に係るMOSFETでは、素子分離領域(STI)11によって画定された活性領域(P型ウェル領域)16から成る増幅トランジスタ64の電極構造を、以下のようにする。
ゲート電極15は、図19に示すように、その平面形状がゲート長方向及びゲート幅方向において対称性を持っており、素子分離領域11と活性領域16との境界部のゲート長方向の長さがゲート幅方向に対して不連続な電極構造となっている。図19において、長い電極領域15Aの端−短い電極領域15Bの端間の寸法差α1、及び、長い電極領域15Aの内側の辺−活性領域16の外側の辺間の寸法α2は共に0.05[um]以上であることが好ましく、例えば0.1[um]にする。
活性領域16の表面に設けられたゲート絶縁膜14は、ソース領域12とドレイン領域13との間のチャネル領域19上に設けられており、素子分離領域11と活性領域16との境界部に設けられた厚膜領域14Aと、チャネル中心部に設けられた薄膜領域14Bとを有する。すなわち、ゲート絶縁膜14は、素子分離領域11と活性領域16との境界部の膜厚が、チャネル中心部の膜厚よりも厚い構成となっている。
図19において、厚膜領域14Aの内側の辺−活性領域16の外側の辺間の寸法β1、及び、厚膜領域14Aの端−ゲート電極15の長い部分15Aの端間の寸法β2は共に0.05[um]以上であることが好ましく、例えば0.1[um]にする。加えて、厚膜領域14Aの膜厚T1と薄膜領域14Bの膜厚T2との膜厚差T1−T2は1[nm]以上であることが好ましい。例えば、厚膜領域14Aの膜厚T1を6[nm]とし、薄膜領域14Bの膜厚T2を1.8[nm]とする。
(具体例2)
具体例1は、増幅トランジスタ64の電極構造に、例えば実施例7に係る電極構造(図10B参照)を適用する例である。実施例7に係る電極構造を適用する具体例2に係るMOSFETの概略平面図を図21に示す。また、図21のA−A’線に沿った断面図を図22Aに示し、図21のB−B’線に沿った断面図を図22Bに示す。
具体例1は、増幅トランジスタ64の電極構造に、例えば実施例7に係る電極構造(図10B参照)を適用する例である。実施例7に係る電極構造を適用する具体例2に係るMOSFETの概略平面図を図21に示す。また、図21のA−A’線に沿った断面図を図22Aに示し、図21のB−B’線に沿った断面図を図22Bに示す。
ゲート電極15は、図21に示すように、その平面形状が一般的なMOSFETと同様に矩形形状となっている。また、ゲート絶縁膜14は、チャネル幅方向において、厚膜領域14A,14Aが素子分離領域11と活性領域16との境界に沿って配置され、かつ、チャネル中心部にも厚膜の連結領域14Dが配置された構造となっている。換言すれば、ゲート絶縁膜14において、厚膜領域(14A,14A,14D)は、活性領域16に対して、チャネル長方向において平面視でH型になった構造となっており、チャネル長方向及びチャネル幅方向において対称性を持つ平面形状となっている。
図21において、厚膜領域14Aの内側の辺−素子分離領域11と活性領域16との境界間の寸法γ1、厚膜領域14Aの端面−ゲート電極15の端面間の寸法γ2、及び、ゲート電極15の端面−連結領域14Dの端面間の寸法γ3は共に0.05[um]以上であることが好ましく、例えば0.1[um]にする。
<電子機器>
上述したCMOS型固体撮像素子30は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、携帯電話機などの撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機などの電子機器全般において、その撮像部(画像取込部)として用いることができる。尚、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ち、カメラモジュールを撮像装置とする場合もある。
上述したCMOS型固体撮像素子30は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、携帯電話機などの撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機などの電子機器全般において、その撮像部(画像取込部)として用いることができる。尚、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ち、カメラモジュールを撮像装置とする場合もある。
[撮像装置]
図23は、本開示の電子機器の一例である撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。図23に示すように、本例に係る撮像装置100は、レンズ群101等を含む光学系、撮像素子102、カメラ信号処理部であるDSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107、及び、電源系108等を有している。そして、DSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107、及び、電源系108がバスライン109を介して相互に接続された構成となっている。
図23は、本開示の電子機器の一例である撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。図23に示すように、本例に係る撮像装置100は、レンズ群101等を含む光学系、撮像素子102、カメラ信号処理部であるDSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107、及び、電源系108等を有している。そして、DSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107、及び、電源系108がバスライン109を介して相互に接続された構成となっている。
レンズ群101は、被写体からの入射光(像光)を取り込んで撮像素子102の撮像面上に結像する。撮像素子102は、レンズ群101によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。表示装置105は、液晶表示装置や有機EL(electro luminescence)表示装置等のパネル型表示装置から成り、撮像素子102で撮像された動画または静止画を表示する。
記録装置106は、撮像素子102で撮像された動画または静止画を、メモリカードやDVD(Digital Versatile Disk)等の記録媒体に記録する。操作系107は、ユーザによる操作の下に、本撮像装置100が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源系108は、DSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、及び、操作系107の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
上記の構成の撮像装置100において、撮像素子102として、AD変換器50を構成する比較器51に用いるN型MOSFETや、単位画素31を構成する増幅トランジスタ64として用いるMOSFETに本開示のMOSFETを適用した、低ノイズのCMOS型固体撮像素子30を用いることができる。そして、撮像素子102として、低ノイズのCMOS型固体撮像素子30を用いることで、撮像装置100の高画質化に寄与できることになる。
尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
[1]活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界部のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
MOS型電界効果トランジスタ。
[2]ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界部のゲート長方向の長さが、チャネル中心部のゲート長方向の長さよりも長い、
上記[1]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[3]ゲート絶縁膜は、素子分離領域と活性領域との境界部の膜厚が、チャネル中心部の膜厚よりも厚い、
上記[2]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[4]ゲート電極は、活性領域の中央部のチャネル領域上に配置された第1電極領域と、当該第1電極領域と接続され、素子分離領域と活性領域の境界上に沿って配置された第2電極領域とから成る、
上記[1]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[5]ゲート電極の第2電極領域は、素子分離領域のゲート長方向の端部で、ソース領域及びドレイン領域のコンタクト部と対向する部位を除いて、素子分離領域と活性領域との境界に沿って配置され、素子分離領域の一部及び活性領域の一部を覆う、
上記[4]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[6]ソース領域及びドレイン領域の各々に、コンタクト部が複数個配置されている、
上記[5]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[7]ゲート電極の第2電極領域は、ソース領域側にのみ、もしくは、ドレイン領域側にのみ素子分離領域と活性領域の境界上に沿って配置され、素子分離領域及び活性領域の一部を覆う、
上記[4]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[8]ゲート絶縁膜は、チャネル幅方向の両端部に位置する素子分離領域と活性領域との境界に沿って設けられ、素子分離領域の一部及び活性領域の一部に対応する領域が厚膜化された2つの厚膜領域を有する、
上記[5]〜[7]のいずれか1項に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[9]ゲート絶縁膜の2つの厚膜領域は、チャネル中心部側に突出した突出領域を有する、
上記[8]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[10]ゲート電極は、平面視で矩形の電極形状を有しており、
ゲート絶縁膜は、チャネル幅方向の両端部に位置する素子分離領域と活性領域との境界に沿って設けられ、素子分離領域の一部及び活性領域の一部に対応する領域が厚膜化された2つの厚膜領域と、チャネル中心部において2つの厚膜領域間を繋ぐ厚膜の連結領域とを有する、
上記[1]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[11]MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
半導体集積回路。
[12]光電変換素子を含む単位画素が行列状に配置されて成る画素アレイ部と、
MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、画素から読み出される信号を処理する回路部と、
を備え、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
固体撮像素子。
[13]回路部は、画素アレイ部の各画素から画素列毎に読み出される信号を基準信号と比較する比較器を含むAD変換器を有する信号処理部であり、
比較器は、MOS型電界効果トランジスタを用いて構成されており、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
上記[12]に記載の固体撮像素子。
[14]単位画素は、光電変換素子で光電変換された電荷に基づく信号を増幅する増幅トランジスタを有しており、
増幅トランジスタは、MOS型電界効果トランジスタを用いて構成されており、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
上記[12]に記載の固体撮像素子。
[15]撮像部として、
光電変換素子を含む画素が行列状に配置されて成る画素アレイ部と、
MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、画素から読み出される信号を処理する回路部と、
を備える固体撮像素子を搭載しており、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
電子機器。
[1]活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界部のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
MOS型電界効果トランジスタ。
[2]ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界部のゲート長方向の長さが、チャネル中心部のゲート長方向の長さよりも長い、
上記[1]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[3]ゲート絶縁膜は、素子分離領域と活性領域との境界部の膜厚が、チャネル中心部の膜厚よりも厚い、
上記[2]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[4]ゲート電極は、活性領域の中央部のチャネル領域上に配置された第1電極領域と、当該第1電極領域と接続され、素子分離領域と活性領域の境界上に沿って配置された第2電極領域とから成る、
上記[1]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[5]ゲート電極の第2電極領域は、素子分離領域のゲート長方向の端部で、ソース領域及びドレイン領域のコンタクト部と対向する部位を除いて、素子分離領域と活性領域との境界に沿って配置され、素子分離領域の一部及び活性領域の一部を覆う、
上記[4]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[6]ソース領域及びドレイン領域の各々に、コンタクト部が複数個配置されている、
上記[5]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[7]ゲート電極の第2電極領域は、ソース領域側にのみ、もしくは、ドレイン領域側にのみ素子分離領域と活性領域の境界上に沿って配置され、素子分離領域及び活性領域の一部を覆う、
上記[4]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[8]ゲート絶縁膜は、チャネル幅方向の両端部に位置する素子分離領域と活性領域との境界に沿って設けられ、素子分離領域の一部及び活性領域の一部に対応する領域が厚膜化された2つの厚膜領域を有する、
上記[5]〜[7]のいずれか1項に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[9]ゲート絶縁膜の2つの厚膜領域は、チャネル中心部側に突出した突出領域を有する、
上記[8]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[10]ゲート電極は、平面視で矩形の電極形状を有しており、
ゲート絶縁膜は、チャネル幅方向の両端部に位置する素子分離領域と活性領域との境界に沿って設けられ、素子分離領域の一部及び活性領域の一部に対応する領域が厚膜化された2つの厚膜領域と、チャネル中心部において2つの厚膜領域間を繋ぐ厚膜の連結領域とを有する、
上記[1]に記載のMOS型電界効果トランジスタ。
[11]MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
半導体集積回路。
[12]光電変換素子を含む単位画素が行列状に配置されて成る画素アレイ部と、
MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、画素から読み出される信号を処理する回路部と、
を備え、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
固体撮像素子。
[13]回路部は、画素アレイ部の各画素から画素列毎に読み出される信号を基準信号と比較する比較器を含むAD変換器を有する信号処理部であり、
比較器は、MOS型電界効果トランジスタを用いて構成されており、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
上記[12]に記載の固体撮像素子。
[14]単位画素は、光電変換素子で光電変換された電荷に基づく信号を増幅する増幅トランジスタを有しており、
増幅トランジスタは、MOS型電界効果トランジスタを用いて構成されており、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
上記[12]に記載の固体撮像素子。
[15]撮像部として、
光電変換素子を含む画素が行列状に配置されて成る画素アレイ部と、
MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、画素から読み出される信号を処理する回路部と、
を備える固体撮像素子を搭載しており、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
電子機器。
1・・・MOSFET(MOS型電界効果トランジスタ)、11・・・素子分離領域、12・・・ソース領域、13・・・ドレイン領域、14・・・ゲート絶縁膜、15・・・ゲート電極、16・・・活性領域、17,18・・・コンタクト部、19・・・チャネル領域、20・・・高周波受信回路、21・・・受信アンテナ、22・・・BPF(バンド・パス・フィルタ)、23・・・低ノイズアンプ(LNA)、24・・・ミキサ、25・・・局部発振器、26・・・LPF(ロー・パス・フィルタ)、27・・・信号処理回路、31・・・単位画素、32・・・画素アレイ部、33・・・行走査部、34・・・カラム処理部、35・・・参照信号生成部、36・・・列走査部、37・・・水平出力線、38・・・映像信号処理部、39・・・タイミング制御部、40・・・半導体基板、41(41_1〜41_m)・・・行制御線、42(42_1〜42_n)・・・列信号線、50_1〜50_n・・・AD変換器、51・・・比較器、52・・・アップ/ダウンカウンタ、53・・・ラッチ、61・・・フォトダイオード(PD)、62・・・転送トランジスタ(転送ゲート部)、63・・・リセットトランジスタ、64・・・増幅トランジスタ、65・・・選択トランジスタ、66・・・FD部(電荷検出部)
Claims (15)
- 活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界部のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
MOS型電界効果トランジスタ。 - ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界部のゲート長方向の長さが、チャネル中心部のゲート長方向の長さよりも長い、
請求項1に記載のMOS型電界効果トランジスタ。 - ゲート絶縁膜は、素子分離領域と活性領域との境界部の膜厚が、チャネル中心部の膜厚よりも厚い、
請求項2に記載のMOS型電界効果トランジスタ。 - ゲート電極は、活性領域の中央部のチャネル領域上に配置された第1電極領域と、当該第1電極領域と接続され、素子分離領域と活性領域の境界上に沿って配置された第2電極領域とから成る、
請求項1に記載のMOS型電界効果トランジスタ。 - ゲート電極の第2電極領域は、素子分離領域のゲート長方向の端部で、ソース領域及びドレイン領域のコンタクト部と対向する部位を除いて、素子分離領域と活性領域との境界に沿って配置され、素子分離領域の一部及び活性領域の一部を覆う、
請求項4に記載のMOS型電界効果トランジスタ。 - ソース領域及びドレイン領域の各々に、コンタクト部が複数個配置されている、
請求項5に記載のMOS型電界効果トランジスタ。 - ゲート電極の第2電極領域は、ソース領域側にのみ、もしくは、ドレイン領域側にのみ素子分離領域と活性領域の境界上に沿って配置され、素子分離領域及び活性領域の一部を覆う、
請求項4に記載のMOS型電界効果トランジスタ。 - ゲート絶縁膜は、チャネル幅方向の両端部に位置する素子分離領域と活性領域との境界に沿って設けられ、素子分離領域の一部及び活性領域の一部に対応する領域が厚膜化された2つの厚膜領域を有する、
請求項5に記載のMOS型電界効果トランジスタ。 - ゲート絶縁膜の2つの厚膜領域は、チャネル中心部側に突出した突出領域を有する、
請求項8に記載のMOS型電界効果トランジスタ。 - ゲート電極は、平面視で矩形の電極形状を有しており、
ゲート絶縁膜は、チャネル幅方向の両端部に位置する素子分離領域と活性領域との境界に沿って設けられ、素子分離領域の一部及び活性領域の一部に対応する領域が厚膜化された2つの厚膜領域と、チャネル中心部において2つの厚膜領域間を繋ぐ厚膜の連結領域とを有する、
請求項1に記載のMOS型電界効果トランジスタ。 - MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
半導体集積回路。 - 光電変換素子を含む単位画素が行列状に配置されて成る画素アレイ部と、
MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、画素から読み出される信号を処理する回路部と、
を備え、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
固体撮像素子。 - 回路部は、画素アレイ部の各画素から画素列毎に読み出される信号を基準信号と比較する比較器を含むAD変換器を有する信号処理部であり、
比較器は、MOS型電界効果トランジスタを用いて構成されており、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
請求項12に記載の固体撮像素子。 - 単位画素は、光電変換素子で光電変換された電荷に基づく信号を増幅する増幅トランジスタを有しており、
増幅トランジスタは、MOS型電界効果トランジスタを用いて構成されており、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
請求項12に記載の固体撮像素子。 - 撮像部として、
光電変換素子を含む画素が行列状に配置されて成る画素アレイ部と、
MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、画素から読み出される信号を処理する回路部と、
を備える固体撮像素子を搭載しており、
MOS型電界効果トランジスタは、
活性領域を画定する素子分離領域と、
活性領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を有し、
ゲート電極は、素子分離領域と活性領域との境界のポテンシャルが、チャネル中心部のポテンシャルよりも浅くなるような電極形状を有する、
電子機器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015189169A JP2017069231A (ja) | 2015-09-28 | 2015-09-28 | Mos型電界効果トランジスタ、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器 |
US15/759,965 US10629640B2 (en) | 2015-09-28 | 2016-08-09 | MOS field-effect transistor with modified gate |
PCT/JP2016/073433 WO2017056740A1 (ja) | 2015-09-28 | 2016-08-09 | Mos型電界効果トランジスタ、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015189169A JP2017069231A (ja) | 2015-09-28 | 2015-09-28 | Mos型電界効果トランジスタ、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017069231A true JP2017069231A (ja) | 2017-04-06 |
Family
ID=58424093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015189169A Pending JP2017069231A (ja) | 2015-09-28 | 2015-09-28 | Mos型電界効果トランジスタ、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10629640B2 (ja) |
JP (1) | JP2017069231A (ja) |
WO (1) | WO2017056740A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019130963A1 (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、コンパレータ、及び、電子機器 |
JP2020068369A (ja) * | 2018-10-18 | 2020-04-30 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、半導体メモリ、光電変換装置、移動体、光電変換装置の製造方法、および半導体メモリの製造方法 |
US11069801B2 (en) | 2017-08-31 | 2021-07-20 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device |
US11094733B2 (en) | 2018-10-18 | 2021-08-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, semiconductor memory, photoelectric conversion device, moving unit, manufacturing method of photoelectric conversion device, and manufacturing method of semiconductor memory |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10847428B2 (en) * | 2019-03-25 | 2020-11-24 | Istanbul Teknik Universitesi | CMOS compatible device based on four-terminal switching lattices |
TW202137539A (zh) * | 2020-03-17 | 2021-10-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像裝置及電子機器 |
KR20210139089A (ko) * | 2020-05-13 | 2021-11-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2800702B2 (ja) * | 1994-10-31 | 1998-09-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US20050090047A1 (en) * | 2000-12-20 | 2005-04-28 | Actel Corporation, A California Corporation. | Method of making a MOS transistor having improved total radiation-induced leakage current |
JP4592193B2 (ja) * | 2001-02-06 | 2010-12-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2005064190A (ja) | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100680958B1 (ko) * | 2005-02-23 | 2007-02-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 피모스 트랜지스터의 제조방법 |
WO2010074252A1 (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | 国立大学法人静岡大学 | 半導体素子及び固体撮像装置 |
JP2011114036A (ja) | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Brookman Technology Inc | 絶縁ゲート型半導体素子及び絶縁ゲート型半導体集積回路 |
US8227873B2 (en) * | 2010-04-09 | 2012-07-24 | Broadcom Corporation | Integrated one-time programmable semiconductor device pair |
JPWO2013027524A1 (ja) | 2011-08-24 | 2015-03-19 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子 |
US8994082B2 (en) * | 2011-09-30 | 2015-03-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Transistors, methods of manufacturing thereof, and image sensor circuits with reduced RTS noise |
JP2013090305A (ja) | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Sony Corp | 比較器、ad変換器、固体撮像装置、およびカメラシステム |
US9559203B2 (en) | 2013-07-15 | 2017-01-31 | Analog Devices, Inc. | Modular approach for reducing flicker noise of MOSFETs |
JP6279332B2 (ja) * | 2014-01-21 | 2018-02-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP6480114B2 (ja) * | 2014-07-09 | 2019-03-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置、画像データ伝送方法、およびカメラシステム |
-
2015
- 2015-09-28 JP JP2015189169A patent/JP2017069231A/ja active Pending
-
2016
- 2016-08-09 WO PCT/JP2016/073433 patent/WO2017056740A1/ja active Application Filing
- 2016-08-09 US US15/759,965 patent/US10629640B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11069801B2 (en) | 2017-08-31 | 2021-07-20 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device |
WO2019130963A1 (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、コンパレータ、及び、電子機器 |
US11405575B2 (en) | 2017-12-26 | 2022-08-02 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging element, comparator, and electronic device |
JP2020068369A (ja) * | 2018-10-18 | 2020-04-30 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、半導体メモリ、光電変換装置、移動体、光電変換装置の製造方法、および半導体メモリの製造方法 |
US11094733B2 (en) | 2018-10-18 | 2021-08-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, semiconductor memory, photoelectric conversion device, moving unit, manufacturing method of photoelectric conversion device, and manufacturing method of semiconductor memory |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10629640B2 (en) | 2020-04-21 |
WO2017056740A1 (ja) | 2017-04-06 |
US20180261638A1 (en) | 2018-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10868989B2 (en) | Imaging device and electronic apparatus with upper and lower substrates | |
WO2017056740A1 (ja) | Mos型電界効果トランジスタ、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器 | |
JP5552858B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器 | |
US10332928B2 (en) | Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
US8810703B2 (en) | Solid-state image pickup device, driving method of solid-state image pickup device, and electronic device | |
JP5369779B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 | |
US8743252B2 (en) | Solid-state imaging device for high density CMOS image sensor, and driving method thereof | |
JP2011216673A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 | |
US10645327B2 (en) | Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
US9117724B2 (en) | Solid-state image sensing device | |
JP2015023250A (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方法、並びに電子機器 | |
JP2006196884A (ja) | 固体撮像装置 | |
WO2017061191A1 (ja) | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、及び、電子機器 | |
CN110164888B (zh) | 像素电路 | |
WO2017119177A1 (ja) | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、及び、電子機器 | |
US10340298B2 (en) | Semiconductor device having negative fixed charge, positive fixed charge and electronic apparatus capable of reducing a leaking current of a PN junction region | |
JP2012227889A (ja) | 固体撮像装置 | |
US9406816B2 (en) | Solid-state imaging apparatus, method of manufacturing solid-state imaging apparatus and electronic device | |
JP4746962B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
US9379160B2 (en) | Solid-state imaging apparatus, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |