JP2017059843A - レーザダイシング装置及び方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 244
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000002679 ablation Methods 0.000 abstract description 39
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 505
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 68
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 7
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 2
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- CAHQGWAXKLQREW-UHFFFAOYSA-N Benzal chloride Chemical compound ClC(Cl)C1=CC=CC=C1 CAHQGWAXKLQREW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 210000005239 tubule Anatomy 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】ウェーハ内部に改質層を形成するレーザダイシング装置において、レーザ光の照射手段と、ウェーハを密着させた基板であって且つレーザ光が透過可能な基板と、基板上に液膜と、を有し、照射手段から液膜及び基板を介してウェーハ内部へレーザ光を照射し、ウェーハ内部に改質層を形成する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明に係るレーザダイシング装置の一実施形態を示す概略構成図である。また、図2は、本発明に係るレーザダイシング装置によってウェーハに改質層を形成している断面図である。
次に、上記の如く構成されたレーザダイシング装置10を用いたレーザダイシング方法について説明する。
通常、空気の場合は、屈折率が1であるため、開口数NAは理論上最大でも1となるが、実際は0.95程度が限界となる。すなわち、レーザ光の集光レンズから光の媒質が空気であれば、開口数NAは、1以上になることはない。従来は、集光するレーザ光において、そのレーザ光が通過する媒質は、空気を介するので自ずと低い開口数NAの条件でレーザダイシング加工していた。
したがって、集光点深度dを浅くするためには、開口数NAを高く取ることが重要になる。
解像度δは、波長λに比例し開口数NAに反比例する。解像度δをより小さくするためには開口数NAを大きくする方がよい。この点においても空気を介在させるのではなく、屈折率の高い媒質を介在させて開口数NAの高いレンズを使用した方が開口数NAを大きく取ることができ、より局所的なエネルギーを一箇所に集中させることに寄与する。
屈折により材料内部に光が届くためには、屈折率の影響は大きい。
次に、本実施の形態で用いられる屈折液A及び屈折液Bについて説明する。
また本実施の形態では、上述したように、ウェーハテーブル20のテーブル板22は透明な石英ガラスで構成されているが、これに限らず、例えばゲルマニウム板、シリコン板、プラスチック樹脂板などで構成されていてもよい。また、ウェーハWとテーブル板22が同一素材で構成される態様によれば、その素材と同程度の屈折率を有する屈折液26を用いることにより、屈折の影響を受けることなく、レーザ光の透過率を更に向上させることが可能となる。
上記のレーザダイシング方法によってダイシング処理されたウェーハWは、その後、外的応力が印加されて、チップに分割される。この処理は、例えば、エキスパンド装置によって行われる。
図1等で説明したレーザダイシング装置では、装置に付属するウェーハテーブル20に高精度な一様厚みのテーブル板22を搭載し、そのテーブル板22のテーブル面を基準にウェーハWを貼り付けることで、ワークディスタンスを一定にするという方法である。
上記に詳述した実施形態についての記載から把握されるとおり、本明細書では以下に示す発明を含む多様な技術思想の開示を含んでいる。
Claims (2)
- ウェーハ内部に改質層を形成するレーザダイシング装置において、
レーザ光の照射手段と、
前記ウェーハを密着させた基板であって且つ前記レーザ光が透過可能な基板と、
前記基板上に液膜と、を有し、
前記照射手段から前記液膜及び前記基板を介して前記ウェーハ内部へ前記レーザ光を照射し、前記ウェーハ内部に前記改質層を形成するレーザダイシング装置。 - ウェーハ内部に改質層を形成するレーザダイシング方法において、
レーザ光の照射手段から照射したレーザ光を、透明な液膜と、前記レーザ光が透過可能な基板とを通過させて前記基板に密着した前記ウェーハ内部に入射させ、前記ウェーハ内部に改質層を形成するレーザダイシング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016223203A JP6319640B2 (ja) | 2016-11-16 | 2016-11-16 | レーザダイシング装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016223203A JP6319640B2 (ja) | 2016-11-16 | 2016-11-16 | レーザダイシング装置及び方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016152765A Division JP6044814B2 (ja) | 2016-08-03 | 2016-08-03 | レーザダイシング装置及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017059843A true JP2017059843A (ja) | 2017-03-23 |
JP6319640B2 JP6319640B2 (ja) | 2018-05-09 |
Family
ID=58390551
Family Applications (1)
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JP2016223203A Active JP6319640B2 (ja) | 2016-11-16 | 2016-11-16 | レーザダイシング装置及び方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6319640B2 (ja) |
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JP6319640B2 (ja) | 2018-05-09 |
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A977 | Report on retrieval |
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