JP2017055023A - 基板液処理装置及び流路洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板を処理液で液処理するための基板液処理装置等に設けられた流路を短時間で洗浄するための流路洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(ウェハW)を液処理する処理液を流すための流路(27)と、前記流路(27)に接続された温度差を有する洗浄液を供給するための高温側洗浄液供給部(43)と低温側洗浄液供給部(44)と、前記高温側洗浄液供給部(43)と前記低温側洗浄液供給部(44)とを制御する制御部(18)とを有し、前記制御部(18)は、前記高温側洗浄液供給部(43)から前記流路(27)に高温の洗浄液を供給する高温側洗浄液供給工程と、前記低温側洗浄液供給部(44)から前記流路(27)に低温の洗浄液を供給する低温側洗浄液供給工程とを、交互に繰り返し行って前記流路(27)を洗浄することにした。
【選択図】図3
【解決手段】本発明では、基板(ウェハW)を液処理する処理液を流すための流路(27)と、前記流路(27)に接続された温度差を有する洗浄液を供給するための高温側洗浄液供給部(43)と低温側洗浄液供給部(44)と、前記高温側洗浄液供給部(43)と前記低温側洗浄液供給部(44)とを制御する制御部(18)とを有し、前記制御部(18)は、前記高温側洗浄液供給部(43)から前記流路(27)に高温の洗浄液を供給する高温側洗浄液供給工程と、前記低温側洗浄液供給部(44)から前記流路(27)に低温の洗浄液を供給する低温側洗浄液供給工程とを、交互に繰り返し行って前記流路(27)を洗浄することにした。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板を処理液で液処理するための基板液処理装置及び同基板液処理装置等の流路を洗浄するための流路洗浄方法に関するものである。
半導体部品やフラットパネルディスプレイなどの製造には、半導体ウエハや液晶基板などの基板に対して洗浄液やエッチング液などの処理液を用いて液処理するために、基板液処理装置が使用される。
基板液処理装置では、基板を処理液で液処理するための基板液処理部と、基板液処理部に処理液を供給するための処理液供給部とを有する。処理液供給部は、処理液を貯留するタンクに循環流路を接続し、循環流路にポンプやフィルターやヒーターなどを介設している。また、処理液供給部は、循環流路の途中から基板液処理部に向けて分岐した分岐流路を形成し、分岐流路に流量計や定圧弁や開閉バルブなどを介設している。そして、基板液処理装置は、タンクに貯留した処理液を循環流路で循環させることで不純物の除去や加熱などを行い、その後、分岐流路から基板液処理部に所定温度の処理液を供給する。
この基板液処理装置では、初期設置時やメンテナンス時などにおいて、循環流路や分岐流路などの流路を洗浄して不純物等を除去する必要がある。流路の洗浄は、常温の純水を洗浄液としてタンクに貯留し、その洗浄液を循環流路で繰り返し循環させることで循環流路(循環流路に設けられたポンプやフィルターやヒーターなどの内部の流路を含む。)を洗浄する。また、タンクから分岐流路に洗浄液を繰り返し流すことで分岐流路(分岐流路に設けられた流量計や定圧弁や開閉バルブなどの内部の流路を含む。)を洗浄する(たとえば、特許文献1参照。)。
ところが、上記基板液処理装置では、流路に常温の純水を繰り返し流すことで流路を洗浄していたために、流路を良好に洗浄するには長時間を要し、大量の純水を洗浄水として消費する。
そこで、本発明では、基板液処理装置において、基板を液処理する処理液を流すための流路と、前記流路に接続された温度差を有する洗浄液を供給するための高温側洗浄液供給部と低温側洗浄液供給部と、前記高温側洗浄液供給部と前記低温側洗浄液供給部とを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記高温側洗浄液供給部から前記流路に高温の洗浄液を供給する高温側洗浄液供給工程と、前記低温側洗浄液供給部から前記流路に低温の洗浄液を供給する低温側洗浄液供給工程とを、交互に繰り返し行うことにした。
また、本発明では、流路洗浄方法において、温度差を有する洗浄液を供給するための高温側洗浄液供給部と低温側洗浄液供給部とを流路に接続し、前記高温側洗浄液供給部から前記流路に高温の洗浄液を供給する高温側洗浄液供給工程と、前記低温側洗浄液供給部から前記流路に低温の洗浄液を供給する低温側洗浄液供給工程とを、交互に繰り返し行って前記流路を洗浄することにした。
また、前記流路は、タンクに貯留された液体を循環させるための循環流路と、前記循環流路から分岐して前記液体を供給するための分岐流路とを有し、前記分岐流路に前記高温側洗浄液供給部及び前記低温側洗浄液供給部とを接続することにした。
本発明では、基板液処理装置における基板を液処理する処理液を流すための流路(流路を構成する部材の内部に形成される流路を含む。)を短時間で良好に洗浄することができる。
以下に、本発明に係る基板液処理装置及び同基板液処理装置で実行される流路洗浄方法の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、本発明に係る基板液処理装置を適用した基板処理システムを用いて本発明に係る流路洗浄方法を実行する場合について説明する。
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図1に示すように、基板処理システム1は、搬入出ステーション2と、処理ステーション3とを備える。搬入出ステーション2と処理ステーション3とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション2は、キャリア載置部11と、搬送部12とを備える。キャリア載置部11には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ(以下ウェハW)を水平状態で収容する複数のキャリアCが載置される。
搬送部12は、キャリア載置部11に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置13と、受渡部14とを備える。基板搬送装置13は、ウェハWを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置13は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアCと受渡部14との間でウェハWの搬送を行う。
処理ステーション3は、搬送部12に隣接して設けられる。処理ステーション3は、搬送部15と、複数の処理ユニット16とを備える。複数の処理ユニット16は、搬送部15の両側に並べて設けられる。
搬送部15は、内部に基板搬送装置17を備える。基板搬送装置17は、ウェハWを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置17は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部14と処理ユニット16との間でウェハWの搬送を行う。
処理ユニット16は、基板搬送装置17によって搬送されるウェハWに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム1は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部18と記憶部19とを備える。記憶部19には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部18は、記憶部19に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部19にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム1では、まず、搬入出ステーション2の基板搬送装置13が、キャリア載置部11に載置されたキャリアCからウェハWを取り出し、取り出したウェハWを受渡部14に載置する。受渡部14に載置されたウェハWは、処理ステーション3の基板搬送装置17によって受渡部14から取り出されて、処理ユニット16へ搬入される。
処理ユニット16へ搬入されたウェハWは、処理ユニット16によって処理された後、基板搬送装置17によって処理ユニット16から搬出されて、受渡部14に載置される。そして、受渡部14に載置された処理済のウェハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
上記基板処理システム1(基板液処理装置)に設けられた処理ユニット16は、図2に示すように、ウェハWを処理液で液処理する基板液処理部20と、基板液処理部20に処理液を供給する処理液供給部21とを有する。
基板液処理部20は、チャンバー22の内部にウェハWを保持するための基板保持体23と処理液を吐出するための処理液吐出ノズル24とを収容する。チャンバー22には、処理液を外部に排出するためのドレイン25が接続されている。
処理液供給部21は、処理液を貯留する処理液貯留部26と、処理液貯留部26から基板液処理部20に向けて処理液が流れる流路27とを有する。
処理液貯留部26は、処理液を供給するための処理液供給源28にタンク29を接続する。タンク29には、処理液を外部に排出するためのドレイン30が接続されている。処理液貯留部26では、処理液供給源28から供給された処理液をタンク29で貯留する。
流路27は、タンク29に接続した閉ループ状の循環流路31と、循環流路31の途中から基板液処理部20の処理液吐出ノズル24に向けて分岐した分岐流路32とを有する。
循環流路31は、タンク29の下部(底部)に始端(上流側端部)が接続され、タンク29の上部(天井部)に終端(下流側端部)が接続される。この循環流路31には、ポンプ33とフィルター34とヒーター35と開閉バルブ36とが上流側から順に介設されている。循環流路31は、開閉バルブ36を開いた状態でポンプ33を駆動することで、タンク29に貯留した処理液(液体)を循環させる。
分岐流路32は、循環流路31のヒーター35と開閉バルブ36との間に始端(上流側端部)が接続され、処理液吐出ノズル24に終端(下流側端部)が接続される。この分岐流路32には、流量調整器37と流量計38と定圧弁39と開閉バルブ40とが上流側から順に介設されている。分岐流路32は、開閉バルブ36を閉じた状態でポンプ33を駆動することで、タンク29に貯留した処理液(液体)を基板液処理部20に供給する。
また、分岐流路32には、洗浄液を供給するための洗浄液供給部41が接続されている。
洗浄液供給部41は、分岐流路32の流量調整器37と流量計38との間に流路切替器42を介設し、流路切替器42に温度差を有する洗浄液を供給するための高温側洗浄液供給部43と低温側洗浄液供給部44とを接続する。ここでは、高温側洗浄液供給部43が70℃に加熱された純水を洗浄液として供給し、低温側洗浄液供給部44が常温のままの純水を洗浄液として供給する。なお、洗浄液は温度差があればよく、異なる種類の液体であってもよい。
高温側洗浄液供給部43は、高温の(低温側洗浄液供給部44で供給する洗浄液よりも温度の高い)洗浄液を供給する高温側洗浄液供給源45を流量調整器46を介して流路切替器42に接続する。
低温側洗浄液供給部44は、低温の(高温側洗浄液供給部43で供給する洗浄液よりも温度の低い)洗浄液を供給する低温側洗浄液供給源47を流量調整器48を介して流路切替器42に接続する。
なお、ここでは、高温側洗浄液供給源45と低温側洗浄液供給源47とを異なる供給源を用いた構成としているが、これに限られず、共通の供給源を用いるとともに、高温側洗浄液供給部43にヒーターを設け、低温側洗浄液供給部44にクーラーを設けるなどした構成とすることもできる。
基板処理システム1は、以上に説明したように構成している。そして、上記基板処理システム1では、初期設置時やメンテナンス時などにおいて必要に応じて流路27の洗浄を行う。
流路27の洗浄は、記憶部19に記憶されたプログラムにしたがって制御部18が洗浄液供給部41を制御することで行う。その際に、制御部18は、図3及び図4に示すように、洗浄液供給部41の高温側洗浄液供給部43と低温側洗浄液供給部44とを交互に繰り返し駆動させる。すなわち、制御部18は、流路切替器42を切り替えて高温側洗浄液供給部43を分岐流路32に接続し、高温側洗浄液供給部43から分岐流路32に高温側の洗浄液を一定時間(たとえば、t1)だけ供給する(高温側洗浄液供給工程(図3(a)))。その後、制御部18は、流路切替器42を切り替えて低温側洗浄液供給部44を分岐流路32に接続し、低温側洗浄液供給部44から分岐流路32に低温側の洗浄液を一定時間(たとえば、t2)だけ供給する(低温側洗浄液供給工程(図3(b)))。その後、高温側洗浄液供給工程と低温側洗浄液供給工程とを交互に所定回数(所定時間)繰り返し行う。これにより、流路27(ここでは、分岐流路32)を温度差を有する洗浄液で洗浄する。
高温側洗浄液供給工程では、流路27に高温の洗浄液が流れるために、流路27の内部の汚染物の溶解が促進されるとともに、洗浄液の界面張力の低下によって汚染物の内部にまで洗浄液を浸透させることができる。一方、低温側洗浄液供給工程では、流路27に低温の洗浄液が流れるために、低温の洗浄液の界面張力の増加によって汚染物の剥離を促進させることができる。さらに、高温側洗浄液供給工程と低温側洗浄液供給工程とを繰り返し行うことで、流路27の内部で汚染物の熱膨張と熱収縮とが繰り返し行われ、汚染物の付着力が低減して汚染物の剥離を促進することができる。また、洗浄液の界面張力が繰り返し変化し、汚染物の剥離と除去を円滑に行うことができる。そのため、流路27の洗浄に要する時間(繰り返し回数)を短縮することができる。特に、分岐流路32の場合には、洗浄液を廃棄する必要があるため、洗浄時間の短縮に伴って洗浄液の消費量を低減することができ、流路27の洗浄に要するコストを低減することができる。
高温側洗浄液供給工程を実行する時間(t1)と低温側洗浄液供給工程を実行する時間(t2)は、流路27の状態等によって適宜決定すればよく、同一の時間であっても異なる時間であってもよい。
なお、上記基板処理システム1では、分岐流路32に高温側洗浄液供給部43と低温側洗浄液供給部44とを接続した構成について説明したが、たとえば、処理液供給源28とタンク29とを接続する流路に高温側洗浄液供給部43と低温側洗浄液供給部44とを流路切替器を介して接続した構成としてもよい。これにより、タンク29や循環流路31に高温の洗浄液と低温の洗浄液とを交互に繰り返し供給することができ、循環流路31を短時間で洗浄することができる。また、高温側洗浄液供給部43と低温側洗浄液供給部44とを循環流路31と分岐流路32にそれぞれ接続し、循環流路31の洗浄と分岐流路32の洗浄とを同時に行うようにしてもよい。これにより、流路27全体を短時間で洗浄することができる。
また、上記基板処理システム1(基板液処理装置)に設けられた処理ユニット16では、図5に示すように、1個の基板液処理部20に複数(ここでは、2個)の処理液供給部21,49を流路切替器50を介して接続することもある。これにより、複数種類の処理液でウェハWを処理することができる。この場合には、それぞれの処理液供給部21,49の分岐流路32に流路切替器42を介して高温側洗浄液供給部43と低温側洗浄液供給部44とを接続する。これにより、循環流路31よりも洗浄に時間を要し大量の洗浄液を消費する分岐流路32を短時間で洗浄することができる。
以上に説明したように、本発明では、温度差を有する洗浄液を供給するための高温側洗浄液供給部43と低温側洗浄液供給部44とを流路27に接続し、高温側洗浄液供給部43から流路27に高温の洗浄液を供給する高温側洗浄液供給工程と、低温側洗浄液供給部44から流路27に低温の洗浄液を供給する低温側洗浄液供給工程とを、交互に繰り返し行って流路27を洗浄する。これにより、短時間で、かつ、少ない洗浄液の消費量で、流路27を良好に洗浄することができる。
なお、本発明に係る流路には、パイプやバルブなどから構成される包括的な流路に限られず、パイプやバルブなどの内部に形成される個別的な流路も含まれる。そのため、本発明は、上記基板処理システム1などの装置に形成された流路27を洗浄する場合に限られず、開閉バルブやフィルターなどの部材の内部に形成された流路を洗浄する場合にも適用することができる。たとえば、図6に示すように、洗浄対象部材としての開閉バルブ51の内部に形成された流路を洗浄する場合には、開閉バルブ51の上流側に高温側洗浄液供給部43と低温側洗浄液供給部44とを流路切替器50を介して着脱自在に接続し、開閉バルブ51の下流側にドレイン52を着脱自在に接続する。そして、高温側洗浄液供給部43から開閉バルブ51の内部の流路に高温の洗浄液を供給する高温側洗浄液供給工程と、低温側洗浄液供給部44から開閉バルブ51の内部の流路に低温の洗浄液を供給する低温側洗浄液供給工程とを、交互に繰り返し行って開閉バルブ51の内部の流路を洗浄する。これにより、短時間で、かつ、少ない洗浄液の消費量で、洗浄対象部材としての開閉バルブ51の内部の流路を良好に洗浄することができる。
W ウェハ
1 基板処理システム
18 制御部
27 流路
29 タンク
31 循環流路
32 分岐流路
43 高温側洗浄液供給部
44 低温側洗浄液供給部
1 基板処理システム
18 制御部
27 流路
29 タンク
31 循環流路
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43 高温側洗浄液供給部
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Claims (4)
- 基板を液処理する処理液を流すための流路と、
前記流路に接続された温度差を有する洗浄液を供給するための高温側洗浄液供給部と低温側洗浄液供給部と、
前記高温側洗浄液供給部と前記低温側洗浄液供給部とを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記高温側洗浄液供給部から前記流路に高温の洗浄液を供給する高温側洗浄液供給工程と、前記低温側洗浄液供給部から前記流路に低温の洗浄液を供給する低温側洗浄液供給工程とを、交互に繰り返し行うことを特徴とする基板液処理装置。 - 前記流路は、タンクに貯留された前記処理液を循環させるための循環流路と、前記循環流路から分岐して前記処理液を供給するための分岐流路とを有し、前記分岐流路に前記高温側洗浄液供給部及び前記低温側洗浄液供給部とを接続したことを特徴とする請求項1に記載の基板液処理装置。
- 温度差を有する洗浄液を供給するための高温側洗浄液供給部と低温側洗浄液供給部とを流路に接続し、前記高温側洗浄液供給部から前記流路に高温の洗浄液を供給する高温側洗浄液供給工程と、前記低温側洗浄液供給部から前記流路に低温の洗浄液を供給する低温側洗浄液供給工程とを、交互に繰り返し行って前記流路を洗浄することを特徴とする流路洗浄方法。
- 前記流路は、タンクに貯留された液体を循環させるための循環流路と、前記循環流路から分岐して前記液体を供給するための分岐流路とを有し、前記分岐流路に前記高温側洗浄液供給部及び前記低温側洗浄液供給部とを接続したことを特徴とする請求項3に記載の流路洗浄方法。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
CN110060922A (zh) * | 2018-01-19 | 2019-07-26 | 东京毅力科创株式会社 | 流路清洗方法和流路清洗装置 |
WO2021157440A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタ洗浄システムおよびフィルタ洗浄方法 |
KR20220020100A (ko) * | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 액 공급 유닛 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013030690A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、フィルタ洗浄方法、およびフィルタ洗浄装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61200887A (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-05 | 三菱重工業株式会社 | 管路内の洗浄方法 |
-
2015
- 2015-09-11 JP JP2015179310A patent/JP2017055023A/ja active Pending
-
2016
- 2016-09-06 TW TW105128790A patent/TW201724239A/zh unknown
- 2016-09-06 WO PCT/JP2016/076206 patent/WO2017043495A1/ja active Application Filing
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013030690A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、フィルタ洗浄方法、およびフィルタ洗浄装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110060922A (zh) * | 2018-01-19 | 2019-07-26 | 东京毅力科创株式会社 | 流路清洗方法和流路清洗装置 |
CN110060922B (zh) * | 2018-01-19 | 2024-05-17 | 东京毅力科创株式会社 | 流路清洗方法和流路清洗装置 |
WO2021157440A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタ洗浄システムおよびフィルタ洗浄方法 |
JPWO2021157440A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | ||
KR20220137671A (ko) | 2020-02-05 | 2022-10-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 필터 세정 시스템 및 필터 세정 방법 |
JP7305807B2 (ja) | 2020-02-05 | 2023-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタ洗浄システムおよびフィルタ洗浄方法 |
KR20220020100A (ko) * | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 액 공급 유닛 |
KR102541301B1 (ko) | 2020-08-11 | 2023-06-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 액 공급 유닛 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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