JP2017054990A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2017054990A
JP2017054990A JP2015178938A JP2015178938A JP2017054990A JP 2017054990 A JP2017054990 A JP 2017054990A JP 2015178938 A JP2015178938 A JP 2015178938A JP 2015178938 A JP2015178938 A JP 2015178938A JP 2017054990 A JP2017054990 A JP 2017054990A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
light emitting
conductive
emitting device
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015178938A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6604505B2 (ja
Inventor
尚樹 藤谷
Naoki Fujitani
尚樹 藤谷
杉浦 健二
Kenji Sugiura
健二 杉浦
直紀 田上
Naoki Tagami
直紀 田上
孝祐 竹原
Kosuke Takehara
孝祐 竹原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2015178938A priority Critical patent/JP6604505B2/ja
Priority to DE102016116617.0A priority patent/DE102016116617A1/de
Priority to US15/258,548 priority patent/US20170077368A1/en
Publication of JP2017054990A publication Critical patent/JP2017054990A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6604505B2 publication Critical patent/JP6604505B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0271Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S4/00Lighting devices or systems using a string or strip of light sources
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/10Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/0929Conductive planes
    • H05K2201/09363Conductive planes wherein only contours around conductors are removed for insulation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/0969Apertured conductors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10106Light emitting diode [LED]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/049Wire bonding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)

Abstract

【課題】基板の反りに起因する断線不良の発生を抑制することができる。
【解決手段】長尺状の樹脂基板からなる基板10と、基板10に形成された導電膜20と、基板10に配置された複数のLED素子30とを備え、複数のLED素子30は、隣り合う2つのLED素子30を含み、導電膜20は、隣り合う2つのLED素子30を電気的に接続し且つ少なくとも一部がこれらの隣り合う2つのLED素子30の間に位置する第1導電部21と、これらの隣り合う2つのLED素子30の並び方向に交差する方向における第1導電部21の両外側に存在する第2導電部22とを有し、第2導電部22における第1導電部21の両外側の各々には、基板10の長手方向に交差する方向に延在するスリット22sが形成されている。
【選択図】図5

Description

本発明は、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)等の発光素子を有する発光装置に関する。
LED等の半導体発光素子は、高効率及び高寿命であるので、種々の機器の光源として広く利用されている。例えば、LEDは、照明装置における照明用光源として用いられたり、液晶表示装置におけるバックライト光源として用いられたりしている。
一般的に、LEDは、LEDモジュール(発光装置)としてユニット化されて各種機器に内蔵されている。例えば、LEDモジュールは、基板と、基板の上に実装された1つ以上のLED素子と、基板にパターン形成された配線(導電膜)とを備える。
具体的には、1つ又は複数のLEDチップ(LED素子)を直接基板に実装することによって構成されたCOB(Chip On Board)タイプのLEDモジュールが知られている(特許文献1)。
また、LEDチップを容器に収容することでパッケージ化されたSMD(Surface Mount Device)型のLED素子を基板上に1個又は複数個実装することによって構成されたSMDタイプのLEDモジュールも知られている。
特開2011−176017号公報
直管形LEDランプ又はベースライト等の照明装置あるいは液晶表示装置等においては、長尺状のLEDモジュールが用いられることがある。この場合、LED素子を実装する基板も長尺状のものが用いられる。
しかしながら、長尺状の基板を用いると、基板に反りが発生する。特に、基板として樹脂材料をベースとする樹脂基板を用いると、基板に反りが発生しやすい。
基板に反りが発生すると、LED素子とパターン配線(導電膜)との接続部分に負荷がかかって、導通不良(不点灯)が発生するという課題がある。例えば、COBタイプのLEDモジュールでは、LEDチップとパターン配線とをボンディングワイヤで接続しているが、基板に反りが発生すると、基板の反りによる歪み応力によってボンディングワイヤとパターン配線との接続部分に負荷がかかって断線不良が発生する場合がある。
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、基板の反りに起因する断線不良の発生を抑制することができる発光装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る発光装置の一態様は、長尺状の樹脂基板からなる基板と、前記基板に形成された導電膜と、前記基板に配置された複数の発光素子とを備え、前記複数の発光素子は、隣り合う2つの発光素子を含み、前記導電膜は、前記隣り合う2つの発光素子を電気的に接続し且つ少なくとも一部が当該隣り合う2つの発光素子の間に位置する第1導電部と、前記隣り合う2つの発光素子の並び方向に交差する方向における前記第1導電部の両外側に存在する第2導電部とを有し、前記第2導電部における前記第1導電部の両外側の各々には、前記基板の長手方向に交差する方向に延在するスリットが形成されている。
本発明によれば、基板の反りに起因する断線不良の発生を抑制することができる。
実施の形態に係る発光装置の斜視図である。 実施の形態に係る発光装置の平面図である。 実施の形態に係る発光装置の要部拡大平面図(図2の破線で囲まれる領域Aの拡大図)である(レジスト膜は不図示)。 実施の形態に係る発光装置の要部拡大平面図(図2の破線で囲まれる領域Aの拡大図)である(レジスト膜及び封止部材は不図示)。 図3BのIVA−IVA線における実施の形態に係る発光装置の断面図である。 図3BのIVB−IVB線における実施の形態に係る発光装置の断面図である。 実施の形態に係る発光装置の長手方向の端部の拡大平面図である。 比較例の発光装置の拡大平面図である。 反った発光装置の断面図である。 変形例1に係る発光装置の要部拡大平面図である。 変形例2に係る発光装置の要部拡大平面図である。 変形例3に係る発光装置の要部拡大平面図である。 変形例4に係る発光装置の要部拡大平面図である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、並びに、工程(ステップ)及び工程の順序等は、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。本明細書及び図面において、X軸、Y軸及びZ軸は、三次元直交座標系の三軸を表しており、X軸方向を基板10の長手方向としている。
(実施の形態)
実施の形態に係る発光装置1の構成について、図1〜図4Bを用いて説明する。
図1は、実施の形態に係る発光装置1の斜視図である。図2は、同発光装置1の平面図である。図3A及び図3Bは、図2の破線で囲まれる領域Aの拡大図であり、図3Aはレジスト膜60を省略した図、図3Bはレジスト膜60及び封止部材40を省略した図を示している。なお、図3Bにおいて、封止部材40の位置を破線で示している。また、図4Aは、図3BのIVA−IVA線における同発光装置1の断面図であり、図4Bは、図3BのIVB−IVB線における同発光装置1の断面図である。
図1〜図4Bに示すように、発光装置1は、基板10と、基板10に形成された導電膜20と、基板10に配置された複数のLED素子30とを備える。本実施の形態において、発光装置1は、さらに、封止部材40と、ワイヤ50と、レジスト膜60とを備える。
本実施の形態における発光装置1は、基板10にLED素子30としてLEDチップが直接実装されたCOBタイプのLEDモジュールであり、例えば白色光を出射するように構成されている。以下、発光装置1の各構成部材について詳細に説明する。
[基板]
基板10は、樹脂をベースとする樹脂基板からなる。樹脂基板(基板10)としては、例えば、ガラス繊維とエポキシ樹脂とからなるガラスエポキシによって構成されたガラスエポキシ基板(FR−4)やガラスコンポジット基板(CEM−3)、クラフト紙等とフェノール樹脂とによって構成された紙フェノール基板(FR−1、FR−2)、紙とエポキシ樹脂とによって構成された紙エポキシ基板(FR−3)、又は、ポリイミド等からなる可撓性を有するフレキシブル基板等が用いられる。
基板10は、長尺状である。基板10は、例えば、X軸方向に長尺状をなす矩形基板である。なお、基板10は、長尺状であれば、矩形状に限るものでない。
基板10は、LED素子30を実装するための実装基板である。したがって、図3B及び図4Aに示すように、基板10にはLED素子30が実装される。基板10において、LED素子30が実装される面が第1の主面(表面)であり、第1の主面とは反対側の面が第2の主面(裏面)である。本実施の形態において、LED素子30は、基板10の第1の主面にのみ実装されており、第2の主面にはLED素子が実装されていない。
一例として、基板10が矩形基板である場合、基板10の長手方向の長さ(長辺の長さ)は、93mm〜280mmであり、基板10の短手方向の長さ(短辺の長さ)は、10mm〜24mmである。また、基板10の厚みは、例えば0.8mm〜1.2mmである。本実施の形態における基板10は、長辺の長さが279.4mmであり、短辺の長さが18.4mmであり、厚みが1.0mmである。
[導電膜]
図3A〜図4Bに示すように、導電膜20(導電層)は、基板10に形成される。導電膜20は、例えば、金属からなる金属膜(金属層)である。本実施の形態において、導電膜20は、基板10の第1の主面に所定形状のパターンで形成された金属配線である。導電膜20は、例えば、銅(Cu)からなる銅配線である。なお、導電膜20の材料は、銅に限るものではなく、銅以外の金属又はその他の導電材料を用いることができる。導電膜20の厚みは、15μm〜70μmであり、本実施の形態では、35μmである。
導電膜20には、LED素子30を発光させるための電流が流れる。導電膜20は、基板10上の複数のLED素子30を所定の直並列接続となるようにパターン形成されている。
所定形状の導電膜20は、例えば、予め第1の主面のほぼ全面に金属膜(銅箔等)が圧着された基板10を用いて形成することができる。この場合、例えばエッチング等によって略矩形状の金属膜の一部を除去することで所定形状の導電膜20をパターン形成することができる。なお、所定形状の導電膜20は、基板10に予め形成された金属膜をエッチングしてパターニングするのではなく、基板10の第1の主面に金属材料を所定形状に印刷することでも形成することができる。
また、導電膜20は、LED素子30で発生する熱を放熱する機能も有する。したがって、導電膜20は、基板10の第1の主面の広範囲にわたって形成されているとよい。例えば、基板10の第1の主面における導電膜20の割合(パターニング後の導電膜20の面積/基板10の第1の主面の面積)は、50%〜78%であり、本実施の形態では、70%である。
なお、基板10の第2の主面(裏面)にも銅箔等の金属膜(金属層)が形成されていてもよい。図4Aに示すように、本実施の形態では、基板10の第2の主面に、銅からなる金属膜70が形成されている。基板10の第2の主面に金属膜70を形成することによって、LED素子30で発生する熱を一層効率よく放熱させることができる。この場合、金属膜70は、LED素子30と電気的に接続されていない。つまり、金属膜70は、電気的に浮いた状態(フローティング状態)であり、LED素子30を発光させるための電流が流れない。このように、基板10の両面に金属膜(導電膜20、金属膜70)を形成する場合には、基材となる基板10の両面に銅箔等の金属膜が予め形成された両面CEM−3基板を用いることができる。
図3Bに示すように、基板10の第1の主面に形成された導電膜20は、第1導電部21と第2導電部22とを有する。第1導電部21及び第2導電部22の各々は、導電膜20の一部として所定形状で形成されている。
第1導電部21と第2導電部22とは、分離して形成されている。第1導電部21と第2導電部22との隙間(間隔)は、0.2mm〜0.6mmであり、本実施の形態では、導電膜20全域において一定の0.2mmである。第1導電部21と第2導電部22との隙間は、例えば、上記のように基板10の第1の主面の金属膜をエッチングすることで形成することができる。つまり、第1導電部21と第2導電部22との隙間は、金属膜をエッチングによって除去された領域である。この隙間を形成することによって所定形状の導電膜20を形成することができる。
第1導電部21は、導電膜20において、基板10上の複数のLED素子30のうち隣り合う2つのLED素子30を電気的に接続し、且つ、少なくとも一部が当該隣り合う2つのLED素子30の間に位置する領域を含む部分である。本実施の形態において、第1導電部21は、封止部材40で覆われる領域であり、第1導電部21が接続する2つのLED素子30は、基板10の長手方向(X軸方向)に沿って配列されている。
第1導電部21は、例えば、隣り合う2つのLED素子30の間において島状に形成された領域である。この島状の第1導電部21は、基板10の長手方向(X軸方向)に沿って長尺をなすように形成されている。なお、長尺状の第1導電部21の長手方向の両端部の形状は、円弧状になっているが、これに限るものではない。
図3B及び図4Aに示すように、島状の第1導電部21には、隣り合う2つのLED素子30の一方(例えばLED素子30a)に接続された第1ワイヤであるワイヤ50(例えばワイヤ50a)の一方端との接続部である第1接続部21a(第1ボンド部)と、隣り合う2つのLED素子30の他方(例えばLED素子30b)に接続された第2ワイヤであるワイヤ50(例えばワイヤ50b)の一方端との接続部である第2接続部21b(第2ボンド部)とを有する。
第1導電部21における第1接続部21a及び第2接続部21bは、隣り合う2つのLED素子30の間(例えばLED素子30aとLED素子30bとの間)に位置する。
導電膜20(第1導電部21)におけるワイヤ50との接続部(第1接続部21a及び第2接続部21b)は、例えばボンディングパッドとして構成される。ボンディングパッドは、基板10上に所定形状で形成された導電膜20(第1導電部21)の一部を露出させるようにレジスト膜60を形成し、露出した導電膜20(第1導電部21)にメッキ層を形成することで得られる。
図3Bに示すように、島状の第1導電部21は、基板10の長手方向に沿って複数形成されている。複数の島状の第1導電部21のうち隣り合う2つの第1導電部21は、隣り合う2つのLED素子30の一方を挟むように形成されている。本実施の形態において、島状の第1導電部21は、基板10の幅方向の中央部に位置している。
なお、第1導電部21は、基板10上の複数のLED素子30のうち隣り合う2つのLED素子30を電気的に接続し、且つ、少なくとも一部が当該隣り合う2つのLED素子30の間に位置する領域を含む部分であれば、1つの島状に形成された領域に限るものではない。例えば、第1導電部21は、隣り合う2つのLED素子30の間において、分離された2つの領域によって構成されていてもよい。この場合、第1導電部21を構成する2つの領域は、同電位の領域であってもよいし、異なる電位の領域であってもよい。
図3A及び図3Bに示すように、第2導電部22は、導電膜20において、第1導電部21が接続する2つのLED素子30の並び方向に交差する方向における第1導電部21の両外側に存在する領域を含む部分である。本実施の形態において、第2導電部22は、第1導電部21を境にして第1導電部21のY軸方向の両外側に存在する領域である。具体的には、第2導電部22は、長尺状の封止部材40を境にして封止部材40の両外側に存在する領域である。
第2導電部22は、例えば、基板10の長手方向の端部においては、導電膜20における同電位の領域であり、物理的に連続する領域である。基板10の長手方向の端部において、同電位の第2導電部22は、島状の第1導電部21を囲むように形成されている。
なお、第2導電部22は、同電位の領域に限るものでもないし、物理的に連続する領域に限るものでもない。例えば、基板10の長手方向の端部以外(例えば中央部)において、封止部材40を境にした一方側の第2導電部22(図3Bにおける下側の部分)は、物理的に連続する領域であり且つ同電位の領域であるが、封止部材40を境にした他方側の第2導電部22(図3Bにおける上側の部分)は、物理的に分離され且つ互いに電位が異なる2つの領域によって構成されている。
このように構成される導電膜20において、第2導電部22における第1導電部21の両外側の各々には、基板10の長手方向に交差する方向に延在するスリット22sが形成されている。本実施の形態において、スリット22sは、基板10の長手方向に直交する方向、すなわちY軸方向に延在している。
また、第1導電部21の両外側の各々に形成されたスリット22sは、隣り合う2つのLED素子30の並び方向に対して線対称に形成されている。本実施の形態において、スリット22sは、第1導電部21を挟むように対向する一対で形成されている。図3A及び図3Bに示すように、例えば、一対のスリット22sは3組形成される。つまり、6本のスリット22sが形成されている。
図5に示すように、各スリット22sは、第1導電部21における第1ワイヤであるワイヤ50(例えばワイヤ50a)との接続部である第1接続部21aと、第1導電部21における第2ワイヤであるワイヤ50(例えばワイヤ50b)との接続部である第2接続部21bとの間に形成されている。図5は、実施の形態に係る発光装置1の長手方向の端部の拡大平面図であり、図3Bの左側部分を拡大した図である。図5に示すように、本実施の形態において、各スリット22sは、第1接続部21aと第2接続部21bとの間の中心に形成されている。
また、図3A及び図3Bに示すように、各スリット22sは、封止部材40と重ならないように形成されている。つまり、スリット22sは、封止部材40の下方に位置しないように形成されている。本実施の形態において、各スリット22sは、スリット22sの長手方向の最端縁が封止部材40の外縁に一致するように形成されている。
各スリット22sは、導電膜20の内側に形成されている。すなわち、平面視においてスリット22sの形状は、閉じた線形状である。図5に示すように、本実施の形態において、各スリット22sの平面視形状は、角に曲率を有する矩形状である。
各スリット22sの長さ(スリット長)は、例えば、1.03mm〜8.03mmであり、本実施の形態では、5.23mmである。また、各スリット22sの幅は、例えば、1.0mm〜2.3mmであり、本実施の形態では、1.5mmである。
スリット22sは、例えば、第1導電部21と第2導電部22とを形成する際に同時に形成することができる。例えば、基板10に形成された金属膜をエッチングして第1導電部21と第2導電部22とを形成すると同時にスリット22sもエッチングによって形成することができる。
なお、スリット22sは、第1導電部21及び第2導電部22のパターニングと同時に形成しなくてもよく、第1導電部21及び第2導電部22を形成する際のエッチングとは別のエッチング工程によって形成してもよい。また、スリット22sは、金属膜をエッチングして形成するのではなく、第1導電部21と第2導電部22を印刷して形成する際に、スリット22sの部分を印刷しないようにして第1導電部21と第2導電部22を所定形状に印刷することでも形成することができる。
[LED素子]
図3B及び図4Aに示すように、LED素子30は、基板10の上に配置される。本実施の形態において、基板10には、複数のLED素子30が配置されている。複数のLED素子30は、基板10の長手方向に沿って直線状に配列されている。なお、本実施の形態において、複数のLED素子30は、一列のみで配列されている。基板10上の複数のLED素子30は、隣り合う2つのLED素子30(例えば、LED素子30a及び30b)を含む。
各LED素子30は、接着剤(不図示)を介してレジスト膜60の上に実装されている。例えば、LED素子30は、ダイアタッチ剤(ダイボンド剤)によってレジスト膜60の上にダイボンド実装される。図4Aに示すように、本実施の形態において、LED素子30の下方には導電膜20が存在する。つまり、LED素子30は、導電膜20上に形成されたレジスト膜60に実装されている。このように、LED素子30の下方に導電膜20を存在させることで、LED素子30で発生する熱を効率よく放熱させることができる。
各LED素子30は、発光素子の一例である。本実施の形態において、LED素子30は、単色の可視光を発するLEDチップ(ベアチップ)である。例えば、LED素子30は、通電されると青色光を発光する青色LEDチップであり、ピーク波長が440nm〜470nmの窒化ガリウム(GaN)系の半導体発光素子である。また、LED素子30は、サファイア基板に形成された窒化物半導体層の上面にp側電極及びn側電極の両電極が形成された片面電極構造である。LED素子30(LEDチップ)のp側電極及びn側電極のそれぞれと導電膜20の第1導電部21とはワイヤ50によってワイヤボンディングされている。
なお、基板10上の複数のLED素子30は、導電膜20のパターンによって、直列接続と並列接続とを組み合わせた接続となっているが、全てのLED素子30が直列接続又は並列接続となっていてもよい。
[封止部材]
図1〜図3Bに示すように、封止部材40は、LEDチップであるLED素子30を封止する。本実施の形態において、封止部材40は、基板10に実装された複数のLED素子30を封止している。具体的には、封止部材40は、基板10の長手方向に沿って直線状に配列された全てのLED素子30を覆うように全てのLED素子30を一括して封止している。したがって、封止部材40は、基板10の長手方向に沿って直線状に形成されている。
封止部材40は、基板10の長手方向の両端縁まで形成されている。すなわち、封止部材40は、基板10の一方の短辺の端面から対向する他方の短辺の端面まで途切れることなく形成されている。なお、本実施の形態において、封止部材40は、基板10の一方の短辺の中央部から他方の短辺の中央部にわたって形成されているが、これに限るものではなく、一方の長辺に片寄って形成されていてもよい。
封止部材40は、LED素子30の光によって励起されてLED素子30の光の波長とは異なる波長の光を放射する波長変換材と、この波長変換材を含む透光性材料とによって構成されている。
封止部材40を構成する透光性材料としては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂又はフッソ系樹脂等の透光性を有する絶縁樹脂材料を用いることができる。透光性材料としては、必ずしも樹脂材料等の有機材料に限るものではなく、低融点ガラスやゾルゲルガラス等の無機材料を用いてもよい。
また、封止部材40を構成する波長変換材は、例えば蛍光体である。蛍光体は、透光性材料に含有されており、LED素子30が発する光を励起光として励起されて蛍光発光し、所望の色(波長)の光を放出する。
本実施の形態では、LED素子30が青色LEDチップであるので、白色光を得るために、蛍光体としては、例えばイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)系の黄色蛍光体を用いることができる。これにより、青色LEDチップが発した青色光の一部は、黄色蛍光体に吸収されて黄色光に波長変換される。つまり、黄色蛍光体は、青色LEDチップの青色光によって励起されて黄色光を放出する。この黄色蛍光体による黄色光と黄色蛍光体に吸収されなかった青色光とが混ざった合成光として白色光が生成され、封止部材40からはこの白色光が出射する。
また、演色性を高めるために、封止部材40にさらに赤色蛍光体を含有してもよい。また、封止部材40には、光拡散性を高めるためにシリカ等の光拡散粒子、又は、蛍光体の沈降を抑制するためにフィラー等が分散されていてもよい。
本実施の形態における封止部材40は、シリコーン樹脂に黄色蛍光体を分散させた蛍光体含有樹脂である。封止部材40は、例えば基板10に実装されたLED素子30を覆うようにディスペンサーによって基板10に塗布され、硬化することで所定形状に形成される。このようにして形成された封止部材40の断面形状は略半円形となる。本実施の形態において、封止部材40は直線状に形成されているので、封止部材40は長尺の半円柱形状である。
なお、本実施の形態において、封止部材40は、LED素子30の配列に沿ってライン状に形成したが、これに限るものではない。例えば、封止部材40は、複数のLED素子30の各々を個別に封止してもよい。つまり、LED素子30ごとに半球状の封止部材40を形成してもよい。
[ワイヤ]
LEDチップであるLED素子30は、ワイヤボンディングによって基板10の導電膜20に接続されている。具体的には、図3B及び図4Aに示すように、LED素子30と導電膜20の第1導電部21とはワイヤ50(ボンディングワイヤ)によって接続されている。ワイヤ50は、LED素子30と導電膜20(第1導電部21)とを電気的及び物理的に接続するための電線であり、例えば金ワイヤである。
図3B及び図4Aに示すように、本実施の形態において、第1導電部21と、隣り合う2つのLED素子30の一方(例えばLED素子30a)とは、基板10の長手方向に沿って架張された第1ワイヤであるワイヤ50(例えばワイヤ50a)によって接続されている。
また、第1導電部21と、隣り合う2つのLED素子30の他方(例えばLED素子30b)とは、基板10の長手方向に沿って架張された第2ワイヤであるワイヤ50(例えばワイヤ50b)によって接続されている。
隣り合う2つのLED素子30の一方(例えばLED素子30a)に接続された第1ワイヤであるワイヤ50(例えばワイヤ50a)及び第2ワイヤであるワイヤ50(例えばワイヤ50c)は、当該隣り合う2つのLED素子30の一方(例えばLED素子30a)を中心として対称に配置されている。つまり、各LED素子30に接続される2本のワイヤ50は、各LED素子30を中心として線対称に配置されており、同じ長さである。
ワイヤ50(第1ワイヤ及び第2ワイヤ)は、基板10の長手方向に沿って複数形成されている。本実施の形態では、封止部材40に封止される全てのワイヤ50が基板10の長手方向、つまり封止部材40の延在方向(X軸方向)に沿って設けられている。すなわち、LED素子30に接続される全てのワイヤ50は、平面視したときに一つの直線上に位置するように設けられている。
なお、各ワイヤ50は、全体が封止部材40の中に埋め込まれているが、ワイヤ50の一部が封止部材40から露出していてもよい。
[レジスト膜]
図4A及び図4Bに示すように、レジスト膜60(レジスト層)は、基板10の上方に形成される。本実施の形態において、レジスト膜60は、基板10の第1の主面側に形成される。具体的には、レジスト膜60は、基板10の表面に形成された導電膜20を覆うように導電膜20の表面に形成される。
レジスト膜60は、絶縁性を有する樹脂材料によって構成された絶縁膜である。導電膜20をレジスト膜60で被覆することによって、基板10の絶縁性(絶縁耐圧)を向上させることができるとともに、導電膜20が酸化してしまうことを抑制できる。
また、本実施の形態において、レジスト膜60は、LED素子30から出射した光が基板10に戻ってきたときに、当該光を基板10で反射させるために、反射性を有する材料によって構成されている。このため、レジスト膜60は、高反射率となるように白色顔料(チタニア、シリカ等)が含有された白色樹脂材料からなる白色レジスト膜(白レジスト)である。
このように、レジスト膜60を白色レジスト膜にすることで、発光装置1の光取り出し効率を向上させることができる。なお、レジスト膜60は、単層の単層構造及び複数層からなる積層構造のいずれであってもよい。
[その他の構成]
図示しないが、基板10には一対の電極端子が形成されていてもよい。一対の電極端子は、LED素子30を発光させるための直流電力を発光装置1の外部から受電する外部接続端子であり、導電膜20と電気的に接続されている。電極端子は、コネクタ線が挿入可能にソケット型に構成されていてもよいし、所定形状の金属電極であってもよい。
また、逆バイアスによるLED素子30の素子破壊を防止するために、ツェナーダイオード等の保護素子が基板10の第1の主面に実装されていてもよい。その他に、基板10には整流回路素子及び抵抗素子等の電子部品が実装されていてもよい。
[作用効果]
次に、本実施の形態における発光装置1の作用効果について、図6に示す比較例の発光装置100と比較して説明する。図6は、比較例の発光装置100の拡大平面図である。なお、図6は、図3Bに対応する図面である。
図6に示す比較例の発光装置100と図3Bに示す本実施の形態に係る発光装置1とはスリット22sの有無のみが異なっており、図6に示す比較例の発光装置100は、図3Bに示す本実施の形態に係る発光装置1に対してスリット22sが形成されていない構成となっている。なお、図6においてもレジスト膜60は省略している。
図6に示す比較例の発光装置100では、発光装置100(基板10)全体が長尺状であるために、基板10に反りが発生して発光装置100全体が湾曲してしまうことがある。例えば、図7に示すように、発光装置100は谷反りしてしまう。
基板10に反りが発生すると、LED素子30と導電膜20との接続部分に負荷がかかって、導通不良(不点灯)が発生することがある。具体的には、基板10に反りが発生すると、基板10の反りによる歪み応力によってワイヤと、導電膜20(第1導電部21)におけるワイヤ50との接続部に負荷がかかって、ワイヤ50が断線して導通不良が発生する場合がある。
そこで、本実施の形態における発光装置1では、図3A及び図3Bに示すように、第2導電部22における第1導電部21の両外側の各々に、基板10の長手方向に交差する方向に延在するスリット22sを形成している。
これにより、基板10の反りによる歪み応力を、第1導電部21の両外側に形成したスリット22sによってバランスよく分散させることができる。つまり、基板10が歪んだ時の歪み応力をスリット22sによって吸収して緩和させることができる。したがって、導電膜20(第1導電部21)におけるワイヤ50との接続部にかかる負荷を軽減できるので、ワイヤ50の断線による導通不良の発生を抑制できる。
以上、本実施の形態における発光装置1によれば、導電膜20の第2導電部22にスリット22sが形成されているので、基板10の反りに起因する断線不良の発生を抑制することができる。
また、本実施の形態において、第1導電部21を挟む隣り合う2つのLED素子30は、基板10の長手方向に沿って配列されている。
複数のLED素子30が基板10の長手方向に沿って配列されている場合、複数のLED素子30が基板10の短手方向に沿って配列されている場合と比べて、基板10の反りによる歪み応力によって導電膜20(第1導電部21)におけるワイヤ50との接続部にかかる負荷が大きくなり、ワイヤ50の断線が発生しやすい。
したがって、複数のLED素子30が基板10の長手方向に沿って配列されている場合には、基板10の長手方向に交差する方向に沿ってスリット22sを形成することによって、基板10の反りに起因する断線不良の発生を効果的に抑制することができる。
また、本実施の形態において、LED素子30は、LEDチップである。そして、第1導電部21と隣り合う2つのLED素子30の一方とは、基板10の長手方向に沿って架張された第1ワイヤであるワイヤ50によって接続されている。また、第1導電部21と隣り合う2つのLED素子30の他方とは、基板10の長手方向に沿って架張された第2ワイヤであるワイヤ50によって接続されている。さらに、スリット22sは、第1導電部21における第1ワイヤであるワイヤ50との接続部である第1接続部21aと、第1導電部21における第2ワイヤであるワイヤ50との接続部である第2接続部21bとの間に形成されている。つまり、スリット22sを第1接続部21aと第2接続部21bとの間(隣り合う2つのワイヤ50の間)に形成している。
これにより、基板10の反りによる基板10の歪み応力を、第1接続部21aと第2接続部21bとの間に集中させることができる。この結果、第1接続部21a及び第2接続部21bへの応力を軽減させることができる。したがって、基板10の反りに起因する断線不良の発生を一層抑制することができる。
この場合、隣り合う2つのLED素子30の一方に接続された2つのワイヤ50は、このLED素子30を中心として対称に配置されているとよい。
これにより、1つの第1導電部21における2つの第1接続部21aと第2接続部21bとに対して基板10の歪み応力を均等に与えることができる。したがって、基板10の反りに起因する断線不良の発生を一層抑制することができる。
また、本実施の形態において、第1接続部21a及び第2接続部21bは、基板10の長手方向に沿って配列された隣り合う2つのLED素子30の間に位置している。
この場合、基板10の反りによる歪み応力によって第1接続部21a及び第2接続部21bにかかる負荷が大きくなりやすく、ワイヤ50の断線が発生しやすい。
したがって、第1接続部21a及び第2接続部21bが隣り合う2つのLED素子30の間に位置している場合には、基板10の長手方向に交差する方向に沿ってスリット22sを形成することによって、基板10の反りに起因する断線不良の発生を効果的に抑制することができる。
また、本実施の形態において、スリット22sは、第1接続部21aと第2接続部21bとの間の中心に形成されている。
これにより、上記基板10の歪み応力によって第1接続部21a及び第2接続部21bにかかる負荷をスリット22sによって均等に軽減することができる。したがって、基板10の反りに起因する断線不良の発生を一層効果的に抑制することができる。
また、本実施の形態において、複数のLED素子30は封止部材40によって封止されている。
これにより、複数のLED素子30を封止部材40によって保護することができる。また、封止部材40に蛍光体を含有させることで、LED素子30の光と蛍光体の蛍光との混合光で所望の色の光を放出させることができる。
また、本実施の形態において、スリット22sは、封止部材40と重ならないように形成されている。具体的には、スリット22sは、封止部材40と重ならないように封止部材40の外側に位置するように形成されている。
これにより、封止部材40がスリット22sの影響を受けることを抑制できる。例えば、スリット22sと封止部材40とが重なると、この重なり部分において封止部材40の厚さが大きくなって所望の配光が得られなくなる場合がある。また、封止部材40においてスリット22sが存在する部分と存在しない部分とが存在すると、これらの間で蛍光体量にばらつきが生じて色ムラが生じる場合もある。
また、本実施の形態において、第1導電部21の両外側の各々に形成されたスリット22sは、隣り合う2つのLED素子30の並び方向に対して線対称に形成されている。
これにより、基板10の歪み応力によって第1接続部21a及び第2接続部21bにかかる負荷を一対のスリット22sによって一層均等に軽減することができる。したがって、基板10の反りに起因する断線不良の発生をさらに効果的に抑制できる。
また、本実施の形態において、スリット22sは、導電膜20の内側に形成されている。
これにより、基板10の歪み応力によって第1接続部21a及び第2接続部21bにかかる負荷をスリット22sによって効率良く吸収することができる。
また、本実施の形態において、スリット22sの平面視形状は、角に曲率を有する矩形状である。
これにより、スリット22sで基板10の歪み応力を吸収する際に導電膜20(第2導電部22)に亀裂等が生じることを抑制することができる。
(変形例)
以上、本発明に係る発光装置について実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。
例えば、上記の実施の形態において、スリット22sは、基板10の長手方向の端部にのみ形成したが、これに限るものではなく、図8に示すように、基板10の長手方向の全体にわたってスリット22sを形成してもよい。
このように、基板10の長手方向の全体にわたってスリット22sを形成することによって、基板10の反りによる基板10の歪み応力をさらに均一に分散させることができる。これにより、基板10の反りに起因する断線不良の発生を一層抑制することができる。
ただし、図7に示すように、発光装置100(基板10)が谷反りとなる場合には、基板10の長手方向の端部に形成されたスリット22sの方が基板10の長手方向の中央部に形成されたスリット22sと比べて基板10の歪み応力の軽減に大きく寄与する。したがって、基板10の長手方向の端部に形成されたスリット22sほどスリット幅を大きくするとよい。
また、スリット22sは長い方が基板10の反りによる基板10の歪み応力を緩和できるので、図9に示すように、導電膜20の異なる電位の領域に跨がるようにスリット22sを形成してもよい。
また、上記の実施の形態において、スリット22sは、導電膜20の内側に形成されていたが、これに限るものではない。例えば、図10に示すように、スリット22sは切り欠き形状であってもよい。具体的には、スリット22sは、導電膜20(第2導電部22)の外縁から基板10の内方に向かって延びるように切り欠いた形状で形成されていてもよい。
また、上記の実施の形態では、LED素子30をLEDチップとして基板10に直接実装したCOBタイプの発光装置を例示したが、これに限らない。例えば、図11に示すように、LEDチップが個々にパッケージ化されたSMD型のLED素子をLED素子30として用いて、このLED素子30を基板10上に1個又は複数個実装することによって構成された発光装置としてもよい。この場合、SMD型であるLED素子30は、例えば凹部を有する白色樹脂からなる容器と、容器の凹部に実装されたLEDチップ(例えば青色LEDチップ)と、容器の凹部に封入された封止部材(例えば黄色蛍光体含有樹脂)とからなる。
また、上記の実施の形態において、スリット22sは、第1導電部21における第1接続部21aと第2接続部21bとの間に1本のみ形成したが、これに限るものではなく、第1接続部21aと第2接続部21bとの間に2本以上の複数本を形成してもよい。
また、上記の実施の形態では、レジスト膜60を形成したが、レジスト膜60は必ずしも形成する必要はない。
また、上記の実施の形態では、青色LEDチップと黄色蛍光体とによって白色光を放出するように構成したが、これに限らない。例えば、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を含有する蛍光体含有樹脂を用いて、これと青色LEDチップと組み合わせることによりに白色光を放出するように構成しても構わない。また、青色以外の色を発光するLEDチップを用いても構わない。あるいは、青色LEDチップよりも短波長である紫外光を出射する紫外LEDチップと、主に紫外光により励起されて三原色(赤色、緑色、青色)に発光する各色蛍光体とを組み合わせて白色光を生成してもよい。
また、上記の実施の形態では、波長変換材として蛍光体を用いたが、これに限らない。例えば、波長変換材として、半導体、金属錯体、有機染料、顔料など、ある波長の光を吸収し、吸収した光とは異なる波長の光を発する物質を含んでいる材料を用いることができる。
また、上記の実施の形態において、発光装置1は白色光を出射するように構成したが、これに限るものではない。例えば、発光装置1は、青色光等の単色光又はその他のカラー色を放出するように構成されていてもよい。
また、上記の実施の形態における発光装置は、ダウンライト、スポットライト、又は、ベースライト等の照明器具(照明装置)の照明光源として利用することができる。その他に、上記の実施の形態及び変形例における発光装置は、液晶表示装置等のバックライト光源、複写機等のランプ光源、又は、誘導灯や看板装置等の光源等、照明用途以外の光源としても利用してもよい。
その他、上記実施の形態及び変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で上記実施の形態及び変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
1 発光装置
10 基板
20 導電膜
21 第1導電部
21a 第1接続部
21b 第2接続部
22 第2導電部
22s スリット
30、30a、30b LED素子(発光素子)
40 封止部材
50、50a、50b、50c ワイヤ(第1ワイヤ、第2ワイヤ)

Claims (11)

  1. 長尺状の樹脂基板からなる基板と、
    前記基板に形成された導電膜と、
    前記基板に配置された複数の発光素子とを備え、
    前記複数の発光素子は、隣り合う2つの発光素子を含み、
    前記導電膜は、前記隣り合う2つの発光素子を電気的に接続し且つ少なくとも一部が当該隣り合う2つの発光素子の間に位置する第1導電部と、前記隣り合う2つの発光素子の並び方向に交差する方向における前記第1導電部の両外側に存在する第2導電部とを有し、
    前記第2導電部における前記第1導電部の両外側の各々には、前記基板の長手方向に交差する方向に延在するスリットが形成されている
    発光装置。
  2. 前記隣り合う2つの発光素子は、前記基板の長手方向に沿って配列されている、
    請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記発光素子は、LEDチップであり、
    前記第1導電部と前記隣り合う2つの発光素子の一方とは、前記基板の長手方向に沿って架張された第1ワイヤによって接続されており、
    前記第1導電部と前記隣り合う2つの発光素子の他方とは、前記基板の長手方向に沿って架張された第2ワイヤによって接続されており、
    前記スリットは、前記第1導電部における前記第1ワイヤとの接続部である第1接続部と前記第1導電部における前記第2ワイヤとの接続部である第2接続部との間に形成されている、
    請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記第1導電部、前記第1ワイヤ及び前記第2ワイヤは、前記基板の長手方向に沿って複数形成されており、
    隣り合う2つの前記第1導電部は、前記隣り合う2つの発光素子の一方を挟むように形成されており、
    前記隣り合う2つの発光素子の一方に接続された前記第1ワイヤ及び前記第2ワイヤは、当該隣り合う2つの発光素子の一方を中心として対称に配置されている、
    請求項3に記載の発光装置。
  5. 前記第1接続部及び前記第2接続部は、前記隣り合う2つの発光素子の間に位置する、
    請求項3又は4に記載の発光装置。
  6. 前記スリットは、前記第1接続部と前記第2接続部との間の中心に形成されている
    請求項3〜5のいずれか1項に記載の発光装置。
  7. さらに、前記複数の発光素子を封止する封止部材を備える
    請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光装置。
  8. 前記スリットは、前記封止部材と重ならないように形成されている
    請求項7に記載の発光装置。
  9. 前記第1導電部の両外側の各々に形成された前記スリットは、前記隣り合う2つの発光素子の並び方向に対して線対称に形成されている
    請求項1〜8のいずれか1項に記載の発光装置。
  10. 前記スリットは、前記導電膜の内側に形成されている
    請求項1〜9のいずれか1項に記載の発光装置。
  11. 前記スリットの平面視形状は、角に曲率を有する矩形状である
    請求項10に記載の発光装置。
JP2015178938A 2015-09-10 2015-09-10 発光装置 Active JP6604505B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015178938A JP6604505B2 (ja) 2015-09-10 2015-09-10 発光装置
DE102016116617.0A DE102016116617A1 (de) 2015-09-10 2016-09-06 Lichtemittierende Vorrichtung
US15/258,548 US20170077368A1 (en) 2015-09-10 2016-09-07 Light-emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015178938A JP6604505B2 (ja) 2015-09-10 2015-09-10 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017054990A true JP2017054990A (ja) 2017-03-16
JP6604505B2 JP6604505B2 (ja) 2019-11-13

Family

ID=58160718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015178938A Active JP6604505B2 (ja) 2015-09-10 2015-09-10 発光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20170077368A1 (ja)
JP (1) JP6604505B2 (ja)
DE (1) DE102016116617A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016109951A1 (de) * 2016-05-31 2017-11-30 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Lichterzeugungsvorrichtung für eine Kopf-oben-Anzeige eines Kraftfahrzeugs
USD830605S1 (en) * 2017-02-17 2018-10-09 Focal Point, Llc Light fixture
USD843046S1 (en) * 2017-02-17 2019-03-12 Focal Point, Llc Light fixture
USD830604S1 (en) * 2017-02-17 2018-10-09 Focal Point, Llc Light fixture
AT519741B1 (de) * 2017-07-18 2018-10-15 Zkw Group Gmbh Thermische Kopplung von Kupferspreizflächen

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5012249U (ja) * 1973-05-28 1975-02-07
JPS6052656U (ja) * 1983-09-19 1985-04-13 三洋電機株式会社 回路基板
JPS6126284A (ja) * 1984-07-16 1986-02-05 松下電器産業株式会社 混成集積回路基板
JPH0540993U (ja) * 1991-10-23 1993-06-01 能美防災株式会社 火災報知装置のプリント基板
JPH05299785A (ja) * 1992-04-22 1993-11-12 Sanyo Electric Co Ltd 両面プリント基板
JP2001119107A (ja) * 1999-10-19 2001-04-27 Nec Saitama Ltd プリント配線板
JP2004103993A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Ichikoh Ind Ltd Led設置用フレキシブル基板及びそのled設置用フレキシブル基板を用いた車両用灯具
JP2007294847A (ja) * 2006-03-27 2007-11-08 Matsushita Electric Works Ltd 表面実装型発光装置
US20090224265A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-10 Bily Wang LED chip package structure with a high-efficiency heat-dissipating substrate and method for making the same
JP2011034804A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明用ユニット及び照明装置
JP2013254877A (ja) * 2012-06-08 2013-12-19 Koito Mfg Co Ltd 光源ユニット
JP2014017356A (ja) * 2012-07-09 2014-01-30 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US20140226345A1 (en) * 2013-02-14 2014-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device packages
JP2015038971A (ja) * 2013-07-16 2015-02-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 基板、発光装置、照明用光源、および照明装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6874910B2 (en) * 2001-04-12 2005-04-05 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using LED, and method of producing same
JP5600443B2 (ja) 2010-02-23 2014-10-01 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5012249U (ja) * 1973-05-28 1975-02-07
JPS6052656U (ja) * 1983-09-19 1985-04-13 三洋電機株式会社 回路基板
JPS6126284A (ja) * 1984-07-16 1986-02-05 松下電器産業株式会社 混成集積回路基板
JPH0540993U (ja) * 1991-10-23 1993-06-01 能美防災株式会社 火災報知装置のプリント基板
JPH05299785A (ja) * 1992-04-22 1993-11-12 Sanyo Electric Co Ltd 両面プリント基板
JP2001119107A (ja) * 1999-10-19 2001-04-27 Nec Saitama Ltd プリント配線板
JP2004103993A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Ichikoh Ind Ltd Led設置用フレキシブル基板及びそのled設置用フレキシブル基板を用いた車両用灯具
JP2007294847A (ja) * 2006-03-27 2007-11-08 Matsushita Electric Works Ltd 表面実装型発光装置
US20090224265A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-10 Bily Wang LED chip package structure with a high-efficiency heat-dissipating substrate and method for making the same
JP2011034804A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明用ユニット及び照明装置
JP2013254877A (ja) * 2012-06-08 2013-12-19 Koito Mfg Co Ltd 光源ユニット
JP2014017356A (ja) * 2012-07-09 2014-01-30 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US20140226345A1 (en) * 2013-02-14 2014-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device packages
JP2015038971A (ja) * 2013-07-16 2015-02-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 基板、発光装置、照明用光源、および照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE102016116617A1 (de) 2017-03-16
JP6604505B2 (ja) 2019-11-13
US20170077368A1 (en) 2017-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8833982B2 (en) Lighting device including light-emitting element
JP5768435B2 (ja) 発光装置
JP6252753B2 (ja) 発光装置、照明装置及び実装基板
JP6604505B2 (ja) 発光装置
US8616732B2 (en) Light-emitting device and illumination device
WO2013136389A1 (ja) 基板、発光装置及び照明装置
US9951925B2 (en) Light emitting device
JP6083253B2 (ja) 発光装置の積層体
JP6344689B2 (ja) 基板、発光装置、照明用光源、および照明装置
US9799803B2 (en) LED module with multi-layer resist
JP2012532441A (ja) 発光ダイオードパッケージ
JP2016058614A (ja) 発光装置、及び照明装置
WO2011024861A1 (ja) 発光装置および照明装置
US10014458B2 (en) LED module
JP6675111B2 (ja) Ledモジュール
US10096747B2 (en) Lumen maintenance factor deterioration suppressing LED module
WO2013014978A1 (ja) 実装基板および発光モジュール
JP2014130942A (ja) 発光装置
JP2015138902A (ja) 発光装置
JP6583669B2 (ja) Ledモジュール
JP6135199B2 (ja) 発光装置
JP2013191667A (ja) 発光装置及び照明装置
JP6704182B2 (ja) 照明装置
JP5216948B1 (ja) 基板、発光装置及び照明装置
KR102145919B1 (ko) 발광 소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180619

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190320

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190604

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190719

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190924

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191002

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6604505

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151