JP2017034139A - 実装構造体と実装構造体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】両面実装しても半田フラッシュが起こり難い実装構造体、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】被実装部品８の実装面１０１に実装部品１が実装され、被実装部品８の実装面１０２に実装部品９が実装された実装構造体であって、基端が被実装部品８の実装面１０１に接続されて半田５の一部の全周を覆い、先端がバンプ４に接触しない補強樹脂６を設け、半田５の一部が、補強樹脂６の先端と実装部品１の基板２との間に形成された露出部Ｏａで露出しているので、被実装部品８の実装面１０２に実装部品９を実装する際の二次リフローによって再溶融した半田５が露出部Ｏａから外側に拡がり、冷却によって半田５が元の位置に戻る。【選択図】図３

Description

本発明は、半田バンプを有する半導体チップや半導体パッケージ、半田バンプを有する電子部品などの実装部品が、回路基板などの被実装部品の両面に実装された実装構造体に関する。

近年、携帯電話やＰＤＡ（ Personal Digital Assistant ）等のモバイル機器の小型化、高機能化が進んでいる。これに対応できる実装技術として、ＢＧＡ（ Ball Grid Array ）やＣＳＰ（ Chip Scale Package ）などの実装構造が多く用いられている。モバイル機器は、落下衝撃などの機械的負荷にさらされやすい。ＱＦＰ（ Quad Flat Package ）は、そのリード部分で、衝撃を吸収する。しかし、衝撃を緩和するリードを持たないＢＧＡやＣＳＰなどでは、耐衝撃信頼性を確保することが重要となってきている。

従来の代表的な半田であるＰｂ共晶半田の融点は、１８３℃であるが、昨今の鉛フリー半田の融点は、代表的なＡｇ−Ｓｎ−Ｃｕ系半田では、Ｐｂ共晶半田よりも３０℃程度高いものになっている。リフロー炉のプロファイルの最高温度は、２２０〜２６０℃へと高くなっている。

このため、高温耐性の弱い部品を配線基板に実装する場合は、その部品のみ別工程でスポット半田接合したりしているため、著しく生産性が低くなっていた。
そこで、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田の融点が高いというデメリットを無くしたＳｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｂｉ系等の低融点Ｐｂフリー半田が使用され始めている。ところが、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｂｉ系半田を用いたＢＧＡ接続に対してその半田接続部の接続信頼性はまだ明確でない。

その対策として、接続部の耐衝撃信頼性を高めるために、フラックスに熱硬化性樹脂を使った半田ペーストを用いた製造方法が提案されている（特許文献１）。
この方法では、半田接続部時に半田ペースト中の樹脂が半田と分離し、半田の周辺を覆う。結果、樹脂で半田の強度を補強している。

図１は回路基板の両面に実装部品を実装する工程を示している。
図１（ａ）では、回路基板８の一次実装面１０１に塗布された半田ペーストＰの上に、半導体素子１が載置される。半田ペーストＰは、低融点の半田と熱硬化性樹脂が混ざった組成である。これを図１（ｂ）のように加熱炉１６で加熱することで金属接合される。これが第１接続工程である。次に、図１（ｃ）では、回路基板８の上下を反転し、回路基板８の二次実装面１０２に半田ペーストＰを塗布し、半導体素子９を載置する。これを図１（ｄ）で、加熱炉１６でリフロー加熱して、半田ペーストＰ中の半田成分が溶融されることで、金属接合される。これが第２接続工程である。このようにして、回路基板８の両面に半導体素子１，９を実装した実装構造体を作成している。

図２（ａ）に接続部分の拡大断面図を示す。
半導体素子１の電極３と一次実装面１０１の電極７ａとの間が、バンプ４と半田ペーストＰから分離した半田５とで電気接続されている。半導体素子９の電極１１と二次実装面１０２の電極７ｂとの間が、バンプ１２と半田ペーストＰから分離した半田１３とで電気接続されている。さらに、半田ペーストＰから分離して硬化した樹脂成分である補強樹脂６が、回路基板８の一次実装面１０１と半導体素子１の基板２の間の半田５の全面を覆っている。また、半田ペーストＰから分離して硬化した樹脂成分である補強樹脂１４が、回路基板８の二次実装面１０２と半導体素子９の基板１０の間の半田１３の全面を覆っている。

特許第５２０４２４１号公報

この構造では、回路基板８の一次実装面に、半導体素子１を半田付けする１回目の熱処理を実行し、その後、回路基板８の二次実装面に、半導体素子９を半田付けする２回目の熱処理を実行する。

２回目の熱処理時に、１回目の実装で接続が完成している半田５が再溶融する。この時、半田５の周辺は補強樹脂６で覆われているため、半田フラッシュが起こることがある。半田フラッシュとは、図２（ｂ）に示すように、２回目の熱処理を実行した際に再溶融した半田５の内部にボイド１８が発生し、溶融した半田５の一部の飛び出した半田１９が、回路基板８と補強樹脂６との接続部の破れた隙間から飛び出す現象である。

このような半田フラッシュが起こると、飛び出した半田１９が原因で回路のショートが起こり、実装構造体の動作不良の原因となる。そのため、半田フラッシュを起こさない対策が求められている。

ここで、半田５と半田１３の融点差を大きくすると、２回目の実装時の熱処理で、１回目の半田５を溶かすことなく上記課題を解決できる。しかし、低融点の鉛フリー半田材料は限られており、融点差を大きくできない。また、異なる半田ペーストを用いると、プロセス上、複雑となり良くない。

また、１回目を仮固定（融点以下で仮に固定のみ）して、２回目の時に上下両方の半田を溶かすことも考えられる。しかし、仮固定では中間状態がばらつくこと、プロセスが複雑になること、回路基板８の下面において半田５の全体を溶かすとセルフアライメントが働かないことなどから、良くない。

本発明は、回路基板などの被実装部品の両面に実装部品を実装する場合でも、半田フラッシュが起こり難い実装構造体、およびその製造方法を提供することにある。

本発明の実装構造体は、第１バンプを有する第１実装部品と、第２バンプを有する第２実装部品と、一次実装面と二次実装面を有する被実装部品と、前記一次実装面の電極と前記第１バンプとを接続する第１半田と、前記二次実装面の電極と前記第２バンプとを接続する第２半田と、前記第１半田の一部を覆い、前記第１バンプに接触しない補強樹脂と、を含む、ことを特徴とする。

また、本発明の実装構造体は、第１バンプを有する第１実装部品と、第２バンプを有する第２実装部品と、前記第１実装部品が一次実装面に実装され、前記第２実装部品が二次実装面に実装された被実装部品と、前記被実装部品の一次実装面の電極と前記第１バンプの間に位置する第１半田と、前記被実装部品の電極と前記第２バンプ間に位置する前記第２半田と、前記第２バンプと第２半田の側面の全部を覆う第２補強樹脂と、前記被実装部品の一次実装面に基端が接続され、先端が前記第１バンプに接触しない第１補強樹脂と、を含み、前記第１半田の一部が、前記第１補強樹脂の先端と前記第１実装部品の基板との間に形成された露出部で露出している、ことを特徴とする。

また、本発明の実装構造体は、第１バンプを有する第１実装部品と、第２バンプを有する第２実装部品と、前記第１実装部品が一次実装面に実装され、前記第２実装部品が二次実装面に実装された被実装部品と、前記被実装部品の一次実装面の電極と前記第１バンプの間に位置する第１半田と、前記被実装部品の電極と前記第２バンプ間に位置する前記第２半田と、前記被実装部品の二次実装面に基端が接続され、先端が前記第２バンプに接触しない第２補強樹脂を設け、前記被実装部品の一次実装面に基端が接続され、先端が前記第１バンプに接触しない第１補強樹脂と、を含み、前記第１半田の一部が、前記第１補強樹脂の先端と前記第１実装部品の基板との間に形成された露出部で露出し、前記第２半田の一部が、前記第２補強樹脂の先端と前記第２実装部品の基板との間に形成された露出部で露出している、ことを特徴とする。

本発明の実装構造体の製造方法は、第１実装部品に設けられた第１バンプを、被実装部品の一次実装面の電極に、第１半田ペーストを一次リフローして第１半田で接続する第１接続工程と、第２実装部品に設けられた第２バンプを、前記被実装部品の二次実装面の電極に、第２半田ペーストを二次リフローして第２半田で接続する第２接続工程と、を含み、前記第１接続工程では、前記リフローにより、半田成分と熱硬化性樹脂成分を含む前記第１半田ペーストは、前記第１半田と前記熱硬化性樹脂成分とに分離し、前記熱硬化性樹脂成分の基端が前記被実装部品に接触し、前記熱硬化性樹脂成分が前記第１半田の一部を覆い、前記熱硬化性樹脂成分の先端が前記第１バンプに接触しない、ことを特徴とする。

この構成によると、第１実装部品を被実装部品の一次実装面の電極に接合する第１半田の一部を覆う補強樹脂が、第１バンプに接触せず、第１半田の周囲全体を樹脂で覆わない構造であるので、被実装部品の二次実装面への第２実装部品の実装に際して第１半田を再リフローしても、再溶融した第１半田が露出部から外側に拡がり、その後の冷却によって第１半田が元の位置に戻るので、半田フラッシュが発生しない。

（ａ）〜（ｄ）従来の半田付け方法の工程図 （ａ）従来の半田付け方法における接続部分の拡大断面図と（ｂ）半田フラッシュが発生した場合の拡大断面図 実装の形態１にかかる実装構造体の断面図 実装の形態２にかかる実装構造体の断面図 実装の形態３にかかる実装構造体の断面図 実装の形態４にかかる実装構造体の断面図 実装の形態５にかかる実装構造体の断面図

（実施の形態１）
実施の形態１の実装構造体を図３に示す。
この実装構造体は、使用する半田ペーストの成分などを選定することで、図１で説明した同じ工程を実施するだけで、良好な実装構造体を作成できる。

なお、従来例を示した図１，図２と同様の部分には同一の符号を付けて説明する。
この実装構造体は、被実装部品としての回路基板８の一次実装面１０１に第１実装部品としての半導体素子１が半田実装され、回路基板８の二次実装面１０２に第２実装部品としての半導体素子９を半田実装して構成されている。

半導体素子１の基板２に形成された電極３には、半円球状のバンプ４が形成されている。このバンプ４が、回路基板８の一次実装面１０１にある電極７ａに半田５によって接合されている。半田５は図１（ａ）で使用した半田ペーストＰをリフローして分離された半田成分である。

半導体素子９の基板１０に形成された電極１１には、半円球状のバンプ１２が形成されている。バンプ１２が、回路基板８の二次実装面１０２にある電極７ｂに半田１３によって接合されている。半田１３は図１（ｃ）で使用した半田ペーストＰをリフローして分離された半田成分である。

バンプ４，１２には、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の半田を用いた。半田５，１３には、Ｓｎ−Ｂｉ系半田を用いた。バンプ４，１２は、半田５，１３より、強度が強い。
二次実装面１０２と半導体素子９の基板１０との間の半田１３の全周は、補強樹脂１４で覆われており、補強樹脂１４の高さＢは、回路基板８と基板１０とのギャップ幅Ｄと同じ高さで、バンプ１２と半田１３の接続部、および半田１３は、補強樹脂１４で全周囲を被覆補強された構造を形成している。補強樹脂１４は図１（ｃ）で使用した半田ペーストＰをリフローして分離された樹脂成分である。この例では、補強樹脂１４の高さＢは、バンプ１２の高さＦよりも大きく、半円球状のバンプ１２の頂点は、回路基板８の電極７ｂには接触していない。

回路基板８の一次実装面１０１と半導体素子１の基板２との間の半田５の周りは、一次実装面１０１から高さＡの区間が補強樹脂６で覆われている。補強樹脂６は図１（ａ）で使用した半田ペーストＰをリフローして分離された樹脂成分である。この例では、補強樹脂６の高さＡは、回路基板８と基板２とのギャップ幅Ｃよりも低い。そのため、半田５と基板２との間には、半田５の一部を露出させる露出部Ｏａが形成されている。また、バンプ４の高さＥがギャップ幅Ｃよりも低く、半円球状のバンプ４の頂点は、回路基板８の電極７には接触していない構造となっている。

補強樹脂６，１４は、基端が回路基板８に接触し、回路基板８側に裾が拡がるようにフィレットを形成している。バンプ４と半田５との接続部は、一部が補強樹脂６で覆われている。詳しくは、補強樹脂６は第１半田５の一部を覆い、第１バンプ４に接触していない。更に補強樹脂６の先端が半導体素子１の基板２および電極３に接触していない。また、バンプ１２と半田１３との接続部は、補強樹脂１４で覆われている。詳しくは、補強樹脂１４は第２半田１３の全部を覆い、補強樹脂１４の先端が半導体素子９の基板１０および電極３に接触している。

このため、熱的衝撃や機械的衝撃を受けた場合に、回路基板８の変形を抑制することができ、耐衝撃性を向上させることができる。但し、二次実装側の補強樹脂１４に比べて、一次実装側の補強樹脂６は、覆っている面積が狭いため、耐衝撃性の効果は、小さくなる傾向はある。

なお、補強樹脂６，１４は、バンプ４，１２の周囲の一周をほぼ均等に覆う。これは、半田ペーストＰが溶けて、半田と樹脂が分離して移動するためである。ペースト塗布位置によれば、全周を覆わないものも生じる。補強樹脂６，１４は、バンプ４，１２の周囲の一周を覆うことは必須でなく、少なくとも一部を覆えばよい。

このように、半田５の一部を補強樹脂６で覆って、半田５の一部が露出した露出部Ｏａを形成したため、二次実装の際のリフローによって半田５が再溶融しても、溶融して膨張した半田５の広がる空間が確保できるため、二次実装の後に冷却すると半田５が元の形態に戻るため、半田フラッシュが発生しない。

なお、実装条件と使用した半田ペーストＰの成分の具体例、およびバンプ４，１２の形状と大きさ、回路基板８と基板２とのギャップ幅Ｃ，回路基板８と基板１０とのギャップ幅Ｄの具体例などについては、実施例１，２，５として後述する。

（実施の形態２）
図４は実施の形態２を示す。
図３に示した実施の形態１では、半導体素子１のバンプ４の頂点が、回路基板８の一次実装面１０１の電極７ａに直接に当接せずに、バンプ４の頂点と電極７ａの間には、硬化した半田５が介在していたが、この実施の形態２では、半導体素子１のバンプ４の頂点が、回路基板８の一次実装面１０１の電極７ａに直接に当接している。その他は実施の形態１と同じである。

つまり、半田５とハーブバンプ４との全面が図３の場合と同じように補強樹脂６では被覆されておらず、半田５の一部が露出した露出部Ｏａが形成されている。実施の形態１の図３との相違点は、バンプ４の頂点は、回路基板８上の電極７ａに接触し、回路基板８と基板２とのギャップ幅Ｃが狭くなっている。

このため、二次実装側の補強樹脂１４に比べて、一次実装側の補強樹脂６は、覆っている体積が少ないが、半田５よりも強度が優れているバンプ４が、回路基板８上の電極７ａまで到達しているため、耐衝撃性は、実施の形態１の図３の構造よりも高くなる。

なお、実装条件と使用した半田ペーストＰの成分の具体例、およびバンプ４，１２の形状と大きさ、回路基板８と基板２とのギャップ幅Ｃ，回路基板８と基板１０とのギャップ幅Ｄの具体例などについては、実施例３として後述する。

（実施の形態３）
図５は実施の形態３を示す。
図３に示した実施の形態１では、半導体素子１の電極３には半円球状のバンプ４が形成されていたが、図５では半導体素子１の電極３に球状のバンプ４１を用いている点だけが図３と異なっている。その他は実施の形態１と同じであって、補強樹脂６の頂点はバンプ４１に接触しておらず、半田５の一部が露出した露出部Ｏａが、図３の場合と同様に形成されている。バンプ４１の組成はバンプ４と同じである。

このために、回路基板８と基板２とのギャップ幅Ｃは、図３の場合のギャップと比べてかなり大きくなっている。このため、強度的に実施の形態１より弱い。
なお、実装条件と使用した半田ペーストＰの成分の具体例、およびバンプ４，１２の形状と大きさ、回路基板８と基板２とのギャップ幅Ｃ，回路基板８と基板１０とのギャップ幅Ｄの具体例などについては、実施例６として後述する。

（実施の形態４）
図６は実施の形態４を示す。
図６における半田５の体積は、図３に示した実施の形態１の半田５の体積に比べて非常に小さい。半田５の広がり幅Ｇは、図３の半田５の幅に比べて小さくなっている。その他は実施の形態１と同じであって、補強樹脂６の先端はバンプ４に接しておらず、半田５の一部が露出した露出部Ｏａが、図３の場合と同様に形成されている。補強樹脂６で半田５の高さＥの半ばまで覆っているものが好ましい。

このため、補強樹脂６の補強効果が小さくなり、接合信頼性は図３の構造より悪い。
なお、実装条件と使用した半田ペーストＰの成分の具体例、およびバンプ４，１２の形状と大きさ、回路基板８と基板２とのギャップ幅Ｃ，回路基板８と基板１０とのギャップ幅Ｄの具体例などについては、実施例７として後述する。

（実施の形態５）
図７は実施の形態５を示す。
図３に示した実施の形態１では、回路基板８と基板１０の間にある半田１３の全部が補強樹脂１４によって覆われ、回路基板８と基板２の間にある半田５の一部だけが補強樹脂６によって覆われて、半田５の残りの部分が露出部Ｏａによって露出していたが、図７における半田５の一部が露出する露出部Ｏａと、半田１３の一部を露出させる露出部Ｏｂが補強樹脂１４の先端と基板１０との間に形成されている。

つまり、半田１３は、基端が回路基板８に接触した補強樹脂１４によって一部だけが覆われており、補強樹脂１４の先端はバンプ１２に接触していない。さらに、図３ではバンプ４，１２の頂点は電極７ａ，７ｂに当接していないが、図７ではバンプ４，１２の頂点は電極７ａ，７ｂに当接している。その他は実施の形態１と同じである。

このように、一次実装面１０１の側に露出部Ｏａを形成し、二次実装面１０２にも露出部Ｏｂを形成しているため、全体として、厚みが薄い。
また、半田５，１３よりも強度的に優れているバンプ４，１２が、回路基板８の電極７ａ，７ｂまで到達しているため、耐衝撃性が向上し、補強樹脂６，１４の面積が減っている分を補って、優れた信頼性を維持できる。

なお、実装条件と使用した半田ペーストＰの成分の具体例、およびバンプ４，１２の形状と大きさ、回路基板８と基板２とのギャップ幅Ｃ，回路基板８と基板１０とのギャップ幅Ｄの具体例などについては、実施例４として後述する。

上記の各実施の形態の具体例である実施例１〜７の内容と総合判定などを表２に示す。図２（ａ）に示した従来の構成を比較例１とした。半田ペーストＰには表１に示した成分が異なる６種類の半田ペーストＰ−１〜Ｐ−６を使用した。

先ず、比較例１および実施例１〜７において共通の具体的な構成について説明する。
＜ 半導体素子１，９ ＞
実装部品としての半導体素子１，９には、デイジーチェーン（ Daisy−chain ）回路を持つ同じものを用いた。その大きさは、１１ｍｍ×１１ｍｍ×０．５ｍｍの大きさである。搭載した基板２，１０の厚みは、０．２ｍｍであった。

また、回路基板８は、３０ｍｍ×７０ｍｍ×１．０ｍｍであり、電極７ａ，７ｂの材質は銅で、回路基板８の材質はガラスエポキシ材である。
＜ バンプ４，１２ ＞
バンプ４，１２は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のＢｉ、Ｉｎ、Ａｇ、ＺｎおよびＣｕの群から選ばれる１種以上の元素と、Ｓｎとの組み合わせを含む合金組成を有するもので、Ｓｎ−Ｂｉ系半田よりも融点の高いものが好ましい。バンプ４，１２は、０．４ｍｍピッチで、バンプ数は４４１個であった。Ｓｎ３．０Ａｇ０．５Ｃｕ半田（融点２１９℃／商品名「Ｍ７０５−ＧＲＮ３６０−Ｌ６０Ｃ」、千住金属工業株式会社製）のクリーム半田を、メタルマスクを用いて基板２，１０の電極７ａ，７ｂの上に印刷し、加熱溶融にてバンプ４，１２を形成した。
＜ 半田５，１３ ＞
半田ペーストから分離されて後に半田５，１３となる半田成分は、Ｓｎ−Ｂｉ系半田で、例えば、スズ系合金単一またはそれら合金の混合物、例えば、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系、およびＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ系からなる群から選ばれる合金組成を用いることができる。

＜ 補強樹脂６，１４ ＞
半田ペーストから分離されて後に補強樹脂６，１４となる樹脂成分は、熱硬化性樹脂であり、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ビスマレイミド、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂など、様々な樹脂を含むことができる。これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうちでは、後述したように、特にエポキシ樹脂が好適である。エポキシ樹脂には、室温で液体のエポキシ樹脂を用いる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などが適している。これらを変性させたエポキシ樹脂も用いられる。これらの液状エポキシ樹脂は単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

＜ 硬化剤 ＞
上記の熱硬化性樹脂と組み合わせて用いる硬化剤としては、チオール系化合物、変性アミン系化合物、多官能フェノール系化合物、イミダゾール系化合物、および酸無水物系化合物の群から選ばれる化合物を用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、必要に応じ、半田粒子の表面の酸化膜を取り除くための還元剤として、有機酸やハロゲン化合物を添加することができる。

その有機酸としては、カルボキシル基が１個のものや、複数個持つ化合物が用いられるが、低温での還元反応の発現には、低分子量のものが有効であり、顕著な還元反応を求める場合には、カルボキシル基を複数個持つ化合物が有効である。カルボキシル基を１個持つ化合物としては、レブリン酸、フェニル酪酸、アビエチン酸などが例示できる。また、カルボキシル基を２個持つ化合物としては、コハク酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、ピメリン酸、クエン酸などの多数を挙げられる。

＜ 補強樹脂６，１４の硬さを制御 ＞
一次実装側に露出部Ｏａを形成した構造を取っているため、二次実装工程での一次実装側のＳｎ−Ｂｉ系の半田５のフラッシュを防止できる。その効果的な構造を形成するには、一次実装の際の樹脂の広がりを小さく制御することが非常に重要となる。つまり、通常は、一次実装の際、Ｓｎ−Ｂｉ系の半田５が、加熱によって溶けて、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のバンプ４に溶融拡散する時、また硬化していない樹脂も半田５に追随して半田５の方にレベリングしていき、フィレット構造を形成していくが、その広がりの途中で止まる必要がある。

つまり、樹脂バインダーにＳｎ−Ｂｉ系半田を含んだ低融点の半田ペーストの樹脂に流動性制御特性の機能を持たせる必要がある。そこで、補強樹脂６，１４の硬さを調整するため、半田溶融時のエポキシの流動性を抑制する手段の一つとして、エポキシ樹脂の高粘度化が有効であることを見出した。特に、軟化点７０〜１１０℃、エポキシ当量２５０〜１０００のエポキシ樹脂が、有効であると判明した。その高粘度化のためのエポキシ樹脂としては、具体的には、多官能エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、高分子型エポキシ樹脂の群から選ばれるエポキシ樹脂が有効である。例えば、高分子量のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、高分子量のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、高分子量のビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などが好適に用いられる。これらを変性させたエポキシ樹脂も用いられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

さらには、実施の形態として、一次実装面の低融点の半田ペーストの、半田溶融時のエポキシの流動性を抑制する方法として、チクソ性付与剤の添加が有効であることを見出した。

チクソ性付与剤には、有機系あるいは無機系のものが使用できる。チクソ性付与剤としては、低分子量のアマイド、ポリエステル系、ヒマシ油の有機誘導体などが有効である。また、無機系のチクソ性付与剤としては、一次粒子径が７ｎｍから４０ｎｍの疎水化フュームドシリカなどが有効である。これらを適宜配合することで、半田溶融時のエポキシ樹脂の拡がりを抑制することができる。

なお、フラックス成分に高融点のエポキシやチクソ性付与剤を添加すると、高粘度のパテ状態となるため、印刷作業性が悪くなる。そのため、溶剤を加えてもよい。溶剤の種類としては、エポキシ樹脂との溶解性がよく、しかも加熱硬化の際には、揮発してボイドとして残らないものが好ましいが、限定はしない。具体的には、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、トルエン、ｎ−ヘキサン、メチルエチルケトン、１，２ブタンジオールなどがあげられる。

表１に示した半田ペーストＰ−１〜Ｐ−６までの半田ペーストを使い分けて、図３〜図７および比較例の図２に示す構造を実現している。
＜ 半田ペーストＰ−１ ＞
半田ペーストＰ−１は、標準タイプの樹脂入り低融点の半田ペーストで、低粘度、低チクソ性で、半田溶融時の樹脂の広がりも大きい。結果、半田の周辺に広がり、補強樹脂６，１４が、半田とバンプの側面全てを覆う。

＜ 半田ペーストＰ−２ ＞
半田ペーストＰ−２は、高融点エポキシの併用により、やや高チクソ性で、半田溶融時の樹脂の拡がりも比較的小さい。半田ペーストが広がらないので、半田とバンプの側面の全部は覆わない。

＜ 半田ペーストＰ−３ ＞
半田ペーストＰ−３は、半田比率が高く、やや高粘度で、半田溶融時の樹脂の拡がりもかなり小さい。半田ペーストが広がらないので、半田とバンプの側面の全部は覆わない。

＜ 半田ペーストＰ−４ ＞
半田ペーストＰ−４は、無機系のチクソ剤使用で、半田溶融時の樹脂の拡がりも小さい。半田ペーストが広がらないので、半田とバンプの側面の全部は覆わない。

＜ 半田ペーストＰ−５ ＞
半田ペーストＰ−５は、高融点エポキシの併用と、チクソ剤増量により、高チクソ性・高粘度で、半田溶融時の樹脂の拡がりも小さい。半田ペーストが広がらないので、半田とバンプの側面の全部は覆わない。

＜ 半田ペーストＰ−６ ＞
半田ペーストＰ−６は、高融点エポキシの併用により、高粘度で、半田溶融時の樹脂の拡がりも比較的小さい。半田ペーストが広がらないので、半田とバンプの側面の全部は覆わない。

＜ 熱硬化性樹脂 ＞
熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を用いた。低粘度エポキシとして、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名「８０６」、三菱化学社製）、また高融点エポキシとして、高分子量ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名「４００４Ｐ」、軟化点８５℃、エポキシ当量９０７，三菱化学社製）と、ビフェニル型エポキシ樹脂（商品名「ＹＸ４０００」、融点１０５℃、エポキシ当量１８６、三菱化学社製）用いた。

＜ 硬化剤 ＞
硬化剤にはイミダゾール系硬化剤（商品名「キュアゾール２Ｐ４ＭＺ」、四国化成製）、活性剤にはグルタル酸（和光純薬工業社製）を用いた。

＜ チクソ性付与剤 ＞
有機系チクソ性付与剤には、ヒマシ油系チクソ性付与剤（商品名「THIXCINR」、エレメンティス・ジャパン製）を用いた。無機系チクソ性付与剤には、疎水化フュームドシリカ（商品名「ＲＹ２００」、日本アエロジル社製）を用いた。

＜ 半田成分 ＞
半田ペーストＰ−１〜Ｐ−６の半田成分には、Ｓｎ−５８Ｂｉ半田（１５−２５μｍ径、三井金属社製）を共通して使用した。

＜ 半田ペーストＰ−１からＰ−６の評価方法 ＞
東京計器製Ｅ型粘度計を使用して各ペーストの粘度とチクソ指数を測定した。測定条件は通りである。

粘 度 回転数：５ｒｐｍ，測定開始後 １分後の粘度値
チクソ指数 ０．５ｒｐｍ２分後の粘度値 ／５ｒｐｍ１分後の粘度値
（ 樹脂拡がり量 ）
厚さ２．５ｍｍ，直径６ｍｍの穴の開いたメタルマスクを用いて、銅板５０×５０×０．５ｍｍに樹脂入り低融点の半田ペーストを塗布し、１６０℃ホットプレートで加熱溶融させた後、半田周囲に広がり出たエポキシ樹脂の拡がり幅を計測した。

（ 実施例１〜７と比較例１の実装工程 ）
バンプ４を有した半導体素子１を、回路基板８の一次実装面１０１で半田ペーストＰ−１〜Ｐ−７のうちの選択したものを塗布した電極７ａへマウントする。そして加熱炉１６で溶融し接続される。その後、回路基板８を反転する。

次に、回路基板８の二次実装面１０２で半田ペーストＰ−１またはＰ−５の何れかの選択したものを塗布した電極７ｂに、バンプ１２を有した半導体素子９をマウントする。その後、再度、加熱炉１６で溶融し接続されて、両面実装が完成する。

バンプ１２（ＳｎＡｇＣｕボール）の融点は２１９℃であり、半田ペースト（Ｓｎ５８Ｂｉ半田ペースト）の融点は１３８℃である。Ｓｎ５８Ｂｉ半田ペーストのリフロー加熱温度（リフロー最高到達温度）は、Ｓｎ５８Ｂｉ半田の融点以上で、かつ、半田バンプの融点未満の温度であることが必要条件で、実施例１〜７および比較例１に共通して、１５５℃まで加熱を行い実装した。

半導体素子の接続工程では、Ｓｎ−５８Ｂｉ低融点の半田と熱硬化性樹脂が混ざった組成の低融点の半田ペーストを回路基板８に塗布し、リフロー加熱してＳｎ−５８Ｂｉ半田を溶融させる。

半田ペーストＰ−２中の半田成分が溶融されることで、溶融した半田が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のバンプ４および電極３の表面と濡れ合う状態（金属拡散状態）となる。この金属拡散状態の形成より、半田ペーストにおいて、半田成分が凝集状態を作り、熱硬化性樹脂は押し出されることで、２つの成分が分離する。分離した熱硬化性樹脂は、半田材料の周囲に配置され、その後、熱硬化性樹脂が熱硬化して補強樹脂６になるとともに、溶融した半田成分が固化して半田５となって、バンプ４と電極３とを電気的に接続する。また、補強樹脂６は、半田５とバンプ４との接合部分、および半田５を覆って補強する。

（実施例１）
表２に示すように、一次実装面１０１には半田ペーストＰ−２を用い、二次実装面１０２には半田ペーストＰ―１を用いて、図３のように両面実装を行い、評価素子を作成した。

二次実装面１０２の半田ペーストＰ―１は、標準タイプの樹脂入り半田ペーストで、低粘度、低チクソ性がある。結果、半田溶融時の樹脂の広がりも大きい。このため、二次実装面１０２では、補強樹脂１４は、半田１３とバンプ１２との接合部分、および半田１３の全周囲を覆い、回路基板８から半導体素子９の基板１０にまで補強樹脂１４が届いた構造をとる。

一次実装面１０１での半田ペーストＰ−２は、高融点エポキシ（ＹＸ４０００）の併用により、やや高チクソ性で、半田溶融時の樹脂の拡がりも比較的小さくなる。そのため、補強樹脂６が半田５とバンプ４との接合部分、および半田５を覆っても、その流動性が抑制されているために、回路基板８から半導体素子１の基板２にまでは届かず、一部の半田５が露出部Ｏａでほぼ均等に露出した構造になる。

実施例１では、一次実装側は、補強樹脂６が半田５の全周囲を覆う構造を取らないために、溶融した半田５は、樹脂が覆っていない部分の露出部Ｏａに膨張し広がるため、内圧アップが起こらず、その後、冷却時には元の位置に戻るため、フラッシュ不良は発生しない。

また、一次実装面１０１でのバンプ４の頂点は、回路基板８まで届いていない接合のためギャップ幅Ｃは大きい、そのため一次二次の各ギャップ間を足した合計の総ギャップは、２６０μｍとやや大きくなっている。

また、一次，二次実装が完了した両面実装パッケージの耐落下信頼性は、９０回となっている。
なお、表２の実装構造体の評価は、以下のように行った。

（ フラッシュ発生有無 ）
実装構造体を作成し、Ｘ線照射装置によって、半田５，１３の部分からの半田の飛び出しを目視観察し、有無を判定した。

（ 耐落下性 ）
一次実装面１０１が下にくる向きにして３０ｃｍの高さから落下させ、半導体素子１に作成されているデイジーチェーン回路の抵抗値が２０％以上に上昇したら不良と判断し、不良発生までの回数を計測し、５０回以上を耐落下性が合格とした。

（ 総ギャップ幅 ）
一次実装面１０１の半導体素子１の基板２と回路基板８とのギャップ幅Ｃと、二次実装面１０２の半導体素子９の基板１０と回路基板８とのギャップ幅Ｄの合計を示している。２００μｍ以下を◎、２００〜３００μｍを○、３００μｍ以上を×とした。

（ 総合判定 ）
構造、及び信頼性評価にて、一つでも×があるものを総合判定×とし、△が１つでもあるものは○、○×が無いものを◎とした。

この実装構造体の評価方法は、以下に説明する実施例２〜実施例７，比較例１においても同じである。
（実施例２）
表２に示すように、二次実装面１０２には、半田ペーストＰ−１を用い、一次実装面１０１に、半田ペーストＰ−３を用いて、図３の構造になるように両面実装を行い、評価素子を作成した。

半田ペーストＰ−３は、半田比率が９０ｗｔ％と高く、高粘度のため、半田溶融時の樹脂の拡がりもかなり小さい。なお、粘度調整のために、溶剤（トルエン：イソプロピルアルコール＝１：１）を半田ペーストＰ−３の全量に対して、１０ｗｔ％添加している。

その結果、一次実装面１０１の補強樹脂６が、バンプ４との接合部分および半田５の全周囲を覆った構造を取らないため、二次実装の加熱でも、内圧アップが起こらず、半田フラッシュ不良が発生しない。

また、一次実装面１０１の半導体素子１のバンプ４の頂点は、実施例１と同様の構造のため、ギャップは大きい、そのため一次二次の各ギャップ間を足した合計の総ギャップは、２５０μｍとやや大きくなっている。

また、一次，二次実装が完了した両面実装パッケージの耐落下信頼性は、７４回となっている。これは、一次実装に使った半田ペーストＰ―３は、半田比率が９０ｗｔ％と高いため、樹脂分が１０ｗｔ％と少なくなり、樹脂の補強効果が小さくなったためと考えられる。

（実施例３）
実施例１，２と同様に、一次実装面１０１には半田ペーストＰ−４を用いて、図４の構造になるように両面実装を行い、評価素子を作成した。半田ペーストＰ−４は、無機系のチクソ性付与剤（疎水化フュームドシリカ）を使用しており、半田溶融時の樹脂の拡がりも小さい。特に、無機系のチクソ剤は、半田溶融温度でも溶解しないため、確実にエポキシ樹脂の流動性を抑制することができる。その結果、一次実装面１０１は、露出部Ｏａを設けたため、二次実装時の加熱でも、内圧アップが起こらず、半田フラッシュ不良が発生しない。

また、一次実装面１０１の半導体素子１のバンプ４の頂点は、回路基板８まで届いている、そのため一次二次の各ギャップ間を足した合計の総ギャップは、２３０μｍとやや小さくなっている。

また、一次，二次実装が完了した両面実装パッケージの耐落下信頼性は、１１２回と高い結果になった。これは、高強度のバンプ４の頂点は、回路基板８まで届いていることより、構造的に強固になったためと推測される。

（実施例４）
一次実装面１０１，二次実装面１０２の半田ペーストに半田ペーストＰ−５を用いて、図７の構造になるように両面実装を行い、評価素子を作成した。半田ペーストＰ−５は、高融点エポキシ（４００４Ｐ）の併用と、有機系チクソ性付与剤の増量により、高チクソ性・高粘度で、半田溶融時の樹脂の拡がりも小さい。そのため補強樹脂６，１４に露出部Ｏａ，Ｏｂを設けたため、他の実施例と同様に、二次実装の加熱でも、内圧アップが起こらず、半田フラッシュ不良が発生しない。

また、両面とも半導体素子１，９のバンプ４，１２の頂点は、回路基板８まで届いている、そのため一次実装面１０１と二次実装面１０２の各ギャップ間を足した合計の総ギャップは、２００μｍと小さくなっている。

また、一次、二次実装が完了した両面実装パッケージの耐落下信頼性は、７１回になった。これは、高強度のバンプ４，１２の頂点が回路基板８まで届いていることより、構造的に強固になっているが、補強樹脂１４が二次実装面１０２の半田の全周囲を覆う構造がないため、やや弱くなったものと推察される。

（実施例５）
実施例１〜３と同様に、二次実装面１０２には半田ペーストＰ−１を用い、一次実装面１０１には、半田ペーストＰ−６を用いて、図３の構造になるように両面実装を行い、評価素子を作成した。なお、半田ペーストＰ−６は、高融点エポキシ（ＹＸ４０００，４００４Ｐ）の併用により、高粘度で、半田溶融時の樹脂の拡がりも比較的小さい。

高融点エポキシの併用で、半田溶融温度での樹脂粘度も高くなり、エポキシ樹脂の流動性を抑制することができる。他の実施例と同様に、一次実装面１０１に露出部Ｏａを設けたため、二次実装時の加熱でも、内圧アップが起こらず、半田フラッシュ不良が発生しない。

また、一次実装面１０１の半導体素子１のバンプ４の頂点は、回路基板８まで届いていない接合のためギャップ幅Ｃは大きい、そのため一次二次の各ギャップ間を足した合計の総ギャップは、２６０μｍとやや大きくなっている。

また、一次，二次実装が完了した両面実装パッケージの耐落下信頼性は、９８回となっている。実施例１と比べて、エポキシ樹脂に高融点のものを併用したため、樹脂強度が上がって、耐落下信頼性が若干上がったものと推察される。

（実施例６）
一次，二次実装ともに、半田ペーストＰ−１を用い、図５の構造になるように両面実装を行い、評価素子を作成した。一次実装に通常の球状のバンプ４１を用いているため、エポキシ樹脂の補強部は小さくなる。そのため、二次実装時の半田フラッシュ不良は起こらないが、一次、二次の各ギャップ間を足した合計の総ギャップは、３６０μｍと非常に大きくなり、薄型実装の流れには逆らう結果となる。また、耐落下信頼性は、１０１回となっている。

（実施例７）
一次、二次実装ともに、半田ペーストＰ−１を用い、図６の構造になるように両面実装を行い、評価素子を作成した。一次実装面１０１における接続箇所１個所当たりの半田ペーストＰ−１の分量が、二次実装面１０２におけるそれよりも少ないため、一次実装面１０１に半田ペーストを塗布するときに使用する印刷マスクの厚みが、二次実装面１０２に半田ペーストを塗布するときに使用する印刷マスクの厚みよりも薄く、印刷マスクの開口径も小さい。

一次実装面１０１に用いた半田ペーストＰ−１の量が少ないため、バンプ４の全周囲を覆うことはなく、Ｓｎ−Ｂｉ半田が飛び出す半田フラッシュ不良は発生しないが、半田５が少なく、また補強樹脂６も少ないため、接続強度が小さくなっていると推察され、落下信頼性は、２５回と非常に低い値となっている。ただし、一次二次の各ギャップ間を足した合計の総ギャップは、２４０μｍとやや小さくなっている。

（比較例１）
表２に示すように、一次，二次実装ともに、半田ペーストＰ−１を用い、図２の構造になるように両面実装を行い、評価素子を作成した。

一次，二次実装面ともに、エポキシ樹脂の補強樹脂６，１４が半田５，１３の全周囲を覆っているため、先述の通り再溶融したＳｎ−Ｂｉ系半田が飛び出す半田フラッシュ不良が発生する。

また、一次二次の各ギャップ間を足した合計の総ギャップは、２６０μｍと実施例１と同等。また、一次，二次実装が完了した両面実装パッケージの耐落下信頼性は、両面で補強樹脂６，１４が全周囲を覆っているため、１２０回と高い値となっている。

＜ 実施例１〜７と比較例１の比較 ＞
一次実装面１０１では、実施例１から実施例６に用いる半田ペーストＰ−２〜Ｐ−６は、この低融点の半田溶融時の補強樹脂の流動を抑えられるように樹脂設計されている。そのために、低融点の半田が溶融し、補強樹脂が低融点の半田と、バンプの接合部分および半田を覆って補強する構造を取っても、流動性が抑制されているために、半導体素子に設けられた電極までは届かない構造をとる。つまり、補強樹脂の補強高さＡは、半導体素子１の基板２と回路基板８とのギャップ幅Ｃを比べると、Ａ ＜Ｃ となる。

逆に、二次実装面１０２では、半田ペーストＰ−１は、この低融点の半田溶融時の補強樹脂の流動は、よく流れる樹脂設計となっているため、半田５と、バンプ４との接合部分および半田５の全周囲を覆って補強する構造となり、半導体素子９に設けられた基板１０にまで届く構造をとる。つまり、二次実装面１０２の補強樹脂１４の高さＢは、半導体素子９の基板１０と回路基板８の二次実装面１０２とのギャップ幅Ｄの関係が、Ｂ ≦Ｄ となる。

実施例１〜７と比較例１とを比較する。
実施例１〜７では、回路基板８の両面に半導体素子１，９をバンプ４，１４と半田５，１３で電気的に接続し、さらに、半田周囲を補強樹脂６，１４で覆った実装構造体において、一次実装面１０１の補強樹脂６が半田５の全面を覆っておらず、露出部Ｏａによって半田５の一部の全周をほぼ均等に露出しているので、二次実装時の一次実装面１０１の側での半田フラッシュの発生を防止できる。しかも、薄型実装と優れた耐落下性を有する実装構造体を作成することができる。

実施例１の図３ではバンプ４が半田５で完全に覆われている。一方、実施例７の図６ではバンプ５１は、半田５で一部のみ覆われている。この差異より、実施例７は実施例１より耐落下性が悪い。結果、バンプ４は半田５で完全に覆われていることが好ましい。

＜ 樹脂高さＡ ＞
表２より、樹脂高さＡは、ギャップ幅Ｃに対して、２５％〜５０％が良いことがわかる。１００％となると、半田５が閉じ込められ良くない。２５％以下となると、樹脂による補強がされない。

＜ 樹脂の幅 ＞
半田ペーストＰのうちで樹脂の濃度が低いのは、半田ペーストＰ−３，Ｐ−５である。これらを使用した例は、実施例２，４である。他の実施例よりも耐落下性が悪い。表１より、少なくとも半田に対する樹脂の割合は８重量％以上あればよい。

なお、電極１１，７ａ，７ｂのバンプの大きさは５０〜１００μｍであり、上記数値に影響はない。
なお、実施の形態は組み合わせることができる。

また、実装部品としての半導体素子１，９は、ＢＧＡ型半導体から形成されたＢＧＡ半導体素子である場合を代表して、一例として説明したが、これに限定されない。半導体素子だけでなく、パッケージでない半導体素子、他の電子部品の実装へも応用できる。両面で１つずつの半導体素子の実施だけでなく、両面に複数個の半導体素子を実装した実装構造体にも応用できる。半田バンプを有する半導体や電子部品であれば良い。被実装部品の例として回路基板８を例に挙げたが、内部に半導体や回路部品を内蔵した多層配線基板や半導体集積回路などを被実装部品として構成することもできる。

本発明の実装構造体は、電気／電子回路形成技術の分野において、広範な用途に使用できる。例えば、ＣＣＤ素子、フォログラム素子、チップ部品等の電子部品の接続用およびそれらを被実装部品に接合する用途に用いることができ、これらの素子、部品、または基板を内蔵する製品、例えば、モバイル機器、携帯電話機、ポータブルＡＶ機器、デジタルカメラ等に使用することができる。

１ 半導体素子（第１実装部品）
２ 半導体素子１の基板
３ 半導体素子１の電極
４ バンプ
５ 半田
６ 補強樹脂
７ａ，７ｂ 電極
８ 回路基板（被実装部品）
９ 半導体素子（第２実装部品）
１０ 半導体素子９の基板
１１ 半導体素子２の電極
１２ バンプ
１３ 半田
１４ 補強樹脂
１０１ 回路基板８の一次実装面
１０２ 回路基板８の二次実装面
Ａ 補強樹脂６の高さ
Ｂ 補強樹脂１４の高さ
Ｃ 回路基板８と基板２のギャップ幅
Ｄ 回路基板８と基板１０のギャップ幅
Ｅ バンプ４，４１の高さ
Ｆ バンプ１２の高さ
Ｇ 半田５の広がり幅
Ｏａ，Ｏｂ 露出部

Claims (7)

1. 第１バンプを有する第１実装部品と、
   第２バンプを有する第２実装部品と、
   一次実装面と二次実装面を有する被実装部品と、
   前記一次実装面の電極と前記第１バンプとを接続する第１半田と、
   前記二次実装面の電極と前記第２バンプとを接続する第２半田と、
   前記第１半田の一部を覆い、前記第１バンプに接触しない補強樹脂と、を含む実装構造体。
2. 第１バンプを有する第１実装部品と、
   第２バンプを有する第２実装部品と、
   前記第１実装部品が一次実装面に実装され、前記第２実装部品が二次実装面に実装された被実装部品と、
   前記被実装部品の一次実装面の電極と前記第１バンプの間に位置する第１半田と、
   前記被実装部品の電極と前記第２バンプ間に位置する前記第２半田と、
   前記第２バンプと第２半田の側面の全部を覆う第２補強樹脂と、
   前記被実装部品の一次実装面に基端が接続され、先端が前記第１バンプに接触しない第１補強樹脂と、を含み、
   前記第１半田の一部が、前記第１補強樹脂の先端と前記第１実装部品の基板との間に形成された露出部で露出している、
   実装構造体。
3. 前記第１バンプが前記被実装部品の電極に前記第１半田を介して接合され、
   前記第２バンプが前記被実装部品の電極に前記第２半田を介して接合され、
   前記第１バンプと前記第２バンプ頂点が、前記被実装部品の一次実装面の電極、前記被実装部品の二次実装面の電極に当接していない、
   請求項２記載の実装構造体。
4. 前記第１バンプの頂点が前記被実装部品の電極に当接して、前記第１バンプと前記電極とが前記第１半田を介して接合されている、
   請求項２記載の実装構造体。
5. 第１バンプを有する第１実装部品と、
   第２バンプを有する第２実装部品と、
   前記第１実装部品が一次実装面に実装され、前記第２実装部品が二次実装面に実装された被実装部品と、
   前記被実装部品の一次実装面の電極と前記第１バンプの間に位置する第１半田と、
   前記被実装部品の電極と前記第２バンプ間に位置する前記第２半田と、
   前記被実装部品の二次実装面に基端が接続され、先端が前記第２バンプに接触しない第２補強樹脂を設け、
   前記被実装部品の一次実装面に基端が接続され、先端が前記第１バンプに接触しない第１補強樹脂と、を含み、
   前記第１半田の一部が、前記第１補強樹脂の先端と前記第１実装部品の基板との間に形成された露出部で露出し、
   前記第２半田の一部が、前記第２補強樹脂の先端と前記第２実装部品の基板との間に形成された露出部で露出している、
   実装構造体。
6. 第１実装部品に設けられた第１バンプを、被実装部品の一次実装面の電極に、第１半田ペーストを一次リフローして第１半田で接続する第１接続工程と、
   第２実装部品に設けられた第２バンプを、前記被実装部品の二次実装面の電極に、第２半田ペーストを二次リフローして第２半田で接続する第２接続工程と、を含み、
   前記第１接続工程では、前記リフローにより、半田成分と熱硬化性樹脂成分を含む前記第１半田ペーストは、前記第１半田と前記熱硬化性樹脂成分とに分離し、前記熱硬化性樹脂成分の基端が前記被実装部品に接触し、前記熱硬化性樹脂成分が前記第１半田の一部を覆い、前記熱硬化性樹脂成分の先端が前記第１バンプに接触しない、
   実装構造体の製造方法。
7. 前記第２接続工程では、前記二次リフローにより再溶融した前記第１半田が、前記熱硬化性樹脂成分の先端と前記第１バンプの間に形成された露出部から外側に拡がり、その後の冷却によって前記第１半田が前記二次リフローの直前の位置に戻る、
   請求項６記載の実装構造体の製造方法。