JP2017041475A - 配線基板及び多層配線基板、配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また近年、電子機器の小型化・高性能化に伴い、電子部品を実装する多層プリント配線板も導体配線の微細化・高精度化が望まれている。このような中、貫通孔形成、貫通孔内壁へのめっきを従来と同様に行い、配線形成をセミアディティブ工法により行う技術が提案されている(特許文献1)。セミアディティブ工法は、サブトラクティブ工法よりも微細なパターンを形成することが可能な工法である。
また、スルーホールに充填した樹脂が硬化収縮するため、スルーホール開口部が周囲のスルーホールランドと比べて大きく凹んでしまう。この上に形成するビルドアップ層において、スルーホール上にビアを形成する場合、この大きな凹みはビア形成不良につながり接続不良の原因になる。また、この凹みを埋めるべく厚く蓋めっきすると、ますます基板厚みが嵩んでしまう。
本発明のさらに別の態様に係る配線基板の製造方法は、絶縁基体の表裏を貫通するスルーホールを形成する工程と、前記スルーホールの壁面に、前記スルーホールの表面側開口部と裏面側開口部とを導通させるスルーホール導体を形成する工程と、前記絶縁基体の前記表面側開口部の周囲と前記裏面側開口部の周囲とにそれぞれスルーホールランドを形成する工程と、セミアディティブ工法によって、前記絶縁基体の表面側及び裏面側に前記スルーホールランドを被覆する導体層をそれぞれ形成する工程と、を備え、前記スルーホールランドの厚みを1.0μm以上10.0μm以下にすることを特徴とする。
<実施形態>
図1〜図4は、本発明の実施形態に係る配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。図1(a)に示すように、まず、絶縁材2の表面と裏面とにそれぞれ銅箔1が形成された基板を用意する。この基板は、銅箔1、絶縁材2、銅箔1をこの順に重ねて熱圧着処理を行うことにより形成することができる。銅箔1はエッチング等により2〜4μm厚まで薄化する。
続いて、図1(c)に示すように、基板全面に厚さ0.5〜1.0μm程度無電解銅めっき処理を行った後、電解銅めっき処理にて、基板の表裏面全面とスルーホールの壁面とに5〜20μm程度の導体3を形成する。この導体3により、スルーホールの表面側開口部と裏面側開口部とが導通する。
次に、基板の表面側及び裏面側にそれぞれ物理研磨を実施する。これにより、図2(b)に示すように、基板の表面側及び裏面側のそれぞれにおいて、表層導体(すなわち、銅箔1及び導体3)の厚みT1を1.0〜10μmとする。
続いて、表層導体のエッチングレジスト23で覆われていない部分の銅をエッチング除去し、その後、図3(a)に示すようにエッチングレジストを除去する。エッチング液としては、下地の樹脂との相性により、塩化銅、塩化鉄、過酸化水素・硫酸系、過硫酸ナトリウム等の薬液から選択できる。スルーホール内の導体をスルーホール導体24、スルーホール開口周辺の導体をスルーホールランド25と称する。スルーホールランド25の直径D2は、図1(b)に示したスルーホール21の開口径(D1)よりも70μm以上大きく仕上がるようにする。
次に、図3(c)に示すように、基板の表面側及び裏面側にめっきレジスト5を形成する。このめっきレジスト5は、セミアディティブ工法のマスクに用いられる。セミアディティブ工法では、所望のパターンを形成する予定領域をめっきレジスト5下から露出させ、所望のパターンを形成する予定領域以外の領域はめっきレジスト5で被覆する。
次に、めっきレジスト5が形成された基板に電解銅めっき処理を行う。これにより、レジスト開口部26、27内に電解銅めっきを形成する。レジスト開口部26内に形成された電解銅めっきがスルーホールランドパターンであり、レジスト開口部27内に形成された電解銅めっきが配線パターンである。その後、図4(a)に示すように、めっきレジストを除去する。
セミアディティブ工法により、幅方向の寸法が20μmを下回るような微細な配線パターンを形成する場合、電解めっき時に電流が集中し、めっき厚T2が厚くなる。これに対し、直径140μmを超えるような比較的大きいランドパターンの場合、電流は集中しないため、めっき厚T3は比較的薄くなる。一般的にT2とT3との差は、めっき浴の特性によって決まるが、T1を調整することで、スルーホール周りの導体の高さT4を調整することができる。
この後は、配線基板の表面及び裏面のうち少なくとも一方の面側において、絶縁層と導体層とを交互に積層する。また、この積層の過程で、層間導通形成・回路形成を行う工程を適宜繰り返す。これにより、多層配線基板(多層プリント配線板)が完成する。
本発明の実施形態によれば、スルーホールランドパターン28及び配線パターン29の形成をセミアディティブ工法で行う。これにより、配線・間隙の幅が30μmを下回るような、従来よりも微細な配線パターン29を形成することができる。
また、スルーホールランドパターン28及び配線パターン29を形成する前に、予め、スルーホール周りに厚みT1の表層導体を形成しておく。これにより、めっき時に電流が集中してめっき厚が厚くなりがちな配線パターン29に対して、電流の集中度合いが小さくてめっき厚が薄くなりがちなスルーホールランドパターン28と、ベタ部の(絶縁材2の表面又は裏面からの)各高さを高くすることができる。このため、配線パターン29、スルーホールランドパターン28、ベタ部の間で、高さのばらつきを小さくすることができる。
以上より、スルーホールの穴埋めと微細な配線パターンの形成を容易に両立することができる。その結果、完成品として実装性が高く微細な配線を有する配線基板と多層プリント配線板とを高い収率で製造することができる。
以上説明した本発明の実施形態は単なる例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。したがって本発明は、その要旨を逸脱しない範囲での改変が可能である。
例えばスルーホールをレーザー加工によって形成してもよいし、スルーホールの穴埋めの充填材に導電性ペーストを使用してもよい。また、エッチングレジストおよびめっきレジストは液状のものをスピンコートやロールコートによって基板上に形成してもよい。また、図3(b)の無電解銅めっきと穴埋め樹脂22との密着性が悪い場合、図3(a)に示す基板全面に樹脂粗化処理を行ってもよい。
下記に示す工程で、配線基板を作成した。
両面銅張積層板として絶縁材にガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸漬したもの(絶縁層厚800μm プライマーレジンつき銅箔厚12μm)を使用し、両面に過酸化水素・硫酸系エッチング液により銅箔厚を3μmまで薄化した(図1(a))。
次に、基板の所望の位置にメカニカルドリルにより直径100μmのスルーホールを形成した(図1(b))。
さらに、スルーホール内に穴埋め専用の絶縁樹脂をスクリーン印刷機によって埋め込み(図2(a))、ロール式のバフ研磨装置により両面を平滑に研磨し、導体厚(T1)を3μmとした(図2(b))。
続いて、コンベア・スプレー装置による現像(ブレイクポイントの2.5倍時間処理)(図2(c))、塩化第二銅を使用したスプレーエッチング(ジャストエッチング)、同じくスプレーによるレジスト剥離(リフティングポイントの4倍時間処理)を一貫ラインにより実施し、図3(a)のようにスルーホールランドを形成した。
めっきレジストとしてドライフィルム(25μm厚 高解像度品)をホットロールラミネータにより貼り付け、ステッパー露光機により露光し(メーカー推奨露光量)、コンベア・スプレー装置により現像(ブレイクポイントの2.5倍時間処理)を行った(図3(c))。
続いて、給電層の無電解銅めっき層を過酸化水素・硫酸系エッチング液により除去した(図4(b))。
以上の方法で形成した配線基板は、広いスペースの中に独立して敷設されている配線パターン29(図4(b)参照)を配線/間隙=10/10μmの設計通りに形成することができた。また、スルーホールランドパターン28(図4(b)参照)を、直径200μmの設計通りに形成することができた。配線パターン29の高さ(すなわち、無電解銅めっき4の厚みと配線パターン29の厚みT2との和)は14μm、スルーホールランドパターン28の高さT4は15μmに仕上がった。
以上により、スルーホールと微細な配線が形成されており、ビルドアップ層の下地として平坦性の高い、多層プリント配線板のコア層(配線基板)を作製することができた。
なお、T1に関して、1.0μmを下回るような研磨を行うことは可能だが、本発明の実施形態の効果である厚みT4の制御の効果がなくなるため、これを採用することは不可能であった。
(比較例2)
また、T1が10μmを超えると、そのパターンがめっきレジスト形成時にロール表面に傷をつける可能性があり、またパターンめっき時にT4が25μmを超えて、めっきレジストの解像度が犠牲になる懸念がある。そのため、本発明における実用に適さないものであった。
また、D3<D2となるような設計は、セミアディティブ工法における給電層除去のためのエッチング時に、めっき層の界面が過剰にエッチングされる不具合が発生するため、本発明において、これを採用することは不可能であった。
(比較例4)
また、図4(a)において、配線パターン29の幅W2やW4が25μmより大きくなるような設計、またはセミアディティブのみによって形成される配線パターン29の導体面積率、たとえば図4(a)に示す(W2+W4)/(W1+W2+W3+W4+W5)の百分率が50%より大きくなる設計は、スルーホールランドパターン28と配線パターン29との電流集中の度合いの差が小さく、導体厚に差が生じないため、本発明において、これを採用することは不可能であった。
実施例と比較例1〜4とを比較して、表層導体の研磨後の厚みT1は、1.0以上、10μm以下である必要がある、ということがわかった。
また、スルーホールランドパターン28をセミアディティブ工法で形成する場合、スルーホールランドパターン28の直径D3はスルーホールランド25の直径D2以上の大きさ(D3≧D2)である必要がある、ということがわかった。
また、配線パターン29の幅W2やW4は25μm以下である必要がある、ということがわかった(なお、W2やW4は2.0μm以上であることが好ましい。W2やW4が2.0μm未満の場合、寸法のばらつきが大きくなり、高精度に形成することが困難なためである。)。
2 絶縁材
3 導体
4 無電解銅めっき
5 めっきレジスト
21 スルーホール
22 穴埋め樹脂
23 エッチングレジスト
24 スルーホール導体
25 スルーホールランド
26 レジスト開口部
27 レジスト開口部
28 (セミアディティブ工法によって形成された)スルーホールランドパターン
29 (セミアディティブ工法によって形成された)配線パターン
A 領域(配線パターンと間隙部とを含み、且つスルーホールランドパターンを含まない領域)
D1 スルーホールの直径
D2 スルーホールランドの直径
D3 スルーホールランドパターンの直径
W1、W3、W5 間隙部の幅
W2、W4 配線パターンの幅
T1 研磨後の表層導体(銅箔1及び導体3)の厚み
T2 配線パターンの厚み
T3 スルーホールランドパターンの厚み
T4 スルーホールランドパターンの高さ(T1と無電解銅めっき4の厚みとT3とを加えた厚み)
Claims (5)
- 絶縁材と、
前記絶縁材の表裏を貫通するスルーホールと、
前記スルーホールの壁面に設けられて、前記スルーホールの表面側開口部と裏面側開口部とを導通させるスルーホール導体と、
前記表面側開口部の周囲及び前記裏面側開口部の周囲にそれぞれ設けられたスルーホールランドと、
前記絶縁材の表面側及び裏面側にそれぞれ設けられて、前記スルーホールランドを被覆する導体層と、を備え、
前記スルーホールランドの厚みは1.0μm以上10.0μm以下であることを特徴とする配線基板。 - 前記スルーホールの内部に充填された樹脂を備え、
前記樹脂と前記スルーホールの壁面との間に前記スルーホール導体が介在することを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 - 前記絶縁材の表面側及び裏面側のそれぞれにおいて、
前記導体層は、前記スルーホールを覆うスルーホールランドパターンと、配線パターンとを有し、
前記配線パターンの幅は2.0μm以上25μm以下であり、
前記配線パターンと該配線パターンに隣接する間隙部とを含み、且つ前記スルーホールランドパターンを含まない領域の導体面積率は50%以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の配線基板。 - 請求項1から請求項3の何れか一項に記載の配線基板と、
前記配線基板の表面及び裏面のうち少なくとも一方の面側において、交互に積層された絶縁層及び導体層と、を備えることを特徴とする多層配線基板。 - 絶縁材の表裏を貫通するスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールの壁面に、前記スルーホールの表面側開口部と裏面側開口部とを導通させるスルーホール導体を形成する工程と、
前記絶縁材の前記表面側開口部の周囲と前記裏面側開口部の周囲とにそれぞれスルーホールランドを形成する工程と、
セミアディティブ工法によって、前記絶縁材の表面側及び裏面側に前記スルーホールランドを被覆する導体層をそれぞれ形成する工程と、を備え、
前記スルーホールランドの厚みを1.0μm以上10.0μm以下にすることを特徴とする配線基板の製造方法。
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