JP2017037970A - 高周波モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
[1−1.全体構成]
まず、実施の形態1に係る高周波モジュールの全体構成について、図面を用いて説明する。
図1に示されるように、スイッチIC20は、共通端子220と、選択端子221及び222のうちのいずれか一つの選択端子とを選択的に接続するスイッチ回路である。スイッチICは、例えば、FET(Field−Effect Transistor)などのトランジスタにより実現される公知のスイッチ回路であり、スイッチIC20を駆動するための信号に基づいて、選択された選択端子と共通端子とを接続する。
基板30は、スイッチIC20が実装される基板である。本実施の形態では、基板30は、図3及び図4に示されるように、複数の層が積層された積層基板である。本実施の形態では、基板30を形成する複数の層は、それぞれ、10μm以上、20μm以下程度の厚さを有する誘電体層である。基板30を形成する複数の誘電体層の少なくとも一部には、導電性部材からなり、誘電体層の表面に配置される配線パターン、及び、導電性部材からなり、誘電体層を貫通するビア電極が設けられている。これらの配線及びビア電極により、各端子間が電気的に接続される。
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール1は、基板30と、基板30上に実装され、共通端子220及び選択端子221及び222を備えるスイッチIC20とを備える。基板30は、基板30の平面視において、共通端子220と選択端子221及び222との間に配置された接地される電極である接地電極350及び351を備える。
次に、実施の形態2に係る高周波モジュールについて説明する。本実施の形態に係る高周波モジュールは、基板上に、方向性結合器をさらに備える。以下、本実施の形態に係る高周波モジュールについて、実施の形態1に係る高周波モジュールとの相違点を中心に、説明する。
まず、本実施の形態に係る高周波モジュールの全体構成について図5を用いて説明する。
ここで、本実施の形態に係る高周波モジュール2の使用形態の一例について図6を用いて説明する。
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール2は、実施の形態1に係る高周波モジュール1において、方向性結合器60をさらに備え、選択端子221及び222は、の少なくとも一つは、方向性結合器60の結合ポートに接続される。
次に、実施の形態3に係る高周波モジュールについて説明する。本実施の形態では、実施の形態2に係る高周波モジュール2に加えて、さらに方向性結合器が追加され、各スイッチICの選択端子が増加された例を示す。以下、本実施の形態に係る高周波モジュールの構成、及び、使用態様の一例について、図7を用いて説明する。
次に、実施の形態4に係る高周波モジュールについて説明する。本実施の形態では、高周波モジュールにおいて、基板の領域が接地電極によって区画される。以下、本実施の形態に係る高周波モジュールについて、図8を用いて説明する。
以上、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールついて、実施の形態を挙げて説明したが、本発明の高周波モジュールは、上記各実施の形態に限定されるものではない。上記各実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記各実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本開示の高周波モジュールを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
20、21、70、71 スイッチIC
30、31、32、33 基板
38a、38b 領域
60、61 方向性結合器
80、81 アンテナ
82 送信波生成器
83 受信器
84 検出器
220、710、770 共通端子
221〜224、711〜713、771〜773 選択端子
311〜313、320〜323、340〜342、362、372 接続端子
330、331、332 配線パターン
350、351 接地電極
661、662、665、666 入出力ポート
663、664、667、668 結合ポート
Claims (11)
- 基板と、
前記基板上に実装され、共通端子及び複数の選択端子を備えるスイッチICとを備え、
前記基板は、前記基板の平面視において、前記共通端子と前記複数の選択端子との間に配置された接地される電極である接地電極を備える
高周波モジュール。 - 前記接地電極の少なくとも一部は、前記基板の内部に配置される
請求項1に記載の高周波モジュール。 - 前記接地電極の少なくとも一部は、前記基板の厚さ方向に延在する
請求項1又は2に記載の高周波モジュール。 - 前記接地電極は、前記基板の厚さ方向に延在するビア電極を含む
請求項1〜3のいずれか1項に記載の高周波モジュール。 - 前記接地電極は、前記基板の平面視において、前記複数の選択端子に沿って一列に並べられた複数のビア電極を含む
請求項4に記載の高周波モジュール。 - 前記接地電極は、前記複数のビア電極のうちの少なくとも二つのビア電極を接続する配線パターンを含む
請求項5に記載の高周波モジュール。 - 前記基板は、複数の層が積層された積層基板であり、
前記ビア電極は、前記複数の層のうち、少なくとも一部の層を貫通する
請求項4〜6のいずれか1項に記載の高周波モジュール。 - 前記接地電極は、前記基板の前記スイッチICが実装される主面において外部に露出しない
請求項1〜7のいずれか1項に記載の高周波モジュール。 - 方向性結合器をさらに備え、
前記複数の選択端子の少なくとも一つは、前記方向性結合器の結合ポートに接続される
請求項1〜8のいずれか1項に記載の高周波モジュール。 - 前記複数の選択端子のうちの一つの選択端子は、前記方向性結合器の一方の結合ポートに接続され、前記複数の選択端子のうちの他の一つの選択端子は、前記方向性結合器の他方の結合ポートに接続される
請求項9に記載の高周波モジュール。 - 前記接地電極は、前記基板の平面視において、前記共通端子が配置された前記基板の角部の領域と、前記複数の選択端子及び前記方向性結合器が配置された前記基板の領域とを区画する
請求項9又は10に記載の高周波モジュール。
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