JP2017045939A - 磁化処理装置及び磁化処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の汚染を抑制することのできる磁化処理装置を提供すること。【解決手段】本実施形態の磁化処理装置は、複数の基板を収納した収納容器を載置する載置台と、前記収納容器を収容可能であり、前記収納容器内の前記複数の基板に磁場を印加する磁化処理室と、前記載置台から前記磁化処理室内に前記収納容器を搬送可能である搬送機構と、を有することを特徴とする。【選択図】図２

Description

本発明は、磁化処理装置及び磁化処理方法に関する。

半導体メモリデバイスとして、不揮発性メモリの１つであるＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory）が注目されている。ＭＲＡＭは、例えば、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という。）上に形成された磁性体膜を磁場中で熱処理し、その磁気特性を発現させることによって製造される。

磁性体膜に磁気特性を発現させるための装置としては、ウエハに磁場を印加する磁場発生手段と、磁場発生手段の内周に沿って配置されウエハを加熱する加熱手段とを有する磁気アニール装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１４−１８３２８０号公報

上述した磁気アニール装置においては、キャリアに収納された複数のウエハをウエハボートに移載した後、ウエハボートを磁場発生手段内に搬入し、ウエハに対して所定の磁気アニールを行うことで、磁性体膜に磁気特性を発現させる。このため、ウエハを移載する際に塵などが発生し、ウエハが汚染される場合がある。このようなウエハの汚染は、磁性体膜を用いたＭＲＡＭの信頼性を低下させるおそれがある。

そこで、上記課題に鑑み、本発明は、基板の汚染を抑制することのできる磁化処理装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、一実施形態において、磁化処理装置は、
複数の基板を収納した収納容器を載置する載置台と、
前記収納容器を収容可能であり、前記収納容器内の前記複数の基板に磁場を印加する磁化処理室と、
前記載置台から前記磁化処理室内に前記収納容器を搬送可能である搬送機構と、
を有することを特徴とする。

本実施形態によれば、基板の汚染を抑制することができる。

収納容器を例示する概略斜視図である。 第１実施形態の磁化処理装置の概略図である。 磁化処理室内に収納容器が収容されている状態を説明する図である。 第２実施形態の磁化処理装置の概略図である。 磁化処理室内に収納容器が収容されている状態を説明する図である。

以下、本実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。

ところで、昨今の評価により、ウエハに形成された磁性体膜に、例えば、１Ｔ（テスラ）〜５Ｔの強磁場を印加することで、室温で磁気特性を発現させることができることが分かってきた。

本実施形態では、基板の一例であるウエハに形成された磁性体膜に強磁場を印加することで、室温で磁気特性を発現させる場合に好適に用いることができる磁化処理装置について説明する。以下の実施形態では、強磁場を印加する形態について例を挙げて説明するが、本実施形態の磁化処理装置は、強磁場を印加する形態以外であっても適用可能である。

（収納容器）
本実施形態の磁化処理装置に用いられるウエハを収納する収納容器について、図１に基づき説明する。図１は、収納容器を例示する概略斜視図である。

収納容器Ｃは、キャリアとも呼ばれ、図１に示すように、一方の端部が開口部として形成され、他方の端部が略半楕円形状に形成されている。収納容器Ｃは、例えば、非磁性材料により形成された密閉型のＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）として構成されてもよい。但し、収納容器ＣはＦＯＵＰに限定されず、ウエハＷを収納可能な他の容器であってもよい。

収納容器Ｃの内壁面には、ウエハＷを多段に配置することができる図示しない支持部が形成されている。この支持部に、例えば、直径３００ｍｍのウエハＷの周縁部を載置して支持させることにより、略等ピッチで多段にウエハＷを収納することができる。１つの収納容器Ｃには、例えば、２５枚のウエハＷを収納することができる。

収納容器Ｃの上面側（天井部）には、収納容器Ｃを把持する際に掴むことが可能である把手１０が設けられている。

収納容器Ｃの開口部には、この開口部に対応する開閉蓋１２が着脱可能に取り付けられており、開閉蓋１２を閉じることによって収納容器Ｃ内が気密状態とされる。収納容器Ｃの内部の雰囲気は、清浄空気となっている。

開閉蓋１２には、例えば、２つのロック機構１４が設けられており、ロック機構１４を施錠又は開錠することによって開閉蓋１２を開口部から着脱することができる。

収納容器Ｃの底部の下面には、図示しない複数の位置決め用の凹部が設けられており、後述する載置台に載置する際に、収納容器Ｃを位置決め可能となっている。また、収納容器Ｃの底部の下面には、図示しない溝部が設けられており、載置台に載置した際に固定できるようになっている。

（磁化処理装置）
〔第１実施形態〕
第１実施形態の磁化処理装置について、図２に基づき説明する。図２は、第１実施形態の磁化処理装置の概略図であり、図２（ａ）及び図２（ｂ）はそれぞれ磁化処理装置の縦断面及び上面を示している。なお、以下では、磁化処理装置の前後方向を図２のＸ方向、左右方向をＹ方向、上下方向をＺ方向として説明する。

図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、磁化処理装置１００は、筐体１０２を有し、筐体１０２内には、キャリア載置領域Ｓ１とキャリア搬送領域Ｓ２とが形成されている。

キャリア載置領域Ｓ１は、大気雰囲気下にある領域であり、ウエハＷを収納した収納容器Ｃを載置する領域である。各処理装置間の領域がキャリア載置領域Ｓ１に該当し、本実施形態においては、磁化処理装置１００の外部のクリーンルーム内の空間が、キャリア載置領域Ｓ１に該当する。キャリア載置領域Ｓ１の左右方向には、例えば、収納容器Ｃをそれぞれ載置する２つの載置台１０４が設けられている。なお、載置台１０４は１つであってもよく、３つ以上であってもよい。

図２（ｂ）に示すように、載置台１０４の載置面には、収納容器Ｃを位置決めするピン１０６が、例えば、３箇所に設けられており、ピン１０６と収納容器Ｃの凹部との係合により、収納容器Ｃが載置台１０４の所定の位置に載置される。また、載置台１０４の載置面には、収納容器Ｃを固定するフック１０８が設けられており、フック１０８と収納容器Ｃの溝部との係合により、収納容器Ｃが載置台１０４に固定される。

キャリア搬送領域Ｓ２は、例えば、大気雰囲気下にある領域であり、ウエハＷを収納した収納容器Ｃを載置台１０４と磁化処理室１１２との間で搬送する領域である。なお、キャリア搬送領域Ｓ２は、窒素ガス雰囲気などの不活性ガス雰囲気であってもよい。また、磁化処理装置の内部で発生した塵などの外部への拡散を抑制することができるという観点から、キャリア搬送領域Ｓ２にＦＦＵ（Fan Filter Unit）を設けることが好ましい。

キャリア搬送領域Ｓ２には、キャリア搬送機構１１０と、磁化処理室１１２とが設置されている。

キャリア搬送機構１１０は、載置台１０４から磁化処理室１１２内に収納容器Ｃを搬送可能な搬送機構の一例である。本実施形態では、キャリア搬送機構１１０は、収納容器Ｃを密閉した状態で搬送する。キャリア搬送機構１１０は、昇降自在なガイド部１１０ａと、ガイド部１１０ａに設けられ、収納容器Ｃの把手１０を保持して水平方向に搬送する関節アーム１１０ｂとを備えている。

磁化処理室１１２は、収納容器Ｃを収容可能であり、収納容器Ｃ内のウエハＷに磁場を印加して、ウエハＷに形成された磁性体膜に磁気特性を発現させるための処理室である。磁化処理室１１２は、上端（図２の＋Ｚ方向）が開口した縦型のソレノイド型磁石１１４を有する。

ソレノイド型磁石１１４は、その中心線軸方向が垂直となるように配置され、図示しない電源装置に接続される。ソレノイド型磁石１１４は、例えば、超電導磁石とすることができる。縦型のソレノイド型磁石１１４により発生する磁場の方向は、上下方向となる。また、ソレノイド型磁石１１４を外部から覆うように図示しない純鉄などの強磁性部材が設けられている。これにより、磁化処理室１１２からの磁場の漏洩を抑制することができる。

ソレノイド型磁石１１４の内側には、保持部１１６と、上下駆動機構１１８とが設けられている。

保持部１１６は、上下方向に移動可能に設けられ、収納容器Ｃを保持する。保持部１１６は、非磁性材料により形成されている。また、収納容器Ｃが保持部１１６の所定の位置に保持されているかを検出する図示しないセンサ（例えばレーザセンサ）が設けられていてもよい。

上下駆動機構１１８は、保持部１１６を上下方向に移動させる。具体的には、上下駆動機構１１８は、キャリア搬送機構１１０により収納容器Ｃを磁化処理室１１２内に搬入する際、保持部１１６を上昇させる。保持部１１６がソレノイド型磁石１１４の上端付近まで上昇したら、キャリア搬送機構１１０により収納容器Ｃが保持部１１６に載置される。また、保持部１１６に収納容器Ｃが載置された後、上下駆動機構１１８は、保持部１１６を下降させて収納容器Ｃを磁化処理室１１２内に収容する。

また、上下駆動機構１１８により保持部１１６を上下方向に移動させることなく、キャリア搬送機構１１０により収納容器Ｃを磁化処理室１１２内に搬入し、保持部１１６に載置してもよい。

ソレノイド型磁石１１４を用いて、例えば、２５枚のウエハＷに形成された磁性体膜に均一な磁気特性を発現させる場合、全てのウエハＷに対して均一な処理を施すために、磁場が均一となる領域（以下「均磁場領域」という。）にウエハＷを配置する必要がある。ソレノイド型磁石１１４の均磁場領域は、その軸方向長さの約２０％程度である。

なお、図２（ａ）に示すように、磁化処理装置１００には、例えば、コンピュータからなる制御部１２０が設けられている。制御部１２０はメモリ、ＣＰＵを含むデータ処理部などを備えており、プログラムによってＣＰＵが動作する。プログラムには、制御部１２０から磁化処理装置１００の各部に制御信号を送り、各処理工程を進行させるように命令が組み込まれている。この制御信号により、収納容器Ｃの搬送、ウエハＷへの磁場の印加、保持部１１６の移動などが行われる。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体、例えば、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部１２０にインストールされる。

次に、収納容器Ｃ内のウエハＷに形成された磁性体膜に磁気特性を発現させる磁化処理方法について、図２及び図３に基づき説明する。図３は、磁化処理室内に収納容器が収容されている状態を説明する図である。

まず、図示しない天井走行型搬送装置（ＯＨＴ：Overhead Hoist Transport）や床走行型搬送装置（ＲＧＶ：Rail Guided Vehicle）などにより、図２に示すように、収納容器Ｃが載置台１０４に載置される。このとき、収納容器Ｃには、例えば、磁性体膜が形成された複数（例えば、２５枚）のウエハＷが収納されている。

続いて、図３に示すように、キャリア搬送機構１１０により、載置台１０４に載置された収納容器Ｃを、ウエハＷを収納した状態で磁化処理室１１２内に搬入し、収容する。具体的には、上下駆動機構１１８により保持部１１６を上昇させ、キャリア搬送機構１１０により、載置台１０４に載置された収納容器Ｃを、ウエハＷを収納した状態で保持部１１６に載置する。その後、上下駆動機構１１８により保持部１１６を下降させて収納容器Ｃを磁化処理室１１２内に収容する。このとき、磁場の方向（上下方向）に平行な方向にウエハＷを積載し棚状に収納した状態で、収納容器Ｃを磁化処理室１１２内に収容する。すなわち、ウエハＷは、ウエハ面が磁場の方向に垂直となる状態で収納容器Ｃに保持されている。

続いて、収納容器Ｃ内のウエハＷに収納容器Ｃごと磁場を印加することにより、ウエハＷに形成された磁性体膜に磁気特性を発現させる。具体的には、室温で１Ｔ〜５Ｔの磁場を印加することにより、ウエハＷに形成された磁性体膜に磁気特性を発現させる。このとき、磁場の方向（上下方向）に平行な方向にウエハＷを積載し棚状に収納した状態で、収納容器Ｃが磁化処理室１１２内に収容されているため、ウエハＷに形成された磁性体膜は、膜に対して垂直方向（perpendicular）に磁化される。なお、キャリア搬送機構１１０により、磁場の方向に垂直な方向にウエハＷが棚状に積載された状態となるように収納容器Ｃを回転させて磁化処理室１１２内に収容することで、ウエハＷに形成された磁性体膜を、膜平面方向（in-plane）に磁化してもよい。また、本実施形態における室温とは、外部から加熱や冷却を行っていない状態における温度である。

続いて、キャリア搬送機構１１０により、磁化処理室１１２から収納容器Ｃを搬出し、載置台１０４に搬送し、載置する。具体的には、上下駆動機構１１８により保持部１１６を上昇させ、キャリア搬送機構１１０により、保持部１１６に載置された収納容器Ｃを搬出し、載置台１０４に搬送し、載置する。なお、載置台１０４に載置された収納容器Ｃは、例えば、図示しない天井走行型搬送装置（ＯＨＴ）や床走行型搬送装置（ＲＧＶ）により、載置台１０４から搬出される。以上により、処理が終了する。

本実施形態の磁化処理装置１００は、載置台１０４から磁化処理室１１２内に収納容器Ｃを搬送するキャリア搬送機構１１０と、収納容器Ｃ内のウエハＷに収納容器Ｃごと磁場を印加する磁化処理室１１２とを有する。これにより、ウエハＷを収納容器Ｃから取り出すことなく収納容器Ｃに収納した状態で、載置台１０４と磁化処理室１１２との間を搬送することができる。このため、収納容器ＣからウエハＷを取り出す際に発生する塵などによるウエハＷの汚染を抑制することができ、信頼性の高いＭＲＡＭを製造することができる。

また、収納容器からウエハボートにウエハを移載して磁化処理室内に搬入する場合と比較して、搬送に要する時間を短縮することができる。また、ウエハを収納容器からウエハボートに移載しなくてもよいため、収納容器の開閉蓋の自動開閉装置、ウエハボート、収納容器からウエハボートにウエハを移載する移載機などが不要となり、磁化処理装置の設置面積（フットプリント）を縮小することができる。さらに、部品点数が少なくなるため、磁化処理装置の製造コストを低減することができ、また、磁化処理装置の製造に要する時間を短縮することができる。

また、本実施形態の磁化処理装置１００では、キャリア搬送機構１１０により、載置台１０４から磁化処理室１１２内に収納容器Ｃを密閉した状態で搬送する。これにより、キャリア搬送領域Ｓ２が不活性ガス雰囲気でない場合であっても、ウエハＷの表面が自然酸化して酸化膜で被覆されることを抑制することができる。このため、不活性ガス設備を導入しなくてもよく、磁化処理装置１００の製造コストを低減することができ、また、磁化処理装置１００の製造に要する時間を短縮することができる。

〔第２実施形態〕
第２実施形態の磁化処理装置について、図４に基づき説明する。図４は、第２実施形態の磁化処理装置の概略図であり、図４（ａ）及び図４（ｂ）はそれぞれ磁化処理装置の縦断面及び上面を示している。なお、以下では、磁化処理装置の前後方向を図４のＸ方向、左右方向をＹ方向、上下方向をＺ方向として説明する。

図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、磁化処理装置２００は、筐体１０２を有し、筐体１０２内には、キャリア載置領域Ｓ１とキャリア搬送領域Ｓ２とが形成されている。

キャリア載置領域Ｓ１は、大気雰囲気下にある領域であり、ウエハＷを収納した収納容器Ｃを載置する領域である。各処理装置間の領域がキャリア載置領域Ｓ１に該当し、本実施形態においては、磁化処理装置２００の外部のクリーンルーム内の空間が、キャリア載置領域Ｓ１に該当する。キャリア載置領域Ｓ１の左右方向には、例えば、収納容器Ｃをそれぞれ載置する２つの載置台１０４が設けられている。なお、載置台１０４は１つであってもよく、３つ以上であってもよい。

図４（ｂ）に示すように、載置台１０４の載置面には、収納容器Ｃを位置決めするピン１０６が、例えば、３箇所に設けられており、ピン１０６と収納容器Ｃの凹部との係合により、収納容器Ｃが載置台１０４の所定の位置に載置される。また、載置台１０４の載置面には、収納容器Ｃを固定するフック１０８が設けられており、フック１０８と収納容器Ｃの溝部との係合により、収納容器Ｃが載置台１０４に固定される。

キャリア搬送領域Ｓ２は、例えば、大気雰囲気下にある領域であり、ウエハＷを収納した収納容器Ｃを載置台１０４と磁化処理室２１２との間で搬送する領域である。なお、キャリア搬送領域Ｓ２は、窒素ガス雰囲気などの不活性ガス雰囲気であってもよい。また、磁化処理装置の内部で発生した塵などの外部への拡散を抑制することができるという観点から、キャリア搬送領域Ｓ２にＦＦＵを設けることが好ましい。

キャリア搬送領域Ｓ２には、キャリア搬送機構１１０と、磁化処理室２１２とが設置されている。

キャリア搬送機構１１０は、載置台１０４から磁化処理室２１２内に収納容器Ｃを搬送可能な搬送機構の一例である。本実施形態では、キャリア搬送機構１１０は、収納容器Ｃを密閉した状態で搬送する。キャリア搬送機構１１０は、昇降自在なガイド部１１０ａと、ガイド部１１０ａに設けられ、収納容器Ｃの把手１０を保持して水平方向に搬送する関節アーム１１０ｂとを備えている。

磁化処理室２１２は、収納容器Ｃを収容可能であり、収納容器Ｃ内のウエハＷに磁場を印加して、ウエハＷに形成された磁性体膜に磁気特性を発現させるための処理室である。磁化処理室２１２は、後端（図４の−Ｘ方向）が開口した横型のソレノイド型磁石２１４を有する。

ソレノイド型磁石２１４は、その中心線軸方向が水平となるように配置され、図示しない電源装置に接続される。ソレノイド型磁石２１４は、例えば、超電導磁石とすることができる。横型のソレノイド型磁石２１４により発生する磁場の方向は、前後方向となる。また、ソレノイド型磁石２１４を外部から覆うように図示しない純鉄などの強磁性部材が設けられている。これにより、磁化処理室２１２からの磁場の漏洩を抑制することができる。

ソレノイド型磁石２１４の内側には、保持部２１６と、前後駆動機構２１８とが設けられている。

保持部２１６は、水平方向（前後方向）に移動可能に設けられ、収納容器Ｃを保持する。保持部２１６は、非磁性材料により形成されている。また、収納容器Ｃが保持部２１６の所定の位置に保持されているかを検出する図示しないセンサ（例えばレーザセンサ）が設けられていてもよい。

前後駆動機構２１８は、保持部２１６を前後方向に移動させる。具体的には、前後駆動機構２１８は、キャリア搬送機構１１０により収納容器Ｃを磁化処理室２１２内に搬入する際、保持部２１６を後方へ移動させる。保持部１１６がソレノイド型磁石１１４の後方端付近まで移動したら、キャリア搬送機構１１０により収納容器Ｃが保持部２１６に載置される。また、保持部２１６に収納容器Ｃが載置された後、前後駆動機構２１８は、保持部２１６を前方へ移動させて収納容器Ｃを磁化処理室２１２内に収容する。

また、前後駆動機構２１８により保持部２１６を前後方向に移動させることなく、キャリア搬送機構１１０により収納容器Ｃを磁化処理室２１２内に搬入し、保持部２１６に載置してもよい。

ソレノイド型磁石２１４を用いて、例えば、２５枚のウエハＷに形成された磁性体膜に均一な磁気特性を発現させる場合、全てのウエハＷに対して均一な処理を施すために、均磁場領域にウエハＷを配置する必要がある。ソレノイド型磁石２１４の均磁場領域は、その軸方向長さの約２０％程度である。

なお、図４（ａ）に示すように、磁化処理装置２００には、例えば、コンピュータからなる制御部１２０が設けられている。制御部１２０はメモリ、ＣＰＵを含むデータ処理部などを備えており、プログラムによってＣＰＵが動作する。プログラムには、制御部１２０から磁化処理装置２００の各部に制御信号を送り、各処理工程を進行させるように命令が組み込まれている。この制御信号により、収納容器Ｃの搬送、ウエハＷへの磁場の印加、保持部２１６の移動などが行われる。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体、例えば、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部１２０にインストールされる。

次に、収納容器Ｃ内のウエハＷに形成された磁性体膜に磁気特性を発現させる磁化処理方法について、図４及び図５に基づき説明する。図５は、磁化処理室内に収納容器が収容されている状態を説明する図である。

まず、図示しない天井走行型搬送装置（ＯＨＴ）や床走行型搬送装置（ＲＧＶ）などにより、図４に示すように、収納容器Ｃが載置台１０４に載置される。このとき、収納容器Ｃには、例えば、磁性体膜が形成された複数（例えば、２５枚）のウエハＷが収納されている。

続いて、図５に示すように、キャリア搬送機構１１０により、載置台１０４に載置された収納容器Ｃを、ウエハＷを収納した状態で磁化処理室２１２内に搬入し、収容する。具体的には、前後駆動機構２１８により保持部２１６を後方へ移動させ、キャリア搬送機構１１０により、載置台１０４に載置された収納容器Ｃを、ウエハＷを収納した状態で保持部２１６に載置する。その後、前後駆動機構２１８により保持部２１６を前方へ移動させて収納容器Ｃを磁化処理室２１２内に収容する。このとき、磁場の方向（前後方向）に垂直な方向（上下方向）にウエハＷを積載し棚状に収納した状態で、収納容器Ｃを磁化処理室２１２内に収容する。すなわち、ウエハＷは、ウエハ面が磁場の方向に平行となる状態で収納容器Ｃに保持されている。

続いて、収納容器Ｃ内のウエハＷに収納容器Ｃごと磁場を印加することにより、ウエハＷに形成された磁性体膜に磁気特性を発現させる。具体的には、室温で１Ｔ〜５Ｔの磁場を印加することにより、ウエハＷに形成された磁性体膜に磁気特性を発現させる。このとき、磁場の方向（前後方向）に垂直な方向（上下方向）にウエハＷを積載し棚状に収納した状態で、収納容器Ｃが磁化処理室２１２内に収容されているため、ウエハＷに形成された磁性体膜は、膜平面方向に磁化される。なお、キャリア搬送機構１１０により、磁場の方向に平行な方向（前後方向）にウエハＷが棚状に積載された状態となるように収納容器Ｃを回転させて磁化処理室２１２内に収容することで、ウエハＷに形成された磁性体膜を、膜に対して垂直方向に磁化してもよい。また、本実施形態における室温とは、外部から加熱や冷却を行っていない状態における温度である。

続いて、キャリア搬送機構１１０により、磁化処理室２１２から収納容器Ｃを搬出し、載置台１０４に搬送し、載置する。具体的には、前後駆動機構２１８により保持部２１６を後方へ移動させ、キャリア搬送機構１１０により、保持部２１６に載置された収納容器Ｃを搬出し、載置台１０４に搬送し、載置する。なお、載置台１０４に載置された収納容器Ｃは、例えば、図示しない天井走行型搬送装置（ＯＨＴ）や床走行型搬送装置（ＲＧＶ）により、載置台１０４から搬出される。以上により、処理が終了する。

本実施形態の磁化処理装置２００は、載置台１０４から磁化処理室２１２内に収納容器Ｃを搬送するキャリア搬送機構１１０と、収納容器Ｃ内のウエハＷに収納容器Ｃごと磁場を印加する磁化処理室２１２とを有する。これにより、ウエハＷを収納容器Ｃから取り出すことなく収納容器Ｃに収納した状態で、載置台１０４と磁化処理室２１２との間を搬送することができる。このため、収納容器ＣからウエハＷを取り出す際に発生する塵などによるウエハＷの汚染を抑制することができ、信頼性の高いＭＲＡＭを製造することができる。

また、収納容器からウエハボートにウエハを移載して磁化処理室内に搬入する場合と比較して、搬送に要する時間を短縮することができる。また、ウエハＷを収納容器からウエハボートに移載しなくてもよいため、収納容器の開閉蓋の自動開閉装置、ウエハボート、収納容器からウエハボートにウエハを移載する移載機などが不要となり、磁化処理装置の設置面積を縮小することができる。さらに、部品点数が少なくなるため、磁化処理装置の製造コストを低減することができ、また、磁化処理装置の製造に要する時間を短縮することができる。

また、本実施形態の磁化処理装置２００では、キャリア搬送機構１１０により、載置台１０４から磁化処理室２１２内に収納容器Ｃを密閉した状態で搬送する。これにより、キャリア搬送領域Ｓ２が不活性ガス雰囲気でない場合であっても、ウエハＷの表面が自然酸化して酸化膜で被覆されることを抑制することができる。このため、不活性ガス設備を導入しなくてもよく、磁化処理装置２００の製造コストを低減することができ、また、磁化処理装置２００の製造に要する時間を短縮することができる。

以上、磁化処理装置及び磁化処理方法を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。

本実施形態の磁化処理装置では、キャリア搬送機構が関節アームにより収納容器の把手を保持して水平方向に搬送する形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。キャリア搬送機構としては、載置台と磁化処理室との間で収納容器を搬送することが可能であればよく、例えば、収納容器の底部を支持して水平方向に搬送する形態であってもよい。

本実施形態の磁化処理装置では、磁化処理室に一つの収納容器を収容し、収納容器内の複数のウエハに磁場を印加する形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、磁化処理室に複数の収納容器を収容し、複数の収納容器内の複数のウエハに同時に磁場を印加する形態であってもよい。この場合、複数の収納容器内の全てのウエハに対して均一な処理を施すことができるように、ソレノイド型磁石の大きさを設計することが好ましい。

１０ 把手
１２ 開閉蓋
１４ ロック機構
１００ 磁化処理装置
１０２ 筐体
１０４ 載置台
１０６ ピン
１０８ フック
１１０ キャリア搬送機構
１１０ａ ガイド部
１１０ｂ 関節アーム
１１２ 磁化処理室
１１４ ソレノイド型磁石
１１６ 保持部
１１８ 上下駆動機構
１２０ 制御部
２００ 磁化処理装置
２１２ 磁化処理室
２１４ ソレノイド型磁石
２１６ 保持部
２１８ 前後駆動機構
Ｃ 収納容器
Ｗ ウエハ

Claims (10)

1. 複数の基板を収納した収納容器を載置する載置台と、
   前記収納容器を収容可能であり、前記収納容器内の前記複数の基板に磁場を印加する磁化処理室と、
   前記載置台から前記磁化処理室内に前記収納容器を搬送可能である搬送機構と、
   を有することを特徴とする磁化処理装置。
2. 前記収納容器は、非磁性材料により形成された密閉型の容器であり、
   前記搬送機構は、前記載置台から前記磁化処理室内に前記収納容器を密閉した状態で搬送することを特徴とする請求項１に記載の磁化処理装置。
3. 前記収納容器は、２５枚の前記基板を収納可能なＦＯＵＰであることを特徴とする請求項２に記載の磁化処理装置。
4. 前記搬送機構は、前記収納容器を、前記収納容器の上面側から把持して搬送することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁化処理装置。
5. 前記磁化処理室は、前記複数の基板に室温で磁場を印加することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁化処理装置。
6. 前記磁化処理室は、
   縦型のソレノイド型磁石と、
   前記ソレノイド型磁石の内側に上下方向に移動可能に設けられ、前記収納容器を保持する保持部と、
   前記保持部を上下方向に移動させる駆動機構と、
   を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁化処理装置。
7. 前記磁化処理室は、
   横型のソレノイド型磁石と、
   前記ソレノイド型磁石の内側に水平方向に移動可能に設けられ、前記収納容器を保持する保持部と、
   前記保持部を水平方向に移動させる駆動機構と、
   を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁化処理装置。
8. 前記駆動機構は、前記保持部を、前記収納容器を前記保持部に載置する位置と、前記収納容器に収納された前記複数の基板に磁場を印加する位置との間で移動させることを特徴とする請求項６又は７に記載の磁化処理装置。
9. 前記ソレノイド型磁石は、超電導磁石であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の磁化処理装置。
10. 複数の基板を収納した収納容器を載置台に載置する工程と、
    前記載置台に載置された前記収納容器を磁化処理室内に搬送する工程と、
    前記磁化処理室内に搬送された前記収納容器内の前記複数の基板に磁場を印加する工程と、
    を有することを特徴とする磁化処理方法。

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