JP2017026973A - 表示パネル、表示装置、及び、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示素子の発光量を表示素子毎に検知することができる表示パネル、係る表示パネルを用いて表示素子の発光特性のばらつきを補正することができる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、発光部と発光部を駆動する駆動回路とを備えた表示素子が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示パネル、及び、映像信号の階調値を補正することによって、表示パネルが画像を表示する際の表示素子の輝度を補正する輝度補正部を備えており、表示パネルの隣接する発光部の間には、発光部の迷光を表示パネルに設けられた光センサに導光するための隔壁が設けられており、輝度補正部は、補正前の映像信号の階調値と光センサの検出結果とに基づいて、各表示素子に対応する映像信号の階調値を補正する。【選択図】 図３

Description

本開示は、表示パネル、表示装置、及び、電子機器に関する。

近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンスを用いた表示パネルを用いた表示装置が注目されている。有機エレクトロルミネッセンスを用いた表示装置は、自発光型であり、消費電力が低いという特性を有しており、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられており、実用化に向けての開発、商品化が鋭意進められている。以下、有機エレクトロルミネッセンスを用いた表示装置を、単に、「表示装置」と略称する場合がある。

アクティブマトリクス方式の表示パネルは、発光部および発光部を駆動する駆動回路を備えた表示素子を、複数、有する。例えば、図１に示す例において、表示素子３は、発光部ＥＬＰ、及び、３つのトランジスタと２つの容量部から構成された駆動回路を備えており、例えば、特開２００８−２８７１４１に開示された駆動回路と同様の構成である。駆動回路は、書込みトランジスタＴＲ_W、駆動トランジスタＴＲ_D、及び、発光制御トランジスタＴＲ_EL、保持容量Ｃ₁、及び、補助容量Ｃ₂から構成されている。尚、発光部ＥＬＰの容量を符号Ｃ_ELで表した。

特開２００８−２８７１４１

表示装置の画素を構成する表示素子の発光特性は、発光部の特性のばらつき、発光部に接続される配線の抵抗のばらつき、駆動回路を構成するトランジスタの特性のばらつきなどといった多くの要因によって、表示素子毎にばらつく。これらの特性のばらつきによって、表示画面において輝度ムラが生ずる。トランジスタの特性ばらつきを補償する駆動方法なども提案されているが、特定の要素のばらつきの補償に留まるので、輝度ムラの改善効果は必ずしも充分とはいえない。輝度ムラを解消するには、表示素子毎に発光状態を検知して補正するといったことが必要となる。

従って、本開示の目的は、表示素子の発光量を表示素子毎に検知することができる表示パネル、係る表示パネルを用いて表示素子の発光特性のばらつきを補正することができる表示装置、及び、係る表示装置を備えた電子機器を提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る表示パネルは、
発光部と発光部を駆動する駆動回路とを備えた表示素子が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示パネルであって、
隣接する発光部の間には、発光部の迷光を表示パネルに設けられた光センサに導光するための隔壁が設けられている、
表示パネルである。

上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る表示装置は、
発光部と発光部を駆動する駆動回路とを備えた表示素子が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示パネル、及び、
映像信号の階調値を補正することによって、表示パネルが画像を表示する際の表示素子の輝度を補正する輝度補正部、
を備えており、
表示パネルの隣接する発光部の間には、発光部の迷光を表示パネルに設けられた光センサに導光するための隔壁が設けられており、
輝度補正部は、補正前の映像信号の階調値と光センサの検出結果とに基づいて、各表示素子に対応する映像信号の階調値を補正する、
表示装置である。

上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る表示装置は、
表示装置を備えた電子機器であって、
表示装置は、
発光部と発光部を駆動する駆動回路とを備えた表示素子が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示パネル、及び、
映像信号の階調値を補正することによって、表示パネルが画像を表示する際の表示素子の輝度を補正する輝度補正部、
を備えており、
表示パネルの隣接する発光部の間には、発光部の迷光を表示パネルに設けられた光センサに導光するための隔壁が設けられており、
輝度補正部は、補正前の映像信号の階調値と光センサの検出結果とに基づいて、各表示素子に対応する映像信号の階調値を補正する、
電子機器である。

本開示の第１の態様に係る表示パネルによれば、発光部の迷光を用いて表示素子の発光量を表示素子毎に検知することができる。本開示の第１の態様に係る表示パネルあるいは電子機器によれば、検知した結果に基づいて映像信号の階調値を補正することができるので、輝度ムラを補正することができる。また、本開示に記載された効果は例示であって限定されるものではなく、また、付加的な効果があってもよい。

図１は、第１の実施形態に係る表示装置の概念図である。 図２は、図１に示す輝度補正部を説明するためのブロック図である。 図３は、第１の実施形態の表示パネルの模式的な一部断面図である。 図４Ａ及び図４Ｂは、隔壁の形成方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、図４Ａに引き続き、隔壁の形成方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図６は、発光部の迷光と隔壁の中層部との関係を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。 図７は、図６に引き続き、発光部の迷光と隔壁の中層部との関係を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。 図８は、第２の実施形態の隔壁を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。 図９は、第３の実施形態の隔壁を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。 図１０Ａないし図１０Ｃは、第３の実施形態の隔壁の形成方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１１は、第３の実施形態の変形例における隔壁を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。 図１２は、第３の実施形態の変形例における隔壁を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。 図１３は、第３の実施形態の変形例における隔壁を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。 図１４は、第４の実施形態の隔壁を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。 図１５は、第５の実施形態の隔壁を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。 図１６は、第６の実施形態の隔壁を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。 図１７は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１７Ａにその正面図を示し、図１７Ｂにその背面図を示す。 図１８は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。 図１９は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。

以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示に係る表示パネル、表示装置、及び、電子機器、全般に関する説明
２．第１の実施形態
３．第２の実施形態
４．第３の実施形態とその変形例
５．第４の実施形態
６．第５の実施形態
７．第６の実施形態
８．電子機器の説明、その他

［本開示に係る本開示に係る表示パネル、表示装置、及び、電子機器、全般に関する説明］
本開示の第１の態様に係る表示パネル、本開示の第１の態様に係る表示装置に用いられる表示パネル、及び、本開示の第１の態様に係る電子機器に用いられる表示パネル（以下、単に、これらを「本開示の表示パネル」と呼ぶ場合がある。）において、隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、表示面側に向かうほど幅が狭まるテーパー形状、若しくは、表示面側に向かうほど幅が広がるテーパー形状である構成とすることができる。この場合において、隔壁は、２層以上の積層体で構成されている構成とすることができる。

上記の好ましい構成の本開示の表示パネルにおいて、隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、隔壁を構成する積層体は、表示面側から、上層部を構成する材料層、中層部を構成する材料層、及び、下層部を構成する材料層が積層された構成である態様とすることができる。

この場合において、上層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成り、下層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る構成とすることができる。更には、中層部を構成する材料層は、下層部を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成る構成とすることができる。

あるいは又、この場合において、上層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成り、下層部を構成する材料層は、上層部を構成する材料と同じ材料から成り、中層部を構成する材料層は、上層部および下層部を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成る構成とすることができる。

あるいは又、この場合において、上層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成り、下層部を構成する材料層は、上層部を構成する材料と同じ材料から成り、中層部を構成する材料層は、上層部および下層部を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成る構成とすることができる。

上述した各種の好ましい構成の本開示の表示パネルにあっては、隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの下層部と中層部の界面の断面形状は少なくとも１つの屈曲部を有する構成とすることができる。

あるいは又、本開示の表示パネルにあっては、隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、隔壁を構成する積層体は、表示面側から、上層部を構成する材料層、及び、下層部を構成する材料層が積層された構成であり、下層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成り、上層部を構成する材料層は、下層部を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る構成とすることができる。

あるいは又、本開示の表示パネルにあっては、隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、表示面側に向かうほど幅が広がるテーパー形状であり、隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、隔壁は単一の材料層から構成されており、隔壁を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る構成とすることができる。

上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示パネルにおいて、表示素子は半導体基板上に形成されており、光センサは、表示素子のそれぞれに対応して半導体基板に形成されている構成とすることができる。

また、上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示パネルにおいて、隔壁と光センサとは、表示素子の迷光が表示素子と対応する光センサに導光されると共に、光センサに対応しない表示素子の迷光が光センサに導光されないように配置されている構成とすることができる。

隔壁は、公知の無機材料や有機材料から適宜選択した材料を用いて形成することができ、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法に例示される物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）などの周知の成膜方法と、エッチング法やリフトオフ法などの周知のパターニング法との組み合わせによって形成することができる。成膜精度や屈折率の制御といった観点からは、シリコン酸化物や金属酸化物といった無機材料を用いることが好ましい。

光センサとして、フォトダイオードやフォトトランジスタといった周知のセンサを用いることができる。尚、表示パネルとは別部材の光センサが配置されているといった構成とすることもできるが、製造の観点からは、表示素子を構成する半導体素子（例えば、発光部を駆動する駆動回路を構成するトランジスタ）と同種類の半導体素子を用いて、光センサと表示パネルとが一体とされている構成とすることが好ましい。

表示装置を構成する補正輝度部は、演算回路や記憶装置（メモリ）等から構成することができ、周知の回路素子等を用いて構成することができる。尚、図１に示す電源部、走査部、データドライバ、発光制御部についても、周知の回路素子を用いて構成することができる。

上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示パネルは、所謂モノクロ表示の構成であってもよいし、カラー表示の構成であってもよい。

カラー表示の構成とする場合には、１つの画素は複数の副画素から成る構成、具体的には、１つの画素は、赤色発光副画素、緑色発光副画素、及び、青色発光副画素の３つの副画素から成る構成とすることができる。更には、これらの３種の副画素に更に１種類あるいは複数種類の副画素を加えた１組（例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた１組）から構成することもできる。

表示装置の画素（ピクセル）の値として、ＶＧＡ（６４０，４８０）、Ｓ−ＶＧＡ（８００，６００）、ＸＧＡ（１０２４，７６８）、ＡＰＲＣ（１１５２，９００）、Ｓ−ＸＧＡ（１２８０，１０２４）、Ｕ−ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ−ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ−ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（１９２０，１０３５）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。

本発明の表示装置にあっては、表示素子を構成する発光部として、有機エレクトロルミネッセンス発光部、ＬＥＤ発光部、半導体レーザ発光部等を挙げることができる。これらの発光部は、周知の材料や方法を用いて構成することができる。平面型の表示装置を構成する観点からは、中でも、発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る構成が好ましい。発光部は、いわゆる上面発光型であることが好ましい。有機エレクトロルミネッセンスを用いた発光部は、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極等から構成することができる。

表示パネルを構成する表示素子は、或る平面内に形成され（例えば、基板上に形成され）ており、発光部は、例えば、層間絶縁層を介して、発光部を駆動する駆動回路の上方に形成されている。

発光部を駆動する駆動回路を構成するトランジスタの構成は、特に限定するものではない。ｐチャネル型の電界効果トランジスタであってもよいし、ｎチャネル型の電界効果トランジスタであってもよい。

基板の構成材料として、ガラス材料、プラスチック材料、あるいは、半導体材料を例示することができる。例えば、駆動回路を薄膜トランジスタなどによって構成するといった場合は、ガラス材料やプラスチック材料から成る基板を用いてその上に半導体薄膜を形成し駆動回路を形成することができる。一方、駆動回路を半導体基板に形成されたトランジスタによって構成するといった場合、例えばシリコンから成る半導体基板にウェル領域を設け、ウェル内にトランジスタを形成するといった構成とすればよい。尚、表示素子や表示パネルにおける各種の配線は、周知の構成や構造とすることができる。

本明細書における各種の式に示す条件は、式が数学的に厳密に成立する場合の他、式が実質的に成立する場合にも満たされる。式の成立に関し、表示素子や表示装パネル等の設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。また、以下の説明で用いる図は模式的なものである。例えば、後述する図３は表示パネルの断面構造を示すが、幅、高さ、厚さなどの割合を示すものではない。

［第１の実施形態］
第１の実施形態は、本開示の第１の態様に係る、表示パネル、表示装置、及び、電子機器に関する。

図１は、第１の実施形態に係る表示装置の概念図である。表示装置１は、発光部と発光部を駆動する駆動回路とを含む表示素子３が、行方向（図１においてＸ方向）に延びる走査線ＳＣＬと列方向（図１においてＹ方向）に延びるデータ線ＤＴＬとに接続された状態で２次元マトリクス状に配列して形成されている表示パネル２、及び、映像信号の階調値を補正することによって、表示パネルが画像を表示する際の表示素子の輝度を補正する輝度補正部１１０と、データ線ＤＴＬに電圧を印加するデータドライバ１０２を備えている。

表示パネル２には、各表示素子３に対応して、光センサ４が設けられている。後で図３を参照して詳しく説明するが、隣接する発光部の間には、発光部の迷光を表示パネル３に設けられた光センサ４に導光するための隔壁６０が設けられている。

走査線ＳＣＬには、走査部１０１から走査信号が供給される。尚、図示の都合上、図１においては、１つの表示素子３、より具体的には、後述する第（ｑ，ｐ）番目の表示素子３についての結線関係を示した。

表示パネル２は、更に、行方向に並ぶ表示素子３に接続される発光制御線ＣＬ１及び給電線ＰＳ１と、全ての表示素子３に共通に接続される共通給電線ＰＳ２を備えている。発光制御線ＣＬ１には、発光制御部１０３から制御信号が供給される。給電線ＰＳ１には、電源部１００から所定の駆動電圧が供給される。共通給電線ＰＳ２には、共通の電圧（例えば接地電位）が供給される。

図１では図示されていないが、表示パネル２が画像を表示する領域（表示領域）は、行方向にＱ個、列方向にＰ個、合計Ｑ×Ｐ個の、２次元マトリクス状に配列された表示素子３から構成されている。表示領域における表示素子３の行数はＰであり、各行を構成する表示素子３の数はＱである。

また、走査線ＳＣＬ、給電線ＰＳ１、及び、発光制御線ＣＬ１の本数はそれぞれＰ本である。第ｐ行目（但し、ｐ＝１，２・・・，Ｐ）の表示素子３は、第ｐ番目の走査線ＳＣＬ_p、第ｐ番目の給電線ＰＳ１_p、第ｐ番目の発光制御線ＣＬ１_pに接続されており、１つの表示素子行を構成する。尚、図１では、走査線ＳＣＬ_p、給電線ＰＳ１_p、及び、発光制御線ＣＬ１_pのみが示されている。

また、データ線ＤＴＬの本数はＱ本である。第ｑ列目（但し、ｑ＝１，２・・・，Ｑ）の表示素子３は、第ｑ番目のデータ線ＤＴＬ_qに接続されている。尚、図１では、データ線ＤＴＬ_qのみが示されている。

表示装置１は、例えばモノクロ表示の表示装置であり、１つの表示素子３が１つの画素を構成する。走査部１０１からの走査信号によって、表示装置１は行単位で線順次走査される。第ｐ行、第ｑ列目に位置する表示素子３を、以下、第（ｑ，ｐ）番目の表示素子３あるいは第（ｑ，ｐ）番目の画素と呼ぶ。

表示装置１にあっては、第ｐ行目に配列されたＱ個の画素のそれぞれを構成する表示素子３が同時に駆動される。換言すれば、行方向に沿って配されたＱ個の表示素子３にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。表示装置１の表示フレームレートをＦＲ（回／秒）と表せば、表示装置１を行単位で線順次走査するときの１行当たりの走査期間（いわゆる水平走査期間）は、（１／ＦＲ）×（１／Ｐ）秒未満である。

表示装置１の輝度補正部１１０には、例えば図示せぬ装置から、表示すべき画像に応じた階調を表す映像信号Ｄ_Sigが入力される。映像信号Ｄ_Sigは輝度補正部１１での補正を受ける前の信号であるため、以下の説明においてＤ_Sigを「補正前の映像信号」と呼ぶ場合がある。入力される映像信号Ｄ_Sigのうち、第（ｑ，ｐ）番目の表示素子３に対応する映像信号をＤ_Sig(q,p)と表す場合がある。

説明の都合上、映像信号Ｄ_Sig(q,p)の階調ビット数は１１ビットであるとし、後述する補正係数［ｋ_(q,p)］の最大値は「２」であるとする。後述するように、補正後の映像信号はｋ_(q,p)・Ｄ_Sig(q,p)と表されるので、補正後の映像信号の階調値は最大で１２ビットとなり、０ないし４０９５のいずれかの値となる。ここでは、階調値が大きいほど表示すべき画像の輝度が高いものとする。尚、上述の階調ビット数は例示に過ぎない。８ビット、１６ビットおよび２４ビットなどといった階調ビット数とした構成であってもよい。

表示素子３は、発光部ＥＬＰとこれを駆動する駆動回路とから成る。発光部ＥＬＰは有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る。駆動回路は、書込みトランジスタＴＲ_W、駆動トランジスタＴＲ_D、及び、発光制御トランジスタＴＲ_EL、並びに、容量部Ｃ₁、及び、補助容量部Ｃ₂から構成されている。駆動トランジスタＴＲ_Dのソース／ドレイン領域を介して発光部ＥＬＰに電流が流れると、発光部ＥＬＰは発光する。各トランジスタは、ｐチャネル型の電界効果トランジスタから構成されている。後で図３を参照して説明するが、これらのトランジスタは、シリコン半導体基板上に設けられている。

表示素子３において、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域は、発光制御トランジスタＴＲ_ELの他方のソース／ドレイン領域と容量部Ｃ₁の一端とに接続されており、他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰの一端（具体的には、アノード電極）に接続されており、ゲート電極は、書込みトランジスタＴＲ_Wの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部Ｃ₁の他端に接続されている。

また、書込みトランジスタＴＲ_Wにおいて、一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されており、ゲート電極は、走査線ＳＣＬに接続されている。

発光制御トランジスタＴＲ_ELにおいて、一方のソース／ドレイン領域は、給電線ＰＳ１に接続されており、ゲート電極は、発光制御線ＣＬ１に接続されている。

容量部Ｃ₁の一端は、更に、補助容量部Ｃ₂を介して給電線ＰＳ１に接続されている。

発光部ＥＬＰの他端（具体的には、カソード電極）は、共通給電線ＰＳ２に接続されている。共通給電線ＰＳ２には所定のカソード電圧Ｖ_Catが供給される。尚、発光部ＥＬＰの容量を符号Ｃ_ELで表す。

表示素子３の駆動の概要について説明する。データドライバ１０２からデータ線ＤＴＬに、表示すべき画像の輝度に応じた電圧が供給された状態で、走査部１０１からの走査信号により書込みトランジスタＴＲ_Wが導通状態とされると、容量部Ｃ₁に表示すべき画像の輝度に応じた電圧が書き込まれる。書込みトランジスタＴＲ_Wが非導通状態とされた後、発光制御トランジスタＴＲ_EL1が導通状態とされ、容量部Ｃ₁に保持された電圧に応じて駆動トランジスタＴＲ_Dに電流が流れることによって発光部ＥＬＰが発光する。

表示素子３の発光特性は、発光部ＥＬＰの特性のばらつき、発光部ＥＬＰに接続される配線の抵抗のばらつき、駆動回路を構成するトランジスタの特性のばらつきなどといった多くの要因によって、表示素子毎にばらつく。これによって、表示される画像に輝度ムラといった現象が生ずる。

従って、表示素子毎に発光部ＥＬＰの発光状態を検知して、発光特性がずれている場合にはそれを補償するように映像信号の階調値に乗算といった処理を行うことによって、輝度ムラを低減することができる。

図１に示す輝度補正部１１０の動作について説明する。

図２は、図１に示す輝度補正部を説明するためのブロック図である。

輝度補正部１１０は、Ａ／Ｄ変換部１１０Ａ、補正値算出部１１０Ｂ、基準値格納テーブル部１１０Ｃ、及び、乗算部１１０Ｄといったブロックから構成されている。

光センサ４は、表示素子３の発光部ＥＬＰからの迷光を受光する。光センサ４の出力は、Ａ／Ｄ変換部１１０Ａによってデジタル化され、補正値算出部１１０Ｂに入力される。補正値算出部１１０Ｂには、更に、補正前の映像信号Ｄ_Sig(q,p)が入力される。

基準値格納テーブル部１１０Ｃには、補正前の映像信号Ｄ_Sig(q,p)の値に対応して、光センサ４によって検出されるべき基準値が格納されている。補正値算出部１１０Ｂは、基準値格納テーブル部１１０Ｃから得た基準値と、Ａ／Ｄ変換部から入力された数値とを比較してズレを求める。そして、そのズレを補償するような補正係数［ｋ_(q,p)］を算出して、乗算部１１０Ｄによって、補正前の映像信号Ｄ_Sig(q,p)に補正係数［ｋ_(q,p)］の乗算を行う。補正後の映像信号はｋ_(q,p)・Ｄ_Sig(q,p)となる。

そして、データドライバ１０２は、信号ｋ_(q,p)・Ｄ_Sig(q,p)の値に基づいた電圧を生成し表示素子３を駆動する。これによって、表示素子３の発光特性のばらつきを、表示素子毎に行うことができる。

上述した補正係数［ｋ_(q,p)］をどのような頻度で算出するかは、表示装置の設計や仕様に応じて適宜決定すればよい。例えば、表示装置の電源投入時に全白の画面を表示して補正係数［ｋ_(q,p)］を算出し、それ以降は単に乗算処理のみ行うといった態様とすることもできる。この場合、算出した補正係数［ｋ_(q,p)］は例えば書き換え可能な不揮発性のメモリといった記憶装置に格納しておけばよい。あるいは又、表示装置の動作中に、所定の間隔で補正係数［ｋ_(q,p)］を算出するといった態様とすることもできる。

以上、図１に示す輝度補正部１１０の動作について説明した。次いで、表示パネルの構造について、図３を参照して説明する。

図３は、第１の実施形態の表示パネルの模式的な一部断面図である。

駆動回路を構成する駆動トランジスタＴＲ_D、書込みトランジスタＴＲ_W、及び、発光制御トランジスタＴＲ_ELは、シリコンから成る半導体基板１０の表面に形成されたｎ型ウェル１１に設けられている。尚、図示の都合上、図には駆動トランジスタＴＲ_Dのみが図示されている。これらのトランジスタは、素子分離領域１２によって囲まれている。符号２１は駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極、符号２２はゲート絶縁膜を示す。

表示パネルに設けられた光センサ４は、駆動回路を構成するトランジスタと同様に、ｎ型ウェル１１に設けられている。光センサ４は、フォトダイオードから成る。光センサ４も、素子分離領域１２によって囲まれている。図示の都合上、光センサ４と図１に示す輝度補正部１１０との接続部分は示されていない。表示素子３は半導体基板１０上に形成されており、光センサ４は、表示素子３のそれぞれに対応して半導体基板１０に形成されている。そして、隔壁６０と光センサ４とは、表示素子３の迷光が表示素子３と対応する光センサ４に導光されると共に、光センサ４に対応しない表示素子３の迷光が光センサ４に導光されないように配置されている。

駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域は、コンタクトホール３０を介して、配線あるいは容量部などを構成する電極３１に接続されている。符号４１，４２，４３，４４，４５は層間絶縁層を示す。層間絶縁層４５上には、各表示素子３に対応する発光部ＥＬＰのアノード電極５１が形成されている。アノード電極５１は、層間絶縁層４５上に２次元マトリクス状に配列されている。符号４６は、アノード電極５１とアノード電極５１との間を埋める絶縁層である。アノード電極５１と駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域は、層間絶縁層４１、４２，４３，４４，４５に設けられたコンタクトホールなどを介して接続されている。アノード電極５１が設けられている領域は、発光部ＥＬＰが形成される領域となる。

そして、隣接する発光部ＥＬＰの間には、発光部ＥＬＰの迷光を表示パネルに設けられた光センサ４に導光するための隔壁６０が設けられている。図３で示す例では、隔壁６０をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、表示面側に向かうほど（図において＋Ｚ方向に向かうほど）幅が狭まるテーパー形状である。隔壁６０は、酸化シリコンや酸化アルミニウムなどの無機酸化物から構成されている。

小型で高精細度仕様の表示パネルの場合、発光部ＥＬＰや隔壁６０のＸ方向の幅や、隔壁６０のＺ方向の高さは、例えば数μｍといった値である。

上述した隔壁６０を含む全面を覆うように、発光層を含む有機層７１が形成されている。尚、有機層７１は赤色発光層、緑色発光層、及び、青色発光層などが積層された多層構造であるが、図においてはこれを一層で示した。そして、有機層７１上の全面に、カソード電極７２が形成されている。カソード電極７２は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯといった透明導電材料、あるいは、ＭｇＡｇといった材料から構成されている。その上に、隔壁６０と隔壁６０との間を含む全面を覆う保護層８０が設けられている。尚、カラー表示の場合には、発光部ＥＬＰのそれぞれに対応して、保護層８０の上にカラーフィルターが設けられる。

尚、隔壁６０は格子形状であってもよいし帯状形状であってもよい。格子形状とする場合、１つの発光部ＥＬＰの領域の四方を連続的に取り囲む形状としてもよいし、不連続に取り囲む形状としてもよい。帯状形状とする場合、連続した形状としてもよいし、不連続な形状としてもよい。

図３に示す例では、隔壁６０は、２層以上の積層体で構成されている。より具体的には、隔壁６０を構成する積層体は、表示面側から、上層部を構成する材料層６３、中層部を構成する材料層６２、及び、下層部を構成する材料層６１が積層された構成である。

そして、上層部を構成する材料層６３は、保護層８０を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成り、下層部を構成する材料層６１は、保護層８０を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る。更に、中層部を構成する材料層６２は、下層部６１を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成る。例えば、材料層６１は、ＳｉＮから成り、材料層６２は、ＳｉＯＮから成り、材料層６３は、ＳｉＯから成る。尚、保護層８０は、ＳｉＮから成る。

図４および図５を参照して、隔壁６０の形成プロセスについて説明する。アノード電極５１及び絶縁層４６の上を含む全面に、材料層６１、材料層６２、材料層６３を公知の成膜技術、例えばＣＶＤ法によって、順次積層する（図４Ａおよび図４Ｂ参照）。

次いで、材料層６３上の隔壁６０に対応する部分にマスク９０を形成した後、例えばドライエッチング処理を行う（図５Ａ参照）。オーバーエッチングが生ずるような条件下で処理を行うことで、マスク９０の部分に、材料層６１、材料層６２、材料層６３から成るテーパー状の隔壁６０が形成される（図５Ｂ参照）。

以上に説明した表示素子３の製造は、公知の方法に基づき行うことができるし、表示素子３の製造に用いる各種の材料も公知の材料から適宜選択して製造することができる。

引き続き、隔壁６０と光センサ４の関係について説明する。

図３に示すように、隔壁６０には、光センサ４に対応する発光部ＥＬＰからの迷光（実線で示す）の他、隣接する表示素子３の発光部ＥＬＰからの迷光（破線で示す）が入射する。これらは、材料層６１と材料層６２との界面で反射され、半導体基板１０側に向かう。

層間絶縁層などの膜厚設定にもよるが、光センサ４に対応する発光部ＥＬＰの迷光が半導体基板１０に入射する位置と、隣接する表示素子３の発光部ＥＬＰからの迷光が半導体基板１０に入射する位置とには差が生ずる。従って、実線で示す迷光が入射する位置に光センサ４を配置することによって、光センサ４の検出結果に対して隣接する発光部ＥＬＰの迷光が与える影響を抑えることができる。

次いで、隔壁６０の中層部の位置の設定について説明する。

図６は、発光部の迷光と隔壁の中層部との関係を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。図７は、図６に引き続き、発光部の迷光と隔壁の中層部との関係を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。尚、記載の都合上、これらの図面においては、アノード電極５１以外のハッチングを省略した。後述する他の図面においても同様である。

隔壁６０を覆う保護層８０の屈折率を符号ｎ₁、隔壁６０の上層部の屈折率を符号ｎ₂、中層部の屈折率を符号ｎ₃、下層部の屈折率を符号ｎ₄で表す。上述したように、上層部を構成する材料層６３は、保護層８０を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成り、下層部を構成する材料層６１は、保護層８０を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る。従って、符号ｎ₂＜符号ｎ₁、符号ｎ₁＜符号ｎ₄である。更に、中層部を構成する材料層６２は、下層部６１を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成るので、符号ｎ₃＜符号ｎ₄である。

スネルの法則によって、隔壁６０に対する光の入射や出射は、有機層やカソード電極の構造には依存しない。下層部を構成する材料層６１の斜面に入射する光は材料層６１内に導光されると共に、材料層６２と材料層６１との界面で全反射され半導体基板側に向かう。一方、上層部を構成する材料層６３の斜面に入射する光は、表示面側に向かって全反射され易くなる。

従って、表示面側の光の強さを優先する場合には、図６に示すように、下層部に対して上層部の厚さを相対的に厚く設定すればよい。換言すれば、図６に示す隔壁６０の高さＤＺ₁に対して、下層部の高さＤＺ₂が占める割合を小さく設定すればよい。逆に、迷光の検出を優先する場合には、図７に示すように、下層部をより厚くするように設定すればよい。換言すれば、図６に示す隔壁６０の高さＤＺ₁に対して、下層部の高さＤＺ₂が占める割合を大きく設定すればよい。

［第２の実施形態］
第２の実施形態は、第１の実施形態に対して、隔壁６０の下層部の屈折率が異なる点が相違する。以上の点を除く他は、第１の実施形態と同様の構成である。

図８は、第２の実施形態の隔壁を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。

第２の実施形態にあっては、隔壁６０の上層部を構成する材料層は、保護層８０を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成り、下層部を構成する材料層は、上層部を構成する材料と同じ材料から成り、中層部を構成する材料層は、上層部および下層部を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る。

従って、保護層８０、隔壁６０の上層部および中層部の屈折率は、第１の実施形態と同様に、符号ｎ₁、符号ｎ₂、符号ｎ₃となる。一方、隔壁６０の下層部の屈折率は符号ｎ₂と表される。この構成においても、発光部ＥＬＰの迷光をある程度は捕らえることができるため、迷光を光センサ４に導光することができる。

第２の実施形態は、隔壁６０の上層部と下層部とを同じ材料を用いたプロセスで形成することができるため、プロセスの簡略化を図ることができるといった利点を備えている。

［第３の実施形態］
第３の実施形態は、第１の実施形態や第２の実施例に対して、隔壁６０の層間の界面が屈曲部を有することを特徴とする。より具体的には、隔壁６０をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの下層部と中層部の界面の断面形状は少なくとも１つの屈曲部を有する。以上の点を除く他は、第１の実施形態や第２の実施形態と同様の構成である。

図９は、第３の実施形態の隔壁を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。

図６などに示す例では、隔壁６０の下層部はその上面が平坦形状であって、中層部はこれを覆うように形成されている。従って、下層部と中層部の界面も平坦な面であった。これに対し、図９に示すように、第３の実施形態にあっては、隔壁６０の下層部の上面は表示面側に向かった凸形状を有する。中層部はこれを覆うように形成されているので、下層部と中層部の界面の断面形状は屈曲部を有する。

図１０Ａないし図１０Ｃを参照して、隔壁６０の形成プロセスについて説明する。アノード電極５１及び絶縁層４６の上を含む全面に、材料層６１を積層した後、材料層６１上の隔壁６０に対応する部分にマスク９１を形成した後、例えばドライエッチング処理を行う（図１０Ａ，図１０Ｂ参照）。

オーバーエッチングが生ずるような条件下で処理を行うことで、マスク９１の影となる部分にもエッチングが施されるので、結果として、隔壁６０の下層部の上面は表示面側に向かった凸形状を有する。

その後、全面に材料層６２、材料層６３を公知の成膜技術によって順次積層した後、第１の実施形態で参照した図５Ａおよび図５Ｂを参照して説明したのと同様のプロセスを施すことによって、隔壁６０を形成することができる。

第３の実施形態にあっては、光を反射する界面の傾きを変えることによって、迷光が反射する方向を変えることができる。従って、光センサの配置位置の設定について自由度が増えるといった効果を備えている。

第３の実施形態にあっては、種々の変形例が可能である。図１１ないし図１３は、第３の実施形態の変形例における隔壁を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。以下、これらの図を参照して、変形例について説明する。

図１１に示す例は、隔壁６０の下層部の上面を丸みを帯びた凸形状とした変形例である。例えば、図１０Ｃに示すプロセスの後、化学処理などによってエッジを丸めるといった処理を行うことによって、隔壁６０の下層部の上面を丸みを帯びた形状とすることができる。図１２は、隔壁６０の下層部の上面が表示面側に対して反対側に窪んだ凹形状を有するとした変形例であり、図１３は、更に、凹形状を丸みを帯びた凹形状とした変形例である。これらの変形例においても、迷光が反射する方向を変えることが可能である。

［第４の実施形態］
第４の実施形態は、第１の実施形態などに対して、隔壁６０を構成する積層体が、表示面側から、上層部を構成する材料層、及び、下層部を構成する材料層が積層された構成であるといった点が相違する。

図１４は、第２の実施形態の隔壁を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。

隔壁６０の上部には、他の実施形態と同様に、隔壁６０と隔壁６０との間を含む全面を覆う保護層８０が設けられている。隔壁６０を構成する積層体は、表示面側から、上層部を構成する材料層、及び、下層部を構成する材料層が積層された構成であり、下層部を構成する材料層は、保護層８０を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成り、上層部を構成する材料層は、下層部を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成るといった構成である。換言すれば、第１の実施形態などの上層部を省き、第１の実施形態などの中層部を上層部としたような構成である。

この構成は、第１の実施形態に対して下層部の斜面を長く設定することができる。従って、迷光を隔壁内に取り込む程度を大きくすることができるといった利点を備えている。

［第５の実施形態］
第４の実施形態は、第１の実施形態などに対して、隔壁６０をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、表示面側に向かうほど幅が広がるテーパー形状である構成であることが相違する。

図１５は、第５の実施形態の隔壁を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。

この構成は、第１の実施形態の隔壁６０を逆テーパー状にした構成に対応する。このような隔壁６０は、図５Ａを参照して説明したエッチングプロセスにおいて、エッチングガスの流量や方向の設定を変えることによって得ることができる。そして、隔壁６０を逆テーパー状とすることによって、迷光を隔壁内に取り込む程度を大きくすることができる。

［第６の実施形態］
第６の実施形態は、隔壁６０をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、表示面側に向かうほど幅が広がるテーパー形状であり、隔壁６０は単一の材料層から構成されているといった点を特徴とする。

図１６は、第６の実施形態の隔壁を説明するための表示パネルの模式的な一部断面図である。

隔壁６０をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、表示面側に向かうほど幅が広がるテーパー形状である。隔壁６０の上部には、他の実施形態と同様に、隔壁６０と隔壁６０との間を含む全面を覆う保護層８０が設けられている。そして、隔壁６０は単一の材料層から構成されており、隔壁６０を構成する材料層は、保護層８０を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る。

この構成も、隔壁６０を逆テーパー状とすることによって、迷光を隔壁内に取り込む程度を大きくすることができる。また、隔壁６０を単一の材料で形成できるといった利点を備えている。

［電子機器］
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。

本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。

（具体例１）
図１７は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１７Ａにその正面図を示し、図１７Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。

そして、カメラ本体部３１１の背面略中央にはモニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。

上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ３１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ３１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。

（具体例２）
図１８は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部４１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部４１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部４１１として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部４１１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。

（具体例３）
図１９は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ５１１は、本体部５１２、アーム５１３および鏡筒５１４で構成される。

本体部５１２は、アーム５１３および眼鏡５００と接続される。具体的には、本体部５１２の長辺方向の端部はアーム５１３と結合され、本体部５１２の側面の一側は接続部材を介して眼鏡５００と連結される。なお、本体部５１２は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。

本体部５１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイ５１１の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム５１３は、本体部５１２と鏡筒５１４とを接続させ、鏡筒５１４を支える。具体的には、アーム５１３は、本体部５１２の端部および鏡筒５１４の端部とそれぞれ結合され、鏡筒５１４を固定する。また、アーム５１３は、本体部５１２から鏡筒５１４に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。

鏡筒５１４は、本体部５１２からアーム５１３を経由して提供される画像光を、接眼レンズを通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ５１１を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ５１１において、本体部５１２の表示部に、本開示の表示装置を用いることができる。

［その他］
なお、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
［１］
発光部と発光部を駆動する駆動回路とを備えた表示素子が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示パネルであって、
隣接する発光部の間には、発光部の迷光を表示パネルに設けられた光センサに導光するための隔壁が設けられている、
表示パネル。
［２］
隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、表示面側に向かうほど幅が狭まるテーパー形状、若しくは、表示面側に向かうほど幅が広がるテーパー形状である、
上記［１］に記載の表示パネル。
［３］
隔壁は、２層以上の積層体で構成されている、
上記［２］に記載の表示パネル。
［４］
隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、
隔壁を構成する積層体は、表示面側から、上層部を構成する材料層、中層部を構成する材料層、及び、下層部を構成する材料層が積層された構成である、
上記［３］に記載の表示パネル。
［５］
上層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成り、
下層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
上記［４］に記載の表示パネル。
［６］
中層部を構成する材料層は、下層部を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成る、
上記［５］に記載の表示パネル。
［７］
上層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成り、
下層部を構成する材料層は、上層部を構成する材料と同じ材料から成り、
中層部を構成する材料層は、上層部および下層部を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
上記［４］に記載の表示パネル。
［８］
隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの下層部と中層部の界面の断面形状は少なくとも１つの屈曲部を有する、
上記［４］ないし［７］のいずれかに記載の表示パネル。
［９］
隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、
隔壁を構成する積層体は、表示面側から、上層部を構成する材料層、及び、下層部を構成する材料層が積層された構成であり、
下層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成り、
上層部を構成する材料層は、下層部を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
上記［２］に記載の表示パネル。
［１０］
隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、表示面側に向かうほど幅が広がるテーパー形状であり、
隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、
隔壁は単一の材料層から構成されており、
隔壁を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
上記［２］に記載の表示パネル。
［１１］
表示素子は半導体基板上に形成されており、
光センサは、表示素子のそれぞれに対応して半導体基板に形成されている、
上記［１］ないし［１０］のいずれかに記載の表示パネル。
［１２］
隔壁と光センサとは、表示素子の迷光が表示素子と対応する光センサに導光されると共に、光センサに対応しない表示素子の迷光が光センサに導光されないように配置されている、
上記［１］ないし［１１］のいずれかに記載の表示パネル。
［１３］
発光部と発光部を駆動する駆動回路とを備えた表示素子が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示パネル、及び、
映像信号の階調値を補正することによって、表示パネルが画像を表示する際の表示素子の輝度を補正する輝度補正部、
を備えており、
表示パネルの隣接する発光部の間には、発光部の迷光を表示パネルに設けられた光センサに導光するための隔壁が設けられており、
輝度補正部は、補正前の映像信号の階調値と光センサの検出結果とに基づいて、各表示素子に対応する映像信号の階調値を補正する、
表示装置。
［１４］
隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、表示面側に向かうほど幅が狭まるテーパー形状、若しくは、表示面側に向かうほど幅が広がるテーパー形状である、
上記［１３］に記載の表示装置。
［１５］
隔壁は、２層以上の積層体で構成されている、
上記［１４］に記載の表示装置。
［１６］
隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、
隔壁を構成する積層体は、表示面側から、上層部を構成する材料層、中層部を構成する材料層、及び、下層部を構成する材料層が積層された構成である、
上記［１５］に記載の表示装置。
［１７］
上層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成り、
下層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
上記［１６］に記載の表示装置。
［１８］
中層部を構成する材料層は、下層部を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成る、
上記［１７］に記載の表示装置。
［１９］
上層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成り、
下層部を構成する材料層は、上層部を構成する材料と同じ材料から成り、
中層部を構成する材料層は、上層部および下層部を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
上記［１６］に記載の表示装置。
［２０］
隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの下層部と中層部の界面の断面形状は少なくとも１つの屈曲部を有する、
上記［１６］ないし［１９］のいずれかに記載の表示装置。
［２１］
隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、
隔壁を構成する積層体は、表示面側から、上層部を構成する材料層、及び、下層部を構成する材料層が積層された構成であり、
下層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成り、
上層部を構成する材料層は、下層部を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
上記［１４］に記載の表示装置。
［２２］
隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、表示面側に向かうほど幅が広がるテーパー形状であり、
隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、
隔壁は単一の材料層から構成されており、
隔壁を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
上記［１４］に記載の表示装置。
［２３］
表示素子は半導体基板上に形成されており、
光センサは、表示素子のそれぞれに対応して半導体基板に形成されている、
上記［１３］ないし［２２］のいずれかに記載の表示装置。
［２４］
隔壁と光センサとは、表示素子の迷光が表示素子と対応する光センサに導光されると共に、光センサに対応しない表示素子の迷光が光センサに導光されないように配置されている、
上記［１３］ないし［２３］のいずれかに記載の表示装置。
［２５］
表示装置を備えた電子機器であって、
表示装置は、
発光部と発光部を駆動する駆動回路とを備えた表示素子が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示パネル、及び、
映像信号の階調値を補正することによって、表示パネルが画像を表示する際の表示素子の輝度を補正する輝度補正部、
を備えており、
表示パネルの隣接する発光部の間には、発光部の迷光を表示パネルに設けられた光センサに導光するための隔壁が設けられており、
輝度補正部は、補正前の映像信号の階調値と光センサの検出結果とに基づいて、各表示素子に対応する映像信号の階調値を補正する、
電子機器。
［２６］
隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、表示面側に向かうほど幅が狭まるテーパー形状、若しくは、表示面側に向かうほど幅が広がるテーパー形状である、
上記［２５］に記載の電子機器。
［２７］
隔壁は、２層以上の積層体で構成されている、
上記［２６］に記載の電子機器。
［２８］
隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、
隔壁を構成する積層体は、表示面側から、上層部を構成する材料層、中層部を構成する材料層、及び、下層部を構成する材料層が積層された構成である、
上記［２７］に記載の電子機器。
［２９］
上層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成り、
下層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
上記［２８］に記載の電子機器。
［３０］
中層部を構成する材料層は、下層部を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成る、
上記［２９］に記載の電子機器。
［３１］
上層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成り、
下層部を構成する材料層は、上層部を構成する材料と同じ材料から成り、
中層部を構成する材料層は、上層部および下層部を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
上記［２８］に記載の電子機器。
［３２］
隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの下層部と中層部の界面の断面形状は少なくとも１つの屈曲部を有する、
上記［２８］ないし［３１］のいずれかに記載の電子機器。
［３３］
隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、
隔壁を構成する積層体は、表示面側から、上層部を構成する材料層、及び、下層部を構成する材料層が積層された構成であり、
下層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成り、
上層部を構成する材料層は、下層部を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
上記［２６］に記載の電子機器。
［３４］
隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、表示面側に向かうほど幅が広がるテーパー形状であり、
隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、
隔壁は単一の材料層から構成されており、
隔壁を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
上記［２６］に記載の電子機器。
［３５］
表示素子は半導体基板上に形成されており、
光センサは、表示素子のそれぞれに対応して半導体基板に形成されている、
上記［２５］ないし［３４］のいずれかに記載の電子機器。
［３６］
隔壁と光センサとは、表示素子の迷光が表示素子と対応する光センサに導光されると共に、光センサに対応しない表示素子の迷光が光センサに導光されないように配置されている、
上記［２５］ないし［３５］のいずれかに記載の電子機器。

１・・・表示装置、２・・・表示パネル、３・・・表示素子、４・・・光センサ、１０・・・半導体基板、１１・・・ウェル、１２・・・素子分離領域、２１・・・駆動トランジスタのゲート電極、２２・・・駆動トランジスタのゲート絶縁層、３０・・・コンタクトホール、３１・・・配線あるいは容量部を構成する電極、４１，４２，４３，４４，４５、４６・・・絶縁層あるいは層間絶縁層、５１・・・発光部のアノード電極、６０・・・隔壁、６１・・・隔壁の下層部、６２・・・隔壁の中層部、６３・・・隔壁の上層部、７１・・・有機層、７２・・・カソード電極、８０・・・保護層（平坦化膜）、９０，９１・・・マスク、１００・・・電源部、１０１・・・走査部、１０２・・・データドライバ、１０３・・・発光制御部、１１０・・・輝度補正部、１１０Ａ・・・Ａ／Ｄ変換部、１１０Ｂ・・・補正値算出部、１１０Ｃ・・・基準値格納テーブル部、１１０Ｄ・・・乗算部、３１１・・・カメラ本体部、３１２・・・撮影レンズユニット、３１３・・・グリップ部、３１４・・・モニタ、３１５・・・ビューファインダ、５００・・・眼鏡、５１１・・・シースルーヘッドマウントディスプレイ、５１２・・・本体部、５１３・・・アーム、５１４・・・鏡筒、ＴＲ_W・・・書込みトランジスタ、ＴＲ_D・・・駆動トランジスタ、ＴＲ_EL・・・発光制御トランジスタ、Ｃ₁・・・容量部、Ｃ₂・・・補助容量部、ＥＬＰ・・・有機エレクトロルミネッセンス発光部、Ｃ_EL・・・発光部ＥＬＰの容量、ＳＣＬ・・・走査線、ＤＴＬ・・・データ線、ＰＳ１・・・給電線、ＰＳ２・・・共通給電線、ＣＬ１・・・発光制御線

Claims (14)

1. 発光部と発光部を駆動する駆動回路とを備えた表示素子が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示パネルであって、
   隣接する発光部の間には、発光部の迷光を表示パネルに設けられた光センサに導光するための隔壁が設けられている、
   表示パネル。
2. 隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、表示面側に向かうほど幅が狭まるテーパー形状、若しくは、表示面側に向かうほど幅が広がるテーパー形状である、
   請求項１に記載の表示パネル。
3. 隔壁は、２層以上の積層体で構成されている、
   請求項２に記載の表示パネル。
4. 隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、
   隔壁を構成する積層体は、表示面側から、上層部を構成する材料層、中層部を構成する材料層、及び、下層部を構成する材料層が積層された構成である、
   請求項３に記載の表示パネル。
5. 上層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成り、
   下層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
   請求項４に記載の表示パネル。
6. 中層部を構成する材料層は、下層部を構成する材料よりも屈折率が小さい材料から成る、
   請求項５に記載の表示パネル。
7. 上層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成り、
   下層部を構成する材料層は、上層部を構成する材料と同じ材料から成り、
   中層部を構成する材料層は、上層部および下層部を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
   請求項４に記載の表示パネル。
8. 隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの下層部と中層部の界面の断面形状は少なくとも１つの屈曲部を有する、
   請求項４に記載の表示パネル。
9. 隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、
   隔壁を構成する積層体は、表示面側から、上層部を構成する材料層、及び、下層部を構成する材料層が積層された構成であり、
   下層部を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成り、
   上層部を構成する材料層は、下層部を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
   請求項２に記載の表示パネル。
10. 隔壁をその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、表示面側に向かうほど幅が広がるテーパー形状であり、
    隔壁の上部には、隔壁と隔壁との間を含む全面を覆う保護層が設けられており、
    隔壁は単一の材料層から構成されており、
    隔壁を構成する材料層は、保護層を構成する材料よりも屈折率が大きい材料から成る、
    請求項２に記載の表示パネル。
11. 表示素子は半導体基板上に形成されており、
    光センサは、表示素子のそれぞれに対応して半導体基板に形成されている、
    請求項１に記載の表示パネル。
12. 隔壁と光センサとは、表示素子の迷光が表示素子と対応する光センサに導光されると共に、光センサに対応しない表示素子の迷光が光センサに導光されないように配置されている、
    請求項１に記載の表示パネル。
13. 発光部と発光部を駆動する駆動回路とを備えた表示素子が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示パネル、及び、
    映像信号の階調値を補正することによって、表示パネルが画像を表示する際の表示素子の輝度を補正する輝度補正部、
    を備えており、
    表示パネルの隣接する発光部の間には、発光部の迷光を表示パネルに設けられた光センサに導光するための隔壁が設けられており、
    輝度補正部は、補正前の映像信号の階調値と光センサの検出結果とに基づいて、各表示素子に対応する映像信号の階調値を補正する、
    表示装置。
14. 表示装置を備えた電子機器であって、
    表示装置は、
    発光部と発光部を駆動する駆動回路とを備えた表示素子が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示パネル、及び、
    映像信号の階調値を補正することによって、表示パネルが画像を表示する際の表示素子の輝度を補正する輝度補正部、
    を備えており、
    表示パネルの隣接する発光部の間には、発光部の迷光を表示パネルに設けられた光センサに導光するための隔壁が設けられており、
    輝度補正部は、補正前の映像信号の階調値と光センサの検出結果とに基づいて、各表示素子に対応する映像信号の階調値を補正する、
    電子機器。

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